JPH07503554A - フォトリソグラフィのための改善されたマスク - Google Patents

Abstract

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Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 フォトリソグラフィのための改善されたマスク発明の分野 本発明は半導体デバイスの処理の分野、特にシリコン基盤の表面にパターンを描 くフォトリソグラフィの方法に関するものである。

発明の背景 集積回路（ＩＣ）のデザインにあたって、回路の概略設計をするためにコンピュ ータシミュレーションが多く用いられている。回路の概略設計には、個々のデバ イスがある機能を実現するように結合されて含まれる。半導体基盤内に回路を実 際に構成するにあたって、回路は物質的表記、すなわちレイアウトに置き換えら れる。レイアウトはシリコン基盤上に描かれる。

また、個々の回路素子を、完成したＩＣ内にデバイスを組み込んだ形状に変換す る作業では、コンピュータ支援設計（ＣＡＤ）が有効である。これら形状が次の ような個々の回路要素を構成する。すなわち、電操、酸化領域、拡散領域。

金属結合などである。ＣＡＤシステムで用いられるソフトウェアプログラムは、 通常あるデザイン規則の組の下で機能するよう構成されて、機能回路を提供する 。

通常、デザイン規則はあるプロセス及び設計上の限界をもとに決定される。

例えば、デザイン規則は、デバイスや連結線で不必要な相互作用が発生しないよ うに、デバイスや連結線の間の間隔許容量を定義する。デザイン規則の限界はし ばしば臨界寸法として表される。回路の場合、臨界寸法は連結線の最小幅や２線 間の最小間隔として定義される。したがって、臨界寸法がＩＣ全体のサイズや密 度を決定することになる。現在のＩＣ技術では、はとんどの回路で最小の臨界寸 法が０．５ミクロンの線幅及び間隔である。

ＩＣの製造にあたっては、一旦回路のレイアウトが設計されれば、後はレイアウ トを半導体基盤に移すだけである。フォトリソグラフィは、マスク上の幾何形状 をシリコンウェハの表面に移しかえるためのよく知られた工程である。ＩＣリソ グラフィ工程の分野では、通常、まず感光性ポリマーフィルム（フォトレジスト ）をシリコンウェハに塗って、乾かす。その後、光源あるいは放熱源により、マ スクを通して適当な幾何パターンでウェハを露光する露光器が使用される。露光 後、感光性物質に移しかえられたマスクイメージを現像するためウェハが処理さ れる。それから、回路のデバイス部位を創り出すために、これらマスクパターン が用いられる。

露光器の重要な限界特性はその解像度である。露光器の解像度はウェハ上に繰り 返し露光できる最小部位として定義される。現在、最先端の露光器を用いると、 解像度は約０．４ミクロン程度である。このように、現在のりソグラフィ装置の 解像度は、はとんどのＩＣ回路設計の臨界寸法に近い値である。従って、露光器 の解像度がＩＣ回路の最終的なサイズや密度を決定する大きな要因となっている 。

レイアウトの臨界寸法が解像度に近づくにつれ、マスクとフォトレジスト上の実 際のレイアウトパターンとが非常に食い違ってくる。特に、この回路部位のパタ ーン現像での食い違いと部位間の隣接程度とは互いに依存することが観察される 。（光学的投影によるプリントを使用する）リソグラフィ工程における隣接効果 は、イメージング、レジストパターン形成（露光や現像）及びエツチングなどの その後のパターン転写工程で顕著になる。この効果の程度は、マスクパターン上 の２つの部位の接近に依存する。隣接効果は投影系における回折によって起こる ことが知られている。この回折によって、隣接する部位にはパターンに依存する 変形を生じるような互いに相互作用が起きることになる０例えば、２つの連結線 が同じ寸法を持つよう設計されていても、レイアウトで他の部位との隣接状態が 異なると、２つの線は現像後に同じ寸法でなくなる。このように、密集してまと められた線の群は、孤立線と比較すると異なって転写される傾向がある。線幅が 一様に再生されない場合には、明らかにＩＣで重大な問題が生じる。

隣接効果の問題を克服するために、多くの手法が開発されてきた。この中で、Ｃ Ｄバイアス法は、ウェハに転写される最終的な目標寸法が補償しない部位と違わ ないように、あるマスク部位をあらかじめ補償する解決法の１つである。

