JPH0744883A - 光データ記憶装置 - Google Patents
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- JPH0744883A JPH0744883A JP6086431A JP8643194A JPH0744883A JP H0744883 A JPH0744883 A JP H0744883A JP 6086431 A JP6086431 A JP 6086431A JP 8643194 A JP8643194 A JP 8643194A JP H0744883 A JPH0744883 A JP H0744883A
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Abstract
体を使用する光データ記憶装置を提供する。 【構成】 スタックの各ディスクは、CD−ROM装置
の場合にはポリカーボネート等の光透過物質から成り、
その表面のうち少なくとも1つの面に部分透過型のデー
タ層を持つ。装置の集束レンズ206は光を光路に沿っ
てデータ層に集束する。各データ層は一意の光路長に対
応する。光は通過する基板の総厚みが各光路について同
じになるように隣接データ層からの反射によって各デー
タ層に集束する。このようにして集束レンズ206によ
る固定球面収差補正が適切になり可変収差補正が不要に
なる。ディスク・スタックの複数のデータ層の反射率を
適切に選択することにより、各データ層からの有効反射
光強度が等しくなり、調整可能な信号増幅が不要になる
ように装置を設計することができる。
Description
記憶媒体とその装置に関し、特に複数のディスク面を持
ち上記媒体を使用する記憶装置に関する。
スクに格納する手段になる。データは、レーザ・ビーム
をディスクのデータ層に集束させ、反射した光ビームを
検出することによってアクセスされる。様々な装置が知
られている。CD−ROM(コンパクト・ディスク装
置)等のROM(読出し専用メモリ)装置の場合、デー
タは、ディスクの生産時にディスク内のマークとして永
久的に書込まれる。レーザ・ビームがデータ・マーク上
を通過する時の反射率の変化としてそのデータが検出さ
れる。WORM(追記型)装置では、ユーザがブランク
の光ディスク面にピット等のマークを作ることによって
データを書込むことができる。データが一旦ディスクに
記録されるとそれを消去することはできない。WORM
装置のデータも反射率の変化として検出される。位相変
調装置や光磁気(MO)装置等、消去可能な光データ記
憶装置もある。位相変調装置も反射率の変化を検出して
データを読取るが、MO装置はMO媒体による入射偏極
の回転を検出してデータを読取る。
のデータ層を持つ装置が提案されている。データ層が2
つ以上の光ディスクは、レンズの焦点位置を変えること
によって異なる層でアクセスできる。この種の装置の1
例は米国特許第5202875号に説明されている。こ
のような装置の場合、レーザ・ソースからの光は、光透
過ディスク基板を通過することで、異なる基板上のデー
タ層にアクセスする。比較的厚い基板で光を集束させる
ため光ビームに球面収差が生じる。これはしかし、従来
の単一ディスクの光装置では、光が通過する基板物質の
量は一定なので、集束レンズの曲率半径をわずかに一定
量変更することで補正できる。
の光ディスク装置では、個数と厚みが異なる複数の基板
に光を集束させる必要があるので、どのデータ層がアク
セスされているかに応じて、球面収差について何らかの
形の調整可能な補正処理が必要である。
ィスクのスタックから成る光ディスク媒体と、この媒体
を使用する光ディスク記憶装置を提供するものである。
スタックの各ディスクは、装置がCD−ROM装置であ
ればポリカーボネート等の光透過物質から形成され、そ
の面の少なくとも1つに光が部分的に透過するデータ層
を持つ。装置の集束レンズは光を光路に沿ってデータ層
に集束させる。各データ層は一意の光路長に対応する。
ただし、光は通過する基板の厚みが各光路について同じ
になるように、隣接したデータ層からの反射によって各
データ層に集束される。このようにして集束レンズによ
る固定球面収差補正が適正化され、可変収差補正は不要
になる。ディスク・スタックの複数のデータ層の反射率
を適正に選択することによって、各データ層に対する有
