JPH0743476B2 - 液晶光変調素子 - Google Patents
液晶光変調素子Info
- Publication number
- JPH0743476B2 JPH0743476B2 JP4244525A JP24452592A JPH0743476B2 JP H0743476 B2 JPH0743476 B2 JP H0743476B2 JP 4244525 A JP4244525 A JP 4244525A JP 24452592 A JP24452592 A JP 24452592A JP H0743476 B2 JPH0743476 B2 JP H0743476B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- phase
- axis direction
- light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶を用いた光変調素子
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶光変調素子の応答性に関する欠点に
鑑みて強誘電性液晶を用いた素子の報告がある（特開昭
56−107216号公報又は米国特許第4367924 号参照）。こ
の素子における最も重要な技術課題は強誘電性液晶分子
を基板面に平行あるいはほぼ平行なある優先方位に揃え
て配列させることである。上記公開公報によれば強磁場
の印加あるいはずり応力を加えることによって上記配列
が得られるとの報告がされている。しかし、一般に液晶
層が数μｍの薄さになるとかなり強い磁場を加えても一
様に配列した素子を得るのが難しく、仮に得られるとし
ても生産プロセス上実用性に乏しいと言える。ずり応力
の場合も同様で、実用性に乏しい。一方、従来のネマチ
ック液晶やコレステリック液晶の配列制御に用いていた
ＳｉＯ斜方蒸着膜あるいは高分子膜をある特定な方向に
布等でこする（ラビング）方法などでは十分な配列が得
られず、コントラストが悪いといった問題がある。
鑑みて強誘電性液晶を用いた素子の報告がある（特開昭
56−107216号公報又は米国特許第4367924 号参照）。こ
の素子における最も重要な技術課題は強誘電性液晶分子
を基板面に平行あるいはほぼ平行なある優先方位に揃え
て配列させることである。上記公開公報によれば強磁場
の印加あるいはずり応力を加えることによって上記配列
が得られるとの報告がされている。しかし、一般に液晶
層が数μｍの薄さになるとかなり強い磁場を加えても一
様に配列した素子を得るのが難しく、仮に得られるとし
ても生産プロセス上実用性に乏しいと言える。ずり応力
の場合も同様で、実用性に乏しい。一方、従来のネマチ
ック液晶やコレステリック液晶の配列制御に用いていた
ＳｉＯ斜方蒸着膜あるいは高分子膜をある特定な方向に
布等でこする（ラビング）方法などでは十分な配列が得
られず、コントラストが悪いといった問題がある。
【０００３】光変調素子の代表例として、液晶表示素子
がある。図１に強誘電性液晶表示素子を示す。二枚のガ
ラス基板２には通称ネサ膜（酸化インジウムと酸化スズ
の薄膜）といわれる透明電極３が形成されており、その
上にポリイミドのような高分子の薄膜をガーゼや布のよ
うな繊維でラビングして、液晶をラビング方向に並べる
配向制御膜４が形成されている。この二枚のガラス基板
２はスペーサ５によって任意の間隔に保たれており、そ
の間に強誘電性液晶１が封入されている。透明電極３か
らはリード線によって外部の電源７に接続されている。
またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合せてあ
る。図１は透過型であるので、光源９を備えている。光
源９から出た入射光Ｉ０は液晶素子を透過して透過光Ｉ
となり、観察者の目に入る。
がある。図１に強誘電性液晶表示素子を示す。二枚のガ
ラス基板２には通称ネサ膜（酸化インジウムと酸化スズ
の薄膜）といわれる透明電極３が形成されており、その
上にポリイミドのような高分子の薄膜をガーゼや布のよ
うな繊維でラビングして、液晶をラビング方向に並べる
配向制御膜４が形成されている。この二枚のガラス基板
２はスペーサ５によって任意の間隔に保たれており、そ
の間に強誘電性液晶１が封入されている。透明電極３か
らはリード線によって外部の電源７に接続されている。
またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合せてあ
る。図１は透過型であるので、光源９を備えている。光
源９から出た入射光Ｉ０は液晶素子を透過して透過光Ｉ
となり、観察者の目に入る。
【０００４】図２は図１の液晶１に電圧を印加したとき
の強誘電性液晶分子１０の動きを説明する図である。電
