JPH0745331B2

JPH0745331B2 - 光学素子成形用型

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Publication number: JPH0745331B2
Application number: JP1270336A
Authority: JP
Inventors: 潔山本
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-10-19
Filing date: 1989-10-19
Publication date: 1995-05-17
Anticipated expiration: 2010-05-17
Also published as: JPH03137032A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、レンズ、プリズム等の硝子よりなる光学素子
を硝子素材のプレス成形により製造するのに使用される
型に関するものである。

［従来の技術］研磨工程を必要としないでガラス素材のプレス成形によ
ってレンズを製造する技術は従来のレンズの製造におい
て必要とされた複雑な工程をなくし、簡単且つ安価にレ
ンズを製造することを可能とし、近来、レンズのみなら
ずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の製造に使
用されるようになってきた。

このようなガラスの光学素子のプレス成形に使用される
型材に要求される性質としては、硬さ、耐熱性、離型
性、鏡面加工性等に優れている事が挙げられる。従来、
この種の型材として、金属、金属をコーティングした材
料等、数多くの提案がされている。例えば、特開昭49−
51112には13Crマルテンサイト鋼が、特開昭60−246230
には超硬合金に貴金属をコーティングした材料が提案さ
れている。

しかし、13Crマルテンサイト鋼は酸化しやすく、さらに
高温でFeが硝子中に拡散して硝子が着色する欠点をも
つ。又、貴金属をコーティングした材料は融着は起こし
にくいが、極めて軟かい為、傷がつきやすく又変形しや
すい欠点をもつ。

［発明が解決しようとしている課題］上記の技術に対し、特公昭62−21733には型母材をモリ
ブデン、チタン、タングステンのいずれかにより形成
し、該型母材の成形表面に窒化チタンを被覆した型が開
示されており、これにより鏡面性に優れた光学素子が一
応は得られることが解っている。しかし、モリブデン、
チタン、タングステンは硬度がHv200〜300と低い為、成
形を重ねるうちに硝子と接触する部分が凹んで型の寿命
が短くなるという欠点を持つ。また更に、上記型におい
て型母材を超硬合金にすることも可能であるが、超硬合
金の場合ポアーの発生が多い為、鏡面性において満足の
行くものではなかった。又、超硬合金を母材とする型と
しては、上述の窒化チタンを被覆した型以外にも、TiC,
TiCN,TaN,TaC等多くの公知例があるが、いずれも鏡面性
において満足の行くものではなかった。

従って、本発明の目的は、硝子の光学素子の成形に適し
た光学素子成形用型を提供することで、特に、鏡面性に
優れ、適当な硬さを有し高温で硝子と融着をおこさず、
しかも硝子による化学的な侵食を受けにくい、耐久性の
ある光学素子の成形用型を提供することにある。

［課題を解決するための手段］特願昭63−269600号に金属バインダーを有しない超硬合
金からなる型が記載されている。該型は高温での硝子と
の融着、硝子による化学的侵食等がある程度改善され、
また硬さも適当である。しかし、該型によりSF8ガラス
を成形した場合極微かながら型とSF8ガラスが反応する
ため、同一の型により連続成形を行なうと徐々に反応析
出物が型表面上に堆積して成形品の表面状態に悪影響を
与える。また、反応析出物の量が多くなるに従い型の成
形面の表面粗さが大きくなりしかも成形面の形状が劣化
するので、型の表面形状を元に戻すための再加工を頻繁
に行なう必要がある等の欠点があった。

本発明は超硬合金のバインダーメタルであるコバルトあ
るいはニッケルを含有せず、複合炭化物相を第２相とし
て有する２層混合組織の硬質繞結体に、TiN,TaN等のコ
ーティングをして光学素子の成形用型母材とすることに
よって、長寿命化と型の鏡面性の向上を達成したもので
ある。

即ち、本発明は、光学素子のプレス成形に用いる光学素
子成形用型において、型母材が金属バインダーを有しな
い超硬合金であり、しかも該型母材の少なくとも成形面
に、TiN,TaN,SiN₄,BN,AlN,HfN,ZrNから選ばれた少なく
とも１種の窒化物またはTaC,SiC,HfCから選ばれた少な
くとも１種の炭化物の膜が被覆されていることを特徴と
する光学素子成形用型である。

