JPH0750140A - カラー陰極線管 - Google Patents
カラー陰極線管Info
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- JPH0750140A JPH0750140A JP19235093A JP19235093A JPH0750140A JP H0750140 A JPH0750140 A JP H0750140A JP 19235093 A JP19235093 A JP 19235093A JP 19235093 A JP19235093 A JP 19235093A JP H0750140 A JPH0750140 A JP H0750140A
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- magnetic field
- beam passage
- field control
- control element
- side beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界制御素子によりセンタービームの偏向感
度とサイドビームの偏向感度を合わせることにより、両
ビームによるラスターパターンのコマ収差を補正する。 【構成】 円筒状のコンバーゼンス用シールドカップ２
の底部に形成された３電子ビームを各別に通過させる一
列配置の３個の電子ビーム通過孔１１、１２、１３の
内、一対のサイドビーム通過孔１１、１２の周りにそれ
ぞれ偏向磁界の非斉一性に基づく収差を補正する磁界制
御素子３、４が配置されたものにおいて、２個の磁界制
御素子３、４のそれぞれがサイドビーム通過孔１１、１
２を完全に囲む磁性体からなり、その形状が大矩形部３
ａ、４ａと小矩形部３ｂ、４ｂを等脚台形部３ｃ、４ｃ
で結んだもので、小矩形部３ｂ、４ｂがセンタービーム
通過孔１３に近接するようにインライン配列方向におい
て対向して配置されている。
度とサイドビームの偏向感度を合わせることにより、両
ビームによるラスターパターンのコマ収差を補正する。 【構成】 円筒状のコンバーゼンス用シールドカップ２
の底部に形成された３電子ビームを各別に通過させる一
列配置の３個の電子ビーム通過孔１１、１２、１３の
内、一対のサイドビーム通過孔１１、１２の周りにそれ
ぞれ偏向磁界の非斉一性に基づく収差を補正する磁界制
御素子３、４が配置されたものにおいて、２個の磁界制
御素子３、４のそれぞれがサイドビーム通過孔１１、１
２を完全に囲む磁性体からなり、その形状が大矩形部３
ａ、４ａと小矩形部３ｂ、４ｂを等脚台形部３ｃ、４ｃ
で結んだもので、小矩形部３ｂ、４ｂがセンタービーム
通過孔１３に近接するようにインライン配列方向におい
て対向して配置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コンバーゼンス補正
回路を省略することが出来、且つピン歪補正量を軽減す
ることが出来るインライン配列の電子銃を有するカラー
陰極線管（以下単にＣＲＴと呼ぶ）に関するものであ
る。
回路を省略することが出来、且つピン歪補正量を軽減す
ることが出来るインライン配列の電子銃を有するカラー
陰極線管（以下単にＣＲＴと呼ぶ）に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、インラインの電子銃を有するＣ
ＲＴにおいては、水平偏向磁界をピン磁界に、垂直偏向
磁界をバレル磁界にすることにより、両サイドビーム間
の色ずれを減少させており、コンバーゼンス補正回路を
必要としない。しかし上述のように、非斉一磁界を使用
しているために、センタービームに対する偏向感度が、
サイドビームに対する偏向感度より悪くなるという欠点
がある。
ＲＴにおいては、水平偏向磁界をピン磁界に、垂直偏向
磁界をバレル磁界にすることにより、両サイドビーム間