効反射光強度が同じになり、調整可能な信号増幅が不要
になるように装置を設計することができる。
憶装置である。装置10はCD−ROM光装置として説
明する。装置10には、好適にはディスクの形状であり
従来のように固定スピンドル14に回転可能に装着され
る光データ記憶媒体12を含む。スピンドル14はスピ
ンドル・モータ16に取り付けられ、モータ16は装置
のシャシ20に取り付けられる。モータ16はスピンド
ル14と媒体12を回転させる。
れる。ヘッド22はアーム24に取り付けられ、アーム
24はボイス・コイル・モータ(VCM)26等のアク
チュエータ装置に接続される。ボイス・コイル・モータ
26はシャシ20に取り付けられ、アーム24とヘッド
22を媒体12下の半径方向に移動させる。
1実施例である。光ヘッド22は、波長が約780ナノ
メートルの1次光ビーム202を生成するゲルマニウム
−アルミニウム−ヒ素ダイオード・レーザ等のレーザ・
ダイオード200を含む。ビーム202はまず、格子2
01によって回折し1次データ・ビームの他に、トラッ
キング用の2本の2次ビームが生成され、次にレンズ2
03によって平行にされる。これによって得られる3要
素のビーム204はビームスプリッタ205を通過す
る。ビーム204の1部はビームスプリッタ205によ
って反射して集束レンズ206と光検出器207に届
く。検出器207はレーザ・ビーム204の出力をモニ
タするのに用いられる。ビームスプリッタ205からの
ビーム204は次に進んでミラー208によって反射す
る。ビーム204はそこで集束レンズ210を通過し、
媒体12のデータ表面の1つに(基板70の表面71)
集束する。レンズ210はホルダ214に装着される。
ホルダ214の位置は、集束アクチュエータ・モータ2
16(ボイス・コイル・モータ等)によって媒体12に
対して調整される。
反射し、反射ビーム220になる。ビーム220はレン
ズ210から返りミラー208で反射する。ビームスプ
リッタ205ではビーム220が非点収差レンズ232
を通過して、多要素光検出器234に届く。
ロック図を参照符号300で示している。集束誤差信号
(FES)ピーク検出器310は、FESを受取り、ト
ラッキング誤差信号(TES)ピーク検出器312はT
ESを受取る。多要素検出器234(図2)は出力信号
を生成し、これは信号増幅器236によって増幅され、
データ信号、TES(トラッキング誤差信号)及びFE
S(集束誤差信号)の生成に用いられる。これらの信号
はコントローラ314に送られる。コントローラ314
はまた、FESピーク検出器310、TESピーク検出
器312及びレーザ出力検出器207から入力信号を受
取る。コントローラ314はマイクロプロセッサ・ベー
スのディスク・ドライブ・コントローラである。コント
ローラ314はまたレーザ200、ヘッド・モータ2
6、スピンドル・モータ16及び集束モータ216に接
続されそれらを制御する。
置10(図1)の動作について説明する。コントローラ
314は、ディスク12を回転させるモータ16と、光
ヘッド22をディスク12下の適正な位置に移動させる
モータ26とを制御する。レーザ200は励起されて媒
体12からデータを読取る。ビーム204はレンズ21
0によって対応するデータ表面に集束する。反射ビーム
220が返り非点収差レンズ232によって多要素検出
器234に送られる。TES、FES及びデータ信号
は、検出器234によって出力され、増幅器236(図
3)によって増幅される。
示す。基板によって生じる収差が適正に補正される時に
は、媒体12の各データ表面について標準で正弦波の集
束誤差信号が得られる。データ層の間でFESは0であ
る。装置の起動時、コントローラ314はまず、モータ
216によりレンズ210をその0変位位置にセットす
る。コントローラ314は次に、目的のデータ表面をシ
ークするためにモータ216によりレンズ210を正変
位方向に移動させる。各データ層、すなわちディスク5
0、60、70及び80のそれぞれのデータ層51、6
2、71及び82において、ビーム204の焦点がデー
タ表面を通過して基板の収差が適切に補正された時に、
ピーク検出器310がFESの2つのピークを検出す
る。コントローラ314はピークをカウントし、ビーム
204が集束する正確なデータ表面を判定する。目的の
