JPH0751890A - ガスシールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤ - Google Patents
ガスシールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤInfo
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- JPH0751890A JPH0751890A JP5220665A JP22066593A JPH0751890A JP H0751890 A JPH0751890 A JP H0751890A JP 5220665 A JP5220665 A JP 5220665A JP 22066593 A JP22066593 A JP 22066593A JP H0751890 A JPH0751890 A JP H0751890A
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Landscapes
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特にヒューム発生量の少ないガスシールドア
ーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤを提供する。 【構成】 鋼製外皮にフラックスを充填してなるガスシ
ールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤにお
いて、対フラックス全重量％で、ＴiＯ2：８〜６０％、
Ｃs：０.０１〜１.０％、（但し、ＴiＯ2／Ｃsの比：２
０〜２０００）Ｃ≦０.５％、を含有するフラックス
を、鋼製外皮内にワイヤ全重量％で５〜３０％充填して
なることを特徴とするガスシールドアーク溶接チタニヤ
系フラックス入りワイヤである。鋼製外皮の化学成分
は、外皮全重量に対する割合で、Ｃ：０.０２％以下、
且つＴi：０.２０％以下であることが好ましい。
ーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤを提供する。 【構成】 鋼製外皮にフラックスを充填してなるガスシ
ールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤにお
いて、対フラックス全重量％で、ＴiＯ2：８〜６０％、
Ｃs：０.０１〜１.０％、（但し、ＴiＯ2／Ｃsの比：２
０〜２０００）Ｃ≦０.５％、を含有するフラックス
を、鋼製外皮内にワイヤ全重量％で５〜３０％充填して
なることを特徴とするガスシールドアーク溶接チタニヤ
系フラックス入りワイヤである。鋼製外皮の化学成分
は、外皮全重量に対する割合で、Ｃ：０.０２％以下、
且つＴi：０.２０％以下であることが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフラックス入りワイヤに
関し、特に、ヒューム発生量を低減したガスシールドア
ーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤに関するもの
である。
関し、特に、ヒューム発生量を低減したガスシールドア
ーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
ガスシールドアーク溶接フラックスワイヤは溶接の容易
性と能率性の面から、その需要が急速に拡大しつつあ
る。とりわけ、チタニヤ系フラックス入りワイヤはスパ
ッタ発生量が少なく、ビード外観が良好であることに加
え、全姿勢での溶接が容易であることから、造船・橋梁
などの分野への浸透ぶりには目を見張るものがある。
ガスシールドアーク溶接フラックスワイヤは溶接の容易
性と能率性の面から、その需要が急速に拡大しつつあ
る。とりわけ、チタニヤ系フラックス入りワイヤはスパ
ッタ発生量が少なく、ビード外観が良好であることに加
え、全姿勢での溶接が容易であることから、造船・橋梁
などの分野への浸透ぶりには目を見張るものがある。
【０００３】しかし、一方で、溶接技能者の不足は深刻
である。これは、溶接作業環境が溶接ヒュームやスパッ
タなどにより、他の生産現場に比べて過酷な環境下にあ
ることが最大の理由であると考えられる。
である。これは、溶接作業環境が溶接ヒュームやスパッ
