JPH0744063A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
- Publication number
- JPH0744063A JPH0744063A JP5186501A JP18650193A JPH0744063A JP H0744063 A JPH0744063 A JP H0744063A JP 5186501 A JP5186501 A JP 5186501A JP 18650193 A JP18650193 A JP 18650193A JP H0744063 A JPH0744063 A JP H0744063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dark decay
- photoconductor
- image forming
- film
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 22
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 4
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 4
- 239000006163 transport media Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- -1 phenol and cresol Chemical class 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- QIUGUNHEXAZYIY-UHFFFAOYSA-N 1,2-dinitroacridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=C([N+]([O-])=O)C([N+](=O)[O-])=CC=C3N=C21 QIUGUNHEXAZYIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQGWMEKAPOBYFV-UHFFFAOYSA-N 1,5,7-trinitrothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC([N+]([O-])=O)=C2C(=O)C3=CC([N+](=O)[O-])=CC([N+]([O-])=O)=C3SC2=C1 WQGWMEKAPOBYFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOERSAVCLPYNIZ-UHFFFAOYSA-N 2,4,5,7-tetranitrofluoren-9-one Chemical compound O=C1C2=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C2C2=C1C=C([N+](=O)[O-])C=C2[N+]([O-])=O JOERSAVCLPYNIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHQGURIJMFPBKS-UHFFFAOYSA-N 2,4,7-trinitrofluoren-9-one Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=C2C3=CC=C([N+](=O)[O-])C=C3C(=O)C2=C1 VHQGURIJMFPBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCJKUXYSYJBBRD-UHFFFAOYSA-N 2,5-diphenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC=CC=2)O1 DCJKUXYSYJBBRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDVGAFBXTXDYIB-UHFFFAOYSA-N 2,7-dinitrofluoren-9-one Chemical compound C1=C([N+]([O-])=O)C=C2C(=O)C3=CC([N+](=O)[O-])=CC=C3C2=C1 HDVGAFBXTXDYIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEEJLOZQSKNWQQ-UHFFFAOYSA-N 2-nitro-1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC([N+](=O)[O-])=CC2=C1 OEEJLOZQSKNWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZKRKPGZABEOSM-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[4-(diethylamino)phenyl]-2-phenyl-3,4-dihydropyrazol-5-yl]ethenyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=CC1=NN(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC(=CC=2)N(CC)CC)C1 BZKRKPGZABEOSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCHDSDSNBXYNHE-UHFFFAOYSA-N 4-[3-[4-(diethylamino)phenyl]-1h-1,2,4-triazol-5-yl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N(CC)CC)N1 YCHDSDSNBXYNHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZGVMZRBRRYLIP-UHFFFAOYSA-N 4-[5-[4-(diethylamino)phenyl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N(CC)CC)O1 UZGVMZRBRRYLIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)-n-[4-[4-(4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMTFCGRJROKMAJ-UHFFFAOYSA-N 5-(1h-imidazol-2-yl)benzene-1,2,4-triamine Chemical compound C1=C(N)C(N)=CC(N)=C1C1=NC=CN1 GMTFCGRJROKMAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYPMAZCBFKBIFK-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinitroanthracene Chemical compound C1=CC=C2C([N+](=O)[O-])=C(C=CC=C3)C3=C([N+]([O-])=O)C2=C1 XYPMAZCBFKBIFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLAZXGNBGZYJSA-UHFFFAOYSA-N 9-ethylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=C1 PLAZXGNBGZYJSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N n-[(e)-benzylideneamino]aniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N\N=C\C1=CC=CC=C1 JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002382 photo conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002285 poly(styrene-co-acrylonitrile) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- LLBIOIRWAYBCKK-UHFFFAOYSA-N pyranthrene-8,16-dione Chemical compound C12=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=C3C=C4C5=CC=CC=C5C(=O)C5=C4C4=C3C2=C1C=C4C=C5 LLBIOIRWAYBCKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 229940038570 terrell Drugs 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
- Cleaning In Electrography (AREA)
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光体膜における暗減衰が種々の原因で変動
しても、その変動の原因を問わず、均一濃度の画像を形
成することができる画像形成装置を提供する 【構成】 本発明の画像形成装置に於いて、感光体ドラ
ム13は、導電性を有する基体30と、基体30の表面
に形成されている感光体膜12とを備えている。感光体
膜12は主帯電器14によって帯電される。帯電された
感光体膜12は、光学装置15によって露光され、静電
潜像が形成される。感光体膜12上の静電潜像は、現像
装置16によって現像される。表面電位計26は、感光
体膜12に於ける暗減衰の程度を検出する。ヒータ24
は、表面電位計26で検出された感光体膜12の暗減衰
の程度に対応して、感光体膜12の温度を調節すること
により、暗減衰による表面電位の変動を補償する。更
に、この感光体膜12の温度調節では表面電位の変動を
十分に補償できない場合は、主帯電器14の帯電電位制
御手段を調節することにより、表面電位の変動を補償す
る。
しても、その変動の原因を問わず、均一濃度の画像を形
成することができる画像形成装置を提供する 【構成】 本発明の画像形成装置に於いて、感光体ドラ
ム13は、導電性を有する基体30と、基体30の表面