前記金属バインダーレス超硬合金は、通常の金属バイン
ダーを用いた超硬合金に比べ高温での押込み強度が高
く、しかも金属バインダーがないため研磨面も粗さの小
さい良好な鏡面になる。しかし、前記の欠点があるため
金属バインダーレス超硬合金からなる型の成形面に、金
属バインダーレス超硬合金より耐酸化性の良好なTiN,Ta
N等の膜を被覆する。例えばTiN,TaCが通常の超硬合金の
主成分であるWCより耐酸化性が良好であることは、第９
図（TiN）、第10図（WC）、第11図（TaC）に示す酸素雰
囲気中での熱重量分析の結果からも明らかである。ま
た、TiN,TaC以外のWCに比較して耐酸化性の良好な被覆
材としてTaN,Si₃N₄,BN,AlN,HfN,ZrN等の窒化物、及びSi
C,HfC等の炭化物があることは、同様に酸素雰囲気中で
の熱重量分析の結果から見出されている。

本発明に用いる型母材を製造するには、例えばWC粉末を
第１成分として、TiC粉末あるいはTiCとWCの固溶体粉末
（TiC/WC＝3/7）を第２成分として用い、所定の配合比
にボールミルあるいはアトライターにて湿式混合し、乾
燥後所望の形状に約1t〜10t/cm²で加圧成形する。

次に、得られた混合粉末の成形体を高温で焼結した後、
最終的な光学素子の形状に相当する形状に加工し、型母
材を得る。

焼結温度は通常のWC−Co系超硬合金より200℃以上高
く、1550℃以上2550℃以下であり、焼結は非酸化雰囲気
下で行なわれる。WC,TiCの望ましい配合比はWC70〜99重
量％、TiC1〜30重量％である。

ここで、TiCを添加する意味は組織を緻密化することに
ある。即ち、TiC量が１重量％未満では焼結性が不良に
なり、また30重量％を越えると焼結性が不良になり、し
かも得られる結晶粒が粗大化しやすく粒界にすき間がで
きる。

原料粉末としてWC粉末とTiC粉末を用いた場合、焼結時
に、WCの第１相と、WCの一部がTiCと固溶体を形成して
（Ti,W）Ｃ（NaCl型結晶）で示される複炭化物の第２相
を構成する。該焼結温度での複炭化物中のWCの固溶限度
は約70重量％である。従って、焼結後の組織構成は、原
料粉がWC99重量％、TiC1重量％の場合第１相のWCが96.7
重量％、第２相の（Ti,W）Ｃが3.3重量％となり、原料
粉がW70重量％、TiC30重量％の場合第１相のWCが０重量
％、第２相の（Ti,W）Ｃが100重量％となる。

又、第２成分としてTiC粉末の一部を周期律のIV b,V b,
VI b族に属する遷移金属の一種又は二種以上の炭化物又
は窒化物で置換えた固溶体複炭化物粉を用いることも可
能である。

例えば、耐熱性を上げる為にTaCを第２成分の一部に用
いた場合、焼結後の第２相は（Ti,Ta,W）Ｃの３元系複
炭化物となる。

こうして得られた型母材を所望の光学素子に対応する形
状に鏡面加工し、清浄した後、成膜装置内でイオンボン
バードによりクリーニングし、ついで型母材の成形面に
イオンプレーティング法、スパッタリング法等によりTi
N,TaN等の膜を0.5〜３μｍ程度形成して本発明光学素子
成形用型が得られる。

型母材とTiN等の膜等の膜の間に金属Ti等の中間層を設
けることは密着性向上のために好ましい。

金属Tiは反応性が高く、金属バインダーレス超硬合金と
TiNの密着性を高めかつ膜の圧縮応力を緩和する効果が
ある。また、中間層を設ける目的は、TiN層等と金属バ
インダーレス超硬合金との反応性及び膜応力を低下させ
て膜の剥離を防止することにあるので、他の活性な金属
例えばCr,Niも同様に効果がある。このような型は型母
材の成形面にイオンプレーティング法、スパッタリング
法等により、中間層として金属Ti層等を0.1〜0.5μｍ程
度形成し、その上にTiN層等を0.5〜３μｍ程度形成して
得られる。

また、例えばTiN層を被覆した型の場合、型母材側の組
成が金属TiでTiN層に向かってＮが徐々に増加してTiN層
側の組成がTiNとなるようにしたいわゆる傾斜膜を中間
層として設けることにより、該中間層とTiN層の間での
急激な応力変化が無くなり膜の剥離が更に防止できる。

