JPH0743585A - ズーム位置検出装置 - Google Patents
ズーム位置検出装置Info
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- JPH0743585A JPH0743585A JP20684093A JP20684093A JPH0743585A JP H0743585 A JPH0743585 A JP H0743585A JP 20684093 A JP20684093 A JP 20684093A JP 20684093 A JP20684093 A JP 20684093A JP H0743585 A JPH0743585 A JP H0743585A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価なＡ／Ｄ変換器を使用しつつ、該Ａ／Ｄ
変換器による分解能を向上させる。 【構成】 可変抵抗器１とＡ／Ｄ変換器４へ同一の基準
電圧を印加する電圧発生手段１１と、前記基準電圧の上
限値あるいは下限値を基準として、可変抵抗器の出力を
ｍ倍してＡ／Ｄ変換器へ選択的に入力させる選択手段
３，５〜１０とを設け、可変抵抗器のその時の出力に応
じて、基準電圧の下限値を基準としてｍ倍して、又は基
準電圧の上限値を基準としてｍ倍して、Ａ／Ｄ変換器へ
選択的に入力させるようにしている
変換器による分解能を向上させる。 【構成】 可変抵抗器１とＡ／Ｄ変換器４へ同一の基準
電圧を印加する電圧発生手段１１と、前記基準電圧の上
限値あるいは下限値を基準として、可変抵抗器の出力を
ｍ倍してＡ／Ｄ変換器へ選択的に入力させる選択手段
３，５〜１０とを設け、可変抵抗器のその時の出力に応
じて、基準電圧の下限値を基準としてｍ倍して、又は基
準電圧の上限値を基準としてｍ倍して、Ａ／Ｄ変換器へ
選択的に入力させるようにしている
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ズーム位置に相当する
分圧出力を発生する可変抵抗器と、該可変抵抗器よりの
出力をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器とを備えたズーム位
置検出装置の改良に関するものである。
分圧出力を発生する可変抵抗器と、該可変抵抗器よりの
出力をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器とを備えたズーム位
置検出装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のズームカメラにおいては、例えば
ズーム鏡筒上に接片（スライダ）を、カメラ本体側に前
記接片が摺動する抵抗を、それぞれ設け（これにより可
変抵抗器を成している）、これにより１６段階ぐらいに
分割してズーム位置を検出する構成となっていた。
ズーム鏡筒上に接片（スライダ）を、カメラ本体側に前
記接片が摺動する抵抗を、それぞれ設け（これにより可
変抵抗器を成している）、これにより１６段階ぐらいに
分割してズーム位置を検出する構成となっていた。
【０００３】これに対し、近年においては、ズーム鏡筒
の高倍率化、小型化により、例えば三群構成のレンズ群
で、二つのレンズ群を鏡筒ヘリコイドで決めるズーム位
置に合せて、残りの一つのレンズ群を電子的に制御する
ような構成のものも出てきている。
の高倍率化、小型化により、例えば三群構成のレンズ群
で、二つのレンズ群を鏡筒ヘリコイドで決めるズーム位
置に合せて、残りの一つのレンズ群を電子的に制御する
ような構成のものも出てきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
様なズームを行うものにおいて、高倍率になると、ズー
ム位置に対してフォーカスの移動量や位置が変化すると
同時にフォーカス敏感度が高くなり、「３５〜１１５ｍ
ｍ」クラスのズームであると、「２００〜３００」分割
してズーム位置を検出しなければならないが、電池で動
くカメラの場合、ズーム位置を可変抵抗器の出力をＡ／
Ｄ変換して求めているがＡ／Ｄ変換器の分解能の制約が
あり、上記の様に「２００〜３００」分割するには高価
