JPH0747866Y2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0747866Y2 JPH0747866Y2 JP1989061437U JP6143789U JPH0747866Y2 JP H0747866 Y2 JPH0747866 Y2 JP H0747866Y2 JP 1989061437 U JP1989061437 U JP 1989061437U JP 6143789 U JP6143789 U JP 6143789U JP H0747866 Y2 JPH0747866 Y2 JP H0747866Y2
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- plasma processing
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Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は試料（半導体ウェハ）表面のエッチングやアッ
シング等を行うプラズマ処理装置に関する。
シング等を行うプラズマ処理装置に関する。
（従来の技術） プラズマ処理装置を用いてエッチング等を行う場合、処
理速度及び処理後の製品の良否は専ら使用する反応ガス
の種類、チャンバー内の圧力及び試料の温度によって決
定される。
理速度及び処理後の製品の良否は専ら使用する反応ガス
の種類、チャンバー内の圧力及び試料の温度によって決
定される。
このように処理中の試料の温度は重要な処理条件の１つ
であるため従来から、試料を載せる試料台内部にヒータ
を埋設したり、温水や冷却水を通すようにしている。
であるため従来から、試料を載せる試料台内部にヒータ
を埋設したり、温水や冷却水を通すようにしている。
（考案が解決しようとする課題） 上述した従来の温度測定手段にあっては、試料の温度を
直接測定するものではないので、処理中の実際の試料温
度と異なり、処理の再現性が困難で不安定な処理とな
る。
直接測定するものではないので、処理中の実際の試料温
度と異なり、処理の再現性が困難で不安定な処理とな
る。
このため赤外線を利用した非接触の温度計によって試料
の温度を測定することが考えられるが、チャンバーの温
度やプラズマの温度などを測定してしまうなど、正確な
試料温度を測定するのが困難である。
の温度を測定することが考えられるが、チャンバーの温
度やプラズマの温度などを測定してしまうなど、正確な
試料温度を測定するのが困難である。
（課題を解決するための手段） 上記課題を解決すべく本考案は、試料台は試料押えに対
して上下動して試料を試料押え下面に押しつけ、この試
料押えは環状に形成して装置本体の開口部に固着すると
共に、試料押えには試料表面に接触した試料の温度を直
接測定する温度センサーを均等な間隔で複数個埋設し
た。
して上下動して試料を試料押え下面に押しつけ、この試
料押えは環状に形成して装置本体の開口部に固着すると
共に、試料押えには試料表面に接触した試料の温度を直
接測定する温度センサーを均等な間隔で複数個埋設し
た。
（作用） プラズマ処理装置によって試料を処理している間は、試
料押えに均等な間隔で複数個埋設した温度センサーが試
料に直接接触しているため、試料の実際の温度を正確に
測定でき、また温度センサーは試料押えに埋設されてい
るので、プラズマから保護される。
料押えに均等な間隔で複数個埋設した温度センサーが試
料に直接接触しているため、試料の実際の温度を正確に
測定でき、また温度センサーは試料押えに埋設されてい
るので、プラズマから保護される。
（実施例） 以下に本考案の実施例を添付図面に基いて説明する。
第１図は本考案に係るプラズマ処理装置の一例であるマ
イクロ波プラズマエッチング装置の断面図、第２図は試
料押えを下方から見た斜視図である。
イクロ波プラズマエッチング装置の断面図、第２図は試
料押えを下方から見た斜視図である。
マイクロ波プラズマエッチング装置はアースされた装置
本体１に開口２及び真空引き用の通路３を形成し、この
通路３よりも外側の装置本体１上面に合成石英からなる
チャンバー４を固定している。また装置本体１の開口２
内方には試料としての半導体ウェハ５を載置する試料台
６を昇降自在に設け、この試料台６を13.56MHzの高周波
電源７に接続している。
本体１に開口２及び真空引き用の通路３を形成し、この
通路３よりも外側の装置本体１上面に合成石英からなる
チャンバー４を固定している。また装置本体１の開口２
内方には試料としての半導体ウェハ５を載置する試料台
６を昇降自在に設け、この試料台６を13.56MHzの高周波
電源７に接続している。
一方チャンバー４には反応ガスの導入管８が接続される
とともに導波管９にて囲まれ、2.45GHzにマイクロ波発
振器10からのマイクロ波によってチャンバー４内を放電
空間とし、更に導波管９の外側にはマイクロ波電界に直
交する方向の磁場を発生するコイル11を配置している。
とともに導波管９にて囲まれ、2.45GHzにマイクロ波発
振器10からのマイクロ波によってチャンバー４内を放電
空間とし、更に導波管９の外側にはマイクロ波電界に直
交する方向の磁場を発生するコイル11を配置している。
また前記開口２の上端には環状の試料押え12を固着して
いる。試料押え12には第２図に示すように下面に露出す
る線状の温度センサー13…を均等な間隔で複数個埋設
し、ウェハ５を載置した試料台６を上昇させ、ウェハ５
の上面を試料押え12下面に押し付け、温度センサー13…
に直接接触せしめ、この複数個の温度センサー13…によ
って表面温度を正確に測定し、ノイズカットフィルター
14を通して表示器15で表示するようにしている。
いる。試料押え12には第２図に示すように下面に露出す
る線状の温度センサー13…を均等な間隔で複数個埋設
