JPH0748451A - シクロデキストリンポリマー及びその製造方法 - Google Patents

シクロデキストリンポリマー及びその製造方法

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JPH0748451A
JPH0748451A JP21330793A JP21330793A JPH0748451A JP H0748451 A JPH0748451 A JP H0748451A JP 21330793 A JP21330793 A JP 21330793A JP 21330793 A JP21330793 A JP 21330793A JP H0748451 A JPH0748451 A JP H0748451A
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幹治 蒲地
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数のシクロデキストリンを規則的に配列し
て、シクロデキストリン単独の場合より奥行きの長い空
洞を有する化合物及びその製造方法の提供。 【構成】 2〜1000のシクロデキストリン単位を架
橋したシクロデキストリンポリマーであって、架橋基は
隣合う2つのシクロデキストリン単位の水酸基の原子を
含む−O−R−O−で示され、隣合うシクロデキストリ
ン単位間は2つ以上の架橋基で架橋されていることを特
徴とするシクロデキストリンポリマー。架橋基−O−R
−O−としては、例えば−O−CH2 CH(OH)CH
2 −O−等を例示でき、シクロデキストリン(CD)と
しては、α−CD、β−CD、γ−CDを例示できる。
2〜1000のシクロデキストリンを含むポリロタキサ
ンを形成し、隣合う2つのシクロデキストリンの水酸基
を架橋剤と反応させて架橋し、ついでポリロタキサンの
芯物質を除去するシクロデキストリンポリマーの製造方
法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シクロデキストリンポ
リマー及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】シクロデキストリンは、環状構造を有す
るマルトオリゴ糖の総称である。主なシクロデキストリ
ンは、6、7又は8個のD−グルコピラノース残基がα
−1,4グルコシド結合により環状に結合したもので、
それぞれα−シクロデキストリン、β−シクロデキスト
リン及びγ−シクロデキストリンと呼ばれている。シク
ロデキストリンは、その空洞内にゲスト化合物を包接し
た複合体である包接化合物を形成することも良く知られ
ている。さらに、シクロデキストリンに包接され得るゲ
スト化合物は、シクロデキストリンの空洞の大きさ及び
ゲスト化合物の大きさ等により決まる。
【0003】ところで、シクロデキストリンの機能をさ
らに利用することを目的として、シクロデキストリンの
不溶化のためにポリマーの側鎖としてシクロデキストリ
ンを導入することが知られている〔Macromole
cules,9(5)701〜704,1976〕。ま
た、シクロデキストリンの不溶化のために複数のシクロ
デキストリンを架橋した架橋シクロデキストリンも知ら
れている〔食品工業2(29)30〜40(198
8)、特開昭59−227906号、同63−3142
01号〕。
【0004】いずれの場合も、シクロデキストリンは独
立して存在するので空洞の大きさ及び深さには変化はな
く、シクロデキストリンの包接能にも変化はない。とこ
ろが、より大きな化合物やより多くの化合物を包接させ
ることで、従来にない機能を有する多様な包接化合物を
形成できることが期待されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、複数のシクロデキストリンを規則的に配列して、シ
クロデキストリン単独の場合より奥行きの長い空洞を有
する化合物及びその製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、2〜1000
のシクロデキストリン単位を架橋したシクロデキストリ
ンポリマーであって、架橋基は隣合う2つのシクロデキ
