JPH0738488B2 - 誘電体光導波素子、光ファイバ増幅器および光信号波長選択方法ならびに誘電体光導波素子の製造方法 - Google Patents
誘電体光導波素子、光ファイバ増幅器および光信号波長選択方法ならびに誘電体光導波素子の製造方法Info
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- JPH0738488B2 JPH0738488B2 JP61503922A JP50392286A JPH0738488B2 JP H0738488 B2 JPH0738488 B2 JP H0738488B2 JP 61503922 A JP61503922 A JP 61503922A JP 50392286 A JP50392286 A JP 50392286A JP H0738488 B2 JPH0738488 B2 JP H0738488B2
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- dielectric optical
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- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
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- G02B6/29358—Multiple beam interferometer external to a light guide, e.g. Fabry-Pérot, etalon, VIPA plate, OTDL plate, continuous interferometer, parallel plate resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は光共振器、特に誘電体光導波路を用いた共振器
に関する。
に関する。
光システムでは、所定の波長の光を伝達または反射する
波長フィルタとして、従来、回折格子、プリズム等の直
線上に配置される素子が使用されていた。また、これと
は別に、干渉の原理を利用した素子、例えばファブリペ
ロー・エタロンが波長フィルタまたは選択増幅器として
提案されている。このような干渉フィルタの例が、公開
されたヨーロッパ特許出願第 EP 143645号に開示され
ている。この例では、二本の光ファイバの終端を鏡面に
仕上げ、これらの終端を適当なハウジング内で近接さ
せ、これらの二本の光ファイバを長さ方向に一直線に並
べている。この構成によりエタロンが形成され、ファイ
バ終端の間隔を変化させることにより、波長の選択が可
能な波長選択フィルタとすることができる。このような
「直線配置」共振器を用いた場合には、例えば電磁モー
ドの不整合、スプリアス反射、およびその他の原因によ
り損失が生じ、これにより伝送線の連続性が阻害される
問題がある。
波長フィルタとして、従来、回折格子、プリズム等の直
線上に配置される素子が使用されていた。また、これと
は別に、干渉の原理を利用した素子、例えばファブリペ
ロー・エタロンが波長フィルタまたは選択増幅器として
提案されている。このような干渉フィルタの例が、公開
されたヨーロッパ特許出願第 EP 143645号に開示され
ている。この例では、二本の光ファイバの終端を鏡面に
仕上げ、これらの終端を適当なハウジング内で近接さ
せ、これらの二本の光ファイバを長さ方向に一直線に並
べている。この構成によりエタロンが形成され、ファイ
バ終端の間隔を変化させることにより、波長の選択が可
能な波長選択フィルタとすることができる。このような
「直線配置」共振器を用いた場合には、例えば電磁モー
ドの不整合、スプリアス反射、およびその他の原因によ
り損失が生じ、これにより伝送線の連続性が阻害される
問題がある。
光フィルタを実現する他のアプローチとして、光ファイ
バのリングを使用するものが提案され、例えば、ストー
クス他、「オールシングルモード・ファイバ・レゾネー
タ」、オプティクス・レターズ第７巻第６号1982年６月
（Storkes et.al.,“All−single−mode fiber resonat
or",Optics Letters,Vol.7,No.6,June 1982）に説明さ
れている。ストークスの素子は、円周3mの光ファイバの
ループにより構成される。多くの利用目的に対して、こ
のような長さのリングのスペクトル応答は非常に狭く、
この大きさは多くの応用において実用的ではない。しか
し、円周の小さいリングを使用して大きさを削減し、こ
れによってスペクトル応答を広げると、曲げに依存する
損失が導入され、リングの曲率半径が小さくなるにつれ
て全体としての性能が低下する。
バのリングを使用するものが提案され、例えば、ストー
クス他、「オールシングルモード・ファイバ・レゾネー
タ」、オプティクス・レターズ第７巻第６号1982年６月
（Storkes et.al.,“All−single−mode fiber resonat
or",Optics Letters,Vol.7,No.6,June 1982）に説明さ
れている。ストークスの素子は、円周3mの光ファイバの
ループにより構成される。多くの利用目的に対して、こ
のような長さのリングのスペクトル応答は非常に狭く、
この大きさは多くの応用において実用的ではない。しか
し、円周の小さいリングを使用して大きさを削減し、こ
れによってスペクトル応答を広げると、曲げに依存する
損失が導入され、リングの曲率半径が小さくなるにつれ
て全体としての性能が低下する。
本発明は、以上の問題点を解決または少なくとも緩和す
る改善された選択性光共振器を提供することを目的とす
る。
