JPH0738369A - 多電極形ｓａｗフィルタ - Google Patents
多電極形ｓａｗフィルタInfo
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- JPH0738369A JPH0738369A JP5182696A JP18269693A JPH0738369A JP H0738369 A JPH0738369 A JP H0738369A JP 5182696 A JP5182696 A JP 5182696A JP 18269693 A JP18269693 A JP 18269693A JP H0738369 A JPH0738369 A JP H0738369A
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- Japan
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- saw filter
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- attenuation
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- electrode type
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
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- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、通過帯域幅が広く、かつ、減衰量
の大きい多電極形ＳＡＷフィルタを提供することを目的
とする。 【構成】 圧電基板の表面に、３個以上のＩＤＴがＳＡ
Ｗの伝播方向に形成されて、交互に入力端子および出力
端子に接続された多電極形ＳＡＷフィルタにおいて、隣
接するＩＤＴのお互いの最も近いフィンガ電極の電極幅
中心間の間隔ｄが、 ｄ＝（Ｎ／２＋Ｘ0 ）λ ここに、λは中心周波数での波長 Ｎは０以上の整数 Ｘ0 は間隔ｄ内の端数で、−０．２５〈Ｘ0 ≦０．２５ で表されるとき、２≦Ｎ≦９であることを特徴とする多
電極形ＳＡＷフィルタ。
の大きい多電極形ＳＡＷフィルタを提供することを目的
とする。 【構成】 圧電基板の表面に、３個以上のＩＤＴがＳＡ
Ｗの伝播方向に形成されて、交互に入力端子および出力
端子に接続された多電極形ＳＡＷフィルタにおいて、隣
接するＩＤＴのお互いの最も近いフィンガ電極の電極幅
中心間の間隔ｄが、 ｄ＝（Ｎ／２＋Ｘ0 ）λ ここに、λは中心周波数での波長 Ｎは０以上の整数 Ｘ0 は間隔ｄ内の端数で、−０．２５〈Ｘ0 ≦０．２５ で表されるとき、２≦Ｎ≦９であることを特徴とする多
電極形ＳＡＷフィルタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＡＷフィルタに関
し、特に、広帯域幅と高減衰量が要求される多電極形Ｓ
ＡＷフィルタに関する。
し、特に、広帯域幅と高減衰量が要求される多電極形Ｓ
ＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、携帯電話などの通信機に使用され
るＳＡＷフィルタには、帯域幅が広く且つ低損失である
ことが要求される。このようなＳＡＷフィルタを実現す
るために、図６に示すように、ＩＤＴ３ａ、３ｂをＳＡ
Ｗの伝播方向に多数並べた多電極形ＳＡＷフィルタが用
いられる。また、図７に示すように、３個のＩＤＴ４
ａ、４ｂ、４ｃの両側にリフレクタ５ａ、５ｂを設けて
エネルギ−を閉じ込めた縦結合２重モ−ド形ＳＡＷ共振
子フィルタ、またこれを多電極形にしたＳＡＷフィルタ
が用いられている。
るＳＡＷフィルタには、帯域幅が広く且つ低損失である
ことが要求される。このようなＳＡＷフィルタを実現す
るために、図６に示すように、ＩＤＴ３ａ、３ｂをＳＡ
Ｗの伝播方向に多数並べた多電極形ＳＡＷフィルタが用
いられる。また、図７に示すように、３個のＩＤＴ４
