JPH0741337A - 光彩防止透明体 - Google Patents
光彩防止透明体Info
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- JPH0741337A JPH0741337A JP5208406A JP20840693A JPH0741337A JP H0741337 A JPH0741337 A JP H0741337A JP 5208406 A JP5208406 A JP 5208406A JP 20840693 A JP20840693 A JP 20840693A JP H0741337 A JPH0741337 A JP H0741337A
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- transparent conductive
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- conductive film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】透明導電膜１１と下地膜１３との間に、該透明
導電膜１１と該下地膜１３との構成成分からなる混合層
１２が介在されており、該混合層１２は該下地膜１３と
該透明導電膜１１の間で徐々に屈折率が変化するように
形成されている光彩防止透明体。 【効果】下地膜の膜厚によらず、高屈折率の透明導電膜
の膜厚ムラや視角変化による色ムラ（光彩）を防止す
る。
導電膜１１と該下地膜１３との構成成分からなる混合層
１２が介在されており、該混合層１２は該下地膜１３と
該透明導電膜１１の間で徐々に屈折率が変化するように
形成されている光彩防止透明体。 【効果】下地膜の膜厚によらず、高屈折率の透明導電膜
の膜厚ムラや視角変化による色ムラ（光彩）を防止す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光彩防止透明体に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ガラス基板表面に透明導電膜
を形成したガラス基板は、各種表示用の電極や、低放射
ガラス板として用いられている。例えば、イオンプレー
ティング法によりガラス基板上にインジウム・スズ酸化
物（ＩＴＯ）を形成したガラス基板は、液晶等の表示素
子の透明電極として多く用いられている。また、スプレ
ー法によりガラス基板上に形成されたフッ素ドープ酸化
スズ（ＳｎＯ2 ：Ｆ）膜は住宅の窓ガラス用の低放射ガ
ラス板として広く用いられている。また、最近、上記透
明導電膜の形成されたガラス基板は、新たな用途とし
て、建築用の電磁遮蔽ガラス板や自動車用の電熱風防窓
ガラス、民生用の太陽電池用透明導電基板などが考えら
れるようになってきた。これらはいずれも大面積ガラス
基板が要求される用途である。
を形成したガラス基板は、各種表示用の電極や、低放射
ガラス板として用いられている。例えば、イオンプレー
ティング法によりガラス基板上にインジウム・スズ酸化
物（ＩＴＯ）を形成したガラス基板は、液晶等の表示素
子の透明電極として多く用いられている。また、スプレ
ー法によりガラス基板上に形成されたフッ素ドープ酸化
スズ（ＳｎＯ2 ：Ｆ）膜は住宅の窓ガラス用の低放射ガ
ラス板として広く用いられている。また、最近、上記透
明導電膜の形成されたガラス基板は、新たな用途とし
て、建築用の電磁遮蔽ガラス板や自動車用の電熱風防窓
ガラス、民生用の太陽電池用透明導電基板などが考えら
れるようになってきた。これらはいずれも大面積ガラス
基板が要求される用途である。
【０００３】ところが透明導電膜を構成する材料には、
ＩＴＯ、フッ素ドープ酸化スズ（ＳｎＯ2 ：Ｆ）、アン
チモンドープ酸化スズ（ＳｎＯ2 ：Ｓｂ）やアルミニウ
ムドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）等があるが、これら
の透明酸化物材料はいずれも屈折率が１．８〜２．２と
ガラスに比べて大きいため、干渉条件を満たす波長での
反射率が大きくなってしまう。即ち、これら透明酸化物
をガラス基板上にある程度以上の膜厚にした場合、分光
反射（透過）スペクトルに極大極小の波（リップル）が
現れるのである。このため大面積のガラス基板にこれら
の薄膜を形成した場合、面内の膜厚変動（ムラ）により
反射（透過）極大の波長がずれ、反射（透過）色の光
彩、即ち色ムラ（ｉｒｉｄｅｓｃｅｎｃｅ）となって目
に感知されることになる。
ＩＴＯ、フッ素ドープ酸化スズ（ＳｎＯ2 ：Ｆ）、アン
チモンドープ酸化スズ（ＳｎＯ2 ：Ｓｂ）やアルミニウ
ムドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）等があるが、これら
の透明酸化物材料はいずれも屈折率が１．８〜２．２と
ガラスに比べて大きいため、干渉条件を満たす波長での
反射率が大きくなってしまう。即ち、これら透明酸化物
をガラス基板上にある程度以上の膜厚にした場合、分光
反射（透過）スペクトルに極大極小の波（リップル）が
現れるのである。このため大面積のガラス基板にこれら
の薄膜を形成した場合、面内の膜厚変動（ムラ）により
反射（透過）極大の波長がずれ、反射（透過）色の光
彩、即ち色ムラ（ｉｒｉｄｅｓｃｅｎｃｅ）となって目
に感知されることになる。
【０００４】ガラス基板面上での膜厚分布は、膜の形成
手法にもよるが、例えば１ｍ×１ｍのガラス板を考えた
場合、蒸着法、スパッター法、ＣＶＤ法、またはオンラ
イン・スプレー法等による方法では、±５％以内に抑え
ることは極めて高度な技術を要するのが現状である。我
々の研究によれば、この程度の膜厚分布を仮定すると、
前記の透明導電膜が約０．１５μｍ以上ガラス基板上に
形成された場合、面内の色ムラが問題となるレベルに達
する。一方膜厚を厚くしていくと反射（透過）色の彩度
が減少しはじめる。約０．６μｍ以上の厚みで鮮やかさ
は減少していくが、色ムラとして判別されるレベルを超
えるためには３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上の膜厚
が必要である。
手法にもよるが、例えば１ｍ×１ｍのガラス板を考えた
場合、蒸着法、スパッター法、ＣＶＤ法、またはオンラ
イン・スプレー法等による方法では、±５％以内に抑え
ることは極めて高度な技術を要するのが現状である。我
々の研究によれば、この程度の膜厚分布を仮定すると、
前記の透明導電膜が約０．１５μｍ以上ガラス基板上に
形成された場合、面内の色ムラが問題となるレベルに達
する。一方膜厚を厚くしていくと反射（透過）色の彩度
