JPH0741932A - 浸炭熱処理制御装置 - Google Patents
浸炭熱処理制御装置Info
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- JPH0741932A JPH0741932A JP20288693A JP20288693A JPH0741932A JP H0741932 A JPH0741932 A JP H0741932A JP 20288693 A JP20288693 A JP 20288693A JP 20288693 A JP20288693 A JP 20288693A JP H0741932 A JPH0741932 A JP H0741932A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 適切な浸炭を可能にするとともにＦｅ3 Ｃの
成長・折出を防止して、もろくて・不健全な組織の発生
を防止すること。 【構成】 浸炭熱処理装置１においてＣm Ｈn 系燃料と
酸素と二酸化炭素が供給されＣm Ｈn 系燃料の燃焼火炎
を被処理材Ｗの表面に接触させる火口２と、前記火口２
より供給される燃焼火炎中の一酸化炭素および二酸化炭
素の量を検出するガスセンサ３と、被処理材Ｗの浸炭処
理面の温度を検出する温度センサ４と前記ガスセンサ３
および温度センサ４が検出し一酸化炭素量と二酸化炭素
量との比である平衡炭素濃度に基づき浸炭条件に応じて
Ｃm Ｈn 系燃料、酸素および二酸化炭素の供給量を制御
するための制御信号を出力するコントローラ５と、前記
コントローラ５からの前記制御信号に基づきＣm Ｈn 系
燃料、酸素および二酸化炭素の供給量を制御する電磁流
量制御弁６とから成る。
成長・折出を防止して、もろくて・不健全な組織の発生
を防止すること。 【構成】 浸炭熱処理装置１においてＣm Ｈn 系燃料と
酸素と二酸化炭素が供給されＣm Ｈn 系燃料の燃焼火炎
を被処理材Ｗの表面に接触させる火口２と、前記火口２
より供給される燃焼火炎中の一酸化炭素および二酸化炭
素の量を検出するガスセンサ３と、被処理材Ｗの浸炭処
理面の温度を検出する温度センサ４と前記ガスセンサ３
および温度センサ４が検出し一酸化炭素量と二酸化炭素
量との比である平衡炭素濃度に基づき浸炭条件に応じて
Ｃm Ｈn 系燃料、酸素および二酸化炭素の供給量を制御
するための制御信号を出力するコントローラ５と、前記
コントローラ５からの前記制御信号に基づきＣm Ｈn 系
燃料、酸素および二酸化炭素の供給量を制御する電磁流
量制御弁６とから成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｃm Ｈn 系燃料の燃焼
火炎中の一酸化炭素量と二酸化炭素量の比である平衡炭
素濃度を制御して、最適な浸炭熱処理を可能にする浸炭
熱処理制御装置に関する。
火炎中の一酸化炭素量と二酸化炭素量の比である平衡炭
素濃度を制御して、最適な浸炭熱処理を可能にする浸炭
熱処理制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の浸炭熱処理制御装置は、図５に示
すようにＣm Ｈn 系燃料と酸素を当量比以上で火口Ｈに
供給して燃焼させ、生成される燃焼火炎を被処理材Ｗの
表面に接触させて、加熱浸炭するものであった。
すようにＣm Ｈn 系燃料と酸素を当量比以上で火口Ｈに
供給して燃焼させ、生成される燃焼火炎を被処理材Ｗの
表面に接触させて、加熱浸炭するものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の浸炭熱処理制御
装置は、火口より供給される燃焼火炎中の一酸化炭素量
と二酸化炭素量の比である平衡炭素濃度が制御されてい
ないため、過剰浸炭となることがあり、Ｆｅ3 Ｃの成長
・折出が発生し、非常にもろい、不健全な組織になって
しまうという問題が有った。
装置は、火口より供給される燃焼火炎中の一酸化炭素量
と二酸化炭素量の比である平衡炭素濃度が制御されてい