ａ、４ｂ、４ｃの両側にリフレクタ５ａ、５ｂを設けて
エネルギ−を閉じ込めた縦結合２重モ−ド形ＳＡＷ共振
子フィルタ、またこれを多電極形にしたＳＡＷフィルタ
が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、これらのＳ
ＡＷフィルタにおいては、隣接するＩＤＴのお互いの最
も近いフィンガ電極の電極幅中心間の間隔（以下、ＩＤ
Ｔ間隔という）を変えると、通過帯域幅が広狭変わるこ
とが知られており、最適な間隔が提案されている。多く
の場合、ＩＤＴ間隔が０．５λ変わっただけのものは、
特性は同じになるとされ、したがって従来は、ある間隔
から０．５λの範囲内で変化させたときの最適値を求め
る技術開発に止まっている。例外的に、ＩＤＴ間隔を
０．５λより狭くすると通過帯域幅が広くなるという報
告もある。
ＡＷフィルタにおいては、隣接するＩＤＴのお互いの最
も近いフィンガ電極の電極幅中心間の間隔（以下、ＩＤ
Ｔ間隔という）を変えると、通過帯域幅が広狭変わるこ
とが知られており、最適な間隔が提案されている。多く
の場合、ＩＤＴ間隔が０．５λ変わっただけのものは、
特性は同じになるとされ、したがって従来は、ある間隔
から０．５λの範囲内で変化させたときの最適値を求め
る技術開発に止まっている。例外的に、ＩＤＴ間隔を
０．５λより狭くすると通過帯域幅が広くなるという報
告もある。
【０００４】本発明者は、このような従来の提案等につ
いて、検討してみたところ、確かに、隣接するＩＤＴ間
隔が０．５λより狭い範囲内では、通過帯域幅が広帯域
になることは確認したが、反対に減衰量が不足してくる
という課題に直面せざるを得なかった。
いて、検討してみたところ、確かに、隣接するＩＤＴ間
隔が０．５λより狭い範囲内では、通過帯域幅が広帯域
になることは確認したが、反対に減衰量が不足してくる
という課題に直面せざるを得なかった。
【０００５】したがって、本発明は、通過帯域幅が広
く、かつ、減衰量の大きい多電極形ＳＡＷフィルタを提
供することを目的とする。
く、かつ、減衰量の大きい多電極形ＳＡＷフィルタを提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電基板の表
面に、３個以上のＩＤＴがＳＡＷの伝播方向に形成され
て、交互に入力端子および出力端子に接続された多電極
形ＳＡＷフィルタにおいて、隣接するＩＤＴのお互いの
最も近いフィンガ電極の電極幅中心間の間隔ｄが、
ｄ＝（Ｎ／２＋Ｘ0 ）λ ここに、λは中心周波数での波長 Ｎは０以上の整数 Ｘ0 は間隔ｄ内の端数で、−０．２５〈Ｘ0 ≦０．２５ で表されるとき、２≦Ｎ≦９とし、また、よりよい特性
を追及して、４≦Ｎ≦６とすることを特徴とする多電極
形ＳＡＷフィルタとしたものである。
面に、３個以上のＩＤＴがＳＡＷの伝播方向に形成され
て、交互に入力端子および出力端子に接続された多電極
形ＳＡＷフィルタにおいて、隣接するＩＤＴのお互いの
最も近いフィンガ電極の電極幅中心間の間隔ｄが、
ｄ＝（Ｎ／２＋Ｘ0 ）λ ここに、λは中心周波数での波長 Ｎは０以上の整数 Ｘ0 は間隔ｄ内の端数で、−０．２５〈Ｘ0 ≦０．２５ で表されるとき、２≦Ｎ≦９とし、また、よりよい特性
を追及して、４≦Ｎ≦６とすることを特徴とする多電極
形ＳＡＷフィルタとしたものである。
【０００７】
【作用】本発明において、整数Ｎの数を小さくしてＩＤ
Ｔ間隔ｄを狭くしていくと、ＩＤＴ間のＳＡＷの多重反
射の影響がだんだん強くなり、通過帯域の端のレベルが
持ち上げられて通過帯域幅が広がり出し、同時に、通過
帯域外でも、レベルが持ち上がるとことが現れ、減衰量
が悪化し出す。反対に、整数Ｎの数を大きくしてＩＤＴ
間隔を広くしていくと、ＩＤＴ間のＳＡＷの多重反射の
影響がだんだん小さくなり、通過帯域幅は狭くなりだ
し、通過帯域外ではレベルが持ち上がらなくなって、そ
の分減衰量は大きくなりだすが、Ｎ＝６（ｄがほぼ３
λ）のとき最大点が生じる。このように、ＩＤＴ間隔ｄ
に対して、通過帯域特性と減衰特性とが、半ば相反する
関係曲線を示すので、その最適値の選択が市場の要求仕