極３を通して液晶１に電界Ｅを印加すると、電界の向き
に応じて状態（Ａ）か状態（Ｂ）のような配列構造をと
る。（Ａ）の状態は液晶分子１０の長軸方向１０１が一
方の偏光板８の偏光軸方向８１と一致している。（Ｂ）
の状態は長軸方向１０１が偏光軸方向８１から離れた状
態で液晶分子１０１は配列方向１２（この場合ラビング
方向）となす角度θ分だけ動く。よって（Ａ）の状態で
は複屈折が起きない。もう一方の偏光板８の偏光軸８２
が最初の偏光板８の偏光軸８１とほぼ直交するように配
置してあると、観察者に対して透過光Ｉの強度は弱く、
暗く見える。（Ｂ）の状態では長軸方向１０１が偏光軸
方向８１から２θ離れるので、透過光Ｉは明るく見え
る。このように電界の向きを変える、すなわち（＋）、
（−）することによって、表示をする。なおθはπ／８
（２２．５°）でコントラストは最大となる。
の強誘電性液晶分子１０の動きを説明する図である。電
極３を通して液晶１に電界Ｅを印加すると、電界の向き
に応じて状態（Ａ）か状態（Ｂ）のような配列構造をと
る。（Ａ）の状態は液晶分子１０の長軸方向１０１が一
方の偏光板８の偏光軸方向８１と一致している。（Ｂ）
の状態は長軸方向１０１が偏光軸方向８１から離れた状
態で液晶分子１０１は配列方向１２（この場合ラビング
方向）となす角度θ分だけ動く。よって（Ａ）の状態で
は複屈折が起きない。もう一方の偏光板８の偏光軸８２
が最初の偏光板８の偏光軸８１とほぼ直交するように配
置してあると、観察者に対して透過光Ｉの強度は弱く、
暗く見える。（Ｂ）の状態では長軸方向１０１が偏光軸
方向８１から２θ離れるので、透過光Ｉは明るく見え
る。このように電界の向きを変える、すなわち（＋）、
（−）することによって、表示をする。なおθはπ／８
（２２．５°）でコントラストは最大となる。
【０００５】ところで、液晶が二色性を有している場合
には図３に示した素子構成で光変調機能を持つことはよ
く知られている。この場合通常、偏光板８はどちらか一
方のガラス基板２の外側に設置されている。図４は図３
の液晶１に電圧を印加したときの強誘電性液晶１０と二
色性色素１１の動きを説明する図である。液晶が強誘電
性と二色性を併せ持つためには、強誘電性液晶分子自体
が二色性を示す場合と、この図のように強誘電性液晶１
０に二色性色素１１を混入させる場合とがあるが後者の
方が一般的である。
には図３に示した素子構成で光変調機能を持つことはよ
く知られている。この場合通常、偏光板８はどちらか一
方のガラス基板２の外側に設置されている。図４は図３
の液晶１に電圧を印加したときの強誘電性液晶１０と二
色性色素１１の動きを説明する図である。液晶が強誘電
性と二色性を併せ持つためには、強誘電性液晶分子自体
が二色性を示す場合と、この図のように強誘電性液晶１
０に二色性色素１１を混入させる場合とがあるが後者の
方が一般的である。
【０００６】電極３を通して液晶１に電界Ｅを印加する
と、電界の向きに応じて状態（Ａ）か状態（Ｂ）のよう
な配列構造をとる。（Ａ）の状態は液晶分子１０の長軸
方向１０１が偏光板８の偏光軸方向８１と一致してい
る。（Ｂ）の状態は長軸方向１０１が偏光軸方向８１か
ら離れた状態で液晶分子１０１は配列方向１２（この場
合ラビング方向）となす角度θ分だけ動く。よって
（Ａ）の状態では長軸方向に吸収を持つ液晶では観察者
に対して透過光Ｉの強度は弱く、暗く見える。（Ｂ）の
状態では長軸方向１０１が偏光軸方向８１から２θ離れ
るので、透過光Ｉは明るく見える。このように電界の向
きを変える、すなわち（＋）、（−）することによっ
て、表示をする。なおθはπ／４（４５°）でコントラ
ストは最大となる。
と、電界の向きに応じて状態（Ａ）か状態（Ｂ）のよう
な配列構造をとる。（Ａ）の状態は液晶分子１０の長軸
方向１０１が偏光板８の偏光軸方向８１と一致してい
る。（Ｂ）の状態は長軸方向１０１が偏光軸方向８１か
ら離れた状態で液晶分子１０１は配列方向１２（この場
合ラビング方向）となす角度θ分だけ動く。よって
（Ａ）の状態では長軸方向に吸収を持つ液晶では観察者
に対して透過光Ｉの強度は弱く、暗く見える。（Ｂ）の
状態では長軸方向１０１が偏光軸方向８１から２θ離れ
るので、透過光Ｉは明るく見える。このように電界の向
きを変える、すなわち（＋）、（−）することによっ
て、表示をする。なおθはπ／４（４５°）でコントラ
ストは最大となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は生産プロセス
上実用性の高い強誘電性液晶分子の配列制御法を提供
し、その結果として応答性に優れ、かつコントラストの
良い液晶光変調素子を得ることを目的とする。
上実用性の高い強誘電性液晶分子の配列制御法を提供
