JPH0740232A - 研磨加工装置および研磨加工方法 - Google Patents
研磨加工装置および研磨加工方法Info
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- JPH0740232A JPH0740232A JP19445893A JP19445893A JPH0740232A JP H0740232 A JPH0740232 A JP H0740232A JP 19445893 A JP19445893 A JP 19445893A JP 19445893 A JP19445893 A JP 19445893A JP H0740232 A JPH0740232 A JP H0740232A
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- polishing
- pad
- polishing pad
- rotary platen
- rotary
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性を良好にし、ランニングコストを低く
する。 【構成】 内部に多数の空洞部が形成された通水性を有
する研磨パッド１７を多孔質セラミックスで製作された
回転定盤１０上に貼り付け、回転定盤１０の内部に研磨
液供給路１１を設け、研磨液供給路１１を研磨液供給源
（図示せず）に接続し、回転定盤１０を回転軸に取り付
ける。
する。 【構成】 内部に多数の空洞部が形成された通水性を有
する研磨パッド１７を多孔質セラミックスで製作された
回転定盤１０上に貼り付け、回転定盤１０の内部に研磨
液供給路１１を設け、研磨液供給路１１を研磨液供給源
（図示せず）に接続し、回転定盤１０を回転軸に取り付
ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェハ等の被加
工物の表面を研磨する研磨加工装置、研磨加工方法に関
するものである。
工物の表面を研磨する研磨加工装置、研磨加工方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造工程の一つに、配
線工程前の半導体ウェハの表面の微細な凹凸を平坦化処
理する工程があり、この工程では加工コストが安い化学
機械研磨加工装置が用いられている。この化学機械研磨
加工装置は、研磨液として半導体ウェハに対して化学作
用がある成分を含んだものを用いること以外、一般的な
機械研磨加工装置と同一である。
線工程前の半導体ウェハの表面の微細な凹凸を平坦化処
理する工程があり、この工程では加工コストが安い化学
機械研磨加工装置が用いられている。この化学機械研磨
加工装置は、研磨液として半導体ウェハに対して化学作
用がある成分を含んだものを用いること以外、一般的な
機械研磨加工装置と同一である。
【０００３】図４は従来の化学機械研磨加工装置を示す
概略図である。図に示すように、モータ９の出力軸に回
転軸１３が取り付けられ、回転軸１３に回転定盤２が取
り付けられ、回転定盤２の表面上に研磨パッド１が貼り
付けられ、回転ホルダ４に半導体ウェハ３が取り付けら
れ、研磨液供給ノズル５が研磨パッド１の上方に設けら
れている。
概略図である。図に示すように、モータ９の出力軸に回
転軸１３が取り付けられ、回転軸１３に回転定盤２が取
り付けられ、回転定盤２の表面上に研磨パッド１が貼り
付けられ、回転ホルダ４に半導体ウェハ３が取り付けら
れ、研磨液供給ノズル５が研磨パッド１の上方に設けら
れている。
【０００４】この研磨加工装置においては、モータ９を
作動することにより回転定盤２、研磨パッド１を回転
し、回転ホルダ４により半導体ウェハ３を回転しながら
研磨パッド１に押し付け、しかも研磨液供給ノズル５か
らスラリーを懸濁させた研磨液を研磨パッド１の上に供
給すれば、半導体ウェハ３の表面を研磨加工することが
できる。
作動することにより回転定盤２、研磨パッド１を回転
し、回転ホルダ４により半導体ウェハ３を回転しながら
研磨パッド１に押し付け、しかも研磨液供給ノズル５か
らスラリーを懸濁させた研磨液を研磨パッド１の上に供
給すれば、半導体ウェハ３の表面を研磨加工することが
できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この研磨加工
装置においては、図５に示すように、研磨パッド１の研
磨面の微細凹部６に半導体ウェハ３の研磨粉７や研磨液
中のスラリー固形物８が詰まり、加工能率が徐々に低下
するから、生産性が劣化する。そのため、研磨パッド１
の目詰まりを除去するために、毎加工ごとに研磨パッド
１の研磨面を清掃、目立てするいわゆるコンディショニ
ング作業を行なう必要があり、また毎日研磨パッドを貼
り替え、交換する必要があるから、ランニングコストが
高い。
装置においては、図５に示すように、研磨パッド１の研
磨面の微細凹部６に半導体ウェハ３の研磨粉７や研磨液
