JPH0745583A - ウエーハの高平坦度エッチング方法および装置 - Google Patents
ウエーハの高平坦度エッチング方法および装置Info
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- JPH0745583A JPH0745583A JP5208961A JP20896193A JPH0745583A JP H0745583 A JPH0745583 A JP H0745583A JP 5208961 A JP5208961 A JP 5208961A JP 20896193 A JP20896193 A JP 20896193A JP H0745583 A JPH0745583 A JP H0745583A
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- etching
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H10P90/126—Preparing bulk and homogeneous wafers by chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/60—Wet etching
- H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
- H10P50/642—Chemical etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高度の平坦度を有するケミカルエッチドウエ
ーハが得られるエッチング方法および装置を、簡単な構
成で提供する。 【構成】 エッチング装置はエッチング槽１と、ウエー
ハＷの吸着・回転装置６１により構成する。エッチング
槽では、中心部に円錐状または半球状の突起１２と外周
部に開口部１３を設けたトッププレート１１と、中心部
にラッパ状部２２を有するボトムプレート２１とを、適
宜間隔をあけて上下に平行かつ水平方向に、同軸上に対
向させる。吸着・回転装置は、開口部１３の直上から降
下させてその下端部を該開口部に当接させることによ
り、ウエーハをエッチング槽の薬液流路２４に臨ませる
ことができるようにする。エッチングに際してはボトム
プレートから薬液Ｅを供給する。面放射状に広がる薬液
の液流内でウエーハを自転させつつ、その主表面を該液
流と平行にしてエッチングすることができる。
ーハが得られるエッチング方法および装置を、簡単な構
成で提供する。 【構成】 エッチング装置はエッチング槽１と、ウエー
ハＷの吸着・回転装置６１により構成する。エッチング
槽では、中心部に円錐状または半球状の突起１２と外周
部に開口部１３を設けたトッププレート１１と、中心部
にラッパ状部２２を有するボトムプレート２１とを、適
宜間隔をあけて上下に平行かつ水平方向に、同軸上に対
向させる。吸着・回転装置は、開口部１３の直上から降
下させてその下端部を該開口部に当接させることによ
り、ウエーハをエッチング槽の薬液流路２４に臨ませる
ことができるようにする。エッチングに際してはボトム
プレートから薬液Ｅを供給する。面放射状に広がる薬液
の液流内でウエーハを自転させつつ、その主表面を該液
流と平行にしてエッチングすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンのような半導
体単結晶の棒をスライスした後、その両面をラッピング
することにより得られる円盤状の半導体単結晶ウエーハ
（以下、単にウエーハと称する）の表面を均一にエッチ
ングし、高度に平坦なエッチング面を得ることができる
方法および装置に関する。
体単結晶の棒をスライスした後、その両面をラッピング
することにより得られる円盤状の半導体単結晶ウエーハ
（以下、単にウエーハと称する）の表面を均一にエッチ
ングし、高度に平坦なエッチング面を得ることができる
方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエーハのケミカルエッチングは、ス
ライス、研磨等の機械加工によって生じたウエーハ表面
の歪層の除去、結晶欠陥の観察、選択エッチングの
利用による微細加工等の目的に用いられているが、本発
明は上記を目的とするものでである。
ライス、研磨等の機械加工によって生じたウエーハ表面
の歪層の除去、結晶欠陥の観察、選択エッチングの
利用による微細加工等の目的に用いられているが、本発
明は上記を目的とするものでである。
【０００３】従来一般的に採用されているウエーハのエ
ッチング方法は、バブリング等による薬液（エッチング
液）の液流中でウエーハを回転させ、ウエーハの表面に
薬液を移動させながら接触させることによってエッチン
グ処理するものである。この場合、ウエーハを回転させ
るのは、エッチング処理中に発生する反応ガスによるウ
エーハ表面のスジ状あるいはランダムな凹凸の発生を低
減し、ウエーハ表面をできるだけ平坦化するためであ
る。ところで、エッチング処理においてはウエーハと、
それに接触する薬液との相対平均流速をウエーハの各部
位について極力均一にしないと、ウエーハ各部位のエッ
チング代のバラツキを小さくすること、すなわち平坦度
を高くすることはできない。
ッチング方法は、バブリング等による薬液（エッチング
液）の液流中でウエーハを回転させ、ウエーハの表面に
薬液を移動させながら接触させることによってエッチン
グ処理するものである。この場合、ウエーハを回転させ
るのは、エッチング処理中に発生する反応ガスによるウ
エーハ表面のスジ状あるいはランダムな凹凸の発生を低
減し、ウエーハ表面をできるだけ平坦化するためであ
る。ところで、エッチング処理においてはウエーハと、
それに接触する薬液との相対平均流速をウエーハの各部
位について極力均一にしないと、ウエーハ各部位のエッ
チング代のバラツキを小さくすること、すなわち平坦度
を高くすることはできない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では薬液の液流速の制御が困難であり、そのた
めウエーハ面内のエッチング代バラツキを小さくするこ
とができず、高度の平坦度を有するケミカルエッチドウ
エーハを得ることは困難であった。エッチング処理にお
いては、薬液はウエーハの外縁のエッジ部に当たってか
らウエーハの主表面に平行に、その中心部に向かって流
れるが、前記エッジ部で両者の相対平均流速が局所的に