なＡ／Ｄ変換器を備える必要があった。
様なズームを行うものにおいて、高倍率になると、ズー
ム位置に対してフォーカスの移動量や位置が変化すると
同時にフォーカス敏感度が高くなり、「３５〜１１５ｍ
ｍ」クラスのズームであると、「２００〜３００」分割
してズーム位置を検出しなければならないが、電池で動
くカメラの場合、ズーム位置を可変抵抗器の出力をＡ／
Ｄ変換して求めているがＡ／Ｄ変換器の分解能の制約が
あり、上記の様に「２００〜３００」分割するには高価
なＡ／Ｄ変換器を備える必要があった。
【０００５】また、ズーム位置をＡ／Ｄ変換器を介して
求める構成のものにおいては、該Ａ／Ｄ変換器の種類に
よっては可変抵抗器よりの入力電圧が小さい場合、正確
なＡ／Ｄ変換を出来ない領域が存在していた。このた
め、従来では、図７に示す様に、正確にＡ／Ｄ変換が可
能な入力レベルに達した位置をＷＩＤＥ（広角）端とし
てＡ／Ｄ変換器を設定し、ズーム位置検出を行うように
していた。
求める構成のものにおいては、該Ａ／Ｄ変換器の種類に
よっては可変抵抗器よりの入力電圧が小さい場合、正確
なＡ／Ｄ変換を出来ない領域が存在していた。このた
め、従来では、図７に示す様に、正確にＡ／Ｄ変換が可
能な入力レベルに達した位置をＷＩＤＥ（広角）端とし
てＡ／Ｄ変換器を設定し、ズーム位置検出を行うように
していた。
【０００６】しかしながら、このような構成の場合、Ｗ
ＩＤＥ端とＴＥＬＥ（望遠）端との距離（ズーム鏡筒の
移動ストローク）が短くなり、精度の良いズーム位置検
出が困難であった。
ＩＤＥ端とＴＥＬＥ（望遠）端との距離（ズーム鏡筒の
移動ストローク）が短くなり、精度の良いズーム位置検
出が困難であった。
【０００７】（発明の目的）本発明の目的は、安価なＡ
／Ｄ変換器を使用しつつ、該Ａ／Ｄ変換器の分解能を向
上させることのできるズーム位置検出装置を提供するこ
とである。
／Ｄ変換器を使用しつつ、該Ａ／Ｄ変換器の分解能を向
上させることのできるズーム位置検出装置を提供するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、可変抵抗器と
Ａ／Ｄ変換器へ同一の基準電圧を印加する電圧発生手段
と、前記基準電圧の上限値あるいは下限値を基準とし
て、可変抵抗器の出力をｍ倍してＡ／Ｄ変換器へ選択的
に入力させる選択手段とを設け、可変抵抗器のその時の
出力に応じて、基準電圧の下限値を基準としてｍ倍し
て、又は基準電圧の上限値を基準としてｍ倍して、Ａ／
Ｄ変換器へ選択的に入力させるようにしている。
Ａ／Ｄ変換器へ同一の基準電圧を印加する電圧発生手段
と、前記基準電圧の上限値あるいは下限値を基準とし
て、可変抵抗器の出力をｍ倍してＡ／Ｄ変換器へ選択的
に入力させる選択手段とを設け、可変抵抗器のその時の
出力に応じて、基準電圧の下限値を基準としてｍ倍し
て、又は基準電圧の上限値を基準としてｍ倍して、Ａ／
Ｄ変換器へ選択的に入力させるようにしている。
【０００９】また、本発明は、可変抵抗器とＡ／Ｄ変換
器へ同一の基準電圧を印加する電圧発生手段と、可変抵
抗器の抵抗と同一条件にて製作され、該可変抵抗器に直
列に接続されるオフセット用の抵抗とを設け、オフセッ
ト用の抵抗によって発生するオフセット電圧を可変抵抗
器の出力に加え、可変抵抗器の可動領域全ての出力がＡ
／Ｄ変換されるようにしている。
器へ同一の基準電圧を印加する電圧発生手段と、可変抵
抗器の抵抗と同一条件にて製作され、該可変抵抗器に直
列に接続されるオフセット用の抵抗とを設け、オフセッ
ト用の抵抗によって発生するオフセット電圧を可変抵抗
器の出力に加え、可変抵抗器の可動領域全ての出力がＡ
／Ｄ変換されるようにしている。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図３は本発明の第１の実施例におけるズー
ム位置検出装置を具備したズームカメラの概略構成を示
す断面図である。
ム位置検出装置を具備したズームカメラの概略構成を示
す断面図である。
【００１２】図３において、３１はズーム撮影光学系を
構成するレンズ３２，３３を支持して移動するズーム鏡
筒、３４はズーム鏡筒３１を支持する部材、３５はカメ