し、その結果として応答性に優れ、かつコントラストの
良い液晶光変調素子を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような液
晶光変調素子において、液晶層が強誘電性を有し、かつ
二色性を有し、さらにスメクチックＡ相及びコレステリ
ック相となる温度領域を有すること、基板に付設する配
列制御手段としてラビングしたポリイミド膜を用いるこ
とを特徴としている。
晶光変調素子において、液晶層が強誘電性を有し、かつ
二色性を有し、さらにスメクチックＡ相及びコレステリ
ック相となる温度領域を有すること、基板に付設する配
列制御手段としてラビングしたポリイミド膜を用いるこ
とを特徴としている。
【０００９】
【作用】コレステリック相となる温度領域に温度を設定
すると、現在実用に供されているラビング法や斜法蒸着
法が液晶分子の配列制御に有効である。また一度一様な
配列が達成され強誘電性を示す温度領域までゆっくり温
度を変化させた時には、液晶がスメクチックＡ相となる
温度領域を有することから温度降下時に電圧を印加しな
くてもスメクチックＡ相の状態で一様なレイヤー構造を
得ることができ、さらに配列制御手段がラビングしたポ
リイミド膜であることがあいまって、コレステリック相
→スメクチックＡ相→スメクチックＣ* 相と多段階に相
変化しても配列制御手段として例えばＰＶＡを用いる場
合と比較して、一様な配列がそのまま保持される。この
特性を利用すれば現在生産ラインで用いられている配列
制御法がそのまま強誘電性液晶にも適用されるのであ
る。
すると、現在実用に供されているラビング法や斜法蒸着
法が液晶分子の配列制御に有効である。また一度一様な
配列が達成され強誘電性を示す温度領域までゆっくり温
度を変化させた時には、液晶がスメクチックＡ相となる
温度領域を有することから温度降下時に電圧を印加しな
くてもスメクチックＡ相の状態で一様なレイヤー構造を
得ることができ、さらに配列制御手段がラビングしたポ
リイミド膜であることがあいまって、コレステリック相
→スメクチックＡ相→スメクチックＣ* 相と多段階に相
変化しても配列制御手段として例えばＰＶＡを用いる場
合と比較して、一様な配列がそのまま保持される。この
特性を利用すれば現在生産ラインで用いられている配列
制御法がそのまま強誘電性液晶にも適用されるのであ
る。
【００１０】また液晶が二色性を有し図３の素子構成と
することで素子全体にわたって変調特性が均一となる。
図１の構成の素子では複屈折減少を光変調の原理とする
ために、仮に素子内の部分部分でセル厚（液晶層の厚
み）が仮に０．５μｍ程度違っただけでコントラストは
大巾に変動するし、表示素子として使用した場合は顕著
な色むらとして表示品質を落とすことになる。ところ
が、本発明の構成では、透過光強度の変化は液晶の配列
変化による光吸収の変化に基づく。そのためセル厚の違
いは多少のコントラスト変動を生むことはあっても色相
が変化することは無く、表示品質の高い素子を提供す
る。しかも、セル厚の精密な制御（例えば０．１μｍ以
下の変動）を必要としないため生産プロセス上も実用性
が高い。
することで素子全体にわたって変調特性が均一となる。
図１の構成の素子では複屈折減少を光変調の原理とする
ために、仮に素子内の部分部分でセル厚（液晶層の厚
み）が仮に０．５μｍ程度違っただけでコントラストは
大巾に変動するし、表示素子として使用した場合は顕著
な色むらとして表示品質を落とすことになる。ところ
が、本発明の構成では、透過光強度の変化は液晶の配列
変化による光吸収の変化に基づく。そのためセル厚の違
いは多少のコントラスト変動を生むことはあっても色相
が変化することは無く、表示品質の高い素子を提供す
る。しかも、セル厚の精密な制御（例えば０．１μｍ以
下の変動）を必要としないため生産プロセス上も実用性
が高い。
【００１１】
液晶の配列を制御するためにポリイミド−イソ−インド
ロキナゾリンジオン膜を酸化インジウム透明電極が設け
られているガラス基板上に設け、一定方向にガーゼを用
いてラビングした。２枚のガラス基板が平行となるよう
に直径８μｍのガラスファイバーをスペーサとして組立
て、シール材で液晶を封入するための入口を除いて周囲
をシールして液晶セルとした。このセルに下記化学式で
表わされるｐ−オクチルオキシ安息香酸４’−２メチル
ブトキシフェニルエステルを真空封入した。
ロキナゾリンジオン膜を酸化インジウム透明電極が設け
られているガラス基板上に設け、一定方向にガーゼを用
いてラビングした。２枚のガラス基板が平行となるよう
に直径８μｍのガラスファイバーをスペーサとして組立
て、シール材で液晶を封入するための入口を除いて周囲
をシールして液晶セルとした。このセルに下記化学式で
表わされるｐ−オクチルオキシ安息香酸４’−２メチル