の色ずれを減少させており、コンバーゼンス補正回路を
必要としない。しかし上述のように、非斉一磁界を使用
しているために、センタービームに対する偏向感度が、
サイドビームに対する偏向感度より悪くなるという欠点
がある。
【０００３】これはサイドビームに対する磁界密度が密
であるのに対して、センタービームに対する磁界密度が
疎だからである。その結果、画面上には図３に示すよう
なパターンが得られる。図３において、５はサイドビー
ムによるラスターパターンであり、６はセンタービーム
によるラスターパターンである。このようなラスターパ
ターンのコマ収差を補正するために、従来は図４に示す
ようなドーナツ型磁界制御素子７、８及び円盤型磁界制
御素子９、１０をインライン配列の電子銃の電子ビーム
通過孔１１、１２、及び１３の傍らに設けている。
であるのに対して、センタービームに対する磁界密度が
疎だからである。その結果、画面上には図３に示すよう
なパターンが得られる。図３において、５はサイドビー
ムによるラスターパターンであり、６はセンタービーム
によるラスターパターンである。このようなラスターパ
ターンのコマ収差を補正するために、従来は図４に示す
ようなドーナツ型磁界制御素子７、８及び円盤型磁界制
御素子９、１０をインライン配列の電子銃の電子ビーム
通過孔１１、１２、及び１３の傍らに設けている。
【０００４】図４において、サイドビーム通過孔１１、
１２を取り巻くドーナツ型磁界制御素子７、８は、サイ
ドビーム通過孔１１、１２付近の水平、垂直偏向磁界を
弱め、センタービーム通過孔１３付近の垂直偏向磁界を
強めるように働く。また、円盤型磁界制御素子９、１０
はセンタービーム通過孔１３付近の垂直偏向磁界を強め
るように働く。この結果、サイドビームに対する偏向感
度がセンタービームに対する偏向感度より悪くなり、偏
向感度を非斉一磁界にしたことによるセンタービームの
偏向感度の劣化を補正し、画面上にはコマ収差のないパ
ターンが得られる。
１２を取り巻くドーナツ型磁界制御素子７、８は、サイ
ドビーム通過孔１１、１２付近の水平、垂直偏向磁界を
弱め、センタービーム通過孔１３付近の垂直偏向磁界を
強めるように働く。また、円盤型磁界制御素子９、１０
はセンタービーム通過孔１３付近の垂直偏向磁界を強め
るように働く。この結果、サイドビームに対する偏向感
度がセンタービームに対する偏向感度より悪くなり、偏
向感度を非斉一磁界にしたことによるセンタービームの
偏向感度の劣化を補正し、画面上にはコマ収差のないパ
ターンが得られる。
【０００５】また、コンバーゼンス補正回路を省略しよ
うとしたり、糸巻歪補正量を軽減しようとして、偏向ヨ
ークの種類や磁界分布をさまざまに変化させると、上記
目標を達成することの出来る偏向ヨークとインライン配
列電子銃を有するＣＲＴの組合せに対して、コマ収差の
パターンが必ずしも図３のようなパターンでなく、図５
（ａ）または（ｂ）のようなパターンとなる場合があ
る。
うとしたり、糸巻歪補正量を軽減しようとして、偏向ヨ
ークの種類や磁界分布をさまざまに変化させると、上記
目標を達成することの出来る偏向ヨークとインライン配
列電子銃を有するＣＲＴの組合せに対して、コマ収差の
パターンが必ずしも図３のようなパターンでなく、図５
（ａ）または（ｂ）のようなパターンとなる場合があ
る。
【０００６】図５において、５ａ、５ｂは両サイドビー
ムによるラスターパターンであり、６ａ、６ｂはセンタ
ービームによるラスターパターンである。図５（ａ）の
ようなコマ収差を補正する場合には、図６に示すような
磁界制御素子１４、１５を、電子銃の電子ビーム通過孔
１１、１２、１３の傍らに設ければよい。図６におい
て、磁界制御素子１４、１５の部分１４ａ、１４ｂ、１
５ａ、及び１５ｂは、両サイドビーム通過孔１１、１２
付近の垂直偏向磁界を弱め、センタービーム通過孔１３
付近の垂直偏向磁界を強めるように働く。また、磁界制