面に達した時、コントローラ314はモータ216によ
り集束誤差信号がそのデータ表面について2つのピーク
の間になるようにレンズ210を位置づける。集束誤差
は次に、モータ216の制御に用いられピーク間の0点
の集束誤差信号、すなわち正勾配信号のロックが正確な
集束が得られるようにシークされる。コントローラ31
4はまた、そのデータ表面に対するレーザ200の出力
を調整する。
媒体12の好適な実施例を示す断面図である。媒体12
は4つのディスク基板50、60、70及び80を含
む。基板50は光ヘッド22(図1)に最も近接した基
板で、ここからレーザ・ビームが媒体12に入る。基板
50と隣接基板60の間には外径(OD)リム52と内
径(ID)リム54が取り付けられる。基板60と隣接
基板70の間にはODリム63とIDリム64が、隣接
した基板70と80の間にはODリム72とIDリム7
4がそれぞれ取り付けられる。基板50、60、70及
び80は、ガラス、ポリカーボネート、他のポリマ物質
等、光透過物質から形成される。IDリムとODリムも
好適にはポリカーボネート等のプラスチック物質から形
成される。
セス等によって基板に取り付けられる。ただし好適に
は、ポリカーボネートのCD−ROM基板に対する従来
の射出成形プロセスのように、生産時に基板と一体に形
成する。リムが取り付けられると基板とフェース面との
間に円形のスペース86が形成される。スピンドル開口
90は媒体12のIDリム内側に沿ってスピンドル14
を収める。IDリムには複数の経路88が形成され、開
口とスペース86がつながれ、スペース86とディスク
・ドライブの外側(通常は空気)との圧力が等しくな
る。経路88はODリム上にあってもよい。
した各光路A乃至Dを示す、光媒体12の好適な実施例
の1部である。好適な実施例の場合、ディスク基板はそ
れぞれ同じ厚みであり(好適には約0.4mm)、従来
のポリカーボネートCD−ROM物質から形成される。
データ層はそれぞれ(基板50の51、基板60の6
2、基板70の71及び基板80の82)、CD−RO
Mディスクに用いられるような読出し専用のデータ層、
すなわちピットのエンボス・パターンである。基板60
の層61はデータのない部分透過層である。ただしデー
タ層は後述するように、部分的に透過型に反射率が異な
るように形成される。
層61によって反射しなかった場合に集束する点の位置
が、他のデータ層に近接しすぎないように選ばれる。こ
のような虚像が基板70のデータ層71または基板80
のデータ層82に近接しすぎる場合は、読取り信号にク
ロストークが生じる。媒体12の低クロストークと最小
総厚みの両方を実現する図6の1実施例は、基板50、
60の間隔を約0.2mm、基板70、80の間隔も約
0.2mmに、基板60、70の間隔をその2倍の0.
4mmにした構造である。
意の長さであり各々の長さは、集束モータ216(図
2)によって制御されるレンズ210の集束位置によっ
て決定される。例えば、光路Aの場合、レーザ・ビーム
は基板50のデータ層51に集束するのに、(a)光透
過基板50、(b)基板50の部分透過データ層51、
(c)基板50、60の間のエア・スペース、(d)基
板60の部分透過データ層62、(e)部分透過層61
からの反射により再び基板60、(f)再び基板60の
部分透過データ層62及び(g)再び基板50、60の
間のエア・スペースを連続して通過する。つまり光路長
Aは、集束レンズから基板50までの距離に、基板厚み
の3倍と、基板50、60の間隔の2倍を加えた距離を
含む。
は基板60のデータ層62に集束するには、基板50を
1回、基板60を2回(部分透過層61から反射した
後)通過しなければならない。従って光路長Bの合計は
Aと基板50、60の間隔だけ異なる。ただし光路長
A、Bのいずれでも3つの基板厚みを加えた光路が含ま
れる。
光路Cで示す通り、光は基板50、60及び70をそれ
ぞれ1回通過しなければならない。同様に4番目の基板
80のデータ層82への光路Dの長さは、光路Cに、基
板70、80の間隔をプラスした距離と同じである。
には、同じ量の基板を通る光路、すなわち3つの基板厚
みに等しい距離が含まれる。これら一意の光路のそれぞ
れの光は異なる点に集束するが、同じ量、同じタイプの
基板物質を通り、間隔は屈折率1.0の空気であるか
ら、光データ装置に可変収差補正器は不要である。つま
