JPH0741209Y2 - マイクロ波帯多段増幅回路 - Google Patents
マイクロ波帯多段増幅回路Info
- Publication number
- JPH0741209Y2 JPH0741209Y2 JP11444389U JP11444389U JPH0741209Y2 JP H0741209 Y2 JPH0741209 Y2 JP H0741209Y2 JP 11444389 U JP11444389 U JP 11444389U JP 11444389 U JP11444389 U JP 11444389U JP H0741209 Y2 JPH0741209 Y2 JP H0741209Y2
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- JP
- Japan
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- circuit
- bias
- amplifier
- line
- high frequency
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はマイクロ波帯の増幅器を複数個縦続に接続して
なるマイクロ波帯多段増幅回路に関する。
なるマイクロ波帯多段増幅回路に関する。
（従来の技術） 第５図は従来のマイクロ波帯多段増幅回路を示すブロッ
ク図である。本図において、１は高周波信号入力端子、
２は高周波信号出力端子、３は高周波増幅器、４は高周
波信号線路、５はバイアス回路、８は直流電圧分岐点、
９は直流電源、13はコンデンサ、15は電源回路である。
高周波信号入力端子１と高周波信号出力端子２との間に
ｎ個の高周波増幅器３が縦続に高周波信号線路４を介し
て接続してあり、各高周波増幅器３はそのバイアス入力
端子が直流電源から伸びる１本の電源線路15にそれぞれ
バイアス回路５を介して接続してあり、バイアス回路５
と電源線路との各接続点つまり直流電圧分岐点８にはそ
れぞれ接地との間にコンデンサ13が接続してあって交流
的な短絡としている。この従来のマイクロ波帯多段増幅
回路は以上のような構成になっており、各高周波増幅器
３のバイアス入力端子からバイアス回路５を介して電源
線路15に漏れ出る漏洩波14をコンデンサ13で接地に逃
し、該漏洩波14の隣接する高周波増幅器３への回り込み
を防いでいた。
ク図である。本図において、１は高周波信号入力端子、
２は高周波信号出力端子、３は高周波増幅器、４は高周
波信号線路、５はバイアス回路、８は直流電圧分岐点、
９は直流電源、13はコンデンサ、15は電源回路である。
高周波信号入力端子１と高周波信号出力端子２との間に
ｎ個の高周波増幅器３が縦続に高周波信号線路４を介し
て接続してあり、各高周波増幅器３はそのバイアス入力
端子が直流電源から伸びる１本の電源線路15にそれぞれ
バイアス回路５を介して接続してあり、バイアス回路５
と電源線路との各接続点つまり直流電圧分岐点８にはそ
れぞれ接地との間にコンデンサ13が接続してあって交流
的な短絡としている。この従来のマイクロ波帯多段増幅
回路は以上のような構成になっており、各高周波増幅器
３のバイアス入力端子からバイアス回路５を介して電源
線路15に漏れ出る漏洩波14をコンデンサ13で接地に逃
し、該漏洩波14の隣接する高周波増幅器３への回り込み
を防いでいた。
（考案が解決しようとする課題） 前述の従来のマイクロ波帯多段増幅回路に用いられる高
周波増幅器からの高周波の漏洩波が他の高周波増幅器に
回り込むことを防ぐマイクロ波帯（ｘ帯以上）信号用の
コンデンサは、その物理的寸法とマイクロ波の波長との
相対関係により寄生インダクタンスが付加されてそのコ
ンデンサがチップコンデンサであってもその静電容量が
公称値よりも低いものとなってしまう。通常、コンデン
サのリアクタンスは信号の周波数が高くなる程誘導性と
なってしまうから、前述のコンデンサではバイアス回路
間を結ぶ電源線路への高周波の漏洩波の回り込みを十分
に防止できなかった。この為、高周波増幅器の多段構成
を多くしてマイクロ波帯多段増幅回路の利得を大きくと
る場合、出力端側の増幅段から漏れた高周波の漏洩波が
バイアス回路間を結ぶ電源線路を径路として入力端側の
増幅段に回り込んで、発振や利得周波数特性のリップル