［実施例］以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。

実施例１第１図及び第２図は本発明に係る光学素子成形用型の１
つの実施態様を示すものである。

第１図は光学素子のプレス成形前の状態を示し、第２図
は光学素子成形後の状態を示す。第１図中1,2は型母
材、１−a,2−ａは該型母材のガラス素材の接触する成
形面に形成されたTaN膜、３はガラス素材であり、第２
図中４は光学素子である。

第１図に示すように型の間に置かれた硝子素材３をプレ
ス成形することによって、第２図に示すようにレンズ等
の光学素子４が成形される。

型母材の作成 WC粉とTiC粉の混合比を変えて３種類の混合粉を調製し
た。各々の混合比を表１に示す。

これらの混合粉を所定の形状にプレス成形した後、真空
で1550℃で焼結を行ない、ついで光学素子の形状に相当
する形状に鏡面加工を行ない型母材を作成した。

窒化タンタル（TaN）被覆成形用型の作成第３図はTaN層の形成のためのイオンプレーティング装
置を示す概略構成図である。第３図において、６は真空
槽である。該真空槽には排気口７が接続されており、該
排気口は不図示の減圧源を含む排気系に接続されてい
る。真空槽６内の上部にはヒータ８が配置されている。
該ヒータ８の下方には蒸着膜厚モニタ９及び型母材支持
体10が配置されており、該支持体には成膜面を下向きに
して型母材12が適宜の数支持される。14は該型母材に対
しバイアス電圧を印加するためのバイアス電源である。
尚、上記型母材支持体10は上下方向の回転中心10aのま
わりに回転することができ、該回転は不図示の駆動手段
により駆動される。

一方、真空槽６内の下部には蒸着材料（Ta）16を収容し
た蒸発手段たる電子銃18が配置されている。該電子銃の
上方には蒸発蒸着材料のイオン化のためのイオン化電極
20が位置しており、22,24はそれぞれその電源及び冷却
水循環手段である。イオン化電極20の上方にはシャッタ
26が配置されており、該シャッタは真空槽２外の不図示
の駆動装置により回動せしめられ、電子銃18と型母材支
持体10との間の経路を適時遮断することができる。

真空槽６内にはまた反応ガス（窒素ガス）イオン化手段
たるイオンガン28が配置されている。外イオンガンは反
応ガス吐出部と該吐出部から吐出される反応ガスをイオ
ン化するための電極とを備えている。30は該イオンガン
の反応ガス吐出部に反応ガスを供給するパイプであり、
32はイオンガンの冷却水循環手段である。

第４図は他のイオンプレーティング装置を示す概略構成
図である。第４図において、上記第３図におけると同様
の部材には同一の符号が付されている。第４図の装置
は、型母材12に電圧を印加する電源部の構成のみ第３図
の装置と異なる。すなわち、第３図の装置の直流電源14
の代わりに、第４図の装置では高周波電源34と整合回路
36とを用いている。第４図の装置を用いても、第３図の
装置と同様のTaN層が形成される。

TaN層の形成時には、所定の精度に仕上げられた型母材1
2を有機溶剤で洗浄した後に型母材支持体10により支持
した。次に、真空槽６内を１×10^-5torr以下まで排気
し、ヒータ８により型母材12を300℃程度まで加熱し
た。イオンガンにArガスを真空度３×10^-4torrまで導入
して放電電圧約250V、放電電流約1.3Aの条件で型表面の
イオンボンバードによりクリーニングを10分行なう。つ
ぎに、イオン化電極20に正のバイアス電圧50Vを印加
し、電子銃18で蒸着材料Ta16を0.2μｍ蒸着した。同時
に、真空槽６内にイオンガン28から窒素ガスを70sccmの
流量で導入し、真空度５×10^-4torrにし、タンタル（T
a）膜の上に連続してTaN膜を形成した。膜厚モニタ８で
成膜速度及び膜厚をモニタした。成膜速度は約２Å/sec
であった。１μｍ厚のTaN層が形成された時点で蒸着を
停止した。

上記実施例ではTaN層の形成方法としてイオンプレーテ
ィング法が用いられているが、TaN層はその他の方法例
えば反応性スパッタリング法を用いて形成することもで
きる。