ストリン単位の水酸基の酸素原子を含む−O−R−O−
で示され、隣合うシクロデキストリン単位間は2つ以上
の架橋基で架橋されていることを特徴とするシクロデキ
ストリンポリマーに関する。
【0007】さらに本発明は、2〜1000のシクロデ
キストリンを含むポリロタキサンを形成し、隣合うシク
ロデキストリンの水酸基を架橋剤と反応させて架橋し、
ついでポリロタキサンの芯物質を除去する、シクロデキ
ストリンポリマーの製造方法に関する。
【0008】本発明のシクロデキストリンポリマーは、
複数のシクロデキストリン単位を架橋基で架橋してシク
ロデキストリン単位の数に応じた奥行きの空洞を有する
化合物である。後述の化1に、本発明のシクロデキスト
リンポリマーの製造方法及びシクロデキストリンポリマ
ーの例が模式的に示されている。
【0009】本発明のシクロデキストリンポリマーは、
2〜1000のシクロデキストリン単位を架橋したシク
ロデキストリンポリマーである。シクロデキストリン単
位の数が少ないものの方が、一般に製造は容易である。
しかし、製造条件を変化させることによりシクロデキス
トリン単位の数の異なるシクロデキストリンポリマーを
製造することができ、シクロデキストリン単位の数は目
的に応じて変化させることができる。通常の用途には、
2〜100程度ののシクロデキストリン単位を架橋した
シクロデキストリンポリマーが適当である。
【0010】シクロデキストリン単位は、工業的に生産
されており、入手が容易であるという観点からは、α−
シクロデキストリン、β−シクロデキストリン又はγ−
シクロデキストリンであることが適当である。但し、使
用目的等によっては、α−シクロデキストリンよりD−
グルコピラノース残基の少ないシクロデキストリン(D
−グルコピラノース残基の数が4または5)やγ−シク
ロデキストリンよりD−グルコピラノース残基の多いシ
クロデキストリン(D−グルコピラノース残基の数が9
〜12)をシクロデキストリン単位としたシクロデキス
トリンポリマーであることもできる。
【0011】シクロデキストリンポリマー中の架橋基
は、隣合う2つのシクロデキストリン単位の水酸基の酸
素原子を含む−O−R−O−で示される。架橋基の−R
−としては、従来のシクロデキストリンポリマーで架橋
基として用いられているものをそのまま用いることがで
きる。そのような架橋基は、例えば、食品工業2(2
9)30〜40(1988)、特開昭59−22790
6号、同63−314201号に記載されている。さら
に、具体的には、−R−は−CH2 CH(OH)CH2
−、−CH2 −、−C(O−)H−CH2 −CH(O
−)−及び−CONPhNCO−を例示することができ
る。尚、−C(O−)H−CH2 −CH(O−)−につ
いては、1つのシクロデキストリン単位の2つの酸素原
子と架橋形成しており、−O−R−O−としては、−O
−C(O−)H−CH2 −CH(O−)−O−と表され
る。
【0012】架橋基−O−R−O−の−R−が−CH2
CH(OH)CH2 −である場合を下記の化1に示す。
化1は、本発明のシクロデキストリンポリマーの合成法
を模式的に示すスキームである。但し、化1中では、−
O−R−O−中の酸素原子は示されておらず、−CH2
CH(OH)CH2 −のみが記載されている。
【0013】
【化1】
【0014】架橋基は、隣合うシクロデキストリン単位
間に2つ以上存在し、隣合うシクロデキストリン単位間
の架橋基の数に上限はなく、また、架橋基を導入できる
数もシクロデキストリンを構成するD−グルコピラノー
ス残基の数により変化する。製造の容易さを考慮する
と、隣合うシクロデキストリン単位間の架橋基の数は2
〜6程度である。但し、隣合うシクロデキストリン単位
間の架橋基の数は、使用目的によっては7つ以上とする
ことも可能である。また、1つのシクロデキストリンポ
リマー分子に関しても、一般には場所により架橋基の数
が多少異なることがある。尚、架橋基が−O−C(O
−)H−CH2 −CH(O−)−O−の場合には、−O
−C(O−)H−CH2 −CH(O−)−O−が隣合う
シクロデキストリン単位間に2つ以上存在する。
【0015】シクロデキストリンポリマーの末端のシク
ロデキストリン単位は、一部の水酸基が−O−R−X基
に置換されている。但し、Xは、後述の架橋剤の反応性