中のスラリー固形物８が詰まり、加工能率が徐々に低下
するから、生産性が劣化する。そのため、研磨パッド１
の目詰まりを除去するために、毎加工ごとに研磨パッド
１の研磨面を清掃、目立てするいわゆるコンディショニ
ング作業を行なう必要があり、また毎日研磨パッドを貼
り替え、交換する必要があるから、ランニングコストが
高い。
【０００６】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、生産性が良好であるとともに、ランニン
グコストの低い研磨加工装置、研磨加工方法を提供する
ことを目的とする。
されたもので、生産性が良好であるとともに、ランニン
グコストの低い研磨加工装置、研磨加工方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、研磨パッドの研磨面上に被加
工物を押し付けながら相対運動をさせる研磨加工装置に
おいて、上記研磨パッドとして通水性を有するものを用
い、上記研磨パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面
に研磨液を供給しながら研磨加工する。
め、この発明においては、研磨パッドの研磨面上に被加
工物を押し付けながら相対運動をさせる研磨加工装置に
おいて、上記研磨パッドとして通水性を有するものを用
い、上記研磨パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面
に研磨液を供給しながら研磨加工する。
【０００８】この場合、上記研磨パッドを多孔質材料で
製作された回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤内から
上記研磨パッドに上記研磨液を供給する。
製作された回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤内から
上記研磨パッドに上記研磨液を供給する。
【０００９】この場合、上記回転定盤として多孔質セラ
ミックスで製作したものを用いる。
ミックスで製作したものを用いる。
【００１０】また、複数の研磨液供給系統を設ける。
【００１１】また、上記研磨パッドを多孔質材料で製作
された回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面に静
圧浮上パッドを設ける。
された回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面に静
圧浮上パッドを設ける。
【００１２】また、研磨パッドの研磨面上に被加工物を
押し付けながら相対運動をさせる研磨加工方法におい
て、上記研磨パッドとして通水性を有するものを用い、
上記研磨パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面に研
磨液を供給しながら加工する。
押し付けながら相対運動をさせる研磨加工方法におい
て、上記研磨パッドとして通水性を有するものを用い、
上記研磨パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面に研
磨液を供給しながら加工する。
【００１３】この場合、上記研磨パッドを多孔質材料で
製作された回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面
に静圧浮上パッドを設け、上記静圧浮上パッドから上記
研磨液を上記回転定盤に供給し、上記被加工物の上記研
磨パッドへの押付力を補償しながら研磨加工する。
製作された回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面
に静圧浮上パッドを設け、上記静圧浮上パッドから上記
研磨液を上記回転定盤に供給し、上記被加工物の上記研
磨パッドへの押付力を補償しながら研磨加工する。
【００１４】
【作用】この研磨加工装置、研磨加工方法においては、
研磨パッドの裏面から研磨パッドの研磨面に研磨液を供
給するから、研磨パッドの研磨面の微細凹部に半導体ウ
ェハの研磨粉や研磨液中のスラリー固形物が詰まるのを
防止することができ、、また毎加工ごとにコンディショ
ニング作業を行なう必要がなく、また毎日研磨パッドを
貼り替え、交換する必要がない。
研磨パッドの裏面から研磨パッドの研磨面に研磨液を供
給するから、研磨パッドの研磨面の微細凹部に半導体ウ
ェハの研磨粉や研磨液中のスラリー固形物が詰まるのを
防止することができ、、また毎加工ごとにコンディショ
ニング作業を行なう必要がなく、また毎日研磨パッドを
貼り替え、交換する必要がない。
【００１５】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤内から研磨パッドに
研磨液を供給したときには、研磨液の温度を所定の条件
に設定して供給することにより、回転定盤を所定温度に
することができる。