タなどにより、他の生産現場に比べて過酷な環境下にあ
ることが最大の理由であると考えられる。
【０００４】本発明は、これらの状況を捉え、特にヒュ
ーム発生量の少ないガスシールドアーク溶接チタニヤ系
フラックス入りワイヤを提供することを目的とするもの
である。
ーム発生量の少ないガスシールドアーク溶接チタニヤ系
フラックス入りワイヤを提供することを目的とするもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】溶接ヒュームを低減する
技術としては、ワイヤ中のＣ量や酸素量を低減すること
が有効であることが知られている。本発明者らは、更な
るヒューム発生量の低減を可能とするチタニヤ系フラッ
クス入りワイヤについて鋭意研究を重ねた結果、ここに
本発明を完成したものである。
技術としては、ワイヤ中のＣ量や酸素量を低減すること
が有効であることが知られている。本発明者らは、更な
るヒューム発生量の低減を可能とするチタニヤ系フラッ
クス入りワイヤについて鋭意研究を重ねた結果、ここに
本発明を完成したものである。
【０００６】すなわち、本発明は、鋼製外皮にフラック
スを充填してなるガスシールドアーク溶接チタニヤ系フ
ラックス入りワイヤにおいて、対フラックス全重量％
で、ＴiＯ2：８〜６０％、Ｃs：０.０１〜１.０％、
（但し、ＴiＯ2／Ｃsの比：２０〜２０００）Ｃ≦０.５
％、を含有するフラックスを、鋼製外皮内にワイヤ全重
量％で５〜３０％充填してなることを特徴とするガスシ
ールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤを要
旨としている。
スを充填してなるガスシールドアーク溶接チタニヤ系フ
ラックス入りワイヤにおいて、対フラックス全重量％
で、ＴiＯ2：８〜６０％、Ｃs：０.０１〜１.０％、
（但し、ＴiＯ2／Ｃsの比：２０〜２０００）Ｃ≦０.５
％、を含有するフラックスを、鋼製外皮内にワイヤ全重
量％で５〜３０％充填してなることを特徴とするガスシ
ールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤを要
旨としている。
【０００７】また、他の本発明は、鋼製外皮の化学成分
が、外皮全重量に対する割合で、Ｃ：０.０２％以下、
且つＴi：０.２０％以下であることを特徴としている。
が、外皮全重量に対する割合で、Ｃ：０.０２％以下、
且つＴi：０.２０％以下であることを特徴としている。
【０００８】
【作用】以下に本発明について更に詳細に説明する。先
ず、本発明をなすに至った各種実験の成果の骨子を示す
基礎実験結果例を示す。
ず、本発明をなすに至った各種実験の成果の骨子を示す
基礎実験結果例を示す。
【０００９】フラックス入りワイヤのヒューム発生量を
低減すべく、種々の組成のフラックスを種々の組成の鋼
製外皮と組合せて、１.２mm径のフラックス入りワイヤ
を作製し、ヒューム発生量の低減効果をＪＩＳ Ｚ３９
３０に準拠した試験により検討した。
低減すべく、種々の組成のフラックスを種々の組成の鋼
製外皮と組合せて、１.２mm径のフラックス入りワイヤ
を作製し、ヒューム発生量の低減効果をＪＩＳ Ｚ３９
３０に準拠した試験により検討した。
【００１０】なお、その溶接条件は以下の如くである。 （溶接条件） 溶 接 法：下向ビードオンプレート溶接 溶接電流 ：３００Ａ アーク電圧：アーク長が１.５〜２.０mmとなる適正電圧 溶接速度 ：３０cm／min ワイヤ突出し長さ：２５mm 極 性：ＤＣＥＰ シールドガス：１００％ＣＯ2(流量２５リットル／min) 試 験 板：ＪＩＳ Ｇ３１０６ ＳＭ４９０Ａ(板厚１
２mm)
２mm)
【００１１】溶接試験の結果を図１〜図４に示すよう
に、チタニヤ系フラックス入りワイヤのヒューム発生量
低減の支配因子としては、フラックス面からは、Ｃ
量、Ｃs量、ＴiＯ2／Ｃsの比が重要であり、鋼製外
皮の化学成分面からは、Ｃ量、Ｔi量が重要である
ことが認められた。なお、本発明者らはチタニヤ系フラ
ックス入りワイヤのヒューム発生量の低減には、フラッ
クス面と鋼製外皮面の化学成分の一方だけでも効果があ
るが、両方の組合せによって、より一層その効果が際立
つものであることも究明した。
に、チタニヤ系フラックス入りワイヤのヒューム発生量
低減の支配因子としては、フラックス面からは、Ｃ
量、Ｃs量、ＴiＯ2／Ｃsの比が重要であり、鋼製外
