JPH0743755A - 高調波発生装置 - Google Patents

高調波発生装置

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JPH0743755A
JPH0743755A JP20571793A JP20571793A JPH0743755A JP H0743755 A JPH0743755 A JP H0743755A JP 20571793 A JP20571793 A JP 20571793A JP 20571793 A JP20571793 A JP 20571793A JP H0743755 A JPH0743755 A JP H0743755A
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JP
Japan
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resonator
fundamental wave
optical path
harmonic
wave
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JP20571793A
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English (en)
Inventor
Hiromasa Sato
弘昌 佐藤
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】共振器の自由スペクトル間隔を拡大してロッキ
ングレンジも拡大させ、しかも高調波出力も低下させな
いようにする。 【構成】共振器105は入射面Aに折り返し部を有する
V字型共振器で2つの共振光路をもち、一方が波長変換
に寄与する共振光路110(面AB間、光路長L1 =6
mm)で、他方は非変換共振光路111(面AC間、光
路長L2 =2mm)である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザからの基
本波をKNbO3 結晶等の非線形光学材料によって高調
波へ変換する高調波発生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2には従来の高調波発生装置の一例と
して、モノリシック型V字共振器を用いた第2高調波発
生装置201が示されている。この第2高調波発生装置
は、半導体レーザ(以下LDとする)202、結合光学
系203、NDフィルタ204、及びKNbO3 等の非
線形光学結晶からなるモノリシック型共振器205によ
り構成されている。
【0003】LD202は例えば波長860nmの基本
波206を出射する。モノリシック型共振器205の入
射側端面207は球面状に研磨加工され、誘電体多層膜
の蒸着により基本波に対し一部透過の球面ミラーが形成
されている。出射側端面208、209は平面に研磨加
工され、基本波に対し高反射で高調波に対し高透過の膜
(端面208)及び基本波、高調波ともに高反射の膜
(端面209)がそれぞれ蒸着されている。
【0004】この形状の共振器205においては2つの
共振光路があり、一方が波長変換に寄与する共振光路
(光路長L1 =6mm)210で、他方は非変換共振光
路(光路長L2 =6mm)211である。上記の構成に
おいて、LD202から出射する波長860nmの基本
波206は結合光学系203により集光され、共振モー
ドに整合され、NDフィルタ204を透過した後、共振
器205に入射する。
【0005】入射した基本波206は3つの端面20
7、208、209の間を往復し増幅される。そして基
本波206は共振光路210を共振するときその一部が
波長430nmの第2高調波212に変換され端面20
8より出射される。この構成の第2高調波発生装置20
1では、共振器205からの戻り光213によりLDと
共振器からなる複合共振器の共振周波数の安定化を行っ
ている。
【0006】共振器からの戻り光213が存在する場合
は共振器の透過波長域が拡大し、この拡大した透過域を
ロッキングレンジと称している。ロッキングレンジ内の
LD周波数の変動に対しては、共振周波数の変動が抑制
され安定に第2高調波発生が実現する。このロッキング
レンジは戻り光213の増加にしたがって拡大していく
が、下記数1により決定される自由スペクトル間隔に対
しロッキングレンジの幅が狭ければ、LD周波数の変動
に対し安定に第2高調波を発生することができる。
【0007】
【数1】△ν=c/(n・L1 +n・L2 ) c:光速度、n:共振器屈折率、L1 、L2 :共振光路
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の第
2高調波発生装置においては、戻り光を強くした場合、
ロッキングレンジが重なり合い周波数に対し2つの解を
もち不安定になるという問題があった。これに対しND
フィルタにより戻り光を弱くした場合、入射基本波強度
も低下し第2高調波強度が低下する問題があった。
【0009】また、この重なり合いを防ぐために共振器
長を短縮し自由スペクトル間隔を拡大した場合には、変
換長が短くなり第2高調波発生装置出力が低下するとい
う問題があった。したがって、本発明の目的は用いる共
振器の共振光路のうち非変換光路長を変換光路長の1/
2以下に短縮したことを特徴とする高調波発生装置を供
給することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解消すべくなされたものであり、基本波発生用の半導
体レーザと、基本波を高調波へ変換する非線形光学材料
を含みかつ基本波を共振させる共振器とを備えてなる高
調波発生装置において、前記共振器の共振光路のうち非
変換光路長を変換光路長の1/2以下に短縮したことを
特徴とする高調波発生装置を提供するものである。
【0011】また本発明の好ましい態様として、前記共
振器は非線形光学材料の内部で基本波を共振させるモノ
リシック型共振器であり、基本波の入射面Aと、基本波
の第1の反射面かつ高調波の出射面Bと、基本波の第2
の反射面Cとを有し、前記基本波の入射面Aを折り返し
部とするV字型共振器であり、前記入射面Aと出射面B
間が変換光路で、入射面Aと反射面C間が非変換光路で
あることを特徴とする。
【0012】本発明は、第2高調波発生装置ばかりでな
