JPH0740561B2 - 気相成長装置用反応管 - Google Patents
気相成長装置用反応管Info
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- JPH0740561B2 JPH0740561B2 JP27900386A JP27900386A JPH0740561B2 JP H0740561 B2 JPH0740561 B2 JP H0740561B2 JP 27900386 A JP27900386 A JP 27900386A JP 27900386 A JP27900386 A JP 27900386A JP H0740561 B2 JPH0740561 B2 JP H0740561B2
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- reaction tube
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、気相成長装置用反応管に関し、更に詳しく
は、均一な薄膜を形成させる気相成長装置用反応管に関
する。
は、均一な薄膜を形成させる気相成長装置用反応管に関
する。
［従来技術］ 反応ガスの熱分解を利用した気相成長法によって半導体
薄膜等を形成する気相成長装置において反応管が用いら
れている。第３図は、従来の反応管の一例の断面図であ
る。この反応管101は、縦型反応管である。サセプタ106
が、反応管の内部に収納保持され、高周波誘導加熱法等
によって加熱される。薄膜を上部に形成させる基板１
が、サセプタ106の上に配置されている。反応管の上端1
02に設けられた反応ガス供給口104から、成長させよう
とする薄膜を構成する元素を含む適当な反応ガス（また
は蒸気）が反応管101内に導入される。反応ガスの流れ
を矢印で示す。反応ガスは、高温の基板１に吹き付けら
れ、基板１の表面または近傍で熱分解され、生成した元
素または分子が基板１の表面に結合し、薄膜が形成す
る。一方、薄膜形成に関与しない未分解の反応ガスや、
反応ガスの熱分解で生じた副生成物（ガスまたは不揮発
性生成物）はサセプタ106の周囲を通過して、反応管の
下端103に設けられたガス排出口105から排出される。
薄膜等を形成する気相成長装置において反応管が用いら
れている。第３図は、従来の反応管の一例の断面図であ
る。この反応管101は、縦型反応管である。サセプタ106
が、反応管の内部に収納保持され、高周波誘導加熱法等
によって加熱される。薄膜を上部に形成させる基板１
が、サセプタ106の上に配置されている。反応管の上端1
02に設けられた反応ガス供給口104から、成長させよう
とする薄膜を構成する元素を含む適当な反応ガス（また
は蒸気）が反応管101内に導入される。反応ガスの流れ
を矢印で示す。反応ガスは、高温の基板１に吹き付けら
れ、基板１の表面または近傍で熱分解され、生成した元
素または分子が基板１の表面に結合し、薄膜が形成す
る。一方、薄膜形成に関与しない未分解の反応ガスや、
反応ガスの熱分解で生じた副生成物（ガスまたは不揮発
性生成物）はサセプタ106の周囲を通過して、反応管の
下端103に設けられたガス排出口105から排出される。
しかし、従来の反応管では、基板近傍での反応ガスの流
量が均一でないので、基板の中心部と外周部とにおいて
薄膜成長速度および成長層組成が異なっており、均一な
薄膜が得られないという問題があった。
量が均一でないので、基板の中心部と外周部とにおいて
薄膜成長速度および成長層組成が異なっており、均一な
薄膜が得られないという問題があった。
［発明の目的］ 本発明の目的は、均一な薄膜を基板上に形成させる反応
管を提供することにある。
管を提供することにある。
［発明の構成］ 上記目的は、加熱されるサセプタをその内部に収納して
おり、該サセプタ上に装着された基板に反応ガスを吹き
付け、該基板上に薄膜を成長させる記相成長装置用反応
管において、該反応管が円筒状であり、少なくとも１つ
の筒が、該反応管の内壁と該サセプタとの間で少なくと
も２つの空間を生じさせる状態で該反応管内部で該反応
管の一端に接合されており、少なくとも２つのガス排出
口が、該筒により形成された空間にそれぞれ接続するよ
うに、該筒が接合された該反応管の一端に設けられてお
り、ガス供給口が該反応管の他端に設けられていること
を特徴とする気相成長装置用反応管によって達成され
る。
おり、該サセプタ上に装着された基板に反応ガスを吹き
付け、該基板上に薄膜を成長させる記相成長装置用反応
管において、該反応管が円筒状であり、少なくとも１つ
の筒が、該反応管の内壁と該サセプタとの間で少なくと
も２つの空間を生じさせる状態で該反応管内部で該反応
管の一端に接合されており、少なくとも２つのガス排出
口が、該筒により形成された空間にそれぞれ接続するよ
うに、該筒が接合された該反応管の一端に設けられてお
り、ガス供給口が該反応管の他端に設けられていること
を特徴とする気相成長装置用反応管によって達成され
る。
反応管が縦型反応管であり、ガス供給口およびガス排出
口が該反応管の上端および下端にそれぞれ設けられてお
り、筒が該反応管の下端に接合されていることが好まし
い。
口が該反応管の上端および下端にそれぞれ設けられてお
り、筒が該反応管の下端に接合されていることが好まし
い。
［発明の好ましい態様］ 以下に添付図面を参照して本発明を具体的に説明する。
尚、本発明は、以下の態様に限定されるものではない。
尚、本発明は、以下の態様に限定されるものではない。
第１図は、本発明の反応管の一つの態様の断面図であ
る。縦型反応管である反応管11の内部において、筒17が
その下端で反応管の下端13に接合されている。筒17の上
端はサセプタ18の上端とほぼ等しい高さである。反応ガ
ス供給口14が反応管の上端12に設けられており、ガス排
出口15及び16が反応管の下端13に設けられている。
る。縦型反応管である反応管11の内部において、筒17が
その下端で反応管の下端13に接合されている。筒17の上