ないため、過剰浸炭となることがあり、Ｆｅ3 Ｃの成長
・折出が発生し、非常にもろい、不健全な組織になって
しまうという問題が有った。
【０００４】そこで本発明者らは、Ｃm Ｈn 系燃料の燃
焼火炎中の一酸化炭素量と二酸化炭素量との比である平
衡炭素濃度を求めて、その時の浸炭温度および時間など
の浸炭条件に応じて平衡炭素濃度を制御するという本発
明の技術的思想に着眼して、更に研究開発を重ねた結
果、適切な浸炭を可能にして、Ｆｅ3 Ｃの成長・折出を
防止して、もろくて・不健全な組織の発生を防止すると
いう目的を達成する本発明に到達したものである。
焼火炎中の一酸化炭素量と二酸化炭素量との比である平
衡炭素濃度を求めて、その時の浸炭温度および時間など
の浸炭条件に応じて平衡炭素濃度を制御するという本発
明の技術的思想に着眼して、更に研究開発を重ねた結
果、適切な浸炭を可能にして、Ｆｅ3 Ｃの成長・折出を
防止して、もろくて・不健全な組織の発生を防止すると
いう目的を達成する本発明に到達したものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の浸炭熱処理制御
装置は、Ｃm Ｈn 系燃料と酸素と二酸化炭素が供給さ
れ、Ｃm Ｈn 系燃料の燃焼火炎を被処理材表面に接触さ
せる火口と、前記火口より供給される燃焼火炎の一酸化
炭素および二酸化炭素の量を検出するためのセンサと、
前記センサが検出した一酸化炭素量と二酸化炭素量との
比である平衡炭素濃度に基づき浸炭条件に応じてＣm Ｈ
n 系燃料、酸素および二酸化炭素の供給量を制御するた
めの制御信号を出力するコントローラと、前記コントロ
ーラからの前記制御信号に基づきＣm Ｈn 系燃料、酸素
および二酸化炭素の供給量を制御する流量制御装置とか
ら成るものである。前記Ｃm Ｈn 系燃料の燃焼に利用す
る酸素は、空気のように酸素を含むガスも勿論利用する
ことができる。
装置は、Ｃm Ｈn 系燃料と酸素と二酸化炭素が供給さ
れ、Ｃm Ｈn 系燃料の燃焼火炎を被処理材表面に接触さ
せる火口と、前記火口より供給される燃焼火炎の一酸化
炭素および二酸化炭素の量を検出するためのセンサと、
前記センサが検出した一酸化炭素量と二酸化炭素量との
比である平衡炭素濃度に基づき浸炭条件に応じてＣm Ｈ
n 系燃料、酸素および二酸化炭素の供給量を制御するた
めの制御信号を出力するコントローラと、前記コントロ
ーラからの前記制御信号に基づきＣm Ｈn 系燃料、酸素
および二酸化炭素の供給量を制御する流量制御装置とか
ら成るものである。前記Ｃm Ｈn 系燃料の燃焼に利用す
る酸素は、空気のように酸素を含むガスも勿論利用する
ことができる。
【０００６】
【作用】上記構成より成る本発明の浸炭熱処理制御装置
は、センサにより燃焼火炎の一酸化炭素および二酸化炭
素の量を検出して、コントローラにより上記一酸化炭素
量と二酸化炭素量の比で決定される平衡炭素濃度に基づ
き温度条件に応じてＣmＨn 系燃料、酸素および二酸化
炭素の供給量を制御するための制御信号を出力し、流量
制御装置により前記制御信号に基づきＣm Ｈn 系燃料、
酸素および二酸化炭素の供給量を制御するものである。
は、センサにより燃焼火炎の一酸化炭素および二酸化炭
素の量を検出して、コントローラにより上記一酸化炭素
量と二酸化炭素量の比で決定される平衡炭素濃度に基づ
き温度条件に応じてＣmＨn 系燃料、酸素および二酸化
炭素の供給量を制御するための制御信号を出力し、流量
制御装置により前記制御信号に基づきＣm Ｈn 系燃料、
酸素および二酸化炭素の供給量を制御するものである。
【０００７】
【発明の効果】上記作用を奏する本発明の浸炭熱処理制
御装置は、燃焼火炎の検出した一酸化炭素および二酸化
炭素の量の比で決まる平衡炭素濃度に基づき浸炭条件に
応じてＣm Ｈn 系燃料、酸素および二酸化炭素の供給量
を制御するので、適切な浸炭を可能にするとともにＦｅ
3 Ｃの成長・折出を防止して、もろくて・不健全な組織
の発生を防止するという効果を奏する。
