JPH0739228Y2 - 光加熱処理装置 - Google Patents
光加熱処理装置Info
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- JPH0739228Y2 JPH0739228Y2 JP1988156678U JP15667888U JPH0739228Y2 JP H0739228 Y2 JPH0739228 Y2 JP H0739228Y2 JP 1988156678 U JP1988156678 U JP 1988156678U JP 15667888 U JP15667888 U JP 15667888U JP H0739228 Y2 JPH0739228 Y2 JP H0739228Y2
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- quartz tube
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体装置の製造プロセスにおける半導体ウ
ェハの光加熱処理装置に関する。
ェハの光加熱処理装置に関する。
本考案は、半導体装置の製造プロセスに用いられる半導
体ウェハの光加熱処理装置に関するものであり、更に詳
しくは、透明石英管内の半導体ウェハを輻射光吸収効率
のよいサセプタを介して光加熱ランプにより加熱し、こ
の半導体ウェハの温度を放射温度計により測定・制御す
る光加熱処理装置に関する。
体ウェハの光加熱処理装置に関するものであり、更に詳
しくは、透明石英管内の半導体ウェハを輻射光吸収効率
のよいサセプタを介して光加熱ランプにより加熱し、こ
の半導体ウェハの温度を放射温度計により測定・制御す
る光加熱処理装置に関する。
半導体装置の製造プロセスにおいて、SiあるいはGaAs等
の化合物からなる半導体ウェハの熱酸化膜形成あるいは
イオン注入層の活性化等、1000℃前後での高温加熱処理
が行われる。従来この目的のためには、抵抗加熱による
電気炉加熱処理装置により数分から数十分の時間をかけ
て行うのが通常であった。この方法は電気炉に大電力を
必要とし、処理時間が長いので製造効率が悪く、また不
純物の再拡散防止など特に短時間の熱処理を必要とする
場合には適さなかった。
の化合物からなる半導体ウェハの熱酸化膜形成あるいは
イオン注入層の活性化等、1000℃前後での高温加熱処理
が行われる。従来この目的のためには、抵抗加熱による
電気炉加熱処理装置により数分から数十分の時間をかけ
て行うのが通常であった。この方法は電気炉に大電力を
必要とし、処理時間が長いので製造効率が悪く、また不
純物の再拡散防止など特に短時間の熱処理を必要とする
場合には適さなかった。
そこで近年光加熱ランプの輻射光の照射により、数秒か
ら数十秒の短時間で光加熱処理を行うRTA（Rapid Therm
al Annealing）法あるいはRTP（Rapid Thermal Proces
s）法が実用化されつつある。第２図は従来の光加熱処
理装置の一例を示す図である。これを同図に基づき説明
すると、透明石英管４内の半導体ウェハ１は炭素あるい
はシリコン等の材料からなるサセプタ２上に載置され、
石英ハロゲンランプ等の光加熱ランプ６により上下から
光加熱処理される。半導体ウェハ１の温度はサセプタ２
に耐熱接着剤９により接着された熱電対８により、熱起
電力として間接的に検出される（例えば特開昭61-14273
7号公報）。
ら数十秒の短時間で光加熱処理を行うRTA（Rapid Therm
al Annealing）法あるいはRTP（Rapid Thermal Proces
s）法が実用化されつつある。第２図は従来の光加熱処
理装置の一例を示す図である。これを同図に基づき説明
すると、透明石英管４内の半導体ウェハ１は炭素あるい
はシリコン等の材料からなるサセプタ２上に載置され、
石英ハロゲンランプ等の光加熱ランプ６により上下から
光加熱処理される。半導体ウェハ１の温度はサセプタ２
に耐熱接着剤９により接着された熱電対８により、熱起
電力として間接的に検出される（例えば特開昭61-14273
7号公報）。
また、従来の光加熱処理装置の他の例として第３図に示
