JPH0738192A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH0738192A JPH0738192A JP5176464A JP17646493A JPH0738192A JP H0738192 A JPH0738192 A JP H0738192A JP 5176464 A JP5176464 A JP 5176464A JP 17646493 A JP17646493 A JP 17646493A JP H0738192 A JPH0738192 A JP H0738192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- active layer
- optical waveguide
- emitting device
- light
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 紫外及び可視光の高出力レーザを実現する。
【構成】 石英基板１２にが蛍光体の分散した誘電体の
活性層７とクラッド層８が形成されて導波路構造９が構
成されている。一方シリコン基板１にエミッタ２、ゲー
ト４が形成されている。両基板はスペーサ５による真空
空間６を介して対向して配置されている。エミッタ２と
ゲート４及びアノード１１に電界を印加することによ
り、エミッタから電子が放出され、活性層中の蛍光体を
励起し発光する。
活性層７とクラッド層８が形成されて導波路構造９が構
成されている。一方シリコン基板１にエミッタ２、ゲー
ト４が形成されている。両基板はスペーサ５による真空
空間６を介して対向して配置されている。エミッタ２と
ゲート４及びアノード１１に電界を印加することによ
り、エミッタから電子が放出され、活性層中の蛍光体を
励起し発光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光記録等の光情報処理分
野、光応用計測分野、その他ディスプレイ分野等で用い
るレーザ等の発光素子に関するものである。
野、光応用計測分野、その他ディスプレイ分野等で用い
るレーザ等の発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光情報処理分野あるいは光応用計
測分野では、使用されるレーザ光源の短波長化、小型軽
量化が要望され、波長が４００ｎｍ及び５００ｎｍ台の
発光素子、特に固体（半導体）レーザ光源の研究開発が
各所で行われている。
測分野では、使用されるレーザ光源の短波長化、小型軽
量化が要望され、波長が４００ｎｍ及び５００ｎｍ台の
発光素子、特に固体（半導体）レーザ光源の研究開発が
各所で行われている。
【０００３】従来、その短波長固体レーザ光源の一方式
として、例えば特願平１−８２０４に示されている様
に、発光素子の活性層とマルチ・チップ電界放射型電子
源を対向させて配置し、両者間に印加した電界によって
放射された電子ビームによって活性層を励起・発光させ
る発光素子が提案されている。その典型的な構造を図４
に示す。
として、例えば特願平１−８２０４に示されている様
に、発光素子の活性層とマルチ・チップ電界放射型電子
源を対向させて配置し、両者間に印加した電界によって
放射された電子ビームによって活性層を励起・発光させ
る発光素子が提案されている。その典型的な構造を図４
に示す。
【０００４】図４は、電界放射型電子ビームによる発光
部活性層の励起方法と、発光部とマルティ・ティップ電
界放射型電子源を対向させて配置する発光素子の断面構
造を示している（特願平１−８２０４号またはUSP51193
86）。
部活性層の励起方法と、発光部とマルティ・ティップ電
界放射型電子源を対向させて配置する発光素子の断面構
造を示している（特願平１−８２０４号またはUSP51193
86）。
【０００５】ここで、１０１はＧａＡｓ基板、１０２は
ＺｎＳクラッド層、１０３はＺｎＳ活性層、１０４はＳ
ｉＯ2膜、１０５はＳｉＯ2膜、１０６は電界放射チッ
プ、１０７はＳｉ基板、１０８は真空空間、１０９はＭ
ｏ電極膜である。
ＺｎＳクラッド層、１０３はＺｎＳ活性層、１０４はＳ
ｉＯ2膜、１０５はＳｉＯ2膜、１０６は電界放射チッ
プ、１０７はＳｉ基板、１０８は真空空間、１０９はＭ
ｏ電極膜である。
【０００６】このように、従来は活性層の材料としてII
−IV族化合物半導体を用い、また活性層はいわゆるスラ
ブ型光導波路構造で青色レーザ光を得ていた。
