JPH0746732B2 - 軽量薄膜光電池アレイの製造方法 - Google Patents

軽量薄膜光電池アレイの製造方法

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JPH0746732B2
JPH0746732B2 JP61241171A JP24117186A JPH0746732B2 JP H0746732 B2 JPH0746732 B2 JP H0746732B2 JP 61241171 A JP61241171 A JP 61241171A JP 24117186 A JP24117186 A JP 24117186A JP H0746732 B2 JPH0746732 B2 JP H0746732B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 近年、アモルファス半導体合金から大面積の光電池を製
造する技術が開発されている。電子デバイス品質のアモ
ルファス半導体材料の製造においては大幅な進歩がみら
れた。上記高品質材料は、アモルファスのシリコン、シ
リコン‐ゲルマニウム乃至ゲルマニウムのホストマトリ
クス中に水素、フッ素、あるいはこれら２元素の両方を
含有する。水素及びフッ素はアモルファス構造中のダン
グリングボンドその他の構造欠陥を不活性化し、もしく
は該欠陥を満たし、その結果望ましい荷電キャリヤ移動
乃至輸送特性が達成されると考えられる。
上記のようなアモルファス半導体材料の主要な製造方法
は、グロー放電デポジションである。この方法ではシラ
ン、ジシラン、四フッ化ケイ素、ゲルマン及び四フッ化
ゲルマニウムあるいはこれらの混合物といった少なくと
も１種の半導体前駆体ガスを含有するガス混合物が、低
圧に、即ち普通13〜65パスカルに維持された真空チャン
バに送り込まれる。ガス混合物は希釈剤としての水素あ
るいはアルゴン並びにドーパント前駆体ガスも含有し
得、前記ドーパント前駆体ガスはｐ型導電材料をデポジ
ットする場合にはジボランあるいは三フッ化ホウ素など
であり、ｎ型導電材料をデポジットする場合にはホスフ
ィンあるいは四フッ化リンなどである。ガス混合物は、
水素及び／またはフッ素の前駆体供給源をも含む。ドー
パント前駆体ガスの不在下にデポジットされた材料は普
通僅かにｎ型の導電性を有し、実質的に真性で、かつホ
ウ素のような痕跡量のｐ型ドーパントで補償されてより
高い抵抗率を獲得し得る。
ガス混合物はチャンバに、ガス入口あるいはカソードそ
れ自体を介して導入される。カソードと該カソード近傍
に位置する導電基板との間に電圧を印加することによ
り、カソードと基板との間にグロー放電プラズマが発生
・持続される。グロー放電プラズマは、マイクロ波周波
数範囲以下の交流あるいは直流であり得る電力によって
維持される。グロー放電はガス混合物を様々な種に解離
させ、これらの種は基板上にデポジットされて、半導体
合金材料デポジット（堆積物）を構成する。デポジショ
ン工程の間にドーパント前駆体ガスを変更することによ
って、pn型、pin型、及び更に複雑なデバイス構造体が
デポジットされ得る。三層pin型及び多層pin型のアモル
ファスシリコン合金及びアモルファスシリコン‐ゲルマ
ニウム合金構造体が、光起電力デバイス及び光感応デバ
イスとして特に有用であることが判明した。
グロー放電によってデポジットされるアモルファス光起
電力デバイスの製造工程は、前記材料が大面積にわたっ
て連続的にデポジットされ得るところまで開発されてい
る。例えば、大面積の可撓性金属基板上にアモルファス
光起電力材料を連続的に形成する方法がIzu等の米国特
許第4,400,409号「ｐ型にドープされたシリコン膜の形
成方法（Me-thod of Making P−Doped Silicon Film
s）」、Izu等の米国特許第4,410,558号及び第4,519,339
号「連続アモルファス太陽電池製造システム（Continu-
ous Amorphous Solar Cell Production System）」、Iz
u等の米国特許第4,485,125号「タンデム型アモルファス
光電池の連続製造方法（Method for Continuously Prod
ucing Tandem Amorphous Pho-tovoltaic Cells）」、H.
