JPH0750679Y2 - サーモパイル型赤外線センサ - Google Patents
サーモパイル型赤外線センサInfo
- Publication number
- JPH0750679Y2 JPH0750679Y2 JP1526390U JP1526390U JPH0750679Y2 JP H0750679 Y2 JPH0750679 Y2 JP H0750679Y2 JP 1526390 U JP1526390 U JP 1526390U JP 1526390 U JP1526390 U JP 1526390U JP H0750679 Y2 JPH0750679 Y2 JP H0750679Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon film
- hard carbon
- infrared sensor
- substrate
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、サーモパイル型赤外線センサの構造に関す
る。
る。
従来のサーモパイル型赤外線センサの代表的な構造を、
第2図(a)、(b)を用いて説明する。第2図(a)
は、この物の断面図であり、第2図(b)は平面図であ
る。基板1の片面に被覆された絶縁膜2が、基板の周辺
部においてはヒートシンク3を構成し、基板1の中央部
に穿孔されたピット4部においてはダイアフラム5を構
成している。ダイアフラム5の中央部には赤外線吸収体
としての黒体6が被着されており、黒体6の周囲には、
ダイアフラム5の上に温接点71を有し、ヒートシンク3
の上に冷接点72を有する互いに直列に接続された多数の
熱電対7からなるサーモパイル70が配設されている。黒
体6に吸収された赤外線は温接点71を加熱し、冷接点と
の温度差により熱起電力を生ずる。
第2図(a)、(b)を用いて説明する。第2図(a)
は、この物の断面図であり、第2図(b)は平面図であ
る。基板1の片面に被覆された絶縁膜2が、基板の周辺
部においてはヒートシンク3を構成し、基板1の中央部
に穿孔されたピット4部においてはダイアフラム5を構
成している。ダイアフラム5の中央部には赤外線吸収体
としての黒体6が被着されており、黒体6の周囲には、
ダイアフラム5の上に温接点71を有し、ヒートシンク3
の上に冷接点72を有する互いに直列に接続された多数の
熱電対7からなるサーモパイル70が配設されている。黒
体6に吸収された赤外線は温接点71を加熱し、冷接点と
の温度差により熱起電力を生ずる。
〔考案が解決しようとする課題〕 この構造においては、熱電対7の温接点部71と冷接点部
72との温度差を取り易くするため、ダイアフラム6は、
なるべく熱伝導率が小さい方がよい。しかし、熱伝導率
が小さいダイアフラムを用いると、黒体6が温度測定物
から発せられる赤外線を吸収し蓄えた熱量が、温接点部
71に伝わりにくくなり、感度が低下するという欠点があ
る。
72との温度差を取り易くするため、ダイアフラム6は、
なるべく熱伝導率が小さい方がよい。しかし、熱伝導率
が小さいダイアフラムを用いると、黒体6が温度測定物
から発せられる赤外線を吸収し蓄えた熱量が、温接点部
71に伝わりにくくなり、感度が低下するという欠点があ
る。
そこで本考案の目的は、高感度のサーモパイル型赤外線
センサを提供することである。
センサを提供することである。
そのため本考案においては、赤外線吸収用の黒体と熱電
対の温接点とを熱伝導率が大きい絶縁体である硬質カー
ボン膜で熱的に結合するようにした。
対の温接点とを熱伝導率が大きい絶縁体である硬質カー
ボン膜で熱的に結合するようにした。
以下、この考案の実施例を説明する。
第1図はこの考案の実施例を示す断面図である。基板1
としてシリコンウエハーを用い、その片面を熱酸化して
二酸化シリコンからなる絶縁膜2を形成した。次に基板
1の中央部をエッチングにより穿孔してピット4を形成
し、ピット部に残った絶縁膜2をダイアフラム5とし
た。ダイアフラム5の中央部には硬質カーボン膜8を被
覆し、その中央部には赤外線吸収用の黒体6として金黒
を被着した。黒体6の周囲には、互いに直列に接続され
た多数の熱電対7からなるサーモパイルを配置した。こ
の場合、熱電対7の温接点71を硬質カーボン膜8の上に
設け、基板1の周辺部に形成されたヒートシンク3の上
に冷接点72を設けた。
としてシリコンウエハーを用い、その片面を熱酸化して
二酸化シリコンからなる絶縁膜2を形成した。次に基板
1の中央部をエッチングにより穿孔してピット4を形成
し、ピット部に残った絶縁膜2をダイアフラム5とし
た。ダイアフラム5の中央部には硬質カーボン膜8を被
覆し、その中央部には赤外線吸収用の黒体6として金黒
を被着した。黒体6の周囲には、互いに直列に接続され
た多数の熱電対7からなるサーモパイルを配置した。こ
の場合、熱電対7の温接点71を硬質カーボン膜8の上に
設け、基板1の周辺部に形成されたヒートシンク3の上
に冷接点72を設けた。
本案で採用する硬質カーボン膜とは、炭化水素ガス雰囲
気中でのプラズマ重合処理により形成される水素を結合
した非晶質カーボン膜であり、ダイアモンドに次ぐ硬さ
と電気絶縁性を示すと同時に、銅の約5倍という高い熱
伝導性を示す膜である。
気中でのプラズマ重合処理により形成される水素を結合
した非晶質カーボン膜であり、ダイアモンドに次ぐ硬さ
と電気絶縁性を示すと同時に、銅の約5倍という高い熱
伝導性を示す膜である。
したがって、赤外線を吸収して昇温した黒体6の熱量
は、硬質カーボン膜8を経由して速やかに熱電対7の温
接点71に伝達されると同時に、多数の温接点71相互の温
度差は、硬質カーボン膜8の均熱効果により解消する。
は、硬質カーボン膜8を経由して速やかに熱電対7の温
接点71に伝達されると同時に、多数の温接点71相互の温
度差は、硬質カーボン膜8の均熱効果により解消する。
一方、熱電対7の冷接点72が設置されているヒートシン
ク3は、硬質カーボン膜8から隔離されているので、黒
体6からの熱伝導は極めて少なく、熱電対7の両接点7
1、72間には大きな温度勾配が生じ、大きな熱起電力が
発生する。
ク3は、硬質カーボン膜8から隔離されているので、黒
体6からの熱伝導は極めて少なく、熱電対7の両接点7
1、72間には大きな温度勾配が生じ、大きな熱起電力が
発生する。
以上説明したように、本考案のサーモパイル型赤外線セ
ンサにおいては、応答性と感度が同時に改善される。
ンサにおいては、応答性と感度が同時に改善される。
第1図は本考案のサーモパイル型赤外線センサの構造を
示す断面図であり、第2図は従来のサーモパイル型赤外