−IV族化合物半導体を用い、また活性層はいわゆるスラ
ブ型光導波路構造で青色レーザ光を得ていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うに、活性層の材料としてII−VI族化合物半導体を用い
る場合、格子整合をとるために高価なIII−V族のＧａＡ
ｓ結晶基板を用い、またＭＯＶＰＥ結晶成長装置等高価
な装置が必要であった。また、また活性層の構造がスラ
ブ型光導波路構造であるため、単一横モード発振が困難
という問題に加えて、II−VI族化合物半導体の屈折率が
III−V族の半導体よりも小さいために光の閉じめが困難
であり、レーザ発振の閾値が高くなるという欠点を有し
ていた。また発振波長は用いるII−VI族半導体によって
限定され、様々な発振波長を得ることはできない。
うに、活性層の材料としてII−VI族化合物半導体を用い
る場合、格子整合をとるために高価なIII−V族のＧａＡ
ｓ結晶基板を用い、またＭＯＶＰＥ結晶成長装置等高価
な装置が必要であった。また、また活性層の構造がスラ
ブ型光導波路構造であるため、単一横モード発振が困難
という問題に加えて、II−VI族化合物半導体の屈折率が
III−V族の半導体よりも小さいために光の閉じめが困難
であり、レーザ発振の閾値が高くなるという欠点を有し
ていた。また発振波長は用いるII−VI族半導体によって
限定され、様々な発振波長を得ることはできない。
【０００８】そこで本発明は蛍光体の分散した誘電体で
光導波路を構成することにより、単一モードでありかつ
所望の発振波長のレーザを提供することを目的とする。
光導波路を構成することにより、単一モードでありかつ
所望の発振波長のレーザを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した従来
の問題点を解消するため、活性層を含んでなる発光部と
マルチ・チップ電界放射型電子源を対向させて配置し、
両者間に印加した電界によって放射された電子ビームに
よって活性層を励起・発光させる発光素子において、前
記活性層が蛍光体の分散した誘電体であり、かつ発光部
が光導波路構造であることを特徴とする発光素子を提供
するものである。
の問題点を解消するため、活性層を含んでなる発光部と
マルチ・チップ電界放射型電子源を対向させて配置し、
両者間に印加した電界によって放射された電子ビームに
よって活性層を励起・発光させる発光素子において、前
記活性層が蛍光体の分散した誘電体であり、かつ発光部
が光導波路構造であることを特徴とする発光素子を提供
するものである。
【００１０】
【作用】この技術手段による作用は次のようになる。即
ち発光部とマルチ・チップ電界放射型電子源を対向させ
て配置し、両者間に印加した電界によって放射された電
子ビームによって活性層を励起・発光させる発光素子に
おいて、前記活性層が蛍光体の分散した誘電体であり、
かつ発光部が光導波路構造である場合、電子線照射によ
って光導波路内の蛍光体から光を発し、その光が導波路
を伝搬する。発光波長は蛍光体を構成する母体及び付活
剤で決定される。例えばＺｎＳを母体としＡｇを付活剤
とする蛍光体では、発光ピーク波長は約４５０ｎｍの青
色、Ｚｎ2ＳｉＯ2を母体としＭｎを付活剤とする蛍光体
では、発光ピーク波長は約５２５ｎｍの緑色、そしてＹ
2Ｏ3を母体としＥｕを付活剤とする蛍光体では、発光ピ
ーク波長は約６１１ｎｍの赤色である。また光導波路の
内部もしくは外部に反射鏡を設置し共振器を設置するこ
とにより、各蛍光体の発光ピーク波長もしくは、グレー
ティング等の波長選択素子で設定される波長でレーザ発
振が生じる。
ち発光部とマルチ・チップ電界放射型電子源を対向させ
て配置し、両者間に印加した電界によって放射された電
子ビームによって活性層を励起・発光させる発光素子に
おいて、前記活性層が蛍光体の分散した誘電体であり、
かつ発光部が光導波路構造である場合、電子線照射によ
って光導波路内の蛍光体から光を発し、その光が導波路
を伝搬する。発光波長は蛍光体を構成する母体及び付活
剤で決定される。例えばＺｎＳを母体としＡｇを付活剤
とする蛍光体では、発光ピーク波長は約４５０ｎｍの青
色、Ｚｎ2ＳｉＯ2を母体としＭｎを付活剤とする蛍光体
では、発光ピーク波長は約５２５ｎｍの緑色、そしてＹ
2Ｏ3を母体としＥｕを付活剤とする蛍光体では、発光ピ
ーク波長は約６１１ｎｍの赤色である。また光導波路の
内部もしくは外部に反射鏡を設置し共振器を設置するこ
