JPH0749875Y2 - ローノイズコンバータ - Google Patents
ローノイズコンバータInfo
- Publication number
- JPH0749875Y2 JPH0749875Y2 JP1988034001U JP3400188U JPH0749875Y2 JP H0749875 Y2 JPH0749875 Y2 JP H0749875Y2 JP 1988034001 U JP1988034001 U JP 1988034001U JP 3400188 U JP3400188 U JP 3400188U JP H0749875 Y2 JPH0749875 Y2 JP H0749875Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic cooling
- converter
- power
- semiconductor element
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、放送衛星からの電波を受信するローノイズコ
ンバータに関するものである。
ンバータに関するものである。
［従来の技術］ 放送衛星からの電波を受信するコンバータにおいて、現
在のものは、外部から電圧が約15Vの電源が供給されて
いる。また、コンバータ内部の初段の増幅回路、ミキ
サ、局部発振回路、中間増幅回路等は3V〜8V程度で動作
するようになっており、コンバータ内部では定電圧回路
で電圧の安定化を図っている。
在のものは、外部から電圧が約15Vの電源が供給されて
いる。また、コンバータ内部の初段の増幅回路、ミキ
サ、局部発振回路、中間増幅回路等は3V〜8V程度で動作
するようになっており、コンバータ内部では定電圧回路
で電圧の安定化を図っている。
一方、初段の増幅回路に用いられるローノイズの半導体
素子として用いられるGaAsFETのNF値によりそのローノ
イズ化は大きく影響され、最近はHEMTのような超ローノ
イズのデバイスまで出てきたが、コスト面、生産歩どま
りの面で問題もある。しかし、GaAsFET、HEMTにおいて
も、温度を下げることによりNF値が下がることは一般に
言われており、我々の実験でも、0.01dB/℃、つまり、
１℃下げることでNF値が0.01dBも改善されることが確認
されており、そのため、20〜30℃下げるだけでも、0.2
〜0.3dBのNF値を改善することができることになる。
素子として用いられるGaAsFETのNF値によりそのローノ
イズ化は大きく影響され、最近はHEMTのような超ローノ
イズのデバイスまで出てきたが、コスト面、生産歩どま
りの面で問題もある。しかし、GaAsFET、HEMTにおいて
も、温度を下げることによりNF値が下がることは一般に
言われており、我々の実験でも、0.01dB/℃、つまり、
１℃下げることでNF値が0.01dBも改善されることが確認
されており、そのため、20〜30℃下げるだけでも、0.2
〜0.3dBのNF値を改善することができることになる。
しかし、電子冷却装置に電源が必要であり、外部から供
給される電源は限界があり（約4Wmax）、一方、定電圧
回路では電圧を一定にするために、トランジスタを可変
抵抗代わりに使用するために発熱させているのが現状で
ある。
給される電源は限界があり（約4Wmax）、一方、定電圧
回路では電圧を一定にするために、トランジスタを可変
抵抗代わりに使用するために発熱させているのが現状で
ある。
第９図は、従来のコンバータＡの例を示し、例えば、Ga
AsFET,HEMT等の半導体素子１からなる増幅回路２、所定
の周波数を発振する局部発振回路３、増幅回路２出力と
局部発振回路３とを混合して所定の周波数に落として出
力するミキサ４と、ミキサ４出力を増幅する増幅回路
５、各回路へ電源を供給する電源回路６等で構成されて
いる。該コンバータＡは例えばチューナ８とケーブル７
を介して接続されており、コンバータＡからケーブル７
により信号をチューナ８に出力すると共に、チューナ８
からの電源９からケーブル７の芯線7aを介してコンバー
タＡに電源を供給している。しかして、衛星からの電波
をパラボラアンテナあるいは平面アンテナ等で受信して
コンバータＡの入力端子10に入力され、ローノイズの半
導体素子１で構成されている増幅回路２で２〜３段階増
幅される。局部発振回路３は日本のDBS（直接放送衛星
受信）の場合は、10.678GHzの周波数であり、ミキサ４
で合成することにより、その差の周波数1.0GHz帯のIF帯
