JPH0744241B2 - 半導体装置載置基板の製造方法 - Google Patents
半導体装置載置基板の製造方法Info
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- JPH0744241B2 JPH0744241B2 JP59020533A JP2053384A JPH0744241B2 JP H0744241 B2 JPH0744241 B2 JP H0744241B2 JP 59020533 A JP59020533 A JP 59020533A JP 2053384 A JP2053384 A JP 2053384A JP H0744241 B2 JPH0744241 B2 JP H0744241B2
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- Japan
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- semiconductor device
- device mounting
- surface side
- resin layer
- dianhydride
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 この判明は樹脂封止した半導体装置を半田浸漬により基
板に実装する際のクラツク発生を防止しうる半導体装置
載置基板の製造方法に関するものである。
板に実装する際のクラツク発生を防止しうる半導体装置
載置基板の製造方法に関するものである。
近年、半導体装置はチツプの大型化などにより高集積化
および外形の薄形化が進んでおり、これに伴つて基板へ
の実装を半田浸漬によつて行うようになりつつある。こ
の半田浸漬は、半導体チツプが装填されたチツプベツド
を樹脂封止した半導体装置のパツケージを、その外部リ
ードを介して基板上に仮装着した上で、通常260〜300℃
程度の溶融半田中に浸漬することによつて行うものであ
る。
および外形の薄形化が進んでおり、これに伴つて基板へ
の実装を半田浸漬によつて行うようになりつつある。こ
の半田浸漬は、半導体チツプが装填されたチツプベツド
を樹脂封止した半導体装置のパツケージを、その外部リ
ードを介して基板上に仮装着した上で、通常260〜300℃
程度の溶融半田中に浸漬することによつて行うものであ
る。
ところが上記半田浸漬時にパツケージの裏面側、すなわ
ち半導体チツプを装填した側の反対面に特異的にクラツ
クが発生し易く、とくに薄型のフラツトパツケージ（例
えば48ピンのものでは縦横各10mm,厚さ1.5mm）において
顕著である。この原因としては半田浸漬前の放置中にパ
ツケージの封止樹脂とチツプベツドとの界面に吸湿され
た水分の加熱による気化膨張が考えられ、チツプベツド
の表面側では半導体素子の保護膜などの存在によつて上
記界面の吸湿が少ないのに対し、一般的に表面側よりも
封止樹脂が薄くなる裏面側の上記界面での吸湿が多くな
り、クラツク発生が裏面側に集中すると推定されるが、
現状では有効な対策は見出されていない。
ち半導体チツプを装填した側の反対面に特異的にクラツ
クが発生し易く、とくに薄型のフラツトパツケージ（例
えば48ピンのものでは縦横各10mm,厚さ1.5mm）において
顕著である。この原因としては半田浸漬前の放置中にパ
ツケージの封止樹脂とチツプベツドとの界面に吸湿され
た水分の加熱による気化膨張が考えられ、チツプベツド
の表面側では半導体素子の保護膜などの存在によつて上
記界面の吸湿が少ないのに対し、一般的に表面側よりも
封止樹脂が薄くなる裏面側の上記界面での吸湿が多くな
り、クラツク発生が裏面側に集中すると推定されるが、
現状では有効な対策は見出されていない。
この発明者らは、上述状況に鑑みて鋭意検討を重ねた結
果、表面側に半導体チツプを装填するチツプベツドの少
なくとも裏面側にあらかじめ特定の厚さのポリイミド系
樹脂層を形成しておくことにより、半田浸漬時のクラツ
ク発生をほぼ完全に防止しうることを見出し、この発明
をなすに至つた。
果、表面側に半導体チツプを装填するチツプベツドの少
なくとも裏面側にあらかじめ特定の厚さのポリイミド系
樹脂層を形成しておくことにより、半田浸漬時のクラツ
ク発生をほぼ完全に防止しうることを見出し、この発明
をなすに至つた。
すなわちこの発明は、表面側に半導体チツプが装填され
たチツプベツドを樹脂封止してなる半導体装置を、該装
置の外部リードを介して基板上に仮接着したのち、溶融
半田中に浸漬して半導体装置載置基板を製造する方法に
おいて、上記チツプベツドの少なくとも裏面側にあらか
じめ厚さが20〜200μｍのポリイミド系樹脂層を形成し