とにより、各蛍光体の発光ピーク波長もしくは、グレー
ティング等の波長選択素子で設定される波長でレーザ発
振が生じる。
【００１１】
【実施例】本発明による発光素子の構成を図１に、また
断面構造を図２に示す。金属あるいはＳｉ等の導電性基
板１に電界放射チップ（エミッタ）２が形成され、また
電子源の周辺にはＳｉＯ2等の絶縁層３を介してゲート
電極４が形成されている。そして厚み１０μｍ程度のス
ペーサ５を介して光導波路９との間に真空空間６が形成
されている。光導波路９は石英基板１２上に青色蛍光体
ＺｎＳ：Ａｇの分散したガラス層７とＳｉＯ2層８によ
りスパッタリング方で形成され、ガラス層がコア、そし
て石英基板とＳｉＯ2層８がクラッドとして働いてい
る。また光導波路のＳｉＯ2層８の表面にはグレーティ
ング１０が形成され特定の波長で発振するように設定さ
れている。光導波路９の表面は薄いＡｌ膜１１で被覆さ
れ、アノードが形成されている。石英基板１２の裏面に
はＡｕ等により電極１３が形成されＡｌ膜１１と電気的
に接続されている。素子の側面にはＡｌ2Ｏ3あるいはＳ
ｉＯ2等によりのパッシベーション膜１４が形成され真
空が維持される。そして、エミッタ２とゲート電極の間
に電界印加装置１５により数百ボルト程度の電界が印加
されエミッタ２から電子が放出され、更に電界印加装置
１６によりエミッタ２とアノード１１間に電極１３を通
じて同様に数百ボルト程度の電界が印加され、アノード
１１がエミッタから放出した電子を加速するとともに、
アノードを通過する電子を青色蛍光体が分散したガラス
層７に導く。蛍光体により発光した光は導波路内を伝搬
すると同時に、グレーティグ１０により反射されるので
レーザ発振が生じる。
断面構造を図２に示す。金属あるいはＳｉ等の導電性基
板１に電界放射チップ（エミッタ）２が形成され、また
電子源の周辺にはＳｉＯ2等の絶縁層３を介してゲート
電極４が形成されている。そして厚み１０μｍ程度のス
ペーサ５を介して光導波路９との間に真空空間６が形成
されている。光導波路９は石英基板１２上に青色蛍光体
ＺｎＳ：Ａｇの分散したガラス層７とＳｉＯ2層８によ
りスパッタリング方で形成され、ガラス層がコア、そし
て石英基板とＳｉＯ2層８がクラッドとして働いてい
る。また光導波路のＳｉＯ2層８の表面にはグレーティ
ング１０が形成され特定の波長で発振するように設定さ
れている。光導波路９の表面は薄いＡｌ膜１１で被覆さ
れ、アノードが形成されている。石英基板１２の裏面に
はＡｕ等により電極１３が形成されＡｌ膜１１と電気的
に接続されている。素子の側面にはＡｌ2Ｏ3あるいはＳ
ｉＯ2等によりのパッシベーション膜１４が形成され真
空が維持される。そして、エミッタ２とゲート電極の間
に電界印加装置１５により数百ボルト程度の電界が印加
されエミッタ２から電子が放出され、更に電界印加装置
１６によりエミッタ２とアノード１１間に電極１３を通
じて同様に数百ボルト程度の電界が印加され、アノード
１１がエミッタから放出した電子を加速するとともに、
アノードを通過する電子を青色蛍光体が分散したガラス
層７に導く。蛍光体により発光した光は導波路内を伝搬
すると同時に、グレーティグ１０により反射されるので
レーザ発振が生じる。
【００１２】次に、この発光素子の製造方法について簡
単に説明する。最初、導電性Ｓｉ基板１に、Ｓｉ結晶の
異方性エッチングを利用する方法、金属膜の付着したガ
ラス基板にＭｏのコーン状堆積を利用する方法等によ
り、電界放射チップ２を形成する。電界チップ１個の大
きさは通常直径が数μｍ程度なので、活性層７を均一に
電子線照射・励起できるように一定の面内密度で形成す
る。そして、この電界放射チップ２の形成とは平行し
て、石英板１２の表面に幅数μｍ、高さ数μｍのＺｎ
Ｓ：Ａｇの分散したガラスでなる活性層７及び活性層を
被覆する石英膜によるクラッド層８で構成される光導波
路９をＣＶＤ法等で形成する。更にホログラフィック露
光法等により導波路の表面にグレーティング１０を形成
する。そして次にクラッド層８の表面にＡｌ膜を数百か
ら数千オングストローム真空蒸着する。その後、電界放
射チップ２が形成された導電性基板１と光導波路９が表
面に形成されている石英板１２とをスペーサ５を間に挟
んで、真空中でＩｎ等のハンダで接合する。この時、電
界放射チップ２と光導波路とがちょうど対向するように
接合する。そして最後に出射端面にスパッタ法等により
Ａｌ2Ｏ3膜１４を堆積し、石英板裏面に電極としてＡｕ
膜１３を形成する。
単に説明する。最初、導電性Ｓｉ基板１に、Ｓｉ結晶の