すごとく、ごく最近では半導体ウェハの温度を放射温度
計により測定・制御する方法が用いられるようになって
きた。これを同図に基づき説明する。透明石英管４内の
半導体ウェハ１は、通常熱容量を小さくし熱応答性を良
くするために、保持治具３上に単独で載置する。光加熱
ランプ６により光加熱処理された半導体ウェハ１の温度
は、透明石英管４に溶接された分岐管10の端部に耐熱接
着剤12等により気密に接着された覗き窓11を介して、放
射温度計５により測定・制御するように構成されたもの
である。（例えばR.E.Sheets,Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,
52,191（1986））。
すごとく、ごく最近では半導体ウェハの温度を放射温度
計により測定・制御する方法が用いられるようになって
きた。これを同図に基づき説明する。透明石英管４内の
半導体ウェハ１は、通常熱容量を小さくし熱応答性を良
くするために、保持治具３上に単独で載置する。光加熱
ランプ６により光加熱処理された半導体ウェハ１の温度
は、透明石英管４に溶接された分岐管10の端部に耐熱接
着剤12等により気密に接着された覗き窓11を介して、放
射温度計５により測定・制御するように構成されたもの
である。（例えばR.E.Sheets,Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,
52,191（1986））。
この変型として、半導体ウェハ４を石英製のサセプタ上
に載置する従来例も知られている（例えば特開昭61-130
834号公報）。
に載置する従来例も知られている（例えば特開昭61-130
834号公報）。
前述した従来の光加熱処理装置のうち、第２図に示す熱
電対を用いて半導体ウェハの温度を測定・制御する方式
は、熱電対８の検出端が半導体ウェハに直接接触してい
ないため、正確な温度測定が困難であり、なおかつ金属
製の熱電対８と耐熱接着剤９とが透明石英管４内に存在
するので、半導体ウェハ１を汚染するという問題点があ
った。
電対を用いて半導体ウェハの温度を測定・制御する方式
は、熱電対８の検出端が半導体ウェハに直接接触してい
ないため、正確な温度測定が困難であり、なおかつ金属
製の熱電対８と耐熱接着剤９とが透明石英管４内に存在
するので、半導体ウェハ１を汚染するという問題点があ
った。
また、第３図に示す分岐管10と覗き窓11を介して放射温
度計５を用いて半導体ウェハ１の温度を測定・制御する
従来の他の方式は、放射温度計５の検出素子の測定波長
が4.5μｍ以上の例えばPE（Pyroelectric）素子を使用
すると共に、覗き窓11に4.5μｍ以上にまで透過波長範
囲を持つフッ化カルシウム（CaF2等特殊な材料を使う必
要があった。この理由は、第４図に示した放射温度計の
検出素子、光加熱ランプ光源および各材料の透過波長の
波長範囲の相互関係に基づく。すなわち、加熱されたS
i、GaAs等の半導体ウェハ１からの輻射光を透明石英管
４の壁を直接介して放射温度計により測定・制御しよう
とすると、検出素子としては石英の透明波長範囲内であ
る4.5μｍ以下に測定感度を持つSi、Ge、PbsまたはPbSe
等からなるものを用いなければならない。ところが、こ
れらの検出素子の測定波長範囲にある輻射光は、Si、Ga
As等の半導体ウェハ１を透過するので、放射温度計５に
対向する光加熱ランプ６の輻射光をも検出してしまい、
半導体ウェハ１の温度の正確な測定・制御が不可能であ
った。そこで、石英の透過波長範囲（0.155〜4.5μｍ）
より長波長側まで透過するCaF2（透過波長範囲0.13〜12
μｍ）等の材料からなる覗き窓11を石英管４に溶接され
た分岐管10の端部に設け、この覗き窓11を介して、石英
の透過波長範囲より長波長側に測定波長範囲をもつPE検
出素子（測定波長範囲８〜13μｍ）等を有する放射温度
計５を用いる必要があった。
度計５を用いて半導体ウェハ１の温度を測定・制御する
従来の他の方式は、放射温度計５の検出素子の測定波長
が4.5μｍ以上の例えばPE（Pyroelectric）素子を使用
すると共に、覗き窓11に4.5μｍ以上にまで透過波長範
囲を持つフッ化カルシウム（CaF2等特殊な材料を使う必