等の高周波特性上問題となる現象を引き起こしていた。
このように従来のマイクロ波帯多段増幅回路には解決す
べき課題があった。
周波増幅器からの高周波の漏洩波が他の高周波増幅器に
回り込むことを防ぐマイクロ波帯（ｘ帯以上）信号用の
コンデンサは、その物理的寸法とマイクロ波の波長との
相対関係により寄生インダクタンスが付加されてそのコ
ンデンサがチップコンデンサであってもその静電容量が
公称値よりも低いものとなってしまう。通常、コンデン
サのリアクタンスは信号の周波数が高くなる程誘導性と
なってしまうから、前述のコンデンサではバイアス回路
間を結ぶ電源線路への高周波の漏洩波の回り込みを十分
に防止できなかった。この為、高周波増幅器の多段構成
を多くしてマイクロ波帯多段増幅回路の利得を大きくと
る場合、出力端側の増幅段から漏れた高周波の漏洩波が
バイアス回路間を結ぶ電源線路を径路として入力端側の
増幅段に回り込んで、発振や利得周波数特性のリップル
等の高周波特性上問題となる現象を引き起こしていた。
このように従来のマイクロ波帯多段増幅回路には解決す
べき課題があった。
（課題を解決するための手段） 前述の課題を解決するために本考案が提供する手段は、
バイアス入力端子またはバイアス監視端子を有するマイ
クロ波帯の増幅器をｎ個縦続に接続してなるマイクロ波
帯多段増幅回路であって、低特性インピーダンスで当該
マイクロ波帯多段増幅回路に用いるマイクロ波の波長の
４分の１の長さの線路の両端に高特性インピーダンスの
路線を設けてなる接続線路をｎ−１個縦続に接続して直
流回路接続線路とし、該直流回路接続線路の一端は最前
段の前記増幅器のバイアス入力端子またはバイアス監視
端子に接続してあり、その他端は最後段の前記増幅器の
バイアス入力端子またはバイアス監視端子に接続してあ
り、前記接続線路間の各接続点は最前段および最後段以
外のそれぞれに対応する位置にある前記増幅器のバイア
ス入力端子またはバイアス監視端子に接続してあり、前
記直流回路接続線路の一方の端にはバイアス供給回路ま
たはバイアス監視回路が接続してあることを特徴とす
る。
バイアス入力端子またはバイアス監視端子を有するマイ
クロ波帯の増幅器をｎ個縦続に接続してなるマイクロ波
帯多段増幅回路であって、低特性インピーダンスで当該
マイクロ波帯多段増幅回路に用いるマイクロ波の波長の
４分の１の長さの線路の両端に高特性インピーダンスの
路線を設けてなる接続線路をｎ−１個縦続に接続して直
流回路接続線路とし、該直流回路接続線路の一端は最前
段の前記増幅器のバイアス入力端子またはバイアス監視
端子に接続してあり、その他端は最後段の前記増幅器の
バイアス入力端子またはバイアス監視端子に接続してあ
り、前記接続線路間の各接続点は最前段および最後段以
外のそれぞれに対応する位置にある前記増幅器のバイア
ス入力端子またはバイアス監視端子に接続してあり、前
記直流回路接続線路の一方の端にはバイアス供給回路ま
たはバイアス監視回路が接続してあることを特徴とす
る。
（実施例） 次に実施例を挙げて本考案を説明する。
第１図は本考案の一実施例を示すブロック図である。本
図において、１は高周波信号入力端子、２は高周波信号
出力端子、３は高周波増幅器、４は高周波信号線路、５
はバイアス回路、６は直流回路接続線路、７は1/4波長
線路、８は直流電圧分岐点、９は直流電源、16は高特性
インピーダンスの線路、17は接続線路である。ｎ個の高
周波増幅器３は高周波信号入力端子１と高周波信号出力
端子２との間にそれぞれ高周波信号線路４を介して縦続
に接続してあり、高周波信号入力端子１に入力されるマ
イクロ波の４分の１の長さで低特性インピーダンスの1/
4波長線路７の両端に高特性インピーダンスの線路16を
設けてなる接続線路17をｎ−１個縦続に接続してなる直
流回路接続線路６の一端は最前段の高周波増幅器３のバ
イアス入力端子にバイアス回路５を介して接続してあ
り、その他端は最後段の高周波増幅器３のバイアス入力
端子にバイアス回路５を介して接続してあり、各接続線
路17間の各接続点はそれぞれに対応する高周波増幅器３
のバイアス入力端子にバイアス回路５を介して接続して
あり、直流電源９は直流回路接続線路６の他端に接続し
てあり直流回路接続線路６がバイアス供給線路となって
各高周波増幅器３に電力を供給している。本実施例は以
上のような構成になっており、各直流電圧分岐点に現わ