異方性エッチングを利用する方法、金属膜の付着したガ
ラス基板にＭｏのコーン状堆積を利用する方法等によ
り、電界放射チップ２を形成する。電界チップ１個の大
きさは通常直径が数μｍ程度なので、活性層７を均一に
電子線照射・励起できるように一定の面内密度で形成す
る。そして、この電界放射チップ２の形成とは平行し
て、石英板１２の表面に幅数μｍ、高さ数μｍのＺｎ
Ｓ：Ａｇの分散したガラスでなる活性層７及び活性層を
被覆する石英膜によるクラッド層８で構成される光導波
路９をＣＶＤ法等で形成する。更にホログラフィック露
光法等により導波路の表面にグレーティング１０を形成
する。そして次にクラッド層８の表面にＡｌ膜を数百か
ら数千オングストローム真空蒸着する。その後、電界放
射チップ２が形成された導電性基板１と光導波路９が表
面に形成されている石英板１２とをスペーサ５を間に挟
んで、真空中でＩｎ等のハンダで接合する。この時、電
界放射チップ２と光導波路とがちょうど対向するように
接合する。そして最後に出射端面にスパッタ法等により
Ａｌ2Ｏ3膜１４を堆積し、石英板裏面に電極としてＡｕ
膜１３を形成する。
【００１３】さて、この様にして作製された発光素子の
導電性基板１と石英板上の電極１３との間に数Ｖから数
百Ｖの電圧を印加することによって青色レーザ光を得る
ことができる。また導電性基板１とゲート電極１１の間
にも電圧を印加することによって更に電子を効率よく放
射させることができる。
導電性基板１と石英板上の電極１３との間に数Ｖから数
百Ｖの電圧を印加することによって青色レーザ光を得る
ことができる。また導電性基板１とゲート電極１１の間
にも電圧を印加することによって更に電子を効率よく放
射させることができる。
【００１４】チップ先端の電界強度は、チップ先端の曲
率半径が小さければ小さいほど、極めて大きいものとな
り、この電界の効果により電子が真空中に放出される。
放出された電子は真空空間６中を加速されながら走りＡ
ｌ膜１１を通過し、かつ活性層７内の蛍光体の電子を基
底状態から励起状態の電子レベルに励起する。そして励
起された電子が基底状態に遷移するときに波長約４５０
ｎｍの光としてエネルギーを放出する。また光導波路９
の内部もしくは外部に共振器を形成しておけば誘導放出
により青色レーザ光が得られる。本実施例ではグレーテ
ィング１０が共振器を形成している。
率半径が小さければ小さいほど、極めて大きいものとな
り、この電界の効果により電子が真空中に放出される。
放出された電子は真空空間６中を加速されながら走りＡ
ｌ膜１１を通過し、かつ活性層７内の蛍光体の電子を基
底状態から励起状態の電子レベルに励起する。そして励
起された電子が基底状態に遷移するときに波長約４５０
ｎｍの光としてエネルギーを放出する。また光導波路９
の内部もしくは外部に共振器を形成しておけば誘導放出
により青色レーザ光が得られる。本実施例ではグレーテ
ィング１０が共振器を形成している。
【００１５】また、本実施例においては、光導波路９の
一部をＡｌ膜１１で被覆したが、これは光導波路が絶縁
体であることによる電荷（励起用電子）のチャージアッ
プを防ぐためである。即ち、Ａｌ膜１１とＡｕ電極１３
とを接続しておけば、光導波路あるいは活性層に注入さ
れた励起用電子がＡｌ膜１１、Ａｕ電極１３を通して常
にアースへ逃げ、光導波路９あるいは活性層７中に溜る
ことはない。しかし、もしこのＡｌ膜１１がなければ電
子励起を続けるに連れて、光導波路９中に電子が溜り、
光導波路と電界放射チップ間の電圧差が徐々に減少す
る。その結果、励起電子の持つエネルギーが減少し、光
出力の減少を招く。
一部をＡｌ膜１１で被覆したが、これは光導波路が絶縁
体であることによる電荷（励起用電子）のチャージアッ
プを防ぐためである。即ち、Ａｌ膜１１とＡｕ電極１３
とを接続しておけば、光導波路あるいは活性層に注入さ
れた励起用電子がＡｌ膜１１、Ａｕ電極１３を通して常
にアースへ逃げ、光導波路９あるいは活性層７中に溜る
ことはない。しかし、もしこのＡｌ膜１１がなければ電
子励起を続けるに連れて、光導波路９中に電子が溜り、
光導波路と電界放射チップ間の電圧差が徐々に減少す
る。その結果、励起電子の持つエネルギーが減少し、光
出力の減少を招く。
【００１６】次に、活性層を含んでなる発光部とマルチ
・チップ電界放射型電子源が同一基板に形成されている
場合の発光素子の実施例について述べる。
・チップ電界放射型電子源が同一基板に形成されている
場合の発光素子の実施例について述べる。