様によって決定されなければならない。
Ｔ間隔ｄを狭くしていくと、ＩＤＴ間のＳＡＷの多重反
射の影響がだんだん強くなり、通過帯域の端のレベルが
持ち上げられて通過帯域幅が広がり出し、同時に、通過
帯域外でも、レベルが持ち上がるとことが現れ、減衰量
が悪化し出す。反対に、整数Ｎの数を大きくしてＩＤＴ
間隔を広くしていくと、ＩＤＴ間のＳＡＷの多重反射の
影響がだんだん小さくなり、通過帯域幅は狭くなりだ
し、通過帯域外ではレベルが持ち上がらなくなって、そ
の分減衰量は大きくなりだすが、Ｎ＝６（ｄがほぼ３
λ）のとき最大点が生じる。このように、ＩＤＴ間隔ｄ
に対して、通過帯域特性と減衰特性とが、半ば相反する
関係曲線を示すので、その最適値の選択が市場の要求仕
様によって決定されなければならない。
【０００８】
【実施例】本発明は、上記のように、従来技術の課題解
決のレビュウの過程において得られた新規な知見に基づ
いて成されたもので、次に本発明の実施例について説明
する。図１は、本発明を携帯電話機用ＳＡＷフィルタに
応用した場合の一実施例を示すもので、図１において、
１は圧電基板で、この圧電基板１には、１１個のＩＤＴ
１ａ，１ｂ・・・１ｊ，１ｋが、隣接するＩＤＴのお互
いの最も近いフィンガ電極の電極幅中心間の間隔が一定
のｄとなるように、スパッタリング、蒸着等により形成
されている。各ＩＤＴ１ａ，１ｂ・・・１ｊ、１ｋは、
外側のフィンガ−電極がア−スに接続され、内側のフィ
ンガ−電極が入力端子１ａ、出力端子１ｂにそれぞれ交
互に接続されている。また、圧電基板１上で、ＩＤＴ１
ａと１ｋとの外側には、リフレクタ２ａおよび２ｂが、
隣接するＩＤＴとリフレクタのお互いの最も近いフィン
ガ電極の電極幅中心間の間隔がほぼ０．５λとなるよう
に、同様に、スパッタリング、蒸着等により形成されて
いる。
決のレビュウの過程において得られた新規な知見に基づ
いて成されたもので、次に本発明の実施例について説明
する。図１は、本発明を携帯電話機用ＳＡＷフィルタに
応用した場合の一実施例を示すもので、図１において、
１は圧電基板で、この圧電基板１には、１１個のＩＤＴ
１ａ，１ｂ・・・１ｊ，１ｋが、隣接するＩＤＴのお互
いの最も近いフィンガ電極の電極幅中心間の間隔が一定
のｄとなるように、スパッタリング、蒸着等により形成
されている。各ＩＤＴ１ａ，１ｂ・・・１ｊ、１ｋは、
外側のフィンガ−電極がア−スに接続され、内側のフィ
ンガ−電極が入力端子１ａ、出力端子１ｂにそれぞれ交
互に接続されている。また、圧電基板１上で、ＩＤＴ１
ａと１ｋとの外側には、リフレクタ２ａおよび２ｂが、
隣接するＩＤＴとリフレクタのお互いの最も近いフィン
ガ電極の電極幅中心間の間隔がほぼ０．５λとなるよう
に、同様に、スパッタリング、蒸着等により形成されて
いる。
【０００９】なお、図２は、本発明の他の実施例におけ
る隣接するＩＤＴ間電極構造を示すもので、ロスを少な
くする為に、隣接するＩＤＴ１ｍとＩＤＴ１ｎとの間の
ＩＤＴ間隔ｄ領域を、短絡電極１ｏで短絡してもよい。
る隣接するＩＤＴ間電極構造を示すもので、ロスを少な
くする為に、隣接するＩＤＴ１ｍとＩＤＴ１ｎとの間の
ＩＤＴ間隔ｄ領域を、短絡電極１ｏで短絡してもよい。
【００１０】本実施例のＩＤＴおよびリフレクタは、以
上のような構成よりなり、次に、具体的実施例を掲げ
る。
上のような構成よりなり、次に、具体的実施例を掲げ
る。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１記載の基板に、交さ幅１３０μｍ、中
心周波数８７８．５ＭＨｚとなるように、繰り返し周期
λのフィンガ−電極を決め、表１記載のＩＤＴのフィン
ガ−電極対数およびリフレクタの本数を形成した。な
お、図１のフィンガ−電極の数は、便宜上、実際の数と
は相違している。
心周波数８７８．５ＭＨｚとなるように、繰り返し周期
λのフィンガ−電極を決め、表１記載のＩＤＴのフィン
ガ−電極対数およびリフレクタの本数を形成した。な
お、図１のフィンガ−電極の数は、便宜上、実際の数と
は相違している。