変化する。そのため、該エッジ部のエッチング処理が特
に不完全になり易い。図９はその状態を説明するもので
ある。すなわち、図９の上部に示すようにウエーハＷが
自転し、あるいは自転していない状態で矢印Ｂの向きに
薬液が流入すると、前記したように前記エッジ部で流速
が変化し、図９の下部に示すようにエッジ部に局所的は
形状異常１０１が発生する。この形状異常によりその周
辺も影響を受けるため均一なエッチング処理が行われ
ず、平坦な形状を得ることができない。なお、図９は形
状異常を拡大して示したもので、図の縦方向がウエーハ
Ｗの厚さ方向であり横方向が半径方向である。
来の方法では薬液の液流速の制御が困難であり、そのた
めウエーハ面内のエッチング代バラツキを小さくするこ
とができず、高度の平坦度を有するケミカルエッチドウ
エーハを得ることは困難であった。エッチング処理にお
いては、薬液はウエーハの外縁のエッジ部に当たってか
らウエーハの主表面に平行に、その中心部に向かって流
れるが、前記エッジ部で両者の相対平均流速が局所的に
変化する。そのため、該エッジ部のエッチング処理が特
に不完全になり易い。図９はその状態を説明するもので
ある。すなわち、図９の上部に示すようにウエーハＷが
自転し、あるいは自転していない状態で矢印Ｂの向きに
薬液が流入すると、前記したように前記エッジ部で流速
が変化し、図９の下部に示すようにエッジ部に局所的は
形状異常１０１が発生する。この形状異常によりその周
辺も影響を受けるため均一なエッチング処理が行われ
ず、平坦な形状を得ることができない。なお、図９は形
状異常を拡大して示したもので、図の縦方向がウエーハ
Ｗの厚さ方向であり横方向が半径方向である。
【０００５】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、薬液とウエーハとの相対平均流速を極
力均一にしてウエーハ面内のエッチング代のバラツキ
と、反応ガスによるウエーハ表面における凹凸の発生を
低減することにより、高度の平坦度を有するケミカルエ
ッチドウエーハが得られるエッチング方法および装置を
簡単な構成で提供することにある。
で、その目的は、薬液とウエーハとの相対平均流速を極
力均一にしてウエーハ面内のエッチング代のバラツキ
と、反応ガスによるウエーハ表面における凹凸の発生を
低減することにより、高度の平坦度を有するケミカルエ
ッチドウエーハが得られるエッチング方法および装置を
簡単な構成で提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のウエー
ハの高平坦度エッチング方法は、面放射状に広がるエッ
チング用薬液の液流内で半導体単結晶ウエーハを、その
主表面を前記薬液の液流と平行にして自転させることを
特徴とする。
ハの高平坦度エッチング方法は、面放射状に広がるエッ
チング用薬液の液流内で半導体単結晶ウエーハを、その
主表面を前記薬液の液流と平行にして自転させることを
特徴とする。
【０００７】請求項２に記載のウエーハの高平坦度エッ
チング装置は、全体または、中心部を除く部分を平坦に
形成した２枚の円盤を適宜間隔をあけて上下に平行また
はほぼ平行かつ水平に、同軸上に対向させ、一方の円盤
の中心部にエッチング用薬液の供給部を設け、これら円
盤の外周端部間の間隙を薬液排出口として、これら円盤
の対向面間の間隙により薬液流路を形成し、更に少なく
とも一方の円盤における中心部を除く適所に開口部を設
けてなるエッチング槽と、ウエーハを吸着して自転させ
る吸着・回転装置とを備えてなり、該吸着・回転装置は
吸着部のウエーハ吸着面を前記円盤の開口部を介して前
記薬液流路に、該円盤と平行にして臨ましめうるようし
たことを特徴とする。
チング装置は、全体または、中心部を除く部分を平坦に
形成した２枚の円盤を適宜間隔をあけて上下に平行また
はほぼ平行かつ水平に、同軸上に対向させ、一方の円盤
の中心部にエッチング用薬液の供給部を設け、これら円
盤の外周端部間の間隙を薬液排出口として、これら円盤
の対向面間の間隙により薬液流路を形成し、更に少なく
とも一方の円盤における中心部を除く適所に開口部を設
けてなるエッチング槽と、ウエーハを吸着して自転させ
る吸着・回転装置とを備えてなり、該吸着・回転装置は
吸着部のウエーハ吸着面を前記円盤の開口部を介して前
記薬液流路に、該円盤と平行にして臨ましめうるようし
たことを特徴とする。
【０００８】請求項３に記載のウエーハの高平坦度エッ
チング装置は、請求項２において、前記薬液供給部を設
けた円盤の中心部をラッパ状に形成し、他方の円盤の中
心部に、円錐状または半球状の突起を前記ラッパ状部側
に突出させて設けたことを特徴とする。
チング装置は、請求項２において、前記薬液供給部を設
けた円盤の中心部をラッパ状に形成し、他方の円盤の中
心部に、円錐状または半球状の突起を前記ラッパ状部側
に突出させて設けたことを特徴とする。
【０００９】請求項４に記載のウエーハの高平坦度エッ
チング装置は、請求項２または３において、前記開口部
を上側の円盤にのみ設け、前記吸着・回転装置を前記開
口部の直上に上下動可能に設け、該吸着・回転装置と前
記開口部との当接により該開口部を液シール可能とした
ことを特徴とする。
チング装置は、請求項２または３において、前記開口部
を上側の円盤にのみ設け、前記吸着・回転装置を前記開
口部の直上に上下動可能に設け、該吸着・回転装置と前
記開口部との当接により該開口部を液シール可能とした
ことを特徴とする。
【００１０】請求項５に記載のウエーハの高平坦度エッ
チング装置は、請求項２，３または４において、前記吸
着・回転装置の吸着部の外周側に、該吸着部と同心状に
円環状のテンプレートを設け、前記吸着・回転装置と開
口部との当接によりテンプレートの表面をウエーハ吸着
時のウエーハのエッチング処理面よりも前記薬液流路側
に突出させうるように、または前記テンプレートの表面
がウエーハ吸着時のウエーハのエッチング処理面と同一
平面内にあるようにしたことを特徴とする。
チング装置は、請求項２，３または４において、前記吸
着・回転装置の吸着部の外周側に、該吸着部と同心状に
円環状のテンプレートを設け、前記吸着・回転装置と開
口部との当接によりテンプレートの表面をウエーハ吸着
時のウエーハのエッチング処理面よりも前記薬液流路側
に突出させうるように、または前記テンプレートの表面
がウエーハ吸着時のウエーハのエッチング処理面と同一
平面内にあるようにしたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１に記載のエッチング方法においては、