例えば、マスクパターンでは同じ幅の線でも、隣接効果による最終的なレジスト 線幅が異なってくる。特に、ポジのフォトレジストを使用した場合には、孤立線 の最終線幅が密集線よりも広くなる。この偏りをなくすため、ＩＣ製造設計者は 孤立線の初期マスクの線の幅を密集線よりも細いマスクパターンで作って来た。

このマスクパターンの前補償によって、孤立線と密集線との最終的なレジストの 線幅をほぼ等しくすることができる０通常、この増加あるいはバイアスされる大 きさは経験的に決定され、使用される露光器、利用されるレジスト処理の種類及 び臨界寸法の大きさへの依存性が高い、一方で、理想的なりソグラフィ要因から 少しずれると、バイアスされた部位に大きな悪影響を及ぼす。そのため、この手 法は産業界ではあまり広くは用いられていない。

バイアス手法では、フォトレジストを厚く塗布するとレジスト工程で生じる隣接 効果を軽減できる。この結果、あるフォトレジストの厚さで所定の露光器では、 隣接効果を最小限に抑えることができる。しかし、レジストと厚さを変化させる 主な欠点としては、最小のＣＤバイアスを提供する選ばれたレジストの厚さが、 光解像度のための所望の厚さとならないことである。このように、ＣＤバイアス は隣接効果の問題を解決するにあたって、たびたび不十分となる。

その他の手法として、線幅制御を強化し隣接効果を軽減する多層レジスト処理が 提案されている。この手法では、表面形状や反射の問題を無くす着色された平ら な層を使って、フォトレジスト層の表面等に比較的不透明な物質層を塗布する。

基盤の反射を抑えることで隣接効果はいくらか解消されるが、現在使用されてい る多層レジスト処理のどれも隣接問題を完全に解決したわけではなく、この処理 は従来の処理よりもコストが高くなる。

ある、干渉の少ない光は部位の制御にはより適切である。しかし、全く非干渉の 光は解像度を悪くすることが多く、はとんど良い効果をもたらさない。その上、 はとんどの工業界で使用される露光機器は固定干渉となっており、機器の干渉性 を変動させる操作がメカ的に含まれるので、装置販売者にも普通好まれない。

最後に、電子ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）イメージングの隣接効果の性質は、光イメ ージングとは逆であることが知られており、自動的な隣接補償が隣接効果の減少 のために使用されることが示唆されてきた。自動隣接補償は、ＩＸ（サイズ縮小 なし）のレチクルを発生する電子ビームを露光器で用いることにより達成され、 隣接効果を効果的に打ち消すことが可能となる。しかし、減少露光法（ｒｅｄｕ ｃｔｉｏｎ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｍｅｔｈｏｄ）を用いた場合には、減少のない 方法に比べてさらに多くの利点が挙げられる。中でも、臨界寸法の減少に従って 、マスク製造者が小さなマスクよりもより小さな誤り率で大きなマスクを製造で きることは、大きな利点である。

更に、露光の量を減少させることで、減少露光法におけるマスクの寸法限界も減 少する。マスクの寸法限界の減少によって失敗品が減少し、ウェハの歩留りも増 加する。このような観点から、今日のＩＣの製造者の多くは、縮小露光法を用い てウェハを作製している。一方、ＬＸの電子ビーム技術は非実用的であまり用い られていない、さらに、自動隣接補償はごく限られた場合にしか有効性を発揮で きない。

そこで、単純で処理工程に依存しない隣接効果問題の解決法が必要とされている 。本発明は、孤立部位のエツジ強度の勾配が密集して詰め込まれた部位のエツジ 強度の勾配と等しくなるようにマスクパターンを変えることで、隣接効果を最小 化している。もしも、全部位で同様のエツジ強度の勾配が得られれば、パターン 転写はより一様となり、実質的に隣接効果の問題は解消される。

発明の要旨 半導体リソグラフィ工程において、パターン転写の際に生じる隣接効果を減少さ せる改善法を示す、マスクパターンの特定の部位のパターン転写は、隣接効果に よってマスク上の他の部位との隣接に依存する０例えば、マスク上で同じ寸法の 線であっても、他の部位との隣接状態が異なれば、半導体上へ転写して現象され た後は寸法が異なってくる。この隣接効果は、隣りの部位の近接したエツジの強 度勾配と相互作用するパターンエツジでの強度勾配により生じる。この相互作用 は、パターンの形成作用に影響を及ぼす。

