JPH0741392A - シリコン単結晶およびその製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶およびその製造方法Info
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- JPH0741392A JPH0741392A JP18854193A JP18854193A JPH0741392A JP H0741392 A JPH0741392 A JP H0741392A JP 18854193 A JP18854193 A JP 18854193A JP 18854193 A JP18854193 A JP 18854193A JP H0741392 A JPH0741392 A JP H0741392A
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- Japan
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- silicon single
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法）により
製造されたシリコン単結晶であって、該シリコン単結晶
から切り出されたシリコンウェーハを鏡面加工し、さら
にアンモニア系洗浄を行った際に、０．０７μｍ以上の
エッチピットの発生が抑制されたシリコン単結晶および
その製造方法に関する。 【構成】 ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する過程
において、結晶製造炉内で１１００℃〜８５０℃の温度
域を２５０分以下の滞在時間で通過させる。好ましく
は、炉内で固化直後から８５０℃までの温度域を４００
分以下の滞在時間で通過させる。また、本発明のシリコ
ン単結晶は、該シリコン単結晶から切り出されたシリコ
ンウェーハを鏡面加工し、加えてアンモニア系洗浄を行
った際に、０．０７μｍ以上のエッチピットの発生が抑
制された、品質の優れたシリコン単結晶である。
製造されたシリコン単結晶であって、該シリコン単結晶
から切り出されたシリコンウェーハを鏡面加工し、さら
にアンモニア系洗浄を行った際に、０．０７μｍ以上の
エッチピットの発生が抑制されたシリコン単結晶および
その製造方法に関する。 【構成】 ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する過程
において、結晶製造炉内で１１００℃〜８５０℃の温度
域を２５０分以下の滞在時間で通過させる。好ましく
は、炉内で固化直後から８５０℃までの温度域を４００
分以下の滞在時間で通過させる。また、本発明のシリコ
ン単結晶は、該シリコン単結晶から切り出されたシリコ
ンウェーハを鏡面加工し、加えてアンモニア系洗浄を行
った際に、０．０７μｍ以上のエッチピットの発生が抑
制された、品質の優れたシリコン単結晶である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法
（以下、ＣＺ法）により製造されたシリコン単結晶であ
って、該シリコン単結晶から切り出されたシリコンウェ
ーハを鏡面加工し、加えてアンモニア系洗浄を行った際
に、０．０７μｍ以上のエッチピットの発生が抑制され
たものとなるシリコン単結晶およびその製造方法に関す
る。
（以下、ＣＺ法）により製造されたシリコン単結晶であ
って、該シリコン単結晶から切り出されたシリコンウェ
ーハを鏡面加工し、加えてアンモニア系洗浄を行った際
に、０．０７μｍ以上のエッチピットの発生が抑制され
たものとなるシリコン単結晶およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶
中には固溶酸素が含まれている。また、これらの固溶酸
素はシリコン単結晶の製造過程において析出し、微小酸
素析出物となる。さらに、シリコン単結晶の製造過程に
おいてこの微小酸素析出物からごくまれではあるが転位
ループ等の微小二次欠陥が発生することがある。該シリ
コン単結晶から切り出され、鏡面加工を施されたシリコ
ンウェーハの最表面に、この微小二次欠陥が存在する
と、その後のアンモニア系洗浄の際、０．０７μｍ以上
のエッチピットが形成される。エッチピット上にＬＳＩ
等の素子が形成されると、電界集中等が発生し、素子に
とって有害な影響を及ぼす。従って、歩留良くＬＳＩを
製造するには、アンモニア系洗浄の際にエッチピットを
形成する微小二次欠陥の発生が抑制されたシリコン単結
晶が重要となる。また、そのような結晶の製造方法の確
立が必要である。しかしながら、そのような技術は従来
存在しなかった。
中には固溶酸素が含まれている。また、これらの固溶酸
素はシリコン単結晶の製造過程において析出し、微小酸
素析出物となる。さらに、シリコン単結晶の製造過程に
おいてこの微小酸素析出物からごくまれではあるが転位
ループ等の微小二次欠陥が発生することがある。該シリ
コン単結晶から切り出され、鏡面加工を施されたシリコ
ンウェーハの最表面に、この微小二次欠陥が存在する
と、その後のアンモニア系洗浄の際、０．０７μｍ以上
のエッチピットが形成される。エッチピット上にＬＳＩ
等の素子が形成されると、電界集中等が発生し、素子に
とって有害な影響を及ぼす。従って、歩留良くＬＳＩを
製造するには、アンモニア系洗浄の際にエッチピットを
形成する微小二次欠陥の発生が抑制されたシリコン単結
晶が重要となる。また、そのような結晶の製造方法の確
立が必要である。しかしながら、そのような技術は従来
存在しなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、Ｃ
Ｚ法により製造されたシリコン単結晶であって、該シリ
コン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを鏡面加
工し、加えてアンモニア系洗浄を行った際に発生するエ
ッチピットが抑制されたシリコン単結晶およびその製造
