JPH0746854A - 電源装置及び半導体素子の製造方法 - Google Patents

電源装置及び半導体素子の製造方法

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JPH0746854A
JPH0746854A JP5188138A JP18813893A JPH0746854A JP H0746854 A JPH0746854 A JP H0746854A JP 5188138 A JP5188138 A JP 5188138A JP 18813893 A JP18813893 A JP 18813893A JP H0746854 A JPH0746854 A JP H0746854A
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JP
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direct current
phase
microcomputer
magnetic field
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JP5188138A
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English (en)
Inventor
Noriyoshi Kajitani
憲美 梶谷
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来は有磁場ドライエッチング装置用の回転
磁界専用の電源であったものを、3直流が出力できるよ
うに配線とマイクロコンピュータ8のプログラムを追加
して、マルチ磁界電源を作るものである。 【構成】 3相交流を整流するダイオードモジュール1
と、直流電圧をPWM制御するトランジスタモジュール
9と、トランジスタモジュール9を3相交流や3直流が
出力できるようにスイッチング動作指令するマイクロコ
ンピュータ8と、各相の出力状態をマイクロコンピュー
タ8にフィードバックするカレントトランス16、1
7、18とから構成される。 【効果】 従来は有磁場ドライエッチング装置専用の回
転磁界用電源であったのを、一部配線とマイクロコンピ
ュータ8のプログラムに直流用プログラムを追加するこ
とで、安価なマルチパワー電源を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、有磁場ドライエッチ
ング装置の回転磁界用の電源としても使用できるし、E
CR(Electron Cyclotron Resonance)エッチング装置
の有磁場用直流電源としても、切換使用できる電源装置
及び該電源装置を用いて半導体装置を製造する半導体装
置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の電源装置の構成について図5を参
照しながら説明する。図5は、回転磁界用の従来の電源
装置の構成を示す図である。
【0003】図5において、1はAC200V3φの電
流を全波整流するダイオードモジュール、9は整流され
た直流を3相交流に変換する、3回路のトランジスタ
(Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5及びTr
6)により構成したトランジスタモジュールである。ま
た、8はトランジスタモジュール9の各トランジスタT
r1〜Tr6をPWM制御し3相交流を発生させるため
のマイクロコンピュータ(CPU)である。
【0004】さらに、19は3相で回転磁界を発生させ
るための回転磁界用コイルであり、各相に流れる電流は
各カレントトランス(変流器)16、17及び18(C
T1、CT2及びCT3)によりマイクロコンピュータ
8にフィードバックする構成となっている。
【0005】ダイオードモジュール1は、6個のダイオ
ード2、3、4、5、6及び7から構成されている。ま
た、トランジスタモジュール9は、6個のトランジスタ
10、11、12、13、14及び15から構成されて
いる。
【0006】つぎに、前述した従来の電源装置の動作に
ついて説明する。R、S及びT端子に入力したAC20
0V3φの交流をダイオードモジュール1により全波整
流して、所定の直流(DC)電圧を得る。その直流(D
C)電圧をトランジスタモジュール9により各相をPW
M制御することで、3相交流を発生させる。
【0007】各相(U、V、W)を定電流、定周波で制
御(コントロール)するのが、マイクロコンピュータ
(CPU)8であり、各相の出力はカレントトランス
(CT1、CT2及びCT3)16、17及び18によ
りマイクロコンピュータ8にフィードバックされる構成
となっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述したような回転磁
界用の従来の電源装置は、定電流・定周波の3相交流し
か発生させる機能しか持っていない専用電源であった。
これは有磁場エッチング装置の回転磁界用電源専用であ
り、使用効率が悪いという問題点があった。
【0009】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、有磁場エッチング装置の回転磁界
用電源として使用でき、切換によりECRエッチング装
置の静磁場用直流電源としても使用できる電源装置を得
ることを目的とする。
【0010】また、この発明は、切換使用できる電源装
置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法
を得ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る電源装置は、次に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 3相交流を整流して直流電圧を生成するダイオ
ードモジュール。 〔2〕 前記直流電圧を3相交流出力及び直流出力に変
換するトランジスタモジュール。 〔3〕 前記3相交流出力及び直流出力から検出された
電流に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制
御するマイクロコンピュータ。
【0012】この発明の請求項2に係る電源装置は、次
に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 3相交流を整流して直流電圧を生成するダイオ
ードモジュール。 〔2〕 前記直流電圧を3相交流出力及び直流出力に変
換し、前記直流出力をアース端子に送出するトランジス