本発明では、マスクパターンに強度勾配均一化バー（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ　ｇｒ ａｄｉｅｎｔ　ｌｅｖｅｌｉｎｇ　ｂａｒｓ）と呼ばれる細い線を追加すること で、隣接効果を抑制する。この均一化バーは、マスクパターンの孤立線のエツジ での強度勾配を密集して積め込まれた線のエツジでの強度勾配と一致させる役割 を果たす、このように、孤立エツジ勾配と密集エツジ勾配との一致により、マス クパターンの転写を一致させることができる。

均一化バーは、孤立エツジに対して平行に置く０強度勾配の均一化がマスクパタ ーンの全ての孤立エツジで生じさせるためである。さらに、均一化バーの線幅は 露光器の解像度よりも十分小さく設定する。その結果、フォトレジストの露光に おいて適当な露光エネルギーが使用される場合に、マスクパターンにある均一化 バーが完全に除去されたレジストパターンを生じることができる。

実施例では、現像後に均一化バーがレジストパターンに残らない適当な露光エネ ルギー（Ｅｎ）としては、はぼ１５０ｍＪが好ましい、ただし、０．５ミクロン の解像度を目標とし、Ｎｏｖａｌａｋに基づくポジフォトレジスト処理で、ＡＳ Ｍ−Ｌ　５５００／６０光ステツプシステムを用いるものとする。均一化バーは ＣＡＤソフトアルゴリズムによりレイアウト設計で自動的に実現することができ るので、本発明は回路やレイアウトの設計技術者とは無関係に隣接効果を解決す ることができる。

本発明の実施例においては、均一化バーの線幅は回路設計で臨界寸法の１１５に ほぼ等しいものとする。ここで、臨界寸法は、一般的にリソグラフィ処理で使用 される露光器での解像度の限界に近い値である。エツジでの強度勾配の最適な修 正のため、透明地のマスク（ｃｌｅａｒ　ｆｉｅｌｄ　ｍａｓｋ）では、均一化 バーは所望のエツジから臨界寸法の値の１．１倍の位置に描く。黒地のマスク（ ｄａｒｋ　ｆｉｅｌｄｍａｓｋ）では、均一化バーは臨界寸法にほぼ等しい距離 が好ましい、このように、本発明では均一化バーの幅や配置が臨界寸法値によっ て決定されるので、プロセスから独立した隣接効果の解決法を提供する。

本発明は、あらゆる方式のフォトリソグラフィ工程に適用することができる。

例えば、光りソゲラフ仁レーザを用いた深Ｕｖリソグラフィ、レーザを用いない 深Ｕ■リソグラフィ、Ｘ線リソグラフィ、粒子ビームを用いたりソグラフィなど が挙げられる。

図面の簡単な説明 図１は、孤立部位及び密集部位を表わすマスクテストパターン例を示す図である 。

図２は、マスク上での線幅が両者ともに０．５ミクロンである場合に、最終的に 得られる孤立部位と密集部位とのレジスト線の幅の比較例を示す図である。

図３は、孤立部位と密集部位とのエツジ強度勾配例を示すグラフ図である。

表４は、臨界寸法設計基準が０．４と０．５の場合についての８本発明の強度均 一化バーの最適な幅と間隔とを示す図である。

図５Ａは、本発明で説明されるエツジ強度均一化バーを用いたマスクパターンを 示す図である。

図５Ｂは、図５Ａのテストパターンにおいて、均一化されていない孤立エツジ、 密集して詰め込まれたエツジ及び本発明の強度均一化された孤立エツジでのエツ ジ強度勾配の比較例を示す図である。