る改善された選択性光共振器を提供することを目的とす
る。
本発明の誘電体光導波素子は、結合領域で第二の導波路
に横方向に結合された第一の導波路を備え、上記結合領
域の対向するそれぞれの終端で選択された各導波路の一
方の終端には反射手段が設けられ、これによりファブリ
ペロー共振器を形成する。
に横方向に結合された第一の導波路を備え、上記結合領
域の対向するそれぞれの終端で選択された各導波路の一
方の終端には反射手段が設けられ、これによりファブリ
ペロー共振器を形成する。
双方の導波路は光ファイバであることが望ましく、さら
に、単一モード光ファイバであることが望ましい。
に、単一モード光ファイバであることが望ましい。
また、導波路をリチウム・ニオベート等の基板に作成し
てもよい。
てもよい。
反射手段は、導波路終端上に直接に堆積させることによ
り設けられた反射面を含むことが便利である。
り設けられた反射面を含むことが便利である。
反射面は金被膜を含み、金およびアルミニウムの蒸着等
の従来の技術、または銀を成長させることにより設ける
ことが便利である。また、反射面は誘電体被膜でもよ
い。
の従来の技術、または銀を成長させることにより設ける
ことが便利である。また、反射面は誘電体被膜でもよ
い。
直接に堆積させる代わりに、導波路の終端に鏡を突き合
わせることにより反射手段を設けてもよい。さらに反射
手段は、当業者によって知られている他の装置を含む
か、または他の装置に連結し、素子の動作スペクトル範
囲にわたって、入射光を光学的に反射する機能を実行す
る構成とすることもできる。
わせることにより反射手段を設けてもよい。さらに反射
手段は、当業者によって知られている他の装置を含む
か、または他の装置に連結し、素子の動作スペクトル範
囲にわたって、入射光を光学的に反射する機能を実行す
る構成とすることもできる。
この素子を光フィルタとして用いた場合には、反射手段
は非常に高い反射率を示すことが望ましい。この素子の
動作スペクトル範囲にわたって、反射率は0.8以上であ
ることが望ましく、さらには、0.9以上であることが望
ましい。
は非常に高い反射率を示すことが望ましい。この素子の
動作スペクトル範囲にわたって、反射率は0.8以上であ
ることが望ましく、さらには、0.9以上であることが望
ましい。
素子は同調可能であることが便利であり、さらに同調を
行う手段を含むことが便利である。例えば、ファブリペ
ロー共振器の実効長を切り替えることにより同調を行う
ことができる。一例として、同調手段は圧電伸張器を含
み、ファブリペロー共振器の一部を構成する導波路の一
方の長さを調整する。
行う手段を含むことが便利である。例えば、ファブリペ
ロー共振器の実効長を切り替えることにより同調を行う
ことができる。一例として、同調手段は圧電伸張器を含
み、ファブリペロー共振器の一部を構成する導波路の一
方の長さを調整する。
導波路の一方または双方に、屈折率を調整するために通
常に用いられるドーパントに加えて、またはこの代わり
に、光特性を変化させるドーパントを添加してもよい。
ドーパントとしては、光増幅媒体、例えばリチウム・ニ
オベートを含んでもよい。このような条件の場合には、
反射手段を低反射率にする必要がある。
常に用いられるドーパントに加えて、またはこの代わり
に、光特性を変化させるドーパントを添加してもよい。
ドーパントとしては、光増幅媒体、例えばリチウム・ニ
オベートを含んでもよい。このような条件の場合には、
反射手段を低反射率にする必要がある。
本発明を添付図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明実施例光素子を示す図。
第２図は、共振器長10cmにおける第１図の素子の出力ア
ームの光強度と入力アームの光強度との比を波長の関数
として計算したグラフ。
ームの光強度と入力アームの光強度との比を波長の関数
として計算したグラフ。
第３図は第１図の素子の共振器長を20cmとしたときの第
２図と同様のグラフ。
２図と同様のグラフ。
第４図および第５図はひとつの光素子の性能を示すグラ
フ。
フ。
第６図は、第１図の素子について、図示された入出力構
成における調節深さに対するフィネスの計算値を示すグ
ラフ。
成における調節深さに対するフィネスの計算値を示すグ
ラフ。
第７図は、第１図の素子について、図示された入出力構
成における調節深さに対する結合パラメータＫの計算値
を示すグラフ。
成における調節深さに対する結合パラメータＫの計算値
を示すグラフ。
第１図は横方向に結合するファブリペロー干渉器１を示
し、この干渉器１は波長選択フィルタリング素子として
動作し、導波路として単一モード光ファイバを用い、方
向性結合器内の結合領域６において第一のファイバ２が
第二のファイバ３に結合されている。この例では、結合
領域６はファイバ２の中心点またはその近傍に配置され
ている。各ファイバ２、３の一方の終端、すなわち結合
領域６に対してそれぞれ反対側に配置された終端５、８
には、反射面が設けられている。これらの反射面が設け
られた終端５、８の間の二つのファイバは、その長さが
それぞれL2、L4であり、これらのファイバにより共振器
が形成される。説明の便利のためにファイバを曲げて示
した。実用上は、適当なポッティング・コンパウンドを
用いて、ファイバをほぼ直線的に取り付けることが普通
である。結合領域６においてファイバを結合するには、
溶融または他の公知の方法で行うことができる。
し、この干渉器１は波長選択フィルタリング素子として
動作し、導波路として単一モード光ファイバを用い、方
向性結合器内の結合領域６において第一のファイバ２が
第二のファイバ３に結合されている。この例では、結合
領域６はファイバ２の中心点またはその近傍に配置され
ている。各ファイバ２、３の一方の終端、すなわち結合
領域６に対してそれぞれ反対側に配置された終端５、８