御素子１４、１５の１４ｃ、１５ｃの部分は、両サイド
ビーム通過孔１１、１２付近の水平偏向磁界を強め、セ
ンタービーム通過孔１３付近の水平偏向磁界を弱めるよ
うに働く。
ムによるラスターパターンであり、６ａ、６ｂはセンタ
ービームによるラスターパターンである。図５（ａ）の
ようなコマ収差を補正する場合には、図６に示すような
磁界制御素子１４、１５を、電子銃の電子ビーム通過孔
１１、１２、１３の傍らに設ければよい。図６におい
て、磁界制御素子１４、１５の部分１４ａ、１４ｂ、１
５ａ、及び１５ｂは、両サイドビーム通過孔１１、１２
付近の垂直偏向磁界を弱め、センタービーム通過孔１３
付近の垂直偏向磁界を強めるように働く。また、磁界制
御素子１４、１５の１４ｃ、１５ｃの部分は、両サイド
ビーム通過孔１１、１２付近の水平偏向磁界を強め、セ
ンタービーム通過孔１３付近の水平偏向磁界を弱めるよ
うに働く。
【０００７】この結果、センタービームに対する垂直偏
向感度が、両サイドビームに対する垂直偏向感度より高
くなり、またセンタービームに対する水平偏向磁界が両
サイドビームに対する水平偏向感度より低くなり、図５
（ａ）に示すようなコマ収差を補正し、画面上にはコマ
収差のないパターンが得られる。
向感度が、両サイドビームに対する垂直偏向感度より高
くなり、またセンタービームに対する水平偏向磁界が両
サイドビームに対する水平偏向感度より低くなり、図５
（ａ）に示すようなコマ収差を補正し、画面上にはコマ
収差のないパターンが得られる。
【０００８】また、図５（ａ）に示すようなコマ収差を
補正する他の例として特開昭６２−２９００４７号公報
に示されたものがあり、図７はその構成を示すものであ
る。２０、２１は磁界制御素子で、これはサイドビーム
通過孔１１、１２を完全に囲む磁性体からなる環状部２
０ａ，２１ａと、三つのライン配列方向でセンタービー
ム通過孔１３側にあってそれを挟む両側位置へのびる舌
状部２０ｂ、２１ｂからなるものである。
補正する他の例として特開昭６２−２９００４７号公報
に示されたものがあり、図７はその構成を示すものであ
る。２０、２１は磁界制御素子で、これはサイドビーム
通過孔１１、１２を完全に囲む磁性体からなる環状部２
０ａ，２１ａと、三つのライン配列方向でセンタービー
ム通過孔１３側にあってそれを挟む両側位置へのびる舌
状部２０ｂ、２１ｂからなるものである。
【０００９】上記構成によれば、環状部２０ａ，２１ａ
は水平、垂直偏向磁界の両サイドビーム通路上の磁界を
側路（シャント）させ、一方舌状部２０ｂ、２１ｂは垂
直偏向磁界に対して、センタービーム通過孔近傍にその
磁界を集中させることによりコマ収差を補正するもので
ある。
は水平、垂直偏向磁界の両サイドビーム通路上の磁界を
側路（シャント）させ、一方舌状部２０ｂ、２１ｂは垂
直偏向磁界に対して、センタービーム通過孔近傍にその
磁界を集中させることによりコマ収差を補正するもので
ある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５
（ｂ）に示すように上下コマ収差の修正量が著しく大き
い場合には、図６に示すような従来の磁界制御素子では
左右のコマ収差を完全には補正できない。その理由とし
て、第１に磁界制御素子１４、１５の部分１４ａ、１４
ｂ、１５ａ及び１５ｂのセンタービームに対する垂直偏
向磁界のシャント効果が悪いこと、第２に制御磁界素子
１４、１５の部分１４ｃ、１５ｃのセンタービームに対
する垂直偏向磁界の磁束の集束効果が悪いことにある。
従って、図５（ｂ）のようなパターンのコマ収差を補正
するには別の磁界制御素子が必要である。
（ｂ）に示すように上下コマ収差の修正量が著しく大き
い場合には、図６に示すような従来の磁界制御素子では
左右のコマ収差を完全には補正できない。その理由とし
て、第１に磁界制御素子１４、１５の部分１４ａ、１４