方法を提供することを目的とするものである。
Ｚ法により製造されたシリコン単結晶であって、該シリ
コン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを鏡面加
工し、加えてアンモニア系洗浄を行った際に発生するエ
ッチピットが抑制されたシリコン単結晶およびその製造
方法を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、チョクラルスキー法によりシリコ
ン単結晶を製造する過程において、結晶製造炉内で１１
００℃〜８５０℃の温度域を２５０分以下の滞在時間で
通過させる。好ましくは、結晶製造炉内で固化直後から
８５０℃までの温度域を４００分以下の滞在時間で通過
させる。
に本発明においては、チョクラルスキー法によりシリコ
ン単結晶を製造する過程において、結晶製造炉内で１１
００℃〜８５０℃の温度域を２５０分以下の滞在時間で
通過させる。好ましくは、結晶製造炉内で固化直後から
８５０℃までの温度域を４００分以下の滞在時間で通過
させる。
【０００５】また、本発明のシリコン単結晶は、該シリ
コン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを鏡面加
工し、加えてアンモニア系洗浄を行った際に、０．０７
μｍ以上のエッチピットの発生が抑制された品質の優れ
たシリコン単結晶である。
コン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを鏡面加
工し、加えてアンモニア系洗浄を行った際に、０．０７
μｍ以上のエッチピットの発生が抑制された品質の優れ
たシリコン単結晶である。
【０００６】
【作用】ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造過程におい
て、融点から１２００℃までの高温域は、酸素析出の発
生核の導入を行う効果がある。１２００〜１１００℃の
温度域は、発生核の安定化を行う効果がある。１１００
℃以下では発生核を中心として酸素析出が進行し、微小
酸素析出物を形成する効果がある。特に、１１００℃〜
８５０℃の温度域は、微小酸素析出物からごくまれに転
位ループ等の微小二次欠陥を発生させる効果がある。
て、融点から１２００℃までの高温域は、酸素析出の発
生核の導入を行う効果がある。１２００〜１１００℃の
温度域は、発生核の安定化を行う効果がある。１１００
℃以下では発生核を中心として酸素析出が進行し、微小
酸素析出物を形成する効果がある。特に、１１００℃〜
８５０℃の温度域は、微小酸素析出物からごくまれに転
位ループ等の微小二次欠陥を発生させる効果がある。
【０００７】鏡面研磨されたシリコンウェーハの表面に
微小二次欠陥が存在した場合には、その後のアンモニア
系洗浄の際エッチングされて、０．０７μｍ以上のエッ
チピットを形成する。
微小二次欠陥が存在した場合には、その後のアンモニア
系洗浄の際エッチングされて、０．０７μｍ以上のエッ
チピットを形成する。
【０００８】通常の方法で製造されるＣＺシリコン単結
晶は、１１００℃〜８５０℃の温度域の滞在時間が長い
ため、微小酸素析出物から低密度の微小二次欠陥が発生
し、それがアンモニア系洗浄で見られる０．０７μｍ以
上のエッチピットの原因となっていた。
晶は、１１００℃〜８５０℃の温度域の滞在時間が長い
ため、微小酸素析出物から低密度の微小二次欠陥が発生
し、それがアンモニア系洗浄で見られる０．０７μｍ以
上のエッチピットの原因となっていた。
【０００９】一方、ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造
する過程において、結晶製造炉内で１１００℃〜８５０
℃の温度域を２５０分以下の滞在時間で通過させること
によって、微小二次欠陥の発生を抑制することができる
ため、アンモニア系洗浄後に発生する０．０７μｍ以上
のエッチピットを抑制することができる。好ましくは、
固化直後から８５０℃までの温度域を４００分以下の滞
在時間で通過させると、酸素析出物の発生核の安定化を
も抑制することができるため、より効果が大きくなる。
する過程において、結晶製造炉内で１１００℃〜８５０
℃の温度域を２５０分以下の滞在時間で通過させること
によって、微小二次欠陥の発生を抑制することができる
ため、アンモニア系洗浄後に発生する０．０７μｍ以上
のエッチピットを抑制することができる。好ましくは、
固化直後から８５０℃までの温度域を４００分以下の滞
在時間で通過させると、酸素析出物の発生核の安定化を
も抑制することができるため、より効果が大きくなる。
【００１０】これらの方法で製造されたＣＺシリコン単
結晶では、アンモニア系洗浄液で発生する０．０７μｍ
以上のエッチピットが抑制されている。
結晶では、アンモニア系洗浄液で発生する０．０７μｍ
以上のエッチピットが抑制されている。
【００１１】
【実施例】本発明に用いられる単結晶製造装置は、通常
ＣＺ法によるシリコン単結晶製造に用いられるものであ
れば特に限定されるものではなく、本実施例では図１に
示すような製造装置を用いた。
ＣＺ法によるシリコン単結晶製造に用いられるものであ
れば特に限定されるものではなく、本実施例では図１に
示すような製造装置を用いた。
【００１２】このＣＺ法シリコン単結晶製造装置１は、
シリコン溶融のための構造体が収容される加熱チャンバ
２ａと、分離機構２０によって分離および接続される育
成されたシリコン単結晶インゴットＳを収容する引上げ
チャンバ２ｂとからなるチャンバ２を有し、加熱チャン
バ２ａ内に、石英ルツボ５ｂとこれを保護する黒鉛製ル
ツボ５ａとから構成されたルツボ５と、このルツボ５の
側面部を取り囲むように配置された加熱ヒータ６と、加
熱ヒータ６からの熱が加熱チャンバ２ａ外部に逃げるの
を防止するため断熱部材１１が配置されており、このル
ツボ５は、図示されていない駆動装置と回転治具４によ
って接続され、この駆動装置によって所定の速度で回転
されると共に、ルツボ５内のシリコン融液の減少にとも