には、反射面が設けられている。これらの反射面が設け
られた終端５、８の間の二つのファイバは、その長さが
それぞれL2、L4であり、これらのファイバにより共振器
が形成される。説明の便利のためにファイバを曲げて示
した。実用上は、適当なポッティング・コンパウンドを
用いて、ファイバをほぼ直線的に取り付けることが普通
である。結合領域６においてファイバを結合するには、
溶融または他の公知の方法で行うことができる。
この素子を製造するには、ファイバ２、３の適当な反射
面を設けようとする終端５、８を、最初に劈開およびま
たは研磨により、ファイバ軸に対して垂直（0.5°以下
の精度）にし、平坦にし、チッピングその他の欠陥を除
去する。この後に、これらの終端を鏡面に仕上げる。反
射面は、準備された反射鏡に突き当て取り付けるか、ま
たは反射材料を膜付けする。このような鏡は、公開され
た英国特許出願第GB2136956A号にに開示されているよう
に、終端に銀を膜付けすることにより形成される。この
技術により、95％以上の反射率を有する鏡面を得ること
が可能である。また、反射面に他の金属を膜付けしても
よく、例えば、公知の技術を用いて、金およびアルミニ
ウムを蒸着してもよい。さらに、反射面は誘電体反射被
膜を含んでもよい。
面を設けようとする終端５、８を、最初に劈開およびま
たは研磨により、ファイバ軸に対して垂直（0.5°以下
の精度）にし、平坦にし、チッピングその他の欠陥を除
去する。この後に、これらの終端を鏡面に仕上げる。反
射面は、準備された反射鏡に突き当て取り付けるか、ま
たは反射材料を膜付けする。このような鏡は、公開され
た英国特許出願第GB2136956A号にに開示されているよう
に、終端に銀を膜付けすることにより形成される。この
技術により、95％以上の反射率を有する鏡面を得ること
が可能である。また、反射面に他の金属を膜付けしても
よく、例えば、公知の技術を用いて、金およびアルミニ
ウムを蒸着してもよい。さらに、反射面は誘電体反射被
膜を含んでもよい。
第一のファイバ２は、適当な技術を用いて、結合領域６
において第二のファイバ３に取り付けられる。どの技術
を用いるかの選択は、例えば組立時に要求される取扱の
容易さ等の因子に依存して決定される。したがって、長
いファイバを用いる場合には溶融テーパ構造が適当であ
る。また、調節可能に研磨された結合器、または他の手
段、例えば当業者にはよく知られているＤファイバ結合
により結合させることもできる。
において第二のファイバ３に取り付けられる。どの技術
を用いるかの選択は、例えば組立時に要求される取扱の
容易さ等の因子に依存して決定される。したがって、長
いファイバを用いる場合には溶融テーパ構造が適当であ
る。また、調節可能に研磨された結合器、または他の手
段、例えば当業者にはよく知られているＤファイバ結合
により結合させることもできる。
本発明により提供される共振器は構造的に優れている。
例えば、ファイバ２、３は双方とも容易に取り扱うこと
のできる長さであり、したがって、比較的単純に、どの
ような所望の長さのファブリペロー共振器でも作成する
ことができる。さらに、素子１は構造的に対称であり、
二つのファイバ２、３を結合する前に、最初に、それぞ
れの一方の終端５、８に反射面を設けることにより作ら
れる。素子１を構成する二つのファイバ２、３には、そ
れぞれ非鏡面終端４、７が残っているので、必要に応じ
て、反射面およびまたは結合の質（結合パラメタＫの制
御による。これについては後で詳細に説明する）の監視
および推定を行うことができる。
例えば、ファイバ２、３は双方とも容易に取り扱うこと
のできる長さであり、したがって、比較的単純に、どの
ような所望の長さのファブリペロー共振器でも作成する
ことができる。さらに、素子１は構造的に対称であり、
二つのファイバ２、３を結合する前に、最初に、それぞ
れの一方の終端５、８に反射面を設けることにより作ら
れる。素子１を構成する二つのファイバ２、３には、そ
れぞれ非鏡面終端４、７が残っているので、必要に応じ
て、反射面およびまたは結合の質（結合パラメタＫの制
御による。これについては後で詳細に説明する）の監視
および推定を行うことができる。
光ファイバ内の小さいフィールドが横方向に結合する割
合を結合パラメタＫで表すことが便利である。結合パラ
メタＫは、一方のファイバから他方に結合するパワーの
百分率で表される。結合パラメタＫは波長に依存する。
与えられた波長に対して、結合領域自体の実効長が半波
長の奇数倍のときに結合が最大となり、半波長の偶数倍
のときに結合が最小となる。結合パラメタは、ファイバ
・コアの間隔と結合領域を定義する重なりの長さとを適
当に調節することにより選択される。
合を結合パラメタＫで表すことが便利である。結合パラ
メタＫは、一方のファイバから他方に結合するパワーの
百分率で表される。結合パラメタＫは波長に依存する。
与えられた波長に対して、結合領域自体の実効長が半波
長の奇数倍のときに結合が最大となり、半波長の偶数倍
のときに結合が最小となる。結合パラメタは、ファイバ
・コアの間隔と結合領域を定義する重なりの長さとを適
当に調節することにより選択される。
共振器のフィネス（finesse）は素子の周波数選択性の
基準を表し、多くの因子のうち、共振器自身に結合する
パワーの割合に依存する。一般に、フィネスが高いと結
合の割合が低い。これに対して、本発明の素子では、Ｋ
の値が高いことが高いフィネスに対応する（第６図およ
び第７図を参照）。フィネスはまた、共振器長を定義す
る反射手段の反射率により特に影響を受ける。フィネス
を高くするためには、反射率を可能な限り大きくする必
要がある。したがって、フィルタとして使用するために
は、動作スペクトル範囲に対して0.99以上の反射率が必
要であり、この値は達成可能である。反射率は0.8以上