Ovshinsky等の米国特許第4,492,181号「タンデム型アモ
ルファス光電池の連続製造方法（Method for Continuou
sly Pro-ducing Tandem Amorphous Photovoltaic Cell
s）」及びNathの米国特許第4,514,437号「プラズマ利用
の薄膜蒸着装置と対応するデポジション方法（Apparatu
s for Plasma Assisted Evaporation of Thin Films an
d Corresponding Methods of De-position）」に開示さ
れている。上記諸特許の開示は、本明細書中に参考とし
て含まれる。複雑なアモルファス半導体合金デバイスを
幅30cm及び長さ300m以上の可撓性基板上にデポジットす
る装置が製造され、現在作動している。
最近、非常に軽量のアモルファス半導体合金光電池アレ
イが、連続的にデポジットされる合金材料から構成され
ている。このような軽量電池は格別大きい比出力、即ち
一定質量当たりの出力電力を有する。軽量電池は上述の
ようにして、但し電鋳された金属箔のような非常に薄い
基板上に、あるいは化学エッチングによって通常以上に
薄く形成された金属基板上に、あるいはまた当初金属基
板によって支持されており、アモルファス合金のデポジ
ション後は前記基板を化学エッチングによって完全に除
去される絶縁体上に製造される。Hanakによって出願さ
れた1985年１月30日付米国特許出願第696,390号（特願
昭61-19166号に対応）「きわめて軽量の可撓性半導体デ
バイスアレイとその製造方法（Extremely Lightweight,
Flexible Semi-conductor Device Arraysand Method of
Making Same）」を参照されたい。工程のステップ数を
減少し、それによって歩どまりを改善し、コストを低下
させるために、上記きわめて軽量のアレイは連続加工処
理機構（continuous processing ma-chinery）によって
直接製造するほうが、通常の厚みの基板を薄くし、ある
いは除去して製造するより望ましい。また、非常に薄い
電鋳箔を用いることは、デリケートな該箔の取り扱いに
特別の注意が必要となるため回避するほうが望ましい。
発明の概要 本発明は、代用基板上に１マイクロメートルより薄い半
導体合金膜を堆積する第１の工程と、前記第１項の工程
の後に、堆積した前記半導体合金膜上に、前記代用基板
より軽量の支持材料を付着させる第２の工程と、前記第
２の工程の後に、前記代用基板を前記半導体合金膜およ
び前記支持材料から分離する第３の工程と、を含む軽量
薄膜光電池アレイの製造方法にある。
本発明の好ましい一具体例では、代用基板はデポジショ
ン装置を通過して循環する無端のバンドである。半導体
合金膜が好ましくはグロー放電によりデポジットされ
て、予め選択された光起電力構造体を構成し、この膜上
に支持材料が積層され、更に該膜は代用基板から剥がさ
れる。剥き出しとなった基板は、該基板上に次の半導体
合金膜がデポジットされるように、再度デポジション装
置を通過させ再利用される。デポジション、積層、剥ぎ
取り及びクリーニング工程は総て、好ましくは連続的に
進行する。
代用基板は、分離を容易にするために、半導体合金膜と
は異なる熱膨張率を有するように選択され得る。基板の
一方の側を熱あるいは冷気に晒すことによって、熱衝撃
が付与され得る。シリコン合金光起電力膜をデポジット
する場合、代用基板はステンレス鋼で形成することが好
ましい。
軽量アレイの光起電力材料上に電気接触を形成し、半導
体合金膜上に付加的な保護層を積層し、また半導体合金
膜の基板からの分離によって生起し得るあらゆる電気的
欠陥を排除するべく、他の加工ステップも用いられ得
る。
好ましい具体例の説明 第１図に、本発明方法実施のための新規な装置10の概略
的断面図を示す。通常、装置10は大型の真空囲繞12を含