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤内から研磨パッドに
研磨液を供給したときには、研磨液の温度を所定の条件
に設定して供給することにより、回転定盤を所定温度に
することができる。
【００１６】また、回転定盤として多孔質セラミックス
で製作したものを用いたときには、回転定盤を容易に製
作することができる。
で製作したものを用いたときには、回転定盤を容易に製
作することができる。
【００１７】また、複数の研磨液供給系統を設けたとき
には、研磨加工中に研磨液の種類を変えることができ
る。
には、研磨加工中に研磨液の種類を変えることができ
る。
【００１８】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設けたときには、回転定盤の厚さを小さくするこ
とができる。
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設けたときには、回転定盤の厚さを小さくするこ
とができる。
【００１９】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設け、静圧浮上パッドから研磨液を回転定盤に供
給し、被加工物の研磨パッドへの押付力を補償しながら
研磨加工したときには、研磨液の使用量を少なくするこ
とができる。
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設け、静圧浮上パッドから研磨液を回転定盤に供
給し、被加工物の研磨パッドへの押付力を補償しながら
研磨加工したときには、研磨液の使用量を少なくするこ
とができる。
【００２０】
【実施例】図１はこの発明に係る研磨加工装置の一部を
示す概略断面図である。図に示すように、内部に多数の
空洞部が形成された通水性を有する研磨パッド１７が多
孔質セラミックスで製作された回転定盤１０上に貼り付
けられ、回転定盤１０の内部に研磨液供給路１１が設け
られ、研磨液供給路１１は研磨液供給源（図示せず）に
接続され、回転定盤１０は回転軸１３に取り付けられて
いる。
示す概略断面図である。図に示すように、内部に多数の
空洞部が形成された通水性を有する研磨パッド１７が多
孔質セラミックスで製作された回転定盤１０上に貼り付
けられ、回転定盤１０の内部に研磨液供給路１１が設け
られ、研磨液供給路１１は研磨液供給源（図示せず）に
接続され、回転定盤１０は回転軸１３に取り付けられて
いる。
【００２１】つぎに、図１に示した研磨加工装置により
半導体ウェハの研磨加工を行なう方法について説明す
る。まず、モータを作動することにより回転定盤１０、
研磨パッド１７を回転し、回転ホルダにより半導体ウェ
ハ３を回転しながら研磨パッド１７に押し付け、しかも
研磨液供給路１１に研磨液１２を供給すれば、研磨液１
２は回転定盤１０の空孔部を通り抜け、さらに研磨パッ
ド１７の内部に存在する多数の空洞部を通り抜けて、研
磨パッド１７の研磨面に到達し、半導体ウェハ３の表面
が研磨加工される。なお、研磨液１２を供給するための
圧力としては、半導体ウェハ３が研磨パッド１７の研磨
面に押し付けられている状態において、わずかながら研
磨液１２がしみだす程度が望ましい。
半導体ウェハの研磨加工を行なう方法について説明す
る。まず、モータを作動することにより回転定盤１０、
研磨パッド１７を回転し、回転ホルダにより半導体ウェ
ハ３を回転しながら研磨パッド１７に押し付け、しかも
研磨液供給路１１に研磨液１２を供給すれば、研磨液１
２は回転定盤１０の空孔部を通り抜け、さらに研磨パッ
ド１７の内部に存在する多数の空洞部を通り抜けて、研
磨パッド１７の研磨面に到達し、半導体ウェハ３の表面
が研磨加工される。なお、研磨液１２を供給するための
圧力としては、半導体ウェハ３が研磨パッド１７の研磨
面に押し付けられている状態において、わずかながら研
磨液１２がしみだす程度が望ましい。
【００２２】このような研磨加工装置、研磨加工方法に
おいては、研磨パッド１７の裏面から研磨パッド１７の
研磨面に研磨液１２を供給するから、研磨パッド１７の
研磨面の微細凹部に半導体ウェハ３の研磨粉や研磨液中
のスラリー固形物が詰まるのを防止することができるの
で、加工能率が低下することがないため、生産性が良好
であり、また毎加工ごとにコンディショニング作業を行
なう必要がないので、研磨パッド１７の寿命を伸ばすこ
とができ、ランニングコストが低くできる。また、回転
定盤１０内から研磨パッド１７に研磨液を供給している
から、研磨液１２の温度を所定の条件に設定して供給す
ることにより、回転定盤１０を所定温度にすることがで
きるので、安定な研磨加工を行なうことができる。ま
た、回転定盤１０として多孔質セラミックスで製作した
ものを用いているから、回転定盤１０を容易に製作する
ことができるので、製造コストが安価である。また、高
価な研磨液１２の使用量が図４に示した研磨加工装置と