であることが望ましく、さらには0.9以上であることが
望ましい。反射手段を経由して入力または出力する必要
がある場合、例えば、共振器に光増幅媒体がドープされ
ている場合には、低反射率が必要である。当業者であれ
ば、所望の素子機能のために反射率を適当に選択できる
であろう。
基準を表し、多くの因子のうち、共振器自身に結合する
パワーの割合に依存する。一般に、フィネスが高いと結
合の割合が低い。これに対して、本発明の素子では、Ｋ
の値が高いことが高いフィネスに対応する（第６図およ
び第７図を参照）。フィネスはまた、共振器長を定義す
る反射手段の反射率により特に影響を受ける。フィネス
を高くするためには、反射率を可能な限り大きくする必
要がある。したがって、フィルタとして使用するために
は、動作スペクトル範囲に対して0.99以上の反射率が必
要であり、この値は達成可能である。反射率は0.8以上
であることが望ましく、さらには0.9以上であることが
望ましい。反射手段を経由して入力または出力する必要
がある場合、例えば、共振器に光増幅媒体がドープされ
ている場合には、低反射率が必要である。当業者であれ
ば、所望の素子機能のために反射率を適当に選択できる
であろう。
第１図の素子の動作時には、一方のファイバ３の非鏡面
終端７から光入力E1を入射すると、図示したように、同
じ終端から戻って出射される光出力E4と、他のファイバ
２の非鏡面終端４から出射されるもう一つの光出力E3と
が生成される。鏡面終端５、８から直接に、光入力E2を
共振器内に入射することもできる（図面には、第一のフ
ァイバ２の鏡面終端５からの入射を示した）。出力は、
共振器の反射手段の反射率、共振器の長さ（L1＋L2）、
結合領域６の位置（すなわち長さの比L2:L4）および結
合パラメタの大きさ等のパラメタにより影響を受ける。
結合パラメタＫ自体が結合の性質および結合領域の長さ
等の因子により決定され、波長に依存するが、その変化
は緩やかてある。このため、多くの目的に利用する場合
において、ファブリペロー共振器のフリースペクトルエ
リアにわたってＫは実質的に一定となる。
終端７から光入力E1を入射すると、図示したように、同
じ終端から戻って出射される光出力E4と、他のファイバ
２の非鏡面終端４から出射されるもう一つの光出力E3と
が生成される。鏡面終端５、８から直接に、光入力E2を
共振器内に入射することもできる（図面には、第一のフ
ァイバ２の鏡面終端５からの入射を示した）。出力は、
共振器の反射手段の反射率、共振器の長さ（L1＋L2）、
結合領域６の位置（すなわち長さの比L2:L4）および結
合パラメタの大きさ等のパラメタにより影響を受ける。
結合パラメタＫ自体が結合の性質および結合領域の長さ
等の因子により決定され、波長に依存するが、その変化
は緩やかてある。このため、多くの目的に利用する場合
において、ファブリペロー共振器のフリースペクトルエ
リアにわたってＫは実質的に一定となる。
第１図の素子に対して、規格化された入力（E1＝１）に
対する出力の強度は、数学的に、 E4∝〔1/〔１−Bsin2｛β（L2＋L4）｝〕〕 で表される。ここで、βはファイバ伝搬定数であり、Ａ
およびＢは、鏡面屈折率（ｒ）、本質的なファイバ振幅
伝送損失（α）および結合比（すなわち結合領域の相対
的位置および結合パラメタＫの大きさ）に依存する定数
である。
対する出力の強度は、数学的に、 E4∝〔1/〔１−Bsin2｛β（L2＋L4）｝〕〕 で表される。ここで、βはファイバ伝搬定数であり、Ａ
およびＢは、鏡面屈折率（ｒ）、本質的なファイバ振幅
伝送損失（α）および結合比（すなわち結合領域の相対
的位置および結合パラメタＫの大きさ）に依存する定数
である。
正弦関数で表される項は、共振器内のファイバ長の和を
含むことが重要である。第２図および第３図に示したよ
うに、強度変化の周波数依存性は、例えば鏡面に対する
結合領域の相対的位置に依存する。これに対して振幅項
は、長さL2、L4と異なる関数を含み、純粋に和〔L2＋L
4〕に依存するわけではない。したがって、振幅の調節
深さは、結合位置および入出力形態に依存する。実際に
はこの依存性は弱く、この依存性自体が本質的ファイバ
振幅伝送損失（α）に依存する。αが零に近づくと、調
節深さの位置依存性が零に削減される。
含むことが重要である。第２図および第３図に示したよ
うに、強度変化の周波数依存性は、例えば鏡面に対する
結合領域の相対的位置に依存する。これに対して振幅項
は、長さL2、L4と異なる関数を含み、純粋に和〔L2＋L
4〕に依存するわけではない。したがって、振幅の調節
深さは、結合位置および入出力形態に依存する。実際に
はこの依存性は弱く、この依存性自体が本質的ファイバ
振幅伝送損失（α）に依存する。αが零に近づくと、調
節深さの位置依存性が零に削減される。
第２図は、第１図の素子が理想的に100％の鏡面反射率
を有し、共振器長（L2＋L4）が10cmの場合について、Ｋ
の値の変化に対するスペクトル応答の計算値を示す。こ
のグラフは、光強度の伝達比、すなわち入力E1と出力E3
との比を波長の関数として表した。図に示した（Ａ）な
いし（Ｅ）の曲線は、結合パラメタＫの異なる値に対応
する。この例では、この素子はフィルタとして動作し、
共振波長で入力E1を反射し（出力はE4）、非共振波長で
光を通過させる（出力はE3）。
を有し、共振器長（L2＋L4）が10cmの場合について、Ｋ
の値の変化に対するスペクトル応答の計算値を示す。こ
のグラフは、光強度の伝達比、すなわち入力E1と出力E3
との比を波長の関数として表した。図に示した（Ａ）な
いし（Ｅ）の曲線は、結合パラメタＫの異なる値に対応
する。この例では、この素子はフィルタとして動作し、
共振波長で入力E1を反射し（出力はE4）、非共振波長で
光を通過させる（出力はE3）。
