JPH0744327B2 - 導体と導体の間のギャップの橋渡しを無マスクで行う方法 - Google Patents

導体と導体の間のギャップの橋渡しを無マスクで行う方法

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JPH0744327B2
JPH0744327B2 JP1155979A JP15597989A JPH0744327B2 JP H0744327 B2 JPH0744327 B2 JP H0744327B2 JP 1155979 A JP1155979 A JP 1155979A JP 15597989 A JP15597989 A JP 15597989A JP H0744327 B2 JPH0744327 B2 JP H0744327B2
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Description

【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は電子パッケージ、集積回路パッケージ、回路板
及び半導体IC上の導体の不連続部を修理する方法、具体
的にはレーザ・メッキ技術を使用して半導体のチツプ上
の導電性の金属線中の電気的開放部にアクセスして修理
する方法に関する。
B.従来技術 IBM Journal of Research and Development,Vol.26,NO.
2.March 1982,pp136-144では、電極上に入射するレーザ
・ビームを使用して、局所的な電着速度もしくはエッチ
ング速度を数桁高めている。レーザの助けによつて高い
付着速度で極めて局所的な無電極メッキを行い、代表的
な金属交換（浸せき）メッキ反応を著しく増大して且つ
局所化し、簡単な水溶液によつて熱電池駆動反応を得る
ことができる。レーザ・ビームはミクロン寸法の面積に
容易に収束でき、かなり大きな面積上を走査できるの
で、レーザの補強によつてマスクを使用することなく任
意のパターンのメッキ及びエッチングが可能である。
交換メッキは、より卑な貴金属表面をより貴な貴金属を
含む電解質中に浸漬した時に生ずる。一般に、この処理
は極めて温度依存性が高く、温度が高くなるほど交換メ
ッキ速度が高くなる。表面をレーザ・ビームで局所的に
加熱すると、温度差を生じて、レーザで照射した（加熱
した）領域が陰極として働き、表面の非照射（より冷
い）部分との間に熱的電位差が確立される。この技術は
金属と溶液中の元素が同じ貴度を有する場合にも使用さ
れており（1981年６月刊IBM Technical Disclosure Bul
letin,第24巻、第1A号、第249頁）、熱的メッキに必要
なエネルギは熱電池効果によつて与えられる。
レーザ補強交換メッキが極度に局所化できること、マス
クが不要であることから、このようなメッキ方法は集積
回路上の導体の不連続部を修理するのに便利である。よ
り具体的には、パッシベーション（安定化）層によつて
覆われた集積回路の修理にレーザ補強交換メッキを使用
すると便利である。
レーザ補強交換メッキは集積回路を修理する手段として
提案されている。これについては、たとえば米国特許第
4349583号を参照されたい。この特許はメッキ速度がレ
ーザの使用によつて増加した、導電性のベース（素地）
によつて覆われた基板に高解像度の、マスクを使用しな
い浸せき、交換もしくは類似のメッキ方法を開示してい
る。米国特許第4239789号は予じめ金属のメッキの施さ
れれた基板上に無電極メッキを行う方法を開示してい
る。
上記米国特許第4349583号の連続的な金属ベース板の代
替例として、不連続的なベース層を基板の表面上にPdl2
溶液を付着して基板を活性化することによつて与えるこ
とができる（ドイツ国特許公開第DE3139168A1号）。従
って所望の領域が上述のマスクを使用しない変換メッキ
方法でメッキされている。
レーザ補強交換メッキによつて、回路を修理する代替方
法はResearch Disclosure NO.26123,published January
1986 by Kenneth Mason Publications Ltd.,England中
に説明されている。この要約は通常レーザ補強交換メッ
キに伴う、望ましくない周辺エッチングの防止手段を開
示している。エッチングは修理すべき回路のすべての露
出部分を詰め物で覆うことによつて防止されている。こ
こで詰め物は回路の線と電気的に接触して交換メッキに
必要なイオンを与える。従って交換メッキは回路よりも
詰め物を、エッチングする。この回路線の保護手段は、
メッキすべき線の露出部分をほとんど覆うような詰め物
の使用を必要とする点で欠点がある。
基板をメッキ溶液中に浸せきし、付着が望まれる、基板
の領域を加熱することにより、金属導体が非金属基板に
直接メッキされるメッキ技術も開示されている。この加
熱は、マスクを通す高強度の光への露光もしくはレーザ
を使用して基板の表面を選択的に照射し、金属のメッキ
材料を照射領域の外部に付着させることを含む多くの方
法によつて達成されている。
米国特許第4578157号は、パルス・レーザを使用して、
非金属GaAs表面に直接メッキする技術を開示している。
この特許では、導電性層はメッキのためのベースとして
は使用されていない。米国特許第4578155号はこの概念
を重合体基板のメッキに拡張している。
米国特許第4359485号は表面を金属含有溶液に接触さ
せ、溶液を通してレーザ放射線を指向し、第III−Ｖ族
化合物半導体の表面上に金属層をメッキする代替方法を
開示している。この無マスク付着技術は基板上に細長い
金属導体を形成するのに使用されている。
これ等の従来技術のすべては半導体の表面への導体の無
マスクメッキの問題に向けられているが、これ等文献の
どれもメッキのためのベースとして、基板の表面内への
導電性の層の形成と、選択的メッキが行われない領域に
おける導電性層のその後の除去には向けられていない。
これ等の文献は又、基板上に付着され、パッシベーショ
ン層によつて覆われた導体中の不連続部をアクセスして
修理するための無マスク手段を開示もしくは提案してい
ない。
他の出版物は、メッキを必要とする領域中をレーザで照
射することによつて準備された、非金属構造上に導体を
付着する方法を開示している。日本国特開昭第61-10408
3号は、基板をメッキするために、メッキすべき領域を
レーザに先ずさらして、メッキ用の表面を準備する方法
を開示している。この準備に続いて、レーザを照射した
基板の領域が無電極メッキされる。日本国特開昭第61-9
6097号は、基板を同時に電解液フラッシングとレーザ・
ビームの照射にさらし、この時レーザ・ビームが、電解
液を基板の表面に供給するノズルを通して同軸上を通過
されるメッキ方法を開示している。
米国特許第4691091号は、この概念を拡張して、レーザ
書込みによつて（即ち、レーザ・ビームを使用して基板