要があった。この理由は、第４図に示した放射温度計の
検出素子、光加熱ランプ光源および各材料の透過波長の
波長範囲の相互関係に基づく。すなわち、加熱されたS
i、GaAs等の半導体ウェハ１からの輻射光を透明石英管
４の壁を直接介して放射温度計により測定・制御しよう
とすると、検出素子としては石英の透明波長範囲内であ
る4.5μｍ以下に測定感度を持つSi、Ge、PbsまたはPbSe
等からなるものを用いなければならない。ところが、こ
れらの検出素子の測定波長範囲にある輻射光は、Si、Ga
As等の半導体ウェハ１を透過するので、放射温度計５に
対向する光加熱ランプ６の輻射光をも検出してしまい、
半導体ウェハ１の温度の正確な測定・制御が不可能であ
った。そこで、石英の透過波長範囲（0.155〜4.5μｍ）
より長波長側まで透過するCaF2（透過波長範囲0.13〜12
μｍ）等の材料からなる覗き窓11を石英管４に溶接され
た分岐管10の端部に設け、この覗き窓11を介して、石英
の透過波長範囲より長波長側に測定波長範囲をもつPE検
出素子（測定波長範囲８〜13μｍ）等を有する放射温度
計５を用いる必要があった。
このような複雑な構造の装置は高価であり、内部の洗浄
等の保守に際して細心の注意を払う必要があった。更に
光加熱ランプ６による加熱に際して、分岐管10や覗き窓
11部分が直接加熱されることはないとはいえ、高温に達
する可能性のある部分であり、熱膨張係数の異なる２種
類の材料を気密に接着する耐熱接着剤12の信頼性が問題
であった。特にGaAs等熱処理で有毒ガスが発生したり、
アルシン（AsH3）等の有毒ガスを導入して熱処理を行う
場合は、この装置は信頼性の点で使用できなかった。
等の保守に際して細心の注意を払う必要があった。更に
光加熱ランプ６による加熱に際して、分岐管10や覗き窓
11部分が直接加熱されることはないとはいえ、高温に達
する可能性のある部分であり、熱膨張係数の異なる２種
類の材料を気密に接着する耐熱接着剤12の信頼性が問題
であった。特にGaAs等熱処理で有毒ガスが発生したり、
アルシン（AsH3）等の有毒ガスを導入して熱処理を行う
場合は、この装置は信頼性の点で使用できなかった。
従って本考案の課題は、透明石英管中の半導体ウェハを
光加熱処理をするにあたり、半導体ウェハの温度を正確
にしかも熱応答性よく測定・制御することであり、これ
に加えて半導体ウェハの汚染の懸念がなく、装置の洗浄
等の保守が容易であり、しかも有毒ガスを用いる場合で
も有毒ガスのリークの危険性のない光加熱処理装置を提
供することである。
光加熱処理をするにあたり、半導体ウェハの温度を正確
にしかも熱応答性よく測定・制御することであり、これ
に加えて半導体ウェハの汚染の懸念がなく、装置の洗浄
等の保守が容易であり、しかも有毒ガスを用いる場合で
も有毒ガスのリークの危険性のない光加熱処理装置を提
供することである。
前述した課題を解決するため、本考案による光加熱処理
装置は次のようにして構成される。
装置は次のようにして構成される。
半導体ウェハを、光加熱ランプの輻射光を効率よく吸収
する材料よりなるサセプタ上に載置し、このサセプタは
さらに透明石英製の保持治具上に載置して透明石英管内
に置かれる。半導体ウェハは、透明石英管の外部に位置
し、かつサセプタの下方に配置した光加熱ランプによ
り、サセプタを介して間接的に加熱される。半導体ウェ
ハの温度は、透明石英管の外部に位置し、かつ半導体ウ
ェハを上方からのぞむ位置に配置した放射温度計によ
り、透明石英管の壁を直接介して測定・制御される。
する材料よりなるサセプタ上に載置し、このサセプタは
さらに透明石英製の保持治具上に載置して透明石英管内
に置かれる。半導体ウェハは、透明石英管の外部に位置
し、かつサセプタの下方に配置した光加熱ランプによ
り、サセプタを介して間接的に加熱される。半導体ウェ
ハの温度は、透明石英管の外部に位置し、かつ半導体ウ
ェハを上方からのぞむ位置に配置した放射温度計によ
り、透明石英管の壁を直接介して測定・制御される。
上述のように構成された装置において、サセプタの材料
は炭素または炭化ケイ素等、光加熱ランプの輻射光を効
率よく吸収し、1300℃程度の高温でも安定であり、しか