【００１３】ここに、ＩＤＴ間隔ｄ＝（Ｎ／２＋Ｘ0 ）
λの式において、Ｘ0 ＝０．１２として、整数Ｎを０
（ＩＤＴ間隔ｄ＝０．１２λ）から１０（ＩＤＴ間隔ｄ
＝５．１２λ）まで、変えた場合の３．５ｄＢ減衰通過
帯域幅特性ＡとＴＸ側９２５〜９４２ＭＨｚの減衰特性
Ｂを、図５に示す。なお、上記ＩＤＴ間隔ｄを表す式の
Ｘ0 は、−０．２５〈Ｘ0 ≦０．２５の内の０．０５≦
Ｘ0 ≦０．２５であることがほとんどである。
λの式において、Ｘ0 ＝０．１２として、整数Ｎを０
（ＩＤＴ間隔ｄ＝０．１２λ）から１０（ＩＤＴ間隔ｄ
＝５．１２λ）まで、変えた場合の３．５ｄＢ減衰通過
帯域幅特性ＡとＴＸ側９２５〜９４２ＭＨｚの減衰特性
Ｂを、図５に示す。なお、上記ＩＤＴ間隔ｄを表す式の
Ｘ0 は、−０．２５〈Ｘ0 ≦０．２５の内の０．０５≦
Ｘ0 ≦０．２５であることがほとんどである。
【００１４】図３において、Ｘ軸は整数Ｎであるから、
Ｎが１だけ異なれば、ｄはλ／２だけ異なる。したがっ
て、ＩＤＴの間隔ｄをλ／２の整数倍（０から１０ま
で）増加させていくと、通過帯域幅はひたすら減少し、
減衰量はＮ＝６の極大点までは増加し、この極大点を過
ぎると減少に転じていることを、この図３は示してい
る。このようにｄのλ／２整数倍の変化に応じて、通過
帯域幅特性と減衰特性とが半ば相反して減少と増加を示
す関係は、本発明の実験過程において見出だされたもの
で、本発明はこの知見にのっとりなされたものである。
Ｎが１だけ異なれば、ｄはλ／２だけ異なる。したがっ
て、ＩＤＴの間隔ｄをλ／２の整数倍（０から１０ま
で）増加させていくと、通過帯域幅はひたすら減少し、
減衰量はＮ＝６の極大点までは増加し、この極大点を過
ぎると減少に転じていることを、この図３は示してい
る。このようにｄのλ／２整数倍の変化に応じて、通過
帯域幅特性と減衰特性とが半ば相反して減少と増加を示
す関係は、本発明の実験過程において見出だされたもの
で、本発明はこの知見にのっとりなされたものである。
【００１５】携帯電話機においては、ＴＸ側減衰量が３
５ｄＢ以上そして通過帯域幅が温度特性などを考慮して
２５ＭＨｚ以上必要であり、この両方の値を満足するＩ
ＤＴ間隔ｄを表す式の整数Ｎは、図３から逆算すると、
２≦Ｎ≦９となる。なお、通過帯域幅で２ＭＨｚ、減衰
量で２ｄＢの余裕を見込めば、４≦Ｎ≦６が範囲とな
り、この範囲とすることがより望ましい。
５ｄＢ以上そして通過帯域幅が温度特性などを考慮して
２５ＭＨｚ以上必要であり、この両方の値を満足するＩ
ＤＴ間隔ｄを表す式の整数Ｎは、図３から逆算すると、
２≦Ｎ≦９となる。なお、通過帯域幅で２ＭＨｚ、減衰
量で２ｄＢの余裕を見込めば、４≦Ｎ≦６が範囲とな
り、この範囲とすることがより望ましい。
【００１６】本発明の下限値Ｎ＝２のとき、ＩＤＴの間
隔ｄはほぼ１λ近傍になるが、図４よりして、通過帯域
幅は３２ＭＨｚあり、また、減衰量も３５ｄＢ以上あっ
て、市場の仕様を満足する値である。本発明の上限値Ｎ
＝９のとき、通過帯域幅は２５ＭＨｚであり、また、減
衰量は３８ｄＢあって、これも市場の仕様を満足する値
である。市場の仕様がもっと大きな減衰量を要求して、
通過帯域幅は緩い場合には、整数Ｎを局限して、４≦Ｎ
≦６の範囲に設定される。
隔ｄはほぼ１λ近傍になるが、図４よりして、通過帯域
幅は３２ＭＨｚあり、また、減衰量も３５ｄＢ以上あっ
て、市場の仕様を満足する値である。本発明の上限値Ｎ
＝９のとき、通過帯域幅は２５ＭＨｚであり、また、減
衰量は３８ｄＢあって、これも市場の仕様を満足する値
である。市場の仕様がもっと大きな減衰量を要求して、
通過帯域幅は緩い場合には、整数Ｎを局限して、４≦Ｎ
≦６の範囲に設定される。
【００１７】従来は既述のように０．５λ以内において
言及されていることを勘案すれば、本発明における下限
および上限の数値には、新規性があって上述のように技
術効果を発揮するものである。
言及されていることを勘案すれば、本発明における下限
および上限の数値には、新規性があって上述のように技
術効果を発揮するものである。
【００１８】また、本発明の範囲内において、整数Ｎを