ておくことを特徴とする半導体装置載置基板の製造方法
に係る。
たチツプベツドを樹脂封止してなる半導体装置を、該装
置の外部リードを介して基板上に仮接着したのち、溶融
半田中に浸漬して半導体装置載置基板を製造する方法に
おいて、上記チツプベツドの少なくとも裏面側にあらか
じめ厚さが20〜200μｍのポリイミド系樹脂層を形成し
ておくことを特徴とする半導体装置載置基板の製造方法
に係る。
上記の如くチツプベツドの少なくとも裏面側にあらかじ
めポリイミド系樹脂層を形成することによりクラツクの
発生が防止されることについて詳細な機構は明確ではな
い。推測では封止樹脂に使用されるエポキシ樹脂に対し
てポリイミド系樹脂が比較的に良好な密着性を示し、チ
ツプベツドと封止樹脂との接着力が向上すること、なら
びにポリイミド系樹脂層の存在によりチツプベツドと封
止樹脂との界面部における吸湿が大きく低下することに
起因するものと考えられ、さらにポリイミド系樹脂層に
よる層界面での半田浸漬時の熱衝撃緩和作用もあるもの
と思われる。
めポリイミド系樹脂層を形成することによりクラツクの
発生が防止されることについて詳細な機構は明確ではな
い。推測では封止樹脂に使用されるエポキシ樹脂に対し
てポリイミド系樹脂が比較的に良好な密着性を示し、チ
ツプベツドと封止樹脂との接着力が向上すること、なら
びにポリイミド系樹脂層の存在によりチツプベツドと封
止樹脂との界面部における吸湿が大きく低下することに
起因するものと考えられ、さらにポリイミド系樹脂層に
よる層界面での半田浸漬時の熱衝撃緩和作用もあるもの
と思われる。
このようなポリイミド系樹脂層を形成する手段として
は、酸二無水物またはその誘導体とジアミンとの等モル
（どちらか一方が多少多くてもよい）反応によつて得ら
れるポリイミド前駆体の溶液をチツプベツドの少なくと
も裏面側に塗工して乾燥したのち、加熱処理を行つてイ
ミド化させるのが一般的である。
は、酸二無水物またはその誘導体とジアミンとの等モル
（どちらか一方が多少多くてもよい）反応によつて得ら
れるポリイミド前駆体の溶液をチツプベツドの少なくと
も裏面側に塗工して乾燥したのち、加熱処理を行つてイ
ミド化させるのが一般的である。
ポリイミド前駆体の生成に用いられる酸二無水物として
は、ピロメリツト酸二無水物、３・３′・４・４′−ベ
ンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、３・３′・４
・４′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物、２・３
・３′・４′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物、
２・３・６・７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、１・２・５・６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１・４・５・８−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２・２′−ビス（３・４−ジカルボキシフエニ
ル）プロパン二無水物、ビス（３・４−ジカルボキシフ
エニル）スルホン二無水物、３・４・９・10−ペリレン
テトラカルボン酸二無水物、ビス（３・４−ジカルボキ
シフエニル）エーテル二無水物、２・２′−ビス（２・
３−ジカルボキシフエニル）プロパン二無水物、１・
１′−ビス（２・３−ジカルボキシフエニル）エタン二
無水物、ベンゼン−１・２・３・４−テトラカルボン酸
二無水物、２・３・６・７−アントラセンテトラカルボ
ン酸二無水物、１・２・７・８−フエナントレンテトラ
カルボン酸二無水物などがある。誘導体としては、上記
二無水物のハロゲン化物や低級ジアルキルエステル化合
物などが挙げられる。
は、ピロメリツト酸二無水物、３・３′・４・４′−ベ
ンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、３・３′・４
・４′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物、２・３
・３′・４′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物、
２・３・６・７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、１・２・５・６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１・４・５・８−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２・２′−ビス（３・４−ジカルボキシフエニ