も半導体ウェハに汚染をもたらさない高純度のものが使
用される。
は炭素または炭化ケイ素等、光加熱ランプの輻射光を効
率よく吸収し、1300℃程度の高温でも安定であり、しか
も半導体ウェハに汚染をもたらさない高純度のものが使
用される。
またサセプタの形状は、半導体ウェハ載置面側の平坦性
に優れ、厚さは1mm以上5mm以下が望ましく、2mm以上3mm
以下が更に望ましい。平面形状は、載置する半導体ウェ
ハより広く、かつ光加熱ランプの輻射光が直接放射温度
計に入射しない投影面積をもつものであればよい。
に優れ、厚さは1mm以上5mm以下が望ましく、2mm以上3mm
以下が更に望ましい。平面形状は、載置する半導体ウェ
ハより広く、かつ光加熱ランプの輻射光が直接放射温度
計に入射しない投影面積をもつものであればよい。
放射温度計としては、石英の透過波長範囲（0.155〜4.5
μｍ）に感度をもつ通常のSi、Ge、PbS、PbSe等の検出
素子をもつものが用いられる。
μｍ）に感度をもつ通常のSi、Ge、PbS、PbSe等の検出
素子をもつものが用いられる。
光加熱ランプの輻射光はサセプタにより吸収されてこれ
を加熱し、半導体ウェハは主としてサセプタの平坦な半
導体ウェハ載置面からの熱伝導により間接的に加熱され
る。半導体ウェハの温度は、透明石英管の壁を直接介し
て、放射温度計により測定・制御される。光加熱ランプ
の輻射光は、半導体ウェハより広い面積を持つサセプタ
に効率よく吸収されるので、放射温度計に直接入射する
ことはなく、半導体ウェハの正確な温度測定が可能とな
る。サセプタの厚さは1mm以上5mm以下であるので、薄す
ぎて機械的に脆かったり温度分布特性が悪いことがな
く、また逆に厚すぎて熱応答特性が悪くなることがな
い。
を加熱し、半導体ウェハは主としてサセプタの平坦な半
導体ウェハ載置面からの熱伝導により間接的に加熱され
る。半導体ウェハの温度は、透明石英管の壁を直接介し
て、放射温度計により測定・制御される。光加熱ランプ
の輻射光は、半導体ウェハより広い面積を持つサセプタ
に効率よく吸収されるので、放射温度計に直接入射する
ことはなく、半導体ウェハの正確な温度測定が可能とな
る。サセプタの厚さは1mm以上5mm以下であるので、薄す
ぎて機械的に脆かったり温度分布特性が悪いことがな
く、また逆に厚すぎて熱応答特性が悪くなることがな
い。
さらに本考案による光加熱処理装置は分岐管や覗き窓、
接着部分がないので、有毒ガスのリークの心配がなく信
頼性に優れ、また洗浄等の保守が容易である。
接着部分がないので、有毒ガスのリークの心配がなく信
頼性に優れ、また洗浄等の保守が容易である。
また、透明石英管内には熱電対や耐熱接着剤等が存在し
ないので、半導体ウェハが不純物により汚染される懸念
がない。
ないので、半導体ウェハが不純物により汚染される懸念
がない。
以下、本考案の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
実施例１ 第１図は本考案による光加熱装置を示す図である。本実
施例では、半導体ウェハ１としてイオン注入処理を行っ
たGaAs化合物を例にとり、このイオン注入層の活性化処
理を行う場合について装置の説明を行う。
施例では、半導体ウェハ１としてイオン注入処理を行っ
たGaAs化合物を例にとり、このイオン注入層の活性化処
理を行う場合について装置の説明を行う。
載置面が平坦で、かつ半導体ウェハより広い面積をもつ
厚さ2mmの炭素からなるサセプタ２を透明石英製の保持
治具３上に置き、さらにこのサセプタ２上に半導体ウェ
ハ１を載置して、透明石英管４中に挿入する。透明石英
管４の両端には、第１図には記していないが、ガス導入
孔とガス排出孔とが接続されており、このガス導入孔よ
りアルシン（AsH3）を導入しガス排出孔より透明石英管
４外の排ガス処理装置に導く。サセプタ２の下方かつ透
明石英管の外部に石英ハロゲンランプによる光加熱ラン
プ６と反射板７とを配置し、サセプタ２を下面から光加
熱し、これによりサセプタ２上に密着して載置した半導
体ウェハ１を間接的に加熱する。透明石英管４の外部に
位置し、かつサセプタ２上の半導体ウェハ１をのぞむ位
置に配置したSi検出素子をもつ放射温度計５を用い、半