ブトキシフェニルエステルを真空封入した。
【００１２】
【００１３】この化合物は下記のように転移し、強誘電
性液晶相となる温度領域とスメクチックＡ相及びコレス
テリック相となる温度領域とを有する。
性液晶相となる温度領域とスメクチックＡ相及びコレス
テリック相となる温度領域とを有する。
【００１４】
【００１５】ここで、Ｃｒ：結晶相，ＳA ：スメクチッ
クＡ相，ＳC * ：スメクチックＣ*相（強誘電性液晶
相），Ｃｈ：コレステリック相，Ｉ：等方性液体相を示
す。さて、真空封入は等方性液体相となる温度に昇温し
行い、封入後強誘電性液晶相となる温度領域まで降温さ
せ、液晶の配列状況の観察及び光変調性能についての実
験を行った。
クＡ相，ＳC * ：スメクチックＣ*相（強誘電性液晶
相），Ｃｈ：コレステリック相，Ｉ：等方性液体相を示
す。さて、真空封入は等方性液体相となる温度に昇温し
行い、封入後強誘電性液晶相となる温度領域まで降温さ
せ、液晶の配列状況の観察及び光変調性能についての実
験を行った。
【００１６】〔参考例〕 実施例と同様にして作製した液晶セルに強誘電性液晶化
合物であるｐ−デシロキシベンジリデンｐ′−アミノ２
−メチルブチルシンナメート
合物であるｐ−デシロキシベンジリデンｐ′−アミノ２
−メチルブチルシンナメート
【００１７】
【００１８】を真空封入し、強誘電性液晶相となる温度
領域まで降温させ、実施例と同様の実験を行った。上記
化合物は下記のように相転移し、コレステリック相とな
る温度領域を持たない。
領域まで降温させ、実施例と同様の実験を行った。上記
化合物は下記のように相転移し、コレステリック相とな
る温度領域を持たない。
【００１９】
【００２０】ここで、ＳH * ：スメクチックＨ* 相を示
す。 上記のように作製した２つの液晶素子を偏光顕微
鏡を用いて観察したところ両者の間に次のような相違が
見られた。 実施例の場合： ら旋構造に伴う一様なすじが見られ
る。顕微鏡視野内では一様なモノドメインとなってい
る。 参考例の場合： 米粒状のドメインが多数見られる。ら
旋構造に伴うすじは１つ１つのドメイン内では一様に揃
っているがドメイン間では方向にバラツキがある。 次に、この素子を直交した偏光子の間に配置し、２０
Ｖ，５０ＨＺの交流矩形波を印加して透過する光量変化
を測定した。その結果、実施例では １０：１のコント
ラストの光量変化が得られたのに対し、参考例ではわず
かに４：１の光量変化しか得られなかった。また、電界
の極性が変化した時の透過光量変化は、いずれの素子に
おいてもＩｍｓ程度で変化が終了していることが観測さ
れ、従来の液晶素子に比べて、高速で応答することが確
認された。
す。 上記のように作製した２つの液晶素子を偏光顕微
鏡を用いて観察したところ両者の間に次のような相違が
見られた。 実施例の場合： ら旋構造に伴う一様なすじが見られ
る。顕微鏡視野内では一様なモノドメインとなってい
る。 参考例の場合： 米粒状のドメインが多数見られる。ら
旋構造に伴うすじは１つ１つのドメイン内では一様に揃
っているがドメイン間では方向にバラツキがある。 次に、この素子を直交した偏光子の間に配置し、２０
Ｖ，５０ＨＺの交流矩形波を印加して透過する光量変化
を測定した。その結果、実施例では １０：１のコント
ラストの光量変化が得られたのに対し、参考例ではわず
かに４：１の光量変化しか得られなかった。また、電界
の極性が変化した時の透過光量変化は、いずれの素子に
おいてもＩｍｓ程度で変化が終了していることが観測さ
れ、従来の液晶素子に比べて、高速で応答することが確
認された。
【００２１】以上で明らかなように、コレステリック相
となる温度領域を有する実施例で用いた強誘電性液晶の
場合には、従来ネマチック液晶の配列制御に用いていた
方法がそのまま適用でき、強誘電性液晶の一様に配列し
た状態が実現できるのである。このようなことは、実施
例で用いた液晶化合物のみに適用されるものでなく、ス
メスチックＡ相及びコレステリック相となる温度領域を
有する全ての強誘電性液晶に適用されるものであり、二
種以上の化合物の混合液晶であっても同様である。
となる温度領域を有する実施例で用いた強誘電性液晶の
場合には、従来ネマチック液晶の配列制御に用いていた
方法がそのまま適用でき、強誘電性液晶の一様に配列し
た状態が実現できるのである。このようなことは、実施
例で用いた液晶化合物のみに適用されるものでなく、ス
メスチックＡ相及びコレステリック相となる温度領域を
有する全ての強誘電性液晶に適用されるものであり、二
種以上の化合物の混合液晶であっても同様である。
【００２２】さて、実施例において、液晶に二色性色素
を混入させても、混合物がコレステリック相となる温度
領域を有すれば上述したのと同様の効果が観測される。