が減少しはじめる。約０．６μｍ以上の厚みで鮮やかさ
は減少していくが、色ムラとして判別されるレベルを超
えるためには３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上の膜厚
が必要である。
【０００５】また、例え、膜厚分布を極めて均一にコン
トロールすることができたとしても、分光スペクトルに
おける大きなリップルは残るので、３μｍ以下の膜厚で
は鮮やかな色彩として目に感知されることになる。これ
が大面積のガラス基板に形成されると、ガラス基板面と
視線のなす角（視角）により極大反射（透過）波長がず
れ、色彩が変化するため、やはり色ムラとして感知され
ることになる。従って、分光スペクトルにおけるリップ
ル自体を小さく抑えることが望ましいのである。膜厚が
０．１５μｍよりも薄い場合には膜厚分布の変化量が±
７．５ｎｍ程度となるので膜厚変動による面内の色ムラ
はほとんど感知されないが、視角による色ムラはやはり
問題となる。このように透明導電膜をガラス基板上へあ
る程度厚く形成する場合、面内の膜厚変動や視角の変化
により、ガラス基板に色ムラが観測され、商品性を著し
く損なう場合がある。
トロールすることができたとしても、分光スペクトルに
おける大きなリップルは残るので、３μｍ以下の膜厚で
は鮮やかな色彩として目に感知されることになる。これ
が大面積のガラス基板に形成されると、ガラス基板面と
視線のなす角（視角）により極大反射（透過）波長がず
れ、色彩が変化するため、やはり色ムラとして感知され
ることになる。従って、分光スペクトルにおけるリップ
ル自体を小さく抑えることが望ましいのである。膜厚が
０．１５μｍよりも薄い場合には膜厚分布の変化量が±
７．５ｎｍ程度となるので膜厚変動による面内の色ムラ
はほとんど感知されないが、視角による色ムラはやはり
問題となる。このように透明導電膜をガラス基板上へあ
る程度厚く形成する場合、面内の膜厚変動や視角の変化
により、ガラス基板に色ムラが観測され、商品性を著し
く損なう場合がある。
【０００６】これを防止するためにこれまでにいくつか
の提案がなされている。例えば、特公昭６３−３９５３
５号公報には、透明導電膜とガラス基板との間に屈折率
（ｎ）＝１．７〜１．８の層を可視光（５００ｎｍの波
長において）の１／４波長に相当する厚みに形成する方
法が示されている。また、同公報には透明導電膜とガラ
ス基板との間に屈折率（ｎ）＝１．６〜１．７であっ
て、可視光（５００ｎｍの波長において）の１／４波長
に相当する厚みの層と、屈折率（ｎ）＝１．８〜１．９
であって、同上の可視光の１／４波長に相当する厚みの
層を２層ガラス基板側からこの順に連続して形成する方
法が示されている。
の提案がなされている。例えば、特公昭６３−３９５３
５号公報には、透明導電膜とガラス基板との間に屈折率
（ｎ）＝１．７〜１．８の層を可視光（５００ｎｍの波
長において）の１／４波長に相当する厚みに形成する方
法が示されている。また、同公報には透明導電膜とガラ
ス基板との間に屈折率（ｎ）＝１．６〜１．７であっ
て、可視光（５００ｎｍの波長において）の１／４波長
に相当する厚みの層と、屈折率（ｎ）＝１．８〜１．９
であって、同上の可視光の１／４波長に相当する厚みの
層を２層ガラス基板側からこの順に連続して形成する方
法が示されている。
【０００７】また、特開平１−２０１０４６号公報に
は、透明導電膜とガラス基板との間にｎ＝１．７〜１．
８の層を形成する現実的な手段としてＳｉＣx Ｏy 膜を
形成する方法が開示されている。これは板ガラスの製造
方法としてフロート法を想定し、スズ等の溶融金属窯中
でシランと不飽和炭化水素化合物と二酸化炭素の混合ガ
スをガラスリボン表面に当てるというもので基本的には
常圧ＣＶＤ法により板ガラスと透明導電膜との中間屈折
率を有する透明膜を形成する方法である。
は、透明導電膜とガラス基板との間にｎ＝１．７〜１．
８の層を形成する現実的な手段としてＳｉＣx Ｏy 膜を
形成する方法が開示されている。これは板ガラスの製造
方法としてフロート法を想定し、スズ等の溶融金属窯中
でシランと不飽和炭化水素化合物と二酸化炭素の混合ガ
スをガラスリボン表面に当てるというもので基本的には
常圧ＣＶＤ法により板ガラスと透明導電膜との中間屈折
率を有する透明膜を形成する方法である。
【０００８】いずれの場合も透明導電膜の下地となる層
の膜厚は、可視光（５００ｎｍの波長において）の１／
４波長に相当する膜厚が最低でも必要である。このた
め、いずれの場合も形成手段としては常圧ＣＶＤ法が実
施例として記載されている。常圧ＣＶＤ法やオンライン
・スプレー法による成膜は、大量のガラス板を製造プロ
セスに連続で処理する場合に、特にコストの点で非常に
有利な手法であるといわれている。しかし、一方で前述
したように、これらの方法はガラス板面内での膜厚の精
密な制御が非常に困難で、従って上述したところの下地
膜を正確に１／４波長に相当する膜厚にすることは困難
である。
の膜厚は、可視光（５００ｎｍの波長において）の１／
４波長に相当する膜厚が最低でも必要である。このた
め、いずれの場合も形成手段としては常圧ＣＶＤ法が実
施例として記載されている。常圧ＣＶＤ法やオンライン
・スプレー法による成膜は、大量のガラス板を製造プロ
セスに連続で処理する場合に、特にコストの点で非常に
有利な手法であるといわれている。しかし、一方で前述
したように、これらの方法はガラス板面内での膜厚の精
密な制御が非常に困難で、従って上述したところの下地
膜を正確に１／４波長に相当する膜厚にすることは困難
である。
【０００９】また、透明導電膜は多くの場合半導体的性
質を示す。一方、ガラス基板には多くの場合アルカリ成
分を含有するソーダ・ライム・シリケート系ガラスを用
いるが、ガラス中のナトリウムが透明導電膜内へ進入す
ると、その導電性や低放射性能等の機能が著しく低下す
る。透明導電膜とガラスとの間に設けられた下地膜は、
ガラス中のナトリウムイオンやその他のアルカリイオン
の進入を抑制（いわゆるアルカリ阻止）する効果もある
が、その効果を充分なるものとするには、その膜厚はよ
り厚いことが望ましい。
質を示す。一方、ガラス基板には多くの場合アルカリ成
分を含有するソーダ・ライム・シリケート系ガラスを用
いるが、ガラス中のナトリウムが透明導電膜内へ進入す
ると、その導電性や低放射性能等の機能が著しく低下す
る。透明導電膜とガラスとの間に設けられた下地膜は、
ガラス中のナトリウムイオンやその他のアルカリイオン
の進入を抑制（いわゆるアルカリ阻止）する効果もある
が、その効果を充分なるものとするには、その膜厚はよ
り厚いことが望ましい。
【００１０】一方、特開昭６３−３９５３５号及び特開