【００１７】本発明のによる第２の実施例の発光素子の
基板の概略構成を図３に示す。この場合、３１はシリコ
ン基板、３２はＳｉＯ2等の絶縁膜、３３はタングステ
ン金属の電界放射チップ、３４は青色蛍光体ＺｎＳ：Ａ
ｇの分散したガラス層でなる活性層、３５はＳｉＯ2の
クラッド層であり、それぞれコア及びクラッドとして光
導波路３６を構成している。３７は光導波路の表面に形
成されたグレーティング、３８は光導波路の一部を被覆
しているＡｌ膜である。３９はＡｕ等の電極である。４
０はスペーサ、４１はＡｌ2Ｏ3あるいはＳｉＯ2等のパ
ッシベーション膜、４２は石英基板、４３は真空であ
る。
基板の概略構成を図３に示す。この場合、３１はシリコ
ン基板、３２はＳｉＯ2等の絶縁膜、３３はタングステ
ン金属の電界放射チップ、３４は青色蛍光体ＺｎＳ：Ａ
ｇの分散したガラス層でなる活性層、３５はＳｉＯ2の
クラッド層であり、それぞれコア及びクラッドとして光
導波路３６を構成している。３７は光導波路の表面に形
成されたグレーティング、３８は光導波路の一部を被覆
しているＡｌ膜である。３９はＡｕ等の電極である。４
０はスペーサ、４１はＡｌ2Ｏ3あるいはＳｉＯ2等のパ
ッシベーション膜、４２は石英基板、４３は真空であ
る。
【００１８】次に、この発光素子の製造方法について簡
単に説明する。最初、Ｓｉ基板３１に幅数μｍ、高さ数
μｍのＺｎＳ：Ａｇの分散したガラスでなる活性層３４
及び活性層を被覆する石英膜によるクラッド層３５で構
成される光導波路３６をＣＶＤ法等で形成する。更にホ
ログラフィック露光法等により導波路の表面にグレーテ
ィング３７を形成する。次にＳｉＯ2等の絶縁膜を蒸着
し、更にタングステン金属をマスク蒸着し、フォトリソ
技術とエッチング法により急峻な先端を有する電界放射
チップ３３を形成する。
単に説明する。最初、Ｓｉ基板３１に幅数μｍ、高さ数
μｍのＺｎＳ：Ａｇの分散したガラスでなる活性層３４
及び活性層を被覆する石英膜によるクラッド層３５で構
成される光導波路３６をＣＶＤ法等で形成する。更にホ
ログラフィック露光法等により導波路の表面にグレーテ
ィング３７を形成する。次にＳｉＯ2等の絶縁膜を蒸着
し、更にタングステン金属をマスク蒸着し、フォトリソ
技術とエッチング法により急峻な先端を有する電界放射
チップ３３を形成する。
【００１９】さて、この様にして作製された発光素子の
陰極３３と光導波路３６との間に数Ｖから数百Ｖの電圧
を印加することによって青色レーザ光を得ることができ
る。この発光素子の動作原理については、第１の実施例
とほぼ同様である。
陰極３３と光導波路３６との間に数Ｖから数百Ｖの電圧
を印加することによって青色レーザ光を得ることができ
る。この発光素子の動作原理については、第１の実施例
とほぼ同様である。
【００２０】尚、本実施例においては、光導波路の活性
層にＺｎＳ：Ａｇを分散したガラス導波路を用いたが、
Ｚｎ2ＳｉＯ2：ＭｎやＹ2Ｏ3：Ｅｕ等を分散したガラス
導波路を用いることにより、緑色や赤色等のレーザ発振
が得られる。発振波長が蛍光体の種類や波長選択素子の
設定波長により自由に選択できることは自明であり、紫
外線の波長を有するレーザも可能である。
層にＺｎＳ：Ａｇを分散したガラス導波路を用いたが、
Ｚｎ2ＳｉＯ2：ＭｎやＹ2Ｏ3：Ｅｕ等を分散したガラス
導波路を用いることにより、緑色や赤色等のレーザ発振
が得られる。発振波長が蛍光体の種類や波長選択素子の
設定波長により自由に選択できることは自明であり、紫
外線の波長を有するレーザも可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明による発光素子は非線形効果等に
よる間接的なエネルギーの変換は行わず、熱を発しない
マルチ・チップ電界放射型電子源から放射された電子ビ
ームで活性層を直接励起する方式なので、容易に大出力
が得られる。また発光部が導波路構造であるために光の
閉じ込めが有効に行われ、その結果低閾値・低電力の発
光素子が実現可能となるものである。また本素子は集積
化にも適しており、価値の高いものである。
よる間接的なエネルギーの変換は行わず、熱を発しない
マルチ・チップ電界放射型電子源から放射された電子ビ
ームで活性層を直接励起する方式なので、容易に大出力
が得られる。また発光部が導波路構造であるために光の
閉じ込めが有効に行われ、その結果低閾値・低電力の発
光素子が実現可能となるものである。また本素子は集積
化にも適しており、価値の高いものである。
