JPH0745662A - メタルマスクの接着構造 - Google Patents
メタルマスクの接着構造Info
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- JPH0745662A JPH0745662A JP5189473A JP18947393A JPH0745662A JP H0745662 A JPH0745662 A JP H0745662A JP 5189473 A JP5189473 A JP 5189473A JP 18947393 A JP18947393 A JP 18947393A JP H0745662 A JPH0745662 A JP H0745662A
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- Japan
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- metal mask
- semiconductor wafer
- substrate
- ccb
- mask
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄型で、基板への密着性が良いメタルマスク
の接着構造を提供する。 【構成】 半導体ウエハ（基板）１上に選択的にたとえ
ばＢＬＭ等の電極材料を形成するメタルマスク２が強磁
性体からなり、半導体ウエハ１の裏面に設けられた電磁
石（磁化部材）３によって前記メタルマスク２を半導体
ウエハ１に密着させる。
の接着構造を提供する。 【構成】 半導体ウエハ（基板）１上に選択的にたとえ
ばＢＬＭ等の電極材料を形成するメタルマスク２が強磁
性体からなり、半導体ウエハ１の裏面に設けられた電磁
石（磁化部材）３によって前記メタルマスク２を半導体
ウエハ１に密着させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メタルマスクの接着構
造に関し、特に、ＣＣＢ電極やＴＡＢ電極用下地を形成
するときなどに用いられるメタルマスクの接着構造につ
いて有効な技術に関する。
造に関し、特に、ＣＣＢ電極やＴＡＢ電極用下地を形成
するときなどに用いられるメタルマスクの接着構造につ
いて有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フリップチップ方式の半導体集積
回路装置におけるＣＣＢ（Ｃｏｎｔ−ｒｏｌｌｅｄ Ｃ
ｏｌｌａｐｓｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）バンプの下地である
ＢＬＭ（Ｂａｌｌ Ｌｉｍｉｔｉｎｇ Ｍｅｔａｌｌｉ
ｚａｔｉｏｎ）、あるいは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）のバンプの下地である
ＩＭ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ）の
形成に用いられるメタルマスクには、モリブデンからな
るものが使用されている。
回路装置におけるＣＣＢ（Ｃｏｎｔ−ｒｏｌｌｅｄ Ｃ
ｏｌｌａｐｓｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）バンプの下地である
ＢＬＭ（Ｂａｌｌ Ｌｉｍｉｔｉｎｇ Ｍｅｔａｌｌｉ
ｚａｔｉｏｎ）、あるいは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）のバンプの下地である
ＩＭ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ）の
形成に用いられるメタルマスクには、モリブデンからな
るものが使用されている。
【０００３】このメタルマスクによって形成されるＢＬ
ＭやＩＭなどの電極下地は、パターン精度を向上し、電
気的トラブルを未然に防止する観点から、付着する電極
材料の位置ずれやぼけ、隣接する電極下地間のショート
などを排除する必要があり、そのためにはメタルマスク
の厚さを薄くする必要がある。
ＭやＩＭなどの電極下地は、パターン精度を向上し、電
気的トラブルを未然に防止する観点から、付着する電極
材料の位置ずれやぼけ、隣接する電極下地間のショート
などを排除する必要があり、そのためにはメタルマスク
の厚さを薄くする必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来用いられ
ているモリブデンのメタルマスクでは、薄くし過ぎると
マスク剛性が低下して変形し、半導体ウエハなど基板の
表面に密着せず浮き上がってしまい、却って位置ずれや
ぼけ、ショートなどといった問題が発生するため、所望
のマスク厚まで薄くすることができなかった。特に、半
導体ウエハが大口径の場合には、このメタルマスクの浮
き上がりは顕著となっていた。
ているモリブデンのメタルマスクでは、薄くし過ぎると
マスク剛性が低下して変形し、半導体ウエハなど基板の
表面に密着せず浮き上がってしまい、却って位置ずれや