ｂ、１５ａ及び１５ｂのセンタービームに対する垂直偏
向磁界のシャント効果が悪いこと、第２に制御磁界素子
１４、１５の部分１４ｃ、１５ｃのセンタービームに対
する垂直偏向磁界の磁束の集束効果が悪いことにある。
従って、図５（ｂ）のようなパターンのコマ収差を補正
するには別の磁界制御素子が必要である。
【００１１】また、図７に示す磁界制御素子は両サイド
ビーム通過孔を囲む部分が環状型のため、両サイドビー
ム通過孔付近における垂直偏向磁界のシャント効果が十
分ではなく、図５（ｂ）のようなコマ収差の補正には十
分対応し得るものとはいえなかった。
ビーム通過孔を囲む部分が環状型のため、両サイドビー
ム通過孔付近における垂直偏向磁界のシャント効果が十
分ではなく、図５（ｂ）のようなコマ収差の補正には十
分対応し得るものとはいえなかった。
【００１２】さらに、図７に示すものでは、磁界制御素
子の形状が環状部と舌状部とからなる複雑な形状である
ため、垂直偏向磁界の偏向量を変えるために環状部およ
び舌状部の大きさを適切に選ぶことは実際上非常に困難
であった。
子の形状が環状部と舌状部とからなる複雑な形状である
ため、垂直偏向磁界の偏向量を変えるために環状部およ
び舌状部の大きさを適切に選ぶことは実際上非常に困難
であった。
【００１３】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、両サイドビームに対する偏向感
度とセンタービームに対する偏向感度が異なるＣＲＴと
偏向ヨークの組合せに対して、両サイドビームとセンタ
ービームに対する偏向感度の差を解消する偏向磁界制御
素子付きＣＲＴを提供することを目的とする。
ためになされたもので、両サイドビームに対する偏向感
度とセンタービームに対する偏向感度が異なるＣＲＴと
偏向ヨークの組合せに対して、両サイドビームとセンタ
ービームに対する偏向感度の差を解消する偏向磁界制御
素子付きＣＲＴを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＣＲＴ
は、同一平面上を通るセンタービーム及び一対のサイド
ビームからなる一列配置の３電子ビームを放出する電子
銃の先端部に円筒状のコンバーゼンスカップが取り付け
られ、このコンバーゼンスカップの底部に形成された上
記３電子ビームを各別に通過させる一列配置の３個の電
子ビーム通過孔の内、一対のサイドビーム通過孔の周り
にそれぞれ偏向磁界の非斉一性に基づく収差を補正する
磁界制御素子が配置されてなるものにおいて、磁界制御
素子のはサイドビーム通過孔を囲む磁性体であって、大
矩形部と小矩形部を等脚台形部で結合した形状に構成さ
れ、且つ小矩形部がセンタービーム通過孔に近接するよ
うにインライン配列方向において対向して一対配置され
ているものである。
は、同一平面上を通るセンタービーム及び一対のサイド
ビームからなる一列配置の３電子ビームを放出する電子
銃の先端部に円筒状のコンバーゼンスカップが取り付け
られ、このコンバーゼンスカップの底部に形成された上
記３電子ビームを各別に通過させる一列配置の３個の電
子ビーム通過孔の内、一対のサイドビーム通過孔の周り
にそれぞれ偏向磁界の非斉一性に基づく収差を補正する
磁界制御素子が配置されてなるものにおいて、磁界制御
素子のはサイドビーム通過孔を囲む磁性体であって、大
矩形部と小矩形部を等脚台形部で結合した形状に構成さ
れ、且つ小矩形部がセンタービーム通過孔に近接するよ
うにインライン配列方向において対向して一対配置され
ているものである。
【００１５】
【作用】この発明における形状の磁界制御素子は、両サ
イドビーム通過孔付近における垂直偏向磁界のシャント
効果をより効果的にし、センタービーム通過孔付近の垂
直偏向磁界の収束効果をよくする。
イドビーム通過孔付近における垂直偏向磁界のシャント
効果をより効果的にし、センタービーム通過孔付近の垂