エッチング用薬液の液流を面放射状に発生させることに
特徴があり、ウエーハ近傍の薬液流の流速ｖは下記〔数
１〕で表される。
エッチング用薬液の液流を面放射状に発生させることに
特徴があり、ウエーハ近傍の薬液流の流速ｖは下記〔数
１〕で表される。
【００１２】
【数１】ｖ＝ｂ−ａｒ
【００１３】ここで、ａおよびｂは正の定数、ｒはエッ
チング槽中心部からの半径方向の距離であり、薬液流速
ｖはエッチング槽中心部からの距離に比例して低下す
る。この薬液流中に特定の回転数で自転するウエーハを
置くことにより、ウエーハ面内の相対速度分布が均一に
なり、高平坦度のケミカルエッチドウエーハを得ること
ができる。
チング槽中心部からの半径方向の距離であり、薬液流速
ｖはエッチング槽中心部からの距離に比例して低下す
る。この薬液流中に特定の回転数で自転するウエーハを
置くことにより、ウエーハ面内の相対速度分布が均一に
なり、高平坦度のケミカルエッチドウエーハを得ること
ができる。
【００１４】請求項２に記載のエッチング装置において
は例えば、吸着部にウエーハを固定した後、吸着・回転
装置を降下させて該装置の下端部をエッチング槽の上側
の円盤に設けた開口部に係止する。これによりウエーハ
を開口部を介して薬液流路に、前記円盤と平行にして臨
ましめる。薬液は薬液供給部からほぼ鉛直方向にエッチ
ング槽に流入し、水平流となって面放射状に広がりつつ
薬液流路を流過する。自転するウエーハの表面は、この
薬液の液流と平行に接触するので、請求項１のエッチン
グ方法によるエッチング作用が得られる。この場合、ウ
エーハ面内における薬液流の流速分布が前記〔数１〕を
満たすように、上下２枚の円盤（後記するトッププレー
トとボトムプレート）の形状や配置態様（円盤同士の対
向間隔等）を設定することが重要であり、このような円
盤を備えたエッチング槽内で特定のウエーハ回転数およ
び、これに適合した薬液流速を組み合わせることによ
り、ウエーハ面内で均一な相対平均流速（時間平均流
速）の発生が可能となる。
は例えば、吸着部にウエーハを固定した後、吸着・回転
装置を降下させて該装置の下端部をエッチング槽の上側
の円盤に設けた開口部に係止する。これによりウエーハ
を開口部を介して薬液流路に、前記円盤と平行にして臨
ましめる。薬液は薬液供給部からほぼ鉛直方向にエッチ
ング槽に流入し、水平流となって面放射状に広がりつつ
薬液流路を流過する。自転するウエーハの表面は、この
薬液の液流と平行に接触するので、請求項１のエッチン
グ方法によるエッチング作用が得られる。この場合、ウ
エーハ面内における薬液流の流速分布が前記〔数１〕を
満たすように、上下２枚の円盤（後記するトッププレー
トとボトムプレート）の形状や配置態様（円盤同士の対
向間隔等）を設定することが重要であり、このような円
盤を備えたエッチング槽内で特定のウエーハ回転数およ
び、これに適合した薬液流速を組み合わせることによ
り、ウエーハ面内で均一な相対平均流速（時間平均流
速）の発生が可能となる。
【００１５】請求項３に記載のエッチング装置において
は、薬液流がラッパ状部と円錐状または半球状の突起と
の対向により形成された流路によって、殆ど圧力損失を
伴うことなく整流されつつ面放射状に均一に分散され
る。
は、薬液流がラッパ状部と円錐状または半球状の突起と
の対向により形成された流路によって、殆ど圧力損失を
伴うことなく整流されつつ面放射状に均一に分散され
る。
【００１６】請求項４に記載のエッチング装置において
は、前記開口部を液シールすることにより、エッチング
槽の薬液流路を形成すると同時に、この薬液流路を流過
する薬液が前記開口部から漏出するのを防止することが
できる。
は、前記開口部を液シールすることにより、エッチング
槽の薬液流路を形成すると同時に、この薬液流路を流過
する薬液が前記開口部から漏出するのを防止することが
できる。
【００１７】請求項５に記載のエッチング装置において
は、ウエーハ近傍の薬液流がテンプレートにより整流さ
れ、その結果ウエーハエッジ部における形状異常の発生
を抑制することができる。
は、ウエーハ近傍の薬液流がテンプレートにより整流さ
れ、その結果ウエーハエッジ部における形状異常の発生
を抑制することができる。
【００１８】
【実施例】次に、本発明を、図面に示す実施例により更
に詳細に説明する。 実施例１ 図１はエッチング装置の要部説明断面図、図２はエッチ
ング槽の概略斜視図、図３は吸着・回転装置の断面図、
図４は作用説明断面図、図５は作用説明平面図であり、
エッチング装置はエッチング槽１と、吸着・回転装置６
１により構成する。エッチング槽１は図１，２に示すよ
うに、平坦な円形板体の中心部に円錐状突起１２（ある
いは半球状突起でもよい）および、該突起１２を避けた
平坦位置に円形開口部１３をそれぞれ設けた円盤状のト
ッププレート１１と、直径が該トッププレートとほぼ等
しく、中心部をラッパ状部２２、該ラッパ状部２２の下
方部を薬液供給部２３とし、ラッパ状部２２を除く外周
部分を平坦に形成した円盤状のボトムプレート２１と
を、適宜間隔をあけて平行（またはほぼ平行）かつ水平
方向に、しかも同軸上に設けて上下に対向させる（トッ
ププレート１１を上側に配置）ことによりエッチング槽
１を構成する。そして、トッププレート１１とボトムプ
レート２１との対向間隙により薬液流路２４を形成する
と共に、これらプレートの外周端部間に形成された円環
状間隙を薬液排出口２５とする。
に詳細に説明する。 実施例１ 図１はエッチング装置の要部説明断面図、図２はエッチ
ング槽の概略斜視図、図３は吸着・回転装置の断面図、
図４は作用説明断面図、図５は作用説明平面図であり、
エッチング装置はエッチング槽１と、吸着・回転装置６
１により構成する。エッチング槽１は図１，２に示すよ
うに、平坦な円形板体の中心部に円錐状突起１２（ある
いは半球状突起でもよい）および、該突起１２を避けた
平坦位置に円形開口部１３をそれぞれ設けた円盤状のト
ッププレート１１と、直径が該トッププレートとほぼ等
しく、中心部をラッパ状部２２、該ラッパ状部２２の下
方部を薬液供給部２３とし、ラッパ状部２２を除く外周
部分を平坦に形成した円盤状のボトムプレート２１と
を、適宜間隔をあけて平行（またはほぼ平行）かつ水平
方向に、しかも同軸上に設けて上下に対向させる（トッ
ププレート１１を上側に配置）ことによりエッチング槽
１を構成する。そして、トッププレート１１とボトムプ
レート２１との対向間隙により薬液流路２４を形成する
と共に、これらプレートの外周端部間に形成された円環