上の所望の経路をトレースすることによつて）、重合体
基板中に導電性経路を形成している。結果の経路は基板
の表面材料の熱分解によつて形成された導電性の炭素よ
り成る。この特許は、これ等の導電性パターンが金属の
導体でメッキできることを指摘している。米国特許第46
63826号は、絶縁材料の本体の表面上に導電率を増大し
た領域を形成する代替方法を説明している。ここでこの
絶縁材料は還元雰囲気中で、選択された時間レーザ照射
されている。これによつて絶縁材料は焼もどしもしくは
焼結され、材料内の酸素が欠乏し、ｎ型半導体導電性領
域になり、この領域に電着もしくは他の通常のメッキ技
術で金属がメッキできる。上述のようにこれ等の文献で
は、メッキされるべき領域はレーザで損傷を受けた領域
によつて画定されている。
ある場合には、基板にアクセスするか、基板上に導体を
付着するために、基板を覆うパッシベーション層もしく
は他の層の一部を除去することが必要になる。後者の場
合の例は、導電性の線を付着する前に、特定の領域のの
ホトレジストを除去する場合である。前者の場合の例
は、基板がパッシベーションされていて、即ちパッシベ
ーション材料で覆われていて、基板上に付着された導体
中に不連続が存在することが発見される前に基板及びそ
の上の導体が保護されていて、導体中の不連続部を修理
するためにパッシベーション材料の一部を除去すること
が必要になつた場合である。これ等の２つの場合は、全
く異なる問題を提示する。最初の場合は、マスクが除去
されるべきホトレジストの領域を決定するが、このマス
クは多くの基板に繰返し使用される。第２の場合には、
不連続部は予想できない位置に生じ、損傷を受けた、も
しくは失われた導体を修復するためには、各不連続部は
個々にアクセスされなければならない。従つて、すべて
の不連続部を修理するために特に設計されたマスクを設
計もしくは製造することは、特に新らしく製造された半
導体チップ中の不連続部を修理する時は不可能である。
大規模集積回路中の不連続部に容易にアクセスできて、
これを修理できるということは、極めて重要である。そ
れは従来の使用不能として廃棄されていた集積回路が容
易に回復できるからである。
米国特許第4574095号は、先ずパラジウムのシードを選
択的に付着し、その後マスクを介して、パラジウム化合
物を光で照射することにより、銅を選択的に付着する方
法を開示している。基板は先ずホトレジストもしくは重
合体で覆われる。被覆された基板は、たとえばマスクを
介してパルス・エキシマ・レーザによつて選択的に照射
され、照射された領域の重合体が除去される。基板が錯
体を含むパラジウムの蒸気にさらされて、露出部に金属
の薄膜が付着される。この金属の薄膜は銅メッキのため
のシードとして働く。このようにして、回路が多重体の
薄膜中に埋設され、それ等の表面か同じ高さにされる。
このようにして回路は機械的損傷から保護される。アブ
レーション（溶発又は融着、以下本明細書中で溶発とい
う。）性のエッチングと、金属のシードの付着は同時に
もしくは別個の段階として行うことができる。この文献
は金属シード層の付着の前の重合体被覆の溶発と、導体
のメッキについて述べられているが、これは溶発すべき
領域を画定するのに予定のマスクを使用して達成されて
いる。
上述の文献のどれも、絶縁層もしくはパッシベーション
層によつてその後覆われた、損傷を受けた導体を局所的
にアクセスして、修理する手段を開示していない。半導
体IC中の多くの欠陥は、ICの製造後に発見されるので、
表面からアクセスできない半導体ICの線を修理しなくて
はならない。ICの導体線中の小さなさけ目を迅速に正確
に修理する方法を見出すことは極めて有用であり、コス
ト効率が高い。さらにこのような修理をマスク段階を必
要としないで達成する方が有利である。このような修理
は、切断線間の領域を熱メッキすることによつて達成す
ることが有利である。このようなIC導体線の修理は修理
用の橋を熱付着する前に、さらに半導体基板の表面上に
導電性の層を付着することなく達成される方が有利であ
る。
C.発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、基板上に付着された導体中の不連続部
を修理する無マスク方法を与えることにある。
本発明の他の目的は、ポリマ材の基板の表面の導体の不
連続部の領域に、炭素に富む（carbonaceous、以下本明
細書中で炭素質という。）の導電性層を形成し、不連続
部の領域の炭素質層上に局所的に金属の℃導体材料を付
着して導体間に橋を形成し、橋によつて覆われていな
い、基板の領域から炭素質の層を除去することによる、
基板上に付着された導体中の不連続部を修理する無マス
ク方法を与えることにある。
本発明の他の目的は、パッシベーション材料もしくは絶
縁材料によつて覆われている、基板の表面上に付着され
ている導体中の不連続部を、不連続部にまたがつて導体
を電気的に接続するための金属の橋を付着する前に、不
連続部の領域にあるパッシベーション材料もしくは絶縁
材料を溶発することによつて修理する無マスク方法を与
えることにある。
D.問題点を解決するための手段 本発明に従えば、基板上に付着された導体中の不連続部
を修理する方法が与えられる。先ず不連続部を覆う絶縁
性のパッシベーション層が、該層の領域を選択的に照射
するレーザを使用してこの層を溶発することによつて除
去される。使用するレーザは、パッシベーション層を制
御された速度で溶発によつて除去する、予定の電力レベ
ルで動作するパスル・エキシマ・レーザでよい。レーザ
はパッシベーション層の溶発を続けて、上面に導体が付
着された基板のレベルに達する。次にレーザは不連続部
に隣接する導体を覆うパッシベーション層を溶発し去
る。次にレーザの電力を第２の予定のレベルに調節す
る。この電力レベルはメッキのために導体の露出部を準
備するに十分なものである。この準備は導体の露出部分
を予定のパスル数だけ照射することによつて達成され
る。一度不連続部の領域のパッシベーション層が溶発し
てなくなり、導体の露出部がメッキのために準備される
と、メッキは多くの方法のうちの任意の１つで達成でき
る。
本発明によれば、ギャップがポリイミドのようなポリマ
材の基板上にある時の、このギャップをメッキする方法
は、ギャップの領域のポリイミドの表面領域中に導電性
の炭素質の薄膜を形成するステップを含む。このメッキ
に適した導電性ベース層は、アルゴン・イオン（Ar+）
ビームであることが好ましいイオン・ビーム源によつて
ポリイミドの表面を処理することによつて形成できる。
このベース層はポリイミドの基板を予定の時間イオン・
ビーム源にさらし、ポリイミドの基板を第２の予定の時
間冷却し、この表面に所望の固有抵抗の炭素質層が形成
される迄、ポリイミドの基板のこの表面処理を操返すこ
とによつて形成される。次にこの炭素質層は不連続部の
選択的メッキ、好ましくは無電極レーザ補強交換メッキ
のためのベースとなる。メッキされない領域は、これ等