直偏向磁界の収束効果をよくする。
【００１６】
実施例１．図１は本発明の一実施例である偏向磁界制御
素子付きＣＲＴの電子銃部分の正面図である。図におい
て、２はシールドカップで、これにはサイドビーム通過
孔１１、１２及びセンタービーム通過孔１３が設けられ
おり、これらを通してサイドビーム１ａ、１ｂ、及びセ
ンタービーム１ｃが放出される。３、４は上記サイドビ
ーム通過孔１１、１２のそれぞれを取り囲むように設け
られた偏向磁界制御素子であり、その形状は、大矩形部
３ａ、４ａと小矩形部３ｂ、４ｂと、大矩形部と小矩形
部とを結ぶ等脚台形部３ｃ、４ｃとからなっている。小
矩形部３ｂ、４ｂの幅（図１における上下方向の幅）は
サイドビーム通過孔１１、１２の孔径と等しく設定され
ている。そして、その配置は、小矩形部３ｂ、４ｂが互
いに対向するようになされている。
素子付きＣＲＴの電子銃部分の正面図である。図におい
て、２はシールドカップで、これにはサイドビーム通過
孔１１、１２及びセンタービーム通過孔１３が設けられ
おり、これらを通してサイドビーム１ａ、１ｂ、及びセ
ンタービーム１ｃが放出される。３、４は上記サイドビ
ーム通過孔１１、１２のそれぞれを取り囲むように設け
られた偏向磁界制御素子であり、その形状は、大矩形部
３ａ、４ａと小矩形部３ｂ、４ｂと、大矩形部と小矩形
部とを結ぶ等脚台形部３ｃ、４ｃとからなっている。小
矩形部３ｂ、４ｂの幅（図１における上下方向の幅）は
サイドビーム通過孔１１、１２の孔径と等しく設定され
ている。そして、その配置は、小矩形部３ｂ、４ｂが互
いに対向するようになされている。
【００１７】このような配置構成の偏向磁界制御素子
３、４を備えたものでは、センタービーム通過孔１３付
近の垂直偏向磁界は、磁界制御素子の小矩形部３ｂ、４
ｂの部分により多くの磁束が収束されるため、図６に示
す従来の偏向磁界制御素子１４、１５によるセンタービ
ーム通過孔１３付近の垂直偏向磁界強度よりもかなり密
となる。従って、本発明の偏向磁界制御素子３、４はセ
ンタービーム１ｃの垂直偏向感度をより高める働きを
し、図５（ｂ）のようなコマ収差でも容易に補正するこ
とが出来る。また、偏向磁界制御素子３、４の形状が矩
形部を基本に構成されているため、垂直偏向磁界の偏向
量を変える場合にも、ビーム通過孔１１、１２、１３を
結ぶ直線に対して垂直方向に偏向磁界制御素子の幅を変
えるだけで容易に調節が出来る。
３、４を備えたものでは、センタービーム通過孔１３付
近の垂直偏向磁界は、磁界制御素子の小矩形部３ｂ、４
ｂの部分により多くの磁束が収束されるため、図６に示
す従来の偏向磁界制御素子１４、１５によるセンタービ
ーム通過孔１３付近の垂直偏向磁界強度よりもかなり密
となる。従って、本発明の偏向磁界制御素子３、４はセ
ンタービーム１ｃの垂直偏向感度をより高める働きを
し、図５（ｂ）のようなコマ収差でも容易に補正するこ
とが出来る。また、偏向磁界制御素子３、４の形状が矩
形部を基本に構成されているため、垂直偏向磁界の偏向
量を変える場合にも、ビーム通過孔１１、１２、１３を
結ぶ直線に対して垂直方向に偏向磁界制御素子の幅を変
えるだけで容易に調節が出来る。
【００１８】図２は偏向磁界制御素子と垂直偏向磁界強
度Ｂｖの関係を本発明と従来技術とで比較したグラフで
ある。図において、ａ、ｂ、ｃは各ビーム通過孔１１、
１２、１３の中心位置であり、１６は図６に示す従来技
術の偏向磁界制御素子によるビーム通過孔付近の垂直偏
向磁界強度を、また１７は本発明の偏向磁界制御素子に
よるそれを示している。
度Ｂｖの関係を本発明と従来技術とで比較したグラフで
ある。図において、ａ、ｂ、ｃは各ビーム通過孔１１、
１２、１３の中心位置であり、１６は図６に示す従来技
術の偏向磁界制御素子によるビーム通過孔付近の垂直偏
向磁界強度を、また１７は本発明の偏向磁界制御素子に