り集束レンズ210(図2)の固定球面収差補正は、固
定基板厚み合計(1.2mm)に対応するように設定で
き、4つのデータ層全てへの集束に適切な値になる。
れ対応するデータ層から反射した光の反射強度SA乃至
SDは、一般例として以下のように表わすことができ
る。ここでRとTはそれぞれ、各基板の界面の反射率と
透過率であり、面1は光ヘッドに最も近い面(基板50
のデータ層51と反対側の面)、面7は光ヘッドから最
も遠い面(基板80のデータ層82)である。 SA=N*(R4 *T3)2*R2 SB=N*(R4)2*R3 SC=N*(T4 *T5)2*R6 SD=N*(T4 *T5 *T6)2*R7 ここで、 N=(T1 *T2 *T3)2
の反射率を100%と設定し、反射強度SA乃至SDを等
しくなるよう制限すると、光路A乃至Dそれぞれの有効
反射強度は2.7%が可能であり、各データ層の反射率
は次のようになる。 R2=14 R3=11 R4=65 R6=38
の吸収率は0とする。有効反射強度をほぼ一定にする利
点は、どのデータ層がアクセスされているかとは無関係
に、検出器234(図2)からの出力の可変増幅が不要
になり、増幅器236(図3)による固定信号増幅で充
分なことである。
る。媒体12'は3ディスク基板の装置でデータ層を4
つ持つ。基板400、410は同じ厚み(0.4mm)
で、間隔は0.6mmである。3番目の基板420は光
ヘッドから最も遠く、厚みは基板400、410の2分
の1、つまり0.2mm、間隔は隣接基板410から、
第1及び第2の基板の間隔の3分の1離れている。
ッドから離れ、基板410には表面412、411の両
方にデータ層があり、基板420のデータ層422の表
面は基板410に向き合っている。各データ層401、
412、411及び422への各光路A'乃至D'を参照
すればわかるように、光路の長さは一意であり、集束レ
ンズの一意の位置に対応している。ただし、光路A'乃
至D'のそれぞれで光が通過する基板物質の総量は同じ
である。この距離は基板400の厚みの3倍、約1.2
mmである。光路A'、B'は基板400を1回、基板4
10を2回通過し、合計約1.2mmになる。光路
C'、D'は基板400、410をそれぞれ1回、基板4
20を2回通過し、合計約1.2mmである。光路
A'、B'、C' 及びD' の長さの違いは単にディスク基
板400、410及び420の間隔である。しかし、こ
の間隔が空気であり屈折率は1.0であるから収差の影
響はない。図6の実施例について示したように、ディス
クの間隔はデータ層の虚像の近接によるクロストークが
最小になるように選ばれる。実際に図7の実施例に設定
される間隔から得られる例は、媒体12' について低ク
ロストークと最小総厚みの両方を実現する1例にすぎな
い。図7から明らかなように、第3の最も遠い基板42
0の表面421は、データは含まれないが光路C'、D'
のそれぞれで光を反射すべき全面反射層である。
うに表わされる。ここでも添字1乃至6は光ヘッドに最
も近い界面1から始まる基板界面を指す。 SA'=N*(R4 *T3)2*R2 SB'=N*(R4)2*R3 SC'=N*(T4 *T5 2*R6)2*R4 SD'=N*(T4 *T5 *R6)2*R5 ここでも、 N=(T1 *T2 *T3)2
1)の反射率を100%に設定し、反射強度を等しくな
るように制限すると、光路A'乃至D'のそれぞれについ
て有効反射強度は1.7%が可能であり、各データ層の
反射率は次のようになる。 R2=13 R3=10 R4=56 R5=29 ここでT=(1−R)とする。
ィスクの生産時に、データ層は従来の射出成形、エンボ
シング、フォトポリマ・レプリケーション等によって形
成される。その後、データ層は、設定反射率が異なるよ
うに従来の様々な金属層(Al、Au等)、半導体物質
層(アモルファスSi、GaSb等)、誘電層(ZrO
2 、SiN等)により形成することができる。このよう
な物質は周知のようにスパッタリングや蒸発によって被
着できる。
層の反射率は各光路の有効反射強度が同じになるように
選択されたものである。上述のように、これにより可変
信号増幅器が不要になる。ただし、有効反射強度を光路
毎に変えるのであれば、増幅器236(図3)を可変増
幅器とし、そのレベルをコントローラ314によって制
御し、どのデータ層がアクセスされているかに応じて選