５に選んだ場合の通過帯域・減衰特性を図４に、また、
従来例において、整数Ｎを０に選んだ場合の通過帯域・
減衰特性を図５に示す。この図４と図５との比較におい
て、図４の場合には、図５との対比において通過帯域幅
はやや狭く、減衰量は大きくなっている。また、図５の
場合には、図４との対比において、通過帯域幅はやや広
くなっているが、減衰量が小さくなっている。なお、図
４および図５において、Ａは通過帯域幅であり、Ｂは減
衰域であるＴＸ側９２５〜９４２ＭＨｚを示す。
５に選んだ場合の通過帯域・減衰特性を図４に、また、
従来例において、整数Ｎを０に選んだ場合の通過帯域・
減衰特性を図５に示す。この図４と図５との比較におい
て、図４の場合には、図５との対比において通過帯域幅
はやや狭く、減衰量は大きくなっている。また、図５の
場合には、図４との対比において、通過帯域幅はやや広
くなっているが、減衰量が小さくなっている。なお、図
４および図５において、Ａは通過帯域幅であり、Ｂは減
衰域であるＴＸ側９２５〜９４２ＭＨｚを示す。
【００１９】また、ＩＤＴをスプリット電極とする場合
には、隣接するＩＤＴの電極幅は、同電位となる２本の
フィンガ−電極の中央から間隔ｄをとる。また、ＳＡＷ
フィルタの基板は、６４°Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＯ3 に限ら
ず、他の単結晶基板や薄膜基板でもよい。
には、隣接するＩＤＴの電極幅は、同電位となる２本の
フィンガ−電極の中央から間隔ｄをとる。また、ＳＡＷ
フィルタの基板は、６４°Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＯ3 に限ら
ず、他の単結晶基板や薄膜基板でもよい。
【００２０】
【発明の効果】本実施例からわかるように、通過帯域幅
と減衰量とは、ＩＤＴ間隔に対して、なかば相反する傾
向を持つがこれを両立させる最適値が存在する。本発明
は、この最適値を選択することによって、通過帯域幅が
広く、かつ、減衰量の大きい多電極形ＳＡＷフィルタを
実現することができるものである。
と減衰量とは、ＩＤＴ間隔に対して、なかば相反する傾
向を持つがこれを両立させる最適値が存在する。本発明
は、この最適値を選択することによって、通過帯域幅が
広く、かつ、減衰量の大きい多電極形ＳＡＷフィルタを
実現することができるものである。
【図１】 本発明の一実施例に係る多電極形ＳＡＷフィ
ルタの一部省略平面図
ルタの一部省略平面図
【図２】 本発明の他の実施例におけるＩＤＴ間に短絡
電極を設けた説明図
電極を設けた説明図
【図４】 図１に示す実施例の３．５ｄＢ減衰帯域幅特
性および減衰特性図
性および減衰特性図
【図４】 図１に示す実施例の通過帯域幅特性および減
衰特性図
衰特性図
【図５】 従来例の通過帯域幅特性および減衰特性図
【図６】 従来の多電極形ＳＡＷフィルタの平面図
【図７】 従来の縦結合形２重モ−ドＳＡＷフィルタの
平面図
平面図
１ 圧電基板 １ａ〜１ｋ ＩＤＴ ２ａ，２ｂ リフレクタ ｄ ＩＤＴ間隔 ３ａ，３ｂ ＩＤＴ ４ａ，４ｂ，４ｃ ＩＤＴ ５ａ，５ｂ リフレクタ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る多電極形ＳＡＷフィ
ルタの一部省略平面図
ルタの一部省略平面図
【図２】 本発明の他の実施例におけるＩＤＴ間に短絡
電極を設けた説明図
電極を設けた説明図
【図３】 図１に示す実施例の３．５ｄＢ減衰帯域幅特
性および減衰特性図
性および減衰特性図
【図４】 図１に示す実施例の通過帯域幅特性および減
衰特性図
衰特性図
【図５】 従来例の通過帯域幅特性および減衰特性図
【図６】 従来の多電極形ＳＡＷフィルタの平面図
【図７】 従来の縦結合形２重モ−ドＳＡＷフィルタの
平面図
平面図
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板の表面に、３個以上のＩＤＴが
ＳＡＷの伝播方向に形成されて、交互に入力端子および
出力端子に接続された多電極形ＳＡＷフィルタにおい