ラ本体である。３６はズーム鏡筒３４の内壁に設けられ
たスライダ３７とによりズーム位置に応じた出力を発生
する可変抵抗器である。
構成するレンズ３２，３３を支持して移動するズーム鏡
筒、３４はズーム鏡筒３１を支持する部材、３５はカメ
ラ本体である。３６はズーム鏡筒３４の内壁に設けられ
たスライダ３７とによりズーム位置に応じた出力を発生
する可変抵抗器である。
【００１３】図１はズーム位置検出装置の主要部分の電
気的構成を示す回路図であり、図中、１は図３中の可変
抵抗器３６であり、基準電圧として「ＫＶＣ−ＧＮＤ」
が入力され、ズーム位置に応じた分圧電圧を発生する。
２は増幅率が１倍のバッファアンプであり、可変抵抗器
１の出力をそのまま出力する（図２のＳ２がこの出力に
相当する）。３は前記バッファアンプ２と後述のアンプ
５からの入力の何れかを不図示の制御回路の指示にした
がって選択するセレクタ、４はＡ／Ｄ変換器である。
気的構成を示す回路図であり、図中、１は図３中の可変
抵抗器３６であり、基準電圧として「ＫＶＣ−ＧＮＤ」
が入力され、ズーム位置に応じた分圧電圧を発生する。
２は増幅率が１倍のバッファアンプであり、可変抵抗器
１の出力をそのまま出力する（図２のＳ２がこの出力に
相当する）。３は前記バッファアンプ２と後述のアンプ
５からの入力の何れかを不図示の制御回路の指示にした
がって選択するセレクタ、４はＡ／Ｄ変換器である。
【００１４】５は前記バッファアンプ２を介する可変抵
抗器１の出力Ｓ２を図２のＳ１又はＳ３の出力に増幅し
て出力するアンプである。６，７は不図示の制御回路か
らの信号ＧＡＩＮによってＯＮ／ＯＦＦが制御されるア
ナログスイッチであり、前記アンプ５の反転入力端子へ
の基準電圧をＧＮＤかＫＶＣに切換え、該アンプ５の出
力を図２のＳ１又はＳ３に設定する働きを持つ。８，９
は前記アンプ５の基準電圧に対する出力Ｓ２の増幅率を
設定する抵抗であり、それぞれの抵抗値Ｒ１，Ｒ２は
「１＜Ｒ２／Ｒ１＜２」の関係に設定されている。
抗器１の出力Ｓ２を図２のＳ１又はＳ３の出力に増幅し
て出力するアンプである。６，７は不図示の制御回路か
らの信号ＧＡＩＮによってＯＮ／ＯＦＦが制御されるア
ナログスイッチであり、前記アンプ５の反転入力端子へ
の基準電圧をＧＮＤかＫＶＣに切換え、該アンプ５の出
力を図２のＳ１又はＳ３に設定する働きを持つ。８，９
は前記アンプ５の基準電圧に対する出力Ｓ２の増幅率を
設定する抵抗であり、それぞれの抵抗値Ｒ１，Ｒ２は
「１＜Ｒ２／Ｒ１＜２」の関係に設定されている。
【００１５】１０はインバータ、１１は可変抵抗器１と
Ａ／Ｄ変換器４へ同一の基準電圧を印加する定電圧発生
回路である。
Ａ／Ｄ変換器４へ同一の基準電圧を印加する定電圧発生
回路である。
【００１６】図２は上記バッファアンプ２及びアンプ５
の出力の様子を示す図であり、前述した様に、Ｓ２は１
倍の増幅率を持つバッファアンプ２の出力、Ｓ１はアン
プ５の基準電圧としてＧＮＤが選択されている際の該ア
ンプ５の出力、Ｓ３はアンプ５の基準電圧としてＫＶＣ
が選択されている際の該アンプ５の出力である。また、
ＶINはズーム位置がＷＩＤＥ端とＴＥＬＥ端の概略中間
の位置時（１／２・ＫＶＣ時）における可変抵抗器１の
出力である。
の出力の様子を示す図であり、前述した様に、Ｓ２は１
倍の増幅率を持つバッファアンプ２の出力、Ｓ１はアン
プ５の基準電圧としてＧＮＤが選択されている際の該ア
ンプ５の出力、Ｓ３はアンプ５の基準電圧としてＫＶＣ
が選択されている際の該アンプ５の出力である。また、
ＶINはズーム位置がＷＩＤＥ端とＴＥＬＥ端の概略中間
の位置時（１／２・ＫＶＣ時）における可変抵抗器１の
出力である。
【００１７】上記の出力Ｓ２とＳ１，Ｓ３の関係から明
らかなように、この実施例では、出力Ｓ２を概略２倍に
増幅するが、Ａ／Ｄ変換器４のＡ／Ｄ入力範囲に制約が
ある為に単純には２倍にできないことから、ズーム位置
検出時の出力Ｓ２が概略１／２・ＫＶＣ以下であるかそ
れ以上かに応じて、アンプ５の基準電圧をＧＮＤとＫＶ
Ｃとに切換え、これを実現するようにしている。
らかなように、この実施例では、出力Ｓ２を概略２倍に
増幅するが、Ａ／Ｄ変換器４のＡ／Ｄ入力範囲に制約が