くその他のより高次の高調波発生装置にも適用できる。
共振器は、非線形光学材料に基本波の一部透過膜、反射
膜、高調波の透過膜等を形成して非線形光学材料自体を
共振器としたモノリシック型共振器、複数の共振用ミラ
ー間の基本波の光軸上に非線形光学材料を配置したディ
スクリート型共振器等が使用できるが、基本波の損失、
構成の簡略化、高調波への変換効率等の点でモノリシッ
ク型共振器がより好ましい。
【0013】非線形光学材料としては、KNbO3 、L
iNbO3 、KTiOPO4 、KH2 PO4 、β−Ba
24 等の非線形光学結晶、その他有機非線形光学材
料等が好ましく使用できる。
【0014】
【作用】本発明の高調波発生装置は共振器の共振光路の
うち非変換光路長を変換光路長の1/2以下に短縮する
ことにより、高調波出力を低下させることなくロッキン
グレンジ拡大時の安定性を向上させることが可能とな
る。
【0015】
【実施例】以下本発明の実施例を図1に基づいて説明す
る。図1には本発明を適用した第2高調波発生装置10
1の基本構成が示されている。本発明は第2高調波発生
に限定されるものではなく、より高次の高調波発生にお
いても適用可能である。
【0016】この第2高調波発生装置101はレーザー
光源としてのLD102、凸レンズ、凹レンズ等の光学
レンズからなる結合光学系103、ND(Neutra
l・Density)フィルタ104、KNbO3 結晶
等からなるモノリシック型共振器105が順次配列され
て構成されている。
【0017】LD101は本実施例では波長860n
m、単一縦横モードの非点収差が少ないものが用いられ
基本波106を出射する。基本波106は結合光学系1
03により集光され共振モードに整合され、NDフィル
タ104を透過した後、共振器105に入射する。モノ
リシック型共振器105としてはこの実施例では非線形
光学結晶としてKNbO3 が用いられている。
【0018】モノリシック共振器の入射側に位置する基
本波の入射面A(符号107)は球面状に形成されてお
り、この面Aには基本波に対し93%以上の反射率かつ
第2高調波に対し99%以上の反射率の反射膜が蒸着さ
れている。また、基本波の第1の反射面でかつ第2高調
波の出射面B(符号108)と、基本波の第2の反射面
C(符号109)は平面に形成され、それぞれ基本波を
99%以上反射し第2高調波を90%以上透過する膜
(出射面B)、基本波及び第2高調波をともに99%以
上反射する膜(反射面C)が蒸着されている。
【0019】本実施例に用いた共振器105は入射面A
に折り返し部を有するV字型共振器で2つの共振光路を
もち、一方が波長変換に寄与する共振光路110(面A
B間、光路長L1 =6mm)で、他方は非変換共振光路
111(面AC間、光路長L2 =2mm)である。数1
により定義されるこの共振器105の自由スペクトル間
隔は、従来例に対して約1.5倍となりロッキングレン
ジ拡大の上限も1.5倍となっている。
【0020】共振光路110において基本波106の一
部が第2高調波112に変換され、出射面B(108)
より出射する。変換に寄与する共振光路110の長さは
従来例と同じであるため、同等の第2高調波出力が得ら
れている。このようにして、第2高調波出力を低下させ
ることなく、より高安定な第2高調波発生を行うことが
可能となっている。本発明に用いる共振器105として
は一体成型であるモノリシック型に限定されるものでは
なく、複数の共振用ミラー間の基本波の光軸上に非線形
光学材料を配置したディスクリート型共振器にも適用可
能である。
【0021】本実施例の共振器105はL字型あるいは
ピストル様な形状とされているが、このような形状に限
定されるものではなく、たとえば図2のような矩形状の
非線形光学結晶に切り込み形成する(結晶をV字状にカ
ットする)ことによって基本波の第2の反射面Cを設け
てもよい。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
共振器の共振光路のうち非変換光路長を変換光路長の1
/2以下に短縮することにより、高調波出力を低下させ
ずにロッキングレンジの拡大可能範囲を拡大することが
可能となる。また出射側の2つの端面B、Cが隣接しな
いため、膜組成及び膜構成の異なった反射膜、出射膜の
蒸着のプロセスが容易になるという効果も合わせて有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第2高調波発生装置の実施例を示す基
本構成の側面図。
【図2】従来の第2高調波発生装置の一例を示す基本構
成の側面図。
【符号の説明】
101:第2高調波発生装置 102:半導体レーザ(LD) 103:結合光学系 104:NDフィルタ 105:モノリシック共振器 106:基本波 107:基本波の入射面A 108:基本波の第1の反射面かつ第2高調波の出射面
B 109:基本波の第2の反射面C 110:共振光路 111:共振光路 112:第2高調波 113:戻り光 201:第2高調波発生装置 202:半導体レーザ(LD) 203:結合光学系 204:NDフィルタ 205:モノリシック共振器 206:基本波 207:共振器端面 208:共振器端面 209:共振器端面 210:共振光路 211:共振光路 212:第2高調波 213:戻り光

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基本波発生用の半導体レーザと、基本波を
    高調波へ変換する非線形光学材料を含みかつ基本波を共
    振させる共振器とを備えてなる高調波発生装置におい
    て、前記共振器の共振光路のうち非変換光路長を変換光
    路長の1/2以下に短縮したことを特徴とする高調波発
    生装置。
  2. 【請求項2】前記共振器は非線形光学材料の内部で基本
    波を共振させるモノリシック型共振器であり、基本波の
    入射面Aと、基本波の第1の反射面かつ高調波の出射面
    Bと、基本波の第2の反射面Cとを有し、前記基本波の
    入射面Aを折り返し部とするV字型共振器であり、前記
    入射面Aと出射面B間が変換光路で、入射面Aと反射面
    C間が非変換光路である請求項1記載の高調波発生装
    置。
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