タモジュール。 〔3〕 前記3相交流出力及び直流出力から検出された
電流に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制
御するマイクロコンピュータ。
【0013】この発明の請求項3に係る電源装置は、次
に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 3相交流を整流して直流電圧を生成するダイオ
ードモジュール。 〔2〕 前記直流電圧を3相交流出力及び直流出力に変
換して出力端子に送出するトランジスタモジュール。 〔3〕 前記出力端子で検出された電流に基づいて前記
トランジスタモジュールをPWM制御するマイクロコン
ピュータ。
【0014】この発明の請求項4に係る電源装置は、次
に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 3相交流を整流して直流電圧を生成するダイオ
ードモジュール。 〔2〕 前記直流電圧を3相交流出力及び直流出力に変
換するトランジスタモジュール。 〔3〕 前記3相交流出力及び直流出力から検出された
電流に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制
御するマイクロコンピュータ。 〔4〕 前記3相交流出力を有磁場ドライエッチング装
置用として、前記直流出力をECRエッチング装置用と
して使用することを前記マイクロコンピュータに入力す
る切換スイッチ。
【0015】この発明の請求項5に係る半導体装置の製
造方法は、3相交流を整流して直流電圧を生成するダイ
オードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及び直
流出力に変換するトランジスタモジュール、並びに前記
3相交流出力及び直流出力から検出された電流に基づい
て前記トランジスタモジュールをPWM制御するマイク
ロコンピュータを備えた電源装置からの3相交流出力に
より有磁場ドライエッチング装置のチャンバーに回転磁
界を与えてプラズマを高密度・均一性にする工程を含む
ものである。
【0016】この発明の請求項6に係る半導体装置の製
造方法は、3相交流を整流して直流電圧を生成するダイ
オードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及び直
流出力に変換するトランジスタモジュール、並びに前記
3相交流出力及び直流出力から検出された電流に基づい
て前記トランジスタモジュールをPWM制御するマイク
ロコンピュータを備えた電源装置からの直流出力により
ECRエッチング装置に静磁場を与えてチャンバープラ
ズマをECR状態にして半導体装置をエッチングする工
程を含むものである。
【0017】
【作用】この発明の請求項1に係る電源装置において
は、ダイオードモジュールによって、3相交流が整流さ
れて直流電圧が生成される。また、トランジスタモジュ
ールによって、前記直流電圧が3相交流出力及び直流出
力に変換される。さらに、マイクロコンピュータによっ
て、前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールがPWM制御さ
れる。
【0018】この発明の請求項2に係る電源装置におい
ては、ダイオードモジュールによって、3相交流が整流
されて直流電圧が生成される。また、トランジスタモジ
ュールによって、前記直流電圧が3相交流出力及び直流
出力に変換され、前記直流出力がアース端子に送出され
る。さらに、マイクロコンピュータによって、前記3相
交流出力及び直流出力から検出された電流に基づいて前
記トランジスタモジュールがPWM制御される。
【0019】この発明の請求項3に係る電源装置におい
ては、ダイオードモジュールによって、3相交流が整流
されて直流電圧が生成される。また、トランジスタモジ
ュールによって、前記直流電圧が3相交流出力及び直流
出力に変換されて出力端子に送出される。さらに、マイ
クロコンピュータによって、前記出力端子で検出された
電流に基づいて前記トランジスタモジュールがPWM制
御される。
【0020】この発明の請求項4に係る電源装置におい
ては、ダイオードモジュールによって、3相交流が整流
されて直流電圧が生成される。また、トランジスタモジ
ュールによって、前記直流電圧が3相交流出力及び直流
出力に変換される。さらに、マイクロコンピュータによ
って、前記3相交流出力及び直流出力から検出された電
流に基づいて前記トランジスタモジュールがPWM制御
される。そして、切換スイッチによって、前記3相交流
出力が有磁場ドライエッチング装置用として、前記直流
出力がECRエッチング装置用として使用されることが
前記マイクロコンピュータに入力される。
【0021】この発明の請求項5に係る半導体装置の製
造方法においては、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出
力及び直流出力に変換するトランジスタモジュール、並
びに前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御す
るマイクロコンピュータを備えた電源装置からの3相交
流出力により、有磁場ドライエッチング装置のチャンバ
ーに回転磁界が与えられてプラズマが高密度・均一性に
される。
【0022】この発明の請求項6に係る半導体装置の製
造方法においては、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出
力及び直流出力に変換するトランジスタモジュール、並
びに前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御す
るマイクロコンピュータを備えた電源装置からの直流出
力により、ECRエッチング装置に静磁場が与えられて
チャンバープラズマがECR状態にされて半導体装置が
エッチングされる。
【0023】
【実施例】実施例1.以下、この発明の実施例1の構成
について図1を参照しながら説明する。図1は、この発
明の実施例1の構成を示す図であり、ダイオードモジュ
ール1〜カレントトランス18は上述した従来装置のも
のと同様である。なお、各図中、同一符号は同一又は相
当部分を示す。
【0024】図1において、1はAC200V3φを整
流するダイオードモジュールであり、6個のダイオード
2、3、4、5、6及び7から構成されている。9は直
流をPWM制御するトランジスタモジュールであり、6
個のトランジスタ10、11、12、13、14及び1
5から構成されている。
【0025】また、8は3相交流の電流・周波数と3回
路に直流出力させるためにトランジスタモジュール9の