ル）プロパン二無水物、ビス（３・４−ジカルボキシフ
エニル）スルホン二無水物、３・４・９・10−ペリレン
テトラカルボン酸二無水物、ビス（３・４−ジカルボキ
シフエニル）エーテル二無水物、２・２′−ビス（２・
３−ジカルボキシフエニル）プロパン二無水物、１・
１′−ビス（２・３−ジカルボキシフエニル）エタン二
無水物、ベンゼン−１・２・３・４−テトラカルボン酸
二無水物、２・３・６・７−アントラセンテトラカルボ
ン酸二無水物、１・２・７・８−フエナントレンテトラ
カルボン酸二無水物などがある。誘導体としては、上記
二無水物のハロゲン化物や低級ジアルキルエステル化合
物などが挙げられる。
またジアミンとしては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミ
ンおよび脂環族ジアミンが含まれ、特に好適なものは、
芳香族ジアミンであるが、その代表例を示すと、たとえ
ばメタフエニレンジアミン、パラフエニレンジアミン、
４・４′−ジアミノジフエニルメタン、４・４′−ジア
ミノジフエニルエーテル、２・２′−ビス（４−アミノ
フエニル）プロパン、３・３′−ジアミノジフエニルス
ルホン、４・４′−ジアミノジフエニルスルホン、４・
４′−ジアミノジフエニルスルフイド、ベンジジン、ベ
ンジジン−３・３′−ジカルボン酸、ベンジジン−３・
３′−ジスルホン酸、ベンジジン−３−モノカルボン
酸、ベンジジン−３−モノスルホン酸、３・３′−ジメ
トキシ−ベンジジン、パラ−ビス（４−アミノフエノキ
シ）ベンゼン、メタ−ビス（４−アミノフエノキシ）ベ
ンゼン、メタキシリレンジアミン、パラキシリレンジア
ミンなどが挙げられる。
ンおよび脂環族ジアミンが含まれ、特に好適なものは、
芳香族ジアミンであるが、その代表例を示すと、たとえ
ばメタフエニレンジアミン、パラフエニレンジアミン、
４・４′−ジアミノジフエニルメタン、４・４′−ジア
ミノジフエニルエーテル、２・２′−ビス（４−アミノ
フエニル）プロパン、３・３′−ジアミノジフエニルス
ルホン、４・４′−ジアミノジフエニルスルホン、４・
４′−ジアミノジフエニルスルフイド、ベンジジン、ベ
ンジジン−３・３′−ジカルボン酸、ベンジジン−３・
３′−ジスルホン酸、ベンジジン−３−モノカルボン
酸、ベンジジン−３−モノスルホン酸、３・３′−ジメ
トキシ−ベンジジン、パラ−ビス（４−アミノフエノキ
シ）ベンゼン、メタ−ビス（４−アミノフエノキシ）ベ
ンゼン、メタキシリレンジアミン、パラキシリレンジア
ミンなどが挙げられる。
また、上記ジアミンと共につぎの化学式イ〜ヘで示され
る如きジアミノシロキサンを使用することもできる。こ
のジアミノシロキサンを用いて得られるシロキサン変性
ポリイミド前駆体によれば、イミド化後のチツプベツド
に対する密着性に好結果を得ることができる。ジアミノ
シロキサンの使用量はジアミン成分中50モル％まで、通
常１〜50モル％とするのがよく、あまり多く用いすぎる
と、耐湿特性を損ない好ましくない。
る如きジアミノシロキサンを使用することもできる。こ
のジアミノシロキサンを用いて得られるシロキサン変性
ポリイミド前駆体によれば、イミド化後のチツプベツド
に対する密着性に好結果を得ることができる。ジアミノ
シロキサンの使用量はジアミン成分中50モル％まで、通
常１〜50モル％とするのがよく、あまり多く用いすぎる
と、耐湿特性を損ない好ましくない。
酸二無水物またはその誘導体とジアミンとの重合反応
は、従来公知の方法に準じて行えばよく、一般に有機溶
媒の存在下、窒素ガス気流中下に重合発熱を勘案して通
常60℃以下、とくに好適には30℃以下に制限しながら高
い重合度が得られるまで反応させればよい。この重合度
は反応物の固有粘度〔η〕を調べることによつて簡単に
検知できるものである。
は、従来公知の方法に準じて行えばよく、一般に有機溶
媒の存在下、窒素ガス気流中下に重合発熱を勘案して通
常60℃以下、とくに好適には30℃以下に制限しながら高
い重合度が得られるまで反応させればよい。この重合度
は反応物の固有粘度〔η〕を調べることによつて簡単に
検知できるものである。
有機溶媒としては、たとえばＮ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ・Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ・Ｎ′−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ・Ｎ′−ジメチルスルホキシド、
