JPH0743993A - イオンフロー記録ヘッド - Google Patents
イオンフロー記録ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0743993A JPH0743993A JP18846893A JP18846893A JPH0743993A JP H0743993 A JPH0743993 A JP H0743993A JP 18846893 A JP18846893 A JP 18846893A JP 18846893 A JP18846893 A JP 18846893A JP H0743993 A JPH0743993 A JP H0743993A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- insulating layer
- recording head
- upper electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン流密度を大きくして記録速度の向上、
高表面電位を得ることを可能にする。 【構成】 絶縁層の両面に上部電極、下部電極が形成さ
れるとともに、貫通したイオン放出孔が設けられ、上部
電極、下部電極間に記録信号電圧を印加してイオン放出
孔を通過するイオン流を制御するようにした記録ヘッド
において、上部電極上に絶縁層を形成したことを特徴と
する。
高表面電位を得ることを可能にする。 【構成】 絶縁層の両面に上部電極、下部電極が形成さ
れるとともに、貫通したイオン放出孔が設けられ、上部
電極、下部電極間に記録信号電圧を印加してイオン放出
孔を通過するイオン流を制御するようにした記録ヘッド
において、上部電極上に絶縁層を形成したことを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は記録信号に応じてイオン
流の放出を制御して記録するコロトロン型のイオンフロ
ー記録ヘッドに関するものである。
流の放出を制御して記録するコロトロン型のイオンフロ
ー記録ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６はコロトロン型のイオンプリンタを
説明する図である。図において、４１はコロナイオン発
生源、４２は上部開口電極、４３は絶縁層、４４は下部
開口電極、４５はホール、４６は記録媒体、４７はコロ
ナイオン発生用電源、４８、４９は制御信号電源、５０
はバイアス電源である。
説明する図である。図において、４１はコロナイオン発
生源、４２は上部開口電極、４３は絶縁層、４４は下部
開口電極、４５はホール、４６は記録媒体、４７はコロ
ナイオン発生用電源、４８、４９は制御信号電源、５０
はバイアス電源である。
【０００３】コロナイオン発生源４１は、例えばケーシ
ング電極４１ａ内にコロナワイヤ４１ｂを張ったもので
あり、ケーシング電極４１ａとコロナワイヤ４１ｂ間に
コロナイオン発生用電源４７により直流高電圧を印加し
てコロナイオンを発生するものである。絶縁層４３を挟
んでその両面に形成された上部開口電極４２、下部開口
電極４４は、絶縁層に開けられたホール４５に対応して
開口が貫通形成されて単位記録素子を形成しており、制
御信号電源４８、４９により加えられる制御信号電圧の
極性によりイオン流をＯＮ／ＯＦＦ制御している。絶縁
層のホールを通過したコロナイオンはバイアス電源５０
によって記録媒体４６との間に形成される電界により導
かれて記録媒体４６上に潜像が形成される。
ング電極４１ａ内にコロナワイヤ４１ｂを張ったもので
あり、ケーシング電極４１ａとコロナワイヤ４１ｂ間に
コロナイオン発生用電源４７により直流高電圧を印加し
てコロナイオンを発生するものである。絶縁層４３を挟
んでその両面に形成された上部開口電極４２、下部開口
電極４４は、絶縁層に開けられたホール４５に対応して
開口が貫通形成されて単位記録素子を形成しており、制
御信号電源４８、４９により加えられる制御信号電圧の
極性によりイオン流をＯＮ／ＯＦＦ制御している。絶縁
層のホールを通過したコロナイオンはバイアス電源５０
によって記録媒体４６との間に形成される電界により導
かれて記録媒体４６上に潜像が形成される。
【０００４】このような構成において、図６（ａ）に示
すように下部電極４４に対して上部開口電極４２が正と
なるような信号電圧を印加すると、電極開口内に形成さ
れる電界に沿ってコロナイオン流が記録媒体４６上に飛
翔して潜像形成が行われる。一方、図６（ｂ）のように
信号電源の極正が逆になるように信号電圧を印加する
と、電極開口内にはイオン流を阻止する方向に電界が形
成されてイオンは開口を通過できなくなる。こうして、
記録媒体４６上には制御信号に応じた潜像が形成され
る。
すように下部電極４４に対して上部開口電極４２が正と
なるような信号電圧を印加すると、電極開口内に形成さ
れる電界に沿ってコロナイオン流が記録媒体４６上に飛
翔して潜像形成が行われる。一方、図６（ｂ）のように
信号電源の極正が逆になるように信号電圧を印加する
と、電極開口内にはイオン流を阻止する方向に電界が形
成されてイオンは開口を通過できなくなる。こうして、
記録媒体４６上には制御信号に応じた潜像が形成され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
イオン記録ヘッドにおいては、必ずしも十分なイオン流
密度が得られず、電荷量を多くするために記録速度を遅