御装置は、燃焼火炎の検出した一酸化炭素および二酸化
炭素の量の比で決まる平衡炭素濃度に基づき浸炭条件に
応じてＣm Ｈn 系燃料、酸素および二酸化炭素の供給量
を制御するので、適切な浸炭を可能にするとともにＦｅ
3 Ｃの成長・折出を防止して、もろくて・不健全な組織
の発生を防止するという効果を奏する。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例につき、図面を用いて説
明する。
明する。
【０００９】（第１実施例）第１実施例の浸炭熱処理制
御装置は、図１ないし図３に示すように、浸炭熱処理装
置１においてＣm Ｈn 系燃料と酸素と二酸化炭素が供給
されＣm Ｈn 系燃料の燃焼火炎を被処理材Ｗの表面に接
触させる火口２と、前記火口２より供給される燃焼火炎
中の一酸化炭素および二酸化炭素の量を検出するガスセ
ンサ３と、被処理材Ｗの浸炭処理面の温度を検出する温
度センサ４と、前記ガスセンサ３および温度センサ４が
検出し一酸化炭素量と二酸化炭素量との比である平衡炭
素濃度に基づき浸炭条件に応じてＣm Ｈn 系燃料、酸素
および二酸化炭素の供給量を制御するための制御信号を
出力するコントローラ５と、前記コントローラ５からの
前記制御信号に基づきＣm Ｈn 系燃料、酸素および二酸
化炭素の供給量を制御する電磁流量制御弁６とから成
る。
御装置は、図１ないし図３に示すように、浸炭熱処理装
置１においてＣm Ｈn 系燃料と酸素と二酸化炭素が供給
されＣm Ｈn 系燃料の燃焼火炎を被処理材Ｗの表面に接
触させる火口２と、前記火口２より供給される燃焼火炎
中の一酸化炭素および二酸化炭素の量を検出するガスセ
ンサ３と、被処理材Ｗの浸炭処理面の温度を検出する温
度センサ４と、前記ガスセンサ３および温度センサ４が
検出し一酸化炭素量と二酸化炭素量との比である平衡炭
素濃度に基づき浸炭条件に応じてＣm Ｈn 系燃料、酸素
および二酸化炭素の供給量を制御するための制御信号を
出力するコントローラ５と、前記コントローラ５からの
前記制御信号に基づきＣm Ｈn 系燃料、酸素および二酸
化炭素の供給量を制御する電磁流量制御弁６とから成
る。
【００１０】前記浸炭熱処理装置１は、図１に示すよう
に、シーケンサにより制御される装置１Ｓにより炉（図
示せず）において移動制御される被処理材Ｗの被処理面
ＷＳに対して一定距離離れた部位に火口２を配設するも
ので、火口２に配設された導入ダクト１１が、供給通路
１２を解してＣm Ｈn 系燃料の一例であるアセチレンボ
ンベ１３の他、酸素ボンベ１４、二酸化炭素ボンベ１５
に連絡している。
に、シーケンサにより制御される装置１Ｓにより炉（図
示せず）において移動制御される被処理材Ｗの被処理面
ＷＳに対して一定距離離れた部位に火口２を配設するも
ので、火口２に配設された導入ダクト１１が、供給通路
１２を解してＣm Ｈn 系燃料の一例であるアセチレンボ
ンベ１３の他、酸素ボンベ１４、二酸化炭素ボンベ１５
に連絡している。
【００１１】火口２は、中空部材で構成され、導入ダク
ト１１の先端に固着され、被処理材Ｗの被処理面ＷＳに
対向して配設されている。
ト１１の先端に固着され、被処理材Ｗの被処理面ＷＳに
対向して配設されている。
【００１２】ガスセンサ３は、ガス分析計により構成さ
れ、火口２より供給された燃焼火炎を細管３１によって
取り込みガス分析して、一酸化炭素量および二酸化炭素
量を求めるとともに一酸化炭素量と二酸化炭素量との比
である平衡炭素濃度を求めてコントローラ５に出力し得
る構成より成るものである。
れ、火口２より供給された燃焼火炎を細管３１によって
取り込みガス分析して、一酸化炭素量および二酸化炭素
量を求めるとともに一酸化炭素量と二酸化炭素量との比
である平衡炭素濃度を求めてコントローラ５に出力し得
る構成より成るものである。
【００１３】またアセチレンボンベ１３、酸素ボンベ１
４および二酸化炭素ボンベ１５に連絡した通路に配設さ
れた第１ないし第３の流量センサ３３、３４、３５によ