図６Ａは、表６Ｂ及び６Ｃに示された値を決定するために用いるマスクテストパ ターン例を示す図である。

表６Ｂは、孤立線、密集線０強度均一化された孤立線について、露光エネルギー レベルの変化に対する線幅と壁角との値を示す図である。

表６Ｃは、図６Ｂの線幅と壁角との比較を示す図である。

図６Ｄは、図６Ｂ及び図６０で線幅と壁角とを測定する場所を示すレジスト線の 断面図である。

図７Ａは、露光エネルギーレベルの変化によるレジスト内のエツジ強度均一化バ ーの現像状況を説明するのに使用されるマスクテストパターン例を示す図である 。

図７Ｂは、露光エネルギーレベルの変化における均一化されていない線、均一化 された線及び関連する均一化バーによるレジストパターンの断面を示す図である 。

図８Ａ及び８Ｂは、透明地マスクと黒地マスクとの種々の回路パターンでの強度 均一化バーの配置例を示す図である。

詳細な説明 パターン転写の際に、隣接効果によって生じる不一致を実質的に解消する改良さ れたマスクが開示される。説明を進めるにあたって、本発明の完全な理解を容易 にするため、特定の物質、線幅寸法といった多くの特定の細部が設定される。も ちろん、本発明の実用段階ではこのような特定の細部は必要ない、すなわち、本 発明の主旨を不必要に不明瞭にしないため、良く知られている処理工程について は詳細な記述を省略する。

図１に孤立部位と密集部位とを有するマスクテストパターンを示す、全ての線２ ４〜２９は０．５ミクロンの幅である。また、密集線２５〜２９は１４で示すよ うに０．５ミクロン間隔で並んでいる。孤立線２４と他の部位との距離は、１５ で示すように少なくとも２ミクロン離れている。線２４は２つの孤立エツジ（２ ４Ａ）を持ち、線２５と２９とはそれぞれ孤立エツジ２５Ａと２９Ａとをもつ、 線２４は隣接効果なしに密集線と同様に転写される。しかしながら、図２に見ら れるように、線２４〜２９は最終的に同一のレジスト線幅とはならない。

図２は、露光エネルギーに対して密集線２７と孤立線２４の最終レジスト線幅を 示す０図２に示すグラフの線２０は、全ての露光エネルギーでの両方の線２４． ２７のマスク上での０．５ミクロンの寸法を示している０図２は、孤立線２４と 密集線２７とが同じ線幅になるよう設計されても、最終的な線幅が異なることを 示している０図２の線２１と線２２とにより示されるように、密集線２７の最終 レジスト線幅は、孤立線２４の線幅を常に下回っている。これは、露光エネルギ ーレベルの広い範囲にも当てはまる。

隣接効果はエツジ強度勾配の相互作用によって生まれるので、露光の際の孤立線 と密集線とのエツジ強度勾配を比較することでも、画像部位の隣接効果を示すこ とができる０図３は図１に示すテストパターンの孤立エツジ２４Ａと密集エツジ ２７Ｂとの相対エツジ強度勾配を表すグラフである。孤立線と密集線とのエツジ 強度曲線の傾きは、それぞれ３．４と３．８である。したがって、密集線の勾配 は孤立線よりも急であり、その結果図２のように両者の最終線幅に影響な及ぼす 。

本発明では、孤立部位と密集部位とのエツジ勾配を一致させることで、隣接効果 により生じる問題に取り組む、これは、線の孤立エツジに近接して、通常のマス クパターンにエツジ強度均一化バーと呼ばれる細い線を付加することで達成され る。調整される部位のエツジから均一化バーが配置される位置までの最適距離は 、透明地マスクの場合、密集部位間の最端距離（すなわち、限界寸法）の約１． １倍である。透明地マスクとは、透明な下地に多くは黒のパターンを設けるマス クとして定義されるものである（図８Ａ参照）。

（均一化バーの最適距離）＝１．ＩＸ臨界寸法　・・・透明地マスク黒地マスク の場合、均一化バーは最小窓の幅と等しい距離に配置されるのが好ましい。黒地 マスクとは、不透明な下地に多くは透明な窓を開けるマスクとして定義される（ 図８Ｂ参照）。

（均一化バーの最適距離）＝　臨界寸法　・・・黒地マスクまた、どちらのマス クの場合にも、均一化バーの幅は臨界寸法の約１７５となる。

（均一化バーの幅）＝　臨界寸法１５ 従来の隣接効果のプロセスに依存した解決法と違って、本発明の解決法では設計 されている回路での臨界寸法値に依存し、従ってプロセスから独立した隣接効果 の解決方法を提供する０表４に、０．４及び０．５ミクロンの臨界寸法設計規則 における強度均一化バーの計算された寸法と距離とを示す。