よるそれを示している。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、大矩
形部と小矩形部とを等脚台形部で結んだ形の磁性体から
なる偏向磁界制御素子を用いているため、上下コマ収差
が著しく大きいパターンでも修正することが出来、これ
によりコンバーゼンス補正回路を省略し、糸巻歪補正量
を軽減することが出来る。従って、カラーテレビジョン
受像機の原価低減や信頼性の向上に大きな効果がある。
形部と小矩形部とを等脚台形部で結んだ形の磁性体から
なる偏向磁界制御素子を用いているため、上下コマ収差
が著しく大きいパターンでも修正することが出来、これ
によりコンバーゼンス補正回路を省略し、糸巻歪補正量
を軽減することが出来る。従って、カラーテレビジョン
受像機の原価低減や信頼性の向上に大きな効果がある。
【図１】本発明の一実施例による偏向磁界制御素子を示
す正面図である。
す正面図である。
【図２】本発明における垂直偏向磁界強度を示す特性図
である。
である。
【図３】コマ収差補正用偏向磁界制御素子を用いない場
合の従来のコマ収差のパターンを示す図である。
合の従来のコマ収差のパターンを示す図である。
【図４】従来のコマ収差パターンを補正する場合のコマ
収差補正用偏向磁界制御素子を示す正面図である。
収差補正用偏向磁界制御素子を示す正面図である。
【図５】コマ収差補正用偏向磁界制御素子を用いていな
い場合に現れ易いコマ収差のパターンを示す図である。
い場合に現れ易いコマ収差のパターンを示す図である。
【図６】従来のコマ収差補正用偏向磁界制御素子を示す
正面図である。
正面図である。
【図７】従来のコマ収差補正用偏向磁界制御素子の他の
例を示す正面図である。
例を示す正面図である。
１ａ サイドビーム １ｂ サイドビーム １ｃ センタービーム ２ シールドカップ ３ 磁界制御素子 ４ 磁界制御素子 ３ａ 大矩形部 ４ａ 大矩形部 ３ｂ 小矩形部 ４ｂ 小矩形部 ３ｃ 等脚台形部 ４ｃ 等脚台形部 １１ サイドビーム通過孔 １２ サイドビーム通過孔 １３ センタービーム通過孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年８月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コンバーゼンス補正
回路を省略することが出来るインライン配列の電子銃を
有するカラー陰極線管（以下単にＣＲＴと呼ぶ）に関す
るものである。
回路を省略することが出来るインライン配列の電子銃を
有するカラー陰極線管（以下単にＣＲＴと呼ぶ）に関す
るものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】図４において、サイドビーム通過孔１１、
１２を取り巻くドーナツ型磁界制御素子７、８は、サイ
ドビーム通過孔１１、１２付近の水平、垂直偏向磁界を
弱め、センタービーム通過孔１３付近の垂直偏向磁界を
強めるように働く。また、円盤型磁界制御素子９、１０
はセンタービーム通過孔１３付近の水平偏向磁界を強め
るように働く。この結果、サイドビームに対する偏向感
度がセンタービームに対する偏向感度より悪くなり、偏
向感度を非斉一磁界にしたことによるセンタービームの
偏向感度の劣化を補正し、画面上にはコマ収差のないパ
ターンが得られる。
１２を取り巻くドーナツ型磁界制御素子７、８は、サイ
ドビーム通過孔１１、１２付近の水平、垂直偏向磁界を
弱め、センタービーム通過孔１３付近の垂直偏向磁界を
強めるように働く。また、円盤型磁界制御素子９、１０
はセンタービーム通過孔１３付近の水平偏向磁界を強め
るように働く。この結果、サイドビームに対する偏向感
度がセンタービームに対する偏向感度より悪くなり、偏
向感度を非斉一磁界にしたことによるセンタービームの
偏向感度の劣化を補正し、画面上にはコマ収差のないパ