に形成されている感光体膜12とを備えている。感光体
膜12は主帯電器14によって帯電される。帯電された
感光体膜12は、光学装置15によって露光され、静電
潜像が形成される。感光体膜12上の静電潜像は、現像
装置16によって現像される。表面電位計26は、感光
体膜12に於ける暗減衰の程度を検出する。ヒータ24
は、表面電位計26で検出された感光体膜12の暗減衰
の程度に対応して、感光体膜12の温度を調節すること
により、暗減衰による表面電位の変動を補償する。更
に、この感光体膜12の温度調節では表面電位の変動を
十分に補償できない場合は、主帯電器14の帯電電位制
御手段を調節することにより、表面電位の変動を補償す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真技術を用いた
画像形成装置に関し、特に、単層有機感光体ドラムに帯
電及び画像露光を行うことにより画像を形成する画像形
成装置に関する。
画像形成装置に関し、特に、単層有機感光体ドラムに帯
電及び画像露光を行うことにより画像を形成する画像形
成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、静電複写装置あるいは印刷装
置等として、電子写真技術を用いた画像形成装置の開発
が活発に進められてきている。
置等として、電子写真技術を用いた画像形成装置の開発
が活発に進められてきている。
【0003】図10は、従来の電子写真技術を用いた画
像形成装置1の系統図である。画像形成装置1は、表面
に感光体膜2が形成された回転可能な感光体ドラム3、
感光体膜2に所定量の電荷を一様に与えるための主帯電
器4、感光体膜2を露光し、感光体膜2上に静電潜像を
形成するための光学装置5、感光体膜2上の静電潜像を
現像するための現像装置6、感光体膜2に形成されてい
るトナー像を記録紙7に転写する転写器8、感光体ドラ
ム3上に残留したトナーを除去するクリーニングブレー
ドを備えるクリーニング装置9、及び感光体ドラム3上
に残留している電荷を除去して、感光体ドラム3の表面
電位を所定の均一な電位に設定するための除電ランプ1
0等を備えている。
像形成装置1の系統図である。画像形成装置1は、表面
に感光体膜2が形成された回転可能な感光体ドラム3、
感光体膜2に所定量の電荷を一様に与えるための主帯電
器4、感光体膜2を露光し、感光体膜2上に静電潜像を
形成するための光学装置5、感光体膜2上の静電潜像を
現像するための現像装置6、感光体膜2に形成されてい
るトナー像を記録紙7に転写する転写器8、感光体ドラ
ム3上に残留したトナーを除去するクリーニングブレー
ドを備えるクリーニング装置9、及び感光体ドラム3上
に残留している電荷を除去して、感光体ドラム3の表面
電位を所定の均一な電位に設定するための除電ランプ1
0等を備えている。
【0004】画像形成装置1によれば、主帯電器4によ
って、感光体膜2に所定量の電荷を一様に与えた後、光
学装置5によって感光体膜2に光が照射され、感光体膜
2上に静電潜像が形成される。その後、現像装置6によ
って、トナーが感光体膜2上に供給され、静電潜像が顕
像化される。感光体ドラム3上のトナー像は、転写器8
によって記録紙7に転写される。転写後に、感光体ドラ
ム3上に残留したトナーは、クリーニング装置9によっ
て除去される。次に、除電ランプ10によって感光体膜
2上に光が照射され、感光体膜2上に残留している電荷
が除去され、感光体膜2の表面電位が所定の電位に均一
化される。この後、主帯電器4によって、感光体ドラム
3に再び帯電が行われる。これらの一連の過程が、感光
体ドラム3の回転に応じて、連続して繰り返し行われ
る。
って、感光体膜2に所定量の電荷を一様に与えた後、光
学装置5によって感光体膜2に光が照射され、感光体膜
2上に静電潜像が形成される。その後、現像装置6によ
って、トナーが感光体膜2上に供給され、静電潜像が顕
像化される。感光体ドラム3上のトナー像は、転写器8
によって記録紙7に転写される。転写後に、感光体ドラ
ム3上に残留したトナーは、クリーニング装置9によっ
て除去される。次に、除電ランプ10によって感光体膜
2上に光が照射され、感光体膜2上に残留している電荷
が除去され、感光体膜2の表面電位が所定の電位に均一
化される。この後、主帯電器4によって、感光体ドラム
3に再び帯電が行われる。これらの一連の過程が、感光
体ドラム3の回転に応じて、連続して繰り返し行われ
る。
【0005】従来技術に於いて、感光体膜2を構成する
感光体材料として、無機材料あるいは有機材料が用いら
れている。無機材料として、Se系材料、アモルファス
Si系材料等が用いられている。近年、安全性や加工容
易性の点で、有機材料が多く用いられている。有機材料
を用いた有機感光体は、積層有機感光体と単層有機感光
体とに類別される。
感光体材料として、無機材料あるいは有機材料が用いら
れている。無機材料として、Se系材料、アモルファス
Si系材料等が用いられている。近年、安全性や加工容
易性の点で、有機材料が多く用いられている。有機材料
を用いた有機感光体は、積層有機感光体と単層有機感光
体とに類別される。
【0006】積層有機感光体は、電荷発生層と電荷輸送
層とが積層された構成である。電荷輸送層を形成する材
料の内、ホールの輸送能力が良好な材料は多く開発され
ているが、電子を輸送する能力が優れた材料は未だ開発
されていない。このため、積層型有機感光体は、負帯電
型のものが殆どである。しかし、コロナ放電を利用する
帯電器を用いて負帯電型の感光体を帯電させる場合に
は、オゾンの発生が多く安全性が環境性の点でオゾン対
策が新たに必要となるといった問題点があった。上記問
題点を克服するために、電荷輸送媒質中に電荷発生媒質
を分散させた単層有機感光体が提案されている。単層有
機感光体では、ホール輸送能力が良好な材料を電荷輸送
媒質として用いることで、容易に正帯電型の感光体を実
現することができる。
層とが積層された構成である。電荷輸送層を形成する材
料の内、ホールの輸送能力が良好な材料は多く開発され
ているが、電子を輸送する能力が優れた材料は未だ開発
されていない。このため、積層型有機感光体は、負帯電
型のものが殆どである。しかし、コロナ放電を利用する
帯電器を用いて負帯電型の感光体を帯電させる場合に
は、オゾンの発生が多く安全性が環境性の点でオゾン対
策が新たに必要となるといった問題点があった。上記問
題点を克服するために、電荷輸送媒質中に電荷発生媒質
を分散させた単層有機感光体が提案されている。単層有
機感光体では、ホール輸送能力が良好な材料を電荷輸送
媒質として用いることで、容易に正帯電型の感光体を実
現することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】積層有機感光体と比較
し、製造の容易さの点でも、単層有機感光体が望まし
い。しかしながら、単層感光体膜は、除電の後も、概し
て高い残留電位を有している。また、この高い残留電位
を示す感光層中に残留するフォトキャリアによって、帯
電時の帯電電位が低くなるという問題点を有している。
また、前記使用時間が少ない期間は良好な帯電能を有し
ている感光体膜も、使用時間が長くなるに従って疲労
し、トラップサイトが増大し、帯電能が低下するという
問題点が発生する。
し、製造の容易さの点でも、単層有機感光体が望まし
い。しかしながら、単層感光体膜は、除電の後も、概し
て高い残留電位を有している。また、この高い残留電位
を示す感光層中に残留するフォトキャリアによって、帯
電時の帯電電位が低くなるという問題点を有している。
また、前記使用時間が少ない期間は良好な帯電能を有し
ている感光体膜も、使用時間が長くなるに従って疲労
し、トラップサイトが増大し、帯電能が低下するという
問題点が発生する。
【0008】上述の従来技術において、更に次のような
問題がある。すなわち、感光体膜2の単位面積に主帯電
器4によって所定量の電荷を与えた後、時間の経過に伴
って、その電荷の一部が失われる暗減衰が発生するとい
う問題である。このため、感光体ドラム3の回転に従っ
て、感光体膜2において着目する任意の領域が、帯電位
置(主帯電器4に近接する位置)から現像位置(現像装
置6に近接する位置)まで移動する間に、その領域の帯
電量が減少してしまうことになる。
問題がある。すなわち、感光体膜2の単位面積に主帯電
器4によって所定量の電荷を与えた後、時間の経過に伴
って、その電荷の一部が失われる暗減衰が発生するとい
う問題である。このため、感光体ドラム3の回転に従っ
て、感光体膜2において着目する任意の領域が、帯電位
置(主帯電器4に近接する位置)から現像位置(現像装
置6に近接する位置)まで移動する間に、その領域の帯
電量が減少してしまうことになる。
【0009】この感光体膜2の表面電位が露光によらず
に減少することは、一般に暗減衰と呼ばれている。この
暗減衰の程度は、感光体膜の帯電保持能や画像形成装置
1の設置されている環境等の種々の要因で変化する。感
光体膜2の帯電保持能や画像形成装置1の設置されてい
る環境等が画像形成装置1毎に異なる場合、暗減衰の程
度も画像形成装置1毎に変動することになる。また、感
光体膜2の帯電保持能や画像形成装置1の設置されてい
る環境等が経時的に変動してしまう場合、暗減衰の程度
も経時的に変動することになる。暗減衰の程度の変動
は、現像位置での感光体膜2の帯電量の変動を引き起こ
し、均一な濃度で画像を形成することが阻害される。
に減少することは、一般に暗減衰と呼ばれている。この
暗減衰の程度は、感光体膜の帯電保持能や画像形成装置
1の設置されている環境等の種々の要因で変化する。感
光体膜2の帯電保持能や画像形成装置1の設置されてい
る環境等が画像形成装置1毎に異なる場合、暗減衰の程
度も画像形成装置1毎に変動することになる。また、感
光体膜2の帯電保持能や画像形成装置1の設置されてい
る環境等が経時的に変動してしまう場合、暗減衰の程度
も経時的に変動することになる。暗減衰の程度の変動
は、現像位置での感光体膜2の帯電量の変動を引き起こ
し、均一な濃度で画像を形成することが阻害される。
【0010】従来の画像形成装置1に於いて、その設置
環境に係わらず、また、暗減衰の経時変化を考慮せず、
全ての画像形成装置1に、暗減衰による表面電位の減少
を補償する同一のデータが設定されていた。このデータ
は、例として感光体ドラム3の製造時に於いて計測され
た暗減衰の程度に対応する初期データである。
環境に係わらず、また、暗減衰の経時変化を考慮せず、
全ての画像形成装置1に、暗減衰による表面電位の減少
を補償する同一のデータが設定されていた。このデータ
は、例として感光体ドラム3の製造時に於いて計測され
た暗減衰の程度に対応する初期データである。
【0011】従って、暗減衰の程度が、感光体膜の帯電
保持能や画像形成装置1の設置されている環境等の種々