み、この囲繞12内では大気圧を下回る圧力が真空ポンプ
（図示せず）によって確立され、かつ維持され得る。囲
繞12内には互いに連通し合った様々なチャンバが配置さ
れており、これらのチャンバ内で雰囲気ガス及び圧力は
独立に制御され得る。
囲繞12内部において、好ましくはステンレス鋼その他
の、デポジットされるアモルファス半導体合金の熱膨張
率とは実質的に異なる熱膨張率を有する材料から成る無
端の代用基板14が４個のローラ16、18、20及び22に沿っ
て送られる。ローラ16、18、20及び22はモータ（図示せ
ず）によって駆動されて、無端基板14を囲繞12内で移動
する。代用基板14を緊張状態に維持し、また移動中横方
向での整列を維持するのに、付加的な張りローラ及び案
内ローラが使用され得る。
基板14は囲繞12内で様々に処理され得、次の説明は処理
シーケンスの可能な一例について述べるに過ぎない。説
明する処理のうちの幾つかは省略され得、また他の処理
が付加され得、更に図示した処理のうちのあるものは複
数回実施され得ると了解されるべきである。
ローラ16からローラ18へと送られる移動基板14は、ガス
ゲート26を経てデポジションチャンバ24に進入する。ガ
スゲート26からは、チャンバ24の内部空間を掃気して、
該チャンバ24内の環境を囲繞12内の環境から隔離する不
活性ガスが供給される。上記のようなガスゲートの例
は、Doehler等の米国特許第4,438,724号「溝付きガスゲ
ート（Grooved Gas Gate）」Doehler等の米国特許第4,4
50,786号「溝付きガスゲート（Grooved Gas Gate）」、
Nath等の米国特許第4,462,332号「磁気式ガスゲート（M
agnetic Gas Gate）」、Gattusoの米国特許第4,480,585
号「外部隔離モジュール（External Isolation Modul
e）」、及びNath等の米国特許第4,537,795号「グロー放
電デポジション装置内への掃気ガス導入方法（Method f
or In-troducing Sweep Gases into a Glow Discharge
Deposition Apparatus）」に記載されている。上記諸特
許の開示は本明細書中に参考として含まれる。
チャンバ24内では基板14に、製造される光電池の電気的
相互接続用の電極を構成する金属膜もしくは導電膜がデ
ポジットされ、上記電極は光電池の裏側に位置すること
から背面電極と呼称される。背面電極は、電池底部に達
した光の吸収のために光を電池内に戻すように反射する
べく反射性であってもよい。背面電極は図示したよう
に、チャンバ24内に配置されたスパッタリングソース28
によるスパッタリングによってデポジットされ得る。高
周波スパッタリングあるいは気相成長といった他の方法
も、背面電極をデポジットするのに用いられ得る。
導電性背面電極のデポジット後、基板14は別のガスゲー
ト30を通ってチャンバ24外へ出、隣接するチャンバ32内
に進入する。チャンバ24及び32は隣接し合うものとして
図示されているが、これらのチャンバ24、32は囲繞12内
で分離されていてもよく、その際チャンバ24には出口ガ
スゲートが、またチャンバ32には入口ガスゲートが取り
付けられ得る。しかし第１図には簡略化のため、チャン
バ24及び32が互いに隣接し、両チャンバ間にはただ１個
のガスゲートが配置されている様子が示してある。同様
に、囲繞12内のその他のチャンバも互いに隣接している
ように図示されているが、これらのチャンバが分離され
得、その際第１図では１個しか示されないガスゲートが
２個必要となり得ることが理解される。
チャンバ32は、互いに関連する３個の半導体デポジショ
ンチャンバ32、34及び36のうちの最初のチャンバであ
る。チャンバ32、34、36それぞれにおいて、少なくとも
１種の半導体前駆体ガスを含有するガス混合物中でグロ
ー放電条件を確立し、かつ維持することにより半導体合