ある為に単純には２倍にできないことから、ズーム位置
検出時の出力Ｓ２が概略１／２・ＫＶＣ以下であるかそ
れ以上かに応じて、アンプ５の基準電圧をＧＮＤとＫＶ
Ｃとに切換え、これを実現するようにしている。
【００１８】上記構成において、不図示の制御回路は、
先ずセレクタ３にバッファアンプ４の出力Ｓ２を選択さ
せ、これをＡ／Ｄ変換器４によってＡ／Ｄ変換させ、現
在のズーム位置が１／２・ＫＶＣ以下であるか否かを判
別する。
先ずセレクタ３にバッファアンプ４の出力Ｓ２を選択さ
せ、これをＡ／Ｄ変換器４によってＡ／Ｄ変換させ、現
在のズーム位置が１／２・ＫＶＣ以下であるか否かを判
別する。
【００１９】この結果、もし１／２・ＫＶＣ以下であれ
ば、ローレベルの信号ＧＡＩＮを出力し、アナログスイ
ッチ７のみをＯＮさせ、アンプ５の基準電圧をＧＮＤに
設定する。これにより、出力Ｓ２の１／２以下の出力が
Ｓ１に示すように増幅されてアンプ５から出力されるよ
うになる。
ば、ローレベルの信号ＧＡＩＮを出力し、アナログスイ
ッチ７のみをＯＮさせ、アンプ５の基準電圧をＧＮＤに
設定する。これにより、出力Ｓ２の１／２以下の出力が
Ｓ１に示すように増幅されてアンプ５から出力されるよ
うになる。
【００２０】一方、１／２・ＫＶＣ以上であれば、ハイ
レベルの信号ＧＡＩＮを出力し、アナログスイッチ６の
みをＯＮさせ、アンプ５の基準電圧をＫＶＣに設定す
る。これにより、出力Ｓ２の１／２以上の出力がＳ３に
示すように増幅されてアンプ５から出力されるようにな
る。
レベルの信号ＧＡＩＮを出力し、アナログスイッチ６の
みをＯＮさせ、アンプ５の基準電圧をＫＶＣに設定す
る。これにより、出力Ｓ２の１／２以上の出力がＳ３に
示すように増幅されてアンプ５から出力されるようにな
る。
【００２１】この実施例によれば、可変抵抗器１の出力
を、基準電圧の下限と上限それぞれを基準として、ｍ倍
（１＜ｍ＜２）する回路を設けている為、Ａ／Ｄ変換器
をそのままとして分解能力を上げることが可能となっ
た。
を、基準電圧の下限と上限それぞれを基準として、ｍ倍
（１＜ｍ＜２）する回路を設けている為、Ａ／Ｄ変換器
をそのままとして分解能力を上げることが可能となっ
た。
【００２２】また、基準電圧ＫＶＣの１／２の入力の場
合、ｍを２倍未満とすることにより、下限／上限両方で
Ａ／Ｄ変換できることになり、各々の倍率の誤差があっ
た場合でも補正が可能となり、出力Ｓ１とＳ３のつなが
りがうまく切換わらないといった事態を確実に避けるこ
とができる。
合、ｍを２倍未満とすることにより、下限／上限両方で
Ａ／Ｄ変換できることになり、各々の倍率の誤差があっ
た場合でも補正が可能となり、出力Ｓ１とＳ３のつなが
りがうまく切換わらないといった事態を確実に避けるこ
とができる。
【００２３】また、可変抵抗器１とＡ／Ｄ変換器４の基
準電圧を同一することによって、電源変動に対してもＡ
／Ｄ変換値が一定の比率の出力で得られるので、精度が
保障される。
準電圧を同一することによって、電源変動に対してもＡ
／Ｄ変換値が一定の比率の出力で得られるので、精度が
保障される。
【００２４】（第２の実施例）図４は本発明の第２の実
施例におけるズーム位置検出装置の概略構成を示すブロ
ック図である。
施例におけるズーム位置検出装置の概略構成を示すブロ
ック図である。
【００２５】図４において、４１はズーム位置に応じた
分圧電圧を発生する可変抵抗器であり、内部は抵抗Ｒと
Ｒ´の直列構成となっており、図５に示す様に抵抗Ｒ´
によるオフセット出力を持っている。４２は前記可変抵
抗器４１からの出力をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器、４
３は前記可変抵抗器４１とＡ／Ｄ変換器４２へ同一の基
準電圧ＫＶＣを発生する基準電圧発生回路、４４は電源
であるところの電池である。
分圧電圧を発生する可変抵抗器であり、内部は抵抗Ｒと
Ｒ´の直列構成となっており、図５に示す様に抵抗Ｒ´
によるオフセット出力を持っている。４２は前記可変抵
抗器４１からの出力をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器、４
３は前記可変抵抗器４１とＡ／Ｄ変換器４２へ同一の基