第５図はTaN層形成のための反応性スパッタリング装置
の概略構成図である。第５図において、34は真空槽であ
る。該真空槽には排気口35が接続されており、該排気口
は不図示の減圧源に接続されている。真空槽34内の上部
にはヒータ36が配置されており、37はその電源である。
該ヒータ36の下方に型母材支持体38が配置されており、
該支持体には成形面を下向きにして型母材39が支持され
る。40は該型母材に対しバイアス電圧を印加するための
バイアス電源である。該型母材40の下方にはグロー放電
発生用のコイル41が配置されており、42はその高周波電
源であり、43は整合回路である。上記真空槽34内の下部
にはカソード電極44が配置されており、該電極上にはTa
ターゲット45が配置される。46は上記カソード電極44に
対し電圧を印加するための電源である。47は上記Taター
ゲット45の方に向けてアルゴンガスを供給するためのパ
イプであり、また48は上記型母材39の方に向けて窒素ガ
ス及び／またはアンモニアガスを供給するためのパイプ
である。

TaN層の形成時には、所定の精度に仕上げられた型母材3
9を有機溶剤で洗浄した後に型母材支持体38により支持
する。次に、真空槽34内を所定の真空度まで排気し、パ
イプ47からアルゴンガスを導入し、高周波電源によりコ
イル41に高周波電圧を印加してグロー放電を発生させ、
更にバイアス電源40により型母材39に負の電圧を印加し
て、アルゴンイオンによる型母材39のスパッタクリーニ
ングを行なう。その後、電源46によりカソード電極44に
高周波または直流電圧を印加して該Taターゲット45の近
傍にアルゴンのグロー放電を発生させて、Taターゲット
にアルゴンイオンの衝撃を与え、同時にパイプ48から窒
素ガス及び／またはアンモニアガスを導入し、電源42に
よりコイル41に高周波電圧を印加して窒素プラズマを形
成し、バイアス電源40により型母材39に負のバイアス電
圧を印加して、上記窒素プラズマ中の窒素イオンを型母
材38の方へと引き込むことにより、Taの反応性スパッタ
リングを行なうことができる。これにより、型母材39の
表面にTaN層が形成される。

TaN被覆成形用型によるレンズの成形次に、本発明の光学素子成形用型によって硝子レンズの
プレス成形を行なった例について詳述する。比較として
WC（90％）＋Co（10％）からなる従来の超硬合金の型母
材にTaNを被覆した型（比較例１）、モリブデンからな
る型母材にTaNを被覆した型（比較例２）を用いた。

使用したレンズの成形装置を第６図に示す。

第６図中、51は真空槽本体、52はそのフタ、53は光学素
子を成形する為の上型、54はその下型、55は上型をおさ
えるための上型おさえ、56は胴型、57は型ホルダー、58
はヒータ、59は下型をつき上げるつき上げ棒、60は該つ
き上げ棒を作動するエアシリンダ、61は油回転ポンプ、
62,63,64はバルブ、65は不活性ガス流入パイプ、66はバ
ルブ、67はリークパイプ、68はバルブ、69は温度セン
サ、70は水冷パイプ、71は真空槽を支持する台を示す。

レンズを製作する工程を次に述べる。フリント系光学硝
子SF14（転移点Tg＝485℃、軟化点Sp＝586℃）を球状に
し所定の量に調整した硝子素材を型のキャビティー内に
入れる。

ガラス素材を投入した型を装置内に設置してから真空槽
51のフタ52を閉じ、水冷パイプ70に水を流し、ヒータ58
に電流を通す。この時窒素ガス用バルブ66及び68は閉
じ、排気系バルブ62,63,64も閉じている。尚油回転ポン
プ61は常に回転している。

バルブ62を開け排気をはじめ10^-2Torr以下になったらバ
ルブ62を閉じ、バルブ66を開いて窒素ガスをボンベより
真空槽内に導入する。所定温度になったらエアシリンダ
60を作動させて10kg/cm²の圧力で５分間加圧する。圧力
を除去した後、冷却速度を−５℃/minで転位点以下にな
るまで冷却し、その後は−20℃/min以上の速度で冷却を
行ない、200℃以下に下がったらバルブ66を閉じ、リー
クバルブ63を開いて真空槽51内に空気を導入する。それ
からフタ52を開け上型おさえをはずして成形物を取り出
す。

上記のようにして、フリトン系光学硝子SF14を使用し
て、レンズを成形した。この時の成形条件すなわち時間
−温度関係図を第７図に示す。

以上のようなプレス成形を200回繰り返し行ない、型の
変形を調べた。型の変形は干渉計で中心部の凹み量を測
定した。又、型および成形品の鏡面性は光学顕微鏡（×
200）で100μｍ×100μｍのエリア内の表面欠陥の数を
調べて評価した。なお、型ではピンホールを、成形品で
は突起をそれぞれ表面欠陥とする。結果に表２に示す。