本発明の主要な概念は、エツジの強度勾配を調整して、パターン転写の際に生じ る隣接効果を抑えるものである。従って、表４に与えられた特定の数値は、本発 明を実施するにあたって必ずしも必要なものではない。従って、均一化バーの幅 及び距離としてのこれら特定の数値は、単に本発明が動作する最適条件を示すに 過ぎない。

図５Ａはマスクテストパターン例であり、本発明で開示される均一化バーを有し ている。線３０〜３４は全て幅０．５ミクロン、間隔０．５ミクロンで設計され ている。線３２では、３つのエツジ条件が生じるように設計されている。

すなわち、３２Ａで示される線３２の部分は均一化されていない孤立エツジを表 わし、部分３２Ｂは密集エツジ、部分３２Ｃは２つの均一化バーを持つ孤立エツ ジである。

図５Ｂに、図５Ａのテストパターンで示したそれぞれのエツジ条件３２Ａ。

３２Ｂ、３２Ｃに対するエツジ強度勾配を示す、均一化されていない孤立エツジ ３２Ａでは、エツジ強度レベルの傾きは３．４である。一方、密集エツジ３２Ｂ 及び均一化エツジ３２Ｃでは、傾きはそれぞれ３．８と３．７である。このよう に、エツジ強度均一化バーは、孤立エツジと密集エツジとのエツジ強度勾配を一 一致させることができる。エツジ強度勾配が一致すれば、孤立及び密集によらず 同じパターン転写が可能となる。

エツジ強度の一致の効果は表６Ｂ及び表６０に示されている０表６Ｂに、図６Ａ のテストパターンに示された孤立線３７．密集線３９及び均−化線４１に対して 、レジスト線幅とレジスト壁角との測定値を示す、レジスト線は１次元の部位で はないので、図６Ａに示す３つの条件で線幅の一致を検証するにあたっては、レ ジスト壁角を考慮することが重要となる。従って、線幅と壁角との検証には図６ Ｄの参照が必要となる０図６Ｄはレジスト線の断面図である。線幅の測定を一致 させるために、表６Ｂに示す全線幅の測定は、レジスト線の全体の高さ６１に対 して底から２０％の位置で行われる。壁角はパターンエツジでのレジスト線の全 体の高さ６１の２０％から８０％への角度から推定する。

表６０では、エツジ強度均一化の改善が更に明らかにされている０表６０には、 密集線３９の線幅が均一化されない孤立線３７及び強度均一化された線４１と比 較されている。比較は、密集線３９の線幅値と孤立線３７及び強度均一化線４１ の各々の線幅値との差の間の絶対値を得ることで実行される。

Δ＝１　（線幅３９）−（線幅３７または４１）１この差分が密集線と孤立線間 のΔ値及び密集線と強度均一化線間のΔ値を与える。Δ値が小さい程線幅が一致 している。特にΔ＝Ｏの場合は、線幅値に違いが無いことを示し、完全に一致す る。Δ値が大きいときには、線幅の値開の不一致が大きいことが示される０表６ ０は、密集線３９と均−他線４１間のΔ値が線３９と均一化されない孤立線３７ 間のΔ値よりも一貫して小さいことを示している。また、露光エネルギーが１１ ０ｍＪ〜２１０ｍＪの範囲の平均Δ値は、密集／均一化の比較の方が小さくなっ ている。したがって、表６０に示された情報は、強度均一化線４１が、均一化さ れない線幅値と比較して密集線３９の線幅値にずっと近い値を持つことを示して いる。すなわち、エツジ強度均一化バーを用いた場合には、孤立線の最終レジス ト線幅は密集線の最終線幅と一致する。一方、エツジ強度均一化のない孤立線の 最終レジスト線幅には一致が見られない。

回路のレイアウト設計やレジストパターンに余分な線を追加することは好ましく ないので、本発明ではパターン転写の際に均一化バーが表われれないよう工夫す る。適切な露光エネルギー（Ｅｎ）を設定すると、均一化バーのレジストパター ンを完全に消し去ることができる。実施例としての適切な露光エネルギーは１５ ０ｍＪである。