り、夫々アセチレンボンベ１３、酸素ボンベ１４および
二酸化炭素ボンベ１５からのアセチレンガス、酸素、二
酸化炭素の各供給流量を検出して、コントローラ５に出
力し得る構成より成るものである。
４および二酸化炭素ボンベ１５に連絡した通路に配設さ
れた第１ないし第３の流量センサ３３、３４、３５によ
り、夫々アセチレンボンベ１３、酸素ボンベ１４および
二酸化炭素ボンベ１５からのアセチレンガス、酸素、二
酸化炭素の各供給流量を検出して、コントローラ５に出
力し得る構成より成るものである。
【００１４】温度センサ４は、被処理材Ｗの被処理面Ｗ
Ｓから距離を隔てて配設された放射温度計で構成され、
被処理面ＷＳの温度を検出して、コントローラ５に出力
するものである。
Ｓから距離を隔てて配設された放射温度計で構成され、
被処理面ＷＳの温度を検出して、コントローラ５に出力
するものである。
【００１５】コントローラ５は、パソコンにより構成さ
れ、図２に示すフローに従いキー入力により設定された
浸炭温度、浸炭時間その他の浸炭条件に応じて、ガスセ
ンサ３から入力される現在の平衡炭素濃度、第１ないし
第３流量センサ３３ないし３５から入力されるアセチレ
ンガス、酸素、二酸化炭素の現在の供給流量、および温
度計４から入力される温度等の情報に基づいて最適な平
衡炭素濃度を求め、現在の平衡炭素濃度との差からアセ
チレンガス、酸素および二酸化炭素の供給量を求めコン
トロール信号をＩ／Ｏを介して夫々出力する。
れ、図２に示すフローに従いキー入力により設定された
浸炭温度、浸炭時間その他の浸炭条件に応じて、ガスセ
ンサ３から入力される現在の平衡炭素濃度、第１ないし
第３流量センサ３３ないし３５から入力されるアセチレ
ンガス、酸素、二酸化炭素の現在の供給流量、および温
度計４から入力される温度等の情報に基づいて最適な平
衡炭素濃度を求め、現在の平衡炭素濃度との差からアセ
チレンガス、酸素および二酸化炭素の供給量を求めコン
トロール信号をＩ／Ｏを介して夫々出力する。
【００１６】電磁流量制御弁６は、アセチレンボンベ１
３に連絡した通路に配設された第１の電磁弁６３と、酸
素ボンベ１４に連絡した通路に配設された第２の電磁弁
６４と、二酸化炭素ボンベ１５に連絡した通路に配設さ
れた第３の電磁弁６５とから成り、夫々コントローラ５
のＩ／Ｏに接続され、入力された制御信号に基づき火口
２に連絡した導入ダクト１１に供給されるアセチレンガ
ス、酸素、二酸化炭素の流量を制御し得る構成より成
る。
３に連絡した通路に配設された第１の電磁弁６３と、酸
素ボンベ１４に連絡した通路に配設された第２の電磁弁
６４と、二酸化炭素ボンベ１５に連絡した通路に配設さ
れた第３の電磁弁６５とから成り、夫々コントローラ５
のＩ／Ｏに接続され、入力された制御信号に基づき火口
２に連絡した導入ダクト１１に供給されるアセチレンガ
ス、酸素、二酸化炭素の流量を制御し得る構成より成
る。
【００１７】上記構成より成る第１実施例の浸炭熱処理
制御装置は、アセチレンボンベ１３、酸素ボンベ１４、
二酸化炭素ボンベ１５から導入ダクト１１に供給される
アセチレンガス、酸素、二酸化炭素の量に応じて浸炭処
理装置１の火口２はアセチレンの燃焼火炎を被処理材Ｗ
の被処理面ＷＳに接触させ浸炭処理を行うものである
が、この時のアセチレンの燃焼火炎をガスセンサ３によ
りサンプリングしてガス分析され、一酸化炭素量および
二酸化炭素量の比である現実の平衡炭素濃度を求める。
制御装置は、アセチレンボンベ１３、酸素ボンベ１４、
二酸化炭素ボンベ１５から導入ダクト１１に供給される
アセチレンガス、酸素、二酸化炭素の量に応じて浸炭処
理装置１の火口２はアセチレンの燃焼火炎を被処理材Ｗ
の被処理面ＷＳに接触させ浸炭処理を行うものである
が、この時のアセチレンの燃焼火炎をガスセンサ３によ
りサンプリングしてガス分析され、一酸化炭素量および
二酸化炭素量の比である現実の平衡炭素濃度を求める。
【００１８】また温度センサ４が被処理材Ｗの被処理面
ＷＳの温度を検出して信号を出力するとともに、第１な