皮の化学成分面からは、Ｃ量、Ｔi量が重要である
ことが認められた。なお、本発明者らはチタニヤ系フラ
ックス入りワイヤのヒューム発生量の低減には、フラッ
クス面と鋼製外皮面の化学成分の一方だけでも効果があ
るが、両方の組合せによって、より一層その効果が際立
つものであることも究明した。
【００１２】以上の実験結果に基づいて完成した本発明
のフラックス入りワイヤにおけるフラックス及び鋼製外
皮の化学成分等の限定理由を説明する。なお、フラック
ス成分は対フラックス全重量％であり、外皮成分は対外
皮全重量％である。
のフラックス入りワイヤにおけるフラックス及び鋼製外
皮の化学成分等の限定理由を説明する。なお、フラック
ス成分は対フラックス全重量％であり、外皮成分は対外
皮全重量％である。
【００１３】先ず、フラックスの成分限定理由を以下に
示す。
示す。
【００１４】Ｃ≦０.５％ Ｃは脱酸剤として、また強度や焼入れ性向上による靭性
確保、及びアーク集中性を促進することによる溶込み深
さ向上などの目的から、必要に応じて外皮中のＣ量を考
慮しつつ、添加される。その場合、０.５％を超えると
著しくヒューム発生量が増大し、スパッタ発生量も多く
なる(図１)。これは、Ｃと酸素との反応の結果として生
じるヒューム発生源であるＣＯ、ＣＯ2の爆発的生成が
０.５％以上で著しくなるためであると考えられる。よ
って、フラックス中のＣ量は０.５％以下に規制する。
確保、及びアーク集中性を促進することによる溶込み深
さ向上などの目的から、必要に応じて外皮中のＣ量を考
慮しつつ、添加される。その場合、０.５％を超えると
著しくヒューム発生量が増大し、スパッタ発生量も多く
なる(図１)。これは、Ｃと酸素との反応の結果として生
じるヒューム発生源であるＣＯ、ＣＯ2の爆発的生成が
０.５％以上で著しくなるためであると考えられる。よ
って、フラックス中のＣ量は０.５％以下に規制する。
【００１５】Ｃs：０.０１〜１.０％ Ｃsがヒューム発生量を低減するメカニズムについては
詳しくは明らかではないが、Ｃsはアークの電位傾度を
低下させ、アークの安定性を向上させることがその理由
の一つであると考えられる。Ｃsの添加によるヒューム
発生量低減の効果については図２に示すとおりであり、
Ｃs量が０.０１％未満ではヒューム低減の効果は認めら
れず、一方、１.０％を超えるとかえってスパッタが増
加するほか、フラックスの吸湿が著しくなり、溶接金属
中の水素量が増大して、その健全性や耐割れ性が劣化す
る。よって、フラックス中のＣs量は０.０１〜１.０％
とする。
詳しくは明らかではないが、Ｃsはアークの電位傾度を
低下させ、アークの安定性を向上させることがその理由
の一つであると考えられる。Ｃsの添加によるヒューム
発生量低減の効果については図２に示すとおりであり、
Ｃs量が０.０１％未満ではヒューム低減の効果は認めら
れず、一方、１.０％を超えるとかえってスパッタが増
加するほか、フラックスの吸湿が著しくなり、溶接金属
中の水素量が増大して、その健全性や耐割れ性が劣化す
る。よって、フラックス中のＣs量は０.０１〜１.０％
とする。
【００１６】なお、Ｃs源にはＣsＣＯ3或いはＳiＯ2等
との複合酸化物及び天然のポルサイト鉱石などがあり、
その合成による単純塩又は複塩の形で添加してもよい。
しかし、これらＣs源は、Ｃs換算量で１.０％を超えて
添加すると溶接作業性が劣悪となる。
との複合酸化物及び天然のポルサイト鉱石などがあり、
その合成による単純塩又は複塩の形で添加してもよい。
しかし、これらＣs源は、Ｃs換算量で１.０％を超えて
添加すると溶接作業性が劣悪となる。
【００１７】ＴiＯ2：８〜６０％ ＴiＯ2はスラグ形成剤・アーク安定剤としての作用が期
待できる。ＴiＯ2量は、下向及び水平姿勢において良好
なビード外観・形状及びアーク安定性改善効果を得るた
めには、少なくとも８％以上が必要である。しかし、Ｔ
iＯ2が６０％を超えるとスラグの凝固点が高く、かつ粘
性が過剰になってスラグ巻込みやビード表面のガス欠陥
を生じ易くなる。したがって、フラックス中のＴiＯ2量
は８〜６０％の範囲とする。
待できる。ＴiＯ2量は、下向及び水平姿勢において良好
なビード外観・形状及びアーク安定性改善効果を得るた
めには、少なくとも８％以上が必要である。しかし、Ｔ
iＯ2が６０％を超えるとスラグの凝固点が高く、かつ粘
性が過剰になってスラグ巻込みやビード表面のガス欠陥