の要因で変動した場合、従来の画像形成装置1は、初期
データによって、変動した暗減衰を補償することが出来
ず、均一な濃度の画像を形成することができなくなって
しまう。また、暗減衰が、画像形成装置1の長期にわた
る使用に伴う経時変化を生じる場合に於いても同様であ
る。この場合に於いて、画像形成装置1は、変動した暗
減衰を前記初期データによって補償することができず、
均一な濃度の画像を形成することができなくなってしま
う。
保持能や画像形成装置1の設置されている環境等の種々
の要因で変動した場合、従来の画像形成装置1は、初期
データによって、変動した暗減衰を補償することが出来
ず、均一な濃度の画像を形成することができなくなって
しまう。また、暗減衰が、画像形成装置1の長期にわた
る使用に伴う経時変化を生じる場合に於いても同様であ
る。この場合に於いて、画像形成装置1は、変動した暗
減衰を前記初期データによって補償することができず、
均一な濃度の画像を形成することができなくなってしま
う。
【0012】特に、正帯電型の単層有機感光体膜は、使
用初期において良好な帯電能及び帯電保持能を有してい
ても、使用時間の経過にしたがって、帯電能及び帯電保
持能が低下するという問題点を有している。従って、正
帯電型有機感光膜に於ける暗減衰の程度が経時的に変動
することに起因して、画像形成装置が均一な画像を形成
することが出来ないという問題は、このような正帯電型
の単層有機感光体膜の実用化にとって、特に解決の急が
れる問題のひとつである。
用初期において良好な帯電能及び帯電保持能を有してい
ても、使用時間の経過にしたがって、帯電能及び帯電保
持能が低下するという問題点を有している。従って、正
帯電型有機感光膜に於ける暗減衰の程度が経時的に変動
することに起因して、画像形成装置が均一な画像を形成
することが出来ないという問題は、このような正帯電型
の単層有機感光体膜の実用化にとって、特に解決の急が
れる問題のひとつである。
【0013】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、感光体膜における暗減衰
が種々の原因で変動しても、その変動の原因を問わず、
均一濃度の画像を形成することができる画像形成装置を
提供することである。
れたものであり、その目的は、感光体膜における暗減衰
が種々の原因で変動しても、その変動の原因を問わず、
均一濃度の画像を形成することができる画像形成装置を
提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の画像形成装置
は、導電性を有する基体、及び該基体の表面に形成され
ている感光体膜を備える回転可能な感光体部材と、該感
光体部材の近傍に配置されて、該感光体膜を帯電させる
帯電手段と、帯電した該感光体膜に画像に対応する光を
照射する露光手段と、該感光体部材の回転方向に沿っ
て、該露光手段よりも下流側に配置されている現像手段
と、該感光体膜に於ける暗減衰の程度を検出する暗減衰
検出手段と、該暗減衰検出手段で検出された該暗減衰の
程度に基づいて、該感光体膜の温度を調節することによ
り、該暗減衰を補償する第1の補償手段と、該暗減衰検
出手段で検出された該暗減衰の程度に基づいて、該帯電
手段の該感光体膜の供給電荷量を調節することにより、
該暗減衰を補償する第2の補償手段とを備えており、そ
のことにより上記目的が達成される。
は、導電性を有する基体、及び該基体の表面に形成され
ている感光体膜を備える回転可能な感光体部材と、該感
光体部材の近傍に配置されて、該感光体膜を帯電させる
帯電手段と、帯電した該感光体膜に画像に対応する光を
照射する露光手段と、該感光体部材の回転方向に沿っ
て、該露光手段よりも下流側に配置されている現像手段
と、該感光体膜に於ける暗減衰の程度を検出する暗減衰
検出手段と、該暗減衰検出手段で検出された該暗減衰の
程度に基づいて、該感光体膜の温度を調節することによ
り、該暗減衰を補償する第1の補償手段と、該暗減衰検
出手段で検出された該暗減衰の程度に基づいて、該帯電
手段の該感光体膜の供給電荷量を調節することにより、
該暗減衰を補償する第2の補償手段とを備えており、そ
のことにより上記目的が達成される。
【0015】本発明に於いて、前記第1の補償手段が、
前記第2の補償手段より優先して動作し、該第2の補償
手段が該第1の補償手段により補償できなかった暗減衰
を補償する場合がある。
前記第2の補償手段より優先して動作し、該第2の補償
手段が該第1の補償手段により補償できなかった暗減衰
を補償する場合がある。
【0016】本発明に於いて、前記第1の補償手段が、
前記感光体膜に熱量を与えるための加熱手段と、前記暗
減衰検出手段で検出された前記暗減衰の程度に基づい
て、該加熱手段により該感光体膜に与えられる熱量を制
御する制御手段とを有する場合がある。
前記感光体膜に熱量を与えるための加熱手段と、前記暗
減衰検出手段で検出された前記暗減衰の程度に基づい
て、該加熱手段により該感光体膜に与えられる熱量を制
御する制御手段とを有する場合がある。
【0017】本発明に於いて、前記第1の補償手段が、
前記感光体膜の温度を検出するための温度センサをさら
に備え、該温度センサによって検出された温度の基づい
て、前記加熱手段によって該感光体膜に与えられる熱量
を制御する場合がある。
前記感光体膜の温度を検出するための温度センサをさら
に備え、該温度センサによって検出された温度の基づい
て、前記加熱手段によって該感光体膜に与えられる熱量
を制御する場合がある。
【0018】本発明に於いて、前記第2の補償手段が、
前記帯電手段の電源電流を調節する手段である場合があ
る。
前記帯電手段の電源電流を調節する手段である場合があ
る。
【0019】本発明に於いて、前記帯電手段がスコロト
ロン方式であり、前記第2の補償手段が、該帯電手段の
電位制御手段を調節する手段である場合がある。
ロン方式であり、前記第2の補償手段が、該帯電手段の
電位制御手段を調節する手段である場合がある。
【0020】
【作用】本発明の画像形成装置に於いて、感光体部材
は、導電性を有する基体と、該基体の表面に形成されて
いる感光体膜とを備えている。感光体膜は帯電手段によ
って帯電される。帯電された感光体膜は、露光手段によ
って露光され、静電潜像が形成される。感光体膜上の該
静電潜像は、現像手段によって現像される。感光体部材
の感光体膜に於いて、帯電手段による帯電に基づく表面
電位が、露光が行われない場合でも時間経過に従って減
少する暗減衰が発生する。
は、導電性を有する基体と、該基体の表面に形成されて
いる感光体膜とを備えている。感光体膜は帯電手段によ
って帯電される。帯電された感光体膜は、露光手段によ
って露光され、静電潜像が形成される。感光体膜上の該
静電潜像は、現像手段によって現像される。感光体部材
の感光体膜に於いて、帯電手段による帯電に基づく表面
電位が、露光が行われない場合でも時間経過に従って減
少する暗減衰が発生する。
【0021】暗減衰検出手段は、該感光体膜に於ける暗
減衰の程度を検出する。第1の補償手段は、該暗減衰検
出手段で検出された該感光体膜の該暗減衰の程度に対応
して、該感光体膜の温度を調節することにより、該暗減
衰による表面電位の変動を補償する。第2の補償手段
も、該暗減衰検出手段で検出された該感光体膜の該暗減
衰の程度に対応して、該帯電手段の該感光体膜への供給
電荷量を調節することにより、該暗減衰による表面電位
の変動を補償する。
減衰の程度を検出する。第1の補償手段は、該暗減衰検
出手段で検出された該感光体膜の該暗減衰の程度に対応
して、該感光体膜の温度を調節することにより、該暗減
衰による表面電位の変動を補償する。第2の補償手段
も、該暗減衰検出手段で検出された該感光体膜の該暗減
衰の程度に対応して、該帯電手段の該感光体膜への供給
電荷量を調節することにより、該暗減衰による表面電位
の変動を補償する。
【0022】これにより、該暗減衰の程度に経時変化が
生じた場合、あるいは画像形成装置の設置環境などに起
因して暗減衰が、画像形成装置毎にばらついた場合等、
暗減衰が感光体膜の製造直後の程度から変動した場合、
該暗減衰の程度の経時変化あるいは該ばらつきに起因す
る表面電位の変動を補償して、均一な画像濃度の画像を
形成することができる。
生じた場合、あるいは画像形成装置の設置環境などに起
因して暗減衰が、画像形成装置毎にばらついた場合等、
暗減衰が感光体膜の製造直後の程度から変動した場合、
該暗減衰の程度の経時変化あるいは該ばらつきに起因す
る表面電位の変動を補償して、均一な画像濃度の画像を
形成することができる。
【0023】また、第1の補償手段による補償は放電生
成物の増加がなく無害であるので、第1の補償手段を、
第2の補償手段より優先して動作させるようにすれば、
補償動作に伴う有害物質の発生を最小限に抑えることが
できる。
成物の増加がなく無害であるので、第1の補償手段を、
第2の補償手段より優先して動作させるようにすれば、
補償動作に伴う有害物質の発生を最小限に抑えることが
できる。
【0024】
【実施例】本発明の画像形成装置は、表面電位を検出し
た後、検出された表面電位に基づいて、一定の範囲、た
とえば表面電位の低下量が約40Vまでは、画像形成に
影響を与えるパラメータの一つである感光体ドラムの温
度を調節する。表面電位の変化量がその範囲を越えた場
合は、その越えた変化量分に応じて、主帯電器の電源電
流を調節する。そのことによって、現像位置での感光体
膜の帯電量の経時変化分が補償され、均一濃度の画像が
形成される。従って、本発明は、暗減衰の程度の変化
量、即ち表面電位の低下量が約40V以上の感光体ドラ
ムに対する暗減衰の補償に関して有効である。
た後、検出された表面電位に基づいて、一定の範囲、た
とえば表面電位の低下量が約40Vまでは、画像形成に
影響を与えるパラメータの一つである感光体ドラムの温
度を調節する。表面電位の変化量がその範囲を越えた場
合は、その越えた変化量分に応じて、主帯電器の電源電
流を調節する。そのことによって、現像位置での感光体
膜の帯電量の経時変化分が補償され、均一濃度の画像が
形成される。従って、本発明は、暗減衰の程度の変化
量、即ち表面電位の低下量が約40V以上の感光体ドラ
ムに対する暗減衰の補償に関して有効である。
【0025】以下に、一例として正帯電型の単層有機感
光体膜を用いる場合について、本発明の実施例を説明す
る。
光体膜を用いる場合について、本発明の実施例を説明す
る。
【0026】図1は、本発明の実施例の画像形成装置1
1の構成を示す系統図である。この画像形成装置11
は、図1に示されるように、アルミニウム等の金属材料
からなるドラム基体30の表面に単層型有機感光体から
なる感光体膜12が形成された回転可能な感光体ドラム
13、感光体膜12に所望量の電荷を一様に与える主帯
電器14、感光体膜12を露光し、感光体膜12上に静