いし第３流量センサ３３〜３５がアセチレンボンベ１
３、酸素ボンベ１４、二酸化炭素ボンベ１５から火口２
に現在供給されているアセチレンガス、酸素、および二
酸化炭素の各流量を検出して信号を出力するものであ
る。
ＷＳの温度を検出して信号を出力するとともに、第１な
いし第３流量センサ３３〜３５がアセチレンボンベ１
３、酸素ボンベ１４、二酸化炭素ボンベ１５から火口２
に現在供給されているアセチレンガス、酸素、および二
酸化炭素の各流量を検出して信号を出力するものであ
る。
【００１９】コントローラ５は、設定された浸炭温度、
浸炭時間等の浸炭条件に応じて決定される目標平衡炭素
濃度と、検出した現在の平衡炭素濃度との差からアセチ
レンガス、酸素、および二酸化炭素の現在の流量を考慮
して制御信号を出力するものである。
浸炭時間等の浸炭条件に応じて決定される目標平衡炭素
濃度と、検出した現在の平衡炭素濃度との差からアセチ
レンガス、酸素、および二酸化炭素の現在の流量を考慮
して制御信号を出力するものである。
【００２０】電磁弁６３、６４、６５がコントローラ５
からの制御信号に応じて火口２に供給するアセチレンガ
ス、酸素および二酸化炭素の供給量を温度条件に応じた
目標平衡炭素濃度を実現すべく最適に制御する。
からの制御信号に応じて火口２に供給するアセチレンガ
ス、酸素および二酸化炭素の供給量を温度条件に応じた
目標平衡炭素濃度を実現すべく最適に制御する。
【００２１】上記作用を奏する第１実施例の浸炭熱処理
制御装置は、ガスセンサ３により検出した現実の平衡炭
素濃度と浸炭条件により定まる目標平衡炭素濃度との差
に基づき、電磁弁６３〜６５によりアセチレンガス、酸
素および二酸化炭素の供給量を制御するので、設定した
浸炭条件に対応した理想的な目標平衡炭素濃度における
最適な浸炭処理を可能にして均一なマルテンサイト単相
組織とすることができるとともに、Ｆｅ3 Ｃの成長・折
出を防止して、もろくて・不健全な組織の発生を防止す
るという効果を奏する。
制御装置は、ガスセンサ３により検出した現実の平衡炭
素濃度と浸炭条件により定まる目標平衡炭素濃度との差
に基づき、電磁弁６３〜６５によりアセチレンガス、酸
素および二酸化炭素の供給量を制御するので、設定した
浸炭条件に対応した理想的な目標平衡炭素濃度における
最適な浸炭処理を可能にして均一なマルテンサイト単相
組織とすることができるとともに、Ｆｅ3 Ｃの成長・折
出を防止して、もろくて・不健全な組織の発生を防止す
るという効果を奏する。
【００２２】また、第１実施例の浸炭熱処理制御装置
は、平衡炭素濃度ＣＰが０．８の場合でも、被処理材Ｗ
の被処理面ＷＳの温度の変化に応じて最適な二酸化炭素
の供給量が図３に示すように変化するので、温度センサ
４によって検出した被処理材Ｗの被処理面ＷＳの温度に
応じて電磁弁６５により二酸化炭素の供給量を制御する
ので、最適な平衡炭素濃度による最適な火炎浸炭処理を
可能にするという効果を奏する。すなわちアセチレンガ
スと酸素との混合比０．９（Ｃ2 Ｈ2 ：Ｏ2 ＝１：２．
２５）のとき、燃焼火炎中ＣＯが６０％、Ｈ2 が２３．
５％、Ｈが１５％、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）、Ｃ2 Ｈ、
Ｃm （ｍ＝１、２、３）その他が１．５％となり、図３
はＣＯが６０％の場合の温度と二酸化炭素量との関係を
示したものである。
は、平衡炭素濃度ＣＰが０．８の場合でも、被処理材Ｗ
の被処理面ＷＳの温度の変化に応じて最適な二酸化炭素
の供給量が図３に示すように変化するので、温度センサ
４によって検出した被処理材Ｗの被処理面ＷＳの温度に
応じて電磁弁６５により二酸化炭素の供給量を制御する
ので、最適な平衡炭素濃度による最適な火炎浸炭処理を
可能にするという効果を奏する。すなわちアセチレンガ
スと酸素との混合比０．９（Ｃ2 Ｈ2 ：Ｏ2 ＝１：２．
２５）のとき、燃焼火炎中ＣＯが６０％、Ｈ2 が２３．
５％、Ｈが１５％、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）、Ｃ2 Ｈ、