を生じ易くなる。したがって、フラックス中のＴiＯ2量
は８〜６０％の範囲とする。
【００１８】なお、ＴiＯ2源としては、ルチール、還元
イルミナイト、ルコキシン、イルミナイト、チタン酸カ
リウム等の酸化物が挙げられる。
イルミナイト、ルコキシン、イルミナイト、チタン酸カ
リウム等の酸化物が挙げられる。
【００１９】ＴiＯ2／Ｃsの比：２０〜２０００ ＴiＯ2及びＣsの単独での添加効果は前述のとおりであ
るが、両者の効果はそれぞれの添加量と影響し合ってい
ることが判明した。すなわち、その比ＴiＯ2／Ｃsもヒ
ューム発生量及び立向上進溶接でのダレや溶接金属のＸ
線性能(融合不良、スラグ巻欠陥など)などに大きく影響
している(図３)。良好な全姿勢での溶接作業性を得るた
めに、また、健全な溶接金属を得るためには、その比Ｔ
iＯ2／Ｃsが少なくとも２０以上である必要がある。し
かし、その比が２０００を超えるとＣsのヒューム低減
効果が小さくなってしまうこと、及び溶接金属のＸ線性
能の劣化が生じてしまうため、２０００以下に抑える必
要がある。
るが、両者の効果はそれぞれの添加量と影響し合ってい
ることが判明した。すなわち、その比ＴiＯ2／Ｃsもヒ
ューム発生量及び立向上進溶接でのダレや溶接金属のＸ
線性能(融合不良、スラグ巻欠陥など)などに大きく影響
している(図３)。良好な全姿勢での溶接作業性を得るた
めに、また、健全な溶接金属を得るためには、その比Ｔ
iＯ2／Ｃsが少なくとも２０以上である必要がある。し
かし、その比が２０００を超えるとＣsのヒューム低減
効果が小さくなってしまうこと、及び溶接金属のＸ線性
能の劣化が生じてしまうため、２０００以下に抑える必
要がある。
【００２０】なお、Ｌi、Ｎa、ＫなどのＣs以外のアル
カリ金属の化合物は、必要に応じて適量にて添加するこ
とができる。Ｃs以外のこれらのアルカリ金属の化合物
はアーク安定性の向上及びスパッタ発生量の低減を図る
上では非常に有効であるが、著しいヒューム発生源とな
る。すなわち、これらのアルカリ金属の弗化物、炭酸
塩、及びＮa2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｌi2Ｏ等の単純酸化物は顕著
なヒューム発生源であり、他の酸化物との複合酸化物と
なっても程度の差こそあれヒュームの発生源であること
に違いはない。そのため、Ｃs以外のアルカリ金属の化
合物の添加量は金属元素換算値で７.０％以下に抑制す
ることが好ましい。
カリ金属の化合物は、必要に応じて適量にて添加するこ
とができる。Ｃs以外のこれらのアルカリ金属の化合物
はアーク安定性の向上及びスパッタ発生量の低減を図る
上では非常に有効であるが、著しいヒューム発生源とな
る。すなわち、これらのアルカリ金属の弗化物、炭酸
塩、及びＮa2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｌi2Ｏ等の単純酸化物は顕著
なヒューム発生源であり、他の酸化物との複合酸化物と
なっても程度の差こそあれヒュームの発生源であること
に違いはない。そのため、Ｃs以外のアルカリ金属の化
合物の添加量は金属元素換算値で７.０％以下に抑制す
ることが好ましい。
【００２１】また、フラックスにはチタニヤ系フラック
ス入りワイヤとして通常添加される他の成分を添加する
ことができるのは言うまでもない。
ス入りワイヤとして通常添加される他の成分を添加する
ことができるのは言うまでもない。
【００２２】次に、鋼製外皮の化学成分の成分限定理由
を以下に示す。
を以下に示す。
【００２３】Ｃ≦０.０２％、Ｔi≦０.２０％ Ｃは、フラックスの場合と同様、酸素との反応の結果と
して生じるヒューム発生源であるＣＯ、ＣＯ2の爆発的
生成を生じる。また、外皮のＣのヒュームやスパッタへ
の影響は、フラックスによるよりも著しいため、その含
有量を極力低く抑える必要がある。製造上の加工性及び
脱炭技術を考慮しても、０.０２％以下に制限されるべ
きである。
して生じるヒューム発生源であるＣＯ、ＣＯ2の爆発的
生成を生じる。また、外皮のＣのヒュームやスパッタへ
の影響は、フラックスによるよりも著しいため、その含
有量を極力低く抑える必要がある。製造上の加工性及び
脱炭技術を考慮しても、０.０２％以下に制限されるべ
きである。
【００２４】Ｔiは酸素との親和力が強く、高凝固点酸
化物を生成するためアーク溶接過程においてワイヤ先端
の懸垂溶滴表面に酸化被膜を形成し、Ｃと酸素との反応