比較して約半分になるから、研磨加工コストを低減する
ことができる。また、研磨パッド１７の研磨面の微細凹
部に半導体ウェハ３の研磨粉等が詰まるのを防止するこ
とができるから、半導体ウェハ３にスクラッチが発生す
る頻度を低下することができる。また、加工作業終了後
に研磨液１２の代わりに純水等を供給すれば、研磨パッ
ド１７をブラッシングなしに清掃することができるか
ら、毎日研磨パッド１７の貼り替え作業を行なう必要が
ない。
おいては、研磨パッド１７の裏面から研磨パッド１７の
研磨面に研磨液１２を供給するから、研磨パッド１７の
研磨面の微細凹部に半導体ウェハ３の研磨粉や研磨液中
のスラリー固形物が詰まるのを防止することができるの
で、加工能率が低下することがないため、生産性が良好
であり、また毎加工ごとにコンディショニング作業を行
なう必要がないので、研磨パッド１７の寿命を伸ばすこ
とができ、ランニングコストが低くできる。また、回転
定盤１０内から研磨パッド１７に研磨液を供給している
から、研磨液１２の温度を所定の条件に設定して供給す
ることにより、回転定盤１０を所定温度にすることがで
きるので、安定な研磨加工を行なうことができる。ま
た、回転定盤１０として多孔質セラミックスで製作した
ものを用いているから、回転定盤１０を容易に製作する
ことができるので、製造コストが安価である。また、高
価な研磨液１２の使用量が図４に示した研磨加工装置と
比較して約半分になるから、研磨加工コストを低減する
ことができる。また、研磨パッド１７の研磨面の微細凹
部に半導体ウェハ３の研磨粉等が詰まるのを防止するこ
とができるから、半導体ウェハ３にスクラッチが発生す
る頻度を低下することができる。また、加工作業終了後
に研磨液１２の代わりに純水等を供給すれば、研磨パッ
ド１７をブラッシングなしに清掃することができるか
ら、毎日研磨パッド１７の貼り替え作業を行なう必要が
ない。
【００２３】図２はこの発明に係る他の研磨加工装置の
一部を示す概略一部断面図である。図に示すように、回
転定盤１０の回転軸１３に研磨液供給路１１と接続され
た研磨液供給路１１ａ、１１ｂが設けられ、研磨液供給
路１１ａ、１１ｂに研磨液１２ａ、１２ｂを供給するた
めの回転軸シール１４ａ、１４ｂが設けられている。す
なわち、複数の研磨液供給系統が設けられている。
一部を示す概略一部断面図である。図に示すように、回
転定盤１０の回転軸１３に研磨液供給路１１と接続され
た研磨液供給路１１ａ、１１ｂが設けられ、研磨液供給
路１１ａ、１１ｂに研磨液１２ａ、１２ｂを供給するた
めの回転軸シール１４ａ、１４ｂが設けられている。す
なわち、複数の研磨液供給系統が設けられている。
【００２４】この研磨加工装置においては、２種類の研
磨液１２ａ、１２ｂを同時に供給したり、加工中に研磨
液１２ａ、１２ｂを切り替えたりすることができるか
ら、良好な研磨加工を行なうことができる。なお、一方
の研磨液供給路たとえば研磨液供給路１１ｂに純水を供
給すれば、加工中に研磨液１２ａの濃度を制御すること
ができる。
磨液１２ａ、１２ｂを同時に供給したり、加工中に研磨
液１２ａ、１２ｂを切り替えたりすることができるか
ら、良好な研磨加工を行なうことができる。なお、一方
の研磨液供給路たとえば研磨液供給路１１ｂに純水を供
給すれば、加工中に研磨液１２ａの濃度を制御すること
ができる。
【００２５】図３はこの発明に係る他の研磨加工装置の
一部を示す概略図である。図に示すように、回転軸１３
に多孔質セラミックスで製作した厚さが５ｍｍの回転定
盤１５が取り付けられ、回転定盤１５に研磨パッド１７
が貼り付けられ、回転定盤１５の下方に回転ホルダ４と
連動して移動する静圧浮上パッド１６が設けられてい
る。
一部を示す概略図である。図に示すように、回転軸１３
に多孔質セラミックスで製作した厚さが５ｍｍの回転定
盤１５が取り付けられ、回転定盤１５に研磨パッド１７
が貼り付けられ、回転定盤１５の下方に回転ホルダ４と
連動して移動する静圧浮上パッド１６が設けられてい
る。
【００２６】つぎに、図３に示した研磨加工装置により
半導体ウェハの研磨加工を行なう方法について説明す
る。まず、モータ９を作動することにより回転定盤１
５、研磨パッド１７を回転し、回転ホルダ４により半導
体ウェハ３を回転しながら研磨パッド１７に押し付け、
しかも静圧浮上パッド１６に研磨液１２を供給すれば、
研磨液１２は回転定盤１５の空孔部を通り抜け、さらに
研磨パッド１７の内部に存在する多数の空洞部を通り抜
けて、研磨パッド１７の研磨面に到達し、半導体ウェハ
３の表面が研磨加工される。この場合、回転ホルダ４の
圧下荷重と静圧浮上パッド１６による回転定盤１５の押
し上げ荷重とを同一としておく。
半導体ウェハの研磨加工を行なう方法について説明す
る。まず、モータ９を作動することにより回転定盤１
５、研磨パッド１７を回転し、回転ホルダ４により半導
体ウェハ３を回転しながら研磨パッド１７に押し付け、