の領域を好ましくはアルゴン／酸素（Ar+／0+）ビーム
である第２のイオン・ビームにさらすことにつてポリイ
ミドに戻すことができる。
E.実施例 本発明の実施例を説明する前に、第２図乃至第５図を参
照して従来のレーザによる不連続部修理法を説明する。
第２図〜第５図は半導体もしくは他の基板上に付着され
た導体中の不連続部を修理する方法を示す。
第２図は基板10上に付著された導体12と13間に不連続部
９を含む基板10を示す。基板10はポリイミドのような絶
縁体、酸化物のような絶縁体もしくは他の非導電性表面
でよい。導体12及び13は代表的にはアルミニウム／銅合
金であるが、金、銀もしくは他の導電性材料でよい。
第３図を参照すると、薄い導電性のベース（素地）層14
が基板10上に付着されている。層14は第２図の不連続部
９を含め導体12及び13によつて覆われていない領域に付
着している。ベース層14はクロム、銅もしくは金のよう
な任意の金属層でよい。これに代つて、ベース層14はPd
Cl2のシード層でよい。導電性ベース層14は電極とし
て、又銅もしくは他の金属のメッキ成長のためのベース
として働く。ベース層14は蒸着もしくはパッタリングに
よつて基板の表面上に50乃至200Åの厚さに付着され
る。ベース層の厚さは、メッキが完了した後に、メッキ
されない領域のこの材料の除去が容易にであるように薄
くなければならない。
第４図は銅の橋20がベース層14に直接メッキされるメッ
キ段階を示す。この段階は基板を硫酸銅溶液18のような
電解液中に浸した状態で、焦点収束のよい高エネルギ光
源16によつて不連続部９の領域（即ち、接続されるべき
導体の終端12A及び13A間の領域）のベース層14を局所的
に加熱することによつて達成される無マスク銅付着段階
である。高エネルギ源16は連続波アルゴン・イオン・レ
ーザもしくはメッキ溶液（電解液）によつて著しく吸収
されない任意のレーザでよい。高エネルギ光源16からの
ビーム17はメッキすべき領域を横切つて掃引され、この
領域のベース層14上に書込みが行われ、ベース層が銅が
メッキされる。
上述のメッキ方法は、従来レーザ補強交換メッキとして
一般に知られているものである。この熱電池効果は導体
の露出部分を加熱して、加熱領域の自由エネルギを非加
熱領域に相対的に変化させることによつて達成される。
加熱領域は、溶液中の正の金属イオン（今の場合は銅イ
オン）電子を与えて、加熱領域をメッキする電極の働き
を有する。電荷の中性を保証するために、正の電荷は溶
液中で補充されなければならない。正の電荷は導体の冷
い領域から溶液に導入する正の金属イオンによつて、も
しくは導体に電気的に接続された溶液内の他の源から得
られる。
このメッキ方法に使用される硫酸銅溶液18の濃度は代表
的には、CuSO4（１リットル当り１モル、即ち１リット
ル中CuSO4250g）に種々の量のH2SO4を加えたものであ
る。１リットル当り27乃至54ccの濃度のH2SO4で所望の
結果が得られる。
第５図に示すように、修理が完了した時に、修復時の橋
は不連続部９の導電性のベース層14の上に存在し、導体
12、13の終端12a及び13aと電気的に接触するメッキされ
た銅の橋20より成る。残された導電性のベース層14はア
ルゴン・イオン・ビームを使用するエッチング、もしく
ば他の適切なエッチング方法によつて除去でき、メッキ
は回路の線に限定されたものとなる。
第４図に示した、レーザ補強交換メッキに対する従来の
代替方法は次のとおりである。銅の小さな層が導電性ベ
ース層14上に一度書込まれた後、メッキの厚さは通常の
銅メッキ方法を使用して増大される。導電性のベース層
14はこの第２のメッキ段階の前に剥離されるので、メッ
キは修理領域だけで生ずる。
これ等の両メッキ方法で、最初のメッキ層20は、たとえ
ば、25kw/cm2で液体／固体の界面に入射する低エネルギ
で導電性ベース層14上に書込むことによつて開始され
る。実際のエネルギの範囲は、メッキ用媒体の吸収率だ
けでなく、導体、ベース層、基板の物理的及び熱的特性
に依存する。従つて種々の材料のパラメータに依存し
て、入射エネルギは2.5〜250kw/cm2の範囲にある。25Kw
/cm2及び50μm/秒の走査速度で、最初の薄くて浅い（高
さ１μｍ未満の）線が書かれる。又、光学的、熱的及び
物理的特性に依存して、500μm/秒迄の走査速度で全ギ
ャップの一定照射が行われる。
ベース層14は導体間の橋を与えるのに絶対に必要とされ
るものではないが、修理は一方の導体から他方へでな
く、基板から上方へ行われるので、ベース層は修理部の
平坦性を増大する。従つてベース層14はパッシベーショ
ン表面の平坦性を改良する。さらに、ベース層は代表的
には銅を少量（約４重量％）を含むアルミニウム／銅合
金より構成された導体12及び13間に銅の橋を構成するた
めの手段を与えるので、ベース層の使用は有用である。
銅をこのような合金にメッキすることは通常極めて困難
である。
次に、第６、７、１、８及び９図を参照して本発明によ
るレーザによる不連続部の修理法法の第１の実施例につ
いて説明する。
第６、７、１、８及び９図はこの順に、絶縁性ポリイミ
ド基板の表面中に導電性の炭素質薄膜を形成することに
よる、導体中の不連続部を修理する本発明の第１実施例
の方法を示す。不連続部を修理する方法は第２乃至第５
図を参照して説明された方法と似ているが、導電性ベー
ス層14は省略されている。
第６図で、不連続部９を有する導体12及び13が基板10の
表面上に付着されている。導体12及び13は約４重量％の
銅を含むアルミニウム／銅合金である。基板10はポリイ
ミドもしくは他の有機ポリマ絶縁体である。
第７図で、炭素質層26が基板10の表面中に、イオン・ビ
ーム源22によつて形成される。イオン・ビーム源22はポ
リイミドの最上部（約50〜100Å）を導電性の炭素質薄
膜に変化させるアルゴン（Ar+）イオン・ビーム源であ
る。代表的な場合、このイオン・ビームは、炭化すべき
領域の寸法に応じて、直径が１乃至50cmの領域を照射す
る。以下明らかにされるように、この導電性の炭素質薄
膜は第３図の導電性ベース層14と略同じ機能を果たす。
第１図で、基板10は硫酸銅溶液18のようなメッキ溶液中
に浸されている。次に、第４図で橋20が導電性ベース層
４にメッキされたのと同じようにレーザ16によつて銅が
炭素質層26にメッキされる。このメッキが完了すると、
橋20が導電体12と13間に形成される。
第８図はメッキされた橋20によつて覆われていない基板
10の表面から炭素質層26除去する段階を示している。除
去は基板10を第２の広面積イオン・ビーム源22により露
光することによつて達成される。アルゴン／酸素（Ar+
／O+）もしくはアルゴン／窒素（Ar+／N+）混合イオン
・ビーム源である源22は炭素質薄膜を除去して、電気的
に絶縁性の表面を再生する。
炭素質層26（第８図）は、第３図に関連して説明した薄
い金属のベース層14に対する有効な代替層である。炭素