て、 隣接するＩＤＴのお互いの最も近いフィンガ電極の電極
幅中心間の間隔ｄが、 ｄ＝（Ｎ／２＋Ｘ0 ）λ ここに、λは中心周波数での波長 Ｎは０以上の整数 Ｘ0 は間隔ｄ内の端数で、−０．２５〈Ｘ0 ≦０．２５ で表されるとき、２≦Ｎ≦９であることを特徴とする多
電極形ＳＡＷフィルタ。 - 【請求項２】 請求項１記載のＮの範囲を、４≦Ｎ≦６
とする請求項１記載の多電極形ＳＡＷフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5182696A JPH0738369A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 多電極形ｓａｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5182696A JPH0738369A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 多電極形ｓａｗフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738369A true JPH0738369A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16122839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5182696A Pending JPH0738369A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 多電極形ｓａｗフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738369A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996028886A1 (en) * | 1995-03-15 | 1996-09-19 | Japan Energy Corporation | Surface acoustic wave filter |
| EP0734121A1 (en) * | 1995-03-22 | 1996-09-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave (SAW) filter |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP5182696A patent/JPH0738369A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996028886A1 (en) * | 1995-03-15 | 1996-09-19 | Japan Energy Corporation | Surface acoustic wave filter |
| US5877661A (en) * | 1995-03-15 | 1999-03-02 | Kinseki, Limited | Surface acoustic wave filter with optimally sized gaps between transducers |
| EP0734121A1 (en) * | 1995-03-22 | 1996-09-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave (SAW) filter |
| US5717367A (en) * | 1995-03-22 | 1998-02-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave (SAW) filter with improved spacing between input and output interdigital transducers |
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