第３図は、共振器長が20cmで第２図と異なるパラメタの
場合の第１図の素子のスペクトル応答の計算値を示す。
場合の第１図の素子のスペクトル応答の計算値を示す。
これらの計算値のグラフに示したように、このような長
さ（10〜20cm）の共振器（この場合には第一のファイバ
２）に対して、通過帯域幅は数百メガヘルツのオーダで
ある。通過帯域幅をギガヘルツ領域に増加させるには、
共振器長をミリメートルのオーダに制限しなければなら
ない。
さ（10〜20cm）の共振器（この場合には第一のファイバ
２）に対して、通過帯域幅は数百メガヘルツのオーダで
ある。通過帯域幅をギガヘルツ領域に増加させるには、
共振器長をミリメートルのオーダに制限しなければなら
ない。
第４図および第５図は、第１図の素子への信号入力
（E1）に対して得られた実験結果を示す。素子を作成す
るために、信号源の波長における強度結合係数が99.2％
で、結合損失が0.02dBないし0.04dbの固定結合器を使用
した。反射手段（第１図の５、８）として、誘電体の鏡
を突き合わせにより連結した。この鏡の反射率は99％以
上である。実効共振器長（L2＋L4）はほぼ2.3mmであっ
た。この実験では、発振波長が1.523μｍのHeNeレーザ
光源を使用した。したがって入力は固定波長であり、こ
のため、素子自体の共振選択性については、（波長の掃
引ではなく）共振器の長さを調節することにより測定し
た。圧電伸張器を使用することにより、数マイクロメー
タの範囲で素子の実効共振器長を変化させた（すなわ
ち、L2およびまたはL4を変化させた）。反射された光
（E4）は、レーザ光源と素子との間に配置された第二の
（一般的な）結合器により取り出された。
（E1）に対して得られた実験結果を示す。素子を作成す
るために、信号源の波長における強度結合係数が99.2％
で、結合損失が0.02dBないし0.04dbの固定結合器を使用
した。反射手段（第１図の５、８）として、誘電体の鏡
を突き合わせにより連結した。この鏡の反射率は99％以
上である。実効共振器長（L2＋L4）はほぼ2.3mmであっ
た。この実験では、発振波長が1.523μｍのHeNeレーザ
光源を使用した。したがって入力は固定波長であり、こ
のため、素子自体の共振選択性については、（波長の掃
引ではなく）共振器の長さを調節することにより測定し
た。圧電伸張器を使用することにより、数マイクロメー
タの範囲で素子の実効共振器長を変化させた（すなわ
ち、L2およびまたはL4を変化させた）。反射された光
（E4）は、レーザ光源と素子との間に配置された第二の
（一般的な）結合器により取り出された。
第４図は、素子の長さを約１ミクロンにわたり変化さ
せ、そのときに反射された信号（E4）の変化を示す。二
つの共振が明らかである。第５図は、伝送された信号
（E3）の対応する変化を示す。第４図および第５図の測
定は異なる時間に行われたので、これらが正確に一致し
ているわけではないが、素子の動作は明白に示されてい
る。この例における理論的な反射のフィネスは120であ
り、これに対して、測定されたフィネスは50を越えた。
フリースペクトルエリアは45MHzと推定される。（フリ
ースペクトルエリアは共振器内を光が往復する時間であ
り、共振器の長さに逆比例する。フィネスについては、
半値全幅（FWHM）に対するフリースペクトルエリアの比
として計算した。） 上述したように、そして例えば第２図および第３図から
明らかなように、結合パラメタＫにより示される結合の
度合が増加すると、フィネスが増加し、周波数選択性が
細かくなる。しかし、第２図および第３図から明らかな
ように、フィネスの増加により、変動深さが減少してし
まう。この変化を第６図に直接に示す。この図では、異
なる結合損失の値γに対して、図に詳細に示した素子の
構造およびパラメタの場合について、フィネスに対する
調節深さをプロットしている。
せ、そのときに反射された信号（E4）の変化を示す。二
つの共振が明らかである。第５図は、伝送された信号
（E3）の対応する変化を示す。第４図および第５図の測
定は異なる時間に行われたので、これらが正確に一致し
ているわけではないが、素子の動作は明白に示されてい
る。この例における理論的な反射のフィネスは120であ
り、これに対して、測定されたフィネスは50を越えた。
フリースペクトルエリアは45MHzと推定される。（フリ
ースペクトルエリアは共振器内を光が往復する時間であ
り、共振器の長さに逆比例する。フィネスについては、
半値全幅（FWHM）に対するフリースペクトルエリアの比
として計算した。） 上述したように、そして例えば第２図および第３図から
明らかなように、結合パラメタＫにより示される結合の
度合が増加すると、フィネスが増加し、周波数選択性が
細かくなる。しかし、第２図および第３図から明らかな
ように、フィネスの増加により、変動深さが減少してし
まう。この変化を第６図に直接に示す。この図では、異
なる結合損失の値γに対して、図に詳細に示した素子の
構造およびパラメタの場合について、フィネスに対する
調節深さをプロットしている。
したがって、実用上の目的のため、その利用スペクトル
範囲にわたって結合パラメタＫを自動的に可能な限り高
くするように選択することは、一般的には必要ない。特
定の使用状況、周波数選択性および調節深さの相対的な
重要性により、当業者が適当な結合パラメタＫを選択す
ることができる。しかし、通常は、当面の問題となるス
ペクトル範囲の波長に対して、結合パラメタＫは0.75以
上と予想される。一般に、達成できる結合損失（γ）が
低くなるほど、結合パラメタＫの望ましい値は高くな
る。実際上は、結合パラメタＫは通常は0.85以上であ
り、例えば結合損失が非常に小さいときには、当面問題
となるスペクトル範囲にわたって、結合パラメタＫを0.