準電圧ＫＶＣを発生する基準電圧発生回路、４４は電源
であるところの電池である。
【００２６】図６は上記可変抵抗器４１の構成を示す図
であり、５１はスライダ、５２は図４の抵抗Ｒ´で示す
オフセット用抵抗、５３は図４の抵抗で示す抵抗、５４
はスライダ５１の分圧値を出力する為の導通パターンで
ある。
であり、５１はスライダ、５２は図４の抵抗Ｒ´で示す
オフセット用抵抗、５３は図４の抵抗で示す抵抗、５４
はスライダ５１の分圧値を出力する為の導通パターンで
ある。
【００２７】ここで、これら抵抗は同一に作る為に温度
変化による差や固体差が無く、分圧値が得られる。
変化による差や固体差が無く、分圧値が得られる。
【００２８】このように、オフセット用抵抗Ｒ´を直列
に設けることにより、限られた電池電源で動く、図７に
示す様にＡ／Ｄ変換範囲が基準電圧のフルレンジにない
ようなＡ／Ｄ変換器４２であっても、図５の様に、可変
抵抗器の可動領域をズーム移動距離に割当てることがで
き、ズーム位置検出精度（分解能）を上げることができ
る。
に設けることにより、限られた電池電源で動く、図７に
示す様にＡ／Ｄ変換範囲が基準電圧のフルレンジにない
ようなＡ／Ｄ変換器４２であっても、図５の様に、可変
抵抗器の可動領域をズーム移動距離に割当てることがで
き、ズーム位置検出精度（分解能）を上げることができ
る。
【００２９】また、可変抵抗器４１とＡ／Ｄ変換器４２
の基準電圧を同一することによって、電源変動に対して
もＡ／Ｄ変換値が一定の比率の出力で得られるので、精
度が保障される。
の基準電圧を同一することによって、電源変動に対して
もＡ／Ｄ変換値が一定の比率の出力で得られるので、精
度が保障される。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
可変抵抗器とＡ／Ｄ変換器へ同一の基準電圧を印加する
電圧発生手段と、前記基準電圧の上限値あるいは下限値
を基準として、可変抵抗器の出力をｍ倍してＡ／Ｄ変換
器へ選択的に入力させる選択手段とを設け、可変抵抗器
のその時の出力に応じて、基準電圧の下限値を基準とし
てｍ倍して、又は基準電圧の上限値を基準としてｍ倍し
て、Ａ／Ｄ変換器へ選択的に入力させるようにしてい
る。
可変抵抗器とＡ／Ｄ変換器へ同一の基準電圧を印加する
電圧発生手段と、前記基準電圧の上限値あるいは下限値
を基準として、可変抵抗器の出力をｍ倍してＡ／Ｄ変換
器へ選択的に入力させる選択手段とを設け、可変抵抗器
のその時の出力に応じて、基準電圧の下限値を基準とし
てｍ倍して、又は基準電圧の上限値を基準としてｍ倍し
て、Ａ／Ｄ変換器へ選択的に入力させるようにしてい
る。
【００３１】また、本発明は、可変抵抗器とＡ／Ｄ変換
器へ同一の基準電圧を印加する電圧発生手段と、可変抵
抗器の抵抗と同一条件にて製作され、該可変抵抗器に直
列に接続されるオフセット用の抵抗とを設け、オフセッ
ト用の抵抗によって発生するオフセット電圧を可変抵抗
器の出力に加え、可変抵抗器の可動領域全ての出力がＡ
／Ｄ変換されるようにしている。
器へ同一の基準電圧を印加する電圧発生手段と、可変抵
抗器の抵抗と同一条件にて製作され、該可変抵抗器に直
列に接続されるオフセット用の抵抗とを設け、オフセッ
ト用の抵抗によって発生するオフセット電圧を可変抵抗
器の出力に加え、可変抵抗器の可動領域全ての出力がＡ
／Ｄ変換されるようにしている。
【００３２】よって、安価なＡ／Ｄ変換器を使用しつ
つ、該Ａ／Ｄ変換器の分解能を向上させることが可能と
なる。
つ、該Ａ／Ｄ変換器の分解能を向上させることが可能と
なる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるズーム位置検出
装置の要部の概略構成を示す回路図である。
装置の要部の概略構成を示す回路図である。
【図２】図１のバッファアンプ２とアンプ５の出力の様
子を示す図である。
子を示す図である。
【図３】図１のズーム位置検出装置を具備したズームカ
メラの要部構成を示す断面図である。
メラの要部構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例におけるズーム位置検出