ぼけ、ショートなどといった問題が発生するため、所望
のマスク厚まで薄くすることができなかった。特に、半
導体ウエハが大口径の場合には、このメタルマスクの浮
き上がりは顕著となっていた。
【０００５】また、ＣＣＢバンプもメタルマスクによっ
て形成されるが、このＣＣＢバンプの表面は、プローブ
針を当てて電気的検査をすることから平坦であることが
要求されるが、上記した理由で厚いメタルマスクを使用
せざるを得ず、その結果、形成されるＣＣＢバンプは先
端が尖ってしまいプローブ針による検査がスムーズに行
えなかった。さらに、厚いメタルマスクのためにＣＣＢ
バンプの形成箇所が深くなって蒸着時間がかかり、生産
効率を悪化させていた。
て形成されるが、このＣＣＢバンプの表面は、プローブ
針を当てて電気的検査をすることから平坦であることが
要求されるが、上記した理由で厚いメタルマスクを使用
せざるを得ず、その結果、形成されるＣＣＢバンプは先
端が尖ってしまいプローブ針による検査がスムーズに行
えなかった。さらに、厚いメタルマスクのためにＣＣＢ
バンプの形成箇所が深くなって蒸着時間がかかり、生産
効率を悪化させていた。
【０００６】確かに、リフトオフ法により、予め蒸着箇
所以外にホトレジストを塗布しておき、電気材料を蒸着
した後にホトレジストを除去してＣＣＢバンプやＢＬ
Ｍ、ＩＭを形成する方法もあるが、メタルマスクを用い
た場合に比べてコスト高になってしまう。
所以外にホトレジストを塗布しておき、電気材料を蒸着
した後にホトレジストを除去してＣＣＢバンプやＢＬ
Ｍ、ＩＭを形成する方法もあるが、メタルマスクを用い
た場合に比べてコスト高になってしまう。
【０００７】そこで、本発明の目的は、薄型で、かつ基
板への密着性が良いメタルマスクの接着構造に関する技
術を提供することにある。
板への密着性が良いメタルマスクの接着構造に関する技
術を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１０】すなわち、本発明のメタルマスクの接着構
造は、基板上に選択的に電極材料を形成するメタルマス
クが強磁性体からなり、基板の裏面に設けられた磁化部
材によって前記メタルマスクが基板に密着されるもので
ある。
造は、基板上に選択的に電極材料を形成するメタルマス
クが強磁性体からなり、基板の裏面に設けられた磁化部
材によって前記メタルマスクが基板に密着されるもので
ある。
【００１１】この場合において、前記メタルマスクはＦ
ｅとＮｉの合金である４２アロイからなることが望まし
く、また、前記磁化部材は電磁石であることが望まし
い。
ｅとＮｉの合金である４２アロイからなることが望まし
く、また、前記磁化部材は電磁石であることが望まし
い。
【００１２】
【作用】上記のようなメタルマスクの接着構造によれ
ば、磁化部材の磁気作用によってメタルマスク全体が基
板に密着されて浮き上がることがないので、メタルマス
クを薄くしてマスク剛性が低下しても、基板に形成され
る電極材料に位置ずれやぼけ、ショートなどが発生する
ことはない。
ば、磁化部材の磁気作用によってメタルマスク全体が基
板に密着されて浮き上がることがないので、メタルマス
クを薄くしてマスク剛性が低下しても、基板に形成され
る電極材料に位置ずれやぼけ、ショートなどが発生する
ことはない。
【００１３】また、このようなメタルマスクの接着構造
によれば、メタルマスクを所望の薄さにできるので、メ
タルマスクをＣＣＢバンプの形成に用いた場合でも、そ
の表面を平坦にすることができ、プローブ針による電気
的検査をスムーズに行うことができる。
によれば、メタルマスクを所望の薄さにできるので、メ
タルマスクをＣＣＢバンプの形成に用いた場合でも、そ
の表面を平坦にすることができ、プローブ針による電気
的検査をスムーズに行うことができる。
【００１４】さらに、薄いメタルマスクとすることでＣ
ＣＢバンプの形成箇所を浅くすることができ、短時間で
ＣＣＢバンプを形成することが可能となり、スループッ
トの向上を図ることができる。
ＣＢバンプの形成箇所を浅くすることができ、短時間で
ＣＣＢバンプを形成することが可能となり、スループッ
トの向上を図ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいてさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明の一実施例であるメタルマス
クの接着構造を示す断面図、図２はその要部拡大図であ
る。
クの接着構造を示す断面図、図２はその要部拡大図であ
る。
【００１７】まず、本実施例のメタルマスクの接着構造
について説明する。
について説明する。
【００１８】本実施例における半導体ウエハ（基板）１
は、あらかじめ半導体ウエハ１の絶縁膜１ａの間に形成
されたアルミ電極部１ｂにＣｒ，Ｃｒ−Ｃｕ，Ｃｕ，Ａ
ｕまたはＣｒ，Ｎｉ−Ｃｕ，Ａｕが蒸着されてＢＬＭを
形成し、その上にＣＣＢバンプを形成して、図示しない
予備半田した基板の導体部に対してフェイスダウンで半
田付けされるフリップチップ方式のものである。
は、あらかじめ半導体ウエハ１の絶縁膜１ａの間に形成