95以上にすることができる。
範囲にわたって結合パラメタＫを自動的に可能な限り高
くするように選択することは、一般的には必要ない。特
定の使用状況、周波数選択性および調節深さの相対的な
重要性により、当業者が適当な結合パラメタＫを選択す
ることができる。しかし、通常は、当面の問題となるス
ペクトル範囲の波長に対して、結合パラメタＫは0.75以
上と予想される。一般に、達成できる結合損失（γ）が
低くなるほど、結合パラメタＫの望ましい値は高くな
る。実際上は、結合パラメタＫは通常は0.85以上であ
り、例えば結合損失が非常に小さいときには、当面問題
となるスペクトル範囲にわたって、結合パラメタＫを0.
95以上にすることができる。
第７図は、結合パラメタＫの変化に対する調節深さの変
化量のグラフを示す。この調節深さは、種々の結合損失
（γ）の値に対して、反射率を固定し、本質的なファイ
バ伝送損失を零とし、入力（E1）および伝送された出力
（E3）に対して計算した。
化量のグラフを示す。この調節深さは、種々の結合損失
（γ）の値に対して、反射率を固定し、本質的なファイ
バ伝送損失を零とし、入力（E1）および伝送された出力
（E3）に対して計算した。
図示した実施例では光ファイバを使用しているが、本発
明の横方向の結合素子は、明らかに、他の適当な誘電体
光導波路、例えばリチウム・ニオベート構造により構成
できる。このような構造は、例えば、サブミリメートル
の長さの共振器を作る場合に特に適している。
明の横方向の結合素子は、明らかに、他の適当な誘電体
光導波路、例えばリチウム・ニオベート構造により構成
できる。このような構造は、例えば、サブミリメートル
の長さの共振器を作る場合に特に適している。
能動共振器を作成し、共振を大きくすることが便利であ
る。これは、例えば、共振器を形成する領域において、
ファイバの一方または双方に光増幅媒体をドーピングす
ることにより達成される。ネオジムがこのタイプのひと
つの適した媒体である。このような素子は、例えば、す
べてのファイバで構成されたレーザを実現する場合に重
要である。
る。これは、例えば、共振器を形成する領域において、
ファイバの一方または双方に光増幅媒体をドーピングす
ることにより達成される。ネオジムがこのタイプのひと
つの適した媒体である。このような素子は、例えば、す
べてのファイバで構成されたレーザを実現する場合に重
要である。
これとは別に、共振器内に誘導ラマン散乱（Stimulated
Raman Scattering）または誘導ブリルアン散乱（Stimu
lated Brillouin Scattering）を発生させ、波長シフト
によるマルチパス動作を実行させることもできる。共振
器に対して、その注入波長で、誘導ラマン散乱または誘
導ブリルアン散乱のしきい値を越えるパワーの光を注入
することにより、誘導ラマン散乱または誘導ブリルアン
散乱を引き起こし、長波長側へのシフト（ストークス放
射）を引き起こすことができる。
Raman Scattering）または誘導ブリルアン散乱（Stimu
lated Brillouin Scattering）を発生させ、波長シフト
によるマルチパス動作を実行させることもできる。共振
器に対して、その注入波長で、誘導ラマン散乱または誘
導ブリルアン散乱のしきい値を越えるパワーの光を注入
することにより、誘導ラマン散乱または誘導ブリルアン
散乱を引き起こし、長波長側へのシフト（ストークス放
射）を引き起こすことができる。
本発明の共振素子は、光伝送装置のフィルタとして用い
ることができる。第１図により形成された共振器は容易
に伝送線に重ね継ぐことができ（終端４、７で）、例え
ば伝送特性を適当に修正することができる。曲げ損失は
除去され、このような構造における伝送線に必要なまた
は導入される空隙はないことが明らかである。
ることができる。第１図により形成された共振器は容易
に伝送線に重ね継ぐことができ（終端４、７で）、例え
ば伝送特性を適当に修正することができる。曲げ損失は
除去され、このような構造における伝送線に必要なまた
は導入される空隙はないことが明らかである。
本発明はまた、さらに新規な共振素子の作成を可能にす
る。例えば、本発明の素子を異なるまたは適当に一致す
る性質のものを二以上用いて、例えば一線に接続する。
他の新規な例として、例えば、付加的な反射手段を導波
路の他の終端（４、７）の一方または双方に設け（すな
わち第１図において、反射手段無しで示された終端）て
素子の応答をさらに修正することもできる。このような
素子は、特に、すべてファイバで構成されたレーザの出
力線幅を狭めるため利用できる。
る。例えば、本発明の素子を異なるまたは適当に一致す
る性質のものを二以上用いて、例えば一線に接続する。
他の新規な例として、例えば、付加的な反射手段を導波
路の他の終端（４、７）の一方または双方に設け（すな
わち第１図において、反射手段無しで示された終端）て
素子の応答をさらに修正することもできる。このような
素子は、特に、すべてファイバで構成されたレーザの出
力線幅を狭めるため利用できる。
フロントページの続き (72)発明者 ミラー コリン・アンダーソン 英国アイピー11 ９エイチピー・サフォー ク・フェリクストウェ・デルウッドアベニ ュー20番地 (72)発明者 アーキュハート ウィリアム・ポール 英国アイピー５ ７ジェイビー・サフォー ク・イプスウィッチ・ケスグレーブ・トリ ニティクローズ90番地 (56)参考文献 特開 昭59−86023（ＪＰ，Ａ)
Claims (14)
- 【請求項１】結合領域（６）で第二の導波路（３）に横
方向に結合された第一の導波路（２）を備え、 この第一の導波路と上記第二の導波路とはその伝搬定数
がすべての波長に対して実質的に等しく、 上記結合領域（６）の対向するそれぞれの終端で選択さ
れた各導波路（２、３）の一方の終端（５、８）には、
ファブリペロー共振器を形成する反射手段を備えた 誘電体光導波素子（１）。 - 【請求項２】上記導波路（２、３）は単一モード光ファ
イバである請求の範囲第１項に記載の誘電体光導波素
子。 - 【請求項３】上記導波路（２、３）はプレーナ基板内に
形成される請求の範囲第１項に記載の誘電体光導波素
子。 - 【請求項４】反射手段は金属被膜が設けられた高反射率
表面を含む請求の範囲第１項に記載の誘電体光導波素
子。 - 【請求項５】反射手段は誘電体被膜が設けられた高反射
率表面を含む請求の範囲第１項に記載の誘電体光導波素
子。 - 【請求項６】ファブリペロー共振器内の少なくとも一つ
の導波路（２、３）は、屈折率を調整するために用いら
れているドーパントに加えて、またはこの代わりに、ド
ーパントが添加された請求の範囲第１項ないし第５項の
いずれかに記載の誘電体光導波素子。 - 【請求項７】上記ドーパントは光増幅媒体である請求の
範囲第６項に記載の誘電体光導波素子。 - 【請求項８】ファブリペロー共振器の長さ（L2＋L4）を
変化させて素子を同調させる同調手段を含む請求の範囲
第１項ないし第７項のいずれかに記載の誘電体光導波素
子。 - 【請求項９】同調手段は圧電伸張器を含む請求の範囲第
８項に記載の誘電体光導波素子。 - 【請求項１０】結合パラメタＫは、素子の動作スペクト
ル範囲にわたって少なくとも0.75である請求の範囲第１
項ないし第９項に記載の誘電体光導波素子。 - 【請求項１１】結合領域（６）で第二の導波路（３）に
横方向に結合された第一の導波路（２）を備え、 この第一の導波路と上記第二の導波路とはその伝搬定数
がすべての波長に対して実質的に等しく、 上記結合領域（６）の対向するそれぞれの終端で選択さ
れた各導波路（２、３）の一方の終端（５、８）にはフ
ァブリペロー共振器を形成する反射手段を備え、 この反射手段により形成されたファブリペロー共振器内
の少なくとも一つの導波路にはドーパントとして光増幅
媒体が添加された 光ファイバ増幅器。 - 【請求項１２】結合領域（６）で第二の導波路（３）に
横方向に結合された第一の導波路（２）を備え、この第
一の導波路と上記第二の導波路とはその伝搬定数がすべ
ての波長に対して実質的に等しく、上記結合領域（６）
の対向するそれぞれの終端で選択された各導波路（２、
３）の一方の終端（５、８）にはファブリペロー共振器
を形成する反射手段を備えた誘電体光導波素子を用い、 光信号（E1、E2）を上記素子に入力し、光信号（E3、
E4）を選択して上記素子から出力させる 光信号波長選択方法。 - 【請求項１３】光信号（E1、E2）を、その信号の波長に
おけるファブリペロー共振器のための誘導ブリルアン散
乱または誘導ラマン散乱のしきい値を越えるパワーで入
力し、 これにより、異なる波長で光出力（E3、E4）を得る 請求の範囲第12項に記載の方法。 - 【請求項１４】結合領域（６）で第二の導波路（３）に