〔発明の概要〕の項で説明したように、図２において、
長軸方向１０１と偏光軸方向８１とが一致するとき二色
性色素１１の吸収軸もいわゆるゲスト・ホスト効果によ
り液晶の長軸方向１０１すなわち偏光軸方向８１に一致
し、その結果色素特有の光を吸収し、出射光は着色する
（光強度もトータルとして弱くなる）。これに対し、長
軸方向１０１と偏光軸方向８１とが２θ離れた位置で
は、色素による吸収は少なく、入射した光は減衰せず透
過する。実施例のような一様な配列の素子では理想的な
コントラストが得られる。従って、コントラストは二色
性色素の吸光度及び濃度、分子傾き角θ、色素のオーダ
ーパラメータ（液晶の長軸方向に色素が配列する程度を
表す）、液晶セル厚の関数として与えられる。
を混入させても、混合物がコレステリック相となる温度
領域を有すれば上述したのと同様の効果が観測される。
〔発明の概要〕の項で説明したように、図２において、
長軸方向１０１と偏光軸方向８１とが一致するとき二色
性色素１１の吸収軸もいわゆるゲスト・ホスト効果によ
り液晶の長軸方向１０１すなわち偏光軸方向８１に一致
し、その結果色素特有の光を吸収し、出射光は着色する
（光強度もトータルとして弱くなる）。これに対し、長
軸方向１０１と偏光軸方向８１とが２θ離れた位置で
は、色素による吸収は少なく、入射した光は減衰せず透
過する。実施例のような一様な配列の素子では理想的な
コントラストが得られる。従って、コントラストは二色
性色素の吸光度及び濃度、分子傾き角θ、色素のオーダ
ーパラメータ（液晶の長軸方向に色素が配列する程度を
表す）、液晶セル厚の関数として与えられる。
【００２３】参考例のように多数のドメインが見られる
素子では偏光軸８１に対する色素の吸収軸がドメイン毎
にばらつき、結果として光量変化が実施例に比べて大幅
に劣ることとなる。
素子では偏光軸８１に対する色素の吸収軸がドメイン毎
にばらつき、結果として光量変化が実施例に比べて大幅
に劣ることとなる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、応答性がよくコントラ
ストの良い液晶光変調素子を得ることができる。
ストの良い液晶光変調素子を得ることができる。
【図１】 液晶を用いた光変調素子の概略を示す側断面
図。
図。
【図２】 図２（Ａ），（Ｂ）は図１の素子に電圧を印
加したときの液晶分子の動きを説明する概略図。
加したときの液晶分子の動きを説明する概略図。
【図３】 二色性を有する液晶を用いた光変調素子の概
略を示す側断面図。
略を示す側断面図。
【図４】 図４（Ａ），（Ｂ）は図３の素子に電圧を印
加したときの液晶分子の動きを説明する概略図。
加したときの液晶分子の動きを説明する概略図。
２…基板、３…透明電極、４…配列制御膜、５…スペー
サ、７…電源、８…偏光板、９…光源、１０…強誘電性
液晶
サ、７…電源、８…偏光板、９…光源、１０…強誘電性
液晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 輝夫 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 向尾 昭夫 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社 日立製作所 日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭56−107216（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−84435（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 液晶層と、該液晶層を挾持するように配
置し、かつ少なくとも一枚が透明でしかも少なくとも一
枚の偏光子が付設されている複数の基板と、前記液晶層
への電圧印加が可能となるように前記基板に付設した電
圧印加手段と、近接する前記液晶分子を基板に平行ある
いはほぼ平行なある優先方位に配列させるように前記基
板に付設した配列制御手段と、前記液晶層周辺を囲むよ
うに前記基板間に形成したシール部材とを具備してなる
液晶光変調素子において、前記配列制御手段はラビング
したポリイミド膜であって、かつ前記液晶は強誘電性を
有し、かつ二色性を有し、さらにはスメクチックＡ相及
びコレステリック相となる温度領域を有することを特徴
とする液晶光変調素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099325A JPS59224823A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 液晶光変調素子 |