ないシリコン融液液面が低下するのを補うためにルツボ
５を昇降させるようになっている。引上げチャンバ２ｂ
内には、チャンバ内を垂下された引上げワイヤ７が設置
され、このワイヤの下端には種結晶８を保持するチャッ
ク９が設けられている。この引上げワイヤ７の上端側
は、ワイヤ巻き上げ機１０に巻きとられて、シリコン単
結晶インゴットを引き上げるようになった引上げ装置が
設けられている。
シリコン溶融のための構造体が収容される加熱チャンバ
２ａと、分離機構２０によって分離および接続される育
成されたシリコン単結晶インゴットＳを収容する引上げ
チャンバ２ｂとからなるチャンバ２を有し、加熱チャン
バ２ａ内に、石英ルツボ５ｂとこれを保護する黒鉛製ル
ツボ５ａとから構成されたルツボ５と、このルツボ５の
側面部を取り囲むように配置された加熱ヒータ６と、加
熱ヒータ６からの熱が加熱チャンバ２ａ外部に逃げるの
を防止するため断熱部材１１が配置されており、このル
ツボ５は、図示されていない駆動装置と回転治具４によ
って接続され、この駆動装置によって所定の速度で回転
されると共に、ルツボ５内のシリコン融液の減少にとも
ないシリコン融液液面が低下するのを補うためにルツボ
５を昇降させるようになっている。引上げチャンバ２ｂ
内には、チャンバ内を垂下された引上げワイヤ７が設置
され、このワイヤの下端には種結晶８を保持するチャッ
ク９が設けられている。この引上げワイヤ７の上端側
は、ワイヤ巻き上げ機１０に巻きとられて、シリコン単
結晶インゴットを引き上げるようになった引上げ装置が
設けられている。
【００１３】そして、チャンバ２内には、引上げチャン
バ２ｂに形成されたガス導入口１２からＡｒガスが導入
され、加熱チャンバ２ａ内をまんべんなく流通してガス
流出口１３から排出される。このようにＡｒガスを流出
させるのは、シリコンの溶融にともなってチャンバ内に
発生するＳｉＯをシリコン融液内に混入させないように
するためである。
バ２ｂに形成されたガス導入口１２からＡｒガスが導入
され、加熱チャンバ２ａ内をまんべんなく流通してガス
流出口１３から排出される。このようにＡｒガスを流出
させるのは、シリコンの溶融にともなってチャンバ内に
発生するＳｉＯをシリコン融液内に混入させないように
するためである。
【００１４】この装置を使用して、次の条件でシリコン
単結晶を育成した。 ａ）原料融液重量：４５ｋｇ ｂ）結晶育成速度：１．２ｍｍ／ｍｉｎ なお、上記の２つの条件は、実施例１、実施例２、比較
例１および比較例２について共通である。
単結晶を育成した。 ａ）原料融液重量：４５ｋｇ ｂ）結晶育成速度：１．２ｍｍ／ｍｉｎ なお、上記の２つの条件は、実施例１、実施例２、比較
例１および比較例２について共通である。
【００１５】実施例１ 固化〜８５０℃温度域の滞在時間：３００分 この条件で育成されたシリコン単結晶インゴットは次の
通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：７．５〜７．８×１０17atoms/cc（日本電子
工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） これらのインゴットから切り出したウェーハの表面を鏡
面加工した上で、アンモニア系洗浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2
Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周知のパー
ティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチピット密
度を測定し、その結果を表１に示した。表１に示される
ように０．０７μｍ以上のエッチピット密度は低く、本
発明の製造方法により得られたシリコン単結晶インゴッ
トから切り出されたウェーハは、アンモニア系洗浄液で
洗浄した際に発生する０．０７μｍ以上のエッチピット
が抑制されていることを示している。
通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：７．５〜７．８×１０17atoms/cc（日本電子
工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） これらのインゴットから切り出したウェーハの表面を鏡
面加工した上で、アンモニア系洗浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2
Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周知のパー
ティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチピット密
度を測定し、その結果を表１に示した。表１に示される
ように０．０７μｍ以上のエッチピット密度は低く、本
発明の製造方法により得られたシリコン単結晶インゴッ
トから切り出されたウェーハは、アンモニア系洗浄液で
洗浄した際に発生する０．０７μｍ以上のエッチピット
が抑制されていることを示している。
【００１６】実施例２ １１００℃〜８５０℃温度域の滞在時間：１５０分 この条件で育成されたシリコン単結晶インゴットは次の
通りである。 伝導型：ｎ型（Ｐドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：２Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．８〜１０．０×１０17atoms/cc（日本電
子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） これらのインゴットから切り出したウェーハの表面を鏡
面加工した上で、アンモニア系洗浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2
Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周知のパー
ティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチピット密
度を測定し、その結果を実施例１にあわせて表１に示し
た。表１に示されるように０．０７μｍ以上のエッチピ
ット密度は低く、本発明の製造方法により得られたシリ
コン単結晶インゴットから切り出されたウェーハは、ア
ンモニア系洗浄液で洗浄した際に発生する０．０７μｍ
以上のエッチピットが完全に抑制されていることを示し
ている。
通りである。 伝導型：ｎ型（Ｐドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：２Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．８〜１０．０×１０17atoms/cc（日本電
子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） これらのインゴットから切り出したウェーハの表面を鏡
面加工した上で、アンモニア系洗浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2
Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周知のパー
ティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチピット密
度を測定し、その結果を実施例１にあわせて表１に示し
た。表１に示されるように０．０７μｍ以上のエッチピ
ット密度は低く、本発明の製造方法により得られたシリ
コン単結晶インゴットから切り出されたウェーハは、ア
ンモニア系洗浄液で洗浄した際に発生する０．０７μｍ
以上のエッチピットが完全に抑制されていることを示し
ている。
【００１７】比較例１ 固化〜８５０℃温度域の滞在時間：４２０分 この条件で育成されたシリコン単結晶インゴットは次の
通りである。 伝導型：ｎ型（Ｐドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：２Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．８〜１０．０×１０17atoms/cc（日本電
子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） これらのインゴットから切り出したウェーハの表面を鏡
面加工した上で、アンモニア系洗浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2
Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周知のパー
ティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチピット密
度を測定し、その結果も実施例１および実施例２にあわ
せて表１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ
以上のエッチピット密度は高く、アンモニア系洗浄液で
洗浄した際に発生する０．０７μｍ以上のエッチピット
が抑制されていないことがわかる。
通りである。 伝導型：ｎ型（Ｐドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：２Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．８〜１０．０×１０17atoms/cc（日本電
子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） これらのインゴットから切り出したウェーハの表面を鏡
面加工した上で、アンモニア系洗浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2
Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周知のパー
ティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチピット密
度を測定し、その結果も実施例１および実施例２にあわ
せて表１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ
以上のエッチピット密度は高く、アンモニア系洗浄液で
洗浄した際に発生する０．０７μｍ以上のエッチピット
が抑制されていないことがわかる。
【００１８】比較例２ １１００℃〜８５０℃温度域の滞在時間：３００分 この条件で育成されたシリコン単結晶インゴットは次の
通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：７．５〜７．８×１０17atoms/cc（日本電子
工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） これらのインゴットから切り出したウェーハの表面を鏡
面加工した上で、アンモニア系洗浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2
Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周知のパー
ティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチピット密
度を測定し、その結果を実施例１および実施例２にあわ
せて表１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ
以上のエッチピット密度は高く、アンモニア系洗浄液で
洗浄した際に発生する０．０７μｍ以上のエッチピット
が抑制されていないことがわかる。
通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：７．５〜７．８×１０17atoms/cc（日本電子