横方向に結合された第一の導波路（２）を備え、この第
一の導波路と上記第二の導波路とはその伝搬定数がすべ
ての波長に対して実質的に等しく、上記結合領域（６）
の対向するそれぞれの終端で選択された各導波路（２、
３）の一方の終端（５、８）にはファブリペロー共振器
を形成する反射手段を備えた誘電体光導波素子を製造す
る方法であり、 二つの誘電体光導波路のそれぞれの一方の終端に反射面
を設ける工程と、 上記二つの誘電体光導波路を結合領域で結合し、反射面
を有する上記二つの誘電体光導波路が結合領域のそれぞ
れ対向する終端とする工程と を含むことを特徴とする誘電体光導波素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8518739 | 1985-07-24 | ||
| GB858518739A GB8518739D0 (en) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | Dielectric optical waveguide device |
| GB8523532 | 1985-09-24 | ||
| GB858523532A GB8523532D0 (en) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | Dielectric optical waveguide device |
| GB8531422 | 1985-12-20 | ||
| GB858531422A GB8531422D0 (en) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Dielectric optical waveguide device |
| PCT/GB1986/000430 WO1987000699A1 (en) | 1985-07-24 | 1986-07-21 | Dielectric optical waveguide device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63500756A JPS63500756A (ja) | 1988-03-17 |
| JPH0738488B2 true JPH0738488B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=27262741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61503922A Expired - Lifetime JPH0738488B2 (ja) | 1985-07-24 | 1986-07-21 | 誘電体光導波素子、光ファイバ増幅器および光信号波長選択方法ならびに誘電体光導波素子の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4859017A (ja) |
| EP (1) | EP0233896B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0738488B2 (ja) |
| CA (1) | CA1271065A (ja) |
| DE (1) | DE3673630D1 (ja) |
| ES (1) | ES2000551A6 (ja) |
| WO (1) | WO1987000699A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2692694B2 (ja) * | 1987-05-25 | 1997-12-17 | 日本電信電話株式会社 | 光ファイバレーザ装置 |
| GB2219127A (en) * | 1988-05-27 | 1989-11-29 | Stc Plc | Lasers and optical amplifiers |
| JP2589345B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1997-03-12 | 日本電信電話株式会社 | 光ファイバの特性評価方法および装置 |
| US4934784A (en) * | 1989-03-20 | 1990-06-19 | Kaptron, Inc. | Hybrid active devices coupled to fiber via spherical reflectors |
| GB2252176B (en) * | 1989-09-01 | 1993-11-17 | British Telecomm | Optical coupler |
| GB8919799D0 (en) * | 1989-09-01 | 1989-10-18 | British Telecomm | Optical coupler |
| US5361320A (en) * | 1993-02-19 | 1994-11-01 | University Of Colorado Foundation | Liquid crystal fiber waveguide |
| US5440416A (en) * | 1993-02-24 | 1995-08-08 | At&T Corp. | Optical network comprising a compact wavelength-dividing component |
| US6373868B1 (en) * | 1993-05-28 | 2002-04-16 | Tong Zhang | Single-mode operation and frequency conversions for diode-pumped solid-state lasers |
| WO1996000996A1 (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | The Whitaker Corporation | Planar hybrid optical amplifier |
| US5633743A (en) * | 1995-11-07 | 1997-05-27 | Lucent Technologies Inc. | Optical communications system using tunable tandem Fabry-Perot etalon |
| GB9710057D0 (en) * | 1997-05-19 | 1997-07-09 | King S College London | Distributed sensing system |
| US6434291B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-08-13 | Confluent Photonics Corporations | MEMS-based optical bench |
| US6496616B2 (en) | 2000-04-28 | 2002-12-17 | Confluent Photonics, Inc. | Miniature monolithic optical demultiplexer |
| US6453087B2 (en) | 2000-04-28 | 2002-09-17 | Confluent Photonics Co. | Miniature monolithic optical add-drop multiplexer |
| US7064828B1 (en) | 2001-12-19 | 2006-06-20 | Nanometrics Incorporated | Pulsed spectroscopy with spatially variable polarization modulation element |
| US7020365B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-03-28 | Micron Technology, Inc. | Resistive heater for thermo optic device |
| US7006746B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-02-28 | Micron Technology, Inc. | Waveguide for thermo optic device |
| US7120336B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Resonator for thermo optic device |