れる高周波増幅器３からの漏洩波14が直流回路接続線路
６を伝搬して他の高周波増幅器３に回り込まないように
1/4波長線路７で遮断している。
図において、１は高周波信号入力端子、２は高周波信号
出力端子、３は高周波増幅器、４は高周波信号線路、５
はバイアス回路、６は直流回路接続線路、７は1/4波長
線路、８は直流電圧分岐点、９は直流電源、16は高特性
インピーダンスの線路、17は接続線路である。ｎ個の高
周波増幅器３は高周波信号入力端子１と高周波信号出力
端子２との間にそれぞれ高周波信号線路４を介して縦続
に接続してあり、高周波信号入力端子１に入力されるマ
イクロ波の４分の１の長さで低特性インピーダンスの1/
4波長線路７の両端に高特性インピーダンスの線路16を
設けてなる接続線路17をｎ−１個縦続に接続してなる直
流回路接続線路６の一端は最前段の高周波増幅器３のバ
イアス入力端子にバイアス回路５を介して接続してあ
り、その他端は最後段の高周波増幅器３のバイアス入力
端子にバイアス回路５を介して接続してあり、各接続線
路17間の各接続点はそれぞれに対応する高周波増幅器３
のバイアス入力端子にバイアス回路５を介して接続して
あり、直流電源９は直流回路接続線路６の他端に接続し
てあり直流回路接続線路６がバイアス供給線路となって
各高周波増幅器３に電力を供給している。本実施例は以
上のような構成になっており、各直流電圧分岐点に現わ
れる高周波増幅器３からの漏洩波14が直流回路接続線路
６を伝搬して他の高周波増幅器３に回り込まないように
1/4波長線路７で遮断している。
第２図は本考案のその他の実施例を示すブロック図であ
る。本図において、第１図に示した実施例と同一のもの
には同一符号が付してあり、10はダイオード、11は比較
器、12は監視回路である。本実施例は第１図に示した実
施例とほぼ同様であって、バイアス回路５の代わりにダ
イオード10が高周波増幅器３のバイアス監視端子と直流
電圧分岐点８との間にアノードを直流電圧分岐点８側に
してそれぞれ接続してあり、直流電源９の代わりに比較
器11の一方の入力端が直流回路接続線路６の他端に接続
してあり、比較器11の他方の入力端は基準電圧に接続し
てあり各高周波増幅器３のバイアス電圧を監視する監視
回路12をなしている。本実施例の直流回路接続線路６は
各高周波増幅器３のための監視線路であり1/4波長線路
７で各高周波増幅器３からの漏洩波の回り込みを防いで
いる。
る。本図において、第１図に示した実施例と同一のもの
には同一符号が付してあり、10はダイオード、11は比較
器、12は監視回路である。本実施例は第１図に示した実
施例とほぼ同様であって、バイアス回路５の代わりにダ
イオード10が高周波増幅器３のバイアス監視端子と直流
電圧分岐点８との間にアノードを直流電圧分岐点８側に
してそれぞれ接続してあり、直流電源９の代わりに比較
器11の一方の入力端が直流回路接続線路６の他端に接続
してあり、比較器11の他方の入力端は基準電圧に接続し
てあり各高周波増幅器３のバイアス電圧を監視する監視
回路12をなしている。本実施例の直流回路接続線路６は
各高周波増幅器３のための監視線路であり1/4波長線路
７で各高周波増幅器３からの漏洩波の回り込みを防いで
いる。
第１図および第２図の実施例において、各高周波増幅器
３から直流回路接続線路６に漏れ出る漏洩波の他の高周
波増幅器３への回り込みを防止する直流回路接続線路６
の特性は全く同じである。そこで第１図に示した実施例
について第３図および第４図を用いて漏洩波の回り込み
の防止について説明する。第３図に示すように高周波増
幅器３からの漏洩波14はバイアス回路５を通過し、直流
電圧分岐点８から直流回路接続線路６に入り込む。ここ
で高特性インピーダンスの線路17の特性インピーダンス
をZ1とし、1/4波長線路７の特性インピーダンスをZ0と
すると、その大小関係はZ1≫Z0である。1/4波長線路７
の一端である境界面T2の漏洩波の進行方向を見込んだイ
ンピーダンスレシオはZ1／Z0≫１であって非常に大き
く、1/4波長線路の位相離れの境界面T1でのインピーダ
ンスはZ0／Z1≪１であって非常に小さく、等価的には第
４図に示すように境界面T1で高周波的に接地した状態に
近いインピーダンス状態となる。したがって、各高周波
増幅器３から直流回路接続線路６に漏れ出る漏洩波は、