表２の結果から明らかなように、モリブデンを型母材と
した型は中心部が変形し、超硬合金を型母材とした型は
変形しなかったが、型表面に欠陥があり、これが成形品
に転写して表面に突起が発生した。

実施例２実施例１と同じ型母材上に、第３図に示したイオンプレ
ーティング装置により、反応ガスとして窒素ガスの代わ
りにメタンガスを用いる以外は実施例１と同様にして炭
化タンタル（TaC）層を形成した。こうして得られた型
を用いて実施例１と同様にしてプレス成形を行ない、型
の変形、型および成形品の鏡面性について評価した。結
果を表３に示す。

表３の結果から明らかなように、本発明の型には変形が
生じず、型および成型品の鏡面性も良好であった。

実施例３型母材の作成 WC粉とTiC粉の他に、WC粉とTaC粉、HfN粉等を用いて各
種混合粉を調製した。各々の混合比を表４に示す。

窒化チタン（TiN）被覆成形用型の作成第３図に示したイオンプレーティング装置によりTiN層
を形成した。ただし、実施例１での蒸着材料（Ta）16を
Tiにした。

まず、所定の精度に仕上げられた型母材12を有機溶剤で
洗浄した後に型母材支持体10により支持した。次に、真
空槽６内を１×10^-5torr以下まで排気し、ヒータ８によ
り型母材12を300℃程度まで加熱した。イオンガンにAr
ガスを真空度３×10^-4torrまで導入して放電電圧約250
V、放電電流約1.3Aの条件で型表面のイオンボンバード
によるクリーニングを10分行なう。つぎに、イオン化電
極20に正のバイアス電圧40Vを印加し、電子銃18で蒸着
材料Ti16を0.2μｍ蒸着した。同様に、真空槽６内にイ
オンガン28から窒素ガスを70sccmの流量で導入し、真空
度５×10^-4torrにし、チタン（Ti）膜の上に連続してTi
N膜を形成した。膜厚モニタ８で成膜速度及び膜厚をモ
ニタした。成膜速度は約10Å/secであった。１μｍ厚の
TiN層が形成された時点で蒸着を停止した。

TiN被覆成形用型によるレンズの成形次に、本発明の光学素子成形用型によって硝子レンズの
プレス成形を行なった例について詳述する。比較として
WC（90％）＋Co（10％）からなる従来の超硬合金の型母
材にTiNを被覆した型（比較例３）、モリブデンからな
る型母材にTiNを被覆した型（比較例４）を用いた。

使用した連続成型装置を第８図に示す。

第８図において、104は取入れ用置換室であり、106は成
形室であり、108は蒸着室であり、110は取出し用置換室
である。112,114,116はゲートバルブであり、118はレー
ルであり、120は該レール上を矢印Ａ方向に搬送せしめ
られるパレットである。124,138,140,150はシリンダで
あり、126,152はバルブである。128は成形室106内にお
いてレール118に沿って配列されているヒータである。

成形室106内はパレット搬送方向に沿って順に加熱ゾー
ン106−１、プレスゾーン106−２及び徐冷ゾーン106−
３とされている。プレスゾーン106−２において、上記
シリンダ138のロッド134の下端には成形用上型部材130
が固定されており、上記シリンダ140のロッド136の上端
には成形用下型部材132が固定されている。これら上型
部材130及び下型部材132は、上記第２図の本発明による
型部材である。蒸着室108内においては、蒸着物質146を
収容した容器142及び該容器を加熱するためのヒータ144
が配置されている。

フリント系光学ガラス（SF14、軟化点Sp＝586℃、ガラ
ス転移点Tg＝485℃）を所定の形状及び寸法に粗加工し
て、成形のためのブランクを得た。

ガラスブランクをパレット120に載置し、取入れ置換室1
04内の120−１の位置へ入れ、該位置のパレットをシリ
ンダ124のロッド122によりＡ方向に押してゲートバルブ
112を越えて成形室106内の120−２の位置へと搬送し、
以下同様に所定のタイミングで順次新たに取入れ置換室
104内にパレットを入れ、このたびにパレットを成形室1
06内で120−２→……→120−８の位置へと順次搬送し
た。この間に、加熱ゾーン106−１ではガラスブランク
をヒータ128により徐々に加熱し120−４の位置で軟化点
以上とした上で、プレスゾーン160−２へと搬送し、こ
こでシリンダ138,140を作動させて上型部材130及び下型
部材132により10kg/cm²の圧力で５分間プレスし、その
後加圧力を解除しガラス転移点以下まで冷却し、その後
シリンダ138,140を作動させて上型部材130及び下型部材
132をガラス成形品から離型した。該プレスに際しては
上記パレットが成形用胴型部材として利用された。しか
る後に、冷却ゾーン106−３ではガラス成形品を徐々に
冷却した。尚、成形室106内には不活性ガスを充満させ
た。