の結果として生じるヒューム発生源であるＣＯ、ＣＯ2
の爆発的生成を抑制するが、Ｔiの過剰添加は延性低下
や硬化など材質劣化を生じる。したがって、Ｔi量は０.
２０％以下の範囲とする(図４参照)。
化物を生成するためアーク溶接過程においてワイヤ先端
の懸垂溶滴表面に酸化被膜を形成し、Ｃと酸素との反応
の結果として生じるヒューム発生源であるＣＯ、ＣＯ2
の爆発的生成を抑制するが、Ｔiの過剰添加は延性低下
や硬化など材質劣化を生じる。したがって、Ｔi量は０.
２０％以下の範囲とする(図４参照)。
【００２５】鋼製外皮中のＣ量及びＴi量の範囲につい
ては、いずれか一方の規制でもヒューム発生量の低下に
効果はあるが、両成分を同時に前述の範囲内に規制する
ことにより、その効果は格段に大きくなる。
ては、いずれか一方の規制でもヒューム発生量の低下に
効果はあるが、両成分を同時に前述の範囲内に規制する
ことにより、その効果は格段に大きくなる。
【００２６】なお、他の成分については、ワイヤ製造上
の圧延又は／及び引抜き工程における加工性を考慮する
と、Ｍn：０.１０〜０.７０％、Ｓi≦０.３５％の範囲
が望ましい。
の圧延又は／及び引抜き工程における加工性を考慮する
と、Ｍn：０.１０〜０.７０％、Ｓi≦０.３５％の範囲
が望ましい。
【００２７】フラックス入りワイヤのフラックス率(対
ワイヤ全重量％)の限定理由は以下のとおりである。
ワイヤ全重量％)の限定理由は以下のとおりである。
【００２８】フラックス率：５〜３０％ 通常、フラックス率はワイヤ溶融時の均一性やワイヤ加
工性の面から、ワイヤ断面形状と組合せて決められるべ
きであり、細径ワイヤに対しては低フラックス率で単純
断面が、また、太径ワイヤに対しては高フラックス率で
複雑断面が望ましい。しかし、いずれにしても、フラッ
クス率が５％未満では大粒のスパッタが増大し、また３
０％を超えると外皮が薄くなってワイヤ送給性が低下す
るなどの問題が生じる。よって、フラックス率は５〜３
０％と規定する。
工性の面から、ワイヤ断面形状と組合せて決められるべ
きであり、細径ワイヤに対しては低フラックス率で単純
断面が、また、太径ワイヤに対しては高フラックス率で
複雑断面が望ましい。しかし、いずれにしても、フラッ
クス率が５％未満では大粒のスパッタが増大し、また３
０％を超えると外皮が薄くなってワイヤ送給性が低下す
るなどの問題が生じる。よって、フラックス率は５〜３
０％と規定する。
【００２９】なお、ワイヤ断面形状については何等制限
されず、例えば、図５の(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)、(Ｄ)等に例
示する種々の形状のものが使用できる。また、ワイヤ表
面にはＣu、Ａlなどのメッキ処理を施してもよく、その
際、メッキ量は０.０５〜０.３５％が適当である。更
に、ワイヤ径も用途に応じて任意に決めることができ
る。
されず、例えば、図５の(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)、(Ｄ)等に例
示する種々の形状のものが使用できる。また、ワイヤ表
面にはＣu、Ａlなどのメッキ処理を施してもよく、その
際、メッキ量は０.０５〜０.３５％が適当である。更
に、ワイヤ径も用途に応じて任意に決めることができ
る。
【００３０】また、シールドガスとしては、酸化性、中
性、還元性のガスが適用できる。一般的なシールドガス
としてはＣＯ2ガスやＡr、ＣＯ2、Ｏ2、Ｈe等の２種以
上の混合ガスを使用することができる。
性、還元性のガスが適用できる。一般的なシールドガス
としてはＣＯ2ガスやＡr、ＣＯ2、Ｏ2、Ｈe等の２種以
上の混合ガスを使用することができる。
【００３１】更に、本発明のフラックス入りワイヤの適
用母材鋼種は主として軟鋼・高張力鋼であるが、用途に
より低合金鋼、高合金鋼など他の鋼種に適用しても差し
支えない。
用母材鋼種は主として軟鋼・高張力鋼であるが、用途に
より低合金鋼、高合金鋼など他の鋼種に適用しても差し
支えない。
【００３２】次に本発明の実施例を示す。
【００３３】表１に示す成分を含有する鋼製フープを使
用し、これに同表に示す成分を含有するフラックスを所
定のフラックス率で充填したフラックス入りワイヤ(１.
２mmφ)を製作した。次いで、このフラックス入りワイ
ヤを使用して溶接試験を実施した。溶接条件は前述の基
礎実験条件と同じである。