図７Ｂは、露光エネルギーを変化させた場合の、図７Ａに示すテストパターンの レジスト断面図を示している。テストパターン７Ａは、孤立、密集、均一化の３ つのエツジ条件を含むよう作られている０図７Ａによれば、線４３は孤立エツジ ４３Ａと密集エツジ４３Ｂとを持ち、線４４は密集エツジ４４Ｂと均一化エツジ ４４Ｃとを持っている。エツジ４４Ｃは均一化バー４５で均一化されている。図 ７Ｂの断面図４６では、露光エネルギーは７０ｍＪである０点Ａ、Ｂ間の高台は 、線４３のレジスト断面部を表している。同様に、点Ｂ、Ｃ間の高台。

点Ｃ，Ｄ間の高台は、それぞれ線４４．４５レジスト断面部に対応する。このよ うに、露光エネルギー７０ｍＪにおいては、断面４６によりレジストパターンに まだ均一化バーが残っているのが分かる。これは、７０ｍＪの露光エネルギーが 、均一化バーを消し去るのに示唆した最適露光エネルギーよりかなり小さいため である。

断面５０は露光エネルギーを適切な１５０ｍＪとした場合の、図７Ａに示すパタ ーンのレジスト断面部である。この図で、線４３．４４の断面図は、それぞれ点 Ａ、Ｂ間、点Ｃ，Ｄ間に対応する。しかし、均一化バー４５の跡はない。

このように、均一化バーはエツジ強度の均一化に効果的であると同時に、最終的 なレジストパターンには影響を及ぼさない。

多くの従来の隣接効果の解決法としては、線幅を調整する手法が主流である。

確かに、臨界線幅寸法はＩＣ設計上重要課題である。しかし、隣接効果は、線の 長さや角の曲がり方のばらつきへの要因ともなる。このように、本発明の他の効 果は、均一化バーがあらゆる孤立パターンのエツジを全て囲むように作成できる ので、均一化バーがパターン部位のどんなエツジの強度均一化にも使用できるこ とである０図８Ａ及び８Ｂは、透明地マスクと黒地マスクとについて本発明の種 々の実施例を示している０図８Ａにおいて、部位セット５１は密集線５２の群か ら成っており、その全孤立エツジの周辺は均一化バーで囲まれている。

均一化バー５３は部位セット５１の孤立エツジの全てを囲んでいる８部位セット ５１のいくつかの線エツジは孤立エツジではないので均一化の必要はない１部位 ５４では、全てのエツジが孤立エツジであり、均一化バー５５は線５６を完全に 囲っている０部位セット５７は、２つの孤立線の間に置かれて両方を同時に均一 化する均一化バーの一例が示されている。ここで、線５８は均一化バーの距離間 隔で互いに整列して並んでいる。このように、線５９は画線５８を均一化する役 割を同時に果たしている。最後に、部位６０は、均一化バーがセリフなどの他の 補償パターンと同時に用いられる場合の一例を示している。セリフ６１は、通常 、パターン転写を行う際に、角が丸くなるのをなくすために使われる。

均一化バ−６２は部位６ｏとセリフ６１とをまとめて囲んでいる。

図８Ｂは黒地マスクを使用する場合の均一化バーの配置例を示している。

本発明は半導体フォトリソグラフィでの使用を対象としているが、どんなフォト リソグラフィ工程にも適用できる。

このように、本発明は回路設計の臨界寸法のみに依存する隣接効果の単純な解決 手法を提供する。

図４　５ｍＡ均一４ｚ＋ｖ−のＬ直ゴ未図５Ａ 狐ｆＬ＠位のエツジ 権に３臼゛ンミ７０ン（μｍ） 図５Ｃ 私東部侑のエツジ゛ 碌１ｚシυつ三クロン（…η） 図５Ｄ （フーイし廿財立のエツジ” 農に３曾うミクロン（μｍ） 区　区 図８Ａ フロントページの続き （８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。

ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＥ、ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、ＰＴ、ＳＥ） 、０Ａ（ＢＦ、ＢＪ、ＣＦ、ＣＧ、　ＣＩ、　ＣＭ、　ＧＡ、　ＧＮ、　ＭＬ、 　ＭＲ，ＳＮ、　ＴＤ。

ＴＧ）、　ＡＴ、　ＡＵ、　ＢＢ、　ＢＧ、　ＢＲ，ＣＡ、　ＣＨ。

ＤＥ、ＤＫ、ＥＳ、ＦＩ、ＧＢ、ＨＵ、ＪＰ、ＫＰ、ＫＲ，ＬＫ、　ＬＵ、　Ｍ Ｇ、　ＭＮ、　ＭＷ、　ＮＬ、　Ｎｏ、　ＰＬ、Ｒ○、ＲＵ、ＳＤ、５Ｅ （７２）発明者　マシューズ、ジエイムス　エイ。