電潜像を形成するための光を発生する光学装置15、感
光体膜12上の静電潜像をトナーで現像するための現像
装置16、感光体ドラム13上のトナー像を記録紙17
等に転写する転写器18、トナー像の転写後に、感光体
ドラム13上に残留しているトナーを除去するクリーニ
ング装置19、及び感光体ドラム13上に残留している
電荷を除去して、感光体膜12上の電位を所定の電位に
均一化させるための除電ランプ20等を備えている。
1の構成を示す系統図である。この画像形成装置11
は、図1に示されるように、アルミニウム等の金属材料
からなるドラム基体30の表面に単層型有機感光体から
なる感光体膜12が形成された回転可能な感光体ドラム
13、感光体膜12に所望量の電荷を一様に与える主帯
電器14、感光体膜12を露光し、感光体膜12上に静
電潜像を形成するための光を発生する光学装置15、感
光体膜12上の静電潜像をトナーで現像するための現像
装置16、感光体ドラム13上のトナー像を記録紙17
等に転写する転写器18、トナー像の転写後に、感光体
ドラム13上に残留しているトナーを除去するクリーニ
ング装置19、及び感光体ドラム13上に残留している
電荷を除去して、感光体膜12上の電位を所定の電位に
均一化させるための除電ランプ20等を備えている。
【0027】主帯電器14は、スコロトロンチャージャ
ーが採用され、コロナ放電を行う放電ワイヤ21と、放
電ワイヤ21を囲み、感光体ドラム13側に開口してい
るシールドケース22と、シールドケース22の該開口
部に設けられている金属製のグリッド23とを備えてい
る。主帯電器14の放電ワイヤ21に、コロナ放電に必
要な電流を供給するための電源25が接続されている。
シールドケース22は接地されている。
ーが採用され、コロナ放電を行う放電ワイヤ21と、放
電ワイヤ21を囲み、感光体ドラム13側に開口してい
るシールドケース22と、シールドケース22の該開口
部に設けられている金属製のグリッド23とを備えてい
る。主帯電器14の放電ワイヤ21に、コロナ放電に必
要な電流を供給するための電源25が接続されている。
シールドケース22は接地されている。
【0028】本実施例に於いて、主帯電器14として、
スコロトロンチャージャーを用いることにより、帯電時
に、感光体ドラム13の帯電位置に於ける表面電位は、
予め定められる上限値に到達し、該上限値に保持され
る。これは、以下の理由による。放電ワイヤ21への電
源25からの電源電流Iccは、放電により、シールド
ケース22への放電電流Iscと、グリッド23への放
電電流Igcと、感光体ドラム13への放電電流Ipc
とに分流される。放電ワイヤ21からの放電電流が、グ
リッド23を経て感光体膜12の表面に到達するには、
グリッド23の電位よりも感光体膜12の表面電位が低
いことが必要である。
スコロトロンチャージャーを用いることにより、帯電時
に、感光体ドラム13の帯電位置に於ける表面電位は、
予め定められる上限値に到達し、該上限値に保持され
る。これは、以下の理由による。放電ワイヤ21への電
源25からの電源電流Iccは、放電により、シールド
ケース22への放電電流Iscと、グリッド23への放
電電流Igcと、感光体ドラム13への放電電流Ipc
とに分流される。放電ワイヤ21からの放電電流が、グ
リッド23を経て感光体膜12の表面に到達するには、
グリッド23の電位よりも感光体膜12の表面電位が低
いことが必要である。
【0029】帯電位置に於ける感光体膜12に放電ワイ
ヤ21からの放電によって、放電電流Ipcが供給され
ると、感光体膜12の表面電位は、次第に上昇する。上
昇する該表面電位がグリッド23の電位と一致すると、
それ以降、グリッド23と感光体膜12との間に放電は
発生しない。放電ワイヤ21に供給される電源電流Ic
cは、全て放電電流Isc、Ipcとなる。従って、感
光体膜12の表面電位は、グリッド23のグリッド電位
によって決定され、該グリッド電位に到達した後、グリ
ッド電位に保持される。
ヤ21からの放電によって、放電電流Ipcが供給され
ると、感光体膜12の表面電位は、次第に上昇する。上
昇する該表面電位がグリッド23の電位と一致すると、
それ以降、グリッド23と感光体膜12との間に放電は
発生しない。放電ワイヤ21に供給される電源電流Ic
cは、全て放電電流Isc、Ipcとなる。従って、感
光体膜12の表面電位は、グリッド23のグリッド電位
によって決定され、該グリッド電位に到達した後、グリ
ッド電位に保持される。
【0030】感光体ドラム13の現像位置付近には、表
面電位を測定するための表面電位計26が、感光体ドラ
ム13の回転を阻害することなく、配置されている。こ
の表面電位計26は比較器27に接続され、予め設定さ
れている最適な表面電位の基準値と表面電位計26によ
って測定された表面電位との差を検出する。比較器27
は、例としてマイクロコンピュータなどを含んで構成さ
れる制御装置28に接続されている。制御装置28は、
ヒータ24および電源25を制御する。制御装置28に
はメモリ29が接続されている。暗減衰の程度の検出
は、表面電位計26および比較器27により行われる。
面電位を測定するための表面電位計26が、感光体ドラ
ム13の回転を阻害することなく、配置されている。こ
の表面電位計26は比較器27に接続され、予め設定さ
れている最適な表面電位の基準値と表面電位計26によ
って測定された表面電位との差を検出する。比較器27
は、例としてマイクロコンピュータなどを含んで構成さ
れる制御装置28に接続されている。制御装置28は、
ヒータ24および電源25を制御する。制御装置28に
はメモリ29が接続されている。暗減衰の程度の検出
は、表面電位計26および比較器27により行われる。
【0031】ドラム基体30内表面には、感光体膜12
の温度を上昇させるための、面状発熱体からなるヒータ
24、および感光体膜12の温度を測定するための温度
センサ31が配設されている。
の温度を上昇させるための、面状発熱体からなるヒータ
24、および感光体膜12の温度を測定するための温度
センサ31が配設されている。
【0032】主帯電器14として、本実施例に於いてス
コロトロンチャージャーを用いる。一般に、感光体膜1
2の飽和帯電電位Vsが、500〜1000V、特に7
00〜850Vの範囲となるように主帯電を行うことが
望ましい。そのために、コロナ放電を行うに際して、4
〜7kVの高電圧を、主帯電器14の放電ワイヤ21に
印加することが望ましい。
コロトロンチャージャーを用いる。一般に、感光体膜1
2の飽和帯電電位Vsが、500〜1000V、特に7
00〜850Vの範囲となるように主帯電を行うことが
望ましい。そのために、コロナ放電を行うに際して、4
〜7kVの高電圧を、主帯電器14の放電ワイヤ21に
印加することが望ましい。
【0033】図2は本実施例の感光体ドラム13、主帯
電器14、現像装置16、及び除電ランプ20の配置状
態を示す系統図であり、図3は、主帯電器14のグリッ
ド23の平面図である。主帯電器14の帯電器幅W1
は、例として22mmであり、グリッド23の開口幅W
2は、例として16mmである。グリッド23と感光体
ドラム13との距離L1は、例として1.5mmであ
る。主帯電器14の感光体ドラム13の回転方向に関す
る下流側端部と、現像装置16との前記回転方向に沿う
角度θ1は、例として120°であり、除電ランプ20
と主帯電器14の前記回転方向上流側端部との回転方向
に沿う角度θ2は、例として30°である。また、感光
体ドラム13の径は、例としてφ78mmである。ま
た、グリッド23のグリッド長L2は、例として320
mmである。グリッド23の開口部は、メッシュ状に形
成され、開口率は例として80%である。
電器14、現像装置16、及び除電ランプ20の配置状
態を示す系統図であり、図3は、主帯電器14のグリッ
ド23の平面図である。主帯電器14の帯電器幅W1
は、例として22mmであり、グリッド23の開口幅W
2は、例として16mmである。グリッド23と感光体
ドラム13との距離L1は、例として1.5mmであ
る。主帯電器14の感光体ドラム13の回転方向に関す
る下流側端部と、現像装置16との前記回転方向に沿う
角度θ1は、例として120°であり、除電ランプ20
と主帯電器14の前記回転方向上流側端部との回転方向
に沿う角度θ2は、例として30°である。また、感光
体ドラム13の径は、例としてφ78mmである。ま
た、グリッド23のグリッド長L2は、例として320
mmである。グリッド23の開口部は、メッシュ状に形
成され、開口率は例として80%である。
【0034】画像露光用に用いられる光学装置15は、
レンズや反射鏡等からなる光学系、あるいはレーザー光
発振器等が用いられる。現像装置16は、1成分系現像
剤あるいは2成分系現像剤の帯電したトナーを、感光体
膜12の表面に供給する現像ローラ16aを備える。転
写器18は、主帯電器14と同様なコロナチャージャー
あるいは接触式帯電器が用いられる。
レンズや反射鏡等からなる光学系、あるいはレーザー光
発振器等が用いられる。現像装置16は、1成分系現像
剤あるいは2成分系現像剤の帯電したトナーを、感光体
膜12の表面に供給する現像ローラ16aを備える。転
写器18は、主帯電器14と同様なコロナチャージャー
あるいは接触式帯電器が用いられる。
【0035】本実施例に於ける除電ランプ20の除電光
量は、感光体膜12の帯電電位が100V以下の零電位
近くまで落ちきる光量、本実施例の場合では、感光体膜
12上に於いて、5LUX・SEC以上、特に10LUX・SEC以上
であることが望ましい。一方、50LUX・SEC以上とする
と、感光体膜12の光疲労による品質の劣化が生じる。
除電ランプ20として、ハロゲンランプ、蛍光灯ラン
プ、冷陰極線管、赤色、緑色等のネオンランプ等の可視
光光源がいずれも使用可能である。あるいは、赤色、黄
色、緑色等のLED(発光ダイオード)等の単色光光源
も使用可能である。
量は、感光体膜12の帯電電位が100V以下の零電位
近くまで落ちきる光量、本実施例の場合では、感光体膜
12上に於いて、5LUX・SEC以上、特に10LUX・SEC以上
であることが望ましい。一方、50LUX・SEC以上とする
と、感光体膜12の光疲労による品質の劣化が生じる。
除電ランプ20として、ハロゲンランプ、蛍光灯ラン
プ、冷陰極線管、赤色、緑色等のネオンランプ等の可視
光光源がいずれも使用可能である。あるいは、赤色、黄
色、緑色等のLED(発光ダイオード)等の単色光光源
も使用可能である。
【0036】本実施例の感光体膜12は、正帯電型単層
有機感光体膜であり、結着樹脂と電荷輸送媒質と電荷発
生物質とを相互に分散して形成される。電荷発生物質
は、それ自体公知の有機の光導電性顔料が何れも使用さ
れる。特に、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、