状間隙を薬液排出口２５とする。
【００１９】前記円錐状突起１２の母線は凹状の曲線に
なっているが、この突起に代えて、母線が直線である直
円錐状突起、半球状突起またはこれらに近似した形状の
突起とすることもでき、これをラッパ状部２２と対向さ
せることで、薬液の整流・分散作用を得ることができ
る。
なっているが、この突起に代えて、母線が直線である直
円錐状突起、半球状突起またはこれらに近似した形状の
突起とすることもでき、これをラッパ状部２２と対向さ
せることで、薬液の整流・分散作用を得ることができ
る。
【００２０】また、ウエーハＷを吸着（真空吸着）して
自転させるための吸着・回転装置６１は、不図示の昇降
装置によりエッチング槽１の開口部１３直上に上下動可
能に設け、モータ８４で駆動される回転軸７２を支持す
る円柱状の回転軸支持部材８３（図３を参照）の下端に
設けた円環状のシール部材８８を開口部１３に当接する
ことにより該開口部１３をシールすると共に、吸着した
ウエーハＷを開口部１３を介して薬液流路２４に、ボト
ムプレート２１に平行にして臨ませることができるよう
に配備する。
自転させるための吸着・回転装置６１は、不図示の昇降
装置によりエッチング槽１の開口部１３直上に上下動可
能に設け、モータ８４で駆動される回転軸７２を支持す
る円柱状の回転軸支持部材８３（図３を参照）の下端に
設けた円環状のシール部材８８を開口部１３に当接する
ことにより該開口部１３をシールすると共に、吸着した
ウエーハＷを開口部１３を介して薬液流路２４に、ボト
ムプレート２１に平行にして臨ませることができるよう
に配備する。
【００２１】前記エッチング槽１へ薬液を供給するため
の薬液供給装置３１は図２に示したとおりであり、前記
薬液供給部２３は温調器３２を備えた薬液貯溜３３に、
循環ポンプ３４、開閉弁３５および流量計３６を備えた
薬液供給管３７を介して連結する。また、エッチング槽
１の直下にファンネル３８を設け（図面では記載の便宜
上、エッチング槽１よりも小さく描いてあるが、実際に
は、下記するようにエッチング槽１よりも直径が大き
い）、該ファンネル３８の底部は三方弁５３を備えた薬
液回収管３９を介して薬液貯溜槽３３に連絡する。ま
た、三方弁５３は排水管５４を介して不図示の洗浄排水
貯槽に連絡する。前記ファンネル３８は内径をエッチン
グ槽１より大きなものとし、薬液排出口２５から放射状
に溢流する薬液（または洗浄排水）の全量が回収できる
ようにする。さらに薬液貯溜槽３３には、開閉弁４０を
備えたドレン管４１を接続する。
の薬液供給装置３１は図２に示したとおりであり、前記
薬液供給部２３は温調器３２を備えた薬液貯溜３３に、
循環ポンプ３４、開閉弁３５および流量計３６を備えた
薬液供給管３７を介して連結する。また、エッチング槽
１の直下にファンネル３８を設け（図面では記載の便宜
上、エッチング槽１よりも小さく描いてあるが、実際に
は、下記するようにエッチング槽１よりも直径が大き
い）、該ファンネル３８の底部は三方弁５３を備えた薬
液回収管３９を介して薬液貯溜槽３３に連絡する。ま
た、三方弁５３は排水管５４を介して不図示の洗浄排水
貯槽に連絡する。前記ファンネル３８は内径をエッチン
グ槽１より大きなものとし、薬液排出口２５から放射状
に溢流する薬液（または洗浄排水）の全量が回収できる
ようにする。さらに薬液貯溜槽３３には、開閉弁４０を
備えたドレン管４１を接続する。
【００２２】前記薬液供給装置３１には、エッチング処
理後のウエーハをエッチング槽１内で水洗するための洗
浄水供給装置を付設する。この場合、薬液供給管３７の
流量計３６入口側に、開閉弁５１を備えた洗浄水供給管
５２を連結する。なお、この洗浄水供給装置、三方弁５
３および排水管５４を省略し、エッチング後のウエーハ
を別に設けた水洗装置で洗浄するようにしてもよい。
理後のウエーハをエッチング槽１内で水洗するための洗
浄水供給装置を付設する。この場合、薬液供給管３７の
流量計３６入口側に、開閉弁５１を備えた洗浄水供給管
５２を連結する。なお、この洗浄水供給装置、三方弁５
３および排水管５４を省略し、エッチング後のウエーハ
を別に設けた水洗装置で洗浄するようにしてもよい。
【００２３】前記吸着・回転装置６１の詳細構造は図３
に示すとおりであり、該装置はウエーハＷを吸着固定す
るための吸着部７１と、これを回転（自転）させるため
の回転駆動部８１とで構成し、吸着部７１は回転駆動部
８１と一体的に上下動が可能なものとする。
に示すとおりであり、該装置はウエーハＷを吸着固定す
るための吸着部７１と、これを回転（自転）させるため
の回転駆動部８１とで構成し、吸着部７１は回転駆動部
８１と一体的に上下動が可能なものとする。
【００２４】まず吸着部７１について説明すると、不図
示の吸引孔を軸線に沿って貫通形成した、前記回転駆動
部８１の一要素を兼ねる回転軸７２の先端部に、多数の
吸着孔７３を形成した吸着盤７４を直交させて設ける。
吸着孔７３は回転軸７２の前記吸引孔に連通させると共
に該吸引孔を、開閉弁７５を介して真空タンク７６に連
絡し、更に該真空タンク７６を真空ポンプ７７に連絡す
る。
示の吸引孔を軸線に沿って貫通形成した、前記回転駆動
部８１の一要素を兼ねる回転軸７２の先端部に、多数の
吸着孔７３を形成した吸着盤７４を直交させて設ける。
吸着孔７３は回転軸７２の前記吸引孔に連通させると共
に該吸引孔を、開閉弁７５を介して真空タンク７６に連
絡し、更に該真空タンク７６を真空ポンプ７７に連絡す
る。
【００２５】また、吸着盤７４の外周側には、これと同
心状にリング状のテンプレート７８を固着する。この場
合、テンプレート７８は回転軸支持部材８３の下端面に
固定し、テンプレート７８の内周面とウエーハＷの外周
面との間に間隙δを形成すると共に、テンプレート７８
の下面はウエーハＷのエッチング処理面と、ほぼ同一の
面位置とする。すなわち、テンプレート７８の下面はト
ッププレート１１の下面とほぼ同一の面位置とし、かつ
吸着盤７４のウエーハ吸着面よりもボトムプレート２１
側に突出させる。こうすることで、ウエーハをウエーハ
吸着面に吸着させたときに、ウエーハのエッチング処理
面をトッププレート１１の下面と同一の面位置にするこ
とができる。また、本発明では、テンプレート７８の下
面がウエーハＷのエッチング処理面よりも薬液流路側に
突出するようにしてもよい。前記間隙δの値は実験的、
経験的に設定する。
心状にリング状のテンプレート７８を固着する。この場
合、テンプレート７８は回転軸支持部材８３の下端面に
固定し、テンプレート７８の内周面とウエーハＷの外周