ヘキサメチルホスホルアミドなどの高極性塩基性溶媒が
用いられる。
ン、Ｎ・Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ・Ｎ′−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ・Ｎ′−ジメチルスルホキシド、
ヘキサメチルホスホルアミドなどの高極性塩基性溶媒が
用いられる。
図面は半導体装置載置基板の概略断面図を示す。この半
導体装置載置基板は、チツプベツド１の表面側に半導体
チツプ（素子）２を装填し、リードフレーム３と半導体
チツプ２との間にワイヤボンデイング４を施したのち、
エポキシ樹脂などの封止樹脂５にて封止し、半導体装置
パツケージ６を作製し、その外部リード3aを利用して適
当な接着剤などにより基板７に仮止めし、この全体を溶
融半田中に浸漬することによつて該基板７上にパツケー
ジ６を実装させて製造するが、この発明では既述の如く
チツプベツド１の少なくとも裏面側にポリイミド系樹脂
層８をあらかじめ形成しておく。
導体装置載置基板は、チツプベツド１の表面側に半導体
チツプ（素子）２を装填し、リードフレーム３と半導体
チツプ２との間にワイヤボンデイング４を施したのち、
エポキシ樹脂などの封止樹脂５にて封止し、半導体装置
パツケージ６を作製し、その外部リード3aを利用して適
当な接着剤などにより基板７に仮止めし、この全体を溶
融半田中に浸漬することによつて該基板７上にパツケー
ジ６を実装させて製造するが、この発明では既述の如く
チツプベツド１の少なくとも裏面側にポリイミド系樹脂
層８をあらかじめ形成しておく。
上記ポリイミド系樹脂層８の形成は、前記した方法で生
成したポリイミド前駆体を不揮発分濃度10〜30重量％程
度の極性溶媒溶液の形態でチツプベツド１に塗工して乾
燥させたのち、加熱処理を行うことによりイミド化させ
ることにより行われる。なお、上記ポリイミド前駆体の
溶媒は、その重合時に使用された既述の高極性塩基性溶
媒であり、塗工に際して重合反応物をそのままもしくは
同様溶媒で稀釈して使用すればよい。またイミド化のた
めの加熱温度は、通常100〜300℃程度するのがよい。
成したポリイミド前駆体を不揮発分濃度10〜30重量％程
度の極性溶媒溶液の形態でチツプベツド１に塗工して乾
燥させたのち、加熱処理を行うことによりイミド化させ
ることにより行われる。なお、上記ポリイミド前駆体の
溶媒は、その重合時に使用された既述の高極性塩基性溶
媒であり、塗工に際して重合反応物をそのままもしくは
同様溶媒で稀釈して使用すればよい。またイミド化のた
めの加熱温度は、通常100〜300℃程度するのがよい。
形成するポリイミド系樹脂層８の層厚は20〜200μｍと
すべきであり、20μｍより薄い場合はクラツク発生の防
止効果が不充分となり、また200μｍより厚くなると封
止樹脂層の厚みがその分薄くパツケージ自体の強度が強
くなるという問題がある。
すべきであり、20μｍより薄い場合はクラツク発生の防
止効果が不充分となり、また200μｍより厚くなると封
止樹脂層の厚みがその分薄くパツケージ自体の強度が強
くなるという問題がある。
そしてこの発明においては、該樹脂層８をチツプベツド
１の裏面側のみに形成することにより充分なクラツク発
生防止効果が発揮されるが、必要に応じてチツプヘツド
１側面部や表面側にも該樹脂層８を形成してもよい。
１の裏面側のみに形成することにより充分なクラツク発
生防止効果が発揮されるが、必要に応じてチツプヘツド
１側面部や表面側にも該樹脂層８を形成してもよい。
以上のように、チツプベツド１の少なくとも裏面側にポ
リイミド系樹脂層８をあらかじめ特定の厚さに形成して
おくこの発明方法によれば、半田浸漬時に従来ではパツ
ケージの６の封止樹脂５の裏面側に特異的に発生し易す
かつたクラツクがほぼ完全に防止される。したがつて、
この発明はクラツク発生が顕著であつたフラツトパツケ
ージと称される厚さ1.0〜2.5mm程度の薄型タイプのもの
にとくに効果的に適用できる。
リイミド系樹脂層８をあらかじめ特定の厚さに形成して
おくこの発明方法によれば、半田浸漬時に従来ではパツ
ケージの６の封止樹脂５の裏面側に特異的に発生し易す
かつたクラツクがほぼ完全に防止される。したがつて、
この発明はクラツク発生が顕著であつたフラツトパツケ
ージと称される厚さ1.0〜2.5mm程度の薄型タイプのもの
にとくに効果的に適用できる。
以下に、この発明を実施例にて具体的に示す。
実施例１ 半導体チツプの装填およびワイヤボンデイングを施した
48ピンフラツトパツケージ用フレーム（4.2アロイ）の
チツプベツド（4.0mm×4.5mm,厚さ0.15mm）の裏面側