択することになる。
の事項を開示する。
が所定の厚みを有し、少なくとも部分的に透過型である
データ層を担持する光媒体と、光源と、上記光源からの
光を上記媒体に向ける集束手段を含む手段と、上記集束
手段に接続され、上記集束手段と上記データ層のうち対
応する1つの層との間の一意の光路長を決定する複数の
位置に上記集束手段を移動させる手段であって、上記光
路長は実質的に同一の基板物質の厚みの合計を含むもの
である、移動手段と、を含む光データ記憶装置。 (2)上記基板の1つが、事実上の全面反射層を有し
て、上記データ層への光を他の基板に反射させる、上記
(1)に記載の装置。 (3)厚みがほぼ等しく、所定の距離離隔した2つの基
板があり、上記集束手段に最も近い第1基板上のデータ
層に対する光路長が、上記集束手段から上記第1基板へ
の距離に間隔の2倍と基板厚みの3倍を加えた距離にほ
ぼ等しく、上記第1基板に最も近い第2基板上のデータ
層に対する光路長が、上記集束手段から上記第1基板へ
の距離に間隔と基板厚みの3倍を加えた距離にほぼ等し
い、上記(1)に記載の装置。 (4)上記第1及び第2の基板とほぼ同じ厚みを有し、
上記第2基板に隣接且つ離隔した第3基板を含み、上記
第3基板のデータ層に対する光路長が、上記集束手段か
ら上記第1基板への距離に上記第1、第2及び第3の基
板の間隔の合計と基板厚みの3倍を加えた距離にほぼ等
しい、上記(3)に記載の装置。 (5)上記第3基板に隣接且つ離隔した第4基板を含
み、上記第4基板のデータ層に対する光路長が、上記集
束手段から上記第1基板への距離に4つの基板の間隔の
合計と基板厚みの3倍を加えた距離にほぼ等しい、上記
(4)に記載の装置。 (6)上記光媒体が3つの基板を含み、上記集束手段に
最も近い第1基板が厚みtと、上記集束手段から最も遠
い表面のデータ層とを有し、第2基板が厚みtを有し、
上記第1基板に隣接且つ離隔し、両方の表面にデータ層
を有し、第3基板が厚みt/2を有し、上記第2基板に
隣接且つ離隔して、上記第2基板に面するその表面にデ
ータ層を有する、上記(1)に記載の装置。 (7)上記第3基板が、そのデータ層と反対側の表面に
非データ反射層を有して、光をデータ層の少なくとも1
つに反射する、上記(6)に記載の装置。 (8)上記基板の各々が基本的にはポリカーボネートか
ら形成され、上記基板上のデータ層が読出し専用データ
層である、上記(1)に記載の装置。 (9)上記反射データ層が基本的にアモルファス・シリ
コンから成る、上記(1)に記載の装置。 (10)上記反射データ層が基本的にアルミニウムから
成る、上記(1)に記載の装置。 (11)上記データ層の各々が所定の反射率を有し、有
効反射光強度が上記光路長の各々についてほぼ等しい、
上記(1)に記載の装置。 (12)上記データ層から反射した光に応答してデータ
信号を供給する手段を含む、上記(1)に記載の装置。 (13)データ信号を供給する上記手段が、上記データ
層から反射した光の強度を検出する手段と、上記検出手
段に接続されて、検出された強度を増幅する手段とを含
む、上記(12)に記載の装置。 (14)各ディスクが、光透過物質と、上記基板の表面
の部分透過型のデータ層との基板から成る離隔した複数
の読出し専用光ディスクと、光源と、上記光源からの光
を総厚みが一定の光透過ディスク基板と、各々の光路長
が一意であり、関連するデータ層に対応する複数の光路
長を通して集束させる手段と、上記データ層から反射し
た光に応答してデータ信号を供給する手段と、を含む読
出し専用光データ記憶装置。 (15)上記データ層の各々が所定の反射率を有し、よ
って有効反射光強度が上記光路長の各々についてほぼ等
しくなる、上記(14)に記載の装置。 (16)データ信号を供給する上記装置が、上記データ
層から反射した光の強度を検出する手段と、上記検出手
段に接続されて検出された強度を増幅するための手段
と、を含む上記(14)に記載の装置。 (17)複数の光透過ディスク基板と、上記ディスク基
板を平行に、互いに離隔したスタックとしてを担持する
手段とを含み、各基板が表面の1つに部分透過型のデー
タ層を有し、上記スタックの最も外側のディスクの外面
から方向づけられた光ビームからの集束光スポットを受
取り、上記光ビームの上記光透過基板を通る光路の距離
が上記データ層の各々について同じである、光記録媒