に変換され、GaAsのようなMMICからなる増幅回路５で増
幅される。
AsFET,HEMT等の半導体素子１からなる増幅回路２、所定
の周波数を発振する局部発振回路３、増幅回路２出力と
局部発振回路３とを混合して所定の周波数に落として出
力するミキサ４と、ミキサ４出力を増幅する増幅回路
５、各回路へ電源を供給する電源回路６等で構成されて
いる。該コンバータＡは例えばチューナ８とケーブル７
を介して接続されており、コンバータＡからケーブル７
により信号をチューナ８に出力すると共に、チューナ８
からの電源９からケーブル７の芯線7aを介してコンバー
タＡに電源を供給している。しかして、衛星からの電波
をパラボラアンテナあるいは平面アンテナ等で受信して
コンバータＡの入力端子10に入力され、ローノイズの半
導体素子１で構成されている増幅回路２で２〜３段階増
幅される。局部発振回路３は日本のDBS（直接放送衛星
受信）の場合は、10.678GHzの周波数であり、ミキサ４
で合成することにより、その差の周波数1.0GHz帯のIF帯
に変換され、GaAsのようなMMICからなる増幅回路５で増
幅される。
この場合、初段のローノイズデバイスの半導体素子１に
おいて、3V,20mA程度の電流が流れ、60mW程度の発熱体
となる。ここで、テフロン等のトータル熱抵抗を200℃/
Wとした場合、12℃程度の温度上昇となり、ノイズは0.0
1×12＝0.12dB程度のNF劣化を生じることになる。尚、
上記の12℃は次式から計算される。
おいて、3V,20mA程度の電流が流れ、60mW程度の発熱体
となる。ここで、テフロン等のトータル熱抵抗を200℃/
Wとした場合、12℃程度の温度上昇となり、ノイズは0.0
1×12＝0.12dB程度のNF劣化を生じることになる。尚、
上記の12℃は次式から計算される。
（温度上昇式） デバイス温度−周辺温度 ＝0.06（200℃/W）＝12℃ ［考案が解決しようとする課題］ 本考案は、上述の点に鑑みて提供したものであって、必
要な電圧降下をさせるために電子冷却用素子をコントロ
ール用抵抗として使用し、電子冷却用素子への電力供給
をオンオフするスイッチで複数の電子冷却用素子を外部
の電源に対して最適負荷（抵抗）とするとともに、電源
回路のロスを無くして電源を有効に利用するようにした
ローノイズコンバータを提供するものである。
要な電圧降下をさせるために電子冷却用素子をコントロ
ール用抵抗として使用し、電子冷却用素子への電力供給
をオンオフするスイッチで複数の電子冷却用素子を外部
の電源に対して最適負荷（抵抗）とするとともに、電源
回路のロスを無くして電源を有効に利用するようにした
ローノイズコンバータを提供するものである。
［課題を解決するための手段］ ［作用］ 本考案は、外部から電源が供給され受信した信号を所定
の周波数に変換して出力するコンバータにおいて、受信
した信号を増幅する半導体素子を冷却する複数の電子冷
却用素子とこれら電子冷却用素子への電力供給を個別に
オンオフする複数のスイッチとの直列あるいは並列回路
を相互に並列又は直列に接続し、外部から供給される電
力を上記電子冷却用素子を除くコンバータ内部の各部に
供給するとともに、この各部で消費される電力分と外部
から供給される電力との差の電力分をさらに上記電子冷
却用素子の電源とする電源供給手段を具備することによ
り、必要な電圧降下をさせるために電子冷却用素子をコ
ントロール用抵抗として使用し、電子冷却用素子への電
力供給をオンオフするスイッチで複数の電子冷却用素子
を外部の電源に対して最適負荷（抵抗）とするととも
に、電源回路のロスを無くして電源を有効に利用するよ
うにしたものである。
の周波数に変換して出力するコンバータにおいて、受信
した信号を増幅する半導体素子を冷却する複数の電子冷
却用素子とこれら電子冷却用素子への電力供給を個別に
オンオフする複数のスイッチとの直列あるいは並列回路
を相互に並列又は直列に接続し、外部から供給される電
力を上記電子冷却用素子を除くコンバータ内部の各部に
供給するとともに、この各部で消費される電力分と外部
から供給される電力との差の電力分をさらに上記電子冷
却用素子の電源とする電源供給手段を具備することによ
り、必要な電圧降下をさせるために電子冷却用素子をコ
ントロール用抵抗として使用し、電子冷却用素子への電
力供給をオンオフするスイッチで複数の電子冷却用素子
を外部の電源に対して最適負荷（抵抗）とするととも
に、電源回路のロスを無くして電源を有効に利用するよ
うにしたものである。
また、半導体素子を密閉する密閉手段により、半導体素
子を電子冷却した場合に半導体素子に結露が生じるのを