基であり、例えば、水酸基、ハロゲン原子(例えば臭素
原子)、アルデヒド基、イソシアネート基等である。さ
らに、−O−R−X基の数は2〜6程度である。但し、
シクロデキストリン単位間の架橋基の数が7つ以上の場
合には、7つ以上であることもある。
【0016】本発明のシクロデキストリンポリマーは、
2〜1000のシクロデキストリンを含むポリロタキサ
ンを形成し、隣合うシクロデキストリンの水酸基を架橋
剤と反応させて架橋し、ついでポリロタキサンの芯物質
を除去する、ことにより製造することができる。
【0017】ポリロタキサンの形成 ポリロタキサンとは、回転子(rotar)と軸(ax
ile)との組合わさった分子(rotaxane)の
ポリマーのことである。従って、ポリロタキサンは、多
くの環状化合物がはまり込んだ線状分子の両端に大きな
置換基を設けたものである。例えば、シクロデキストリ
ンとポリエチレングリコールビスアミン(芯物質)との
錯体を形成し、次いで2,4−ジニトロフルオロベンゼ
ンをポリエチレングリコールビスアミンの末端のアミノ
基と反応させることにより2〜1000のシクロデキス
トリンを含むポリロタキサンを得ることができる〔ネイ
チャー(Nature,vol.356,p325−3
27)〕。
【0018】また、ポリエチレングリコールビスアミン
のポリエチレングリコールの代わりにポリテトラヒドロ
フランを用いてポリロタキサンを形成することも可能で
ある〔第38回高分子研究発表会(神戸)講演要旨集B
−14〕。また、ポリテトラヒドロフラン以外にポリオ
キセタン、ポリエチレンイミド等を用いてもポリロタキ
サンを形成することはできる。
【0019】尚、ポリエチレングリコールビスアミン等
の芯物質の分子量を適宜変化させることで、目的とする
シクロデキストリンポリマーのシクロデキストリン単位
の繰り返し数を変化せることができる。例えば、ポリエ
チレングリコールビスアミンを芯物質とした場合、ポリ
エチレングリコールの2エチレングリコール単位当たり
1分子のシクロデキストリンがポリロタキサンを形成す
る。尚、α−CDは分子量600〜2000のPEGと
最も効率良く複合体を形成することが知られている。こ
の複合体はほぼ化学量論的である(2エチレングリコー
ル単位:1CD)。また、ポリテトラヒドロフランの場
合、ポリテトラヒドロフランの分子量により多少の幅は
あるが、1〜1.5のテトラヒドロフラン単位に対して
シクロデキストリン1分子が錯体を形成する。
【0020】架橋反応 ポリロタキサンを形成したシクロデキストリンの架橋に
は、従来のシクロデキストリンポリマーで架橋剤X−R
−Xとして用いられているものをそのまま用いることが
できる。ここで、Xは、シクロデキストリンの水酸基と
反応する反応性基であり、例えば、水酸基、ハロゲン原
子(例えば臭素原子)、アルデヒド基、イソシアネート
基等である。また、Rは、有機基であって、例えば置換
又は無置換の脂肪族炭化水素基、例えばアルキレン基や
置換又は無置換の芳香族炭化水素基、例えばフェニレン
基等を挙げることができる。架橋剤の具体例としては、
例えば、エピクロルヒドリン、ジブロモメタン、グルタ
ールアルデヒド及びフェニレンジイソシアネート等を例
示できる。また、架橋反応の条件も従来の方法をそのま
ま使用できる。例えば、架橋剤としてエピクロルヒドリ
ンを用いる場合、ポリロタキサンをアルカリ水溶液に溶
解し、この水溶液にエピクロルヒドリンを添加し、室温
で攪拌することにより、架橋反応を行うことができる。
【0021】架橋反応終了した後に、ポリロタキサンの
芯物質の末端の嵩高い置換基を除去し、シクロデキスト
リンポリマーを芯物質から分離することにより、本発明
のシクロデキストリンポリマーを得ることができる。例
えば、2,4−ジニトロフルオロベンゼンをポリエチレ
ングリコールビスアミンの末端のアミノ基と反応させて
形成した芯物質の末端の嵩高い置換基は、アルカリ処理
することで、2,4−ジニトアニリンに変換して脱離さ
せ、次いで、芯物質であるポリエチレングリコールとシ
クロデキストリンポリマーとを分離する。
【0022】得られたシクロデキストリンポリマーは、
洗浄し、さらにカラムクロマトグラフィー等により精製
することができる。本発明のシクロデキストリンポリマ