しかも静圧浮上パッド１６に研磨液１２を供給すれば、
研磨液１２は回転定盤１５の空孔部を通り抜け、さらに
研磨パッド１７の内部に存在する多数の空洞部を通り抜
けて、研磨パッド１７の研磨面に到達し、半導体ウェハ
３の表面が研磨加工される。この場合、回転ホルダ４の
圧下荷重と静圧浮上パッド１６による回転定盤１５の押
し上げ荷重とを同一としておく。
【００２７】この研磨加工装置、研磨加工方法において
は、回転定盤１５にはスラスト荷重が加わらないから、
回転定盤１５の厚さを小さくすることができるので、研
磨液１２の供給を容易に行なうことができる。また、半
導体ウェハ３が研磨パッド１７と接触する部分のみに研
磨液１２を供給すればよいから、高価な研磨液１２の使
用量を図１に示した研磨加工装置と比較して１／１０と
非常に少なくすることできるので、研磨加工コストを低
減することができる。また、研磨パッド１７が消耗した
ときには、研磨パッド１７を回転定盤１５ごと交換する
ようにすれば、より自動化に適す。
は、回転定盤１５にはスラスト荷重が加わらないから、
回転定盤１５の厚さを小さくすることができるので、研
磨液１２の供給を容易に行なうことができる。また、半
導体ウェハ３が研磨パッド１７と接触する部分のみに研
磨液１２を供給すればよいから、高価な研磨液１２の使
用量を図１に示した研磨加工装置と比較して１／１０と
非常に少なくすることできるので、研磨加工コストを低
減することができる。また、研磨パッド１７が消耗した
ときには、研磨パッド１７を回転定盤１５ごと交換する
ようにすれば、より自動化に適す。
【００２８】この発明では、通水性を有する研磨パッド
１７を用いるが、研磨パッド１７は次のような方法で製
造することができる。すなわち、従来の研磨パッド１７
はクロスにポリウレタン等の高分子樹脂を含浸させた
り、ポリウレタン樹脂を発泡させて空洞部を形成するこ
とにより、研磨に必要な微細な凹凸を研磨パッド１７の
研磨面に形成している。この発明に必要な通水性を得る
ためには、これら従来の研磨パッド１７の製造最終工程
において、レーザビーム照射等による機械加工やエッチ
ング等の化学処理加工によって多数の貫通微細孔を加工
することにより達成できる。また、空芯の微細繊維を多
数束ねた後樹脂を含浸させ、その後輪切りにする方法に
よっても製造することができる。
１７を用いるが、研磨パッド１７は次のような方法で製
造することができる。すなわち、従来の研磨パッド１７
はクロスにポリウレタン等の高分子樹脂を含浸させた
り、ポリウレタン樹脂を発泡させて空洞部を形成するこ
とにより、研磨に必要な微細な凹凸を研磨パッド１７の
研磨面に形成している。この発明に必要な通水性を得る
ためには、これら従来の研磨パッド１７の製造最終工程
において、レーザビーム照射等による機械加工やエッチ
ング等の化学処理加工によって多数の貫通微細孔を加工
することにより達成できる。また、空芯の微細繊維を多
数束ねた後樹脂を含浸させ、その後輪切りにする方法に
よっても製造することができる。
【００２９】なお、上述実施例においては、被加工物が
半導体ウェハ３の場合について説明したが、被加工物が
金属板、セラミックス板等の場合にもこの発明を適用す
ることができる。また、上述実施例においては、回転定
盤１０、１５を多孔質セラミックスで製作したが、回転
定盤を他の多孔質材料たとえばハニカム状構造体で製作
してもよい。
半導体ウェハ３の場合について説明したが、被加工物が
金属板、セラミックス板等の場合にもこの発明を適用す
ることができる。また、上述実施例においては、回転定
盤１０、１５を多孔質セラミックスで製作したが、回転
定盤を他の多孔質材料たとえばハニカム状構造体で製作
してもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る研
磨加工装置、研磨加工方法においては、研磨パッドの研
磨面の微細凹部に半導体ウェハの研磨粉や研磨液中のス
ラリー固形物が詰まるのを防止することができるから、
加工能率が低下することがないので、生産性が良好であ
り、また毎加工ごとにコンディショニング作業を行なう
必要がなく、また毎日研磨パッドを貼り替え、交換する
必要がないので、ランニングコストが低い。
磨加工装置、研磨加工方法においては、研磨パッドの研
磨面の微細凹部に半導体ウェハの研磨粉や研磨液中のス
ラリー固形物が詰まるのを防止することができるから、
加工能率が低下することがないので、生産性が良好であ
り、また毎加工ごとにコンディショニング作業を行なう
必要がなく、また毎日研磨パッドを貼り替え、交換する
必要がないので、ランニングコストが低い。
【００３１】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤内から研磨パッドに
研磨液を供給したときには、研磨液の温度を所定の条件
に設定して供給することにより、回転定盤を所定温度に
することができから、安定な研磨加工を行なうことがで
きる。