防止するようにしてもよい。
子を電子冷却した場合に半導体素子に結露が生じるのを
防止するようにしてもよい。
［実施例］ 以下、本考案の実施例を図面を参照して説明する。第４
図はGaAsFETからなるローノイズの半導体素子１を電子
冷却する場合の例を示し、プリント板11の上面に半導体
素子１を実装し、プリント板11の下面には電子冷却装置
12を配設している。発熱するローノイズの半導体素子１
を直接電子冷却装置12により冷却することにより、半導
体素子１単体から生じる発熱を防ぎ、また、幾らか冷却
することにより動作温度を下げる。電子冷却装置12はペ
ルチェ効果を利用しているものであり、電源ライン14に
電流を流すことにより、電子冷却装置12の片面（半導体
素子１側）は冷却され、反対側の面は高温になり、その
上昇した温度は放熱フィン13にて放熱される。
図はGaAsFETからなるローノイズの半導体素子１を電子
冷却する場合の例を示し、プリント板11の上面に半導体
素子１を実装し、プリント板11の下面には電子冷却装置
12を配設している。発熱するローノイズの半導体素子１
を直接電子冷却装置12により冷却することにより、半導
体素子１単体から生じる発熱を防ぎ、また、幾らか冷却
することにより動作温度を下げる。電子冷却装置12はペ
ルチェ効果を利用しているものであり、電源ライン14に
電流を流すことにより、電子冷却装置12の片面（半導体
素子１側）は冷却され、反対側の面は高温になり、その
上昇した温度は放熱フィン13にて放熱される。
ここで、半導体素子１の冷却目標温度を５℃程度にし、
コンバータＡの外気温を昼間25℃とし、電子冷却の大き
い場合、半導体素子１自体から発する熱により約10℃程
度の上昇を考えた時、（25℃＋10℃）−５℃＝（30℃）
と、30℃近い温度を下げることにより、GaAsFETあるい
はHEMTのNF値を約0.3dB程度下げることができる。
コンバータＡの外気温を昼間25℃とし、電子冷却の大き
い場合、半導体素子１自体から発する熱により約10℃程
度の上昇を考えた時、（25℃＋10℃）−５℃＝（30℃）
と、30℃近い温度を下げることにより、GaAsFETあるい
はHEMTのNF値を約0.3dB程度下げることができる。
例えば、放送衛星受信用のアンテナの総合特性はG/T
（ジーオーバーティ）で評価される。これは、アンテナ
ゲインとアンテナノイズコンバータの熱雑音を含むトー
タルの熱雑音で割ったものである。
（ジーオーバーティ）で評価される。これは、アンテナ
ゲインとアンテナノイズコンバータの熱雑音を含むトー
タルの熱雑音で割ったものである。
ここで、Ｇはアンテナゲイン、Tantはアンテナノイズ、
Tconverterはアンテナのコンバータのノイズを夫々示し
ている。
Tconverterはアンテナのコンバータのノイズを夫々示し
ている。
一般的に放送衛星受信用のアンテナのゲインは34.0dB程
度である。Ｔ（熱雑音）の項は、アンテナノイズは約60
゜K程度であり、コンバータＡのNF値は一般的に2.0dBで
ある。これはケルビン表示すると、170゜Kであり、本考
案の冷却方法でNF値が2.0−0.3＝1.7dBに改善されれ
ば、140゜Kになる。
度である。Ｔ（熱雑音）の項は、アンテナノイズは約60
゜K程度であり、コンバータＡのNF値は一般的に2.0dBで
ある。これはケルビン表示すると、170゜Kであり、本考
案の冷却方法でNF値が2.0−0.3＝1.7dBに改善されれ
ば、140゜Kになる。
次に、熱雑音において、 Ｔ＝10log（Tant＋Tconverter） 10log（60＋170）＝23.6dB となり、これを冷却すると、 10log（60＋140）＝23.0dB となる。つまり、アンテナの総合特性として、コンバー
タＡのNF値を0.3dB改善することにより、アンテナ全体
で約0.6dBの改善を図ったことになり、この分アンテナ
のゲインを下げることができる。例えば、34.0dBのアン
テナを小型化して、34.0−0.6＝33.4dBiまで小型化が進
むことになり、面積で約11％の小型化により屋外に施工
したアンテナが風等に受ける力が11％少なくなり、その
分施工用のポール等取付金具等の小型化ができるもので
ある。
タＡのNF値を0.3dB改善することにより、アンテナ全体
で約0.6dBの改善を図ったことになり、この分アンテナ
のゲインを下げることができる。例えば、34.0dBのアン
テナを小型化して、34.0−0.6＝33.4dBiまで小型化が進
むことになり、面積で約11％の小型化により屋外に施工