その伝搬方向により直流回路接続線路６に挿入された1/
4波長線路７の一端（境界面T1）でそれぞれ反射される
から、漏洩波14は1/4波長線路７を通過しにくくなっ
て、隣の直流回路接続線路６に現われる漏洩波は著しく
減少することになる。以上のことは、第２図に示した実
施例でも同様の結果となる。
３から直流回路接続線路６に漏れ出る漏洩波の他の高周
波増幅器３への回り込みを防止する直流回路接続線路６
の特性は全く同じである。そこで第１図に示した実施例
について第３図および第４図を用いて漏洩波の回り込み
の防止について説明する。第３図に示すように高周波増
幅器３からの漏洩波14はバイアス回路５を通過し、直流
電圧分岐点８から直流回路接続線路６に入り込む。ここ
で高特性インピーダンスの線路17の特性インピーダンス
をZ1とし、1/4波長線路７の特性インピーダンスをZ0と
すると、その大小関係はZ1≫Z0である。1/4波長線路７
の一端である境界面T2の漏洩波の進行方向を見込んだイ
ンピーダンスレシオはZ1／Z0≫１であって非常に大き
く、1/4波長線路の位相離れの境界面T1でのインピーダ
ンスはZ0／Z1≪１であって非常に小さく、等価的には第
４図に示すように境界面T1で高周波的に接地した状態に
近いインピーダンス状態となる。したがって、各高周波
増幅器３から直流回路接続線路６に漏れ出る漏洩波は、
その伝搬方向により直流回路接続線路６に挿入された1/
4波長線路７の一端（境界面T1）でそれぞれ反射される
から、漏洩波14は1/4波長線路７を通過しにくくなっ
て、隣の直流回路接続線路６に現われる漏洩波は著しく
減少することになる。以上のことは、第２図に示した実
施例でも同様の結果となる。
すなわち、第１図および第２図に示した実施例のよう
に、高周波増幅器３のバイアス入力端子またはバイアス
監視端子間を高周波信号入力端子１から入力されるマイ
クロ波の波長の４分の１の長さで低特性インピーダンス
の1/4波長線路７の両端に高特性インピーダンスの線路1
7を設けてなる接続線路16で接続してあることで、該高
周波増幅器３からの漏洩波14が隣接する高周波増幅器３
へ回り込むのを防ぐことができる。ひいては、各高周波
増幅器３のバイアス入力端子またはバイアス監視端子が
接続線路17を複数個縦続に接続してなる直流回路接続線
路６ですべて接続してあるから、出力端側の高周波増幅
器３から入力端側の高周波増幅器３へ漏洩波が回り込む
ことによって発生する発振や利得周波数特性のリップル
等の悪影響を防ぐことができる。
に、高周波増幅器３のバイアス入力端子またはバイアス
監視端子間を高周波信号入力端子１から入力されるマイ
クロ波の波長の４分の１の長さで低特性インピーダンス
の1/4波長線路７の両端に高特性インピーダンスの線路1
7を設けてなる接続線路16で接続してあることで、該高
周波増幅器３からの漏洩波14が隣接する高周波増幅器３
へ回り込むのを防ぐことができる。ひいては、各高周波
増幅器３のバイアス入力端子またはバイアス監視端子が
接続線路17を複数個縦続に接続してなる直流回路接続線
路６ですべて接続してあるから、出力端側の高周波増幅
器３から入力端側の高周波増幅器３へ漏洩波が回り込む
ことによって発生する発振や利得周波数特性のリップル
等の悪影響を防ぐことができる。
（考案の効果） 以上に詳しく説明したように本考案によれば、高周波増
幅器の直流電圧回路を経て漏れ出る漏洩波の隣接する高
周波増幅器への回り込みを防ぐことによって、出力端側
の高周波増幅器から入力端側の高周波増幅器へ漏洩波が
回り込むことによって生ずる不要な発振や利得周波数特
性のリップルまたは温度変化に伴う周波数特性の変化等
を除去したマイクロ波帯多段増幅回路を提供できる。ま
た、このようなマイクロ波帯多段増幅回路は漏洩波の漏
洩を防ぐコンデンサを用いながら、回路自体の集積度を
上げて回路を小型化できる。本考案には以上のような効
果がある。
幅器の直流電圧回路を経て漏れ出る漏洩波の隣接する高
周波増幅器への回り込みを防ぐことによって、出力端側
の高周波増幅器から入力端側の高周波増幅器へ漏洩波が
回り込むことによって生ずる不要な発振や利得周波数特
性のリップルまたは温度変化に伴う周波数特性の変化等
を除去したマイクロ波帯多段増幅回路を提供できる。ま
た、このようなマイクロ波帯多段増幅回路は漏洩波の漏
洩を防ぐコンデンサを用いながら、回路自体の集積度を