導体ウェハ１の温度を測定する。放射温度計５の温度情
報出力は、第１図には記してないが演算装置に入力さ
れ、設定温度850℃と比較演算して出力信号となし、次
に出力制御装置を介して光加熱ランプ６の出力が制御さ
れる。これにより半導体ウェハ１は、設定温度に速やか
にかつ精度よく加熱され、イオン注入層の活性化処理が
なされる。
厚さ2mmの炭素からなるサセプタ２を透明石英製の保持
治具３上に置き、さらにこのサセプタ２上に半導体ウェ
ハ１を載置して、透明石英管４中に挿入する。透明石英
管４の両端には、第１図には記していないが、ガス導入
孔とガス排出孔とが接続されており、このガス導入孔よ
りアルシン（AsH3）を導入しガス排出孔より透明石英管
４外の排ガス処理装置に導く。サセプタ２の下方かつ透
明石英管の外部に石英ハロゲンランプによる光加熱ラン
プ６と反射板７とを配置し、サセプタ２を下面から光加
熱し、これによりサセプタ２上に密着して載置した半導
体ウェハ１を間接的に加熱する。透明石英管４の外部に
位置し、かつサセプタ２上の半導体ウェハ１をのぞむ位
置に配置したSi検出素子をもつ放射温度計５を用い、半
導体ウェハ１の温度を測定する。放射温度計５の温度情
報出力は、第１図には記してないが演算装置に入力さ
れ、設定温度850℃と比較演算して出力信号となし、次
に出力制御装置を介して光加熱ランプ６の出力が制御さ
れる。これにより半導体ウェハ１は、設定温度に速やか
にかつ精度よく加熱され、イオン注入層の活性化処理が
なされる。
実施例２ 本実施例も第１図に基づき説明する。本実施例では、半
導体ウェハ１として熱酸化膜による絶縁層を形成するシ
リコンウェハを例にとり装置の説明を行う。
導体ウェハ１として熱酸化膜による絶縁層を形成するシ
リコンウェハを例にとり装置の説明を行う。
載置面が平坦で、かつ半導体ウェハよりも広い面積をも
つ厚さ3mmの炭化ケイ素／炭素／炭化ケイ素（SiC/C/Si
C）３層構造のサセプタ２上にシリコンの半導体ウェハ
１を載置し、透明石英製保持治具３で保持して透明石英
管４中に挿入する。透明石英管４の両端には、第１図に
は記してないがガス導入孔およびガス排出孔が設けられ
ており、このガス導入孔より酸素ガスを導入し、ガス排
出孔より透明石英管４外部へ排出する。サセプタ２の下
方かつ透明石英管４の外部には、Xeアークランプによる
光加熱ランプ６と反射板７を配置し、サセプタ２を下面
から光加熱し、これによりサセプタ２上に密着載置した
半導体ウェハ１を間接的に加熱する。透明石英管４の外
部に位置し、かつサセプタ２上の半導体ウェハ１をのぞ
む位置に配置したSi検出素子をもつ放射温度計５を用
い、半導体ウェハ１の温度を測定する。放射温度計５の
温度情報出力は、第１図には記していないが演算装置に
入力され、設定温度1200℃と比較演算して出力信号とな
し、次に出力制御装置を介して光加熱ランプ６の出力を
制御する。これにより半導体ウェハ１は設定温度に速や
かにかつ精度よく加熱され、熱酸化膜による絶縁層が形
成される。
つ厚さ3mmの炭化ケイ素／炭素／炭化ケイ素（SiC/C/Si
C）３層構造のサセプタ２上にシリコンの半導体ウェハ
１を載置し、透明石英製保持治具３で保持して透明石英
管４中に挿入する。透明石英管４の両端には、第１図に
は記してないがガス導入孔およびガス排出孔が設けられ
ており、このガス導入孔より酸素ガスを導入し、ガス排
出孔より透明石英管４外部へ排出する。サセプタ２の下
方かつ透明石英管４の外部には、Xeアークランプによる
光加熱ランプ６と反射板７を配置し、サセプタ２を下面
から光加熱し、これによりサセプタ２上に密着載置した
半導体ウェハ１を間接的に加熱する。透明石英管４の外
部に位置し、かつサセプタ２上の半導体ウェハ１をのぞ
む位置に配置したSi検出素子をもつ放射温度計５を用
い、半導体ウェハ１の温度を測定する。放射温度計５の
温度情報出力は、第１図には記していないが演算装置に
入力され、設定温度1200℃と比較演算して出力信号とな
し、次に出力制御装置を介して光加熱ランプ６の出力を
制御する。これにより半導体ウェハ１は設定温度に速や
かにかつ精度よく加熱され、熱酸化膜による絶縁層が形
成される。
以上、本考案の実施例について説明してきたが、サセプ