工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） これらのインゴットから切り出したウェーハの表面を鏡
面加工した上で、アンモニア系洗浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2
Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周知のパー
ティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチピット密
度を測定し、その結果を実施例１および実施例２にあわ
せて表１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ
以上のエッチピット密度は高く、アンモニア系洗浄液で
洗浄した際に発生する０．０７μｍ以上のエッチピット
が抑制されていないことがわかる。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】本発明のシリコン単結晶および本発明の
方法で製造されたシリコン単結晶は、該シリコン単結晶
から切り出されたシリコンウェーハの表面を鏡面加工し
た後、アンモニア系洗浄を行った際に発生する０．０７
μｍ以上のエッチピットが抑制されているため、表面凹
凸が少なくＭＯＳデバイス用ウェーハに適する。
方法で製造されたシリコン単結晶は、該シリコン単結晶
から切り出されたシリコンウェーハの表面を鏡面加工し
た後、アンモニア系洗浄を行った際に発生する０．０７
μｍ以上のエッチピットが抑制されているため、表面凹
凸が少なくＭＯＳデバイス用ウェーハに適する。
【図１】は、本発明の実施例に用いたＣＺ法シリコン単
結晶製造装置の概略図である。
結晶製造装置の概略図である。
１…ＣＺ法シリコン単結晶製造装置、 ２…チャンバ、
２ａ…加熱チャンバ、 ２ｂ…引上げチャ
ンバ、４…回転軸、 ５…ルツ
ボ、５ａ…黒鉛製ルツボ、 ５ｂ…石英ル
ツボ、６…加熱ヒータ、 ７…ワイ
ヤ、９…チャック、 １０…ワイヤ
巻き上げ機、１１…断熱部材、 １２
…ガス導入口、１３…ガス流出口、 ２
０…分離機構。
２ａ…加熱チャンバ、 ２ｂ…引上げチャ
ンバ、４…回転軸、 ５…ルツ
ボ、５ａ…黒鉛製ルツボ、 ５ｂ…石英ル
ツボ、６…加熱ヒータ、 ７…ワイ
ヤ、９…チャック、 １０…ワイヤ
巻き上げ機、１１…断熱部材、 １２
…ガス導入口、１３…ガス流出口、 ２
０…分離機構。
フロントページの続き (72)発明者 竹林 優 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ電 子株式会社内 (72)発明者 中靜 恒夫 山口県光市大字島田3434番地 新日本製鐵 株式会社光製鐵所内
Claims (3)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法によりシリコン単結
晶を製造する過程において、結晶製造炉内で固化直後か
ら８５０℃までの温度域を４００分以下の滞在時間で通
過させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法によりシリコン単結
晶を製造する過程において、結晶製造炉内で１１００℃
〜８５０℃の温度域を２５０分以下の滞在時間で通過さ
せることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 チョクラルスキー法により製造されたシ
リコン単結晶であって、該シリコン単結晶から切り出さ
れたシリコンウェーハを鏡面加工し、加えてアンモニア
系洗浄を行った際に、０．０７μｍ以上のエッチピット
の発生が抑制されていることを特徴とするシリコン単結
晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18854193A JPH0741392A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | シリコン単結晶およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18854193A JPH0741392A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | シリコン単結晶およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0741392A true JPH0741392A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16225517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18854193A Pending JPH0741392A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | シリコン単結晶およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741392A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009035481A (ja) * | 2008-09-24 | 2009-02-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP18854193A patent/JPH0741392A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009035481A (ja) * | 2008-09-24 | 2009-02-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ |
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