金膜の層がデポジットされる。簡略化のため、ガスディ
スペンサと組み合わされたカソード38をチャンバ32、34
及び36の各々に配置して示す。上記のようなカソードの
例は、Izu等の米国特許第4,369,730号「プラズマ発生用
カソード（Cathode for Generating a Plasma）」、及
びNath等の米国特許第4,483,883号「アップストリーム
カソードアセンブリ（Upst-ream Cathode Assembly）」
に記載されており、これらの特許の開示は本明細書中に
参考として含まれる。やはりその開示が本明細書中に参
考として含まれるNath等の米国特許第4,513,684号にお
いて開示及び説明された導入マニホールドのような、当
業者に良く知られている他のガス導入システムも用いら
れ得ることは自明である。各カソードは、高周波からマ
イクロ波までの範囲内の所定周波数の交流あるいは直流
を供給するべく構成された電気エネルギ源（図示せず）
によって駆動される。基板14が上記電気エネルギ源と電
気的に接続され、それによってグロー放電が各デポジシ
ョンチャンバ32、34、36内の、基板14とそれぞれのカソ
ード38との間に形成される空間において確立及び維持さ
れ得る。
チャンバ32、34及び36はガスゲート40及び42によってそ
れぞれ相互接続されており、その結果各チャンバのガス
環境は互いから隔離されている。上述のガス混合物はカ
ソード38に、矢印で象徴的に図示したように供給され
る。当業者に知られているように、ガス混合物は、シラ
ン、ジシラン、四フッ化ケイ素、ゲルマン、四フッ化ゲ
ルマニウム、及びこれらのガスの混合物といった少なく
とも１種の半導体前駆体ガスのみでなく、デポジットさ
れたアモルファス半導体合金中の欠陥を不活性化する水
素及び／またはフッ素の供給源も含有する。更に、アル
ゴンあるいは水素のような希釈ガスも供給され得る。図
示した装置10は特に、pin型あるいはnip型構造体をデポ
ジットするべく構成されている。即ち、チャンバ32また
は36においてガス混合物に、ジボランあるいは三フッ化
ホウ素のようなドーパント前駆体ガスがｐ型導電層をデ
ポジットするために添加される。他方のチャンバ32また
は36では、ｎ型層のデポジションを実現するホスフィン
あるいは五塩化リンのような別のドーパント前駆体ガス
がガス混合物に添加される。チャンバ34においては、実
質的に真性の半導体合金材料層がデポジットされるよう
に、ガス混合物にドーパント前駆体ガスは添加されない
か、あるいは痕跡量のｐ型ドーパント前駆体ガスのみが
添加される。こうして、pin型あるいはnip型構造体が形
成される。より単純な構造体が所望である場合は、１個
以上のチャンバが除去され得る。タンデム電池構造体、
即ち二電池構造体のようなより複雑な構造体が所望の場
合には、追加のデポジションチャンバが装置10に付加さ
れ得る。
基板14上への（即ち背面電極上への）少なくとも１組の
三層アモルファス半導体合金膜のデポジションが終了す
ると、基板14はガスゲート44を通ってチャンバ36を出、
チャンバ46内に進入する。所望であれば、デポジットさ
れた半導体合金膜にはチャンバ46において小面積電池の
パターンが付与され得る。チャンバ46内には、特に大面
積の半導体合金膜に所望の小面積電池パターンを形成す
るべく構成されたレーザスクライバ48が配置されてお
り、このスクライバ48は比較的大きいパワーを与えられ
たビームで半導体合金膜を所定パターンに従って走査
し、その結果膜の、ビームの当たった部分が除去され
る。上記のようなスクライバはHanakの米国特許第4,29
2,092号に開示されており、この特許の開示は本明細書
中に参考として含まれる。
チャンバ46内で場合によっては行なわれるスクライビン
グ処理の後、基板14上の半導体合金膜はガスゲート50を
通って、チャンバ46に隣接して配置された別のデポジシ
ョンチャンバ52内へと移動する。チャンバ52では半導体