体。 (18)上記ディスク基板の1つが、事実上の全面反射
層を有して、光を他の基板のデータ層に反射する、上記
(17)に記載の媒体。 (19)2つのディスク基板があり、最も外側のディス
ク基板がその内側面にデータ層を、第2ディスク基板が
その両面にデータ層を有し、上記第2ディスク基板の外
側のデータ層が上記第2ディスク基板の内側のデータ層
に、且つ上記最も外側のディスクの上記内側のデータ層
に光ビームを反射する、上記(17)に記載の媒体。 (20)上記光媒体が3つの基板から成り、そのスタッ
クの最も外側の第1基板が厚みtと、その内側面のデー
タ層とを有し、第2基板が厚みtを有して、上記第1基
板に隣接且つ離隔し、その両面にデータ層を有し、第3
基板が厚みt/2を有して、上記第2基板に隣接且つ離
隔し、上記第2基板に面する表面にデータ層を有する、
上記(17)に記載の媒体。 (21)上記第3基板が、そのデータ層の反対側に非デ
ータ反射層を有して、上記ディスク・スタックのデータ
層のうち少なくとも1つの層に光を反射する、上記(1
8)に記載の媒体。 (22)上記基板の各々が基本的にはポリカーボネート
から形成され、上記基板の上記データ層が読出し専用デ
ータ層である、上記(17)に記載の媒体。 (23)上記反射データ層が基本的にアモルファス・シ
リコンから成る、上記(17)に記載の装置。 (24)上記反射データ層が基本的にアルミニウムから
成る、上記(17)に記載の装置。 (25)複数の光透過ディスク基板と、上記ディスク基
板を平行に、互いに離隔したスタックとして担持する手
段とを含み、各基板が表面の1つに部分透過型のデータ
層を有し、上記スタックの最も外側のディスクの外面か
ら方向づけられた光ビームからの集束光スポットを受取
り、上記光ビームの上記光透過基板を通る光路の距離が
上記データ層の各々について同じである、CD−ROM
の光ディスク媒体。
ク記憶装置を示す図である。
出し増幅するための手段を示す、本発明の光ヘッドと媒
体の図である。
る。
を示す図である。
断面図である。
の好適な実施例の断面図である。
の他の実施例の断面図である。
Claims (25)
- 【請求項1】離隔した複数の基板を含み、各基板が所定
の厚みを有し、少なくとも部分的に透過型であるデータ
層を担持する光媒体と、 光源と、 上記光源からの光を上記媒体に向ける集束手段を含む手
段と、 上記集束手段に接続され、上記集束手段と上記データ層
のうち対応する1つの層との間の一意の光路長を決定す
る複数の位置に上記集束手段を移動させる手段であっ
て、上記光路長は実質的に同一の基板物質の厚みの合計
を含むものである、移動手段と、 を含む光データ記憶装置。 - 【請求項2】上記基板の1つが、事実上の全面反射層を
有して、上記データ層への光を他の基板に反射させる、
請求項1記載の装置。 - 【請求項3】厚みがほぼ等しく、所定の距離離隔した2
つの基板があり、上記集束手段に最も近い第1基板上の
データ層に対する光路長が、上記集束手段から上記第1
基板への距離に間隔の2倍と基板厚みの3倍を加えた距
離にほぼ等しく、上記第1基板に最も近い第2基板上の
データ層に対する光路長が、上記集束手段から上記第1
基板への距離に間隔と基板厚みの3倍を加えた距離にほ
ぼ等しい、請求項1記載の装置。 - 【請求項4】上記第1及び第2の基板とほぼ同じ厚みを
有し、上記第2基板に隣接且つ離隔した第3基板を含
み、上記第3基板のデータ層に対する光路長が、上記集
束手段から上記第1基板への距離に上記第1、第2及び
第3の基板の間隔の合計と基板厚みの3倍を加えた距離
にほぼ等しい、請求項3記載の装置。 - 【請求項5】上記第3基板に隣接且つ離隔した第4基板
を含み、上記第4基板のデータ層に対する光路長が、上
記集束手段から上記第1基板への距離に4つの基板の間
隔の合計と基板厚みの3倍を加えた距離にほぼ等しい、
請求項4記載の装置。 - 【請求項6】上記光媒体が3つの基板を含み、上記集束
手段に最も近い第1基板が厚みtと、上記集束手段から
最も遠い表面のデータ層とを有し、第2基板が厚みtを
有し、上記第1基板に隣接且つ離隔し、両方の表面にデ
ータ層を有し、第3基板が厚みt/2を有し、上記第2
基板に隣接且つ離隔して、上記第2基板に面するその表
面にデータ層を有する、請求項1記載の装置。 - 【請求項7】上記第3基板が、そのデータ層と反対側の