端はサセプタ18の上端とほぼ等しい高さである。反応ガ
ス供給口14が反応管の上端12に設けられており、ガス排
出口15及び16が反応管の下端13に設けられている。
この反応管においては、ガス排出口15より排出されるガ
スの流量とガス排出口16より排出されるガス流量の比を
変えることによって基板１の近傍での反応ガスの流れを
制御できる。例えば、ガス排出口15より排出するガス流
量を増加すると、基板周辺部での反応ガス流量が大きく
なるので基板周辺部での薄膜成長速度を大きくすること
ができる。
スの流量とガス排出口16より排出されるガス流量の比を
変えることによって基板１の近傍での反応ガスの流れを
制御できる。例えば、ガス排出口15より排出するガス流
量を増加すると、基板周辺部での反応ガス流量が大きく
なるので基板周辺部での薄膜成長速度を大きくすること
ができる。
第２図は、本発明の反応管の別の態様の断面図である。
反応管21は、テーパ面のついた石英管から成る。反応管
21の一端は反応ガス供給口24を有するフランジ22に連結
されており、反応管21の他端は台座23に連結されてい
る。台座23には石英管から成るガス排出口25および26が
設けられている。筒27がその下端で反応管の下端13に接
合されており、筒の上端はサセプタ28の上端とほぼ等し
い高さである。ガス排出口25からは筒27の外部のガスが
排出され、ガス排出口26からは筒27の内部のガスが排出
される。反応管冷却用水が冷却水供給口29から注入さ
れ、冷却水排出口30から排出される。
反応管21は、テーパ面のついた石英管から成る。反応管
21の一端は反応ガス供給口24を有するフランジ22に連結
されており、反応管21の他端は台座23に連結されてい
る。台座23には石英管から成るガス排出口25および26が
設けられている。筒27がその下端で反応管の下端13に接
合されており、筒の上端はサセプタ28の上端とほぼ等し
い高さである。ガス排出口25からは筒27の外部のガスが
排出され、ガス排出口26からは筒27の内部のガスが排出
される。反応管冷却用水が冷却水供給口29から注入さ
れ、冷却水排出口30から排出される。
［発明の効果］ 本発明の気相成長装置用反応管によれば面内均一性の高
い薄膜成長を行うことができる。従って、薄膜成長層を
有するデバイスを作成する場合に必要な特性が安定して
得られるので、デバイスの歩留まりが向上する。
い薄膜成長を行うことができる。従って、薄膜成長層を
有するデバイスを作成する場合に必要な特性が安定して
得られるので、デバイスの歩留まりが向上する。
第１図および第２図は本発明の反応管の断面図、および 第３図は従来の反応管の断面図である。 １…基板、11,21,101…反応管、12,102…上端、13,103
…下端、14,24,104…ガス供給口、15,16,25,26,105…ガ
ス排出口、17,27…筒、18,28,106…サセプタ。
…下端、14,24,104…ガス供給口、15,16,25,26,105…ガ
ス排出口、17,27…筒、18,28,106…サセプタ。
Claims (2)
- 【請求項１】加熱されるサセプタをその内部に収納して
おり、該サセプタ上に装着された基板に反応ガスを吹き
付け、該基板上に薄膜を成長させる気相成長装置用反応
管において、 該反応管が円筒状であり、少なくとも１つの筒が、該反
応管の内壁と該サセプタとの間で少なくとも２つの空間
を生じさせる状態で該反応管内部で該反応管の一端に接
合されており、少なくとも２つのガス排出口が、該筒に
より形成された空間にそれぞれ接続するように、該筒が
接合された該反応管の一端に設けられており、ガス供給
口が該反応管の他端に設けられていることを特徴とする
気相成長装置用反応管。 - 【請求項２】該反応管が縦型反応管であり、該ガス供給
口およびガス排出口が該反応管の上端および下端にそれ
ぞれ設けられており、該筒が該反応管の下端に接合され
ている特許請求の範囲第１項記載の反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27900386A JPH0740561B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 気相成長装置用反応管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27900386A JPH0740561B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 気相成長装置用反応管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132422A JPS63132422A (ja) | 1988-06-04 |
| JPH0740561B2 true JPH0740561B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17605046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27900386A Expired - Lifetime JPH0740561B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 気相成長装置用反応管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740561B2 (ja) |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP27900386A patent/JPH0740561B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63132422A (ja) | 1988-06-04 |
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