ーは、導電性ポリマーの絶縁チューブ、医薬品のカプセ
ル、イオンチャンネル(医薬品)、分子チャンネル(分
子の選択的透過)等に用いることが期待できる。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、シクロデキストリン単
位を所望の長さに連続的繋げたシクロデキストリンポリ
マーを得ることができる。
【0024】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明す
る。
【0025】実施例1ポリロタキサンの合成 ポリロタキサンは、ネイチャー(Nature,vo
l.356,p325−327)の記載に基づいて調製
した。分子量1450のPEG−BAの水溶液をα−C
Dの飽和水溶液に室温で添加して、α−CDとポリエチ
レングリコールビスアミン(PEG−BA)との錯体を
形成した。得られた錯体は、捕集し、乾燥した。次い
で、この錯体に過剰量(46当量)の2,4−ジニトロ
フロオロベンゼンをジメチルホルムアミドとともに添加
し、室温で一昼夜攪拌した。反応は過剰量のエーテルを
添加して生成物を沈殿させることにより停止した。沈殿
物はエーテルで3回洗浄して、未反応の2,4−ジニト
ロフロオロベンゼンを除去し、さらにジメチルホルムア
ミドで洗浄して、フリーのα−CD、PEG−BA及び
ジニトロフロオロフェニル誘導体を除去した。
【0026】残渣はジメチルスルホキシド(DMSO)
に溶解し、水で洗浄して未反応のα−CD及びPEG−
BA並びに水溶性のジニトロフロオロフェニル誘導体を
除去した。生成物を捕集し、エーテルで洗浄し、乾燥し
た(収率60%)。最後に生成物をカラムクロマトグラ
フィー(セファデックスG−50、溶媒DMSO)にて
精製した。生成物は、フリーのα−CD、PEG−BA
及びジニトロフロオロフェニル誘導体を含まない純粋な
ものであった。生成物はα−CDが12〜13コのポリ
ロタキサンであった。
【0027】シクロデキストリンポリマーの合成 上記ポリロタキサン(22.5g)を10%NaOH水
溶液に溶解し、エピクロルヒドリン(3.84mmo
l)をこの水溶液に添加した。この水溶液を室温で36
時間攪拌した。この反応混合物をHClを添加して中和
した。エタノールから黄色の固体が析出した。両端から
嵩高いストッパーを除去するために、生成物を45℃で
24時間強アルカリ(25%NaOH)で処理した。こ
の反応混合物を冷却し、次いでHClで中和した。
【0028】図1は、25%NaOHとポリロタキサン
の反応混合物の溶出ダイヤグラム(a)、架橋ポリロタ
キサンの溶出ダイヤグラム(b)、及び架橋ポリロタキ
サンと25%NaOHの反応混合物の溶出ダイヤグラム
(c)を示す。架橋生成物は、ポリロタキサンと同様
に、排除限界の体積に溶出した。ポリロタキサンを25
%NaOHで処理し、かつ得られた水溶液を架橋前に中
和した後に、2つのピークが観測された。1つのピーク
はUV(360nm)でのみ検出され、それはジニトロ
フェニル基(DNP)であると同定され、他方のピーク
は旋光でのみ検出され、ポリロタキサンから有利したα
−CDであると同定さた。架橋生成物を強アルカリで処
理した後は、2つのピークが観測され(c)、1つは排
除限界の体積に溶出し、それは旋光でのみ検出され、生
成物であるシクロデキストリンポリマーであると同定さ
た。2つ目のピーク、それはUV(360nm)でのみ
検出された、はジニトロフェニル基(DNP)であると
同定された。
【0029】図2は、シクロデキストリンポリマーのセ
ファデックスG−100(排除限界4000〜1000
00)での溶出ダイヤグラムを示す。併せて、デキスト
ラン(分子量20000)及びα−CDの溶出ダイヤグ
ラムも示す。シクロデキストリンポリマーはデキストラ
ンの直後に溶出され、平均分子量は20000より小さ
いことを示した。この値は、分子量1450のポリエチ
レングリコール(PEG)を用いて調製したシクロデキ
ストリンポリマーの分子量が約17000であるという
事実と一致する。最終生成物の収率は92%であった。
元素分析結果を以下に示す。 実測値(CD間に3つの架橋を有する計算値) C457233(H2 O)2 ):C,45.88(45.