されたアルミ電極部１ｂにＣｒ，Ｃｒ−Ｃｕ，Ｃｕ，Ａ
ｕまたはＣｒ，Ｎｉ−Ｃｕ，Ａｕが蒸着されてＢＬＭを
形成し、その上にＣＣＢバンプを形成して、図示しない
予備半田した基板の導体部に対してフェイスダウンで半
田付けされるフリップチップ方式のものである。
【００１９】後で複数の半導体チップに分割される半導
体ウエハ１の表面には、選択的にＢＬＭあるいはＣＣＢ
バンプなどの電極材料を形成するためのメタルマスク２
が載置され、開設されたマスク開口部２ａが前記半導体
ウエハ１のアルミ電極部１ｂを露出するようにしてこの
半導体ウエハ１を被っている。このメタルマスク２は、
シリコンウエハからなる半導体ウエハ１と熱膨張係数の
近い、たとえばＦｅとＮｉとの合金である４２アロイ
（ＦｅＮｉ3 ）の強磁性体からなるものである。
体ウエハ１の表面には、選択的にＢＬＭあるいはＣＣＢ
バンプなどの電極材料を形成するためのメタルマスク２
が載置され、開設されたマスク開口部２ａが前記半導体
ウエハ１のアルミ電極部１ｂを露出するようにしてこの
半導体ウエハ１を被っている。このメタルマスク２は、
シリコンウエハからなる半導体ウエハ１と熱膨張係数の
近い、たとえばＦｅとＮｉとの合金である４２アロイ
（ＦｅＮｉ3 ）の強磁性体からなるものである。
【００２０】半導体ウエハ１の裏面には、たとえば電磁
石（磁化部材）３が設けられ、前記した強磁性体からな
るメタルマスク２は、この電磁石３の磁気作用によって
半導体ウエハ１に密着されている。
石（磁化部材）３が設けられ、前記した強磁性体からな
るメタルマスク２は、この電磁石３の磁気作用によって
半導体ウエハ１に密着されている。
【００２１】そして、メタルマスク２、半導体ウエハ１
および電磁石３は、底板４ａと、この底板４ａの外周数
カ所に垂直に螺合された固定ねじ４ｂと、この固定ねじ
４ｂが貫通する押え具４ｃからなる固定部材４によって
その外周縁が挟持され、メタルマスク２が位置ずれしな
いようになっている。
および電磁石３は、底板４ａと、この底板４ａの外周数
カ所に垂直に螺合された固定ねじ４ｂと、この固定ねじ
４ｂが貫通する押え具４ｃからなる固定部材４によって
その外周縁が挟持され、メタルマスク２が位置ずれしな
いようになっている。
【００２２】次に、本実施例のメタルマスクの接着構造
による作用について説明する。
による作用について説明する。
【００２３】位置合わせ完了後、電磁石３のスイッチ
（図示せず）を入れることによってメタルマスク２は半
導体ウエハ１に密着される。
（図示せず）を入れることによってメタルマスク２は半
導体ウエハ１に密着される。
【００２４】そして、固定部材４に固定された半導体ウ
エハ１およびメタルマスク２、そして電磁石３は、ＢＬ
Ｍ成膜装置（図示せず）内に投入され、ここでたとえば
Ｃｒ，Ｃｒ−Ｃｕ，Ｃｕ，ＡｕまたはＣｒ，Ｎｉ−Ｃ
ｕ，Ａｕが半導体ウエハ１上に蒸着されてＢＬＭが形成
され、また、ＢＬＭ上にたとえばＰｂ−ＳｎよりなるＣ
ＣＢバンプが形成される。
エハ１およびメタルマスク２、そして電磁石３は、ＢＬ
Ｍ成膜装置（図示せず）内に投入され、ここでたとえば
Ｃｒ，Ｃｒ−Ｃｕ，Ｃｕ，ＡｕまたはＣｒ，Ｎｉ−Ｃ
ｕ，Ａｕが半導体ウエハ１上に蒸着されてＢＬＭが形成
され、また、ＢＬＭ上にたとえばＰｂ−ＳｎよりなるＣ
ＣＢバンプが形成される。
【００２５】ここで、前記したように、本実施例のメタ
ルマスク２は、たとえば４２アロイという強磁性体から
なり、このメタルマスク２を電磁石３がその磁気作用に
よって吸着しているので、メタルマスク２は浮き上がる
ことなく半導体ウエハ１に密着される。
ルマスク２は、たとえば４２アロイという強磁性体から
なり、このメタルマスク２を電磁石３がその磁気作用に
よって吸着しているので、メタルマスク２は浮き上がる
ことなく半導体ウエハ１に密着される。
【００２６】したがって、たとえメタルマスク２を薄く
してその結果マスク剛性が低下しても、半導体ウエハ１
に形成されるＢＬＭに位置ずれやぼけ、ショートなどが
発生することがない。
してその結果マスク剛性が低下しても、半導体ウエハ１
に形成されるＢＬＭに位置ずれやぼけ、ショートなどが
発生することがない。
【００２７】また、このようなメタルマスク２の接着構
造によればメタルマスク２を所望の薄さにできるので、
形成されるＣＣＢバンプの表面を平坦にすることがで
き、プローブ針による電気的検査をスムーズに行うこと
ができる。
造によればメタルマスク２を所望の薄さにできるので、
形成されるＣＣＢバンプの表面を平坦にすることがで
き、プローブ針による電気的検査をスムーズに行うこと
ができる。
【００２８】さらに、薄いメタルマスク２とすることで
ＣＣＢバンプの形成箇所を浅くすることができ、短時間
でＣＣＢバンプを形成することが可能となるので、スル
ープットの向上を図ることができる。
ＣＣＢバンプの形成箇所を浅くすることができ、短時間
でＣＣＢバンプを形成することが可能となるので、スル
ープットの向上を図ることができる。
【００２９】なお、ＢＬＭやＣＣＢバンプの形成は最高
約３００℃の環境下において行われるが、メタルマスク
２を構成する４２アロイのキュリー温度は約５０２℃で