平１−２０１０４６号公報の記載によれば、それぞれオ
キシ窒化珪素被膜やオキシ炭化珪素被膜がナトリウムイ
オンの良好なバリヤーとなり、アルカリ阻止には１／４
波長に相当する膜厚で充分であると記載されているが、
これらの被膜を形成する際、被膜形成上の理由から危険
性の高いシラン系化合物を原料に用いることが多く、製
造での安全上問題となる場合がある。そこで他の材料を
使用する場合にアルカリバリヤ効果を得るために下地層
を厚くしようとすると、光彩防止効果がなくなるといっ
た欠点があった。
平１−２０１０４６号公報の記載によれば、それぞれオ
キシ窒化珪素被膜やオキシ炭化珪素被膜がナトリウムイ
オンの良好なバリヤーとなり、アルカリ阻止には１／４
波長に相当する膜厚で充分であると記載されているが、
これらの被膜を形成する際、被膜形成上の理由から危険
性の高いシラン系化合物を原料に用いることが多く、製
造での安全上問題となる場合がある。そこで他の材料を
使用する場合にアルカリバリヤ効果を得るために下地層
を厚くしようとすると、光彩防止効果がなくなるといっ
た欠点があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述の課題を
解決し、透明導電膜の下層に設けられる下地膜の膜厚に
よらず、光彩の防止を容易に達成することができる透明
体を新規に提供することを目的とするものである。
解決し、透明導電膜の下層に設けられる下地膜の膜厚に
よらず、光彩の防止を容易に達成することができる透明
体を新規に提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決すべくなされたものであり、透明基体上に透明導
電膜を有し、かつ該透明基体と該透明導電膜の間に下地
膜を有する透明体において、該透明導電膜と該下地膜と
の間に、該透明導電膜と該下地膜との構成成分からなる
混合層が介在されており、該混合層は該下地膜と該透明
導電膜の間で該下地膜に近い方から該透明導電膜に近い
方へといくにつれて徐々に屈折率が増加するように形成
されていることを特徴とする光彩防止透明体を提供する
ものである。
を解決すべくなされたものであり、透明基体上に透明導
電膜を有し、かつ該透明基体と該透明導電膜の間に下地
膜を有する透明体において、該透明導電膜と該下地膜と
の間に、該透明導電膜と該下地膜との構成成分からなる
混合層が介在されており、該混合層は該下地膜と該透明
導電膜の間で該下地膜に近い方から該透明導電膜に近い
方へといくにつれて徐々に屈折率が増加するように形成
されていることを特徴とする光彩防止透明体を提供する
ものである。
【００１３】本発明は、透明導電膜と光彩防止の下地膜
との間の屈折率が徐々に変化することにより光彩防止の
ための条件を大幅に緩和できるものである。
との間の屈折率が徐々に変化することにより光彩防止の
ための条件を大幅に緩和できるものである。
【００１４】本発明における透明基体としては、通常の
板ガラス、フロートガラス板、その他各種ガラス基板、
プラスチックフィルムやプラスチック基板等を用いるこ
とができるが、本発明の範囲はこれらに限定されるもの
ではない。本発明の透明導電膜としては、Ｓｎのドープ
された酸化インジウム膜（ＩＴＯ）、Ｆのドープされた
酸化スズ膜（ＳｎＯ2 ：Ｆ）、Ｓｂのドープされた酸化
スズ膜（ＳｎＯ2 ：Ｓｂ）、Ａｌのドープされた酸化亜
鉛膜（ＺｎＯ：Ａｌ）、Ｇａのドープされた酸化亜鉛膜
（ＺｎＯ：Ｇａ）等が代表的なものとして用いられる
が、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。こ
れら透明導電膜の形成された透明体は、建築用ヒートミ
ラーガラス板、低放射ガラス板、電磁遮蔽ガラス板、自
動車用電熱風防ガラス板、紫外線カットガラス板等とし
て利用することができる。かかる透明導電膜の膜厚とし
ては、所望の抵抗値、低輻射性能、熱線反射性能、電磁
遮蔽性能、通電加熱性能等がえられるように設定される
が、通常０．０３μｍ〜１．０μｍ程度とされることが
多いが、特に、混合層において、透明導電膜の屈折率と
下地膜の屈折率との平均値以上の屈折率を有する層部分
と、透明導電膜の屈折率と同じ屈折率を有する層部分と
を足し合わせた層部分の厚みを、透明導電膜の実質的な
膜厚と見なしたとき、透明導電膜の実質的な膜厚が０．
１５μｍ以上の場合混合層が光彩防止に及ぼす効果は著
しい。
板ガラス、フロートガラス板、その他各種ガラス基板、
プラスチックフィルムやプラスチック基板等を用いるこ
とができるが、本発明の範囲はこれらに限定されるもの
ではない。本発明の透明導電膜としては、Ｓｎのドープ
された酸化インジウム膜（ＩＴＯ）、Ｆのドープされた
酸化スズ膜（ＳｎＯ2 ：Ｆ）、Ｓｂのドープされた酸化
スズ膜（ＳｎＯ2 ：Ｓｂ）、Ａｌのドープされた酸化亜
鉛膜（ＺｎＯ：Ａｌ）、Ｇａのドープされた酸化亜鉛膜
（ＺｎＯ：Ｇａ）等が代表的なものとして用いられる
が、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。こ
れら透明導電膜の形成された透明体は、建築用ヒートミ
ラーガラス板、低放射ガラス板、電磁遮蔽ガラス板、自
動車用電熱風防ガラス板、紫外線カットガラス板等とし
て利用することができる。かかる透明導電膜の膜厚とし
ては、所望の抵抗値、低輻射性能、熱線反射性能、電磁
遮蔽性能、通電加熱性能等がえられるように設定される
が、通常０．０３μｍ〜１．０μｍ程度とされることが
多いが、特に、混合層において、透明導電膜の屈折率と
下地膜の屈折率との平均値以上の屈折率を有する層部分
と、透明導電膜の屈折率と同じ屈折率を有する層部分と
を足し合わせた層部分の厚みを、透明導電膜の実質的な
膜厚と見なしたとき、透明導電膜の実質的な膜厚が０．
１５μｍ以上の場合混合層が光彩防止に及ぼす効果は著
しい。
【００１５】本発明の下地膜としては、アルミニウム、
セリウム、ランタン、マグネシウム、珪素、ジルコニウ
ムのうち少なくとも一種の酸化物、窒化物、炭化物、弗
化物あるいはこれらの複合体、またはＳｉＯ2 を主成分
とした複合酸化物、例えばＳｉＣx Ｏy 、ＳｉＮx Ｏy
等が代表的なものとして用いられるが、本発明の範囲は
これに限定されるものではない。特に、価格、耐久性等
を考慮した場合、Ａｌ2 Ｏ3 あるいはその複合酸化物、
またはＳｉＯ2 を主成分とした複合酸化物、例えばＳｉ
Ｃx Ｏy 、ＳｉＮx Ｏy 等が有利である。上記した建築
用ヒートミラーガラス板、低放射ガラス板、電磁遮蔽ガ
ラス板等を製造する場合、フロートガラス製造プロセス
において、常圧ＣＶＤ法やオンラインスプレー法で成膜
することが多い。上記したＳｉＣx Ｏy やＳｉＮx Ｏy