したアンテナが風等に受ける力が11％少なくなり、その
分施工用のポール等取付金具等の小型化ができるもので
ある。
次に、具体的な回路及び構造について説明する。第３図
は本考案の電源回路を示し、DC−DCコンバータの一例を
示している。トランスT1の１次側の一端はチューナ８か
らの電源が供給され、他端には発振回路15にてオンオフ
制御されるトランジスタQ1が接続してある。トランスT1
の２次側は整流用のダイオードD1を介してコンバータＡ
の各回路の電源回路６と電子冷却用電源部16に供給して
いる。発振回路15によりトランジスタQ1がオンオフする
ことで、トランスT1の２次側で交流を発生させ、トラン
スT1の巻線数に応じて希望の電圧を生じさせる。トラン
スT1の２次側ではダイオードD1で整流して直流を得る。
この直流電圧がコンバータＡ用の電源と電子冷却用の電
源となるものである。
は本考案の電源回路を示し、DC−DCコンバータの一例を
示している。トランスT1の１次側の一端はチューナ８か
らの電源が供給され、他端には発振回路15にてオンオフ
制御されるトランジスタQ1が接続してある。トランスT1
の２次側は整流用のダイオードD1を介してコンバータＡ
の各回路の電源回路６と電子冷却用電源部16に供給して
いる。発振回路15によりトランジスタQ1がオンオフする
ことで、トランスT1の２次側で交流を発生させ、トラン
スT1の巻線数に応じて希望の電圧を生じさせる。トラン
スT1の２次側ではダイオードD1で整流して直流を得る。
この直流電圧がコンバータＡ用の電源と電子冷却用の電
源となるものである。
第１図は、電源を有効に利用するために、定電圧に必要
な電圧降下をさせるために電子冷却装置12の電子冷却用
素子12a…をコントロール用抵抗として使用し、また必
要に応じてスイッチS1…で最適負荷（抵抗）として使用
するようにしたものである。すなわち、コンバータＡの
電源回路６の入力側にスイッチS1…、電子冷却用素子12
a…で構成される電源供給手段を設け、外部から供給さ
れる電力を上記電子冷却用素子12aを除くコンバータＡ
内部の各部に供給するとともに、この各部で消費される
電力分と外部から供給される電力との差の電力分をさら
に電子冷却用素子12aに供給することで、半導体素子１
を冷却するようにしたものである。第１図は並列負荷方
式としたものであり、第２図は直列負荷方式を示し、各
電子冷却用素子12aを直列に接続し、各素子12aにスイッ
チS1を並列に接続している。
な電圧降下をさせるために電子冷却装置12の電子冷却用
素子12a…をコントロール用抵抗として使用し、また必
要に応じてスイッチS1…で最適負荷（抵抗）として使用
するようにしたものである。すなわち、コンバータＡの
電源回路６の入力側にスイッチS1…、電子冷却用素子12
a…で構成される電源供給手段を設け、外部から供給さ
れる電力を上記電子冷却用素子12aを除くコンバータＡ
内部の各部に供給するとともに、この各部で消費される
電力分と外部から供給される電力との差の電力分をさら
に電子冷却用素子12aに供給することで、半導体素子１
を冷却するようにしたものである。第１図は並列負荷方
式としたものであり、第２図は直列負荷方式を示し、各
電子冷却用素子12aを直列に接続し、各素子12aにスイッ
チS1を並列に接続している。
第５図は実際に電子冷却装置12を使用してローノイズの
アンプ用半導体素子１の温度を下げるための具体的な構
成を示す図である。電子冷却装置12の冷却面となる一面
に半導体素子１を接触させ、この半導体素子１をガラス
からなるケース17にて密封している。尚、該ケース17が
密閉手段を構成している。また、電子冷却装置12の温度
が上昇する他面には外ケース18が配置され、放熱板とし
て使用している。ここで、ケース17内に結露が生じない
ように、つまり、空気中に水蒸気が温度差で冷たい面に
水分がつくことを防ぐために、ケース17で半導体素子１
を密封して内部を真空に近い状態にしている。外ケース
18はアルミダイキャストで形成され、それを電子冷却装
置12の放熱板として使用している。
アンプ用半導体素子１の温度を下げるための具体的な構
成を示す図である。電子冷却装置12の冷却面となる一面
に半導体素子１を接触させ、この半導体素子１をガラス
からなるケース17にて密封している。尚、該ケース17が
密閉手段を構成している。また、電子冷却装置12の温度
が上昇する他面には外ケース18が配置され、放熱板とし
て使用している。ここで、ケース17内に結露が生じない
ように、つまり、空気中に水蒸気が温度差で冷たい面に