Ｃm （ｍ＝１、２、３）その他が１．５％となり、図３
はＣＯが６０％の場合の温度と二酸化炭素量との関係を
示したものである。
【００２３】さらに第１実施例の浸炭熱処理制御装置
は、図１および図２に示すようにコントローラ３を構成
するパソコンおよびシーケンサにより制御される装置１
Ｓにより被処理材Ｗの浸炭処理装置１内の出し入れを制
御するので、被処理材Ｗの自動的連続浸炭処理を可能に
するという効果を奏する。
は、図１および図２に示すようにコントローラ３を構成
するパソコンおよびシーケンサにより制御される装置１
Ｓにより被処理材Ｗの浸炭処理装置１内の出し入れを制
御するので、被処理材Ｗの自動的連続浸炭処理を可能に
するという効果を奏する。
【００２４】（第２実施例）第２実施例の浸炭熱処理制
御装置は、第１実施例装置のガスセンサ３を省略して、
図４に示すように第１ないし第３の流量センサ３３ない
し３５によって検出されたアセチレンガス、酸素、二酸
化炭素の供給量と温度センサ４によって検出された被処
理材Ｗの温度のみに基づき、予め実験的に求めておいた
各種目標平衡炭素濃度と上記各ガス量および温度との関
係をマップ化してパソコンのＲＯＭに格納しておき、こ
のマップ化されたデータを利用して現実の平衡炭素濃度
を間接的に求めてそれに基づき制御するものであり、第
１実施例と同様の作用効果を奏し、ガスセンサを省略す
ることが出来るという効果を奏する。第１実施例と同一
部分には同一符号を付し説明を省略した。
御装置は、第１実施例装置のガスセンサ３を省略して、
図４に示すように第１ないし第３の流量センサ３３ない
し３５によって検出されたアセチレンガス、酸素、二酸
化炭素の供給量と温度センサ４によって検出された被処
理材Ｗの温度のみに基づき、予め実験的に求めておいた
各種目標平衡炭素濃度と上記各ガス量および温度との関
係をマップ化してパソコンのＲＯＭに格納しておき、こ
のマップ化されたデータを利用して現実の平衡炭素濃度
を間接的に求めてそれに基づき制御するものであり、第
１実施例と同様の作用効果を奏し、ガスセンサを省略す
ることが出来るという効果を奏する。第１実施例と同一
部分には同一符号を付し説明を省略した。
【００２５】上述の実施例は、説明のために例示したも
ので、本発明としてはそれらに限定されるものでは無
く、特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図面の記
載から当業者が認識することができる本発明の技術的思
想に反しない限り、変更および付加が可能である。
ので、本発明としてはそれらに限定されるものでは無
く、特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図面の記
載から当業者が認識することができる本発明の技術的思
想に反しない限り、変更および付加が可能である。
【００２６】上述の第１実施例においては、平衡炭素濃
度をガスセンサ３によって求める例について述べたが、
本発明としてはそれに限定するものでは無く、ガスセン
サ３が求めた一酸化炭素量と二酸化炭素量より、コント
ローラ内において両者の比を演算し平衡炭素濃度を求め
ることも可能である。
度をガスセンサ３によって求める例について述べたが、
本発明としてはそれに限定するものでは無く、ガスセン
サ３が求めた一酸化炭素量と二酸化炭素量より、コント
ローラ内において両者の比を演算し平衡炭素濃度を求め
ることも可能である。
【図１】本発明の第１実施例装置を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】第１実施例装置の制御フローを示すチャート図
である。
である。
【図３】平衡炭素濃度０．８における被処理面の温度と
二酸化炭素量との関係を示す線図である。
二酸化炭素量との関係を示す線図である。
【図４】本発明の第２実施例装置を示すブロック図であ
る。
る。
【図５】従来装置を示すブロック図である。