| US7061613B1 (en) | 2004-01-13 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Polarizing beam splitter and dual detector calibration of metrology device having a spatial phase modulation |
| JP2006086429A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Yokogawa Electric Corp | 波長可変光源 |
| US9235097B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-01-12 | Micron Technology, Inc. | Active alignment of optical fiber to chip using liquid crystals |
| US9086331B2 (en) | 2012-10-23 | 2015-07-21 | The Boeing Company | Optical fiber coupled photonic crystal slab strain sensor system |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB136956A (en) * | 1919-02-13 | 1919-12-31 | Christopher Tickell | Improvements in and relating to Mechanical Toys. |
| CA1108902A (en) * | 1978-06-15 | 1981-09-15 | R. Ian Macdonald | Wavelength selective optical coupler |
| JPS5855911A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Toshihiko Yoshino | 光変調装置 |
| ATE38099T1 (de) * | 1981-12-16 | 1988-11-15 | Polaroid Corp | Optische hohlraumresonanzfilter. |
| US4720160A (en) * | 1981-12-16 | 1988-01-19 | Polaroid Corporation | Optical resonant cavity filters |
| JPS58169037A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Fujitsu Ltd | フアブリ・ペロ−干渉計 |
| US4515431A (en) * | 1982-08-11 | 1985-05-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Fiber optic amplifier |
| US4536088A (en) * | 1982-09-17 | 1985-08-20 | Rashleigh Scott C | Polarimetric Fabry-Perot sensor |
| US4530603A (en) * | 1982-09-29 | 1985-07-23 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr. Univ. | Stabilized fiber optic sensor |
| US4530097A (en) * | 1982-09-29 | 1985-07-16 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Brillouin ring laser |
| GB2136956B (en) * | 1983-02-24 | 1986-04-30 | British Telecomm | Optical fibre interferometers |
| GB2136952B (en) * | 1983-03-16 | 1987-05-07 | Standard Telephones Cables Ltd | Fabry perot sensor |
| US4592043A (en) * | 1983-07-08 | 1986-05-27 | At&T Bell Laboratories | Wavelength division multiplexing optical communications systems |
| US4553238A (en) * | 1983-09-30 | 1985-11-12 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University | Fiber optic amplifier |
| WO1985002469A1 (en) * | 1983-11-28 | 1985-06-06 | British Telecommunications Plc | Optical filters |
| GB2151868B (en) * | 1983-12-16 | 1986-12-17 | Standard Telephones Cables Ltd | Optical amplifiers |
| US4676583A (en) * | 1984-06-28 | 1987-06-30 | Polaroid Corporation | Adscititious resonator |
| US4639922A (en) * | 1984-09-28 | 1987-01-27 | Bell Communications Research, Inc. | Single mode injection laser structure |
| DE3506569A1 (de) * | 1985-02-25 | 1986-08-28 | Manfred Prof. Dr. 7900 Ulm Börner | Integrierte resonatormatrix zum wellenlaengenselektiven trennen bzw. zusammenfuegen von kanaelen im frequenzbereich der optischen nachrichtentechnik |
| EP0216212A3 (de) * | 1985-09-25 | 1989-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Externer optischer Resonator für einen Halbleiterlaser |
| US4768849A (en) * | 1986-09-15 | 1988-09-06 | Hicks Jr John W | Filter tap for optical communications systems |
-
1986
- 1986-07-21 US US07/026,444 patent/US4859017A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-21 DE DE8686904314T patent/DE3673630D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-21 CA CA000514248A patent/CA1271065A/en not_active Expired
- 1986-07-21 JP JP61503922A patent/JPH0738488B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-21 EP EP86904314A patent/EP0233896B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-21 WO PCT/GB1986/000430 patent/WO1987000699A1/en not_active Ceased
- 1986-07-23 ES ES8600522A patent/ES2000551A6/es not_active Expired
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