【図１】本発明の第１の実施例における発光素子の構成
模式斜視図
模式斜視図
【図２】本発明の第１の実施例における発光素子の断面
模式図
模式図
【図３】本発明の第２の実施例における発光素子の構成
模式斜視図
模式斜視図
【図４】従来の電界放出型電子ビームによる発光素子活
性層の励起方法と活性層とマルチチップ電界放射型電子
源を対向させて配置する発光素子の断面構造図
性層の励起方法と活性層とマルチチップ電界放射型電子
源を対向させて配置する発光素子の断面構造図
１ 導電性基板 ２ 電界放射チップ（電子源） ３ 絶縁層 ４ ゲート電極 ５ スペーサ ６ 真空空間 ７ 活性層 ８ クラッド層 ９ 光導波路 １０ グレーティング １１ Ａｌ膜（アノード） １２ 石英基板 １３ Ａｕ電極 １４ パッシベーション膜 １５ 電界印加装置 １６ 電界印加装置 ３１ シリコン基板 ３２ 絶縁膜 ３３ 電界放射チップ（陰極） ３４ 活性層 ３５ クラッド層 ３６ 光導波路 ３７ グレーティング ３８ Ａｌ膜 ３９ Ａｕ電極 ４０ スペーサ ４１ パッシベーション膜 ４２ 石英基板 ４３ 真空
Claims (8)
- 【請求項１】活性層を含んでなる発光部とマルチ・チッ
プ電界放射型電子源を対向させて配置し、両者間に印加
した電界によって放射された電子ビームによって活性層
を励起・発光させる発光素子において、前記活性層が蛍
光体の分散した誘電体であり、かつ発光部が光導波路構
造であることを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】活性層が、光導波路のコアであることを特
徴とする請求項１の発光素子。 - 【請求項３】光導波路の表面の少なくとも一部が金属で
被覆されていることを特徴とする請求項１の発光素子。 - 【請求項４】光導波路の端部に、活性層にて発生して電
搬する光を反射する端面が形成されていることを特徴と
する請求項１の発光素子。 - 【請求項５】光導波路の少なくとも一方の外部に、活性
層にて発生する光を反射する鏡面と、波長を選択する素
子が配置されていることを特徴とする請求項１の発光素
子。 - 【請求項６】光導波路の一部に、活性層にて発生して電
搬する光を反射する回折格子が形成されていることを特
徴とする請求項１の発光素子。 - 【請求項７】活性層を含んでなる発光部とマルチ・チッ
プ電界放射型電子源が同一基板に形成されていることを
特徴とする請求項１の発光素子。 - 【請求項８】発光部とマルチ・チップ電界放射型電子源
がシリコン基板に形成されていることを特徴とする請求
項１の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176464A JPH0738192A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176464A JPH0738192A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738192A true JPH0738192A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16014150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5176464A Pending JPH0738192A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738192A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005149865A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 電界放出装置、電界放出基板、駆動装置およびディスプレイ |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP5176464A patent/JPH0738192A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005149865A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 電界放出装置、電界放出基板、駆動装置およびディスプレイ |
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