の下地膜を形成する場合、その成膜上の理由から、気体
状態あるいは気液平衡状態のシラン系化合物を原料に用
いることが多いが、このシラン系化合物は、危険性が高
い。従って、安全性を考慮すると、下地膜としては、Ａ
ｌ2 Ｏ3 あるいはその複合酸化物を使用することが望ま
しい。かかる下地膜の膜厚としては、透明性を維持し、
かつ充分アルカリバリヤー効果が得られるに充分な厚さ
とするのが好ましい。
セリウム、ランタン、マグネシウム、珪素、ジルコニウ
ムのうち少なくとも一種の酸化物、窒化物、炭化物、弗
化物あるいはこれらの複合体、またはＳｉＯ2 を主成分
とした複合酸化物、例えばＳｉＣx Ｏy 、ＳｉＮx Ｏy
等が代表的なものとして用いられるが、本発明の範囲は
これに限定されるものではない。特に、価格、耐久性等
を考慮した場合、Ａｌ2 Ｏ3 あるいはその複合酸化物、
またはＳｉＯ2 を主成分とした複合酸化物、例えばＳｉ
Ｃx Ｏy 、ＳｉＮx Ｏy 等が有利である。上記した建築
用ヒートミラーガラス板、低放射ガラス板、電磁遮蔽ガ
ラス板等を製造する場合、フロートガラス製造プロセス
において、常圧ＣＶＤ法やオンラインスプレー法で成膜
することが多い。上記したＳｉＣx Ｏy やＳｉＮx Ｏy
の下地膜を形成する場合、その成膜上の理由から、気体
状態あるいは気液平衡状態のシラン系化合物を原料に用
いることが多いが、このシラン系化合物は、危険性が高
い。従って、安全性を考慮すると、下地膜としては、Ａ
ｌ2 Ｏ3 あるいはその複合酸化物を使用することが望ま
しい。かかる下地膜の膜厚としては、透明性を維持し、
かつ充分アルカリバリヤー効果が得られるに充分な厚さ
とするのが好ましい。
【００１６】特に、混合層において、透明導電膜の屈折
率と下地膜の屈折率との平均値以下の屈折率を有する層
部分と、下地膜の屈折率と同じ屈折率を有する層部分と
を足し合わせた厚みを、下地膜の実質的な膜厚と見なす
とき、下地膜の実質的な膜厚を０．０４μｍ〜０．２０
μｍの範囲とすることが好ましい。
率と下地膜の屈折率との平均値以下の屈折率を有する層
部分と、下地膜の屈折率と同じ屈折率を有する層部分と
を足し合わせた厚みを、下地膜の実質的な膜厚と見なす
とき、下地膜の実質的な膜厚を０．０４μｍ〜０．２０
μｍの範囲とすることが好ましい。
【００１７】また、本発明における混合層は、上記透明
導電膜と下地層の構成成分からなるものであり、例え
ば、透明導電膜がＦのドープされた酸化スズ膜（ＳｎＯ
2 ：Ｆ）からなり、下地層がＡｌ2 Ｏ3 からなる場合に
は、混合層は（ＳｎＯ2 ：Ｆ）とＡｌ2 Ｏ3 の両者を含
んだ層となっており、透明導電膜側においては、（Ｓｎ
Ｏ2 ：Ｆ）に富んだ層、下地層側においてはＡｌ2 Ｏ3
に富んだ層となっている。そして、混合層の屈折率は、
透明導電膜側においては、高く、下地層側においては低
くなっている。例えば、混合層の屈折率は、透明導電膜
側では、約２．０、下地層側では、約１．７で、その間
で屈折率は、透明導電膜側から下地層側に向かって漸次
低下している。混合層の膜厚は、厚い程、光彩防止効果
は高くなるが、好ましい下地膜の実質的な膜厚に、前述
したような制約があることから、最高でも０．４０μｍ
以下とするのが好ましい。
導電膜と下地層の構成成分からなるものであり、例え
ば、透明導電膜がＦのドープされた酸化スズ膜（ＳｎＯ
2 ：Ｆ）からなり、下地層がＡｌ2 Ｏ3 からなる場合に
は、混合層は（ＳｎＯ2 ：Ｆ）とＡｌ2 Ｏ3 の両者を含
んだ層となっており、透明導電膜側においては、（Ｓｎ
Ｏ2 ：Ｆ）に富んだ層、下地層側においてはＡｌ2 Ｏ3
に富んだ層となっている。そして、混合層の屈折率は、
透明導電膜側においては、高く、下地層側においては低
くなっている。例えば、混合層の屈折率は、透明導電膜
側では、約２．０、下地層側では、約１．７で、その間
で屈折率は、透明導電膜側から下地層側に向かって漸次
低下している。混合層の膜厚は、厚い程、光彩防止効果
は高くなるが、好ましい下地膜の実質的な膜厚に、前述
したような制約があることから、最高でも０．４０μｍ
以下とするのが好ましい。
【００１８】かかる混合層は、例えば、二元蒸着法で穴
が２個あいている回転シャッターを用い、蒸着中にその
シャッターを徐々に回転し、それぞれの蒸着源から、基
板に到達する原子あるいは分子の数を制御するなどの方
法により形成することができる。本発明に関わる各被膜
を透明基体に形成するに当たっては真空蒸着法に限定さ
れずスプレー法、ＣＶＤ法の化学的成膜法、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法等の物理的成膜法や、
その他各種の成膜方法も使用可能である。
が２個あいている回転シャッターを用い、蒸着中にその
シャッターを徐々に回転し、それぞれの蒸着源から、基
板に到達する原子あるいは分子の数を制御するなどの方
法により形成することができる。本発明に関わる各被膜
を透明基体に形成するに当たっては真空蒸着法に限定さ
れずスプレー法、ＣＶＤ法の化学的成膜法、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法等の物理的成膜法や、
その他各種の成膜方法も使用可能である。
【００１９】
【作用】そもそも光彩、即ち色ムラの発現する原因は、
透明基板上に該基板より充分大きな屈折率を有する透明
薄膜が形成された場合の該高屈折率薄膜の上下界面にお
ける光の干渉作用である。このため分光スペクトル中に
反射（透過）率の極大極小（リップル）を生じる。ここ
で該高屈折率薄膜の膜厚が変化すると、この極大極小の
位置（波長）が変化し色調の変化となって観測されるの
である。あるいは視角が変化した場合も同様に、分光ス
ペクトル中の極大極小の位置（波長）が変化し色調の変
化となって観測される。
透明基板上に該基板より充分大きな屈折率を有する透明
薄膜が形成された場合の該高屈折率薄膜の上下界面にお
ける光の干渉作用である。このため分光スペクトル中に
反射（透過）率の極大極小（リップル）を生じる。ここ
で該高屈折率薄膜の膜厚が変化すると、この極大極小の
位置（波長）が変化し色調の変化となって観測されるの
である。あるいは視角が変化した場合も同様に、分光ス
ペクトル中の極大極小の位置（波長）が変化し色調の変
化となって観測される。
【００２０】特公昭６３−３９５３５号公報に記載され
ている光彩防止方法のうちの一つは、１／４波長の光学
膜厚を有する反射防止層を設けることにより、リップル
の大きさを小さくすることによって光彩防止を行うとい
うものである。本発明における混合層は、下地膜の光彩
防止条件の幅を広げる効果があり、これにより下地膜厚
が特公昭６３−３９５３５号に記載されているような値