あるため、ＢＬＭの形成中などにメタルマスク２が常磁
性状態へ磁気転移して半導体ウエハ１との密着性が阻害
されることはない。
約３００℃の環境下において行われるが、メタルマスク
２を構成する４２アロイのキュリー温度は約５０２℃で
あるため、ＢＬＭの形成中などにメタルマスク２が常磁
性状態へ磁気転移して半導体ウエハ１との密着性が阻害
されることはない。
【００３０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３１】たとえば、本実施例においては、半導体ウ
エハ１はフリップチップ方式のものであり、メタルマス
ク２によってＢＬＭやＣＣＢバンプが形成されるもので
あるが、ＴＡＢのバンプの下地電極であるＩＭの形成に
用いることも可能であり、また、基板として半導体ウエ
ハではなくバンプ形成用基板を適用することによって、
ＴＡＢのリードにバンプを転写する、いわゆる転写バン
プに用いることもできる。
エハ１はフリップチップ方式のものであり、メタルマス
ク２によってＢＬＭやＣＣＢバンプが形成されるもので
あるが、ＴＡＢのバンプの下地電極であるＩＭの形成に
用いることも可能であり、また、基板として半導体ウエ
ハではなくバンプ形成用基板を適用することによって、
ＴＡＢのリードにバンプを転写する、いわゆる転写バン
プに用いることもできる。
【００３２】また、本実施例におけるメタルマスク２は
ＦｅとＮｉの合金である４２アロイからなるものである
が、強磁性体である限り種々のものを選択することがで
き、たとえば鉄とコバルトからなる合金とすることなど
が考えられる。
ＦｅとＮｉの合金である４２アロイからなるものである
が、強磁性体である限り種々のものを選択することがで
き、たとえば鉄とコバルトからなる合金とすることなど
が考えられる。
【００３３】さらに、本実施例においては、磁化部材３
として電磁石を用いているが、永久磁石を用い、これに
よって前記強磁性体であるメタルマスク２を吸着するこ
ともできる。
として電磁石を用いているが、永久磁石を用い、これに
よって前記強磁性体であるメタルマスク２を吸着するこ
ともできる。
【００３４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００３５】(1).すなわち、本発明のメタルマスクの接
着構造によれば、メタルマスクが強磁性体からなり、こ
れを磁化部材が基板の裏面から吸着しているので、メタ
ルマスク全体が基板に密着されて浮き上がることがな
い。したがって、メタルマスクを薄くしてマスク剛性が
低下しても、基板に形成される電極材料に位置ずれやぼ
け、ショートなどは発生しない。
着構造によれば、メタルマスクが強磁性体からなり、こ
れを磁化部材が基板の裏面から吸着しているので、メタ
ルマスク全体が基板に密着されて浮き上がることがな
い。したがって、メタルマスクを薄くしてマスク剛性が
低下しても、基板に形成される電極材料に位置ずれやぼ
け、ショートなどは発生しない。
【００３６】(2).したがって、半導体ウエハが大口径の
場合であっても、薄いメタルマスクを使用して位置ずれ
等のない電極材料の形成が可能になる。
場合であっても、薄いメタルマスクを使用して位置ずれ
等のない電極材料の形成が可能になる。
【００３７】(3).また、本発明のメタルマスクの接着構
造によれば、メタルマスクを所望の薄さにできるので、
メタルマスクをＣＣＢバンプの形成に用いた場合でも、
その表面を平坦にすることができ、プローブ針による電
気的検査をスムーズに行うことができる。
造によれば、メタルマスクを所望の薄さにできるので、
メタルマスクをＣＣＢバンプの形成に用いた場合でも、
その表面を平坦にすることができ、プローブ針による電
気的検査をスムーズに行うことができる。
【００３８】(4).さらに、メタルマスクを所望の薄さに
できるので、ＣＣＢバンプの形成箇所を浅くでき、短時
間でＣＣＢバンプを形成することが可能となり、スルー
プットの向上を図ることができる。
できるので、ＣＣＢバンプの形成箇所を浅くでき、短時
間でＣＣＢバンプを形成することが可能となり、スルー
プットの向上を図ることができる。
【００３９】(5).上記のようなＣＣＢバンプやＢＬＭ、
ＩＭがメタルマスクによって形成されるので、リフトオ
フ法による場合と比較して低コストで且つ高品質のＣＣ
Ｂバンプ等の製造が可能になる。
ＩＭがメタルマスクによって形成されるので、リフトオ
フ法による場合と比較して低コストで且つ高品質のＣＣ
Ｂバンプ等の製造が可能になる。
【００４０】(6).メタルマスクがＦｅとＮｉの合金であ
る４２アロイの場合には、メタルマスクと半導体ウエハ
との熱膨張係数が近いので、ＢＬＭ等の形成中における
高温下での熱膨張によるメタルマスクと半導体ウエハと
の位置ずれをも防止することができる。
る４２アロイの場合には、メタルマスクと半導体ウエハ
との熱膨張係数が近いので、ＢＬＭ等の形成中における
高温下での熱膨張によるメタルマスクと半導体ウエハと
の位置ずれをも防止することができる。
【００４１】(7).また、メタルマスクがＦｅとＮｉの合