上げて回路を小型化できる。本考案には以上のような効
果がある。
第１図は本考案の一実施例を示すブロック図、第２図は
本考案のその他の実施例を示すブロック図、第３図およ
び第４図は本考案の原理を説明する図、第５図は従来の
マイクロ波帯多段増幅回路を示すブロック図である。 １……高周波信号入力端子、２……高周波信号出力端
子、３……高周波増幅器、４……高周波信号線路、５…
…バイアス回路、６……直流回路接続線路、７……1/4
波長線路、８……直流電圧分岐点、９……直流電源、10
……ダイオード、11……比較器、12……監視回路、13…
…コンデンサ、14……漏洩波、15……電源線路、16……
高特性インピーダンス、17……接続線路。
本考案のその他の実施例を示すブロック図、第３図およ
び第４図は本考案の原理を説明する図、第５図は従来の
マイクロ波帯多段増幅回路を示すブロック図である。 １……高周波信号入力端子、２……高周波信号出力端
子、３……高周波増幅器、４……高周波信号線路、５…
…バイアス回路、６……直流回路接続線路、７……1/4
波長線路、８……直流電圧分岐点、９……直流電源、10
……ダイオード、11……比較器、12……監視回路、13…
…コンデンサ、14……漏洩波、15……電源線路、16……
高特性インピーダンス、17……接続線路。
Claims (1)
- 【請求項１】バイアス入力端子またはバイアス監視端子
を有するマイクロ波帯の増幅器をｎ個縦続に接続してな
るマイクロ波帯多段増幅回路において、低特性インピー
ダンスで当該マイクロ波帯多段増幅回路に用いるマイク
ロ波の波長の４分の１の長さの線路の両端に高特性イン
ピーダンスの線路を設けてなる接続線路をｎ−１個縦続
に接続して直流回路接続線路とし、該直流回路接続線路
の一端は最前段の前記増幅器のバイアス入力端子または
バイアス監視端子に接続してあり、その他端は最後段の
前記増幅器のバイアス入力端子またはバイアス監視端子
に接続してあり、前記接続線路間の各接続点は最前段お
よび最後段以外のそれぞれに対応する位置にある前記増
幅器のバイアス入力端子またはバイアス監視端子に接続
してあり、前記直流回路接続線路の一方の端にはバイア
ス供給回路またはバイアス監視回路が接続してあること
を特徴とするマイクロ波帯多段増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11444389U JPH0741209Y2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | マイクロ波帯多段増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11444389U JPH0741209Y2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | マイクロ波帯多段増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353021U JPH0353021U (ja) | 1991-05-22 |
| JPH0741209Y2 true JPH0741209Y2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=31662811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11444389U Expired - Lifetime JPH0741209Y2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | マイクロ波帯多段増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741209Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP11444389U patent/JPH0741209Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0353021U (ja) | 1991-05-22 |
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