タ２の材料としては、炭素または炭化ケイ素が単独で、
または組み合わせて多層構造として用いられ、他に窒化
ケイ素（Si3N4）も炭素または炭化ケイ素と組み合わせ
て多層構造となして使用することができる。要は光加熱
ランプの輻射光を効率よく吸収し、1300℃程度まで安定
で半導体ウェハ１に汚染をもたらさない高純度の材料で
あればよい。またサセプタ２の厚さは1mm以上5mm以下が
望ましく、2mm以上3mm以下がより望ましい。この厚さが
1mm未満では機械的に脆く、割れたり欠けたりし易く、
また温度分布特性が悪くなる。また5mmを超える厚さの
ものは、熱応答特性が悪くなり、RTA、RTPの目的にそぐ
わなくなる。
タ２の材料としては、炭素または炭化ケイ素が単独で、
または組み合わせて多層構造として用いられ、他に窒化
ケイ素（Si3N4）も炭素または炭化ケイ素と組み合わせ
て多層構造となして使用することができる。要は光加熱
ランプの輻射光を効率よく吸収し、1300℃程度まで安定
で半導体ウェハ１に汚染をもたらさない高純度の材料で
あればよい。またサセプタ２の厚さは1mm以上5mm以下が
望ましく、2mm以上3mm以下がより望ましい。この厚さが
1mm未満では機械的に脆く、割れたり欠けたりし易く、
また温度分布特性が悪くなる。また5mmを超える厚さの
ものは、熱応答特性が悪くなり、RTA、RTPの目的にそぐ
わなくなる。
更にサセプタ２の形状は載置する半導体ウェハ１より広
く、かつ光加熱ランプ６の輻射光が直接放射温度計５に
入射しないだけの投影面積をもつものが用いられる。
く、かつ光加熱ランプ６の輻射光が直接放射温度計５に
入射しないだけの投影面積をもつものが用いられる。
また放射温度計の検出素子としては、本実施例で用いた
Siの他に、Ge、PbS、PbSe等石英の透過波長範囲に感度
をもつものが使用される。
Siの他に、Ge、PbS、PbSe等石英の透過波長範囲に感度
をもつものが使用される。
本考案による光加熱処理装置は、本実施例中に述べた用
途の他に、例えば、InP化合物半導体のイオン注入層を
ホスフィン（PH3）ガス中で活性化処理を行うような場
合に用いることも可能である。
途の他に、例えば、InP化合物半導体のイオン注入層を
ホスフィン（PH3）ガス中で活性化処理を行うような場
合に用いることも可能である。
以上詳述したように、本考案による光加熱処理装置は、
輻射光吸収効率のよいサセプタ上に載置した半導体ウェ
ハの温度が透明石英管の壁を介して放射温度計を用いて
直接測定・制御され、光加熱ランプからの直接入射光に
よる妨害をうけることなく正確な光加熱処理が可能とな
る。サセプタの厚さが最適値に選ばれるので、熱応答特
性も優れている。熱電対測温による従来法と比較して、
半導体ウェハ汚染の心配がなく、また半導体ウェハその
ものを測温するので温度制御が精度よく行われる。
輻射光吸収効率のよいサセプタ上に載置した半導体ウェ
ハの温度が透明石英管の壁を介して放射温度計を用いて
直接測定・制御され、光加熱ランプからの直接入射光に
よる妨害をうけることなく正確な光加熱処理が可能とな
る。サセプタの厚さが最適値に選ばれるので、熱応答特
性も優れている。熱電対測温による従来法と比較して、
半導体ウェハ汚染の心配がなく、また半導体ウェハその
ものを測温するので温度制御が精度よく行われる。
また、CaF2等の覗き窓を介して放射温度計により温度制
御する従来の光加熱処理装置と比較すると、耐熱接着剤
等による接着部が存在しないので信頼性が向上し、アル
シンやホスフィン等有毒ガスを用いる加熱処理が安全に
行なえる。更にまた透明石英管の構造が簡単なので、保
守が容易でかつ安価に作成できる。更に半導体ウェハと
放射温度計との間には、透明石英管の壁以外に障害物と
なるものが存在しないので、半導体ウェハの多数枚チャ
ージによる生産用大型炉での多点測温・制御や、１枚の
半導体ウェハ上を走査しながら測温することが容易に可
能となるなど、半導体装置の製造プロセスにおける寄与
は大きい。
御する従来の光加熱処理装置と比較すると、耐熱接着剤
等による接着部が存在しないので信頼性が向上し、アル
シンやホスフィン等有毒ガスを用いる加熱処理が安全に
行なえる。更にまた透明石英管の構造が簡単なので、保