質層26はこのメッキ方法に使用される通常の酸性電着溶
液中で安定であり、従つて長い露出時間にたえることが
できる。この方法は導電性ベース層14が電着溶液中で十
分安定でない第２図乃至第５図を参照して説明された方
法と異なり、長い処理時間及び多くの修理が可能であ
る。
導電性の炭素質層26は、入射エネルギが約800電子−ボ
ルト（eV）で、電流密度か約0.40mA/cm2の入射エネルギ
のAr+イオン・ビームにポリイミドをさらすことによつ
てポリイミド上に形成される。これ等の電圧及び電流の
限界はこの方法にとつてはクリティカルではない。400
乃至2000eV及びこれより幾分高い入射エネルギ・レベル
と0.2乃至5.0mA/cm2の電流密度で満足すべき結果を与え
ることが見出された。炭素質層はイオン衝撃によつて誘
導された劣化から生ずる。表面の加熱はこの方法の望ま
しくない副次工程であるが、ポリイミドを一定時間（た
とえば、５分間）イオン・ビームにさらし、続いて表面
の冷却を保証するのに十分な冷却時間（たとえば５分
間）をかけることによつて制御できる。この手順は約１
乃至10オーム／cm2の所望のシート抵抗が得られる迄１
乃至８回繰返される。
形成された炭素質層は窒素もしくは酸素の有効な分率
（50％迄）を有する低エネルギ（約200ボルト）で電流
密度が0.2mA/cm2未満のAr+ビームに表面はさらすことに
よつて除去され、元の絶縁性のポリイミドの表面が再形
成される。数分の露出時間でたいていの炭素質層を除去
し、絶縁状態のポリイミドの表面を残すに十分である。
第６、７、１、８及び９図に示された修理方法は広いビ
ームもしくは広面積のイオン・ビームを使用する必要は
ないことを理解されたい。狭く収束したイオン・ビーム
を使用して、導体の切断部の直接下に炭素質層を書込む
ことができる。しかしながら、特に炭化が一旦行われた
後、必要個所以外は除去されることを考え合せると、イ
オン・ビームをこのように収束することは、単に広い面
積を炭化して、レーザ・ビームを書込みの手段に使用す
ることよりも面倒になる。
さらに、第６、７、１、８及び９図を参照して説明され
た熱電池メッキ技術を使用する必要は必ずしもない。そ
れは気相付着も所望の結果を得ることができるからであ
る。具体的に第６、７、１、８及び９図を参照すると、
気相技術では、基板10かイオン・ビームで処理されて，
炭素質層が形成される（第７図）。しかしながら、基板
10はアセチル・アセトネート銅のような気相雰囲気中に
浸される。付着は熱分解もしくは光分解技術によつて達
成され、金属メッキすべき領域を気体に接触した状態で
レーザで書込む。銅は化学結合から解放され、熱分解中
の収束レーザによつて生じた強い熱にさらされている領
域の表面に付着される。ある場合には、気相の光分解に
よつても熱分解過程に必要な温度よりもかなり低い温度
で金属付着を与えることができる。
次に、パッシベーション層で覆われた導体中の不連続部
の修理方法について本発明の他の実施例を説明する。
第10乃至第13図は装置が絶縁層もしくはパッシベーショ
ン層によつて覆われた後の導体中の不連続部を修理する
他の方法を示す。第10図はこのような装置の断面を示
す。
第10図で、基板30は酸化物もしくは窒化物の絶縁体もし
くはポリイミドのような絶縁体である。基板の性質はこ
の方法の有効性にとつては重要でない。
第11図で、パッシベーション層32はレーザ36によつて溶
発されて、パッシベーション層が除去され、導体34及び
35間の不連続部９へのアクセスが与えられる。溶発はパ
ッシベーション層32の表面を、50mj/cm2乃至3j/cm2の範
囲もしくはそれ以上のフルエンスで、パルス・エキシマ
・レーザのある回数（その確定的な数は重合体であるパ
ッシベーション層の厚さ及び組成に依存する）のパルス
にさらすことによつて達成される。500mj/cm2のフルエ
ンスでのパッシベーション層の溶発は、下の層即ち導体
34及び35を損傷することなく達成される。重合体のパッ
シベーション層の溶発は、波長がポリイミドによつて吸
収される紫外線レーザを使用することによつて達成でき
る。このレーザは、ポリイミドの分子を励起して、多量
の熱を発生することなく飛散させる。従つて、ポリイミ
ドは周囲の材料を除去することなく除去される。
溶発過程を制御し、所望の深さより下にある材料の損傷
もしくは除去を避けるために、パルス・レーザが使用さ
れる。パルスの数は、下の材料を傷つけることなく、ポ
リイミドの層を溶発するように注意深く選択されなけれ
ばならない。
第10乃至第13図に示した修理方法は、導体の終端34A及
び35Bを、200mj/cm2乃至5j/cm2の範囲のフルエンスで、
エキシマ・レーザの数パルスにさらすことによって準備
する手段を与えるという追加の利点を有する。
導体（通常アルミニウム／銅合金）を約1.2j/cm2のエク
シマ・レーザからのパルスにさらされて除去され、銅の
橋40とアルミニウム（導体）間のメッキが補強され、こ
のようなメッキを試みる時に通常みられる高いオーミッ
ク接触抵抗が略なくなる。
第12図は銅の橋40の実際のメッキプロセスを示してい
る。このメッキプロセスは第６、７、１、８及び９図を
参照して既に説明した本発明の第１実施例のプロセスに
よって達成できる。代案として、第12図のめっきは上述
の金属ベースもしくは炭素質層を使用しないで達成する
こともできる。第12図で、橋40は基板30を代表的には0.
1乃至１モルの硫酸銅及び適切なpHを与えるための同程
度の濃度の硫酸を有する浴中に置くことによってメッキ
される。基板30の不連続部９の領域を100W/cm2乃至10kw
/cm2の程度の電力密度を有する、アルゴン・レーザ38の
ような収束レーザにさらすと、銅は直接導体にメッキさ
れる。レーザで発生される時には、100W/cm2程度の電カ
密度で有効なことが見出されている。しかしながらこの
ような電力密度の発生手段に限定されるものではなく、
他の光源によつても発生できる。回路のギャップを橋渡
しするためには、２つの露出した線の終端34a及び35a間
を操返しレーザで走査する。線の柊端34a及び35aから始
まる銅のメッキは、不連続部９の中心に橋40が形成され
る迄続けられる。同時にエッチングが生じて、橋渡しさ
れつつある領域と電気的に接触する冷い即ち非照射領域
の電荷の中性が保持される。
第13図は、パッシベーション層32が修理された後の完全
な装置を示す。このような修理は、たとえば溶発した孔
に新しいポリイミドを付着すること、もしくは他の適切
な手段によつて達成できる。
本発明の好ましい実施例には、ポリイミドの基板中に炭
素質層を形成することを含むが、本発明の方法はポリイ
ミドの基板中での炭素質層の形成に限定されない。上述
のイオン衝撃技術を使用して照射した時に炭素質層を形
成する適切なベース層が任意の基板中に形成できる。こ
のような基板には、たとえば任意の重合体材料、ある種
のホト・レジスト材料、さらにあるエポキシ樹脂化合物
が含まれる。