92);H,6.67(6.51)
【0030】生成物は水、DMF及びジメチルスルホキ
シド(DMSO)に可溶であるが、ポリロタキサンは水
及びDMFに不溶であり、DMSOに可溶である。生成
物は1H NMR、13C NMR、IR、UVスペクト
ル及びGPCでキャラクタライゼーションを行った。図
3に重水中及びDMSOd6 中のシクロデキストリンポ
リマーの 1H NMRを示す。 1H NMR及び13
NMRスペクトルはCD、架橋、及び架橋の有するH1
プロトンが観測可能であることを示す。 1HNMRスペ
クトルの全てのピークはブロード化し、生成物がポリマ
ーであることを示した。
【0031】シクロデキストリンポリマーの溶液をKI
−I2 の溶液(パールイエロー)に添加するとその溶液
は即座に深い赤色に変化し、α−CD溶液をKI−I2
溶液に添加しても何も起こらない。図4は、α−CD及
びシクロデキストリンポリマーの存在又は不在下でのα
−CD溶液の吸収スペクトルを示す。α−CDの添加に
より、最大吸収位置少し変化し、かつ吸収もやや増加し
た。シクロデキストリンポリマーを添加すると、最大吸
収位置は長波長側にシフトし、かつ500nmを超える
テイリングが観測された。ランダムにエピクロルヒドリ
ンで架橋したα−CDを添加すると、可視的な変化は見
られなかった。これらの結果は、I3 -イオンがシクロ
デキストリンポリマーのチューブ中に線状に並んだこと
を示す。シフトはアミロースとヨウ化物のそれと比べて
それほど大きくなく、しかしアミロペクチンとポリヨウ
化物のそれと同程度である。スペクトルの変化は、1対
1(CD単位とI3 - )の場合に最大になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】セファデックスG−25上での25%NaOH
とポリロタキサンの反応混合物の溶出ダイヤグラム
(a)、架橋ポリロタキサンの溶出ダイヤグラム
(b)、及び架橋ポリロタキサンと25%NaOHの反
応混合物の溶出ダイヤグラム(c)を示す。
【図2】セファデックスG−100(排除限界4000
〜100000)での実施例のシクロデキストリンポリ
マーの溶出ダイヤグラム及びデキストラン(分子量20
000)及びα−CDの溶出ダイヤグラムを示す。
【図3】実施例のシクロデキストリンポリマーの 1
NMRスペクトルを示す。
【図4】実施例のシクロデキストリンポリマーの存在又
は不存在下でのKI−I2 の溶液の吸収スペクトルを示
す。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2〜1000のシクロデキストリン単位
    を架橋したシクロデキストリンポリマーであって、架橋
    基は隣合う2つのシクロデキストリン単位の水酸基の酸
    素原子を含む−O−R−O−で示され、隣合うシクロデ
    キストリン単位間は2つ以上の架橋基で架橋されている
    ことを特徴とするシクロデキストリンポリマー。
  2. 【請求項2】 架橋基の−R−が−CH2 CH(OH)
    CH2 −、−CH2−、−C(O−)H−CH2 −CH
    (O−)−又は−CONPhNCO−である請求項1記
    載のシクロデキストリンポリマー。
  3. 【請求項3】 2〜100のシクロデキストリン単位を
    有する請求項1又は2記載のシクロデキストリンポリマ
    ー。
  4. 【請求項4】 末端のシクロデキストリン単位は一部の
    水酸基が−O−R−X基(但し、Xはシクロデキストリ
    ンの水酸基と反応する反応性基である)に置換された請
    求項1〜3のいずれか1項記載のシクロデキストリンポ
    リマー。
  5. 【請求項5】 シクロデキストリン単位がα−シクロデ
    キストリン、β−シクロデキストリン及びγ−シクロデ
    キストリンからなる群から選ばれる請求項1〜4のいず
    れか1項記載のシクロデキストリンポリマー。
  6. 【請求項6】 2〜1000のシクロデキストリンを含
    むポリロタキサンを形成し、隣合うシクロデキストリン
    の水酸基を架橋剤と反応させて架橋し、ついでポリロタ
    キサンの芯物質を除去する、シクロデキストリンポリマ
    ーの製造方法。
  7. 【請求項7】 シクロデキストリンとポリエチレングリ
    コールビスアミンとの錯体を形成し、次いで2,4−ジ
    ニトロフルオロベンゼンと反応させることにより2〜1
    000のシクロデキストリンを含むポリロタキサンを得
    る請求項6記載の製造方法。
  8. 【請求項8】 架橋剤がエピクロルヒドリン、ジブロモ
    メタン、グルタールアルデヒド及びフェニレンジイソシ
    アネートからなる群から選ばれる請求項6又は7記載の
    製造方法。
  9. 【請求項9】 架橋反応終了したポリロタキサンをアル
    カリ処理してポリロタキサンの芯物質を除去する請求項
    7又は8記載の製造方法。
  10. 【請求項10】 シクロデキストリン単位がα−シクロ
    デキストリン、β−シクロデキストリン及びγ−シクロ
    デキストリンからなる群から選ばれる請求項6〜9のい
    ずれか1項記載の製造方法。
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