し、ウェハ５を載置した試料台６を上昇させ、ウェハ５
の上面を試料押え12下面に押し付け、温度センサー13…
に直接接触せしめ、この複数個の温度センサー13…によ
って表面温度を正確に測定し、ノイズカットフィルター
14を通して表示器15で表示するようにしている。
尚、実施例にあっては試料押えを装置本体１の開口２周
縁に固設したが、試料押えを単独で昇降動可能としても
よい。また本考案に係るプラズマ処理装置としてはマイ
クロ波プラズマエッチング装置に限らず、チャンバー内
に上部電極と下部電極からなる平行平板電極を配置し、
ウェハを載置する下部電極を高周波電源に接続し、上部
電極をアースしたRIE（リアクティブイオンエッチン
グ）装置又は下部電極をアースし上部電極を高周波電源
に接続したプラズマ処理装置等であってもよい。
縁に固設したが、試料押えを単独で昇降動可能としても
よい。また本考案に係るプラズマ処理装置としてはマイ
クロ波プラズマエッチング装置に限らず、チャンバー内
に上部電極と下部電極からなる平行平板電極を配置し、
ウェハを載置する下部電極を高周波電源に接続し、上部
電極をアースしたRIE（リアクティブイオンエッチン
グ）装置又は下部電極をアースし上部電極を高周波電源
に接続したプラズマ処理装置等であってもよい。
（考案の効果） 以上に説明したように本考案によれば、試料押えを環状
に形成して装置本体の開口部に固着したので、試料を環
状の試料押え全体でしっかりと固定することが出来、信
頼性が高い。
に形成して装置本体の開口部に固着したので、試料を環
状の試料押え全体でしっかりと固定することが出来、信
頼性が高い。
又、試料押えには試料表面に接触した試料の温度を直接
測定する温度センサーを埋設したので、プラズマ処理中
の試料の温度を直接測定することができ、且つ温度セン
サーは均等な間隔で複数個設けたので、正確な温度管理
を行なうことができる。
測定する温度センサーを埋設したので、プラズマ処理中
の試料の温度を直接測定することができ、且つ温度セン
サーは均等な間隔で複数個設けたので、正確な温度管理
を行なうことができる。
更に温度センサーは試料押え内に埋設され、チャンバー
と反対側の試料押えの下面に露出して試料に接触し、且
つプラズマ処理時のみ試料台を試料押えに対して上下動
して試料を試料押えに押しつけるようにしているので、
温度センサーがチャンバー内のプラズマによるダメージ
を受けない。
と反対側の試料押えの下面に露出して試料に接触し、且
つプラズマ処理時のみ試料台を試料押えに対して上下動
して試料を試料押えに押しつけるようにしているので、
温度センサーがチャンバー内のプラズマによるダメージ
を受けない。
第１図は本考案に係るプラズマ処理装置の断面図、第２
図は試料押えを下方から見た斜視図である。 尚、図面中１は装置本体、２は開口、４はチャンバー、
５は試料、６は試料台、12は試料押え、13は温度センサ
ーである。
図は試料押えを下方から見た斜視図である。 尚、図面中１は装置本体、２は開口、４はチャンバー、
５は試料、６は試料台、12は試料押え、13は温度センサ
ーである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 斎藤 丈夫 神奈川県高座郡寒川町一之宮1280 (56)参考文献 特開 昭61−32510（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】チャンバー４内に臨む試料台６上に試料５
を載置するとともにこの試料５を試料押え12にて押えつ
けた状態でエッチング等の処理を行うようにしたプラズ
マ処理装置において、前記試料台６は試料押え12に対し
て上下動して試料５を前記試料押え12下面に押しつけ、
この試料押え12は環状に形成して装置本体１の開口部２
に固着すると共に、試料押え12には試料５表面に接触し
た試料５の温度を直接測定する温度センサー13を均等な
間隔で複数個埋設していることを特徴とするプラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989061437U JPH0747866Y2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989061437U JPH0747866Y2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031531U JPH031531U (ja) | 1991-01-09 |
| JPH0747866Y2 true JPH0747866Y2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=31589686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989061437U Expired - Lifetime JPH0747866Y2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747866Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132510A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Hitachi Ltd | 基板の温度制御機構 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP1989061437U patent/JPH0747866Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031531U (ja) | 1991-01-09 |
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