以上、基板の表面が局所的に照射されて、その上に炭素
質層が形成される。表面上に付着された導体中の不連続
部を修理する無マスク方法が開示された。この炭素質層
は金属の無電極付着のためのベースとして働き、レーザ
補強交換メッキもしくは他の適切な方法によつて不連続
部にまたがる橋を形成する。さらに、絶縁材料もしくは
パッシベーション材料の被覆層によつて埋没されている
不連続部にアクセスして、修理する手段が説明された。
ここで不連続部へのアクセスは、第１の電力レベルのパ
ルス・エキシマ・レーザによつて与えられる。一度十分
な被覆層が除去されて、不連続部と、橋渡しすべき導体
部分の両方が露出されると、第２の電力レベルのパルス
・エキシマ・レーザを使用して導体の表面特性がメッキ
に適するように補強される。最後に、炭素質層の使用を
含む、多くの金属付着技術のうちの任意の１つを使用し
て不連続部に橋渡しが行われる。
F.発明の効果 本発明に従えば、金属導電性材料の付着のベースとな
る、可逆性の炭素質導電性層を基板の表面に与えること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、炭素質中に銅の橋をメッキする方法を示した
図である。 第２図は、導体間に不連続部を含む基板の図である。 第３図は、基板上の不連続部に導電性のベース層を付着
したところを示す図である。 第４図は、無マスク銅付着を使用したベース層に直接銅
の橋をメッキする方法を示した図である。 第５図は、２つの導体を電気的に接続するメッキの橋を
含む修理後の基板を示した図である。 第５図は、２つの導体を電気的に接続するメッキの橋を
含む修理後の基板を示した図である。 第６図は、導体間に不連続部を含むポリイミド基板の図
である。 第７図は、ポリイミド基板表面中に炭素質の導電性層を
形成する方法を除去する方法を示した図である。 第８図は、ポリイミド基板の表面から炭素質層を除去す
る方法を示した図である。 第９図は、２つの導体間を電気的に接続し、炭素質の上
にあるメッキ橋を有する修理後の基板を示した図であ
る。 第10図は、導体間に不連続部を含み、パッシベーション
層で覆われている基板を示した図である。 第11図は、パッシベーション層を溶発して、基板の領域
を露出し、不連続部にアクセスする方法を示した図であ
る。 第12図は、２つの露出した導体間に銅の橋をメッキする
方法を示した図である。 第13図は、パッシベーション層を再び付着した後の、メ
ッキされた橋を含む完成装置を示した図である。 ９……不連続部、10……基板、12、13……導体、14……
導電性ベース層、16……光源、18……電解液、20……銅
の橋、26……炭素質層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジエリイ・エルデン・ハースト・ジユニア アメリカ合衆国カリフォルニア州サン・ホ セ、マーシイー・リーン・コート1784番地 (72)発明者 マデイスト・マイケル・オプリスコ アメリカ合衆国ニユーヨーク州マホパツ ク、センター・ロード・アール・アール12 番地 (72)発明者 ステイブン・マーク・ロースナーゲル アメリカ合衆国ニユーヨーク州ホワイト・ プレーンズ、ノース・マナー・ドライブ11 番地 (72)発明者 ロバート・ジヤコブ・フアン・ガツトフエ ルド アメリカ合衆国ニユーヨーク州ニユーヨー ク、ウエスト115番ストリート600番地 (56)参考文献 特開 昭62−159493（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−146279（ＪＰ，Ａ) 昭和61年秋季第47回応用物理学会学術講 演会 講演予稿集 289−ＺＧ−10

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ポリマ材の基板上の導体と導体の間のギャ
    ップの橋渡しを無マスクで行う方法であって、 前記基板の表面に第１のイオン・ビームを照射して前記
    表面の薄い層を炭化させて導電性の炭素質層に変換する
    ステップと、 前記基板を金属めっき媒体中に浸した状態で、前記導体
    と導体の間の前記表面の局所的領域を加熱して前記領域
    内で前記炭素質層に金属めっきを形成するステップと、 前記炭素質層が前記領域外の前記基板表面から除去され
    るまで前記表面を第２のイオンビームで処理するステッ
    プと、 よりなる方法。
  2. 【請求項２】基板上に置かれパツシベーション層で覆わ
    れた導体と導体の間のギャップの橋渡しを無マスクで行
    う方法であって、 前記パツシベーション層に第１電力レベルのレーザ・ビ
    ーム・パルスを照射して前記ギャップの上方の前記パツ
    シベーション層及び前記ギャップの両側の前記導体の少
    なくとも１部分を溶発により除去することにより前記ギ
    ャップ及び前記導体の前記少なくとも１部分を含む前記
    基板の領域を露出するステップと、 前記ギャップに隣接する前記導体の露出された部分を第
    ２の電力レベルのレーザ・ビーム・パルスで照射するこ
    とにより前記導体を金属付着に対して準備するステップ
    と、 前記基板を金属付着媒体中に浸した状態で、前記ギャッ
    プの下にある前記基板の領域を、前記媒体から前記導体
    に金属付着が行われるに十分な温度に加熱するステップ
    と、 前記金属が前記ギャップを橋渡しするまで前記ギャップ
    の下の前記領域の加熱を続けるステップと、 よりなる方法。
  3. 【請求項３】基板上に置かれパツシベーション層で覆わ
    れた導体と導体の間のギャップの橋渡しを無マスクで行
    う方法であって、 前記パツシベーション層に第１電力レベルのレーザ・ビ
    ーム・パルスを照射して前記ギャップの上方の前記パツ
    シベーション層及び前記ギャップの両側の前記導体の少
    なくとも１部分を溶発により除去することにより前記ギ
    ャップ及び前記導体の前記少なくとも１部分を含む前記
    基板の領域を露出するステップと、 前記ギャップに隣接する前記導体の露出された部分を第
    ２の電力レベルのレーザ・ビーム・パルスで照射するこ
    とにより前記導体をめっきに対して準備するステップ
    と、 前記基板上に金属ベース層を形成するステップと、 前記基板を金属めっき媒体中に浸した状態で、前記導体
    と導体の間の前記金属ベース層の領域を、前記媒体から
    前記導体及び前記金属ベース層に金属めっきが行われる
    に十分な温度に加熱するステップと、 前記金属が前記ギャップを橋渡しするまで前記ギャップ
    の下の前記前記金属ベース層の領域の加熱を続けるステ
    ップと、 よりなる方法。
  4. 【請求項４】基板上に置かれパツシベーション層で覆わ
    れた導体と導体の間のギャップの橋渡しを無マスクで行
    う方法であって、 前記パツシベーション層に第１電力レベルのレーザ・ビ