面との間に間隙δを形成すると共に、テンプレート７８
の下面はウエーハＷのエッチング処理面と、ほぼ同一の
面位置とする。すなわち、テンプレート７８の下面はト
ッププレート１１の下面とほぼ同一の面位置とし、かつ
吸着盤７４のウエーハ吸着面よりもボトムプレート２１
側に突出させる。こうすることで、ウエーハをウエーハ
吸着面に吸着させたときに、ウエーハのエッチング処理
面をトッププレート１１の下面と同一の面位置にするこ
とができる。また、本発明では、テンプレート７８の下
面がウエーハＷのエッチング処理面よりも薬液流路側に
突出するようにしてもよい。前記間隙δの値は実験的、
経験的に設定する。
【００２６】前記回転駆動部８１では回転軸７２を、軸
封部材８２を介して回転軸支持部材８３により支持し、
回転軸７２に設けた不図示のプーリとモータ８４の駆動
軸８５に設けたプーリ８６とにベルト８７を掛装する。
また、前記開口部１３シール用のシール部材８８は回転
軸支持部材８３の下端に円環状に設ける。
封部材８２を介して回転軸支持部材８３により支持し、
回転軸７２に設けた不図示のプーリとモータ８４の駆動
軸８５に設けたプーリ８６とにベルト８７を掛装する。
また、前記開口部１３シール用のシール部材８８は回転
軸支持部材８３の下端に円環状に設ける。
【００２７】つぎに、このエッチング装置の作用につい
て説明する。まず、真空ポンプ７７の作動および、開閉
弁７５の開放によりウエーハＷを吸着盤７４に吸着固定
し、吸着・回転装置７１を不図示の昇降装置により降下
させてシール部材８８をトッププレート１１の開口部１
３上面に圧接させることにより図１，３の状態とし、該
開口部１３を液シールする（薬液流路２４内の薬液が開
口部１３からトッププレート１１上面側に漏れないよう
にする）と共に、図３に示すようにウエーハＷ表面（エ
ッチング処理面）およびテンプレート７８の面位置をト
ッププレート１１の下面とほぼ一致させる。次いで、モ
ータ８４の作動によりウエーハＷを自転させ、循環ポン
プ３４により薬液Ｅをエッチング槽１へ供給してエッチ
ングを行う。
て説明する。まず、真空ポンプ７７の作動および、開閉
弁７５の開放によりウエーハＷを吸着盤７４に吸着固定
し、吸着・回転装置７１を不図示の昇降装置により降下
させてシール部材８８をトッププレート１１の開口部１
３上面に圧接させることにより図１，３の状態とし、該
開口部１３を液シールする（薬液流路２４内の薬液が開
口部１３からトッププレート１１上面側に漏れないよう
にする）と共に、図３に示すようにウエーハＷ表面（エ
ッチング処理面）およびテンプレート７８の面位置をト
ッププレート１１の下面とほぼ一致させる。次いで、モ
ータ８４の作動によりウエーハＷを自転させ、循環ポン
プ３４により薬液Ｅをエッチング槽１へ供給してエッチ
ングを行う。
【００２８】この場合、あらかじめ温調器３２により所
定温度に温度調節された薬液貯溜槽３３内のエッチング
液Ｅは、供給管３７を介してエッチング槽１に供給さ
れ、エッチング槽１からの溢流エッチング液Ｅはファン
ネル３８を介して薬液貯溜槽３３に返送される。
定温度に温度調節された薬液貯溜槽３３内のエッチング
液Ｅは、供給管３７を介してエッチング槽１に供給さ
れ、エッチング槽１からの溢流エッチング液Ｅはファン
ネル３８を介して薬液貯溜槽３３に返送される。
【００２９】上記エッチング処理工程においては、エッ
チング槽１の薬液流路２４内の薬液Ｅは図１，３，４お
よび５に示すように、ラッパ状部２２と円錐状突起１２
（あるいは半球状突起）とによる案内作用によって分散
・整流されつつ、流れが水平方向の直角に曲がった後、
トッププレート１１とボトムプレート２１が平行に対向
している部分においてはトッププレート１１と平行に
（すなわち水平に）面放射状に広がり、薬液排出口２５
に向かって流過する。
チング槽１の薬液流路２４内の薬液Ｅは図１，３，４お
よび５に示すように、ラッパ状部２２と円錐状突起１２
（あるいは半球状突起）とによる案内作用によって分散
・整流されつつ、流れが水平方向の直角に曲がった後、
トッププレート１１とボトムプレート２１が平行に対向
している部分においてはトッププレート１１と平行に
（すなわち水平に）面放射状に広がり、薬液排出口２５
に向かって流過する。
【００３０】この場合ウエーハＷおよびテンプレート７
８の表面をトッププレート１１と平行に、かつ同じ面位
置にしてセットしてあるため、該表面と平行な層流の薬
液流によりエッチングされるが、ウエーハＷの自転速度
と薬液の流速を適切な値に設定することで、ウエーハ面
の各部位に対する薬液の相対平均流速をほぼ均一にする
ことができる。
８の表面をトッププレート１１と平行に、かつ同じ面位
置にしてセットしてあるため、該表面と平行な層流の薬
液流によりエッチングされるが、ウエーハＷの自転速度
と薬液の流速を適切な値に設定することで、ウエーハ面
の各部位に対する薬液の相対平均流速をほぼ均一にする
ことができる。
【００３１】すなわち、ウエーハＷを自転させていない
ときの薬液流路２４内におけるウエーハＷ表面上、また
はその近傍の薬液流速は前記〔数１〕で表され、この薬
液流において特定のウエーハ回転数を与えることによ
り、ウエーハＷ表面上の相対平均流速分布が均一にな
り、高平坦度のケミカルエッチドウエーハを得ることが
できる。
ときの薬液流路２４内におけるウエーハＷ表面上、また
はその近傍の薬液流速は前記〔数１〕で表され、この薬
液流において特定のウエーハ回転数を与えることによ
り、ウエーハＷ表面上の相対平均流速分布が均一にな
り、高平坦度のケミカルエッチドウエーハを得ることが
できる。
【００３２】また、テンプレート７８を上記態様で設け
たので、図６の上部に示すように矢印Ａの向きの薬液流
がテンプレート７８により整流され、ウエーハＷの外周
端での流速の乱れが減少し、外周端のエッチング形状変
化が緩和される。図６の下部はその結果を示すもので、
図９の場合に比べてエッジ部における形状異常が大幅に
改善されることがわかる。
たので、図６の上部に示すように矢印Ａの向きの薬液流
がテンプレート７８により整流され、ウエーハＷの外周
端での流速の乱れが減少し、外周端のエッチング形状変
化が緩和される。図６の下部はその結果を示すもので、
図９の場合に比べてエッジ部における形状異常が大幅に
改善されることがわかる。
【００３３】エッチング処理が終了した後、ウエーハＷ
を回転させた状態で洗浄水をエッチング槽１に供給して
ウエーハＷの水洗を行い、洗浄排水を三方弁５３を介し