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤内から研磨パッドに
研磨液を供給したときには、研磨液の温度を所定の条件
に設定して供給することにより、回転定盤を所定温度に
することができから、安定な研磨加工を行なうことがで
きる。
【００３２】また、回転定盤として多孔質セラミックス
で製作したものを用いたときには、回転定盤を容易に製
作することができるから、製造コストが安価である。
で製作したものを用いたときには、回転定盤を容易に製
作することができるから、製造コストが安価である。
【００３３】また、複数の研磨液供給系統を設けたとき
には、研磨加工中に研磨液を切り替えることができるか
ら、良好な研磨加工を行なうことができる。
には、研磨加工中に研磨液を切り替えることができるか
ら、良好な研磨加工を行なうことができる。
【００３４】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設けたときには、回転定盤の厚さを小さくするこ
とができるから、研磨液の供給を容易に行なうことがで
きる。
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設けたときには、回転定盤の厚さを小さくするこ
とができるから、研磨液の供給を容易に行なうことがで
きる。
【００３５】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設け、静圧浮上パッドから研磨液を回転定盤に供
給し、被加工物の研磨パッドへの押付力を補償しながら
研磨加工したときには、研磨液の使用量を少なくするこ
とができるから、研磨加工コストを低減することができ
る。
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設け、静圧浮上パッドから研磨液を回転定盤に供
給し、被加工物の研磨パッドへの押付力を補償しながら
研磨加工したときには、研磨液の使用量を少なくするこ
とができるから、研磨加工コストを低減することができ
る。
【００３６】このように、この発明の効果は顕著であ
る。
る。
【図１】この発明に係る研磨加工装置の一部を示す断面
図である。
図である。
【図２】この発明に係る他の研磨加工装置の一部を示す
概略一部断面図である。
概略一部断面図である。
【図３】この発明に係る他の研磨加工装置の一部を示す
概略図である。
概略図である。
【図４】従来の化学機械研磨加工装置を示す概略図であ
る。
る。
【図５】図４に示した化学機械研磨加工装置の一部を示
す詳細断面図である。
す詳細断面図である。
３…半導体ウェハ １０…回転定盤 １１ａ、１１ｂ…研磨液供給路 １４ａ、１４ｂ…回転軸シール １５…回転定盤 １６…静圧浮上パッド １７…研磨パッド
フロントページの続き (72)発明者 古澤 健志 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 長澤 正幸 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】研磨パッドの研磨面上に被加工物を押し付
けながら相対運動をさせる研磨加工装置において、上記
研磨パッドとして通水性を有するものを用い、上記研磨
パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面に研磨液を供
給しながら研磨加工することを特徴とする研磨加工装
置。 - 【請求項２】上記研磨パッドを多孔質材料で製作された
回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤内から上記研磨パ
ッドに上記研磨液を供給することを特徴とする請求項１
に記載の研磨加工装置 - 【請求項３】上記回転定盤として多孔質セラミックスで
製作したものを用いたことを特徴とする請求項２に記載
の研磨加工装置。 - 【請求項４】複数の研磨液供給系統を設けたことを特徴
とする請求項１に記載の研磨加工装置。 - 【請求項５】上記研磨パッドを多孔質材料で製作された
回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面に静圧浮上
パッドを設けたことを特徴とする請求項１に記載の研磨
加工装置。 - 【請求項６】研磨パッドの研磨面上に被加工物を押し付
けながら相対運動をさせる研磨加工方法において、上記
研磨パッドとして通水性を有するものを用い、上記研磨
パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面に研磨液を供
給しながら加工することを特徴とする研磨加工方法。 - 【請求項７】上記研磨パッドを多孔質材料で製作された
回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面に静圧浮上