くしなければならず、また表面電位も低いため十分なコ
ントラス、高画質が得られないという問題があった。
イオン記録ヘッドにおいては、必ずしも十分なイオン流
密度が得られず、電荷量を多くするために記録速度を遅
くしなければならず、また表面電位も低いため十分なコ
ントラス、高画質が得られないという問題があった。
【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、コロトロン型のイオンフロー記録ヘッドにおいて、
イオン放出孔を通過するイオン流密度を大きくして記録
速度の向上、高表面電位を得ることができるイオンフロ
ー記録ヘッドを提供することを目的とする。
で、コロトロン型のイオンフロー記録ヘッドにおいて、
イオン放出孔を通過するイオン流密度を大きくして記録
速度の向上、高表面電位を得ることができるイオンフロ
ー記録ヘッドを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のイオンフロー記
録ヘッドは、絶縁層の両面に上部電極、下部電極が形成
されるとともに、貫通したイオン放出孔が設けられ、上
部電極、下部電極間に記録信号電圧を印加してイオン放
出孔を通過するイオン流を制御するようにした記録ヘッ
ドにおいて、上部電極上に絶縁層を形成したことを特徴
とする。また、本発明は、イオン放出孔のエッジから所
定幅だけ上部電極が露出するように絶縁層を形成したこ
とを特徴とする。
録ヘッドは、絶縁層の両面に上部電極、下部電極が形成
されるとともに、貫通したイオン放出孔が設けられ、上
部電極、下部電極間に記録信号電圧を印加してイオン放
出孔を通過するイオン流を制御するようにした記録ヘッ
ドにおいて、上部電極上に絶縁層を形成したことを特徴
とする。また、本発明は、イオン放出孔のエッジから所
定幅だけ上部電極が露出するように絶縁層を形成したこ
とを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明は、イオン放出孔が形成された絶縁層を
介して対向する上部電極と下部電極を有する記録ヘッド
の上部電極に絶縁層を被覆したものであり、コロトロン
で発生したイオンが上部電極に被覆した絶縁層上にの
り、これがコロトロンで発生したイオンに対してイオン
放出孔方向に反発力を与えることになり、その結果、イ
オン放出孔内を通過するイオン流密度が上昇し、記録速
度の向上、高表面電位を得ることが可能となる。
介して対向する上部電極と下部電極を有する記録ヘッド
の上部電極に絶縁層を被覆したものであり、コロトロン
で発生したイオンが上部電極に被覆した絶縁層上にの
り、これがコロトロンで発生したイオンに対してイオン
放出孔方向に反発力を与えることになり、その結果、イ
オン放出孔内を通過するイオン流密度が上昇し、記録速
度の向上、高表面電位を得ることが可能となる。
【０００９】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の記録ヘッドの一実施例の断面図、
図２は従来の記録ヘッドによるイオン流を示す図、図３
は本発明の記録ヘッドによるイオン流を示す図である。
図中、１０は記録ヘッド、１１は上部電極、１２は絶縁
層、１３は下部電極、１４はイオン放出孔、２０は絶縁
層、３０はイオン流である。
する。図１は本発明の記録ヘッドの一実施例の断面図、
図２は従来の記録ヘッドによるイオン流を示す図、図３
は本発明の記録ヘッドによるイオン流を示す図である。
図中、１０は記録ヘッド、１１は上部電極、１２は絶縁
層、１３は下部電極、１４はイオン放出孔、２０は絶縁
層、３０はイオン流である。
【００１０】本発明の記録ヘッドは、図１に示すよう
に、絶縁層１２の両面に上部電極１１、下部電極１３を
形成してイオン放出孔を貫通して設けた記録ヘッド１０
の上部電極１１に、絶縁層２０を形成したものである。
従来の記録ヘッドでは、図２に示すように、上部電極１
１と下部電極１３間に制御信号電圧を印加したときにイ
オン放出孔１４を通過するイオン流３０は、電極間に形
成される電界のみにより影響を受けたが、本願発明の記
録ヘッドでは、図３に示すように、イオン流３０は絶縁
層２０上に堆積したイオン流と同極性の電荷２１の影響
も受け、電荷とイオン流との間には、矢印Ａで示すよう
にイオン放出孔方向への反発力が作用する。その結果、
図３で示すように、広範囲のイオン流をイオン放出孔へ
誘導することができ、イオン放出孔内を通過するイオン
流密度を上昇させ、記録速度の向上を図ることができ
る。また、高表面電位を得ることができるので、高コン
トラスト、高画質を達成することが可能となる。
に、絶縁層１２の両面に上部電極１１、下部電極１３を
形成してイオン放出孔を貫通して設けた記録ヘッド１０
の上部電極１１に、絶縁層２０を形成したものである。
従来の記録ヘッドでは、図２に示すように、上部電極１
１と下部電極１３間に制御信号電圧を印加したときにイ
オン放出孔１４を通過するイオン流３０は、電極間に形
成される電界のみにより影響を受けたが、本願発明の記
録ヘッドでは、図３に示すように、イオン流３０は絶縁
層２０上に堆積したイオン流と同極性の電荷２１の影響
も受け、電荷とイオン流との間には、矢印Ａで示すよう
にイオン放出孔方向への反発力が作用する。その結果、
図３で示すように、広範囲のイオン流をイオン放出孔へ
誘導することができ、イオン放出孔内を通過するイオン
流密度を上昇させ、記録速度の向上を図ることができ
る。また、高表面電位を得ることができるので、高コン