金である４２アロイの場合には、メタルマスクの製造を
リードフレーム製造プロセスと同様のプロセスで行うこ
とができるので、さらに低コストでＣＣＢバンプ等の製
造が可能になる。
金である４２アロイの場合には、メタルマスクの製造を
リードフレーム製造プロセスと同様のプロセスで行うこ
とができるので、さらに低コストでＣＣＢバンプ等の製
造が可能になる。
【００４２】(8).磁化部材として電磁石を用いた場合に
は、半導体ウエハとメタルマスクとの位置合わせの際に
は電磁石のスイッチをオフにしておいて位置合わせを行
い易くすることができるので、作業性を向上させること
ができる。
は、半導体ウエハとメタルマスクとの位置合わせの際に
は電磁石のスイッチをオフにしておいて位置合わせを行
い易くすることができるので、作業性を向上させること
ができる。
【図１】本発明の実施例によるメタルマスクの接着構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】その要部拡大図である。
１ 半導体ウエハ（基板） １ａ 絶縁膜 １ｂ アルミ電極部 ２ メタルマスク ２ａ マスク開口部 ３ 電磁石（磁化部材） ４ 固定部材 ４ａ 底板 ４ｂ 固定ねじ ４ｃ 押え具
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に選択的に電極材料を形成するメ
タルマスクの基板への接着構造であって、前記メタルマ
スクが強磁性体からなり、前記基板の裏面に設けられた
磁化部材によって前記メタルマスクが前記基板に密着さ
れることを特徴とするメタルマスクの接着構造。 - 【請求項２】 前記メタルマスクは、ＦｅとＮｉの合金
である４２アロイからなることを特徴とする請求項１記
載のメタルマスクの接着構造。 - 【請求項３】 前記磁化部材は、電磁石であることを特
徴とする請求項１または２記載のメタルマスクの接着構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5189473A JPH0745662A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | メタルマスクの接着構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5189473A JPH0745662A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | メタルマスクの接着構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745662A true JPH0745662A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16241855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5189473A Pending JPH0745662A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | メタルマスクの接着構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745662A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068453A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子製造に用いる真空蒸着用金属マスクの保持方法及び治具 |
| EP1202329A3 (en) * | 2000-10-31 | 2006-04-12 | The Boc Group, Inc. | Mask Restraining method and apparatus |
| JP2007014889A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Shikoku Instrumentation Co Ltd | 超臨界流体による微粒子の配列塗布方法および装置 |
| US7235428B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-06-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device production method |
| JP2007178783A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法、および、パターン形成体製造装置 |
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-
1993
- 1993-07-30 JP JP5189473A patent/JPH0745662A/ja active Pending
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