アメリカ合衆国　カリフォルニア州 ９５０３５　ミルピタス、アルコスタ　ドライブ８７８

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. １．集積回路（ＩＣ）に対応してリソグラフィパターンをマスクから半導体基盤 に光学的に転写するための改善されたマスクであって、前記パターンは少なくと も１つのエッジを有する少なくとも１つの部位を含み、少なくとも１つの追加線 を備え、前記少なくとも１つの迫加線は、前記少なくとも１つのエッジに対応す ると共に、前記少なくとも１つのエッジから所定距離離れて前記マスク上に位置 し、前記少なくとも１つの追加線は、前記少なくとも１つのエッジのエッジ強度 勾配を変化させることを特徴とするマスク。
2. ２．請求項１の改善において、前記少なくとも１つの追加線は前記基盤に転写さ れないように十分細い幅を有する。
3. ３．請求項２の改善において、前記少なくとも１つの部位は最小寸法を有し、前 記幅は前記寸法の１／２未満である。
4. ４．請求項３の改善において、前記幅は前記寸法のほぼ１／５である。
5. ５．請求項４の改善において、前記所定の距離は前記最小寸法にほぼ等しい。
6. ６．請求項４の改善において、前記所定の距離は前記最小寸法の１．１倍にほぼ 等しい。
7. ７．集積回路（ＩＣ）に対応してリソグラフィパターンをマスクから半導体基盤 に光学的に転写するための改善されたマスクであって、前記パターンは各々が関 連するエッジを有する部位を含み、前記エッジの第１の部分は光の回折のために パターンに依存する変化を生じるようにお互いに隣接して配置され、前記エッジ の第２の部分は前記部位のとんな他のエッジからも比較的離れており、複数の追 加線を備え、前記追加線の各々は、前記第２の部分の前記エッジの１つに対応し 、前記第２の部分の前記エッジの１つから所定距離離れて前記マスクに配置され 、前記追加線は、前記エッジの前記第２の部分のエッジ強度勾配を前記エッジの 前記第１の部分のエッジ強度勾配に近づけるように変化させることを特徴とする マスク。
8. ８．請求項７の改善において、前記の追加線は前記基盤に転写されないように十 分細い幅を有する。
9. ９．請求項８の改善において、前記部位は最小寸法を有し、前記幅は前記寸法の １／２未満である。
10. １０．請求項９の改善において、前記幅は前記寸法のほぼ１／５である。
11. １１．請求項１０の改善において、前記所定の距離は前記最小寸法にほぼ等しい 。
12. １２．請求項１０の改善において、前記所定の距離は前記最小寸法の１．１倍に ほぼ等しい。
13. １３．集積回路（ＩＣ）に対応してマスクから表面にリソグラフィでパターンを 転写するための改善されたマスクであって、前記パターンは各々が関連するエッ ジを有する部位を含み、前記エッジの第１の部分は光の回折のためにパターンに 依存する変化を生じるようにお互いに隣接して配置され、前記エッジの第２の部 分は前記部位のとんな他のエッジからも比較的離れており、複数の迫加線を備え 、前記追加線の各々は、前記第２の部分の前記エッジの１つに対応し、前記第２ の部分の前記エッジの１つから所定距離離れて前記マスクに配置され、前記追加 線は、前記エッジの前記第２の部分のエッジ強度勾配を前記エッジの前記第１の 部分のエッジ強度勾配に近づけるように変化させることを特徴とするマスク。
14. １４．請求項１３の改善において、前記の追加線は前記基盤に転写されないよう に十分細い幅を有する。
15. １５．請求項１４の改善において、前記部位は最小寸法を有し、前記幅は前記寸 法の１／２未満である。
16. １６．請求項１５の改善において、前記幅は前記寸法のほぼ１／５である。
17. １７．請求項１６の改善において、前記所定の距離は前記最小寸法にほぼ等しい 。
18. １８．請求項１６の改善において、前記所定の距離は前記最小寸法の１．１倍に ほぼ等しい。