トラスト、高画質を達成することが可能となる。
【００１１】図４は上部電極に絶縁層を形成した場合の
シミュレーション結果を示しており、図４（ａ）に示す
ように、誘電体の両面に金属層を形成してその厚みを１
４５μｍ、金属層を２５μｍ露出させて厚み７５μｍの
誘電体層を形成したモデルの場合、図４（ｂ）に示すよ
うに誘電体層近傍でイオン流の方向がイオン放出孔方向
へ曲げられていることがわかる。
シミュレーション結果を示しており、図４（ａ）に示す
ように、誘電体の両面に金属層を形成してその厚みを１
４５μｍ、金属層を２５μｍ露出させて厚み７５μｍの
誘電体層を形成したモデルの場合、図４（ｂ）に示すよ
うに誘電体層近傍でイオン流の方向がイオン放出孔方向
へ曲げられていることがわかる。
【００１２】図５は上部電極に絶縁層を形成する場合の
電極の露出幅に対するイオン透過率特性を示しており、
露出幅が２５μｍ近傍でイオン透過率が最大になってい
ることが分かる。このことから、記録ヘッドのイオン放
出孔径等のパラメータが設定された場合、最適な電極露
出幅があることがわかる。もちろん、電極露出幅０であ
っても絶縁層を設けることによりイオン透過率を増加さ
せることができる。
電極の露出幅に対するイオン透過率特性を示しており、
露出幅が２５μｍ近傍でイオン透過率が最大になってい
ることが分かる。このことから、記録ヘッドのイオン放
出孔径等のパラメータが設定された場合、最適な電極露
出幅があることがわかる。もちろん、電極露出幅０であ
っても絶縁層を設けることによりイオン透過率を増加さ
せることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、コロトロ
ンで発生したイオンが上部電極に形成した絶縁層上にの
り、この電荷によりコロトロンで発生したイオンに対し
てイオン放出孔方向に反発力が与えられるので、イオン
放出孔内を通過するイオン流密度が上昇し、記録速度の
向上、高表面電位を得ることが可能となる。
ンで発生したイオンが上部電極に形成した絶縁層上にの
り、この電荷によりコロトロンで発生したイオンに対し
てイオン放出孔方向に反発力が与えられるので、イオン
放出孔内を通過するイオン流密度が上昇し、記録速度の
向上、高表面電位を得ることが可能となる。
【図１】 本発明の記録ヘッドの一実施例の断面図であ
る。
る。
【図２】 従来の記録ヘッドによるイオン流を示す図で
ある。
ある。
【図３】 本発明の記録ヘッドによるイオン流を示す図
である。
である。
【図４】 上部電極に絶縁層を形成した場合のシミュレ
ーション結果を示す図である。
ーション結果を示す図である。
【図５】 上部電極に絶縁層を形成した場合の電極露出
幅に対するイオン透過率特性を示す図である。
幅に対するイオン透過率特性を示す図である。
【図６】 コロトロン型のイオンプリンタを説明する図
である。
である。
１０…記録ヘッド、１１…上部電極、１２…絶縁層、１
３…下部電極、１４…イオン放出孔、２０…絶縁層、３
０…イオン流。
３…下部電極、１４…イオン放出孔、２０…絶縁層、３
０…イオン流。
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁層の両面に上部電極、下部電極が形
成されるとともに、貫通したイオン放出孔が設けられ、
上部電極、下部電極間に記録信号電圧を印加してイオン
放出孔を通過するイオン流を制御するようにした記録ヘ
ッドにおいて、上部電極上に絶縁層を形成したことを特
徴とするイオンフロー記録ヘッド。 【請求項１】 請求項１記載の記録ヘッドにおいて、イ
オン放出孔のエッジから所定幅だけ上部電極が露出する
ように絶縁層を形成したことを特徴とするイオンフロー
記録ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18846893A JPH0743993A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | イオンフロー記録ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18846893A JPH0743993A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | イオンフロー記録ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0743993A true JPH0743993A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16224254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18846893A Pending JPH0743993A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | イオンフロー記録ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743993A (ja) |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP18846893A patent/JPH0743993A/ja active Pending
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