て不図示の洗浄排水貯槽に回収する。水洗終了後は、吸
着・回転装置６１を上昇させ、ウエーハＷを吸着盤７４
から取り外す。
を回転させた状態で洗浄水をエッチング槽１に供給して
ウエーハＷの水洗を行い、洗浄排水を三方弁５３を介し
て不図示の洗浄排水貯槽に回収する。水洗終了後は、吸
着・回転装置６１を上昇させ、ウエーハＷを吸着盤７４
から取り外す。
【００３４】上記実施例では、トッププレート１１に円
錐状突起１２を設け、ボトムプレート２１の先端中央部
をラッパ状に形成したが、これらの上下関係を逆にする
と共に、薬液を下向流でエッチング槽１に供給するよう
にしてもよい。ただし、薬液を面放射状に拡げるために
は、これらを水平方向（またはほぼ水平方向）に設ける
ことが大切である。いずれにしても、薬液供給管３７か
らの薬液が、乱流を生じることなく整流されつつ放射状
に広げられる構造のものであればよく、例えばトッププ
レート１１およびボトムプレート２１を、全体が平坦な
円盤とすることもできる。
錐状突起１２を設け、ボトムプレート２１の先端中央部
をラッパ状に形成したが、これらの上下関係を逆にする
と共に、薬液を下向流でエッチング槽１に供給するよう
にしてもよい。ただし、薬液を面放射状に拡げるために
は、これらを水平方向（またはほぼ水平方向）に設ける
ことが大切である。いずれにしても、薬液供給管３７か
らの薬液が、乱流を生じることなく整流されつつ放射状
に広げられる構造のものであればよく、例えばトッププ
レート１１およびボトムプレート２１を、全体が平坦な
円盤とすることもできる。
【００３５】また、上記実施例では前記開口部１３をト
ッププレート１１に形成し、吸着・回転装置６１を上下
可能に設けたが、これに代えて図７に示すように、開口
部１３をボトムプレート２１に設け、トッププレート１
１における開口部１３直上の部分を、エッチング槽１の
中心部側に開放可能で、開口部１３に比べてかなり寸法
が大きい三日月型の開閉蓋１４とし、吸着・回転装置６
１をボトムプレート２１の下方に設けると共に、回転軸
支持部材８３をシール部材８８を介して常時、開口部１
３に係止した構造にすることもできる。この場合、ウエ
ーハの着脱作業は開閉蓋１４を開閉して行えばよく、吸
着・回転装置６１の昇降装置を省略することができる。
ッププレート１１に形成し、吸着・回転装置６１を上下
可能に設けたが、これに代えて図７に示すように、開口
部１３をボトムプレート２１に設け、トッププレート１
１における開口部１３直上の部分を、エッチング槽１の
中心部側に開放可能で、開口部１３に比べてかなり寸法
が大きい三日月型の開閉蓋１４とし、吸着・回転装置６
１をボトムプレート２１の下方に設けると共に、回転軸
支持部材８３をシール部材８８を介して常時、開口部１
３に係止した構造にすることもできる。この場合、ウエ
ーハの着脱作業は開閉蓋１４を開閉して行えばよく、吸
着・回転装置６１の昇降装置を省略することができる。
【００３６】さらに、上記実施例では１枚ウエーハＷを
エッチングするようにしたが、開口部１３および吸着・
回転装置６１を複数設ければ、複数枚のウエーハを同時
にエッチング処理することができる。
エッチングするようにしたが、開口部１３および吸着・
回転装置６１を複数設ければ、複数枚のウエーハを同時
にエッチング処理することができる。
【００３７】上記実施例では、トッププレート１１とボ
トムプレート２１との対向間隔を一定にしたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、これらのプレートを
例えば図８に示すように、対向間隔が薬液流路の上流か
ら下流に向かって漸減するように設けてもよく、上記実
施例と同様に面放射状に広がる薬液流を形成することが
できる。
トムプレート２１との対向間隔を一定にしたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、これらのプレートを
例えば図８に示すように、対向間隔が薬液流路の上流か
ら下流に向かって漸減するように設けてもよく、上記実
施例と同様に面放射状に広がる薬液流を形成することが
できる。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
に記載のエッチング方法によれば、適当なウエーハ回転
数とそれに合った適当な薬液流速を組み合わせることに
より、面内均一な相対平均流速（時間平均相対流速）の
発生が可能となり、ウエーハ面内のエッチング代バラツ
キを抑えることができ、またウエーハの自転により、反
応ガスの軌跡に起因するウエーハ表面の凹凸が低減され
るので、簡便な操作で、高度に平坦なエッチング処理面
を有するケミカルエッチドウエーハを得ることができる
効果がある。請求項２に記載のエッチング装置によれ
ば、エッチング槽に流入した薬液は水平流となって面放
射状に広がりつつ薬液流路を流過し、自転するウエーハ
の表面は、この薬液の液流と平行に接触するので、請求
項１のエッチング方法によるエッチング効果が得られ
る。また、構造が簡単であるため安価に提供することが
できる。請求項３に記載のエッチング装置によれば、薬
液流がラッパ状部と円錐状または半球状突起との対向に
より形成された流路によって、殆ど圧力損失を伴うこと
なく整流されつつ面放射状に均一に分散されるので、請
求項１に比べて更に平坦度に優れたケミカルエッチドウ
エーハを得ることができる効果がある。請求項４に記載
のエッチング装置によれば、エッチング槽の薬液流路を
形成すると同時に、流過する薬液が開口部から漏出する
ことを防止し、薬液の損出や、薬液による作業環境の悪
化を防止できる効果がある。請求項５に記載のエッチン
グ装置によれば、ウエーハ近傍の薬液流がテンプレート
により整流されるので、ウエーハの外周端に異常形状が
発生しなくなる効果がある。
に記載のエッチング方法によれば、適当なウエーハ回転
数とそれに合った適当な薬液流速を組み合わせることに
より、面内均一な相対平均流速（時間平均相対流速）の
発生が可能となり、ウエーハ面内のエッチング代バラツ
キを抑えることができ、またウエーハの自転により、反
応ガスの軌跡に起因するウエーハ表面の凹凸が低減され
るので、簡便な操作で、高度に平坦なエッチング処理面
を有するケミカルエッチドウエーハを得ることができる
効果がある。請求項２に記載のエッチング装置によれ
ば、エッチング槽に流入した薬液は水平流となって面放
射状に広がりつつ薬液流路を流過し、自転するウエーハ
の表面は、この薬液の液流と平行に接触するので、請求