線センサの構造を示す断面図および平面図である。 1……基板、2……絶縁膜、3……ヒートシンク、4…
…ピット、5……ダイアフラム、6……黒体、7……熱
電対、71……温接点、72……冷接点、8……硬質カーボ
ン膜。
示す断面図であり、第2図は従来のサーモパイル型赤外
線センサの構造を示す断面図および平面図である。 1……基板、2……絶縁膜、3……ヒートシンク、4…
…ピット、5……ダイアフラム、6……黒体、7……熱
電対、71……温接点、72……冷接点、8……硬質カーボ
ン膜。
Claims (1)
- 【請求項1】基板の片面に被覆された絶縁膜が基板の周
辺部においてはヒートシンクを、基板の中央部に穿孔さ
れたピット部においてはダイアフラムを構成しており、
ダイアフラムの中央部には硬質カーボン膜が積層され、
硬質カーボン膜の中央部には赤外線吸収体としての黒体
が被着され、さらに黒体の周囲には硬質カーボン膜上に
温接点を有し、ヒートシンク上に冷接点を有する互いに
直列に接続された多数の熱電対からなるサーモパイルが
配設されていることを特徴とするサーモパイル型赤外線
センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1526390U JPH0750679Y2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | サーモパイル型赤外線センサ |
| DE4102524A DE4102524C2 (de) | 1990-01-30 | 1991-01-29 | Infrarotsensor |
| US07/648,134 US5056929A (en) | 1990-01-30 | 1991-01-30 | Temperature compensation type infrared sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1526390U JPH0750679Y2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | サーモパイル型赤外線センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109028U JPH03109028U (ja) | 1991-11-08 |
| JPH0750679Y2 true JPH0750679Y2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=31518581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1526390U Expired - Lifetime JPH0750679Y2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-02-20 | サーモパイル型赤外線センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750679Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4978501B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2012-07-18 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線検出器及びその製造方法 |
| CN102947683B (zh) * | 2010-04-26 | 2016-04-06 | Hme有限公司 | 多层薄膜热电堆及采用该多层薄膜热电堆的辐射温度计、多层薄膜热电堆的制造方法 |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP1526390U patent/JPH0750679Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03109028U (ja) | 1991-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6203194B1 (en) | Thermopile sensor for radiation thermometer or motion detector | |
| RU2002109218A (ru) | Детектор ИК-излучения и способ его изготовления | |
| KR900700862A (ko) | 실리콘 베이스 질량 기류 센서 및 그 조립방법 | |
| US20020069909A1 (en) | Infrared sensor | |
| JPH02205729A (ja) | 赤外線センサ | |
| JPH0750679Y2 (ja) | サーモパイル型赤外線センサ | |
| JPH09133578A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JP2929204B2 (ja) | サーモパイル | |
| JPH01203957A (ja) | 温度感応性半導体デバイスを備えるセンサ装置に対する吊り構造 | |
| JP3775830B2 (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPH046424A (ja) | 赤外線センサ | |
| JP3836229B2 (ja) | 熱電堆型赤外線検知素子 | |
| JPH02205730A (ja) | 赤外線センサ | |
| JPH04360588A (ja) | 複合型赤外線検出器 | |
| JP2517199Y2 (ja) | サーモパイル | |
| JPH0612493Y2 (ja) | マイクロブリッジフローセンサ | |
| JP2772776B2 (ja) | サーモパイル | |
| JP3235361B2 (ja) | 赤外線検知素子 | |
| JP2856753B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| JP3435997B2 (ja) | 赤外線検知素子 | |
| JPH0476065U (ja) | ||
| JPS6111638Y2 (ja) | ||
| KR20060021982A (ko) | 써모파일 적외선 센서 | |
| JP2564939Y2 (ja) | サーモパイル型赤外線検出器 | |
| JPH0812097B2 (ja) | 流速センサ |