合金膜上に、インジウム‐スズ酸化物、スズ酸化物、亜
鉛酸化物、スズ酸カドミウムあるいはカドミウム‐スズ
酸化物といった材料の透明な導電層がデポジットされ
る。この導電層は、製造される軽量光電池アレイの光が
入射する側に位置するために前面電極と呼称される電極
を構成する。透明導電層デポジション技術は、d.c.スパ
ッタリング、a.c.スパッタリング、マグネトロンスパッ
タリング及び蒸着のような多くの公知方法から選択され
得る。第１図には、上記デポジション方法のうちのスパ
ッタリング法実施のためにチャンバ52内に配置されたス
パッタリングソース54を示す。
最後の選択的な加工ステップにおいて、透明導電層をデ
ポジットされた半導体合金膜はガスゲート58を通ってス
パッタリングチャンバ52から、隣接するパターン形成チ
ャンバ56内へ移動する。チャンバ56では該チャンバ56内
に配置されたレーザスクライバ60による走査によって、
透明導電層に相互接続パターンが付与される。レーザ60
は、小面積光電池同士を相互接続する所定の導電材料パ
ターンを残すために透明な導電材料を選択的に除去する
べく、上述のレーザスクライバ48と概して同様に作動す
る。
透明な導電層へのパターン付与が終わると電池製造工程
は完了し、加工された半導体合金材料は基板14から剥が
され、もしくは除去され得る。しかし、半導体合金膜、
背面リフレクタ及び前面電極の厚みの合計が1.0マイク
ロメートル以下で、しばしば1.0マイクロメートル未満
であることが留意されなければならない。即ち、上記の
ような薄い膜は直接取り扱うにはあまりにデリケートで
あるので、代用基板からの除去の前に電池構造体に機械
的強度を付加するべく、支持材料が前面電極と結合さ
れ、もしくは該電極に貼り付けられる。かかる支持材料
は、本発明の目的を達成するため、前記代用基板より軽
量である必要がある。基板14並びにデポジットされた諸
層は最後のガスゲート62からチャンバ56を出て積層ステ
ーションに至り、このステーションにおいて、半導体合
金膜が光起電力的用途に用いられる場合には透明でなけ
ればならないラミネートが前面電極に付与される。上記
のようなラミネートの材料として、例えばエチルビニル
アセテートが用いられ得る。積層材料は供給コイル64か
ら１対のローラ66に供給され、これらのローラ66を基板
14並びにデポジットされた半導体合金膜は同時に通過す
る。ローラ66は好ましくは、支持材料を半導体合金膜と
結合させるのに必要なだけ加熱され、一方該ローラ66は
膜に、損傷回避のために可能な最小圧力を及ぼす。ある
いは他の場合には、支持材料は半導体合金膜との結合の
ための感圧接着剤で被覆され得る。ラミネートを付与さ
れた半導体合金膜は以後の取り扱いに耐え得るような十
分な強度を有するので、基板14から分離され得る。
基板14、半導体合金膜、並びにラミネートを付与された
支持材料は次に分離ステーション68へと移動する。半導
体合金膜が代用基板14に良く付着していなければ、基板
14はローラ18を巡っての移動の際に撓むだけで半導体合
金膜並びにラミネートを付与された支持材料から分離し
得る。あるいは、膜、基板14、並びにラミネートを付与
された支持材料は示差的な熱衝撃（differential ther-
mal shock）に晒され得る。基板14と半導体合金膜との
熱膨張率差は半導体合金膜と支持材料との熱膨張率差よ
り大きいので、上記熱衝撃は基板14の半導体合金膜及び
ラミネートからの分離を惹起する。分離後、基板14はロ
ーラ20及び22を巡って移動し続け、半導体合金膜の連続
加工において再使用される。半導体合金膜並びにラミネ
ートを付与された支持材料は、後に説明するような加工
を更に施されるべく先へ送られる。
ステーション68で基板14と半導体合金膜との組み合わせ
に熱衝撃を与えるのには様々な手段が用いられ得、その
第一の好ましい具体例を第３図に示す。一組の輻射ヒー
タ302が、基板14を加熱するべく該基板14近傍に配置さ