水分がつくことを防ぐために、ケース17で半導体素子１
を密封して内部を真空に近い状態にしている。外ケース
18はアルミダイキャストで形成され、それを電子冷却装
置12の放熱板として使用している。
第６図はサーミスタ19により電子冷却装置12の温度を検
知し、冷却温度が０℃以下にならないように温度コント
ロールをした実施例を示すものである。サーミスタ19は
第７図に示すように温度上昇に反比例して抵抗値が減少
するものであり、この特性を利用して第８図に示すよう
な制御回路を構成している。すなわち、固定抵抗R1とサ
ーミスタ19とを直列に接続し、その接続点における中間
電圧が変化するのを、コンパレータのような電圧比較器
21で、温度設定用のボリウムVRで設定された値を比較
し、ある一定の電圧（温度）になると、比較器12が反転
動作して出力がオンオフし、電子冷却用素子12aの制御
用トランジスタQ2をオンオフせしめる。このトランジス
タQ2がオンオフすることにより、電子冷却用素子12aが
０℃以下にならないように制御するものである。
知し、冷却温度が０℃以下にならないように温度コント
ロールをした実施例を示すものである。サーミスタ19は
第７図に示すように温度上昇に反比例して抵抗値が減少
するものであり、この特性を利用して第８図に示すよう
な制御回路を構成している。すなわち、固定抵抗R1とサ
ーミスタ19とを直列に接続し、その接続点における中間
電圧が変化するのを、コンパレータのような電圧比較器
21で、温度設定用のボリウムVRで設定された値を比較
し、ある一定の電圧（温度）になると、比較器12が反転
動作して出力がオンオフし、電子冷却用素子12aの制御
用トランジスタQ2をオンオフせしめる。このトランジス
タQ2がオンオフすることにより、電子冷却用素子12aが
０℃以下にならないように制御するものである。
［考案の効果］ 本考案は上述のように、外部から電源が供給され受信し
た信号を所定の周波数に変換して出力するコンバータに
おいて、受信した信号を増幅する半導体素子を冷却する
複数の電子冷却用素子とこれら電子冷却用素子への電力
供給を個別にオンオフする複数のスイッチとの直列ある
いは並列回路を相互に並列又は直列に接続し、外部から
供給される電力を上記電子冷却用素子を除くコンバータ
内部の各部に供給するとともに、この各部で消費される
電力分と外部から供給される電力との差の電力分をさら
に上記電子冷却用素子の電源とする電源供給手段を具備
したので、必要な電圧降下をさせるために電子冷却用素
子をコントロール用抵抗として使用し、電子冷却用素子
への電力供給をオンオフするスイッチで複数の電子冷却
用素子を外部の電源に対して最適負荷（抵抗）とするこ
とができ、トータルの電力は従来の電子冷却をしない場
合と同等にすることができるという効果を奏するもので
ある。
た信号を所定の周波数に変換して出力するコンバータに
おいて、受信した信号を増幅する半導体素子を冷却する
複数の電子冷却用素子とこれら電子冷却用素子への電力
供給を個別にオンオフする複数のスイッチとの直列ある
いは並列回路を相互に並列又は直列に接続し、外部から
供給される電力を上記電子冷却用素子を除くコンバータ
内部の各部に供給するとともに、この各部で消費される
電力分と外部から供給される電力との差の電力分をさら
に上記電子冷却用素子の電源とする電源供給手段を具備
したので、必要な電圧降下をさせるために電子冷却用素
子をコントロール用抵抗として使用し、電子冷却用素子
への電力供給をオンオフするスイッチで複数の電子冷却
用素子を外部の電源に対して最適負荷（抵抗）とするこ
とができ、トータルの電力は従来の電子冷却をしない場
合と同等にすることができるという効果を奏するもので
ある。
また、半導体素子を密閉する密閉手段により、半導体素
子を電子冷却した場合に半導体素子に結露が生じるのを
防止することができる効果を奏するものである。
子を電子冷却した場合に半導体素子に結露が生じるのを
防止することができる効果を奏するものである。
第１図は本考案の実施例の要部回路図、第２図は同上の
直列負荷方式とした場合の要部回路図、第３図は同上の
コンバータの電源回路図、第４図は同上の半導体素子を
電子冷却する場合のモデル図、第５図は同上の電子冷却
する場合の具体構造を示す断面図、第６図は同上のサー
ミスタを付加した場合の断面図、第７図は同上のサーミ
スタの特性図、第８図は同上の制御回路図、第９図はコ
ンバータの具体回路図である。 １は半導体素子、12は電子冷却装置、Ａはコンバータで
ある。
直列負荷方式とした場合の要部回路図、第３図は同上の
コンバータの電源回路図、第４図は同上の半導体素子を
電子冷却する場合のモデル図、第５図は同上の電子冷却
する場合の具体構造を示す断面図、第６図は同上のサー
ミスタを付加した場合の断面図、第７図は同上のサーミ
スタの特性図、第８図は同上の制御回路図、第９図はコ
ンバータの具体回路図である。 １は半導体素子、12は電子冷却装置、Ａはコンバータで
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 布谷 秀嗣 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 (72)考案者 小松 幹生 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】外部から電源が供給され受信した信号を所
定の周波数に変換して出力するコンバータにおいて、受
信した信号を増幅する半導体素子を冷却する複数の電子
冷却用素子とこれら電子冷却用素子への電力供給を個別
にオンオフする複数のスイッチとの直列あるいは並列回
路を相互に並列又は直列に接続し、外部から供給される
電力を上記電子冷却用素子を除くコンバータ内部の各部
に供給するとともに、この各部で消費される電力分と外
部から供給される電力との差の電力分をさらに上記電子
冷却用素子の電源とする電源供給手段を具備して成るこ
とを特徴とするローノイズコンバータ。 - 【請求項２】上記半導体素子を密閉手段により密閉して
成ることを特徴とする請求項１記載のローノイズコンバ
ータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988034001U JPH0749875Y2 (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | ローノイズコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988034001U JPH0749875Y2 (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | ローノイズコンバータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137639U JPH01137639U (ja) | 1989-09-20 |
| JPH0749875Y2 true JPH0749875Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=31260721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988034001U Expired - Lifetime JPH0749875Y2 (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | ローノイズコンバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749875Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4706149B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2011-06-22 | 日本電気株式会社 | 温度分布制御電子冷却装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58184830A (ja) * | 1982-04-22 | 1983-10-28 | Nec Corp | 受信装置 |
| JPS617041U (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-16 | 三菱重工業株式会社 | 電子冷却素子防湿装置 |
| JPS61142288U (ja) * | 1985-02-26 | 1986-09-02 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP1988034001U patent/JPH0749875Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01137639U (ja) | 1989-09-20 |
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