各トランジスタ10〜15をコントロールするマイクロ
コンピュータ(CPU)である。16、17及び18は
各相(U、V、W)の出力をマイクロコンピュータ8に
フィードバックさせるためのカレントランス(CT1、
CT2及びCT3)である。
【0026】さらに、20は3相交流出力と直流3回路
出力の切換スイッチ(SW)、21は出力端子台であ
り、出力端子(U、V、W)22、23、24とアース
端子(E1、E2、E3)25、26、27から構成さ
れている。
【0027】つぎに、前述した実施例1の動作について
図2、図3及び図4を参照しながら説明する。図2は、
この発明の実施例1の動作を示すフローチャートであ
る。また、図3は、この発明の実施例1の3相PWM制
御による交流出力を示す図である。さらに、図4は、こ
の発明の実施例1のPWM制御による直流出力を示す図
である。
【0028】図3において、19は出力端子22、23
及び24に接続された回転磁界用コイルである。また、
28は3相PWM制御電流(iU、iV、iW)である。
【0029】図4において、29は直流を発生させるた
めの直流出力用PWM電圧(VUE1)、30は静磁場用
コイル32、33、34に流す直流電流(iDU)、31
は静磁場用直流回路である。なお、直流出力用PWM電
圧(VUE1)は出力端子(U)22と、アース端子(E
1)25の間に出力される電圧である。また、直流電流
(iDU)は出力端子(U)22と、アース端子(E1)
25の間に接続された静磁場用コイル32に流れる電流
である。
【0030】この実施例1は、R、S及びT端子に入力
したAC200V3φの交流をダイオードモジュール1
により全波整流して、所定の直流(DC)電圧を得る。
そして、その直流電圧をトランジスタモジュール9によ
り各相(U、V、W)をPWM制御することで、3相交
流を発生させたり、直流を発生させる。
【0031】図3に示すように、マイクロコンピュータ
(CPU)8は、トランジスタモジュール9をPWM制
御することにより、3相PWM制御電流28を発生さ
せ、回転磁界用コイル19により回転磁界を作る。
【0032】また、図4に示すように、マイクロコンピ
ュータ(CPU)8は、トランジスタモジュール9の各
相毎にPWM制御することにより、直流電流30を作る
ことができる。
【0033】図1に示すカレントトランス(CT1、C
T2、CT3)16、17、18からの出力をマイクロ
コンピュータ8にフィードバックさせることにより、マ
イクロコンピュータ8は3相交流としては電流値と周波
数、直流としては直流値を一定にコントロールすること
ができる。
【0034】ステップ40〜41において、マイクロコ
ンピュータ(CPU)8は、スイッチデータを読込み
(ピックアップ)し、切換スイッチ20がONか否かを
判断する。切換スイッチ20がOFFの場合は、ステッ
プ42に進み、ONの場合にはステップ43に進む。
【0035】ステップ42において、マイクロコンピュ
ータ(CPU)8は、3相交流を出力するように、トラ
ンジスタモジュール9を制御する。
【0036】すなわち、マイクロコンピュータ8は、ト
ランジスタモジュール9をPWM制御して、図3に示す
3相PWM制御電流(iU、iV、iW)28を生成し、
回転磁界用コイル19に流す。
【0037】ステップ43において、マイクロコンピュ
ータ(CPU)8は、直流を出力するように、トランジ
スタモジュール9を制御する。
【0038】すなわち、マイクロコンピュータ8は、出
力端子(U、V、W)22〜24に直流出力を得るため
に、トランジスタモジュール9のトランジスタ(Tr
1、Tr3、Tr5)10、12、14を所定時間ON
し、図4(a)に示す直流出力用PWM電圧(VUE1
VE2、VWE3)29を発生させる。そして、図4(b)
に示す静磁場用直流回路31の各静磁場用コイル32、
33、34に印加すると、図4(a)に示す直流電流
(iDU、iDV、iDW)30が流れる。なお、前述したよ
うに、同時に3つの直流回路から直流電流を出力できる
し、希望の直流回路だけから直流電流を出力することも
できる。
【0039】この実施例1は、3相出力用のトランジス
タモジュール9のPWM制御により、3相の交流出力と
3回路の直流出力を持ったものである。
【0040】また、3相交流出力は有磁場ドライエッチ
ング装置用の回転磁界として使用し、3回路直流電源は
ECRエッチング装置の静磁場を発生させる製造装置で
ある。
【0041】さらに、エッチング装置のチャンバーに回
転磁界を与え、プラズマを高密度・均一性にするのと、
静磁場として875ガウス(gauss)を与えることによ
りチャンバープラズマをECR状態にして集積回路(I
C)をエッチングするプロセスで使用するものである。
【0042】この実施例1は、3相交流出力と直流3回
路出力を切換出力できるように機能を追加したものであ
る。直流3回路出力にするために、図1に示すトランジ
スタ10と11、12と13、14と15の各回路毎
に、PWM制御することで所定の直流電流値が設定でき
るようにマイクロコンピュータ8とカレントトランス1
6、17、18でコントロールできるようにしたもので
ある。
【0043】従って、トランジスタモジュール9のPW
M制御を3相交流コントロールと直流生成コントロール
が両方できるように配線と出力端子台21を設け、それ
にマイクロコンピュータ8のプログラムに直流が生成で
きる機能を追加することで、交/直のマルチ電源を安価
に得られる効果がある。
【0044】この発明の実施例1は、前述したように、
従来は有磁場ドライエッチング装置用の回転磁界専用の
電源であったものを、3直流が出力できるように配線と
マイクロコンピュータ8のプログラムを追加して、マル
チ磁界電源を作るものである。この実施例1に係るPW
M方式による電源装置は、3相交流を整流するダイオー
ドモジュール1と、直流電圧をPWM制御するトランジ
スタモジュール9と、トランジスタモジュール9を3相
交流や3直流が出力できるようにスイッチング動作指令
するマイクロコンピュータ8と、各相の出力状態をマイ
クロコンピュータ8にフィードバックするカレントトラ
ンス16、17、18とから構成される。従来は有磁場
ドライエッチング装置専用の回転磁界用電源であったの
を、一部配線とマイクロコンピュータ8のプログラムに
直流用プログラムを追加することで、安価なマルチパワ
ー電源を得ることができる。
【0045】なお、上記実施例1ではカレントトランス
16、17、18によって出力電流を検出してマイクロ
コンピュータ8にフィードバックしていたが、3相交流
出力回路つまり出力端子(U、V、W)22〜24で電
流計等により出力電流を検出してもよい。負荷変動に対