項１のエッチング方法によるエッチング効果が得られ
る。また、構造が簡単であるため安価に提供することが
できる。請求項３に記載のエッチング装置によれば、薬
液流がラッパ状部と円錐状または半球状突起との対向に
より形成された流路によって、殆ど圧力損失を伴うこと
なく整流されつつ面放射状に均一に分散されるので、請
求項１に比べて更に平坦度に優れたケミカルエッチドウ
エーハを得ることができる効果がある。請求項４に記載
のエッチング装置によれば、エッチング槽の薬液流路を
形成すると同時に、流過する薬液が開口部から漏出する
ことを防止し、薬液の損出や、薬液による作業環境の悪
化を防止できる効果がある。請求項５に記載のエッチン
グ装置によれば、ウエーハ近傍の薬液流がテンプレート
により整流されるので、ウエーハの外周端に異常形状が
発生しなくなる効果がある。
【図１】本発明装置の実施例の要部を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図２】図１実施例装置におけるエッチング槽の構造を
示す概略斜視図である。
示す概略斜視図である。
【図３】図１実施例における吸着・回転装置の断面図で
ある。
ある。
【図４】図１実施例の作用説明断面図である。
【図５】図１実施例の作用説明平面図である。
【図６】図１実施例におけるテンプレートの効果説明図
である。
である。
【図７】別の実施例装置の要部を示す概略断面図であ
る。
る。
【図８】さらに別の実施例装置の要部を示す概略断面図
である。
である。
【図９】従来のエッチング方法の問題点説明図である。
１ エッチング槽 １１ トッププレート １２ 円錐状突起 １３ 円形開口部 １４ 開閉蓋 ２１ ボトムプレート ２２ ラッパ状部 ２３ 薬液供給部 ２４ 薬液流路 ２５ 薬液排出口 ３１ 薬液供給装置 ３２ 温調器 ３３ 薬液貯溜槽 ３４ 循環ポンプ ３５ 開閉弁 ３６ 流量計 ３７ 薬液供給管 ３８ ファンネル ３９ 薬液回収管 ４０ 開閉弁 ４１ ドレン管 ５１ 開閉弁 ５２ 洗浄水供給管 ５３ 三方弁 ５４ 排水管 ６１ 吸着・回転装置 ７１ 吸着部 ７２ 回転軸 ７３ 吸着孔 ７４ 吸着盤 ７５ 開閉弁 ７６ 真空タンク ７７ 真空ポンプ ７８ テンプレート ８１ 回転駆動部 ８２ 軸封部材 ８３ 回転軸支持部材 ８４ モータ ８５ 駆動軸 ８６ プーリ ８７ ベルト ８８ シール部材 １０１ 形状異常 Ｅ 薬液（エッチング液） δ 間隙
Claims (5)
- 【請求項１】 面放射状に広がるエッチング用薬液の液
流内で半導体単結晶ウエーハを、その主表面を前記薬液
の液流と平行にして自転させることを特徴とするウエー
ハの高平坦度エッチング方法。 - 【請求項２】 全体または、中心部を除く部分を平坦に
形成した２枚の円盤を適宜間隔をあけて上下に平行また
はほぼ平行かつ水平に、同軸上に対向させ、一方の円盤
の中心部にエッチング用薬液の供給部を設け、これら円
盤の外周端部間の間隙を薬液排出口として、これら円盤
の対向面間の間隙により薬液流路を形成し、更に少なく
とも一方の円盤における中心部を除く適所に開口部を設
けてなるエッチング槽と、ウエーハを吸着して自転させ
る吸着・回転装置とを備えてなり、該吸着・回転装置は
吸着部のウエーハ吸着面を前記円盤の開口部を介して前
記薬液流路に、該円盤と平行にして臨ましめうるようし
たことを特徴とするウエーハの高平坦度エッチング装
置。 - 【請求項３】 前記薬液供給部を設けた円盤の中心部を
ラッパ状に形成し、他方の円盤の中心部に、円錐状また
は半球状の突起を前記ラッパ状部側に突出させて設けた
ことを特徴とする請求項２に記載のウエーハの高平坦度
エッチング装置。 - 【請求項４】 前記開口部を上側の円盤にのみ設け、前
記吸着・回転装置を前記開口部の直上に上下動可能に設
け、該吸着・回転装置と前記開口部との当接により該開
口部を液シール可能としたことを特徴とする請求項２ま
たは３に記載のウエーハの高平坦度エッチング装置。 - 【請求項５】 前記吸着・回転装置の吸着部の外周側
に、該吸着部と同心状に円環状のテンプレートを設け、
前記吸着・回転装置と開口部との当接によりテンプレー
トの表面をウエーハ吸着時のウエーハのエッチング処理
面よりも前記薬液流路側に突出させうるように、または
前記テンプレートの表面がウエーハ吸着時のウエーハの
エッチング処理面と同一平面内にあるようにしたことを
特徴とする請求項２，３または４に記載の高平坦度エッ
チング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208961A JP3067479B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ウエーハの高平坦度エッチング方法および装置 |
| US08/278,132 US5474644A (en) | 1993-07-30 | 1994-07-21 | Method and apparatus for high-flatness etching of wafer |
| EP94305464A EP0637064B1 (en) | 1993-07-30 | 1994-07-25 | Method and apparatus for high-flatness etching of wafer |
| DE69403577T DE69403577T2 (de) | 1993-07-30 | 1994-07-25 | Verfahren und Vorrichtung um sehr flache Wafer zu ätzen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208961A JP3067479B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ウエーハの高平坦度エッチング方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745583A true JPH0745583A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3067479B2 JP3067479B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=16565025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5208961A Expired - Fee Related JP3067479B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ウエーハの高平坦度エッチング方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5474644A (ja) |