装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図５】図４の可変抵抗器の出力とズーム位置との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図６】図４の可変抵抗器の構成を示す斜視図である。
【図７】従来のズーム位置情報をＡ／Ｄ変換して得る際
の問題点について説明する為の図である。
の問題点について説明する為の図である。
１，４１ 可変抵抗器 ３ セレクタ ４，４２ Ａ／Ｄ変換器 ５ アンプ ６，７ アナログスイッチ ８，９ 抵抗 １０ インバータ Ｒ´ オフセット用抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】 ズーム位置に相当する分圧出力を発生す
る可変抵抗器と、該可変抵抗器よりの出力をＡ／Ｄ変換
してディジタルのズーム位置情報を出力するＡ／Ｄ変換
器とを備えたズーム位置検出装置において、前記可変抵
抗器とＡ／Ｄ変換器へ同一の基準電圧を印加する電圧発
生手段と、前記基準電圧の上限値あるいは下限値を基準
として、前記可変抵抗器の出力をｍ倍してＡ／Ｄ変換器
へ選択的に入力させる選択手段とを設けたことを特徴と
するズーム位置検出装置。 - 【請求項２】 前記選択手段は、ｍ倍する前の可変抵抗
器の出力に基づいて、ｍ倍する際の基準電圧を上限値か
下限値かに設定する手段であることを特徴とする請求項
１記載のズーム位置検出装置。 - 【請求項３】 可変抵抗器が増幅される倍率ｍは、１＜
ｍ＜２に設定されていることを特徴とする請求項１記載
のズーム位置検出装置。 - 【請求項４】 ズーム位置に相当する分圧出力を発生す
る可変抵抗器と、該可変抵抗器よりの出力をＡ／Ｄ変換
してディジタルのズーム位置情報を出力するＡ／Ｄ変換
器とを備えたズーム位置検出装置において、前記可変抵
抗器とＡ／Ｄ変換器へ同一の基準電圧を印加する電圧発
生手段と、前記可変抵抗器の抵抗と同一条件にて製作さ
れ、該可変抵抗器に直列に接続されるオフセット用の抵
抗とを設けたことを特徴とするズーム位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20684093A JPH0743585A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ズーム位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20684093A JPH0743585A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ズーム位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0743585A true JPH0743585A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16529936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20684093A Pending JPH0743585A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ズーム位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100703204B1 (ko) * | 2005-10-27 | 2007-04-06 | 삼성전기주식회사 | 렌즈 이송장치 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP20684093A patent/JPH0743585A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100703204B1 (ko) * | 2005-10-27 | 2007-04-06 | 삼성전기주식회사 | 렌즈 이송장치 |
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