キナクリドン系顔料、ピラントロン系顔料、ジスアゾ系
顔料、トリスアゾ系顔料等の光導電性有機顔料を単独
で、あるいは2種以上の組合せで用いる。
有機感光体膜であり、結着樹脂と電荷輸送媒質と電荷発
生物質とを相互に分散して形成される。電荷発生物質
は、それ自体公知の有機の光導電性顔料が何れも使用さ
れる。特に、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、
キナクリドン系顔料、ピラントロン系顔料、ジスアゾ系
顔料、トリスアゾ系顔料等の光導電性有機顔料を単独
で、あるいは2種以上の組合せで用いる。
【0037】電荷輸送媒質としては、樹脂媒質中に電荷
輸送物質を分散させたものが使用される。電荷輸送物質
としては、それ自体公知の正孔輸送物質或いは電子輸送
物質が何れも本発明の目的に使用される。適当な正孔輸
送物質の例は、ポリ−N−ビニルカルバゾール、フェナ
ントレン、N−エチルカルバゾール、2,5−ジフェニ
ル−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4
−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール、ビス−ジエチルアミノフェニル−1,3,6−
オキサジアゾール、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)
−2,2’−ジメチルトリフェニルメタン、2,4,5
−トリアミノフェニルイミダゾール、2,5−ビス(4
−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−トリアゾー
ル、1−フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)−2−ピラ
ゾリン、p−ジエチルアミノベンツアルデヒド−(ジフ
ェニルヒドラゾン)などの何れか、あるいはこれらの複
数の組合せで用いられる。適当な電子輸送物質の例は2
−ニトロ−9−フルオレノン、2,7−ジニトロ−9−
フルオレノン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレ
ノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノ
ン、2−ニトロベンゾチオフェン、2,4,8−トリニ
トロチオキサントン、ジニトロアントラセン、ジニトロ
アクリジン、ジニトロアントキノンなどの何れか、ある
いはこれらの複数の組合せで用いられる。
輸送物質を分散させたものが使用される。電荷輸送物質
としては、それ自体公知の正孔輸送物質或いは電子輸送
物質が何れも本発明の目的に使用される。適当な正孔輸
送物質の例は、ポリ−N−ビニルカルバゾール、フェナ
ントレン、N−エチルカルバゾール、2,5−ジフェニ
ル−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4
−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール、ビス−ジエチルアミノフェニル−1,3,6−
オキサジアゾール、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)
−2,2’−ジメチルトリフェニルメタン、2,4,5
−トリアミノフェニルイミダゾール、2,5−ビス(4
−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−トリアゾー
ル、1−フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)−2−ピラ
ゾリン、p−ジエチルアミノベンツアルデヒド−(ジフ
ェニルヒドラゾン)などの何れか、あるいはこれらの複
数の組合せで用いられる。適当な電子輸送物質の例は2
−ニトロ−9−フルオレノン、2,7−ジニトロ−9−
フルオレノン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレ
ノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノ
ン、2−ニトロベンゾチオフェン、2,4,8−トリニ
トロチオキサントン、ジニトロアントラセン、ジニトロ
アクリジン、ジニトロアントキノンなどの何れか、ある
いはこれらの複数の組合せで用いられる。
【0038】結合剤樹脂としては、種々のもの、例え
ば、スチレン系重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−
マレイン酸共重合体、アクリル系重合体、スチレン−ア
クリル系共重合体、スチレン−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ
エステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、シリコー
ン樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ
エーテル樹脂、フェノール樹脂や、エポキシアクリレー
ト、ウレタンアクリレート等の光硬化型樹脂等、各種の
重合体が例示される。なお、ポリ−N−ビニルカルバゾ
ール等の光導電性ポリマーも結着樹脂として使用でき
る。
ば、スチレン系重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−
マレイン酸共重合体、アクリル系重合体、スチレン−ア
クリル系共重合体、スチレン−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ
エステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、シリコー
ン樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ
エーテル樹脂、フェノール樹脂や、エポキシアクリレー
ト、ウレタンアクリレート等の光硬化型樹脂等、各種の
重合体が例示される。なお、ポリ−N−ビニルカルバゾ
ール等の光導電性ポリマーも結着樹脂として使用でき
る。
【0039】感光体膜12中に存在させる電荷発生物質
は、結着樹脂100重量部当たり0.1及至50重量
部、特に0.5及至30重量部の範囲にあるのが適当で
あり、一方電荷輸送物質は結着樹脂100重量部当たり
20及至500重量部、特に30及至200重量部の範
囲にあるのが適当である。また、感光体膜12の厚み
は、10及至40μm、特に22及至32μmの範囲に
あるのが、高い表面電位、耐刷性及び感度の点でよい。
は、結着樹脂100重量部当たり0.1及至50重量
部、特に0.5及至30重量部の範囲にあるのが適当で
あり、一方電荷輸送物質は結着樹脂100重量部当たり
20及至500重量部、特に30及至200重量部の範
囲にあるのが適当である。また、感光体膜12の厚み
は、10及至40μm、特に22及至32μmの範囲に
あるのが、高い表面電位、耐刷性及び感度の点でよい。
【0040】感光体ドラム12の導電性からなるドラム
基体30としては、アルミニウム素管や該アルミニウム
素管をアルマイト処理したもの、あるいは導電性樹脂製
基体が一般に使用される。感光体膜12としての有機感
光体層の形成は、樹脂を、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミドのようなアミド系溶
媒;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテ
ル;ジメチルスルホキシド;ベンゼン、トルエン、キシ
レン等の芳香族溶媒;メチルエチルケトン等のケトン
類;N−メチル−2−ピロリドン;フェノール、クレゾ
ール等のフェノール類等の溶媒に溶解し、これに電荷発
生物質を分散させて塗布用組成物とする。この組成物を
導電性のドラム基体30に塗布し、感光体膜12を形成
させる。
基体30としては、アルミニウム素管や該アルミニウム
素管をアルマイト処理したもの、あるいは導電性樹脂製
基体が一般に使用される。感光体膜12としての有機感
光体層の形成は、樹脂を、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミドのようなアミド系溶
媒;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテ
ル;ジメチルスルホキシド;ベンゼン、トルエン、キシ
レン等の芳香族溶媒;メチルエチルケトン等のケトン
類;N−メチル−2−ピロリドン;フェノール、クレゾ
ール等のフェノール類等の溶媒に溶解し、これに電荷発
生物質を分散させて塗布用組成物とする。この組成物を
導電性のドラム基体30に塗布し、感光体膜12を形成
させる。
【0041】本発明は、正帯電型有機単層感光体の場合
に顕著な利点が秦せられ、正帯電型のものでは、主帯電
時にオゾンの発生が少ないことも利点である。正帯電型
の場合、電荷発生物質としては、ペリレン系顔料、アゾ
顔料或いはこれらの組合せを使用するのがよく、電荷輸
送物質としては2,6−ジメチル−2’,6’−ジte
rt−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン誘導
体、3,3’−ジメチル−N,N,N’,N’−テトラ
キス−4−メチルフェニル(1,1’−ビフェニル)−
4,4’−ジアミン等のジアミン系化合物、フルオレン
系化合物、ヒドラゾン系化合物を使用するのがよい。
に顕著な利点が秦せられ、正帯電型のものでは、主帯電
時にオゾンの発生が少ないことも利点である。正帯電型
の場合、電荷発生物質としては、ペリレン系顔料、アゾ
顔料或いはこれらの組合せを使用するのがよく、電荷輸
送物質としては2,6−ジメチル−2’,6’−ジte
rt−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン誘導
体、3,3’−ジメチル−N,N,N’,N’−テトラ
キス−4−メチルフェニル(1,1’−ビフェニル)−
4,4’−ジアミン等のジアミン系化合物、フルオレン
系化合物、ヒドラゾン系化合物を使用するのがよい。
【0042】以下に、フローチャートを参照しながら、
本実施例の動作を説明する。
本実施例の動作を説明する。
【0043】図4は、本実施例の画像形成装置11の動
作を示すフローチャートであり、図6は本実施例に於け
る感光体膜12の表面電位の検出動作と、感光体膜12
の温度補正動作とを詳細に説明するフローチャートであ
る。以下に説明する動作は、本実施例の画像形成装置1
1が、例として静電複写機である場合、メインスイッチ
の投入後のウォーミングアップ期間に、あるいは、複写
動作が行われていない期間に行われる。ウォーミングア