パッドを設け、上記静圧浮上パッドから上記研磨液を上
記回転定盤に供給し、上記被加工物の上記研磨パッドへ
の押付力を補償しながら研磨加工することを特徴とする
請求項６に記載の研磨加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19445893A JPH0740232A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 研磨加工装置および研磨加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19445893A JPH0740232A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 研磨加工装置および研磨加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0740232A true JPH0740232A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16324905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19445893A Pending JPH0740232A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 研磨加工装置および研磨加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740232A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09267255A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Showa Alum Corp | 磁気ディスク基板用研磨布の溝形成加工方法 |
| JP2022545628A (ja) * | 2019-08-13 | 2022-10-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ディッシングおよび腐食を最小限に抑えるとともにパッドアスペリティを改善する低温金属ｃｍｐ |
| US12290896B2 (en) | 2019-02-20 | 2025-05-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for CMP temperature control |
| US12296427B2 (en) | 2019-08-13 | 2025-05-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for CMP temperature control |
-
1993
- 1993-08-05 JP JP19445893A patent/JPH0740232A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09267255A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Showa Alum Corp | 磁気ディスク基板用研磨布の溝形成加工方法 |
| US12290896B2 (en) | 2019-02-20 | 2025-05-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for CMP temperature control |
| US12318882B2 (en) | 2019-02-20 | 2025-06-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for CMP temperature control |
| JP2022545628A (ja) * | 2019-08-13 | 2022-10-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ディッシングおよび腐食を最小限に抑えるとともにパッドアスペリティを改善する低温金属ｃｍｐ |
| US12296427B2 (en) | 2019-08-13 | 2025-05-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for CMP temperature control |
| US12434347B2 (en) | 2019-08-13 | 2025-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method for CMP temperature control |
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