からずれた場合にも有効な光彩防止効果を保持すること
ができる。
ている光彩防止方法のうちの一つは、１／４波長の光学
膜厚を有する反射防止層を設けることにより、リップル
の大きさを小さくすることによって光彩防止を行うとい
うものである。本発明における混合層は、下地膜の光彩
防止条件の幅を広げる効果があり、これにより下地膜厚
が特公昭６３−３９５３５号に記載されているような値
からずれた場合にも有効な光彩防止効果を保持すること
ができる。
【００２１】図２〜図４は１．７の屈折率を有する下地
膜の膜厚がそれぞれ５０，１００，２００ｎｍで、２．
０の屈折率を有する透明導電膜の膜厚を２５０ｎｍ〜５
００ｎｍまで変化させた際の、反射色の変化を計算によ
り求め、ＣＩＥ色度座標上に示したものである。混合層
の厚みは、混合層がない場合、４０ｎｍ、及び８０ｎｍ
の場合について計算した。このときの基板の屈折率は
１．５１５として計算した。またこの計算では、混合層
がない場合と存在する場合とで全体の膜厚を同じにする
ことにより比較を行った。例えば混合層がなく、透明導
電膜が４００ｎｍ、下地膜厚が１００ｎｍの構成と混合
層が４０ｎｍの構成と比較を行う場合は、そのときの透
明導電膜は３８０ｎｍ、下地膜厚は８０ｎｍとそれぞれ
２０ｎｍずつ減らすことにより、混合層がない場合と全
体の膜厚が同じになるように計算を行った。図２〜図４
から透明導電膜の厚さの変化にともない反射色は光源色
のまわりを中心に円弧を描くように、かつ次第に光源色
に近づいていく。また下地膜の厚さが５０ｎｍ、１００
ｎｍ及び２００ｎｍと反射防止条件（８１ｎｍ）から大
きくはずれていても混合層を有することにより、反射色
はよりニュートラルになることがわかる。また、混合層
の厚さが４０ｎｍの場合に比べ８０ｎｍの場合の方が反
射色によりニュートラルになることがわかる。
膜の膜厚がそれぞれ５０，１００，２００ｎｍで、２．
０の屈折率を有する透明導電膜の膜厚を２５０ｎｍ〜５
００ｎｍまで変化させた際の、反射色の変化を計算によ
り求め、ＣＩＥ色度座標上に示したものである。混合層
の厚みは、混合層がない場合、４０ｎｍ、及び８０ｎｍ
の場合について計算した。このときの基板の屈折率は
１．５１５として計算した。またこの計算では、混合層
がない場合と存在する場合とで全体の膜厚を同じにする
ことにより比較を行った。例えば混合層がなく、透明導
電膜が４００ｎｍ、下地膜厚が１００ｎｍの構成と混合
層が４０ｎｍの構成と比較を行う場合は、そのときの透
明導電膜は３８０ｎｍ、下地膜厚は８０ｎｍとそれぞれ
２０ｎｍずつ減らすことにより、混合層がない場合と全
体の膜厚が同じになるように計算を行った。図２〜図４
から透明導電膜の厚さの変化にともない反射色は光源色
のまわりを中心に円弧を描くように、かつ次第に光源色
に近づいていく。また下地膜の厚さが５０ｎｍ、１００
ｎｍ及び２００ｎｍと反射防止条件（８１ｎｍ）から大
きくはずれていても混合層を有することにより、反射色
はよりニュートラルになることがわかる。また、混合層
の厚さが４０ｎｍの場合に比べ８０ｎｍの場合の方が反
射色によりニュートラルになることがわかる。
【００２２】
実施例１ ６ｍｍフロートガラスのリボン上にオンラインスプレー
法により成膜を行った。原料にはＡｌ（ＮＯ3 ）3 及び
Ｓｎ（ＮＯ3 ）4 を用い、それぞれ１０：０、９：１、
８：２…０：１０の割合で加熱しながらエタノールに溶
解した溶液を１１種類用意し、室温で２昼夜静置した。
噴霧するノズルの配置は流れ方向と平行な方向に１３
個、流れ方向と垂直な方向に１０個配置した。フロート
浴からでたフロートガラスリボンが６５０℃の時点で、
Ａｌ（ＮＯ3 ）3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4 の割合が１０：０
の原料をノズルからリボン上に噴霧し酸化アルミニウム
を下地膜として８０ｎｍ成膜した。次にＡｌ（ＮＯ3 ）
3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4 の割合が１０：０の原料を下手の
隣のノズルから、さらに下手のノズルからＡｌ（ＮＯ
3 ）3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4 の割合が９：１の原料を、以
下、上手側からＡｌ（ＮＯ3 ）3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4 の
割合がそれぞれ８：２、７：３…０：１０の９種類の原
料を設置しそれらを同時に噴霧し、となりあうそれぞれ
のノズルから噴霧された原料が基板上で互いに重なりあ
うようにノズルの向きや位置を調整し、混合層を４０ｎ
ｍ成膜した。次にＡｌ（ＮＯ3 ）3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4
の割合が０：１０の原料をノズルからリボン上に噴霧し
フッ素ドープのＳｎＯ2 膜を４００ｎｍ成膜した。本法
により作製した試料の屈折率はそれぞれ酸化アルミニウ
ム膜が１．７、ＳｎＯ2 膜が２．０であった。この試料
の分光反射スペクトルは図５に示される如くである。
法により成膜を行った。原料にはＡｌ（ＮＯ3 ）3 及び
Ｓｎ（ＮＯ3 ）4 を用い、それぞれ１０：０、９：１、
８：２…０：１０の割合で加熱しながらエタノールに溶
解した溶液を１１種類用意し、室温で２昼夜静置した。
噴霧するノズルの配置は流れ方向と平行な方向に１３
個、流れ方向と垂直な方向に１０個配置した。フロート
浴からでたフロートガラスリボンが６５０℃の時点で、
Ａｌ（ＮＯ3 ）3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4 の割合が１０：０
の原料をノズルからリボン上に噴霧し酸化アルミニウム
を下地膜として８０ｎｍ成膜した。次にＡｌ（ＮＯ3 ）
3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4 の割合が１０：０の原料を下手の
隣のノズルから、さらに下手のノズルからＡｌ（ＮＯ
3 ）3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4 の割合が９：１の原料を、以
下、上手側からＡｌ（ＮＯ3 ）3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4 の
割合がそれぞれ８：２、７：３…０：１０の９種類の原
料を設置しそれらを同時に噴霧し、となりあうそれぞれ
のノズルから噴霧された原料が基板上で互いに重なりあ
うようにノズルの向きや位置を調整し、混合層を４０ｎ
ｍ成膜した。次にＡｌ（ＮＯ3 ）3 とＳｎ（ＮＯ3 ）4