ップ期間に行われる場合、以下に説明する本実施例の補
正動作のための動作期間を独立に定める必要がなく、複
写動作に対して無駄となる時間の発生を防止することが
できる。
作を示すフローチャートであり、図6は本実施例に於け
る感光体膜12の表面電位の検出動作と、感光体膜12
の温度補正動作とを詳細に説明するフローチャートであ
る。以下に説明する動作は、本実施例の画像形成装置1
1が、例として静電複写機である場合、メインスイッチ
の投入後のウォーミングアップ期間に、あるいは、複写
動作が行われていない期間に行われる。ウォーミングア
ップ期間に行われる場合、以下に説明する本実施例の補
正動作のための動作期間を独立に定める必要がなく、複
写動作に対して無駄となる時間の発生を防止することが
できる。
【0044】図4のステップa1に於いて、メインスイ
ッチが投入される。ステップa2に於いて、詳しくは後
述するように、表面電位の測定が行われる。ステップa
3に於いて、測定された表面電位が予め定められた表面
電位の基準値と等しいかどうかが判断される。ステップ
a3の判断が否定であれば、ステップa4に於いて、詳
しくは後述される補正動作が実行される。
ッチが投入される。ステップa2に於いて、詳しくは後
述するように、表面電位の測定が行われる。ステップa
3に於いて、測定された表面電位が予め定められた表面
電位の基準値と等しいかどうかが判断される。ステップ
a3の判断が否定であれば、ステップa4に於いて、詳
しくは後述される補正動作が実行される。
【0045】該補正動作の終了の後、ステップa5に於
いて、静電複写機が複写動作可能な待機状態に設定さ
れ、ステップa6に於いて複写動作が実行される。ステ
ップa7に於いて複写動作が終了し、メインスイッチが
遮断される。ステップa3に於いて、判断が肯定であれ
ば、ステップa5に於いて、静電複写機が複写動作可能
な待機状態に設定される。以下、ステップa6、a7の
処理が行われる。
いて、静電複写機が複写動作可能な待機状態に設定さ
れ、ステップa6に於いて複写動作が実行される。ステ
ップa7に於いて複写動作が終了し、メインスイッチが
遮断される。ステップa3に於いて、判断が肯定であれ
ば、ステップa5に於いて、静電複写機が複写動作可能
な待機状態に設定される。以下、ステップa6、a7の
処理が行われる。
【0046】図5に於けるステップb1に於いて、メイ
ンスイッチが投入される。ステップb2に於いて、感光
体ドラム13が回転を開始し、主帯電器14に電源25
から放電電流Iccが供給される。光学装置15、現像
装置16、転写器18、クリーニング装置19、及び除
電ランプ20等は全て停止される。ステップb3に於い
て、感光体ドラム13が1回転(例として1〜6秒間程
度)するまで待機する。待機時間は感光体ドラム13が
少なくとも1回転する時間であればよい。この待機期間
の計測は、本実施例の画像形成装置11のメインモータ
がパルス駆動される場合、このメインモータの駆動に用
いられるパルスを計数することによって実現するように
してもよい。また、画像形成装置11が、該待機期間の
計測用にタイマあるいはカウンタを別途用いるようにし
てもよい。
ンスイッチが投入される。ステップb2に於いて、感光
体ドラム13が回転を開始し、主帯電器14に電源25
から放電電流Iccが供給される。光学装置15、現像
装置16、転写器18、クリーニング装置19、及び除
電ランプ20等は全て停止される。ステップb3に於い
て、感光体ドラム13が1回転(例として1〜6秒間程
度)するまで待機する。待機時間は感光体ドラム13が
少なくとも1回転する時間であればよい。この待機期間
の計測は、本実施例の画像形成装置11のメインモータ
がパルス駆動される場合、このメインモータの駆動に用
いられるパルスを計数することによって実現するように
してもよい。また、画像形成装置11が、該待機期間の
計測用にタイマあるいはカウンタを別途用いるようにし
てもよい。
【0047】待機期間を設定するのは、感光体膜12の
全表面に亘る帯電が終了するのを待機するためである。
前述したように、スコロトロンで構成される主帯電器1
4によって感光体ドラム13に帯電を行う場合、感光体
膜12の全面が飽和帯電電位Vsまで帯電していない場
合があるからである。
全表面に亘る帯電が終了するのを待機するためである。
前述したように、スコロトロンで構成される主帯電器1
4によって感光体ドラム13に帯電を行う場合、感光体
膜12の全面が飽和帯電電位Vsまで帯電していない場
合があるからである。
【0048】ステップb3の判断が肯定になると、ステ
ップb4に於いて、表面電位が、表面電位計26によっ
て測定される。ステップb5に於いて、測定された表面
電位が、予め定められる表面電位の基準値と等しいかど
うかが判断される。
ップb4に於いて、表面電位が、表面電位計26によっ
て測定される。ステップb5に於いて、測定された表面
電位が、予め定められる表面電位の基準値と等しいかど
うかが判断される。
【0049】ステップb5の判断が否定であれば、ステ
ップb6に於いて、感光体膜12の温度が、設定可能な
温度範囲の下限値であるか否かを判断する。
ップb6に於いて、感光体膜12の温度が、設定可能な
温度範囲の下限値であるか否かを判断する。
【0050】ステップb6の判断が否定であれば、ステ
ップb7に於いて、以下に説明する感光体膜12の温度
に関する補正動作が実行される。
ップb7に於いて、以下に説明する感光体膜12の温度
に関する補正動作が実行される。
【0051】図6に、感光膜膜12における温度と現像
位置における表面電位の変化幅との関係を示す。図から
分かるように、感光体膜12の温度が1℃上昇すれば、
表面電位がおよそ2V降下する。本発明では、この特性
を利用して暗減衰の程度の変化を補償する。表面電位計
26により測定される表面電位が、暗減衰により降下し
た場合に、比較器27により表面電位の降下量が求めら
れる。制御装置28は、その表面電位の降下量に応じて
感光体膜12の温度の降下させ、表面電位を基準値に維
持する。また、逆に画像形成装置11の設置されている
環境などが変化して表面電位が上昇した場合には、その
表面電位の上昇量に応じて感光体膜12の温度の上昇さ
せ、表面電位を基準値に維持する。従って、暗減衰の程
度に経時変化が生じた場合、あるいは画像形成装置の設
置環境などに起因して暗減衰が、画像形成装置毎にばら
ついた場合等、暗減衰が感光体膜の製造直後の程度から
変動した場合においても、その変動量に応じて感光体膜
12の温度を制御するので、暗減衰の程度の経時変化あ
るいはばらつきを補償することができる。これにより、
均一な画像濃度を実現することができる。
位置における表面電位の変化幅との関係を示す。図から
分かるように、感光体膜12の温度が1℃上昇すれば、
表面電位がおよそ2V降下する。本発明では、この特性
を利用して暗減衰の程度の変化を補償する。表面電位計
26により測定される表面電位が、暗減衰により降下し
た場合に、比較器27により表面電位の降下量が求めら
れる。制御装置28は、その表面電位の降下量に応じて
感光体膜12の温度の降下させ、表面電位を基準値に維
持する。また、逆に画像形成装置11の設置されている
環境などが変化して表面電位が上昇した場合には、その
表面電位の上昇量に応じて感光体膜12の温度の上昇さ
せ、表面電位を基準値に維持する。従って、暗減衰の程
度に経時変化が生じた場合、あるいは画像形成装置の設
置環境などに起因して暗減衰が、画像形成装置毎にばら
ついた場合等、暗減衰が感光体膜の製造直後の程度から
変動した場合においても、その変動量に応じて感光体膜
12の温度を制御するので、暗減衰の程度の経時変化あ
るいはばらつきを補償することができる。これにより、
均一な画像濃度を実現することができる。
【0052】図7に基づいて、補正動作をより具体的に
説明する。本場合では、表面電位の基準値を、たとえば
800Vに設定する。この場合、表面電位計26により
測定される表面電位が、たとえば780Vのときには、
ヒータ24の温度が、そのときに設定されている温度よ
り10℃だけ低くなるように制御装置28により調整さ
れる。また、測定される表面電位が、たとえば820V
のときには、ヒータ24の温度が、そのときに設定され
ている温度より10℃だけ高くなるように調整される。
説明する。本場合では、表面電位の基準値を、たとえば
800Vに設定する。この場合、表面電位計26により
測定される表面電位が、たとえば780Vのときには、
ヒータ24の温度が、そのときに設定されている温度よ
り10℃だけ低くなるように制御装置28により調整さ
れる。また、測定される表面電位が、たとえば820V
のときには、ヒータ24の温度が、そのときに設定され
ている温度より10℃だけ高くなるように調整される。
【0053】このようなヒータ24の温度調整は、制御
装置28がヒータ24の制御電圧を調整することにより
行われる。図8に、ヒータ制御電圧とヒータ温度との関
係を示す。図から分かるように、ヒータ24の温度を上
昇させる場合には、ヒータ制御電圧を上げ、逆にヒータ
24の温度を降下させる場合には、ヒータ制御電圧を下
げる。ただし、ヒータ24の制御可能な温度範囲は30
℃〜60℃であり、従って、表面電位の調整幅もほぼ6
0Vである。
装置28がヒータ24の制御電圧を調整することにより
行われる。図8に、ヒータ制御電圧とヒータ温度との関
係を示す。図から分かるように、ヒータ24の温度を上
昇させる場合には、ヒータ制御電圧を上げ、逆にヒータ
24の温度を降下させる場合には、ヒータ制御電圧を下
げる。ただし、ヒータ24の制御可能な温度範囲は30
℃〜60℃であり、従って、表面電位の調整幅もほぼ6
0Vである。
【0054】ヒータ26の初期温度は、通常、温度範囲
の上限値近く、たとえば50℃に設定される。これは、
ほとんどの場合で表面電位は低下し、上昇することは希
であるからである。
の上限値近く、たとえば50℃に設定される。これは、
ほとんどの場合で表面電位は低下し、上昇することは希
であるからである。
【0055】なお、感光体膜12を構成する感光体材料
として、セレン−テレル系材料を用いる場合は、感光体
膜12の温度が45度を越えると熱破壊してしまうの
で、そのことに留意して感光体膜12の温度調整を行う
必要がある。
として、セレン−テレル系材料を用いる場合は、感光体
膜12の温度が45度を越えると熱破壊してしまうの
で、そのことに留意して感光体膜12の温度調整を行う
必要がある。
【0056】上記補正動作に用いる図6に示す関係のデ
ータ、および感光体膜12の温度調整に必要な種々のデ
ータ、例えば図7および図8に示すデータなどはメモリ
29に記憶されている。
ータ、および感光体膜12の温度調整に必要な種々のデ
ータ、例えば図7および図8に示すデータなどはメモリ
29に記憶されている。