れている。基板14は半導体合金膜より急速に膨張するの
で、ヒータ302からの熱は所望の分離を達成する。ヒー
タ302は、該ヒータ302をその他の加工設備から隔離し、
また半導体合金膜との、場合によっては損傷をもたらす
機械的接触を防止するシールを必要としない。
熱衝撃処理の第二の好ましい具体例を第２図に示す。こ
の例では、互いに対向して配置された１対のローラ202
及び204がそれぞれ基板14並びに半導体合金膜の露出し
た表面に接触する。代用基板14に接触するローラ202
は、相対的に冷たいかまたは熱い液体206を収容する。
ローラ202と基板14との間の伝熱が、基板14を半導体合
金膜から分離する熱衝撃をもたらす。所望の温度を維持
するべくローラ202内に液体を連続的に循環させ得るよ
うに、ローラ202は囲繞12を越えて伸長し得、あるいは
またローラ202内部に囲繞12外から到達可能であり得
る。
半導体合金膜並びにラミネートを付与された支持材料が
基板14から分離された後、更に加工が行なわれ得る。半
導体合金膜が基板14から剥がされると、場合によっては
デポジットされている背面電極にアクセス可能となり、
背面電極はレーザスクライバによって、先に半導体合金
膜及び透明導電層がパターンを付与されたのと同様にし
て電気的相互接続パターンを付与され得る。このために
囲繞12内には、導電背面電極を所定パターンに従って走
査して該電極の一部を除去し、それによって所望の相互
接続を形成するレーザ80が、露出された背面電極近傍に
位置するように配置されている。図中、レーザ80は囲繞
12内に配置されているが、レーザスクライビング工程に
おいて生じる屑を収容し、集める独立のチャンバ内に有
効に配置されることも本発明の精神もしくは範囲を逸脱
することなく可能である。
背面電極がパターンを付与された後、光起電力材料ウェ
ブの”基板”側との電気接触を完成するべく付加的な電
極形成が行なわれ得る。上記接触は、レーザ80によって
形成されたパターンに従って半導体合金膜に付着させら
れる材料ロールに予めデポジットされていても、また半
導体合金膜に該膜のパターン付き背面電極に従って付着
させられる、ロールに巻かれた連続する網状ウェブに予
めデポジットされていてもよい。上記のような材料膜あ
るいは網状ウェブのコイル82は、ラミネートを有する半
導体合金膜の移動するウェブの近傍に配置されており、
材料膜あるいは網状ウェブは前記移動ウェブの両側に互
いに対向して配置された１対のローラ84間で半導体合金
膜のパターン付き背面電極と結合（接着）される。この
結合は、熱的に補助され得る。
最後に、光起電力材料ウェブ裏側に補強及び保護のため
の背面ラミネートが、重量の実質的増加を伴わずに付与
され得る。このために、供給ロール86に巻かれたエチレ
ン、ビニルアセテート、フルオロポリマー、アクリルあ
るいはポリイミドのような軽量ポリマーフィルムがラミ
ネートを有する半導体合金膜のウェブに、該ウェブの両
側に互いに対向して配置された２個のローラ88間で付着
させられる。ポリマーフィルムはウェブに熱的に結合さ
れ得、あるいはまた感圧接着剤が使用されてもよい。
完成された軽量かつ大面積の光電池アレイは、巻き取り
コイル90に集積及び貯蔵される。ローラ88と巻き取りコ
イル90との間に配置された案内及び張りローラ92はラミ
ネートを有する光起電力材料のウェブに適当な張りを維
持し、かつ前記ウェブを適当な横方向位置に保持する。
第１図は特別の加工シーケンスに関して説明されたが、
加工の諸ステップは異なる順序でも実施され得、また幾
つかのステップが省略され、あるいは付加されることも
可能である。例えば、背面電極のデポジションをその他
の加工が完了するまで行わないことにより半導体合金膜
を代用基板14に直接デポジットすることが望ましい場合
が有る。この場合、代用基板14を半導体合金膜から分離
した後のあらゆる加工は、装置10ではなく別の装置で実
施される。また、屑が生じるのを回避するために、半導