の割合が０：１０の原料をノズルからリボン上に噴霧し
フッ素ドープのＳｎＯ2 膜を４００ｎｍ成膜した。本法
により作製した試料の屈折率はそれぞれ酸化アルミニウ
ム膜が１．７、ＳｎＯ2 膜が２．０であった。この試料
の分光反射スペクトルは図５に示される如くである。
【００２３】実施例２ 次に実施例１の方法と同様にして酸化アルミニウム膜の
膜厚を６０ｎｍ、フッ素ドープのＳｎＯ2 膜の膜厚を３
８０ｎｍとし、混合層の厚みが８０ｎｍの試料を作製
し、同様に屈折率を測定したところ、酸化アルミニウム
膜が１．７、ＳｎＯ2 膜が２．０であった。この試料の
分光反射スペクトルは図６に示される如くである。
膜厚を６０ｎｍ、フッ素ドープのＳｎＯ2 膜の膜厚を３
８０ｎｍとし、混合層の厚みが８０ｎｍの試料を作製
し、同様に屈折率を測定したところ、酸化アルミニウム
膜が１．７、ＳｎＯ2 膜が２．０であった。この試料の
分光反射スペクトルは図６に示される如くである。
【００２４】実施例３ 充分に洗浄され乾燥されたガラス基板、及びハース上に
Ａｌ2 Ｏ3 、さらに同一槽内に用意してあるもうひとつ
のハース上にＳｎＯ2 とＳｂ2 Ｏ5 の原料を真空槽内に
セットし、５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気した後、ガラス
基板付近にＯ2ガスを導入しながらＥＢ蒸着法により、
酸化アルミニウムを４０ｎｍ蒸着した。次に、Ａｌ2 Ｏ
3 のＥＢ電源の電力を徐々に減少させると同時にＳｎＯ
2 とＳｂ2 Ｏ5 のＥＢ電源の電力を増大させながら混合
層を成膜し、その膜厚を４０ｎｍとした。次にＳｎＯ2
とＳｂ2 Ｏ5 のＥＢ電源のみでアンチモンドープのＳｎ
Ｏ2 膜を４００ｎｍ成膜した。本法により作製した試料
の屈折率はそれぞれ酸化アルミニウム膜が１．７、Ｓｎ
Ｏ2 膜が２．０であった。この試料の分光反射スペクト
ルは図５に示されるスペクトルとほぼ同様であった。次
に上記の方法と同様にして酸化アルミニウム膜の膜厚を
６０ｎｍ、アンチモンドープのＳｎＯ2 膜の膜厚を３８
０ｎｍとし、混合層の厚みが８０ｎｍの試料を作製し、
同様に屈折率を測定したところ、酸化アルミニウム膜が
１．７、ＳｎＯ2 膜が２．０であった。この試料の分光
反射スペクトルは図６に示されるスペクトルとほぼ同様
であった。
Ａｌ2 Ｏ3 、さらに同一槽内に用意してあるもうひとつ
のハース上にＳｎＯ2 とＳｂ2 Ｏ5 の原料を真空槽内に
セットし、５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気した後、ガラス
基板付近にＯ2ガスを導入しながらＥＢ蒸着法により、
酸化アルミニウムを４０ｎｍ蒸着した。次に、Ａｌ2 Ｏ
3 のＥＢ電源の電力を徐々に減少させると同時にＳｎＯ
2 とＳｂ2 Ｏ5 のＥＢ電源の電力を増大させながら混合
層を成膜し、その膜厚を４０ｎｍとした。次にＳｎＯ2
とＳｂ2 Ｏ5 のＥＢ電源のみでアンチモンドープのＳｎ
Ｏ2 膜を４００ｎｍ成膜した。本法により作製した試料
の屈折率はそれぞれ酸化アルミニウム膜が１．７、Ｓｎ
Ｏ2 膜が２．０であった。この試料の分光反射スペクト
ルは図５に示されるスペクトルとほぼ同様であった。次
に上記の方法と同様にして酸化アルミニウム膜の膜厚を
６０ｎｍ、アンチモンドープのＳｎＯ2 膜の膜厚を３８
０ｎｍとし、混合層の厚みが８０ｎｍの試料を作製し、
同様に屈折率を測定したところ、酸化アルミニウム膜が
１．７、ＳｎＯ2 膜が２．０であった。この試料の分光
反射スペクトルは図６に示されるスペクトルとほぼ同様
であった。
【００２５】比較例 実施例１と同様の方法で酸化アルミニウム膜の膜厚を１
００ｎｍ、フッ素ドープのＳｎＯ2 の膜厚を４２０ｎｍ
とし、混合層の存在しない構成の膜を得た。このように
して作製した膜の屈折率は酸化アルニミウム膜のそれが
１．７、フッ素ドープのＳｎＯ2 膜のそれが２．０であ
った。この膜の分光反射スペクトルは図７に示す如くで
ある。図５及び図６に示した曲線に比べ、リップルがや
や大きく、混合層を有する膜はそれを有さない膜に比
べ、顕著に光彩色が減少した。
００ｎｍ、フッ素ドープのＳｎＯ2 の膜厚を４２０ｎｍ
とし、混合層の存在しない構成の膜を得た。このように
して作製した膜の屈折率は酸化アルニミウム膜のそれが
１．７、フッ素ドープのＳｎＯ2 膜のそれが２．０であ
った。この膜の分光反射スペクトルは図７に示す如くで
ある。図５及び図６に示した曲線に比べ、リップルがや
や大きく、混合層を有する膜はそれを有さない膜に比
べ、顕著に光彩色が減少した。
【００２６】
【発明の効果】以上、実施例等から明らかなように、本
発明は光彩防止に必要な反射防止条件の範囲を広げる効
果がある。例えば下地膜の膜厚が厳密に制御できない場
合、ガラス基板からアルカリイオンの進入の抑制のため
下地膜をより厚くすることが望ましい場合、さらに生産
性を上げるために下地層を薄くしたい場合等に混合層を
設けることにより顕著な効果を有するものである。特に
ガラス基板からのアルカリバリヤー層として現在安全上
問題の多いシラン系ガスから成膜されるシリカ系の下地
層が用いられるが、下地層厚を厚くすることにより、ア
ルカリバリヤー効果が生じるようなものであれば、他の
材料を用いることが可能となり安全上問題のない材料の
選択が可能となる等の効果がある。
発明は光彩防止に必要な反射防止条件の範囲を広げる効
果がある。例えば下地膜の膜厚が厳密に制御できない場
合、ガラス基板からアルカリイオンの進入の抑制のため
下地膜をより厚くすることが望ましい場合、さらに生産
性を上げるために下地層を薄くしたい場合等に混合層を
設けることにより顕著な効果を有するものである。特に
ガラス基板からのアルカリバリヤー層として現在安全上
問題の多いシラン系ガスから成膜されるシリカ系の下地
層が用いられるが、下地層厚を厚くすることにより、ア
ルカリバリヤー効果が生じるようなものであれば、他の
材料を用いることが可能となり安全上問題のない材料の
選択が可能となる等の効果がある。
【図１】本発明の膜構成を有した透明体の断面図
【図２】透明導電膜厚を変化させたときの色度変化に及
ぼす混合層の影響を示した図
ぼす混合層の影響を示した図
【図３】透明導電膜厚を変化させたときの色度変化に及
ぼす混合層の影響を示した図
ぼす混合層の影響を示した図
【図４】透明導電膜厚を変化させたときの色度変化に及
ぼす混合層の影響を示した図
ぼす混合層の影響を示した図
【図５】本発明の実施例１の光彩防止透明体の分光特性
図
図
【図６】本発明の実施例２の光彩防止透明体の分光特性
図
図
【図７】本発明の比較例の光彩防止透明体の分光特性図