に、シロキサン変性ポリイミド前駆体溶液（日東電気工
業株式会社製商品名JR−700;3・３′・４・４′−ビフ
エニルテトラカルボン酸二無水物と４・４′−ジアミノ
フエニルエーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサンからなるポリイミド前駆体を主
成分とし、不揮発分濃度20重量％）を塗工し、乾燥させ
て100μｍ厚の塗膜を形成したのち、150℃にて１時間、
200℃にて１時間および260℃にて６時間の段階的加熱処
理を行つてポリイミド系樹脂層を形成した。
48ピンフラツトパツケージ用フレーム（4.2アロイ）の
チツプベツド（4.0mm×4.5mm,厚さ0.15mm）の裏面側
に、シロキサン変性ポリイミド前駆体溶液（日東電気工
業株式会社製商品名JR−700;3・３′・４・４′−ビフ
エニルテトラカルボン酸二無水物と４・４′−ジアミノ
フエニルエーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサンからなるポリイミド前駆体を主
成分とし、不揮発分濃度20重量％）を塗工し、乾燥させ
て100μｍ厚の塗膜を形成したのち、150℃にて１時間、
200℃にて１時間および260℃にて６時間の段階的加熱処
理を行つてポリイミド系樹脂層を形成した。
そののち、エポキシ樹脂（日東電気工業株式会社製MP−
10）にて樹脂封止し、縦横各10mm,厚さ1.5mm,チツプベ
ツドの裏面側の封止樹脂厚さ0.4mmの半導体装置パツケ
ージを作製し、このパツケージの外部リードを利用して
ろう付けにより厚さ1.5mmのガラスエポキシ製基板上に
仮止めし、これを260℃の溶融半田中に10秒間完全浸漬
して半導体装置載置基板を製造した。
10）にて樹脂封止し、縦横各10mm,厚さ1.5mm,チツプベ
ツドの裏面側の封止樹脂厚さ0.4mmの半導体装置パツケ
ージを作製し、このパツケージの外部リードを利用して
ろう付けにより厚さ1.5mmのガラスエポキシ製基板上に
仮止めし、これを260℃の溶融半田中に10秒間完全浸漬
して半導体装置載置基板を製造した。
この実施例１の方法およびポリイミド系樹脂層形成を行
わずに同様条件にて製造した半導体装置載置基板各20個
について、パツケージのクラツク発生を目視にて調べた
ところ、つぎの結果を得た。
わずに同様条件にて製造した半導体装置載置基板各20個
について、パツケージのクラツク発生を目視にて調べた
ところ、つぎの結果を得た。
実施例２ 半導体チツプの装填およびワイヤボンデイングを施した
48ピンフラツトパツケージ用フレーム（4.2アロイ，銀
メツキ）のチツプベツド（4.0mm×4.5mm,厚さ0.20mm）
の裏面側に、実施例１と同じシロキサン変性ポリイミド
前駆体溶液を塗工し、乾燥させて100μｍ厚の塗膜を形
成したのち、実施例１と同様の段階的加熱処理を行つ
た。そのうちエポキシ樹脂（日東電気工業株式会社製MP
−3000）にて樹脂封止し、縦横各10mm,厚さ1.5mm,チツ
プベツドの裏面側の封止樹脂厚さ0.3mmの半導体装置パ
ツケージを作製した。このパツケージを85℃,85％RHの
雰囲気中で48時間放置したのち、実施例１と同様にして
基板上の仮止めおよび半田浸漬を行い、半導体装置載置
基板を製造した。
48ピンフラツトパツケージ用フレーム（4.2アロイ，銀
メツキ）のチツプベツド（4.0mm×4.5mm,厚さ0.20mm）
の裏面側に、実施例１と同じシロキサン変性ポリイミド
前駆体溶液を塗工し、乾燥させて100μｍ厚の塗膜を形
成したのち、実施例１と同様の段階的加熱処理を行つ
た。そのうちエポキシ樹脂（日東電気工業株式会社製MP
−3000）にて樹脂封止し、縦横各10mm,厚さ1.5mm,チツ
プベツドの裏面側の封止樹脂厚さ0.3mmの半導体装置パ
ツケージを作製した。このパツケージを85℃,85％RHの
雰囲気中で48時間放置したのち、実施例１と同様にして
基板上の仮止めおよび半田浸漬を行い、半導体装置載置
基板を製造した。
この実施例２の方法およびポリイミド系樹脂層を形成せ
ずに同様条件にて製造した半導体装置載置基板各20個に
ついて、パツケージのクラツク発生を目視にて調べたと
ころ、次の結果を得た。
ずに同様条件にて製造した半導体装置載置基板各20個に
ついて、パツケージのクラツク発生を目視にて調べたと
ころ、次の結果を得た。
実施例３ 実施例２におけるシロキサン変性ポリイミド前駆体溶液
の代わりにシロキサン未変性のポリイミド前駆体溶液
（ピロメリツト酸二無水物とメタフエニレンジアミンと
からなるポリイミド前駆体を主成分とし、不揮発分濃度
15重量％）を用いた以外は、実施例２と同様にして半導