守が容易でかつ安価に作成できる。更に半導体ウェハと
放射温度計との間には、透明石英管の壁以外に障害物と
なるものが存在しないので、半導体ウェハの多数枚チャ
ージによる生産用大型炉での多点測温・制御や、１枚の
半導体ウェハ上を走査しながら測温することが容易に可
能となるなど、半導体装置の製造プロセスにおける寄与
は大きい。
第１図は、本考案による光加熱処理装置を示す図、第２
図および第３図は従来の光加熱処理装置の例を示す図、
第４図は放射温度計の検出素子、光加熱ランプ光源およ
び各材料の透過波長の波長範囲を示す図である。 １……半導体ウェハ ２……サセプタ ３……保持治具 ４……透明石英管 ５……放射温度計 ６……光加熱ランプ
図および第３図は従来の光加熱処理装置の例を示す図、
第４図は放射温度計の検出素子、光加熱ランプ光源およ
び各材料の透過波長の波長範囲を示す図である。 １……半導体ウェハ ２……サセプタ ３……保持治具 ４……透明石英管 ５……放射温度計 ６……光加熱ランプ
Claims (1)
- 【請求項１】透明石英からなる保持治具を透明石英管の
内部に配置し、 炭素および炭化ケイ素のうちの少なくとも一つの材料か
らなり、1mm以上5mm以下の厚さをもち、半導体ウェハを
直接載置するサセプタを上記保持治具で保持し、 光加熱ランプを上記透明石英管の外部でかつ、上記サセ
プタの下方に配置し、 放射温度計を上記透明石英管の外部でかつ、上記半導体
ウェハをのぞむ位置に配置し、 上記放射温度計により、上記半導体ウェハの温度を測定
・制御することを特徴とする光加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988156678U JPH0739228Y2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 光加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988156678U JPH0739228Y2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 光加熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276835U JPH0276835U (ja) | 1990-06-13 |
| JPH0739228Y2 true JPH0739228Y2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=31435431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988156678U Expired - Lifetime JPH0739228Y2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 光加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0739228Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014220331A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 株式会社リコー | 電磁波照射装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60211947A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Hitachi Ltd | 瞬間アニ−ル装置 |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP1988156678U patent/JPH0739228Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0276835U (ja) | 1990-06-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |