JPH07500450A - 熱サイクル接着性およびエージング接着性の高い銀に富む導電体組成物 - Google Patents

熱サイクル接着性およびエージング接着性の高い銀に富む導電体組成物

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 熱サイクル接着性およびエージング 接着性の高い鉗に富む導電体組成物 発明の分野 本発明は、厚膜導電体組成物に関し、特に高いエージング接着性、高い熱サイク ル接着性、良好なはんだ付は性および良好な耐はんだ(われ性を有する厚膜導電 体ペーストに関する。
発明の背景 ハイブリッドマイクロエレクトロニック回路に厚膜導電体を使用することは電子 工学分野において周知である。このような材料は一般に、金属酸化物またはこれ を生成する粉末とガラスとペースト状物質を生成するための有機ベヒクルとの混 合物による、微細貴金属または金属合金の粉末の分散物からなる。このペースト のフンシスチンシーおよびレオロジー特性は、スクリーン印刷、刷毛塗り、浸漬 、押出し、吹付けまたはシリンジ分与のような特定の適用方法を用いて好適な性 能を得るように調整される。このようなペーストは、96〜99%アルミナのよ うな適当な基板物質に施されて、パターン厚膜導電体層が形成される。ペースト は100〜150℃の温度で一般に乾燥して揮発性成分を除去し次いでパターン 導電体を典型的にはベルト炉内で焼成し、非揮発性有機物質(例えば、エチルセ ルロース、樹脂、ロジン、チキソトロープ剤)が燃尽き、そして金属粒子が焼結 し、それによって金属膜が密度化する。
製品が工業的に成功するために、導電体ペーストと次の焼成される導電体膜が有 すべき性能に関する特性にはいくつかがある。導電体を製造するための材料は、 使用する方法によりその性能に時々影響を与えるので、全般的性能を許容できる 水準にするために厚膜ペースト組成物の化学的特性と冶金特性とをバランスさせ ることがしばしば必要である。
本明細書に記載する材料は慣用的な機器を用いて処理される。つまり、ベルト炉 、プリンター、乾燥装置は標準的なものであり、電子厚膜技術分野者において周 知のものである。一般に使用されてきた加熱炉は、セラミックの耐火材料中に埋 め込まれた太いゲージの抵抗ワイヤー要素により対流加熱される。
本発明の材料の処理は「標準的」であると考えられるが、処理後の材料の特性は 「最高技術水準」を有するものである。例えば今日の先進的な応用の多くにおい ては、従来の厚膜材料でこれまで達成しえなかった性能上のいくつかの特性を組 合わせたものが要求されている。
これらの特性とは、 ・熱サイクル接着性 ・熱エージング接着性 ・耐はんだくわれ性 ・はんだ付は性はんだ付は受容性 ・導電性 である。
これらの特性はすべて、回路製作の容易性と目的とする回路の信頼性とに関係す る。例えば、広汎な応用において厚膜導電体に要求される最近の信頼性は、[熱 サイクル接着性(TCA月つまり低温から高温への反復的サイクルに対してはん だ付けされた厚膜導電体が耐える能力に関係する。はんだを使用する場合は特に 、このようなサイクルは基板物質への厚膜の接着性の急速な低下を惹起し、究極 的には、最悪の場合接着性が完全に失われるに至る。従って、性能上等しく重要 な他の特性を何れも低下せずに、熱サイクル接着性の値を高くする方法が大いに められている。
発明の概要 本発明はその第一の態様において、ビスマス、銅、鉛、亜鉛、ならびに鉄、コバ ルト、ニッケルおよびこれらの混合物から選択される遷移金属の酸化物またはそ の前駆体の微細粒子の混合物から本質的になり、(a)酸化銅対酸化ビスマスと 酸化鉛の重量比が0.01〜2であり、(b)酸化鉛対酸化ビスマスと酸化鉛の 重量比が0〜lであり、(c)酸化亜鉛対酸化ビスマスと酸化鉛の重量比が0. 01〜2であり、(d)遷移金属酸化物対酸化ビスマスと酸化鉛の重量比が0. 1〜2である、熱サイクル接着添加組成物に関する。
第二の態様において本発明は、(1)少なくとも1種のはんだ付は可能な導電性 金属85〜99.9重量%および(2)上記の添加組成物15〜0.1重量%を 含有する微細粒子の混合物からなる、はんだ付は可能な導電性層を製造するため のスクリーン印刷可能な厚膜フィルム組成物に関する。
発明の詳述 今日、熱サイクルに関するも最も苛酷な条件および要求のいくつかは、自動車で の電子工学的応用にみられる。従って、パラジウム高含有ペースト、例えば2. 5/ 1または3/I Ag/Pdペーストが、それらの良好なエージング接着 性および熱サイクル接着性のために自動車用回路に伝統的に使用されてきた。し かし、より低い原価、より高い導電性およびより高い信頼性への指向のため、導 電体の冶金特性は、貴金属含有率の一層の低下、さらには純銀または少量の白金 を含む銀(Pt/^g比は2/100またはそれ以下)へと向かっている。パラ ジウム含有率のこのような減少傾向のため、熱サイクル接着性およびエージング 接着性の両方に関して接着信頼性に対する要求が高まりつつある。
冶金特性、金属粉末特性および無機結合剤の組成や粒径を慎重に選びそして制御 することによって、諸特性(エージング接着性、熱サイクル接着性、はんだ付は 性、耐はんだくわれ性および導電性)の均衡を図ることができる。一つの重要な 要件は、良好な充填性と均質性とを有する銀粉末を使用することにより、ピンホ ールおよび集塊物のない高密度の焼成膜を得ることである。ptまたはPdのよ うな貴金属の添加物が全般的はんだ付は性と耐はんだくわれ性とを改善するため にペーストに添加されてよい。無機結合剤はBf zos/PbOフラックス系 をベースとし、エージング接着促進剤としてCuO1ZnOおよび遷移金属の酸 化物が添加されている。これらの酸化物の前駆体もまた使用することができる。
「前駆体」という用語は、空気中での焼成に際して分解し金属酸化物を生成する 物質を意味する。このような前駆体の例は蓚酸塩、炭酸塩、硝酸塩、有機金属化 合物などである。膜の結合および密度化をさらに改善するために、必要ならば少 量のガラスフリットをこのような処方物に添加することができる。
本発明は純銀組成物または白金、パラジウムなどの少量の合金添加物を含有する 銀に対して特に有用である。これらは、アルミナに富む基板、例えば96%アル ミナ上に焼成するよう主として意図されている。しかしこれらは池の誘電性層上 に焼成されてもよいが誘電体への長期エージング接着性は96%アルミナへの接 着性よりも劣る。
他の好適な基板は90%アルミナ、コージェライト、ムライト、厚膜誘電体など である。銀に富む組成物を高密度に焼成するには、結合および密度化を助けるた めのガラスフリットはほとんどあるいは全く必要ない。このことはパラジウムお よび(または)白金を一層多く含有するペーストとは対照的である。例えば^g /Pd比が3/1の組成物は(全無機結合剤)/(金属粉末)の重量比が1/6 〜1/4となってよい。純銀、または合金の添加率が5〜IO%以下の銀はI/ 10〜l/300の比となる。
調高含有の処方物にガラスおよび無機結合剤を高水準で添加する場合、基板に対 するエージング接着性を高めることができる。しかしながら、はんだ付は適性と 耐はんだ(われ性との重要な低下が一般的に起る。パラジウムをより多く含有す るペーストの場合導電体は焼成中比較的ゆっくりと密度化し、そして完全には密 度化しないので高水準のガラスまたは無機結合剤は許容されるのみならず、実際 には高水準の添加が必要である。この差異は、純銀の融点(960℃)とPd/ 八gへ融点(Pd 30重重量、Ag 70重量%の場合的1220℃)との差 に関係する。金属の銀白体は、無機結合剤を添加することなく、それ自体で焼結 して、850℃で実質的に完全に密度化するので、純銀の場合には冶金特性がほ とんど純粋な銀である場合、最低水準の結合剤を使用すべきである。この差異の ため、Pdのより高いペースト(例えばへg/Pd比が3/1のもの)に対して は、銀高含有組成物に比べて一層容易な処方ウィンドーが考慮される。本発明は 従って、接着性とはんだ付は特性とのバランスを良好にする、調高含有組成物用 の極めて効率的な結合剤系に関する。
無機結合剤系 反応性酸化物結合剤の独特な組合わせを開発することにより、アルミナ基板に対 する銀高含有組成物の結合強度を一層高める解決策が見出された。本結合剤系は B1−Pb−Cu−Zn−遷移金属の各酸化物をベースとする。この系に鉛の酸 化物を任意により使用することができるが、使用する方がより好ましい。
この系は^e203との反応性を最大にするよう設計されている。このための反 応生成物は、それが^e203とCu、 Znの酸化物および遷移金属の酸化物 (TMO)との化合物例えば(LIAt!204およびZnAl2O4スピネル 相であるように設計される。850℃の焼成温度で反応性を付与するために、好 適な液相を確保しなければならない。この液相はCu。
ZnおよびTMOを部分的に溶解しそしてこれらを反応のために導電体/アルミ ナ界面に移送する。この液相は焼成工程中に、液体の毛細管力によりこれらの池 の酸化物を導電体領域から物理的に引き出すであろう。両方の場合とも、基体か らの^1203は結合剤の反応性成分との反応生成物を生成させる。
上記の液相はペースト中の好適なガラスフリットの形態であってよい。液相はま た酸化ビスマスの形をとってもよい。最適な場合の液相は、酸化ビスマスと酸化 鉛との組合わせに必要に応じてガラスフリットを添加したものである。
酸化ビスマスと酸化鉛とは、Pb073%モル%/Bi20327モル%におい て融点が一層低い共融物型の組成を形成する。融点は635℃である(R,M、  BiefeldおよびS、 S、 WhiteのJ、^va、Ceram、  Soc の64巻3号(1981年)の182〜184頁参照)。Bi2O3と CuO1r’boとCuO1Bi203とZnO1PbOとZnOなどの二成分 系の間には融点の比較的低い組成物がさらにある。従ってBi2O,+PbOは 液相のベースとなる。Bi 20Bの融点は約825℃でありまたそれがCuO およびZnOおよびFe103とともに融点の一層低い液体を形成しつるので、 B1103のみが液相のベースとなりうることに注目すべきである。しかし、B i2O3はPbOとともに使用される場合一層有効である。後記する実施例29 により示されるごとく、焼成中に易動性が十分な液相(フラックス)を供与する にはBi 203および(または) PbOを存在させる必要がある。他方、融 解用物質の量が導電性金属の5%を著しく越える場合、はんだ付は性が低下する であろう。
場合により、液相は低粘度のガラスの形態をとってよい。このガラスは典型的に は、鉛および(または)ビスマスの硼酸塩、硅酸塩または硼珪酸塩をベースとす る。従って、液相へのB2O3および(または) 5in2の添加に伴い、液相 の化学的特性は、酸化ビスマスと酸化鉛との上記の混合物に類似している。反応 性陽イオン(Zn、 Cuおよび(または) TWO)は予めガラス中に融解さ れてよく、あるいは焼成工程中にガラスと反応するであろう。勿論、このような ガラスはBi、0.またはその前駆体あるいはPbOまたはその前駆体あるいは これらの双方とともに使用できる。しかしながら、組成物中のBi、01および (または) 5i02の水準が高いとはんだ付は性および耐はんだ(われ性とが 阻害されるので、Bi 203とPbOとの併用が一層有効な形となることが実 験的に見出されている。(Bi*Os+Pb0)へ少量のガラスを添加すること もまた効果的である。
複数の酸化物の添加による利益を十分に得るため、酸化物の粒径の制御を適切に 行われねばならない。非常に粗い無機結合剤粒子は、反応および溶解のための接 触に制限がありまたこれらのための表面積が少ないので、互いに反応するのが困 難である。一般に結合剤粒子の寸法は10ミクロンより小さいのが好ましくまた 結合剤粒子のほとんどが3ミクロンより小さいのが一層良い。
特定の酸化物をペースト処方物に別に添加する代りに、これらのあるものまたは すべてを反応しあるいは一緒に溶融して沸点のより低い相を形成することができ る。次いで得られる物質をペースト処方物に添加する。この溶融した相は上述し たような硼酸塩、硅酸塩または硼硅酸塩ガラスの形態であってよく、あるいは単 に、池の添加剤なしの成分酸化物のあるものまたはすべてが■焼された、または −緒に溶融された形態であってよい。粒径の適切な制御はやはり行われるべきで あり、またもしこれらの物質が一緒に溶融されるならば、これらは適当な寸法、 典型的には10ミクロン以下に粉砕されるべきである。特定の酸化物を別に添加 する一つの利点は、原料を別個の酸化物として入手する方が一層簡便であること であり、これにより、溶融または爛焼のための別個の工程が不要になる。しかし 、添加する酸化物のあるものまたはすべては所望ならば融点が一層低い反応性の 酸化物結合剤相を形成するよう組合わすことがなお可能であろう。無機結合剤を 個々の酸化物として別々に添加する必要はない。
本発明において酸化物を導入する他の方法は、酸化物のい(つかまたはすべてを 溶液から共沈することである。この技術により無機結合剤相の緊密で均質な分散 物が確保される。共沈に類似する他の技術は、噴霧化であり、この場合、酸化物 の前駆体溶液が微細な霧状体へと霧化され、次いで霧状体中の液滴から液体が蒸 発されて、結合剤相を含む均質な粒子が残る。粉末の均質性および、任意の前駆 体相からの酸化物相への完全な転化を確保するために、約300〜600℃での ■焼(熱処理)工程は、共沈または噴霧化の後に実施するのが好ましい。しかし ながら、このような熱処理工程は必須ではない。
結合剤系の反応性の部分は、CuO1ZnOおよびTMOならびに(あるいは) これらの好適な前駆体をベースとする。これらは−緒になって、良好なエージン グ接着性を生む鍵となる。これらの酸化物のそれぞれは、エージング接着性をあ る程度向上させるために、単独で別々に使用することができる。しかしながら、 実用的な調高含有処方物(例えば銀に対して重量%より少ない合金が添加されて いる)は、これらの添加物の一種だけによってはつくることができない。たった 一種の反応性酸化物の添加によって満足できるエージング接着性を得るにはあま りにも高い水準が必要であり、そしてはんだ付は性態はんだ(われ性とが著しく 低下する。しかしながら、三つの成分を適当に組合わせることにより、全体の量 を最少化できまた全般的特性を良好にすることができる。
エージング接着性 厚膜導電体の利点に関する性能基準の一つは、150℃での高温エージング後の 厚膜導電体の長期間の接着性である。許容できる性能を規定するための一般に受 けいれられている値はないが、150℃での1000時間以上のエージング後に 18ニユートンであるのは、はとんどの応用に関して十分に許容可能な値である 。
はんだ付けされた接合部のエージング接着性は二つの主要な因子、すなわちはん だ中の錫が導電体と反応し、そして導電体/基体の界面に到達するための時間: および錫がこの界面に到達した後の残留接合強度に依存する。、接合強度は反応 性成分たるCuO/ZnO/TWOまたはこれらの適当な前駆体の存在に依存す ることが判っている。従って良好なエージング接着性は基体とこれらの酸化物と の間の反応性化合物の生成に依存する。
反応性化合物が存在しない場合、導電体と基体との間の接合部は酸化ビスマスに 極めて富み、そして下記の反応に従って化学的劣化が起こりうる。
aSn+2Bi20s=48i+3Sn02(1)換言すると、酸化ビスマスは 焼成中に液相を与えるので厚膜導電体に対して有効なフラックスである。酸化ビ スマスは焼成された状態で良好な導電体はんだ付は性を示すことが技術上周知で もある。
しかしながら、もっばらBi201をベースとする、導電体と基体との間の界面 接合部は反応(1)に従って劣化するものと予想される。従って導電体への錫の 完全な浸透の後に高いエージング接着性を維持するには、一層耐久性のある基体 との化合物が不可欠である。
上述したごとく、Bi2O3/PbOフラックス系と組合わされる三つの酸化物 の選択においては、無機結合剤の全量を最少にしつつエージび耐はんだ(われ性 に関して明らかに有利であり、また特に錫高含有組成物に対して適用する場合、 熱サイクル接着性を高めることを考慮にいれている。しかし、使用する無機結合 剤全体の水準が一層高い場合、この技術は八g/Pdが371.6/1などであ る標準タイプの組成物に対して使用できる。また、Ag/Pdが3/1であるよ うなパラジウム含有率がより高い導電体中で使用される場合、CuO/ZnO/ Tll0に適当なガラスを添加することが必要となるであろう。
本発明の組成物のエージング接着性(A^)をなお一層増強しようとするならば 、パイロクロール関連化合物を5重量%まで添加することができる。何らかの技 術的効果を得るためには少なくとも0.2%を使用するのが好ましいが、この物 質が一層多量であるとTC^に悪影響がでるので5%より多くの使用が好ましく ない。従ってこのようなパイロクロールは2重量%より多くを使用しないのが好 ましい。
本発明において使用可能なパイロクロール関連酸化物は化学式=(ilxM’  t−x)Mz’0t−z (式中、Mは蓋′とは異なり、Pb5Bi1Cd、  Cu、 Ir。
^g、Y、原子番号が57〜71である希土類金属およびこれらの混合物の少な (とも一つから選択され、y′はI’b、 Biおよびこれらの混合物から選択 され、蓋″はRu、Ir、 Rnおよびこれらの混合物から選択され、Xは0〜 0.5でありそして2は0〜1である)に相当する酸化物である。
MがCuであり、蓋′がBiでありモしてM’がRuであるパイロクロール関連 酸化物が特に好ましい。この化合物のうちCo5.6Bt、 、6Ru20g□ 。
が特に有効であることが判っている。
この種類の物質は厚膜抵抗体技術において周知であり、またBouchardの U、 S、 3,583,931およびFerrettiのU、 S、 4,4 20.422において開示の方法により容易に製造できる。
熱サイクル接着性 熱サイクル接着性の喪失ははんだ付けされた組立物の種々な場所で起こりつる。
例えば、導電体/基体の分離(「A」モード)、はんんだ分離(「C」モード) 、およびはんだ付けされた導電体バット下のアルミナ基体中の亀裂またはディボ ーティング(divoting)(r DJモード)が起る。導電体という点か らみた、これらの接着性の喪失のすべてを回避する最良の方法を以下に述べる。
Aモードの接着性喪失が起きるには、導電体と基体との間の高い接合強度が必要 となる。この特質は高い長期間のエージング接着性に似ている。しかしながらこ の特質は熱サイクル中に錫が上記の界面に到達するのが遅延しつる場合、特に役 立つ。従って導電体は、錫が導電体内で拡散しそしてそれと反応することに対す る障壁層として作用すべきであり、それによって錫が導電体/基体界面に到達す るに要する時間が長くなる。純銀は錫の拡散に対する非常に良好な障壁である。
貴金属を少量添加した銀は純銀はど有効ではないが、それでも錫の基体界面への 到達を顕著に遅延しつる。例えばPt/Agが約1/looの組成物は、導電体 /基体界面が錫で飽和するまでに、150℃でのエージングにおいて100〜5 00時間を要する。他方、Pd/八gへ一層高い導電体、例えば八gに対するP dが約5〜10%またはそれ以上である導電体では、錫が150℃において基体 /導電体界面に到達するのが10〜40時間と少ない。
従って、調高含有組成物を処方する技術は、従来からのPd/Ag組成物に比べ て熱サイクル接着性を改善するのに特に役立つ。というのもこの技術は、熱サイ クル接着性に関して一層優れた冶金特性とともに、安定した長期間のエージング 接着性に加えて優れたはんだ付は性および耐はんだ(われ性を考慮にいれるから である。
別なタイプの熱サイクル接着性の喪失ははんだの隅肉て起こりうる。導電体/は んだ界面に沿う亀裂は、はんだからの錫が導電体と反応して金属間化合物を生成 するにつれ、鉛に富む弱くなった領域が生成することにより影響される。錫の反 応速度を低下すると導電体/はんだ界面での変化が最少となり亀裂速度が低下す る。熱サイクル中に亀裂する傾向を減らすには、銀に富む組成物がやはり有用で ある。
別の重要な接着性の喪失は、はんだ付けされた導電体下のセラミック基体中の亀 裂である。この喪失モードにはアルミナ基体中への亀裂が関与し、このモードは 工業的には「D−モード」喪失としばしば称される。導電体フラックスのBi  !03およびPbOはともにアルミナ基体の強度を低下することが示されている 。これらのフラックスは厚膜導電体の焼成中にアルミナ結晶粒に沿って基体中に 浸透する。
従って厚膜導電体を処方する技術は、低水準の無機結合剤が使用されることによ りアルミナ結晶粒に沿った脆弱化が最少化し従って基体のディボーティングおよ び亀裂の程度が減少するので、熱サイクル中に基体がディボーティングおよび亀 裂を起す傾向を改善することができる。
取付けられた構成要素の熱サイクル信頼性はんだ付けされた導電体パッドの熱サ イクル後のワイヤ剥離性能は導電体の信頼性の一つの尺度にすぎない。回路製作 者は実際にはんだ付けされた構成要素の信頼性も気にしている。例えば、はんだ 接合部の亀裂による電気的機能停止が報告されている(N、T。
Panousis、 R,C,Kershner、第31回IEEE Proc 、 Electron Compon−ents Conf、ジョーシア州^t lanta、 1981年、165〜171ページおよびに、 YamaIIl oto、 M、 MoriyaiaおよびS、Uchida、 Proc、 I nternationalSymposium on Microelectr onics、イリノイ州Chicago、 190年10月15〜17日、61 0〜617ページ)。
熱サイクル接着性を改善するために導電体を処方するについて開示された方法は 、基体にはんだ付けされた構成要素の信頼性を改善することもまた期待される。
取付けられた(はんだ付けされた)構成要素が熱サイクルをうける時、ワイヤ剥 離の形状について論じた、AからDに至る範囲の喪失モードがやはり起りうる。
例えばもし錫が焼成された導電体層に浸透するならば、導電体/基体の接合が断 たれ、この界面で亀裂が発生する。このAモードの亀裂に、はんだ付けにより取 付けられた構成要素の接合パッドでそして同じくはんだ付けされた電線で原則と して起きる。また取付構成要素を基体に接着結合するはんだ接合部のはんだ/導 電体界面においてそしてまた試験用電線を基体に結合するはんだ接合部において もまた亀裂が起りつる。
在来の八からDの喪失モードに加えて、取付けられた構成要素が熱サイクルをう ける時に別な喪失モードが少な(とも一つ起りうる。
従来的なPd/Ag導電体中の垂直な亀裂がYamalIlotoらによって報 告されている。この亀裂は、熱サイクルプロフィルの高温の部分においてはんだ からの錫が導電体に急速に浸透したので起きたものである。
錫を清書した導電体領域と隣接するはんだ付けされていない導電体のトラックと の間の熱膨張の不釣合いが亀裂を生む。調高含有導電体という冶金特性の採用は 、工業的に周知なように錫の浸透を一層ゆっくりする。従って、密度の高い銀に 富む導電体組成物は、熱サイクル遷移に際しての錫の拡散を阻み、導電体層内で 起りつる亀裂に関する問題を低減ないしは無くする。本発明の重要な特徴は、錫 の拡散を阻止するのに能力がいまや良好な長期間のエージング接着性と組合わせ られるということである。これ以上の技術的背景については、B、 E、Tay lor、 J、 J、 Fe1tenおよびJ、 R,Larry、 IEEE Proc、Electronic Components Conferenc e、1980年4月28〜30日、カリフォルニア州サンフランシスコニおよび C,R,S、NeedesおよびJ、P、Brown、Proc、Intern ational 5ociety of l1ybrid Microele− ctronics、1989年IO月24〜26日、メリーランド州バルチモア 、211〜219ページを参照されたい。
はんだ付は性、耐はんだくわれ性 Pdをより多く含有する組成物の一つの利点は、はんだ付は工程中のはんだくわ れにこの組成物が抵抗する傾向のあることである。上述のごとく純銀組成物は優 れた熱サイクル接着性を有しつるが、耐はんだくわれ性の低下をまぬがれない。
しかしながら、白金の水準が一層低い場合許容可能な性能を得ることができる。
表1 耐はんだ(われ性に対する導電体組成物の影響Pt/^g(重量比) O/10 0 0.6/99.4 1.2/98.8耐はんだくわれ性 2 4 に れらの結果は典型的ペースト処方物に関する。ガラスまたは酸化物は一切含有し ないフリット非含有純銀層は実際に良好な耐はんだくわれ性つまり約6回の浸漬 回数を示している。従ってはんだ付は性および耐はんだくわれ性はガラスと酸化 物化合物の添加によっては低下しつる。このことから、低水準の無機結合剤を使 用しない場合には、純銀または純銀に近い冶金学的特性は良好なはんだ付は性お よび耐はんだくわれ性を得るうえで複雑さが著しく増す。はんだ付は性および耐 はんだくわれ性を犠牲にすることなく良好なエージング接着性を得ることができ るので、本発明はこのような場合に特に役立つ。
耐マイグレーション性 パラジウムは耐はんだくわれ性の改善を可能とする他、銀のマイグレーションを 起こす傾向を改善することが良く知られている。この特性に関する典型的試験は 、隣りあう2本の導体線の間に電圧をかけ、これらの2本の線の間の隙間に導電 性相の樹枝状結晶が生成し、2本の線を短絡するに要する時間を測定することで ある。この試験は典型的には湿気のあるところで行われるかあるいは2本の導体 線にまたがる液滴を用いてさえ行われる。銀の耐マイグレーション性を高くする ために、慣行的に、銀導電体に対するパラジウムの添加が増大されてきた(例え ば八g/Pdが3/1)。
典型的には、パラジウムが銅厚膜ペーストに添加されるにつれ、一層良好な耐マ イグレーション性と耐はんだくわれ性とが得られるが、熱サイクル接着性が犠牲 になる。しかしながら、導体線を分離するガラスの封入剤の使用により、耐マイ グレーション性を回路に織りこむように設計することができる。シリコーンをベ ースとする封入剤もまた技術上周知である。また湿気が回路に入らないように、 回路にはんだ付けし被覆物(can)を用いて機密パッケージを設けることもで きる。
有機媒体 無機粒子は機械的混合(例えばロールミル上での混合)によりスクリーン印刷に 好適なコンシステーションとレオロジー特性とを有するペースト状組成物をつく ろことによって、実質的に不活性の液状媒体(ベヒクル)と混合する。このペー スト状組成物は在来の導電性基体上に慣用的方法により「厚膜」として印刷され る。
ベヒクルとしては任意の不活性液体が使用できる。増粘剤および(または)安定 剤および(または)他の汎用的な添加剤を含むかあるいは含まない種々の有機液 体をベヒクルとして使用することができる。使用可能な有機液体の例は、脂肪族 アルコール、これのエステル、例えばアセテートおよびプロピオネート、テルペ ン例えば松根油、チルピノールなど、樹脂溶液例えば低級アルコールのポリメタ クリレートおよび松根油のような溶媒中のエチルセルロースの溶液、ならびにエ チレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテルである。好ましいベヒク ルはエチルセルロースおよびベータチルピノールをベースとする。ベヒクルは、 基体の施した後での迅速な硬化を促進するために、揮発性液体を含有してよい。
分散物中のベヒクルと固形物との比はかなり変化してよくまた分散物の施し方お よび使用するベヒクルの種類による。被覆を良好にするため分散物は通常、相補 的に60〜90%の固形物と40〜10%のベヒクルとを含む。本発明の組成物 はもちろん、その有利な特性に影響を与えない他の物質の添加により変性されて よい。このように処方することは当技術における技能の範囲に入る。
ペーストは3連ロールミル中で製造するのが便利である。ペーストの粘度は、低 、中および高剪断速度でブルックフィールドHBT粘度計にて測定する場合、典 型的には下記の範囲内に入る。
剪断速度(秒−1) 粘度(パスカル・秒)0、2 100〜5000 300〜2000 好ましい 600〜1500 最も好ましい 4 40〜400 100〜250 好ましい 140〜200 最も好ましい 401O〜150 25〜120 好ましい 50〜100 最も好ましい 用いるベヒクルの量は処方物の所望の最終的な粘度によって決まる。
処方および適用 本発明の組成物の調製においては、粒状の無機固形物が有機媒体と混合されそし て3連ロールミルのような適当な装置により懸濁物を形成するように分散され、 4秒−1の剪断速度において粘度が約100〜200パスカル・秒の範囲にある 組成物が生成される。
以下の実施例においては、次の方法で処方を行った。
約5重量%に相当する約5%の有機成分は別にして、ペーストの諸成分を秤量し て容器内に一緒にいれた。次にこれらの成分を激しく撹拌して均一な配合物をつ くり、次いでこの配合物を3連ロールミルのような分散化装置に通過させて粒子 の良好な分散とした。ペースト中の粒子の分散状態を知るためにIlegman ゲージを使用した。
この計測器は、1端が深さ25aw+ (1ミル)であり深さ0の他端に向って 深さが浅(なる、銅製ブロック内の溝からなる。この溝に沿ってペーストを押し 入れるためにブレードを用いる。集塊物の直径が溝の深さより大きい場所にスク ラッチが現れる。満足すべき分散物は典型的には1/4のスクラッチポイントt o−18であろう。溝の半分が、十分に分散されたペーストによって覆われない 場合のポイントは典型的には3〜8である。1/4スクラツチ測定が29pg+ を越え、また「溝のl/2」の測定がIQpi+を越えるのは、懸濁物の分散が 劣悪であることを示す。
ペーストの有機成分からなる残りの5%を次に添加し、次いで完全に処方した時 の粘度を剪断速度が4秒−1である場合にloo〜200パスカル・秒とするよ うに樹脂の含有率を調整した。次に通常はスクリーン印刷法によって、アルミナ セラミックのような基体に対して、約30〜80ミクロン、望ましくは35〜7 0ミクロンそして最も望ましくは40〜50ミクロンの湿潤時厚さとなるまで組 成物を施した。本発明の電極組成物は、慣用的な方法で自動印刷機または手動印 刷機のいずれかを使用することにより、基体上に印刷できる。200〜325メ ツシユスクリーンを使用する自動スクリーンステンシル技術を用いるのが好まし い。印刷したパターンを次いで、焼成前に200℃以下、約150℃で約5〜1 5分間乾燥した。無機結合剤と金属の微細粒子との双方の焼結は、約300〜6 00℃において有機物質の燃尽きを可能とする温度プロファイルを有し、約80 0〜100OT:の最高温度が約5〜15分間続(、換気が十分なベルトコンベ アー炉内で行うのが好ましい。次いで焼結のしすぎ、中間的な温度での好ましく ない化学反応または急速すぎる冷却から起きる基体の破損を防止するために制御 下にある冷却サイクルを行う。全般的な焼成処理は約1時間にわたるのが好まし く、焼成温度へ到達するのに20〜25分、焼成温度におけるのが約10分そし て冷却に約20〜25分かける。ある場合には、従来的な焼成による20〜30 分という短い全体のサイクル時間を採用してよく、また7〜14分の赤外線焼成 を使用してよい。
試験手順 はんだ付は性:耐はんだ付は性試験は次のように行なった。焼成した部品を^1 pha 611のような活性が温和なロジンフラックス中に浸漬し、次いでセラ ミックチップの端部を溶融したはんだの中に浸漬することにより、3秒間加熱し た。次にチップをはんだの中に10秒間浸たし、取り出し、きれいにし、そして 検査した。厚膜試験パターン」二に得られるはんだの被覆(堆積)の百分率によ りはんだ付は性を測定した。
耐はんだくわれ性 この試験は次のように行った。焼成した部品を^1pha  611のような活性が温和なロジンフラックス中に浸漬し、次いでセラミックチ ップの端部を溶融したはんだの中に浸漬することにより5秒間加熱した。次にチ ップをはんだの中に10秒間浸たし、取り出し、きれいにしそして検査した。中 20ミルの螺旋状の導体線に破断を起こすのに必要な浸漬回数によって耐はんだ くわれ性を測定した。
これらの導電体組成物のために、活性化されていないロジンフラックス中よびロ ジン活性化(R^)フラックスのような他のはんだフラックスもまた使用できる 。しかし、はんだ付は工程の後、残留するR^フラックスを回路から除去するの に特別な注意を払わねばならない。
接着性は「インストロン」引張試験機を用いて、90°引刺しの配置とし、毎分 2インチの引張速度で測定した。^1pha 611フランクスを用いて、22 0℃の62 Sn/36 Pb/2^gのはんだ中にまたは230℃の63Sn /37 Pbのはんだの中に10秒間はんだ浸漬することにより、予め錫メッキ した20ゲージの電線を80ミル×80ミルのパッドに接着した。
接着性:接着性は「インストロ」引張試験機を用いて、906引刺しの配置とし 、毎分2インチの引張速度で測定した。^1pha 611フラツクスを用い、 220℃の62 Sn/36 Pb/2^gのはんだ中にまたは230℃の63 3n/37 Pbのはんだ中に10秒間はんだ浸漬することにより、予め錫メッ キした20ゲージの電線を80ミル×80ミルのパッドに接着した。(^1ph a 611はニューシャーシー州Jersey C1tyの^1pha Mer talsInc、により製造のはんだフラックスの商標名である。)。エージン グの研究は150℃に制御されたBlue M Stabil−Therm■オ ーブン内で空気中で実施した。エージングの後、電線を引張るに先立って試験部 品を空気中で数時間平衡させた。150℃での1000時間のエージング後の剥 離力が少な(とも15ニユートンであることが、はとんどの適用にとって不可欠 であると考えられる。
はんだ接合部の接着性喪失し次のように特徴づけることができる。
A型 導電体/基体界面の接着性喪失(パッドの剥離)、B型 導電体/はんだ の接着性喪失、 C型 はんだからの電線の脱落、およびD型 基体の損壊(ディボーティング) 熱サイクル接着性(TC^) : TCA試験には、上述と同じの接着性(引剥 し)試験を用いる。しかし、150℃の定温エージング後の接着性を測定する代 りに、二つの温度の間を熱サイクルさせた後、試料を試験する。
実際の使用条件下の性能を正確に予想するために、熱サイクル試験条件例えばΔ T、移行速度、膜の厚さ、はんだ接合部の設計などを慎重に選定しなければなら ない。例えば、極端な熱衝撃条件(大きなΔTと2分以内の移行時間)は、実際 の使用条件(例えば自動車のエンジン区画内における)下で見られる種類の破損 をはっきりと表さないアルミナ基体の脆性破壊を惹起しうる。同様にはんだ付け された厚膜が大きな41m度差の間をサイクルすると、はんだ接合部を通る疲労 亀裂のためにしばしば破断に至る。従って熱サイクル時の移行速度および両極の 温度は、加速試験における接着性喪失モードが実地に観察されるそれと確実に同 じであるように制御せねばならない。熱サイクルにさらされる種々のはんだ接合 部の設計においてFEM解析は、種々の処理条件および試験条件下で観察される 接着性喪失モードを理解するのに役立てることができる。
両極の温度の間の移行速度に差がある二種類の熱サイクル装置が一般に用いられ る。
チャンバーが一つの装置においては、試験用組立物をチャンバー内におき、チャ ンバー中で加熱および冷却サイクルを交互に行う。
チャンバーが二つの装置の場合、一つのチャンバーが加熱され、他のチャンバー が冷却されており、温度サイクルを行うため試験用組立物が両チャンバー間で移 しかえられる。好適な1チヤンバー装置はイリノイ州、Blue l5land のBlue M Corparationにより製造されているVl? C08 −PJ−3fGモデルである。好適な2チヤンバー装置はミシガン州、Nort h 1lollandのThemotron社により製造されているATS−3 20モデルである。
1チヤンバー装置の移行速度は、冷却装置の能力、チャンバーと装填物との熱容 量およびΔTの範囲によって決まる。熱サイクルプロファイルは、本明細書に示 すデータを得た。Blue HおよびThermotro口の各装置を用いて二 つの標準的なΔTプロファイルニー40から+125℃まで −50から+150℃まで を使用した。ThermotronO2チヤンバー装置は、所望の両極温度に維 持される高温および低温のチャンバーからなり、そして試験用試料は高温チャン バーと低温チャンバーとの間を迅速にサイクルする。
両極温度間の移行速度は1チヤンバー装置におけるより一層急速である。
実施例 以下の諸例において厚膜導電性ペーストは、乾燥した固形成分を一緒に混合し、 この乾燥固形混合物を有機媒体に添加しそして固形物を媒体中に完全に分散する ために固形物と有機媒体とを3連ロールミルで混合することにより調製した。い くつかの実施例においては、予めつくったペーストに一つまたはそれ以上の金属 酸化物を添加して、完全な組成物をつくった。次に各ペーストを96%アルミナ 基体上にスクリーン印刷しそして、ピーク温度が10分間である30分長さのサ イクルを採用して、850℃で2回焼成した。
実施例1〜4 ペースト層をアルミナ基体上で焼成する場合の、この層の耐はんだくわれ性、エ ージング接着力(A^)および熱サイクル接着性(TCA)に対する導電体金属 の影響を観察するための一連の4つの試験に備えて、商業的に入手可能な銀をベ ースとする導電性の三つの厚膜ペーストを使用した。導電性相の組成および焼成 した層の特性を下記表2に示す。
表2 市販の導電性厚膜ペーストの接着力特性7484 6160 6160 QS1 70はんだ付は性 95−100% 95−100% 95−100% 95− 10%耐はんだくわれ性 ?−8345−6 (浸漬回数)(浸漬回数)(浸漬回数)(浸漬回数)の96%アルミナ基体 の96%アルミナ基体 アルミナ基体 アルミナ基体 %アルミナ基体 %アルミナ基体 現在の技術状況においては、顕著な熱サイクル接着力(TCA)と高い長期間の エージング接着力とを有する厚膜導電体を処方することは困難である。その理由 は、高いエージング接着力を生ずるような結合剤の改変は、焼成膜の密度と微細 構造とを損い、熱サイクル接着力とはんだ付は性とを低下するからである。
自動車への応用には、パラジウム合金の添加が比較的多い銀組成物が伝統的に採 用されてきた。実施例1においてはAg/I’d比が3/1であるペーストが示 されているがこの場合、2000時間にわたる高いエージング接着力と、−40 /125℃での1500サイクルにわたる良好な熱サイクル接着性とが報告され ている。しかし、苛酷な熱衝撃条件(図1の一50/150℃)下での熱サイク ル接着力はひどく低下した。
実施例2および3の純銀組成物についてはTCAの改善が認められている。これ らの場合は、TCAは様々なサイクルおよび熱衝撃プロファイル下で優れていた が、エージング接着力は在来型のPd/^g組成物はど良くなかづた。もっとも 、銀ペーストの印刷厚さを、所望の使用寿命にわたって良好なエージング接着力 を与えるように調整することは可能である。
実施例4に示すごとく、はとんど純粋な銀の組成物において、高い長期間のエー ジング接着力を得ることができる。この場合、安定した長期間のエージング接着 力を得るために、導電体の印刷厚さをより大きくする必要はなかった。しかしな がら、パッド厚さ10〜12ミクロンにおいて高いエージング接着力を有する組 成物を改良する技術は、純銀組成物に比べて熱サイクル接着力を低下させている (実施例2および3と実施例4とを比較されたい)。
実施例5〜35 表3に示す特性を有する4種の異なる銀粉末を用いて、一連の31の導電体フィ ルムペーストを調製した。次にこれらの銀粉末を、表4に示す組成を有する5種 のガラスフリット組成物と一緒にした。
これらの材料を用いて、種々の組成的因子の効果を知ることができるような一連 の導電体厚膜ペーストを処方した。ペーストの組成は下記の表5に示す。
五−1 銅粉末の特性 密度”(g/cc) >3.0 2.2 2.9 1d90j6.3 2.6  9 形態 フレーク状 単軸状4単軸状4単軸状41 B、E、T、 Quanta chrome 1lonosorbによる表面積2 ^STM 8527−85 のTap−Pak VolumeterにょるTap密度3 Leeds &  Northrop 1licrotracにょる粒径分布4 沈殿フレーク状粒 子 戊−す 導電体ガラスフリットの組成 一旦−FGH± Bit’s 50.5 60 75.1 43.6Pb0 42.4 37 1 0.9 56.4 80.6B、03 3.6 3 1.2 12.0SiO□  3.5 9.3 6.0 次に、上記したそれぞれのペーストのパターンを96%アルミナ基体上にスクリ ーン印刷しそして上述した方法で焼成した。焼成した各層の厚さを測定し、また はんだ付は性、耐はんだくわれ性、エージング接着力および熱サイクル接着力に 関して、焼成層ノ(ターンを試験した。各ペーストの組成を表5にそして各焼成 層の特性を表6に示す。
以下の実施例においては、CuO1PbOおよびhOの前駆体としてそれぞれC u2O、PbO□およびMnO2を処方物中に使用した。
表5 実験ペースト処方物 Pt/Ag O,00480,00480,00480,0048Pd/^g  ooo。
銅−ビスマスルテネート 0 0 0 。
銀粉末の種類 AAAA CuO/(Bi203+Pb0) 0.22 0.4 0.4 0.4ZnO/ (Bi203+Pb0) 0 0 G、26 0.27Fe、Os/(Bi20 3+Pb0) 0 0.34 0 0.34NiO/(Bi203+r’bO)  OO00C030n/(Bi203+Pb0) OO00Mn0/ (Bt2 03+Pb0) 0 0 0 0Mg0/ (BizOs+Pb0) 0 0  0 0TiOz/ (BizOs+Pb0) 0 0 0 0Y203/ (B i z03+Pb0) 0 0 0 0Cr203/ (Bi t’s + P b0) OO00Zr02/ (B1zOs+Pb0) OO00PbO/ ( Bt203+Pb0) o、 2 0.23 0.29 0.22フリツト/( フリット 0 0 0.18 0+添加Bi、03+添加Pb0) フリットの種類 −−−−E − (全無機結合剤)/^g O,0120,0130,0130,015結合剤粒 子の形状 混合物 混合物 混合物 混合物表 5(つづき) 実験ペースト処方物 Pt/Ag O,00480,00480,00480Pd/^g 0000 銅−ビスマスルテネート ロ 0 0 0銀粉末の種類 A Δ AA CuO/(Biz03+Pb0) 0.4 0.4 0.4 0.4ZnO/( Bi203+Pb0) 0.26 0,26 0.26 0.31Fe20i/  (B1203+Pb0) 0 0 0 0.34Nip/ (Bl zo3+ Pb0) 0 0 0 0CO304/ (Bi2O3+Pb0) 0 0 0  0Mn0/ (Bi zOs + r’bO) 0 0 0 0Mg0/ ( Bi 203 +F’bO) 0 0 0 0TiO□/(Bi203+r’b O) 0 0 0 .0Y203/(Bi203+Pb0) 0.15 0 0  0Cr203/(B1203+Pb0) 0 0.15 0 0Zr(h/  (Bi2O3+ Pb0) 0 0 0.15 0PbO/(Bi203+Pb 0) 0.29 0.29 0.29 0.22フリツトの種類 E E E  − (全無機結合剤) /Ag O,0150,0150,0150,015結合剤 粒子の形状 混合物 混合物 混合物 混合物表 5(つづき) 実験ペースト処方物 Pt/Ag OO,00480,00480,0048Pd/^g 0000 銅−ビスマスルテネート 0.00720 0 0銅粉末の種類 AABC Cub/ (Biz03+Pb0) 0.4 0.4 0.4 0.4ZnO/ (Bi203+Pb0) 0.31 0.26 0.26 0.26Fe20s /(Bi203+l’bO) 0.34 0.34 0.34 0.34Nip / (B1203+Pb0) 0 0 0 0Co30i/ (Bi203+P b0) 0 0 0 0Mn0/(Bi、O8+Pb0) 0 0 0 0Mg 0/ (Bi203+Pb0) 0 0 0 0TiQz/(Biz03+Pb 0) OO00Y203/(Bi20s+Pb0) 0 0 0 0Cr 2o 3// (Bi 203 + Pb0) OO00Zr02/ (81203+  Pb0) 0 0 0 0PbO/ (Bi 、0.+ Pb0) 0.22  0.22 0.22 0.22フリツトの種類 −EEE (全無機結合剤) /Ag O,0150,0150,0160,OL6結合剤 粒子の形状 混合物 共沈物 混合物 混合物表 5(つづき) 実験ペースト処方物 Pt/Ag O,00480,00480,00118Pd/Ag 0 0 0 銅−ビスマスルテネート 00 Q 銀粉末の種類 DA A Cub/ (Bi 203 + I’bO) 0.4 0.35 0.5ZnO / (Bi 203 +Pb0) 0.26 0.23 0.33Fe203/ (Bi203+l’bO) 0.34 0.3 0.43Nip/ (Bi 2 03+ l’bO) 0 0 0COsO4/ (Bi203+l’bO) Q  Q QMnO/ (Bi 2o、+Pb0) 0 0 0Mg0/ (Bi  2o3+ Pb0) OO0TiO□/(B1203+Pb0) 0 0 0Y 203/ (Bi 203 + l’bO) OO0Cr203/ (Bi 2 03 +l’bo) OO0Zr02/(Bi203+Pb0) 0 0 0P bO/ (Bi 203 +Pb0) 0.22 0.39 0.13フリツト の種類 E E+F G (全無機結合剤)/^g O,0160,0170,015結合剤粒子の形状  混合物 混合物 混合物表 5(つづき) 実験ペースト処方物 Pt/Ag 0.0048 0.0048Pd/^g o 。
銅−ビスマスルテネート 00 銀粉末の種類 A A Cub/ (Bi20++ll’bO) 0.34 PbOまたはBi2O3の 一方は無しZnO/ (Bi 203 + Pb0) 0.22 PbOまたは Bi、03の一方は無しFezO3/ (Bi203+Pb0) 0.29 1 ’bOまたはBi2O3の一方は無しNip/ (Bi 203+ Pb0)  O−CO304/ (Bi203+Pb0) O−MnO/ (Bi 20s  + Pb0) 0 −MgO/ (Bi203+Pb0) O−−TiOz/  (Bi 203 + I’bO) 0 −−Y20s/(Biz03+Pb0)  O−Cr203/ (Bi203+Pb0) 0 −ZrOt/(Bi、0. +Pb0) O−−PbO/(Bi203+Pb0) 0.55 、 PbOま たはBi2O3の一方は無しフリット/(フリット 0.16+0.84 0+ 添加Bi2O3+添加Pb0) フリットの種類 E十〇 − (全無機結合剤) /Ag O,01? 0.0078結合剤粒子の形状 混合 物 混合物 表 5(つづき) 実験ペースト処方物 Pt73g O,00480,00480,00480,0048Pd/^g  ooo。
銅−ビスマスルテネート 0 0 0 0銀粉末の種類 Δ AAA Cub/ (Bi203+Pb0) 0.43 0.34 0.45 0.37 ZnO/(Bi203+Pb0) 0.2g 0.22 0.3 0.25Fe 、03/(Bi203+Pb0) 0.37 G、29 0.38 0.32N ip/ (Bi zOs + Pb0) 0 0 0 0CO304/ (Bi  zos + Pb0) 0 0 0 0Ink/ (Bi zOs + Pb 0) 0 0 0 01g0/ (Bi zOs + Pb0) 0 0 0  0TiOz/ (Bi 203 + Pb0) 0 0 0 0Y203/ ( Bi203+Pb0) OO00(r203/ (Bit03+Pb0) 0  0 0 0ZrOt/ (Bl t03+ Pb0) 0 0 0 0PbO/ (Bi、03+r’bO) OO,0670,650,62フリツト/(フリッ ト 0 0.16 0 0.17+添加Bi 203+添加Pb0) フリットの種類 −E E (全無機結合剤)/^g O,0150,0170,0150,016結合剤粒 子の形状 混合物 混合物 混合物 混合物表 5(つづき) 実験ペースト処方物 Pt73g O,00480,0048Pd/^g 0 0 銅−ビスマスルテネート 00 銀粉末の種類 A ’A Cub/ (Bi 203 +Pb0) 0.42 G、 46ZnO/ (B i 203 + Pb0) 0.28 0.3Fez03/(Bit03+Pb 0) 0.36 0.39Nip/ (Bi 2os + Pb0) −−−− CO304/ (Bi203+Pb0) −−−−間口0/(Bi203+Pb 0) −−−−11gO/ (Bi 203 + Pb0) −−−−Ti02 / (Bi 203 + Pb0) −−−−YzOs/ (Bit’3+ P b0) −−−−Cr203/ (Bi203+Pb0) −−−−Zr02/ (Bi203+Pb0) −−−−1’bO/ (Bi zOs + Pb0)  1 1フリツト/(フリット 0.12 0 +添加Bi2O3+添加Pb0) フリットの種類 1 − (全無機結合剤)/^g O,0150,014結合剤粒子の形状 混合物 混 合物 表6 実験データ パッド厚さ 11μm 10u厘 9.5μ諺 11.5μ肩はんだ付は性 9 5−100% 95−100%95−100%95(00%エージング接着力、 120時間、−一一一一一一一170℃、 Kyocera社の96%アルミナ 基体 エージング接着力、240時間、−−−一−−−−170℃、 Kyocera 社の96%アルミナ基体 TC^、240サイクル、 50/150℃、−−−−−−−−Coors社の 96%アルミナ基体 表 6(つづき) 実験データ ハ、ソF厚さ 9.5μ買 9.5μ曹 9.5μ■ 9.5μ寵はんだ付は性  95−100% 95−100% 95−100% 95−100%耐はんだ くわれ性 4 4 4 4 (浸漬回数) エージング接着力、120時間、 −2ON170℃、 Kyocera社の9 6%アルミナ基体 エージング接着力、240時間、−一一一一一一一170℃、 Kyocera 社の96%アルミナ基体 エージング接着力、570時間、 22N 18N 2ON −150℃、 K yocera社の96%アルミナ基体 エージング接着力、 1000時間、19N 16N 16N −150℃、K yocera社の96%アルミナ基体 エージング接着力、 2000時間、−−−−−一−−150℃、 Kyoce ra社の96%アルミナ基体 TC^、240サイクル、 50/150℃、 −−−−24NCoors社の 96%アルミナ基体 TC^、500サイクル、 50/150℃、 2ON 17N 18N gN Coors社の96%アルミナ基体 TCA、1000サイクル、 40/125℃、−−−−−−−−Kyocer a社の96%アルミナ基体TC^、1500サイクル、 40/125℃、25 N 22N 19N −−Kyocera社の96%アルミナ基体表 6(つづ き) 実験データ はんだ付は性 95−100% 95−100%−一一一170℃、 Kyoc era社の96%アルミナ基体 TCA、1000サイクル、 40/125℃、−−−−−−−−Kyocer a社の96%アルミナ基体TC^、 2000サイクル、 40/125℃、− −−−−−−−Kyocera社の96%アルミナ基体表 6(つづき) 実験データ パッド厚さ 9.5μm 9.5μ富 9.5μ講 8μ禦はんだ付は性 −− −−−−95−100%エージング接着力、120時間、−一−−−−−−17 0℃、 Kyocera社の9696アルミナ基体 エージング接着力、240時間、−一一一一一一一170℃、 Kyocera 社の96%アルミナ基体 TCA、 240サイクル、 50/150℃9 −一 −一 −一 −−Co ors社の96%アルミナ基体 表 6(つづき) 実験データ はんだ付は性 95−100% 95−100% 95−100%95−100 %表 6(つづき) 実験データ はんだ付は性 95−100% 95−100% 95−100% 95−1o o%ミナ基体 表 6(つづき) 実験データ パッド厚さ 9.5μm lO,5μm lO,5μm 10.5μgはんだ付 は性 −95−100% 95−100% 95−100%ミナ基体 エージング接着力、240時間、−一一一−−−−170℃、 Kyocera 社の96%アルミナ基体 ミナ基体 ミナ基体 150℃、 Kyocera社の96%アルミナ基体 TC^、toooサイクル、 40/125℃、−−−−−−−−Kyocer a社の96%アルミナ基体TC^、 2000サイクル、 40/125℃、− −−−−−−−Kyocera社の96%アルミナ基体表 6(つづき) 実験データ パッド厚さ l065μ真 10.5μ票 l095μ篇はんだ付は性 95− 100% 95−100% 95(00%エージング接着力、120時間、 1 7N 16N 8N170℃、 Kyocera社の96%アルミナ基体 エージング接着力、240時間、−一一一一一り70℃、Kyocera社の9 6%アルミナ基体 エージング接着力、570時間、−18N −150℃、KyOCera社の9 6%アルミナ基体 エージング接着力、 tooo時間、16N 19N 7N150℃、 Kyo cera社の96%アルミナ基体 エージング接着力、 2000時間9 −一 −一 −一150℃、 Kyoc era社の96%アルミナ基体 TC^、240サイクル、 50/150℃、29N 25N −Coors社 の96%アルミナ基体 TCA、 500サイクル、 50/150℃、23N <5N 0NCoor s社の96%アルミナ基体 TC^、1oooサイクル、 40/125℃、−−−−−−Kyocera社 の96%アルミナ基体TC^、1500サイクル、 40/125℃、−−−− −−Kyocera社の96%アルミナ基体TC^、 2000サイクル、 4 0/125℃、−−−−−−Kyocera社の96%アルミナ基体高いエージ ング接着力、高い熱サイクル接着力ならびに良好なはんだ付は性および耐はんだ くわれ性について次に述べる。本発明において特許請求する無機結合剤の化学的 特性は、Bi、03/l’boフラツクス系を用いるCub/ ZnO/ Fe 2O3をベースとしている。別法として、Fe2O3をNiOまたはCO3O4 で代替できる。実施例5においては、無機結合剤から特定の反応性の酸化物の二 つを除外し、焼成膜中にBi 、Os/ PbO/ CuOのみを残した。この 場合、150℃での長期間のエージング後の接着力は約6Nと低かった。実施例 6においては、実施例5の無機結合剤系に酸化鉄が添加され、エージング接着力 は150℃での1000〜2000時間の後、9〜IINと改善された。実施例 7においては、実施例5の無機結合剤系に酸化亜鉛が添加され、エージング接着 力がやはり約11Nに増大した。最後に、実施例8においては、本発明)Bi  z03/ PbO/Cub/ ZnO/ Feuds系が約2ONの長期間のエ ージング接着力を与えたことが示されている。
実施例5〜8においては、広範囲のサイクルおよびプロファイルにわたって熱サ イクル接着性は優れていた。これらの例の重要な差異は、実施例8において用い た多成分の無機結合剤が1000時間を越えるエージングの後に高い接着力を与 えるのに対して、実施例5から7のさほど組成が複雑でない結合剤はこのような 高いエージング接着力を生じることができなかった点にある。
実施例9の組成物は実施例8に似ているが、酸化ビスマスの一部分に代えて少量 のガラスフリットが添加されていた。接着性のデータも良好であった。実施例1 0およびllにおいてはFe、03がNiOおよびCo3O4で代替された(実 施例9と比較されたい)。Fe、03含有タイプに比べてエージング接着性がわ ずかに低下したが、これらの酸化物のいずれも含有しない種類(実施例7)に比 べてデータはやはり著しく高い値を示した。
Fe2O3、NiOおよび(または) CO304(あるいはこれらの適当な前 駆体)の混合物を含む組成物もまた有利に使用することができる。実施例14お よび15においては、Bi、0./PbO/CuO/ZnO/FezO5/Ni O組成物およびBi2O3/ PbO/ Cub/ ZnO/ Fe2O3/C o3O4組成物が示されている。エージング接着性は、実施例8および9に述べ たBtzos/ pb。
/CuO/ZnO/Fe2O3を使用する組成物と似ているかあるいはわずかに 高かった。
可能性のある別な反応性遷移金属酸化物もまた評価した。実施例14〜191: おl、Nテは、実施例7に述べたBi 、o、/PbO/Cub/ ZnOのベ ース組成物に対して、Mn01Mg01Ti02、Y、08、Cr2O3および ZrO2を添加した。MnOlIlgOおよびTi01を添加した場合、エージ ング接着性のささやかな改善が認められたが、一方Y2O1、Cr2O3および ZrO2はエージング接着性に対して検知可能な効果を与えなかった。また、1 1g01Ti02、Y、03、Cr2O3およびZrO2ははんだ付は性と耐は んだくわれ性とを著るしく低下した。
実施例20に示すように、特許請求の範囲に記載する本技術は純銀組成物にも適 用可能である。しかしながら、耐はんだ(われ性は、白金を含有する組成物はど 高(ない。
ルテニウムの酸化物および化合物は、これらの系においてエージング接着力を改 善することが認められている。例えば、実施例21に示すごとく、銅ビスマスル テネートが、BizOs/PbO/CuO/ZnO/Fe2O3無機結合剤系を 使用する純銀ペーストに添加された。エージング接着性はかなり高く、23〜2 5Nであった。加えて、耐はんだくわれ性もまた向上した。TC^は、銅ビスマ スルテネートを使用しない組成物はど高(なかった(実施例8.9および20と 比較されたい)が、TC^は多(の応用では確かにかなり高かった(1000サ イクル、40/125℃で18N)。ルテニウムの酸化物および化合物は、本特 許請求の範囲に属するへg/Pt組成物のエージング接着性もまた改善するであ ろうが、TC^もまた低下するであろう。
実施例22においては、特定の酸化物B11Os/PbO/CuO/ZnO/F e2O3が硝酸塩溶液から共沈され、400℃で6時間か焼され、次いで機械的 に粉砕されて、微細粒径の分布かつ(られた。この共沈された結合剤粉末をペー スト組成物に処方した。
本例の目的は、原子のレベルで混合された特定の結合剤と別な粒子として混合さ れたそれとの間に差があるかどうかを知ることであった。そま結果は個々の酸化 物粒子を個別に加えたペースト組成物と似ていた(実施例22と実施例9を比較 されたい)。しかしながら、使用する個々の酸化物粒子が粗いならば(約3〜5 ミクロンより大きい)、混合物による方法では実施例9および22に比べて性能 の低下が示されるであろう。
銀粉を変えることの効果を実施例23〜25に述べる。一般に、高い充填密度お よび(または)低い粒径分布を有する金属粉末について約2ONのエージング接 着力が得られた。実施例25においては、銀粉末の集塊化は一層高く、タップ密 度はわずか1.09/CCであり、また、長期間のエージング接着力は13Nま で低下した。従って、高いエージング接着力TC^はんだ付は性および耐はんだ (われ性を有する方法を作るのに銀粉りは銀粉A、BまたはCはど好ましくない 。しかしながら、本発明の特許請求の範囲に記載する無機結合剤系には粉末りに よりある程度のエージング接着性を得るのにやはり有効であった(ただし18N 以上を得るには、より高い水準の無機結合剤が必要とされ、はんだ付は性と耐は んだくわれ性との低下が予想されよう)。
実施例26および27においてはB11O3とPbOとはガラスフリット中にし か存在しなかった。ペースト処方物には旧、0.またはPbO(またはこれらの 前駆体)を個別に加えなかった。同様に、実施例28においてはBi 203と PbOとをそれらの共融組成にて一緒に溶融しそして微細粉末にした。この共融 溶融物(導電体「ガラスJ IIと称する)は、やはり他のBi2O3またはP bOを添加せずに、少量のBi−Pb−B−3iガラスEとともに使用した。組 成物26および27のエージング接着性の値は、ガラスフリットを使用しない種 類あるいは少量のガラスフリットを使用する種類(実施例8および9)とほとん ど同じであったが、組成物28の値は、組成物8および9と実質的に等しかった 。これらの実施例は、ガラスを含有しないまたはガラスの少ない処方が好ましい にせよ、結合剤化学種がガラスのまたは多成分ガラス一部として存在してよいこ とを示す。
最後に、実施例29においては、ペースト処方物中に反応性酸化物を使用したが 、Bi2O3とPbOとは除外しまたガラスフリットの追加は行なわなかった。
この組成物は850℃での焼成に際して好適な液相を形成せず、従って基体と十 分に接合できなかった。エージング接着力はゼロであった。
実施例の最後の一組は、特許請求記載のPbO/ (PbO+BizOs)比に 関係する。実施例8.28および30〜35においてカバーされている比は0〜 1.0である。PbO/ (PbO+Biz03)のこの範囲全体にわたって、 エージング接着性、熱サイクル接着性、はんだ付は性および耐はんだくわれ性の 好ましい組合せが一般に生じるが、PbO比が高い場合は特別な一つの状況が現 われる。純粋なPbOの融点は約888℃であり、この温度は、標準的な空気焼 成が可能な厚膜ペーストに関する普通の焼成温度の850℃を越えることが注目 される。従って、Pb0(PbO十Bi203)比が1.0である(または1. 0に近い)処方物は、所要の液相を形成するのが困難であろう。この問題は、処 方物が酸化物相pbo。
CuO1ZnOおよびFe2O,の混合物をベースとする実施例35において顕 著である。しかしながら、実施例34においては、類似の処方がなされており、 ペースト処方物には鉛に富み軟化点の低い少量のガラスフリットが含まれていた 。従って必要な液相は、鉛に富むガラスに由来し、これが焼成特にPbOと反応 することによって存在していた。
実施例34においては酸化ビスマスが欠如しているにもかかわらず実施例35の フリット非含有タイプと比較し、顕著なエージング接着性と熱サイクル接着性と が生じていた。
処方範囲の末端にあたる酸化ビスマスに富む場合は、実施例30および31によ って例示される。これらの場合、酸化ビスマスは焼成温度の850℃以下で溶融 する。従って、必要な液相を形成するためにガラスフリットを添加する必要はな い。中間的なPbO/ (PbO+Bi203)比は実施例8.28.32およ び33において例示されている。
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Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.ビスマス、銅、鉛、亜鉛、ならびに鉄、コバルト、ニッケルおよびこれらの 混合物から選択される遷移金属の酸化物またはその前駆体の微細粒子の混合物か ら本質的になり、(a)酸化銅対酸化ビスマスと酸化鉛の重量比が0.01〜2 であり、(b)酸化鉛対酸化ビスマスと酸化鉛の重量比が0〜1であり、(c) 酸化亜鉛対酸化ビスマスと酸化鉛の重量比が0.01〜2であり、(d)遷移金 属酸化物対酸化ビスマスと酸化鉛の重量比が0.1〜2である、熱サイクル接着 添加組成物。 2.(1)少くとも1種のはんだ付け可能な導電性金属85〜99.9重量%お よび(2)請求項1記載の添加組成物15〜0.1重量%含有する微細粒子の混 合物からなる、はんだ付け可能な導電性層を製造するための組成物。 3.粒状混合物が有機媒体中に分散されている、請求項2記載の組成物。 4.(1)無機酸化物をベースとする基体の表面に請求項3記載の組成物の層を 施し、 (2)組成物が施されたこの層を焼成してこの層から分散媒体を蒸発させ、そし て導電性金属または金属合金を焼結し、(3)(2)の工程からの焼成した層の 表面に溶融されたはんだを施し、そして (4)この施されたはんだを冷却してはんだ付けする各工程から順次なる、導電 性金属または金属合金の層にはんだを接合する方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5882722A (en) * 1995-07-12 1999-03-16 Partnerships Limited, Inc. Electrical conductors formed from mixtures of metal powders and metallo-organic decompositions compounds
JP2001513697A (ja) 1997-02-24 2001-09-04 スーペリア マイクロパウダーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー エアロゾル法及び装置、粒子製品、並びに該粒子製品から製造される電子装置
US6338809B1 (en) 1997-02-24 2002-01-15 Superior Micropowders Llc Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom
JP3397125B2 (ja) * 1998-03-12 2003-04-14 株式会社村田製作所 電子部品
US20030148024A1 (en) * 2001-10-05 2003-08-07 Kodas Toivo T. Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features
JP3494115B2 (ja) * 2000-03-30 2004-02-03 株式会社村田製作所 導電性ペーストおよびこれを用いた積層セラミック電子部品
US20060159838A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
US7524528B2 (en) 2001-10-05 2009-04-28 Cabot Corporation Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate
US20030108664A1 (en) * 2001-10-05 2003-06-12 Kodas Toivo T. Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate
US6951666B2 (en) * 2001-10-05 2005-10-04 Cabot Corporation Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features
US7629017B2 (en) * 2001-10-05 2009-12-08 Cabot Corporation Methods for the deposition of conductive electronic features
JP4763237B2 (ja) 2001-10-19 2011-08-31 キャボット コーポレイション 基板上に導電性電子部品を製造する方法
US7553512B2 (en) 2001-11-02 2009-06-30 Cabot Corporation Method for fabricating an inorganic resistor
US6878184B1 (en) 2002-08-09 2005-04-12 Kovio, Inc. Nanoparticle synthesis and the formation of inks therefrom
JP3991218B2 (ja) * 2002-12-20 2007-10-17 信越化学工業株式会社 導電性接着剤及びその製造方法
US7078276B1 (en) 2003-01-08 2006-07-18 Kovio, Inc. Nanoparticles and method for making the same
TW200640596A (en) 2005-01-14 2006-12-01 Cabot Corp Production of metal nanoparticles
WO2006076608A2 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation A system and process for manufacturing custom electronics by combining traditional electronics with printable electronics
US7824466B2 (en) 2005-01-14 2010-11-02 Cabot Corporation Production of metal nanoparticles
WO2006076606A2 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Optimized multi-layer printing of electronics and displays
WO2006076609A2 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same
US8383014B2 (en) 2010-06-15 2013-02-26 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
JP4934993B2 (ja) * 2005-05-25 2012-05-23 住友電気工業株式会社 導電性ペーストおよびそれを用いた配線基板
KR100875625B1 (ko) * 2005-11-14 2008-12-24 티디케이가부시기가이샤 복합 배선 기판 및 그 제조 방법
US7560052B2 (en) * 2007-03-30 2009-07-14 Lexmark International, Inc. Silver ink compositions containing a cationic styrene/acrylate copolymer additive for inkjet printing
US8511535B1 (en) * 2010-04-19 2013-08-20 Aegis Technology Inc. Innovative braze and brazing process for hermetic sealing between ceramic and metal components in a high-temperature oxidizing or reducing atmosphere
KR101343891B1 (ko) 2010-08-17 2013-12-20 (주)바이오니아 써멀 사이클러용 저 비열성 복합 소재
US9441117B2 (en) 2012-03-20 2016-09-13 Basf Se Mixtures, methods and compositions pertaining to conductive materials
JP7032042B2 (ja) * 2015-12-22 2022-03-08 ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー 厚膜ペーストを用いて改善された直接接合銅(direct-bonded copper)基板
CN108191449B (zh) * 2018-01-03 2021-04-27 上海富乐华半导体科技有限公司 一种铜-氧化铝陶瓷基板及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US553421A (en) * 1896-01-21 Corn-harvester
GB1346851A (en) * 1971-05-21 1974-02-13 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Varistors
US3896054A (en) * 1972-03-02 1975-07-22 Du Pont High adhesion metallizations
US3838071A (en) * 1972-06-30 1974-09-24 Du Pont High adhesion silver-based metallizations
US4001146A (en) * 1975-02-26 1977-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Novel silver compositions
US4094061A (en) * 1975-11-12 1978-06-13 Westinghouse Electric Corp. Method of producing homogeneous sintered ZnO non-linear resistors
US4090009A (en) * 1977-03-11 1978-05-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Novel silver compositions
US4187201A (en) * 1978-03-15 1980-02-05 Electro Materials Corporation Of America Thick film conductors
US4318830A (en) * 1979-01-15 1982-03-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductors having improved aged adhesion
US4323483A (en) * 1979-11-08 1982-04-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Mixed oxide bonded copper conductor compositions
US4414143A (en) * 1981-05-06 1983-11-08 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Conductor compositions
US4381945A (en) * 1981-08-03 1983-05-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor compositions
DE3470975D1 (en) * 1983-12-22 1988-06-09 Bbc Brown Boveri & Cie Zinc oxide varistor
US4714570A (en) * 1984-07-17 1987-12-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductor paste and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the paste
JPH06104873B2 (ja) * 1986-07-08 1994-12-21 富士電機株式会社 銀―金属酸化物系接点用材料及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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