体装置載置基板を製造した。
の代わりにシロキサン未変性のポリイミド前駆体溶液
（ピロメリツト酸二無水物とメタフエニレンジアミンと
からなるポリイミド前駆体を主成分とし、不揮発分濃度
15重量％）を用いた以外は、実施例２と同様にして半導
体装置載置基板を製造した。
この実施例３の方法およびポリイミド系樹脂層を形成せ
ずに同様条件で製造した半導体装置載置基板各20個につ
いて、パツケージのクラツク発生を目視にて調べたとこ
ろ、つぎの結果を得た。
ずに同様条件で製造した半導体装置載置基板各20個につ
いて、パツケージのクラツク発生を目視にて調べたとこ
ろ、つぎの結果を得た。
図面はこの発明方法にて製造される半導体装置載置基板
の一例を示す概略断面図である。 １……チツプベツド、２……半導体チツプ、3a……外部
リード、５……封止樹脂、６……半導体装置パツケー
ジ、７……基板、８……ポリイミド系樹脂層。
の一例を示す概略断面図である。 １……チツプベツド、２……半導体チツプ、3a……外部
リード、５……封止樹脂、６……半導体装置パツケー
ジ、７……基板、８……ポリイミド系樹脂層。
フロントページの続き (72)発明者 木村 英人 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電気工業株式会社内 (72)発明者 五十嵐 一雅 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電気工業株式会社内 (56)参考文献 実開 昭58−440（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】表面側に半導体チツプが装填されたチツプ
ベツドを樹脂封止してなる半導体装置を、該装置の外部
リードを介して基板上に仮接着したのち、溶融半田中に
浸漬して半導体装置載置基板を製造する方法において、
上記チツプベツドの少なくとも裏面側にあらかじめ厚さ
が20〜200μｍのポリイミド系樹脂層を形成しておくこ
とを特徴とする半導体装置載置基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020533A JPH0744241B2 (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体装置載置基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020533A JPH0744241B2 (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体装置載置基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60164343A JPS60164343A (ja) | 1985-08-27 |
| JPH0744241B2 true JPH0744241B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=12029786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59020533A Expired - Lifetime JPH0744241B2 (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体装置載置基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744241B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2727793B2 (ja) * | 1991-05-28 | 1998-03-18 | 日立電線株式会社 | リードフレームにポリイミド樹脂被膜を形成する方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58440U (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | 富士通株式会社 | プラスチツクパツケ−ジ |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP59020533A patent/JPH0744241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60164343A (ja) | 1985-08-27 |
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