| EP (1) | EP0637064B1 (ja) |
| JP (1) | JP3067479B2 (ja) |
| DE (1) | DE69403577T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| WO1997021243A1 (fr) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Procede pour traiter des tranches de semi-conducteur, procede pour fabriquer une carte a circuit imprime et support |
| JP2009206485A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置およびそれに用いられる基板支持部材 |
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|---|---|---|---|---|
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| TW346649B (en) * | 1996-09-24 | 1998-12-01 | Tokyo Electron Co Ltd | Method for wet etching a film |
| US5843322A (en) * | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
| US6007411A (en) * | 1997-06-19 | 1999-12-28 | Interantional Business Machines Corporation | Wafer carrier for chemical mechanical polishing |
| US6451699B1 (en) * | 1999-07-30 | 2002-09-17 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for planarizing a wafer surface of a semiconductor wafer having an elevated portion extending therefrom |
| US6439964B1 (en) | 1999-10-12 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling a polishing machine |
| DE10002354A1 (de) * | 2000-01-20 | 2001-08-09 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| DE10031603C2 (de) * | 2000-06-29 | 2002-06-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung mindestens einer Halbleiterscheibe durch Ätzen |
| DE10302611B4 (de) * | 2003-01-23 | 2011-07-07 | Siltronic AG, 81737 | Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild |
| US7597815B2 (en) * | 2003-05-29 | 2009-10-06 | Dressel Pte. Ltd. | Process for producing a porous track membrane |
| JP4747691B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE102009037281B4 (de) * | 2009-08-12 | 2013-05-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer polierten Halbleiterscheibe |
| JP5980012B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-08-31 | キヤノン株式会社 | シリコンウェハの加工方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4544446A (en) * | 1984-07-24 | 1985-10-01 | J. T. Baker Chemical Co. | VLSI chemical reactor |
| DE3820591A1 (de) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Texas Instruments Deutschland | Vorrichtung zum nassaetzen von duennen filmen |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5208961A patent/JP3067479B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-21 US US08/278,132 patent/US5474644A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-25 EP EP94305464A patent/EP0637064B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-25 DE DE69403577T patent/DE69403577T2/de not_active Expired - Fee Related
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