１０：透明基体 １１：透明導電膜 １２：混合層 １３：下地膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾山 卓司 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社 中央研究所内 (72)発明者 能代 誠 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社 中央研究所内 (72)発明者 ロベール・テルノ ベルギー国 6218 チメオン、ル、ド、マ ナント ６ (72)発明者 ミシェル・アノティオ ベルギー国 5911 ジョドワニュ、ル、 ド、シャントレーヌ ２エー
Claims (6)
- 【請求項１】透明基体上に透明導電膜を有し、かつ該透
明基体と該透明導電膜の間に下地膜を有する透明体にお
いて、該透明導電膜と該下地膜との間に、該透明導電膜
と該下地膜との構成成分からなる混合層が介在されてお
り、該混合層は該下地膜と該透明導電膜の間で該下地膜
に近い方から該透明導電膜に近い方へといくにつれて徐
々に屈折率が増加するように形成されていることを特徴
とする光彩防止透明体。 - 【請求項２】該混合層において、該透明導電膜の屈折率
と該下地膜の屈折率との平均値以上の屈折率を有する層
部分と、該透明導電膜の屈折率と同じ屈折率を有する層
部分とを足し合わせた層部分の厚みを、該透明導電膜の
実質的な膜厚と見なしたとき、該透明導電膜の実質的な
膜厚が０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項
１の光彩防止透明体。 - 【請求項３】該透明導電膜の屈折率が１．８〜２．５で
あることを特徴とする請求項１又は２の光彩防止透明
体。 - 【請求項４】該混合層において、該透明導電膜の屈折率
と該下地膜の屈折率との平均値以下の屈折率を有する層
部分と、該下地膜の屈折率と同じ屈折率を有する層部分
とを足し合わせた厚みを、該下地膜の実質的な膜厚と見
なすとき、該下地膜の実質的な膜厚が０．０４〜０．２
０μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３いずれ
か１項の光彩防止透明体。 - 【請求項５】該下地膜の屈折率が１．６〜２．０である
ことを特徴とする請求項１〜４いずれか１項の光彩防止
透明体。 - 【請求項６】透明基体がガラス基板であることを特徴と
する請求項１〜５いずれか１項の光彩防止透明体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208406A JPH0741337A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 光彩防止透明体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208406A JPH0741337A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 光彩防止透明体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0741337A true JPH0741337A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16555719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5208406A Withdrawn JPH0741337A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 光彩防止透明体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741337A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000014021A1 (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-16 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Light-colored glass of high transmittance and method for production thereof, glass plate with electrically conductive film and method for production thereof, and glass article |
| US6362414B1 (en) | 1999-05-31 | 2002-03-26 | Kaneka Corporation | Transparent layered product and glass article using the same |
| US6380480B1 (en) * | 1999-05-18 | 2002-04-30 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd | Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device |
| US6444898B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-09-03 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Transparent layered product and glass article using the same |
| US6498380B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-12-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate for photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device using the same |
| US6844280B2 (en) | 2000-03-06 | 2005-01-18 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Flat glass having high transmittance |