【0057】さらに、本実施例の画像形成装置11は、
図6、図7および図8に示す関係自体の、感光体膜12
の劣化、画像形成装置の設置環境などに起因する変動を
も補償するように構成することもできる。上記メモリ2
9に記憶されているデータは、感光体膜12の長期間に
亘る使用、あるいは温度、湿度、振動などの周辺雰囲気
の変化などによって変動する。従って、本発明におい
て、メモリ29のデータを補正動作を行うたびに、最新
のデータに書き換える構成とする。すなわち、補正動作
を行うことによって変動する各種パラメータ、例えば温
度センサ31によって測定される感光体膜12の温度な
どのデータをフィードバックして、後の補正動作に用い
る。その結果、それぞれの画像形成装置11に固有の特
性に従ってさらに精密に補正動作を行うことができ、表
面電位の十分な補償を実現できる。ステップb7の補正
処理が終了すると、ステップb9に於いて、画像形成装
置11は、複写動作が可能な待機状態となる。ステップ
b10に於いて、複写動作が実行されて終了すると、ス
テップb11に於いて、メインスイッチが遮断され、画
像形成装置11の動作が停止する。この後、処理はステ
ップb1に戻る。
図6、図7および図8に示す関係自体の、感光体膜12
の劣化、画像形成装置の設置環境などに起因する変動を
も補償するように構成することもできる。上記メモリ2
9に記憶されているデータは、感光体膜12の長期間に
亘る使用、あるいは温度、湿度、振動などの周辺雰囲気
の変化などによって変動する。従って、本発明におい
て、メモリ29のデータを補正動作を行うたびに、最新
のデータに書き換える構成とする。すなわち、補正動作
を行うことによって変動する各種パラメータ、例えば温
度センサ31によって測定される感光体膜12の温度な
どのデータをフィードバックして、後の補正動作に用い
る。その結果、それぞれの画像形成装置11に固有の特
性に従ってさらに精密に補正動作を行うことができ、表
面電位の十分な補償を実現できる。ステップb7の補正
処理が終了すると、ステップb9に於いて、画像形成装
置11は、複写動作が可能な待機状態となる。ステップ
b10に於いて、複写動作が実行されて終了すると、ス
テップb11に於いて、メインスイッチが遮断され、画
像形成装置11の動作が停止する。この後、処理はステ
ップb1に戻る。
【0058】ステップb6に於いて判断が否定である場
合、即ち感光体膜12の温度が設定可能な温度範囲の下
限値である場合には、感光体膜12の温度をその下限値
に維持したまま、ステップb8に於いて、以下に説明す
る主帯電器14の電源25の電流Iccに関する補正動
作が実行される。
合、即ち感光体膜12の温度が設定可能な温度範囲の下
限値である場合には、感光体膜12の温度をその下限値
に維持したまま、ステップb8に於いて、以下に説明す
る主帯電器14の電源25の電流Iccに関する補正動
作が実行される。
【0059】この補正動作は、表面電位の降下量に基づ
いて制御装置28が電源25の電流Iccを調整するこ
とによって、表面電位を調整することにより行われる。
このような補正は従来から行われており、具体的な手段
および方法は特に限定されるものではない。また、電源
25の電流Iccはそのままで、グリッド電圧を調節す
ることにより、放電電流Ipcを調整し、それにより表
面電位の調整を行うようにしてもよい。放電電流Icc
を調整するような補正は、オゾン、NOxなどの感光体
膜12に有害な物質の発生を伴う。本発明では、感光体
膜12の温度調整という無害な補正動作を行った後に、
温度調整のみでは補正できなくなった場合に、主帯電器
14の感光体膜12への供給電荷量の調整による補正を
行う。従って、主帯電器14の感光体膜12への供給電
荷量の調整のみで補正を行う場合と比べて、本発明によ
る補正はより無害である。
いて制御装置28が電源25の電流Iccを調整するこ
とによって、表面電位を調整することにより行われる。
このような補正は従来から行われており、具体的な手段
および方法は特に限定されるものではない。また、電源
25の電流Iccはそのままで、グリッド電圧を調節す
ることにより、放電電流Ipcを調整し、それにより表
面電位の調整を行うようにしてもよい。放電電流Icc
を調整するような補正は、オゾン、NOxなどの感光体
膜12に有害な物質の発生を伴う。本発明では、感光体
膜12の温度調整という無害な補正動作を行った後に、
温度調整のみでは補正できなくなった場合に、主帯電器
14の感光体膜12への供給電荷量の調整による補正を
行う。従って、主帯電器14の感光体膜12への供給電
荷量の調整のみで補正を行う場合と比べて、本発明によ
る補正はより無害である。
【0060】ステップb8の補正処理が終了すると、処
理はステップb9に移り、前述したステップb9以降の
処理を実行する。
理はステップb9に移り、前述したステップb9以降の
処理を実行する。
【0061】ステップb5に於いて判断が肯定である場
合も、処理はステップb9に移り、前述したステップb
9以降の処理を実行する。
合も、処理はステップb9に移り、前述したステップb
9以降の処理を実行する。
【0062】本件発明者の計測によれば、本実施例にお
けるような感光体膜12の表面電位の調節とを行わない
従来技術の画像形成装置の現像位置に於ける電位と、本
実施例の画像形成装置11の現像位置に於ける電位と
を、静電複写機として比較すると、図9に示す結果が得
られた。図9のライン32は従来技術の場合であり、ラ
イン33は本実施例の場合である。図9から解るよう
に、従来技術に於いて、現像位置の電位は使用に伴って
次第に減少するのに対し、本実施例の画像形成装置11
は、現像位置に於ける電位がほぼ一定である。
けるような感光体膜12の表面電位の調節とを行わない
従来技術の画像形成装置の現像位置に於ける電位と、本
実施例の画像形成装置11の現像位置に於ける電位と
を、静電複写機として比較すると、図9に示す結果が得
られた。図9のライン32は従来技術の場合であり、ラ
イン33は本実施例の場合である。図9から解るよう
に、従来技術に於いて、現像位置の電位は使用に伴って
次第に減少するのに対し、本実施例の画像形成装置11
は、現像位置に於ける電位がほぼ一定である。
【0063】これにより、正規現像方式に於いて画像濃
度が一定に維持され、反転現像方式に於いて、画像濃度
むらであるカブリ現象が防止された画像形成装置11を
実現することができた。
度が一定に維持され、反転現像方式に於いて、画像濃度
むらであるカブリ現象が防止された画像形成装置11を
実現することができた。
【0064】なお、従来から、感光体ドラム13内にヒ
ータが設置されていたが、これは、感光体ドラム13の
温度を35度前後に維持することにより、感光体ドラム
13上の結露を防止するためである。静電式複写機とし
ての画像形成装置11の感光体ドラム13に於いて、感
光体ドラム13の表面に於ける結露によって、感光体ド
ラム13上に分布した電荷の消失や、形成された静電潜
像の破壊等が生じる場合があるからである。しかし、こ
の様な温度調整は、大まかなものであり、本実施例のよ
うに温度センサ31を配して精密に温度調整するもので
はない。
ータが設置されていたが、これは、感光体ドラム13の
温度を35度前後に維持することにより、感光体ドラム
13上の結露を防止するためである。静電式複写機とし
ての画像形成装置11の感光体ドラム13に於いて、感
光体ドラム13の表面に於ける結露によって、感光体ド
ラム13上に分布した電荷の消失や、形成された静電潜
像の破壊等が生じる場合があるからである。しかし、こ
の様な温度調整は、大まかなものであり、本実施例のよ
うに温度センサ31を配して精密に温度調整するもので
はない。
【0065】なお、上記実施例では、暗減衰の程度の検
出は、感光体膜12の現像位置における表面電位を測定
することによって行っている。しかし、暗減衰の程度の
検出のための装置および方法は、特に限定されるもので
はなく、暗減衰の程度を検出することができる他の装置
および方法でもよい。たとえば、感光体膜12に於ける
暗減衰によって発生するリーク電流Ilcを取り出す検
出体を、感光体ドラム13に接続し、この検出体に検出
されるリーク電流Ilcの変動量から、暗減衰の程度を
検出するようにしてもよい。この場合も、暗減衰の程度
の経時的変化を十分に補償すべく、補正動作を行うたび
に前記リーク電流Ilcの変動量をメモリに記憶させ、
補正動作に使用する各種データをそれぞれの画像形成装
置における最新の特性に基づくデータとしておくことも
できる。
出は、感光体膜12の現像位置における表面電位を測定
することによって行っている。しかし、暗減衰の程度の
検出のための装置および方法は、特に限定されるもので
はなく、暗減衰の程度を検出することができる他の装置
および方法でもよい。たとえば、感光体膜12に於ける
暗減衰によって発生するリーク電流Ilcを取り出す検
出体を、感光体ドラム13に接続し、この検出体に検出
されるリーク電流Ilcの変動量から、暗減衰の程度を
検出するようにしてもよい。この場合も、暗減衰の程度
の経時的変化を十分に補償すべく、補正動作を行うたび
に前記リーク電流Ilcの変動量をメモリに記憶させ、
補正動作に使用する各種データをそれぞれの画像形成装
置における最新の特性に基づくデータとしておくことも
できる。
【0066】上記実施例では、すべてドラム状の基体に
感光体膜を形成したものを感光体部材として用いたが、
ベルト状の基体に感光体膜を形成したものを用いてもよ
い。また、上記実施例では、本発明の画像形成装置を静
電複写機として説明したが、本発明の画像形成装置は、
静電複写機にかかわらず、電子写真方式によって画像形
成を行う画像形成装置であればよい。
感光体膜を形成したものを感光体部材として用いたが、
ベルト状の基体に感光体膜を形成したものを用いてもよ
い。また、上記実施例では、本発明の画像形成装置を静
電複写機として説明したが、本発明の画像形成装置は、
静電複写機にかかわらず、電子写真方式によって画像形
成を行う画像形成装置であればよい。
【0067】
【発明の効果】本発明によれば、感光体ドラムに於ける
表面電位を検出した後に、該検出結果に基づいて、感光
体膜の温度を調節することにより、表面電位の変動を補
償する。更に、この感光体膜の温度調節では表面電位の
変動を十分に補償できない場合は、主帯電器の感光体膜
への供給電荷量を調節することにより、表面電位の変動
を補償する。これにより、暗減衰が経時変化を生じた場
合、あるいは画像形成装置の設置環境などに起因して暗
減衰が、画像形成装置毎にばらついた場合等、暗減衰が
感光体膜の製造直後の程度から変動した場合、より無害
に、暗減衰の程度の経時変化あるいはばらつきに起因す
る表面電位の変動を補償して、均一な画像濃度の画像を
形成することができる。
表面電位を検出した後に、該検出結果に基づいて、感光