ターンが得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５
（ｂ）に示すように上下コマ収差の修正量が著しく大き
い場合には、図６に示すような従来の磁界制御素子では
上下のコマ収差を完全には補正できない。その理由とし
て、第１に磁界制御素子１４、１５の部分１４ａ、１４
ｂ、１５ａ及び１５ｂのセンタービームに対する垂直偏
向磁界のシャント効果が悪いこと、第２に制御磁界素子
１４、１５の部分１４ｃ、１５ｃのセンタービームに対
する垂直偏向磁界の磁束の集束効果が悪いことにある。
従って、図５（ｂ）のようなパターンのコマ収差を補正
するには別の磁界制御素子が必要である。
（ｂ）に示すように上下コマ収差の修正量が著しく大き
い場合には、図６に示すような従来の磁界制御素子では
上下のコマ収差を完全には補正できない。その理由とし
て、第１に磁界制御素子１４、１５の部分１４ａ、１４
ｂ、１５ａ及び１５ｂのセンタービームに対する垂直偏
向磁界のシャント効果が悪いこと、第２に制御磁界素子
１４、１５の部分１４ｃ、１５ｃのセンタービームに対
する垂直偏向磁界の磁束の集束効果が悪いことにある。
従って、図５（ｂ）のようなパターンのコマ収差を補正
するには別の磁界制御素子が必要である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＣＲＴ
は、同一平面上を通るセンタービーム及び一対のサイド
ビームからなる一列配置の３電子ビームを放出する電子
銃の先端部に円筒状のコンバーゼンスカップが取り付け
られ、このコンバーゼンスカップの底部に形成された上
記３電子ビームを各別に通過させる一列配置の３個の電
子ビーム通過孔の内、一対のサイドビーム通過孔の周り
にそれぞれ偏向磁界の非斉一性に基づく収差を補正する
磁界制御素子が配置されてなるものにおいて、磁界制御
素子はサイドビーム通過孔を囲む磁性体であって、大矩
形部と小矩形部を等脚台形部で結合した形状に構成さ
れ、且つ小矩形部がセンタービーム通過孔に近接するよ
うにインライン配列方向において対向して一対配置され
ているものである。
は、同一平面上を通るセンタービーム及び一対のサイド
ビームからなる一列配置の３電子ビームを放出する電子
銃の先端部に円筒状のコンバーゼンスカップが取り付け
られ、このコンバーゼンスカップの底部に形成された上
記３電子ビームを各別に通過させる一列配置の３個の電
子ビーム通過孔の内、一対のサイドビーム通過孔の周り
にそれぞれ偏向磁界の非斉一性に基づく収差を補正する
磁界制御素子が配置されてなるものにおいて、磁界制御
素子はサイドビーム通過孔を囲む磁性体であって、大矩
形部と小矩形部を等脚台形部で結合した形状に構成さ
れ、且つ小矩形部がセンタービーム通過孔に近接するよ
うにインライン配列方向において対向して一対配置され
ているものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】
【作用】この発明における形状の磁界制御素子は、両サ
イドビーム通過孔付近における垂直偏向磁界のシャント
効果をより効果的にし、センタービーム通過孔付近の垂
直偏向磁界の集束効果をよくする。
イドビーム通過孔付近における垂直偏向磁界のシャント
効果をより効果的にし、センタービーム通過孔付近の垂
直偏向磁界の集束効果をよくする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【実施例】 実施例１．図１は本発明の一実施例である偏向磁界制御
素子付きＣＲＴの電子銃部の先端に取り付けられたコン
バーゼンスカップの正面図である。図において、２はシ
ールドカップで、これにはサイドビーム通過孔１１、１
２及びセンタービーム通過孔１３が設けられおり、これ
らを通してサイドビーム１ａ、１ｂ、及びセンタービー
ム１ｃが放出される。３、４は上記サイドビーム通過孔
１１、１２のそれぞれを取り囲むように設けられた偏向