して定電流の供給を補償することができる。交/直流時
の電流計等を共用することが可能である。
【0046】また、直流に切り換えたときは、出力電流
を、出力端子(U、V、W)22〜24あるいはアース
端子(E1、E2、E3)25〜27のいずれでも検出
してもよい。
【0047】
【発明の効果】この発明の請求項1に係る電源装置は、
以上説明したとおり、3相交流を整流して直流電圧を生
成するダイオードモジュールと、前記直流電圧を3相交
流出力及び直流出力に変換するトランジスタモジュール
と、前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御す
るマイクロコンピュータとを備えたので、負荷変動に対
して定電流の供給を補償することができるという効果を
奏する。また、交直切換による共用化を図ることができ
るので安価に製造することができるという効果を奏す
る。
【0048】この発明の請求項2に係る電源装置は、以
上説明したとおり、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュールと、前記直流電圧を3相交流
出力及び直流出力に変換し、前記直流出力をアース端子
に送出するトランジスタモジュールと、前記3相交流出
力及び直流出力から検出された電流に基づいて前記トラ
ンジスタモジュールをPWM制御するマイクロコンピュ
ータとを備えたので、負荷変動に対して定電流の供給を
補償することができるという効果を奏する。また、交直
切換による共用化を図ることができるので安価に製造す
ることができるという効果を奏する。さらに、1個のト
ランジスタモジュールで3回路の直流電源を構成でき、
個々の回路毎の定電流設定ができるという効果を奏す
る。
【0049】この発明の請求項3に係る電源装置は、以
上説明したとおり、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュールと、前記直流電圧を3相交流
出力及び直流出力に変換して出力端子に送出するトラン
ジスタモジュールと、前記出力端子で検出された電流に
基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御する
マイクロコンピュータを備えたので、負荷変動に対して
定電流の供給を補償することができるという効果を奏す
る。また、交直切換による共用化を図ることができるの
で安価に製造することができるという効果を奏する。さ
らに、交直両方の電流検出手段を共用することができる
という効果を奏する。
【0050】この発明の請求項4に係る電源装置は、以
上説明したとおり、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュールと、前記直流電圧を3相交流
出力及び直流出力に変換するトランジスタモジュール
と、前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御す
るマイクロコンピュータと、前記3相交流出力を有磁場
ドライエッチング装置用として、前記直流出力をECR
エッチング装置用として使用することを前記マイクロコ
ンピュータに入力する切換スイッチとを備えたので、負
荷変動に対して定電流の供給を補償することができると
いう効果を奏する。また、交直切換による共用化を図る
ことができるので安価に製造することができるという効
果を奏する。
【0051】この発明の請求項5に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、3相交流を整流して直
流電圧を生成するダイオードモジュール、前記直流電圧
を3相交流出力及び直流出力に変換するトランジスタモ
ジュール、並びに前記3相交流出力及び直流出力から検
出された電流に基づいて前記トランジスタモジュールを
PWM制御するマイクロコンピュータを備えた電源装置
からの3相交流出力により有磁場ドライエッチング装置
のチャンバーに回転磁界を与えてプラズマを高密度・均
一性にする工程を含むので、交直切換による共用化を図
ることができるため安価に製造することができるという
効果を奏する。
【0052】この発明の請求項6に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、3相交流を整流して直
流電圧を生成するダイオードモジュール、前記直流電圧
を3相交流出力及び直流出力に変換するトランジスタモ
ジュール、並びに前記3相交流出力及び直流出力から検
出された電流に基づいて前記トランジスタモジュールを
PWM制御するマイクロコンピュータを備えた電源装置
からの直流出力によりECRエッチング装置に静磁場を
与えてチャンバープラズマをECR状態にして半導体装
置をエッチングする工程を含むので、交直切換による共
用化を図ることができるため安価に製造することができ
るという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1の構成を示す図である。
【図2】この発明の実施例1の動作を示すフローチャー
トである。
【図3】この発明の実施例1の3相PWM制御による回
転磁界を示す図である。
【図4】この発明の実施例1のPWM制御による直流電
源を示す図である。
【図5】回転磁界用の従来の電源装置の構成を示す図で
ある。
【符号の説明】
1 ダイオードモジュール 8 マイクロコンピュータ 9 トランジスタモジュール 19 回転磁界用コイル 20 切換スイッチ 21 出力端子台 28 3相PWM制御電流 29 直流出力用PWM電圧 30 直流電流 31 静磁場用直流回路
【手続補正書】
【提出日】平成6年9月29日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 電源装置及び半導体素子の製造方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、有磁場ドライエッチ
ング装置の回転磁界用の電源としても使用できるし、E
CR(Electron Cyclotron Resonance)エッチング装置
の有磁場用直流電源としても、切換使用できる電源装置
及び該電源装置を用いて半導体素子を製造する半導体素
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の電源装置の構成について図5を参
照しながら説明する。図5は、回転磁界用の従来の電源
装置の構成を示す図である。
【0003】図5において、1はAC200V3φの電
流を全波整流するダイオードモジュール、9は整流され
た直流を3相交流に変換する、3回路のトランジスタ
(Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5及びTr
6)により構成したトランジスタモジュールである。ま
た、8はトランジスタモジュール9の各トランジスタT
r1〜Tr6をPWM制御し3相交流を発生させるため
のマイクロコンピュータ(CPU)である。
【0004】さらに、19は3相で回転磁界を発生させ
るための回転磁界用コイルであり、各相に流れる電流は
各カレントトランス(変流器)16、17及び18(C
T1、CT2及びCT3)によりマイクロコンピュータ
8にフィードバックする構成となっている。
【0005】ダイオードモジュール1は、6個のダイオ
ード2、3、4、5、6及び7から構成されている。ま
た、トランジスタモジュール9は、6個のトランジスタ
10、11、12、13、14及び15から構成されて
いる。
【0006】つぎに、前述した従来の電源装置の動作に
ついて説明する。R、S及びT端子に入力したAC20
0V3φの交流をダイオードモジュール1により全波整
流して、所定の直流(DC)電圧を得る。その直流(D
C)電圧をトランジスタモジュール9により各相をPW
M制御することで、3相交流を発生させる。
【0007】各相(U、V、W)を定電流、定周波で制
御(コントロール)するのが、マイクロコンピュータ
(CPU)8であり、各相の出力はカレントトランス
(CT1、CT2及びCT3)16、17及び18によ
りマイクロコンピュータ8にフィードバックされる構成
となっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述したような回転磁
界用の従来の電源装置は、定電流・定周波の3相交流し
か発生させる機能しか持っていない専用電源であった。
これは有磁場エッチング装置の回転磁界用電源専用であ
り、使用効率が悪いという問題点があった。
【0009】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、有磁場エッチング装置の回転磁界
用電源として使用でき、切換によりECRエッチング装
置の静磁場用直流電源としても使用できる電源装置を得
ることを目的とする。
【0010】また、この発明は、切換使用できる電源装
置を用いて半導体素子を製造する半導体素子の製造方法
を得ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る電源装置は、次に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 3相交流を整流して直流電圧を生成するダイオ
ードモジュール。 〔2〕 前記直流電圧を3相交流出力及び直流出力に変
換するトランジスタモジュール。 〔3〕 前記3相交流出力及び直流出力から検出された
電流に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制
御するマイクロコンピュータ。
【0012】この発明の請求項2に係る電源装置は、次
に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 3相交流を整流して直流電圧を生成するダイオ
ードモジュール。 〔2〕 前記直流電圧を直流出力に変換し、前記直流出
力をアース端子に送出するトランジスタモジュール。 〔3〕 前記直流出力から検出された電流に基づいて前
記トランジスタモジュールをPWM制御するマイクロコ
ンピュータ。
【0013】この発明の請求項3に係る電源装置は、次
に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 3相交流を整流して直流電圧を生成するダイオ
ードモジュール。 〔2〕 前記直流電圧を3相交流出力及び直流出力に変
換して出力端子に送出するトランジスタモジュール。 〔3〕 前記出力端子で検出された電流に基づいて前記
トランジスタモジュールをPWM制御するマイクロコン
ピュータ。
【0014】この発明の請求項4に係る電源装置は、次
に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 3相交流を整流して直流電圧を生成するダイオ
ードモジュール。 〔2〕 前記直流電圧を3相交流出力及び直流出力に変
換するトランジスタモジュール。 〔3〕 前記3相交流出力及び直流出力から検出された
電流に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制
御するマイクロコンピュータ。 〔4〕 前記3相交流出力を有磁場ドライエッチング装
置用として、前記直流出力をECRエッチング装置用と
して使用することを前記マイクロコンピュータに入力す
る切換スイッチ。
【0015】この発明の請求項5に係る半導体素子の製
造方法は、3相交流を整流して直流電圧を生成するダイ
オードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及び直
流出力に変換するトランジスタモジュール、並びに前記
3相交流出力及び直流出力から検出された電流に基づい
て前記トランジスタモジュールをPWM制御するマイク
ロコンピュータを備えた電源装置からの3相交流出力に
より有磁場ドライエッチング装置のチャンバーに回転磁
界を与えてプラズマを高密度・均一性にする工程を含む
ものである。
【0016】この発明の請求項6に係る半導体素子の製
造方法は、3相交流を整流して直流電圧を生成するダイ
オードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及び直
流出力に変換するトランジスタモジュール、並びに前記
3相交流出力及び直流出力から検出された電流に基づい
て前記トランジスタモジュールをPWM制御するマイク
ロコンピュータを備えた電源装置からの直流出力により
ECRエッチング装置に静磁場を与えてチャンバープラ
ズマをECR状態にして半導体素子をエッチングする工
程を含むものである。
【0017】
【作用】この発明の請求項1に係る電源装置において
は、ダイオードモジュールによって、3相交流が整流さ
れて直流電圧が生成される。また、トランジスタモジュ
ールによって、前記直流電圧が3相交流出力及び直流出
力に変換される。さらに、マイクロコンピュータによっ
て、前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールがPWM制御さ
れる。
【0018】この発明の請求項2に係る電源装置におい
ては、ダイオードモジュールによって、3相交流が整流
されて直流電圧が生成される。また、トランジスタモジ
ュールによって、前記直流電圧が直流出力に変換され、