体膜の温度を調節することにより、表面電位の変動を補
償する。更に、この感光体膜の温度調節では表面電位の
変動を十分に補償できない場合は、主帯電器の感光体膜
への供給電荷量を調節することにより、表面電位の変動
を補償する。これにより、暗減衰が経時変化を生じた場
合、あるいは画像形成装置の設置環境などに起因して暗
減衰が、画像形成装置毎にばらついた場合等、暗減衰が
感光体膜の製造直後の程度から変動した場合、より無害
に、暗減衰の程度の経時変化あるいはばらつきに起因す
る表面電位の変動を補償して、均一な画像濃度の画像を
形成することができる。
【図1】本発明の実施例1の画像形成装置11の系統図
である。
である。
【図2】本実施例の配置状態を示す系統図である。
【図3】主帯電器14のグリッド23の平面図である。
【図4】本実施例の動作を説明するフローチャートであ
る。
る。
【図5】本実施例の動作を説明するフローチャートであ
る。
る。
【図6】感光膜膜12における温度と表面電位の変化幅
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図7】表面電位の測定値と温度調整幅との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図8】ヒータ制御電圧とヒータ温度との関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図9】本実施例の効果を説明するグラフである。
【図10】従来技術の画像形成装置1の系統図である。
11 画像形成装置 12 感光体膜 13 感光体ドラム 14 主帯電器 16 現像装置 19 クリーニング装置 20 除電ランプ 21 放電ワイヤ 22 シールドケース 23 グリッド 24 ヒータ 25 電源 26 表面電位計 27 比較器 28 制御装置 29 メモリ 30 ドラム基体 31 温度センサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03G 15/02 102 (72)発明者 山里 一郎 大阪市中央区玉造一丁目2番28号 三田工 業株式会社内 (72)発明者 寺田 卓司 大阪市中央区玉造一丁目2番28号 三田工 業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 導電性を有する基体、及び該基体の表面
に形成されている感光体膜を備える回転可能な感光体部
材と、 該感光体部材の近傍に配置されて、該感光体膜を帯電さ
せる帯電手段と、 帯電した該感光体膜に画像に対応する光を照射する露光
手段と、 該感光体部材の回転方向に沿って、該露光手段よりも下
流側に配置されている現像手段と、 該感光体膜に於ける暗減衰の程度を検出する暗減衰検出
手段と、 該暗減衰検出手段で検出された該暗減衰の程度に基づい
て、該感光体膜の温度を調節することにより、該暗減衰
を補償する第1の補償手段と、 該暗減衰検出手段で検出された該暗減衰の程度に基づい
て、該帯電手段の該感光体膜の供給電荷量を調節するこ
とにより、該暗減衰を補償する第2の補償手段とを備え
る画像形成装置。 - 【請求項2】 前記第1の補償手段が、前記第2の補償
手段より優先して動作し、該第2の補償手段が該第1の
補償手段により補償できなかった暗減衰を補償する請求
項1に記載の画像形成装置。 - 【請求項3】 前記第1の補償手段が、前記感光体膜に
熱量を与えるための加熱手段と、前記暗減衰検出手段で
検出された前記暗減衰の程度に基づいて、該加熱手段に
より該感光体膜に与えられる熱量を制御する制御手段と
を有する請求項1に記載の画像形成装置。 - 【請求項4】 前記第1の補償手段が、前記感光体膜の
温度を検出するための温度センサをさらに備え、該温度
センサによって検出された温度の基づいて、前記加熱手
段によって該感光体膜に与えられる熱量を制御する請求
項3に記載の画像形成装置 - 【請求項5】 前記第2の補償手段が、前記帯電手段の
電源電流を調節する手段である請求項1に記載の画像形
成装置。 - 【請求項6】 前記帯電手段がスコロトロン方式であ
り、前記第2の補償手段が、該帯電手段の電位制御手段
を調節する手段である請求項1に記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5186501A JPH0744063A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5186501A JPH0744063A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0744063A true JPH0744063A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16189600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5186501A Pending JPH0744063A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744063A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009251612A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Toshiba Corp | 画像形成装置及び画像形成装置に用いられる電位センサのシャッターの開閉状態検知方法 |
| JP2012230141A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-22 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| US9690226B2 (en) | 2015-03-23 | 2017-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus with controlled charging voltage |
-
1993
- 1993-07-28 JP JP5186501A patent/JPH0744063A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009251612A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Toshiba Corp | 画像形成装置及び画像形成装置に用いられる電位センサのシャッターの開閉状態検知方法 |
| JP2012230141A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-22 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| US9690226B2 (en) | 2015-03-23 | 2017-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus with controlled charging voltage |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04212181A (ja) | 感光体膜減り検出装置を備える画像形成装置 | |
| US5717979A (en) | Image forming apparatus with AC current controlled contact charging | |
| JP6421922B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH07325440A (ja) | 画像形成装置 | |
| JP2010190968A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0744063A (ja) | 画像形成装置 | |
| US5583616A (en) | Electrophotographic apparatus with pre-exposure controlled according to photoconductor thinning | |
| JP2006317532A (ja) | 画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ | |
| JPH0756405A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0744062A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0743986A (ja) | 画像形成装置 | |
| US5530524A (en) | Electrophotographic apparatus with photosensitive drum requiring multiple rotations for production of a copy image on one sheet and method of operating same | |
| JPH0743987A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0744071A (ja) | 画像形成装置 | |
| JP3460285B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0756404A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH07152295A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0738726A (ja) | 電子写真装置 | |
| JPH07152212A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH07104625A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH07234618A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0743962A (ja) | 画像形成装置 | |
| JP3302106B2 (ja) | 電子写真プロセスおよびそれに用いられる電子写真感光体 | |
| JPH07104612A (ja) | 画像形成装置における感光体膜の温度設定方法 | |
| JP2008015250A (ja) | 画像形成装置及びプロセスカートリッジ |