磁界制御素子であり、その形状は、大矩形部３ａ、４ａ
と小矩形部３ｂ、４ｂと、大矩形部と小矩形部とを結ぶ
等脚台形部３ｃ、４ｃとからなっている。小矩形部３
ｂ、４ｂの幅（図１における上下方向の幅）はサイドビ
ーム通過孔１１、１２の孔径と等しく設定されている。
そして、その配置は、小矩形部３ｂ、４ｂが互いに対向
するようになされている。
素子付きＣＲＴの電子銃部の先端に取り付けられたコン
バーゼンスカップの正面図である。図において、２はシ
ールドカップで、これにはサイドビーム通過孔１１、１
２及びセンタービーム通過孔１３が設けられおり、これ
らを通してサイドビーム１ａ、１ｂ、及びセンタービー
ム１ｃが放出される。３、４は上記サイドビーム通過孔
１１、１２のそれぞれを取り囲むように設けられた偏向
磁界制御素子であり、その形状は、大矩形部３ａ、４ａ
と小矩形部３ｂ、４ｂと、大矩形部と小矩形部とを結ぶ
等脚台形部３ｃ、４ｃとからなっている。小矩形部３
ｂ、４ｂの幅（図１における上下方向の幅）はサイドビ
ーム通過孔１１、１２の孔径と等しく設定されている。
そして、その配置は、小矩形部３ｂ、４ｂが互いに対向
するようになされている。
Claims (2)
- 【請求項１】 同一平面上を通るセンタービーム及び一
対のサイドビームからなる一列配置の３電子ビームを放
出する電子銃に円筒状のコンバーゼンスカップが取り付
けられ、このコンバーゼンスカップの底部に形成された
上記３電子ビームを各別に通過させる一列配置の３個の
電子ビーム通過孔の内、一対のサイドビーム通過孔の周
りにそれぞれ偏向磁界の非斉一性に基づく収差を補正す
る磁界制御素子が配置されてなるカラー陰極線管におい
て、上記磁界制御素子は上記サイドビーム通過孔を囲む
磁性体であって、大矩形部と小矩形部を等脚台形部で結
合した形状に構成され、且つ上記小矩形部が上記センタ
ービーム通過孔に近接するようにインライン配列方向に
おいて対向して一対配置されていることを特徴とするカ
ラー陰極線管。 - 【請求項２】磁界制御素子の小矩形部のインライン配列
方向に垂直な方向の幅を、サイドビーム通過孔の孔径と
ほぼ同じにしたことを特徴とする請求項１記載のカラー
陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19235093A JPH0750140A (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | カラー陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19235093A JPH0750140A (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | カラー陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750140A true JPH0750140A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16289819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19235093A Pending JPH0750140A (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | カラー陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750140A (ja) |
-
1993
- 1993-08-03 JP JP19235093A patent/JPH0750140A/ja active Pending
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