１ 浸炭処理装置 ２ 火口 ３ ガスセンサ ４ 温度センサ ５ コントローラ ６ 電磁流量制御弁 １１ 導入ダクト １２ 供給通路 １３ アセチレンボンベ １４ 酸素ボンベ １５ 二酸化炭素ボンベ ３１ 細管 ３３ 第１の流量センサ ３４ 第２の流量センサ ３５ 第３の流量センサ ６３ 第１の電磁弁 ６４ 第２の電磁弁 ６５ 第３の電磁弁 Ｗ 被処理材 ＷＳ 被処理面
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｃm Ｈn 系燃料と酸素と二酸化炭素が供
給され、Ｃm Ｈn 系燃料の燃焼火炎を被処理材表面に接
触させる火口と、 前記火口より供給される燃焼火炎の一酸化炭素および二
酸化炭素の量を検出するためのセンサと、 前記センサが検出した一酸化炭素量と二酸化炭素量との
比である平衡炭素濃度に基づき浸炭条件に応じてＣm Ｈ
n 系燃料、酸素および二酸化炭素の供給量を制御するた
めの制御信号を出力するコントローラと、 前記コントローラからの前記制御信号に基づきＣm Ｈn
系燃料、酸素および二酸化炭素の供給量を制御する流量
制御装置とから成ることを特徴とする浸炭熱処理制御装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20288693A JPH0741932A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 浸炭熱処理制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20288693A JPH0741932A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 浸炭熱処理制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0741932A true JPH0741932A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16464835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20288693A Pending JPH0741932A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 浸炭熱処理制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741932A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207901A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テーピング用電子部品 |
| US6498123B2 (en) | 2000-03-24 | 2002-12-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Thermal transfer sheet |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP20288693A patent/JPH0741932A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207901A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テーピング用電子部品 |
| US6498123B2 (en) | 2000-03-24 | 2002-12-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Thermal transfer sheet |
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