前記直流出力がアース端子に送出される。さらに、マイ
クロコンピュータによって、前記3相交流出力及び直流
出力から検出された電流に基づいて前記トランジスタモ
ジュールがPWM制御される。
【0019】この発明の請求項3に係る電源装置におい
ては、ダイオードモジュールによって、3相交流が整流
されて直流電圧が生成される。また、トランジスタモジ
ュールによって、前記直流電圧が3相交流出力及び直流
出力に変換されて出力端子に送出される。さらに、マイ
クロコンピュータによって、前記出力端子で検出された
電流に基づいて前記トランジスタモジュールがPWM制
御される。
【0020】この発明の請求項4に係る電源装置におい
ては、ダイオードモジュールによって、3相交流が整流
されて直流電圧が生成される。また、トランジスタモジ
ュールによって、前記直流電圧が3相交流出力及び直流
出力に変換される。さらに、マイクロコンピュータによ
って、前記3相交流出力及び直流出力から検出された電
流に基づいて前記トランジスタモジュールがPWM制御
される。そして、切換スイッチによって、前記3相交流
出力が有磁場ドライエッチング装置用として、前記直流
出力がECRエッチング装置用として使用されることが
前記マイクロコンピュータに入力される。
【0021】この発明の請求項5に係る半導体素子の製
造方法においては、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出
力及び直流出力に変換するトランジスタモジュール、並
びに前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御す
るマイクロコンピュータを備えた電源装置からの3相交
流出力により、有磁場ドライエッチング装置のチャンバ
ーに回転磁界が与えられてプラズマが高密度・均一性に
される。
【0022】この発明の請求項6に係る半導体素子の製
造方法においては、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出
力及び直流出力に変換するトランジスタモジュール、並
びに前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御す
るマイクロコンピュータを備えた電源装置からの直流出
力により、ECRエッチング装置に静磁場が与えられて
チャンバープラズマがECR状態にされて半導体素子
エッチングされる。
【0023】
【実施例】実施例1.以下、この発明の実施例1の構成
について図1を参照しながら説明する。図1は、この発
明の実施例1の構成を示す図であり、ダイオードモジュ
ール1〜カレントトランス18は上述した従来装置のも
のと同様である。なお、各図中、同一符号は同一又は相
当部分を示す。
【0024】図1において、1はAC200V3φを整
流するダイオードモジュールであり、6個のダイオード
2、3、4、5、6及び7から構成されている。9は直
流をPWM制御するトランジスタモジュールであり、6
個のトランジスタ10、11、12、13、14及び1
5から構成されている。
【0025】また、8は3相交流の電流・周波数と3回
路に直流出力させるためにトランジスタモジュール9の
各トランジスタ10〜15をコントロールするマイクロ
コンピュータ(CPU)である。16、17及び18は
各相(U、V、W)の出力をマイクロコンピュータ8に
フィードバックさせるためのカレントランス(CT1、
CT2及びCT3)である。
【0026】さらに、20は3相交流出力と直流3回路
出力の切換スイッチ(SW)、21は出力端子台であ
り、出力端子(U、V、W)22、23、24とアース
端子(E1、E2、E3)25、26、27から構成さ
れている。
【0027】つぎに、前述した実施例1の動作について
図2、図3及び図4を参照しながら説明する。図2は、
この発明の実施例1の動作を示すフローチャートであ
る。また、図3は、この発明の実施例1の3相PWM制
御による交流出力を示す図である。さらに、図4は、こ
の発明の実施例1のPWM制御による直流出力を示す図
である。
【0028】図3において、19は出力端子22、23
及び24に接続された回転磁界用コイルである。また、
28は3相PWM制御電流(iU、iV、iW)である。
【0029】図4において、29は直流を発生させるた
めの直流出力用PWM電圧(VUE1)、30は静磁場用
コイル32、33、34に流す直流電流(iDU)、31
は静磁場用直流回路である。なお、直流出力用PWM電
圧(VUE1)は出力端子(U)22と、アース端子(E
1)25の間に出力される電圧である。また、直流電流
(iDU)は出力端子(U)22と、アース端子(E1)
25の間に接続された静磁場用コイル32に流れる電流
である。
【0030】この実施例1は、R、S及びT端子に入力
したAC200V3φの交流をダイオードモジュール1
により全波整流して、所定の直流(DC)電圧を得る。
そして、その直流電圧をトランジスタモジュール9によ
り各相(U、V、W)をPWM制御することで、3相交
流を発生させたり、直流を発生させる。
【0031】図3に示すように、マイクロコンピュータ
(CPU)8は、トランジスタモジュール9をPWM制
御することにより、3相PWM制御電流28を発生さ
せ、回転磁界用コイル19により回転磁界を作る。
【0032】また、図4に示すように、マイクロコンピ
ュータ(CPU)8は、トランジスタモジュール9の各
相毎にPWM制御することにより、直流電流30を作る
ことができる。
【0033】図1に示すカレントトランス(CT1、C
T2、CT3)16、17、18からの出力をマイクロ
コンピュータ8にフィードバックさせることにより、マ
イクロコンピュータ8は3相交流としては電流値と周波
数、直流としては直流値を一定にコントロールすること
ができる。
【0034】ステップ40〜41において、マイクロコ
ンピュータ(CPU)8は、スイッチデータを読込み
(ピックアップ)し、切換スイッチ20がONか否かを
判断する。切換スイッチ20がOFFの場合は、ステッ
プ42に進み、ONの場合にはステップ43に進む。
【0035】ステップ42において、マイクロコンピュ
ータ(CPU)8は、3相交流を出力するように、トラ
ンジスタモジュール9を制御する。
【0036】すなわち、マイクロコンピュータ8は、ト
ランジスタモジュール9をPWM制御して、図3に示す
3相PWM制御電流(iU、iV、iW)28を生成し、
回転磁界用コイル19に流す。
【0037】ステップ43において、マイクロコンピュ
ータ(CPU)8は、直流を出力するように、トランジ
スタモジュール9を制御する。
【0038】すなわち、マイクロコンピュータ8は、出