| JPWO2005097484A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-02-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性フィルム、透明導電性フィルムの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2009007210A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Mitsubishi Materials Corp | 遮光体 |
| JP2014038182A (ja) * | 2012-08-15 | 2014-02-27 | Kaneka Corp | 透明導電層付基板の製造方法および光電変換素子の製造方法 |
| CN104812570A (zh) * | 2013-07-01 | 2015-07-29 | 积水化学工业株式会社 | 无机膜及层积体 |
| JP2015208889A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | 積水化学工業株式会社 | バリアフィルム |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5208406A patent/JPH0741337A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000014021A1 (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-16 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Light-colored glass of high transmittance and method for production thereof, glass plate with electrically conductive film and method for production thereof, and glass article |
| US6461736B1 (en) | 1998-09-04 | 2002-10-08 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Light-colored glass of high transmittance and method for production thereof, glass plate with electrically conductive film and method for production thereof, and glass article |
| US6380480B1 (en) * | 1999-05-18 | 2002-04-30 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd | Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device |
| US6362414B1 (en) | 1999-05-31 | 2002-03-26 | Kaneka Corporation | Transparent layered product and glass article using the same |
| US6444898B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-09-03 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Transparent layered product and glass article using the same |
| US6498380B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-12-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate for photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device using the same |
| US6844280B2 (en) | 2000-03-06 | 2005-01-18 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Flat glass having high transmittance |
| JPWO2005097484A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-02-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性フィルム、透明導電性フィルムの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4858167B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2012-01-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性フィルム、透明導電性フィルムの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2009007210A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Mitsubishi Materials Corp | 遮光体 |
| JP2014038182A (ja) * | 2012-08-15 | 2014-02-27 | Kaneka Corp | 透明導電層付基板の製造方法および光電変換素子の製造方法 |
| CN104812570A (zh) * | 2013-07-01 | 2015-07-29 | 积水化学工业株式会社 | 无机膜及层积体 |
| US9844926B2 (en) | 2013-07-01 | 2017-12-19 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Inorganic film and laminate |
| JP2015208889A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | 積水化学工業株式会社 | バリアフィルム |
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