用し、これに同表に示す成分を含有するフラックスを所
定のフラックス率で充填したフラックス入りワイヤ(１.
２mmφ)を製作した。次いで、このフラックス入りワイ
ヤを使用して溶接試験を実施した。溶接条件は前述の基
礎実験条件と同じである。
【００３４】試験結果は、表１に示すように、本発明例
はいずれもヒューム発生量が著しく少なく、しかも溶接
作業性(スパッタ発生量、ビードのダレ、Ｘ線性能、ビ
ード外観等)も優れている。一方、比較例はヒューム発
生量が多く、また溶接作業性に問題のある例が多い。
はいずれもヒューム発生量が著しく少なく、しかも溶接
作業性(スパッタ発生量、ビードのダレ、Ｘ線性能、ビ
ード外観等)も優れている。一方、比較例はヒューム発
生量が多く、また溶接作業性に問題のある例が多い。
【００３５】なお、表１中、Ｎo.１〜Ｎo.６はフラック
ス中のＴiＯ2量の影響、Ｎo.７〜Ｎo.１１はフラックス
中のＣs量の影響、Ｎo.１２〜Ｎo.１３はフラックス中
のＣ量の影響、Ｎo.１４〜Ｎo.１７はフラックス中のＴ
iＯ2量の影響、Ｎo.１８〜Ｎo.２１はフラックス率の影
響、Ｎo.２２〜Ｎo.２３は鋼製外皮中のＣ量及びＴi量
の影響をそれぞれ主として調べたものであり、これらの
試験結果の一部を図１〜図４に示されている。
ス中のＴiＯ2量の影響、Ｎo.７〜Ｎo.１１はフラックス
中のＣs量の影響、Ｎo.１２〜Ｎo.１３はフラックス中
のＣ量の影響、Ｎo.１４〜Ｎo.１７はフラックス中のＴ
iＯ2量の影響、Ｎo.１８〜Ｎo.２１はフラックス率の影
響、Ｎo.２２〜Ｎo.２３は鋼製外皮中のＣ量及びＴi量
の影響をそれぞれ主として調べたものであり、これらの
試験結果の一部を図１〜図４に示されている。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
特にヒューム発生量を顕著に低減したガスシールドアー
ク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤを提供すること
ができる。
特にヒューム発生量を顕著に低減したガスシールドアー
ク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤを提供すること
ができる。
【図１】フラックス中のＣ量とヒューム発生量の関係を
示す図である。
示す図である。
【図２】フラックス中のＣs量とヒューム発生量の関係
を示す図である。
を示す図である。
【図３】フラックス中のＴiＯ2／Ｃs比とヒューム発生
量の関係を示す図である。
量の関係を示す図である。
【図４】鋼製外皮中のＣ量及びＴi量とヒューム発生量
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）はフラックス入りワイヤの断面
形状の一例を示す図である(Ｍ：鋼製外皮、Ｆ：フラッ
クス)。
形状の一例を示す図である(Ｍ：鋼製外皮、Ｆ：フラッ
クス)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長岡茂雄 神奈川県藤沢市宮前字裏河内100番１株式 会社神戸製鋼所藤沢事業所内 (72)発明者 細井宏一 神奈川県藤沢市宮前字裏河内100番１株式 会社神戸製鋼所藤沢事業所内
Claims (2)
- 【請求項１】 鋼製外皮にフラックスを充填してなるガ
スシールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤ
において、対フラックス全重量％で、 ＴiＯ2：８〜６０％、 Ｃs：０.０１〜１.０％、 （但し、ＴiＯ2／Ｃsの比：２０〜２０００） Ｃ≦０.５％、 を含有するフラックスを、鋼製外皮内にワイヤ全重量％
で５〜３０％充填してなることを特徴とするガスシール
ドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤ。 - 【請求項２】 鋼製外皮の化学成分が、外皮全重量に対
する割合で、Ｃ：０.０２％以下、且つＴi：０.２０％
以下であることを特徴とする請求項１に記載のガスシー
ルドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220665A JPH0751890A (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | ガスシールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤ |
| TW083102825A TW303317B (ja) | 1992-09-30 | 1994-03-31 | |
| KR1019940006768A KR0134561B1 (ko) | 1993-03-31 | 1994-03-31 | 저휴움 가스시일드 아아크 용접용 플럭스 충전와이어 |
| EP94302498A EP0652071A1 (en) | 1993-08-12 | 1994-04-08 | Flux-cored wire for gas shield arc welding with low fume |
| US08/271,939 US5580475A (en) | 1993-08-12 | 1994-07-08 | Flux-cored wire for gas shield arc welding with low fume |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220665A JPH0751890A (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | ガスシールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0751890A true JPH0751890A (ja) | 1995-02-28 |
Family
ID=16754538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5220665A Pending JPH0751890A (ja) | 1992-09-30 | 1993-08-12 | ガスシールドアーク溶接チタニヤ系フラックス入りワイヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751890A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013252551A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Nippon Steel & Sumikin Welding Co Ltd | ガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤ |
| JP2014065066A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Nippon Steel & Sumikin Welding Co Ltd | 横向ガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤ |
| JP2015529564A (ja) * | 2012-08-28 | 2015-10-08 | ホバート ブラザーズ カンパニー | 溶接電極用のシステムおよび方法 |
-
1993
- 1993-08-12 JP JP5220665A patent/JPH0751890A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013252551A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Nippon Steel & Sumikin Welding Co Ltd | ガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤ |
| JP2015529564A (ja) * | 2012-08-28 | 2015-10-08 | ホバート ブラザーズ カンパニー | 溶接電極用のシステムおよび方法 |
| JP2014065066A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Nippon Steel & Sumikin Welding Co Ltd | 横向ガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤ |
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