    ーム・パルスを照射して前記ギャップの上方の前記パツ
    シベーション層及び前記ギャップの両側の前記導体の少
    なくとも１部分を溶発により除去することにより前記ギ
    ャップ及び前記導体の前記少なくとも１部分を含む前記
    基板の領域を露出するステップと、 前記ギャップに隣接する前記導体の露出された部分を第
    ２の電力レベルのレーザ・ビーム・パルスで照射するこ
    とにより前記導体をめっきに対して準備するステップ
    と、 前記基板上に導電層を形成するステップと、 前記基板を金属めっき媒体中に浸した状態で、前記導体
    と導体の間の前記導電層の領域を、前記媒体から前記導
    体及び前記導電層に金属めっきが行われるに十分な温度
    に加熱するステップと、 前記金属が前記ギャップを橋渡しするまで前記ギャップ
    の下の前記前記導電層の領域の加熱を続けるステップ
    と、 よりなる方法。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4880959A (en) * 1988-10-26 1989-11-14 International Business Machines Corporation Process for interconnecting thin-film electrical circuits
US5605863A (en) * 1990-08-31 1997-02-25 Texas Instruments Incorporated Device packaging using heat spreaders and assisted deposition of wire bonds
US5153408A (en) * 1990-10-31 1992-10-06 International Business Machines Corporation Method and structure for repairing electrical lines
US5384953A (en) * 1993-07-21 1995-01-31 International Business Machines Corporation Structure and a method for repairing electrical lines
JPH0737887A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Mitsubishi Electric Corp 配線形成方法，配線修復方法，及び配線パターン変更方法
US5446961A (en) * 1993-10-15 1995-09-05 International Business Machines Corporation Method for repairing semiconductor substrates
US5459013A (en) * 1994-04-28 1995-10-17 Mcnc Image reversal method for repairing defective areas on microelectronic substrates
US5463242A (en) * 1994-05-03 1995-10-31 General Electric Company Thin film circuits with high density connector
DE19516733A1 (de) 1995-05-06 1996-11-07 Philips Patentverwaltung Lademechanismus
US7294578B1 (en) * 1995-06-02 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Use of a plasma source to form a layer during the formation of a semiconductor device
US6716769B1 (en) 1995-06-02 2004-04-06 Micron Technology, Inc. Use of a plasma source to form a layer during the formation of a semiconductor device
JPH11189883A (ja) * 1997-10-20 1999-07-13 Alps Electric Co Ltd 修復された金属パターンを有する基板および基板上の金属パターン修復方法と修復装置
US5972723A (en) * 1997-10-21 1999-10-26 International Business Machines Corporation Enhanced thin film wiring net repair process
US5937269A (en) * 1997-10-29 1999-08-10 International Business Machines Corporation Graphics assisted manufacturing process for thin-film devices
US6455331B2 (en) 1997-10-31 2002-09-24 International Business Machines Corporation Process of top-surface-metallurgy plate-up bonding and rewiring for multilayer devices
US6248599B1 (en) 1999-10-13 2001-06-19 International Business Machines Corporation Top-surface-metallurgy plate-up bonding and rewiring for multilayer devices
US6048741A (en) * 1997-10-31 2000-04-11 International Business Machines Corporation Top-surface-metallurgy plate-up bonding and rewiring for multilayer devices
US6146813A (en) * 1999-01-13 2000-11-14 Applied Kinetics Inc. Method and shunting and deshunting an electrical component and a shuntable/shunted electrical component
US6631052B1 (en) 1999-01-13 2003-10-07 Applied Kinetics, Inc. Head interconnect with support material carbonized shunt