力端子(U、V、W)22〜24に直流出力を得るため
に、トランジスタモジュール9のトランジスタ(Tr
1、Tr3、Tr5)10、12、14を所定時間ON
し、図4(a)に示す直流出力用PWM電圧(VUE1
VE2、VWE3)29を発生させる。そして、図4(b)
に示す静磁場用直流回路31の各静磁場用コイル32、
33、34に印加すると、図4(a)に示す直流電流
(iDU、iDV、iDW)30が流れる。なお、前述したよ
うに、同時に3つの直流回路から直流電流を出力できる
し、希望の直流回路だけから直流電流を出力することも
できる。
【0039】この実施例1は、3相出力用のトランジス
タモジュール9のPWM制御により、3相の交流出力と
3回路の直流出力を持ったものである。
【0040】また、3相交流出力は有磁場ドライエッチ
ング装置用の回転磁界として使用し、3回路直流電源は
ECRエッチング装置の静磁場を発生させる電源装置
ある。
【0041】さらに、エッチング装置のチャンバーに回
転磁界を与え、プラズマを高密度・均一性にするのと、
静磁場として875ガウス(gauss)を与えることによ
りチャンバープラズマをECR状態にして集積回路(I
C)をエッチングするプロセスで使用するものである。
【0042】この実施例1は、3相交流出力と直流3回
路出力を切換出力できるように機能を追加したものであ
る。直流3回路出力にするために、図1に示すトランジ
スタ10と11、12と13、14と15の各回路毎
に、PWM制御することで所定の直流電流値が設定でき
るようにマイクロコンピュータ8とカレントトランス1
6、17、18でコントロールできるようにしたもので
ある。
【0043】従って、トランジスタモジュール9のPW
M制御を3相交流コントロールと直流生成コントロール
が両方できるように配線と出力端子台21を設け、それ
にマイクロコンピュータ8のプログラムに直流が生成で
きる機能を追加することで、交/直のマルチ電源を安価
に得られる効果がある。
【0044】この発明の実施例1は、前述したように、
従来は有磁場ドライエッチング装置用の回転磁界専用の
電源であったものを、3直流が出力できるように配線と
マイクロコンピュータ8のプログラムを追加して、マル
チ磁界電源を作るものである。この実施例1に係るPW
M方式による電源装置は、3相交流を整流するダイオー
ドモジュール1と、直流電圧をPWM制御するトランジ
スタモジュール9と、トランジスタモジュール9を3相
交流や3直流が出力できるようにスイッチング動作指令
するマイクロコンピュータ8と、各相の出力状態をマイ
クロコンピュータ8にフィードバックするカレントトラ
ンス16、17、18とから構成される。従来は有磁場
ドライエッチング装置専用の回転磁界用電源であったの
を、一部配線とマイクロコンピュータ8のプログラムに
直流用プログラムを追加することで、安価なマルチパワ
ー電源を得ることができる。
【0045】なお、上記実施例1ではカレントトランス
16、17、18によって出力電流を検出してマイクロ
コンピュータ8にフィードバックしていたが、3相交流
出力回路つまり出力端子(U、V、W)22〜24で電
流計等により出力電流を検出してもよい。負荷変動に対
して定電流の供給を補償することができる。交/直流時
の電流計等を共用することが可能である。
【0046】また、直流に切り換えたときは、出力電流
を、出力端子(U、V、W)22〜24あるいはアース
端子(E1、E2、E3)25〜27のいずれでも検出
してもよい。
【0047】
【発明の効果】この発明の請求項1に係る電源装置は、
以上説明したとおり、3相交流を整流して直流電圧を生
成するダイオードモジュールと、前記直流電圧を3相交
流出力及び直流出力に変換するトランジスタモジュール
と、前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御す
るマイクロコンピュータとを備えたので、負荷変動に対
して定電流の供給を補償することができるという効果を
奏する。また、交直切換による共用化を図ることができ
るので安価に製造することができるという効果を奏す
る。
【0048】この発明の請求項2に係る電源装置は、以
上説明したとおり、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュールと、前記直流電圧を直流出力
に変換し、前記直流出力をアース端子に送出するトラン
ジスタモジュールと、前記直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御す
るマイクロコンピュータとを備えたので、負荷変動に対
して定電流の供給を補償することができるという効果を
奏する。また、交直切換による共用化を図ることができ
るので安価に製造することができるという効果を奏す
る。さらに、1個のトランジスタモジュールで3回路の
直流電源を構成でき、個々の回路毎の定電流設定ができ
るという効果を奏する。
【0049】この発明の請求項3に係る電源装置は、以
上説明したとおり、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュールと、前記直流電圧を3相交流
出力及び直流出力に変換して出力端子に送出するトラン
ジスタモジュールと、前記出力端子で検出された電流に
基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御する
マイクロコンピュータを備えたので、負荷変動に対して
定電流の供給を補償することができるという効果を奏す
る。また、交直切換による共用化を図ることができるの
で安価に製造することができるという効果を奏する。さ
らに、交直両方の電流検出手段を共用することができる
という効果を奏する。
【0050】この発明の請求項4に係る電源装置は、以
上説明したとおり、3相交流を整流して直流電圧を生成
するダイオードモジュールと、前記直流電圧を3相交流
出力及び直流出力に変換するトランジスタモジュール
と、前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流
に基づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御す
るマイクロコンピュータと、前記3相交流出力を有磁場
ドライエッチング装置用として、前記直流出力をECR
エッチング装置用として使用することを前記マイクロコ
ンピュータに入力する切換スイッチとを備えたので、負
荷変動に対して定電流の供給を補償することができると
いう効果を奏する。また、交直切換による共用化を図る
ことができるので安価に製造することができるという効
果を奏する。