成形室106内において120−８の位置に到達したパレット
を、次の搬送ではゲートバルブ114を越えて蒸着室108内
の120−９の位置へと搬送した。通常、ここで真空蒸着
を行なうのであるが、本実施例では該蒸着を行なわなか
った。そして、次の搬送ではゲートバルブ116を越えて
取出し置換室110内の120−10の位置へと搬送した。そし
て、次の搬送時にはシリンダ150を作動させてロッド148
によりガラス成形品を成形装置102外へ取出した。

以上のようなプレス成形を10000回繰り返して行ない、
型の変形を調べた。型の変形は干渉計で中心部の凹み量
を測定した。又、型および成形品の鏡面性は光学顕微鏡
（×200）で表面欠陥の程度を調べた。結果を表５に示
す。

表５の結果から明らかなように、モリブデンを型母材と
した型では中心部が２λと大きく変形し、超硬合金を型
母材とした型では中心部がλ/2変形した他、型表面に欠
陥があり、これが成形品に転写して表面に突起が発生し
た。

［発明の効果］本発明の成形用型によれば、型表面にピンホール等の欠
陥が無いため成形品に突起等の欠陥が発生せず、さらに
繰り返し使用しても型が変形しない。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明に係る光学素子成形用型の
一実施態様を示す断面図で、第１図はプレス成形前の状
態、第２図はプレス成形後の状態を示す。第３、第４図および第５図は本発明で用いる成膜装置を
示す概略図で、第３図、第４図はイオンプレーティング
装置、第５図は反応性スパッタリング装置である。第６図および第８図は本発明に係る光学素子の成形用型
を使用するレンズの成形装置を示す断面図で、第６図は
非連続成形タイプ、第８図は連続成形タイプである。第７図はレンズ成形の際の時間温度関係図である。第９図はTiNの熱重量分析図であり、第10図はWCの熱重
量分析図であり、第11図はTaCの熱重量分析図である。 1,2……型母材、１−a,2−ａ……TiN膜、３……ガラス素材、４……成形されたレンズ、６……真空槽、８……ヒータ、 10……型母材支持体、12……型母材、 16……蒸着材料、18……電子銃、 20……イオン化電極、28……イオンガン、 34……真空槽、35……排気口、 36……ヒータ、37……ヒータ電源、 38……型母材支持体、39……型母材、 40……バイアス電源、 41……グロー放電発生用コイル、 42……高周波電源、43……整合回路、 44……カソード電極、45……Taターゲット、 46……カソード電源、 47……アルゴンガス供給パイプ、 48……窒素ガス、アンモニアガス供給パイプ、 51……真空槽本体、52……フタ、 53……上型、54……下型、 55……上型おさえ、56……胴型、 57……型ホルダー、58……ヒーター、 59……つき上げ棒、60……エアシリンダ、 61……油回転ポンプ、62,63,64……バルブ、 65……流入パイプ、66……バルブ、 67……流出パイプ、68……バルブ、 69……温度センサ、70……水冷パイプ、 71……台、 102……成形装置、104……取入れ用置換室、 106……成形室、108……蒸着室、 110……取出し用置換室、 112……ゲートバルブ、114……ゲートバルブ、 116……ゲートバルブ、118……レール、 120……パレット、122……ロッド、 124……シリンダ、126……バルブ、 128……ヒータ、130……上型、 132……下型、134……ロッド、 136……ロード、138……シリンダ、 140……シリンダ、142……容器、 144……ヒータ、146……蒸着物質、 148……ロッド、150……シリング、 152……バルブ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学素子のプレス成形に用いる光学素子成
形用型において、型母材が金属バインダーを有しない超
硬合金であり、しかも該型母材の少なくとも成形面に、
TiN,TaN,Si₃N₄,BN,AlN,HfN,ZrNから選ばれた少なくとも
１種の窒化物またはTaC,SiC,HfCから選ばれた少なくと
も１種の炭化物の膜が被覆されていることを特徴とする
光学素子成形用型。
【請求項２】超硬合金の組成がWC−Ti（C,N）系またはW
C−Ti（C,N）−TaC系である請求項１記載の光学素子成
形用型。