US6846991B2 (en) * 1999-01-13 2005-01-25 Applied Kinetics, Inc. Electrical component and a shuntable/shunted electrical component and method for shunting and deshunting
US6335208B1 (en) 1999-05-10 2002-01-01 Intersil Americas Inc. Laser decapsulation method
US7009104B2 (en) * 2000-12-27 2006-03-07 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Superconducting cable
DE10154017A1 (de) * 2001-11-02 2003-05-15 Atmel Germany Gmbh Verfahren zum Schutz einer kunststoffgehäusten elektronischen Baugruppe
DE10154021A1 (de) * 2001-11-02 2003-05-15 Atmel Germany Gmbh Verfahren zum Messen einer elektronischen Baugruppe
EP1440608B1 (de) 2001-11-02 2006-02-15 ATMEL Germany GmbH Verfahren zum offnen eines kunststoffgehauses einer elektronischen baugruppe
US6987067B2 (en) 2002-08-21 2006-01-17 International Business Machines Corporation Semiconductor copper line cutting method
US7282647B2 (en) * 2002-12-23 2007-10-16 Intel Corporation Apparatus for improving coupling across plane discontinuities on circuit boards
US7271012B2 (en) * 2003-07-15 2007-09-18 Control Systemation, Inc. Failure analysis methods and systems
DE102007038120A1 (de) * 2007-07-31 2009-02-05 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Beschichtung von Solarzellen sowie Vorrichtung hierfür
US8197037B2 (en) * 2009-12-15 2012-06-12 Xerox Corporation Method of removing thermoset polymer from piezoelectric transducers in a print head
KR101494216B1 (ko) 2013-08-20 2015-02-17 한국생산기술연구원 레이저를 이용한 구리잉크의 소결 방법
CN113382551B (zh) * 2015-05-06 2025-01-10 哈钦森技术股份有限公司 用于硬盘驱动器的挠曲部的等离子体处理
RU169247U1 (ru) * 2016-08-23 2017-03-13 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером
RU199130U1 (ru) * 2020-03-16 2020-08-17 Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE161232C (ja) *
US3740523A (en) * 1971-12-30 1973-06-19 Bell Telephone Labor Inc Encoding of read only memory by laser vaporization
US4179310A (en) * 1978-07-03 1979-12-18 National Semiconductor Corporation Laser trim protection process
US4286250A (en) * 1979-05-04 1981-08-25 New England Instrument Company Laser formed resistor elements
US4217183A (en) * 1979-05-08 1980-08-12 International Business Machines Corporation Method for locally enhancing electroplating rates
US4239789A (en) * 1979-05-08 1980-12-16 International Business Machines Corporation Maskless method for electroless plating patterns
US4259367A (en) * 1979-07-30 1981-03-31 International Business Machines Corporation Fine line repair technique
US4348263A (en) * 1980-09-12 1982-09-07 Western Electric Company, Inc. Surface melting of a substrate prior to plating
DD157989A3 (de) * 1980-10-10 1982-12-22 Lothar Gierth Verfahren zur strukturierten chemisch-reduktiven metallabscheidung
US4359485A (en) * 1981-05-01 1982-11-16 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Radiation induced deposition of metal on semiconductor surfaces
US4349583A (en) * 1981-07-28 1982-09-14 International Business Machines Corporation Laser enhanced maskless method for plating and simultaneous plating and etching of patterns