体合金膜並びに光起電力材料ウエブ表側にデポジットさ
れた透明導電層に装置10においてはパターンを形成しな
いことが望ましいかもしれない。この場合にも、半導体
合金膜を代用基板14から分離した後の加工ステップは装
置10では実施されない。半導体合金膜へのパターン形成
は、該膜裏側からの水噴射、レーザスクライビング、あ
るいは化学的もしくは電気化学的エッチングによって行
なわれ得よう。この加工ステップの後、電気接触が半導
体合金膜裏側に付着させられ、最後にラミネートが電気
接触を具えた半導体合金膜の裏側に、構造体全体を保護
及び強化するべく設けられる。
第１図の装置10では、代用基板14は無端のバンドとして
示されているが、連続加工は長尺の代用基板14を用いて
も同様に実施され得る。その場合、ローラ22は基板材料
の供給コイルによって置き換えられ、またローラ20は、
半導体合金膜が基板にデポジットされ、かつ該基板から
分離された後に代用基板を取り込む巻き取りリールによ
って置き換えられる。
本明細書では本発明を幾つかの好ましい具体例において
説明したが、本発明の精神の中での様々な変形及び付加
が当業者によってなされよう。従って、本発明の範囲
は、特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法の原理を実現するべく構成された連
続デポジション、基板除去及びラミネート形成装置の一
具体例の概略的断面図、第２図は本発明の第一の具体例
によって熱衝撃を付与するデバイスの概略的断面図、第
３図は第２図の熱衝撃デバイスの変形例の概略的断面図
である。 10……装置、12……囲繞、14……基板、16,18,20,22,6
6,84,88,202,204……ローラ、24,32,34,36,46,52,56…
…チャンバ、26,30,40,42,44,50,58,62……ガスゲー
ト、28,54……スパッタリングソース、38……カソー
ド、48,60……レーザスクライバ、64,86……供給コイ
ル、68……分離ステーション、80……レーザ、82……コ
イル、90……巻き取りコイル、92……案内及び張りロー
ラ、206……液体、302……輻射ヒータ。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】代用基板上に１マイクロメートルより薄い
    半導体合金膜を堆積する第１の工程と、 前記第１項の工程の後に、堆積した前記半導体合金膜上
    に、前記代用基板より軽量の支持材料を付着させる第２
    の工程と、 前記第２の工程の後に、前記代用基板を前記半導体合金
    膜および前記支持材料から分離する第３の工程と、 を含む軽量薄膜光電池アレイの製造方法。
  2. 【請求項２】前記第２の工程では、前記支持材料を前記
    半導体合金膜に熱によって接着する特許請求の範囲第１
    項記載の軽量薄膜光電池アレイの製造方法。
  3. 【請求項３】前記代用基板が無端のバンドである特許請
    求の範囲第１項または第２項記載の軽量薄膜光電池アレ
    イの製造方法。
  4. 【請求項４】前記第１の工程では、前記半導体合金膜を
    グロー放電により堆積する特許請求の範囲第１項ないし
    第３項のいずれかに記載の軽量薄膜光電池アレイの製造
    方法。
  5. 【請求項５】前記第３の工程では、熱を利用して前記代
    用基板を前記半導体合金膜および前記支持材料から分離
    する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
    載の軽量薄膜光電池アレイの製造方法。
  6. 【請求項６】前記代用基板はステンレス網である特許請
    求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の軽量薄
    膜光電池アレイの製造方法。
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