| JP4244525A JPH0743476B2 (ja) | 1983-06-06 | 1992-09-14 | 液晶光変調素子 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099325A JPS59224823A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 液晶光変調素子 |
| JP4244525A JPH0743476B2 (ja) | 1983-06-06 | 1992-09-14 | 液晶光変調素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58099325A Division JPS59224823A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 液晶光変調素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05346584A JPH05346584A (ja) | 1993-12-27 |
| JPH0743476B2 true JPH0743476B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=26440465
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58099325A Granted JPS59224823A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 液晶光変調素子 |
| JP4244525A Expired - Lifetime JPH0743476B2 (ja) | 1983-06-06 | 1992-09-14 | 液晶光変調素子 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58099325A Granted JPS59224823A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 液晶光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS59224823A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0754382B2 (ja) * | 1984-12-27 | 1995-06-07 | 旭硝子株式会社 | 液晶電気光学装置の製造方法 |
| JPH0774867B2 (ja) * | 1985-02-15 | 1995-08-09 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPH0750272B2 (ja) * | 1985-05-02 | 1995-05-31 | 旭硝子株式会社 | 強誘電性スメクチック液晶電気光学装置の製造方法 |
| JPH0752263B2 (ja) * | 1985-07-10 | 1995-06-05 | 株式会社日立製作所 | 強誘電性液晶素子 |
| JPS62295021A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Canon Inc | 液晶素子の製造方法 |
| JPH0766125B2 (ja) * | 1986-09-02 | 1995-07-19 | キヤノン株式会社 | カイラルスメクチック液晶素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5784435A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Casio Comput Co Ltd | Liquid crystal display device |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP58099325A patent/JPS59224823A/ja active Granted
-
1992
- 1992-09-14 JP JP4244525A patent/JPH0743476B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0363725B2 (ja) | 1991-10-02 |
| JPH05346584A (ja) | 1993-12-27 |
| JPS59224823A (ja) | 1984-12-17 |
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