US4457972A (en) * 1981-12-07 1984-07-03 California Institute Of Technology Enhanced adhesion by high energy bombardment
NL8200561A (nl) * 1982-02-15 1983-09-01 Philips Nv Werkwijze voor het neerslaan van een metaal.
US4615904A (en) * 1982-06-01 1986-10-07 Massachusetts Institute Of Technology Maskless growth of patterned films
US4511445A (en) * 1982-06-18 1985-04-16 At&T Bell Laboratories Process of enhancing conductivity of material
JPS5996097A (ja) * 1982-11-22 1984-06-02 Kawasaki Heavy Ind Ltd 船舶などの操縦装置
JPS59104083A (ja) * 1982-12-03 1984-06-15 川崎製鉄株式会社 溶融還元装置における予備還元鉱石の移送吹込み装置
JPS6122650A (ja) * 1984-07-11 1986-01-31 Hitachi Ltd 欠陥救済方法および装置
US4624736A (en) * 1984-07-24 1986-11-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser/plasma chemical processing of substrates
US4555303A (en) * 1984-10-02 1985-11-26 Motorola, Inc. Oxidation of material in high pressure oxygen plasma
US4578157A (en) * 1984-10-02 1986-03-25 Halliwell Michael J Laser induced deposition of GaAs
DE3437072A1 (de) * 1984-10-09 1986-04-10 Dieter Prof. Dr. Linz Bäuerle Verfahren zur herstellung von leiterbahnen und/oder elektroden auf dielektrischem material
US4659587A (en) * 1984-10-11 1987-04-21 Hitachi, Ltd. Electroless plating process and process for producing multilayer wiring board
DD227738A1 (de) * 1984-10-24 1985-09-25 Elektronische Bauelemente Veb Verfahren zur strukturierten selektiven abscheidung von materialien
US4574095A (en) * 1984-11-19 1986-03-04 International Business Machines Corporation Selective deposition of copper
US4615907A (en) * 1984-11-23 1986-10-07 Phillips Petroleum Company Plating poly(arylene sulfide) surfaces
US4585517A (en) * 1985-01-31 1986-04-29 Motorola, Inc. Reactive sputter cleaning of semiconductor wafer
US4630355A (en) * 1985-03-08 1986-12-23 Energy Conversion Devices, Inc. Electric circuits having repairable circuit lines and method of making the same
US4578155A (en) * 1985-03-19 1986-03-25 Halliwell Michael J Laser induced deposition on polymeric substrates
US4704342A (en) * 1985-04-02 1987-11-03 Fairchild Semiconductor Corporation Photomask having a patterned carbon light-blocking coating
US4667058A (en) * 1985-07-01 1987-05-19 Solarex Corporation Method of fabricating electrically isolated photovoltaic modules arrayed on a substrate and product obtained thereby
JPS62146279A (ja) * 1985-12-20 1987-06-30 Hitachi Ltd 無電解めつき方法
US4691091A (en) * 1985-12-31 1987-09-01 At&T Technologies Direct writing of conductive patterns
US4681774A (en) * 1986-01-17 1987-07-21 Halliwell Michael J Laser induced selective electroless plating
US4865873A (en) * 1986-09-15 1989-09-12 General Electric Company Electroless deposition employing laser-patterned masking layer
US4900695A (en) * 1986-12-17 1990-02-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same
US4877644A (en) * 1988-04-12 1989-10-31 Amp Incorporated Selective plating by laser ablation

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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昭和６１年秋季第４７回応用物理学会学術講演会講演予稿集２８９−ＺＧ−１０

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