【0051】この発明の請求項5に係る半導体素子の製
造方法は、以上説明したとおり、3相交流を整流して直
流電圧を生成するダイオードモジュール、前記直流電圧
を3相交流出力及び直流出力に変換するトランジスタモ
ジュール、並びに前記3相交流出力及び直流出力から検
出された電流に基づいて前記トランジスタモジュールを
PWM制御するマイクロコンピュータを備えた電源装置
からの3相交流出力により有磁場ドライエッチング装置
のチャンバーに回転磁界を与えてプラズマを高密度・均
一性にする工程を含むので、交直切換による共用化を図
ることができるため安価に製造することができるという
効果を奏する。
【0052】この発明の請求項6に係る半導体素子の製
造方法は、以上説明したとおり、3相交流を整流して直
流電圧を生成するダイオードモジュール、前記直流電圧
を3相交流出力及び直流出力に変換するトランジスタモ
ジュール、並びに前記3相交流出力及び直流出力から検
出された電流に基づいて前記トランジスタモジュールを
PWM制御するマイクロコンピュータを備えた電源装置
からの直流出力によりECRエッチング装置に静磁場を
与えてチャンバープラズマをECR状態にして半導体素
をエッチングする工程を含むので、交直切換による共
用化を図ることができるため安価に製造することができ
るという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1の構成を示す図である。
【図2】この発明の実施例1の動作を示すフローチャー
トである。
【図3】この発明の実施例1の3相PWM制御による回
転磁界を示す図である。
【図4】この発明の実施例1のPWM制御による直流電
源を示す図である。
【図5】回転磁界用の従来の電源装置の構成を示す図で
ある。
【符号の説明】 1 ダイオードモジュール 8 マイクロコンピュータ 9 トランジスタモジュール 19 回転磁界用コイル 20 切換スイッチ 21 出力端子台 28 3相PWM制御電流 29 直流出力用PWM電圧 30 直流電流 31 静磁場用直流回路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 3相交流を整流して直流電圧を生成する
    ダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及
    び直流出力に変換するトランジスタモジュール、並びに
    前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流に基
    づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御するマ
    イクロコンピュータを備えたことを特徴とする電源装
    置。
  2. 【請求項2】 3相交流を整流して直流電圧を生成する
    ダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及
    び直流出力に変換し、前記直流出力をアース端子に送出
    するトランジスタモジュール、並びに前記3相交流出力
    及び直流出力から検出された電流に基づいて前記トラン
    ジスタモジュールをPWM制御するマイクロコンピュー
    タを備えたことを特徴とする電源装置。
  3. 【請求項3】 3相交流を整流して直流電圧を生成する
    ダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及
    び直流出力に変換して出力端子に送出するトランジスタ
    モジュール、並びに前記出力端子で検出された電流に基
    づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御するマ
    イクロコンピュータを備えたことを特徴とする電源装
    置。
  4. 【請求項4】 3相交流を整流して直流電圧を生成する
    ダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及
    び直流出力に変換するトランジスタモジュール、前記3
    相交流出力及び直流出力から検出された電流に基づいて
    前記トランジスタモジュールをPWM制御するマイクロ
    コンピュータ、並びに前記3相交流出力を有磁場ドライ
    エッチング装置用として、前記直流出力をECRエッチ
    ング装置用として使用することを前記マイクロコンピュ
    ータに入力する切換スイッチを備えたことを特徴とする
    電源装置。
  5. 【請求項5】 3相交流を整流して直流電圧を生成する
    ダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及
    び直流出力に変換するトランジスタモジュール、並びに
    前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流に基
    づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御するマ
    イクロコンピュータを備えた電源装置からの3相交流出
    力により有磁場ドライエッチング装置のチャンバーに回
    転磁界を与えてプラズマを高密度・均一性にする工程を
    含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 3相交流を整流して直流電圧を生成する
    ダイオードモジュール、前記直流電圧を3相交流出力及
    び直流出力に変換するトランジスタモジュール、並びに
    前記3相交流出力及び直流出力から検出された電流に基
    づいて前記トランジスタモジュールをPWM制御するマ
    イクロコンピュータを備えた電源装置からの直流出力に
    よりECRエッチング装置に静磁場を与えてチャンバー
    プラズマをECR状態にして半導体装置をエッチングす
    る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1023758A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd インバータ装置

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JPH1023758A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd インバータ装置

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