表面に非データ反射層を有して、光をデータ層の少なく
とも1つに反射する、請求項6記載の装置。 - 【請求項8】上記基板の各々が基本的にはポリカーボネ
ートから形成され、上記基板上のデータ層が読出し専用
データ層である、請求項1記載の装置。 - 【請求項9】上記反射データ層が基本的にアモルファス
・シリコンから成る、請求項1記載の装置。 - 【請求項10】上記反射データ層が基本的にアルミニウ
ムから成る、請求項1記載の装置。 - 【請求項11】上記データ層の各々が所定の反射率を有
し、有効反射光強度が上記光路長の各々についてほぼ等
しい、請求項1記載の装置。 - 【請求項12】上記データ層から反射した光に応答して
データ信号を供給する手段を含む、請求項1記載の装
置。 - 【請求項13】データ信号を供給する上記手段が、上記
データ層から反射した光の強度を検出する手段と、上記
検出手段に接続されて、検出された強度を増幅する手段
とを含む、請求項12記載の装置。 - 【請求項14】各ディスクが、光透過物質と、上記基板
の表面の部分透過型のデータ層との基板から成る離隔し
た複数の読出し専用光ディスクと、 光源と、 上記光源からの光を総厚みが一定の光透過ディスク基板
と、各々の光路長が一意であり、関連するデータ層に対
応する複数の光路長を通して集束させる手段と、 上記データ層から反射した光に応答してデータ信号を供
給する手段と、 を含む読出し専用光データ記憶装置。 - 【請求項15】上記データ層の各々が所定の反射率を有
し、よって有効反射光強度が上記光路長の各々について
ほぼ等しくなる、請求項14記載の装置。 - 【請求項16】データ信号を供給する上記装置が、上記
データ層から反射した光の強度を検出する手段と、上記
検出手段に接続されて検出された強度を増幅するための
手段と、を含む請求項14記載の装置。 - 【請求項17】複数の光透過ディスク基板と、 上記ディスク基板を平行に、互いに離隔したスタックと
して担持する手段とを含み、 各基板が表面の1つに部分透過型のデータ層を有し、上
記スタックの最も外側のディスクの外面から方向づけら
れた光ビームからの集束光スポットを受取り、上記光ビ
ームの上記光透過基板を通る光路の距離が上記データ層
の各々について同じである、 光記録媒体。 - 【請求項18】上記ディスク基板の1つが、事実上の全
面反射層を有して、光を他の基板のデータ層に反射す
る、請求項17記載の媒体。 - 【請求項19】2つのディスク基板があり、最も外側の
ディスク基板がその内側面にデータ層を、第2ディスク
基板がその両面にデータ層を有し、上記第2ディスク基
板の外側のデータ層が上記第2ディスク基板の内側のデ
ータ層に、且つ上記最も外側のディスクの上記内側のデ
ータ層に光ビームを反射する、請求項17記載の媒体。 - 【請求項20】上記光媒体が3つの基板から成り、その
スタックの最も外側の第1基板が厚みtと、その内側面
のデータ層とを有し、第2基板が厚みtを有して、上記
第1基板に隣接且つ離隔し、その両面にデータ層を有
し、第3基板が厚みt/2を有して、上記第2基板に隣
接且つ離隔し、上記第2基板に面する表面にデータ層を
有する、請求項17記載の媒体。 - 【請求項21】上記第3基板が、そのデータ層の反対側
に非データ反射層を有して、上記ディスク・スタックの
データ層のうち少なくとも1つの層に光を反射する、請
求項18記載の媒体。 - 【請求項22】上記基板の各々が基本的にはポリカーボ
ネートから形成され、上記基板の上記データ層が読出し
専用データ層である、請求項17記載の媒体。 - 【請求項23】上記反射データ層が基本的にアモルファ
ス・シリコンから成る、請求項17記載の装置。 - 【請求項24】上記反射データ層が基本的にアルミニウ
ムから成る、請求項17記載の装置。 - 【請求項25】複数の光透過ディスク基板と、 上記ディスク基板を平行に、互いに離隔したスタックと
して担持する手段とを含み、 各基板が表面の1つに部分透過型のデータ層を有し、上
記スタックの最も外側のディスクの外面から方向づけら
れた光ビームからの集束光スポットを受取り、上記光ビ
ームの上記光透過基板を通る光路の距離が上記データ層
の各々について同じである、 CD−ROMの光ディスク媒体。
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