JPH075197A - 電気的特性測定用プローブ装置 - Google Patents
電気的特性測定用プローブ装置Info
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- JPH075197A JPH075197A JP34276793A JP34276793A JPH075197A JP H075197 A JPH075197 A JP H075197A JP 34276793 A JP34276793 A JP 34276793A JP 34276793 A JP34276793 A JP 34276793A JP H075197 A JPH075197 A JP H075197A
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 測定時に外界よりの電波等による影響を低減
でき、又試料台１１自身より発生するノイズＮ1、Ｎ2及
びリーク電流Ｉ1、Ｉ2の影響を最小限に低減することが
できる微少な電気的特性の測定が可能なプローブ装置を
提供せんとするものである。 【構成】 測定針１３ａ及び１３ｂから電流や電流容量
等を計測する計測器１５に繋げられた計測線１は、該計
測線１を中心軸電極として絶縁体を介挿せしめた三重電
極構造で構成されており、そのうち中間軸電極は１ａは
計測器１５のガード用に繋げられると共に、最外軸電極
１ｂはシールドボックス１０と計測器１５のシャーシに
接地せしめられている。
でき、又試料台１１自身より発生するノイズＮ1、Ｎ2及
びリーク電流Ｉ1、Ｉ2の影響を最小限に低減することが
できる微少な電気的特性の測定が可能なプローブ装置を
提供せんとするものである。 【構成】 測定針１３ａ及び１３ｂから電流や電流容量
等を計測する計測器１５に繋げられた計測線１は、該計
測線１を中心軸電極として絶縁体を介挿せしめた三重電
極構造で構成されており、そのうち中間軸電極は１ａは
計測器１５のガード用に繋げられると共に、最外軸電極
１ｂはシールドボックス１０と計測器１５のシャーシに
接地せしめられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイス等の
製造分野におけるプロセス開発工程でウエハ基板等の試
料の微少な電流や電流容量等の電気的特性の測定を行う
プローブ装置に関する。
製造分野におけるプロセス開発工程でウエハ基板等の試
料の微少な電流や電流容量等の電気的特性の測定を行う
プローブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイス製造分野では益々
高集積化及び超微細化が要求されており、特にメモリ事
業では記憶容量の大容量化に伴い高集積化及び微細化が
余儀なくされている。ダイナミックランダムアクセスメ
モリ（ＤＲＡＭ）を例にあげると、これは各ビットセル
を構成するキャパシタンス及びトランジスタ等のサイズ
を縮小化する等の手段により大容量化を図っている。従
って、そのキャパシタンスより僅かなリーク電流等が生
じても、そのビット情報に大きな影響を与え真値を保持
できなくなるため、リフレッシュサイクル時間の補償に
も影響を与える。そのため半導体デバイス製造分野にお
けるプロセス開発解析工程では、ウエハ基板等の試料の
微少な電流や電流容量等の電気的特性の評価は欠かせな
いものとなっている。
高集積化及び超微細化が要求されており、特にメモリ事
業では記憶容量の大容量化に伴い高集積化及び微細化が
余儀なくされている。ダイナミックランダムアクセスメ
モリ（ＤＲＡＭ）を例にあげると、これは各ビットセル
を構成するキャパシタンス及びトランジスタ等のサイズ
を縮小化する等の手段により大容量化を図っている。従
って、そのキャパシタンスより僅かなリーク電流等が生
じても、そのビット情報に大きな影響を与え真値を保持
できなくなるため、リフレッシュサイクル時間の補償に
も影響を与える。そのため半導体デバイス製造分野にお
けるプロセス開発解析工程では、ウエハ基板等の試料の
微少な電流や電流容量等の電気的特性の評価は欠かせな
いものとなっている。
【０００３】図４は、そのような評価試験に使用される
マニュアルプローバを用いたシステムを例に採りその構
成の概略を示している。同図において、１０は外界から
の影響を少なくすためのシールドボックス、そのシール
ドボックス１０内の１１は測定対象となるウエハ等の試
料Ｘを載置する試料台、１３ａ及び１３ｂはその試料台
１１上の試料Ｘに接触せしめられる測定針、１４ａ及び
１４ｂは測定針１３ａ及び１３ｂを試料Ｘ上で移動させ
るマニュピレータで更に１４ａ′及び１４ｂ′はマニュ
ピレータベース、１５は試料Ｘに接触せしめられた測定
針１３ａ及び１３ｂから入力される電流等をシールドボ
ックス外において測定する計測器、１６は試料台１１の
上方の設けられた顕微鏡である。
マニュアルプローバを用いたシステムを例に採りその構
成の概略を示している。同図において、１０は外界から
の影響を少なくすためのシールドボックス、そのシール
ドボックス１０内の１１は測定対象となるウエハ等の試
料Ｘを載置する試料台、１３ａ及び１３ｂはその試料台
１１上の試料Ｘに接触せしめられる測定針、１４ａ及び
１４ｂは測定針１３ａ及び１３ｂを試料Ｘ上で移動させ
るマニュピレータで更に１４ａ′及び１４ｂ′はマニュ
ピレータベース、１５は試料Ｘに接触せしめられた測定
針１３ａ及び１３ｂから入力される電流等をシールドボ
ックス外において測定する計測器、１６は試料台１１の
上方の設けられた顕微鏡である。
【０００４】この装置では、まず試料台１１上に試料Ｘ
を載せて顕微鏡１６で観察しながらマニュピレータ１４
ａ及び１４ｂを使って測定針１３ａ及び１３ｂを移動さ
せ、試料Ｘの目的の場所に接触させる。このセット後、
定電圧定電流計等の計測器１５によってその試料Ｘにお
ける微少な電気的特性の測定を行う。
を載せて顕微鏡１６で観察しながらマニュピレータ１４
ａ及び１４ｂを使って測定針１３ａ及び１３ｂを移動さ
せ、試料Ｘの目的の場所に接触させる。このセット後、
定電圧定電流計等の計測器１５によってその試料Ｘにお
ける微少な電気的特性の測定を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上の構成では、試料
Ｘや測定針１３ａ及び１３ｂが前記シールドボック１０
によって外界と遮断されているため、本来外界の影響を
受けないはずであるが、実際に得られるデータには、試
料の加熱・冷却が可能なヒータ１２等の加熱・冷却装置
が試料台１１自身に設けられている場合、特にそのヒー
タ１２等よりノイズＮ1が入り、又試料台１１の試料接
触面の導電部である計測用電極１１ａからプローブステ
ーション１１ｆへのリークＩ2が生じるため、その測定
用電極の電圧降下、及びある一定量のリーク電流Ｉ2が
存在する。このため微少である電気的測定データを正確
に測定することは困難であった。
Ｘや測定針１３ａ及び１３ｂが前記シールドボック１０
によって外界と遮断されているため、本来外界の影響を
受けないはずであるが、実際に得られるデータには、試
料の加熱・冷却が可能なヒータ１２等の加熱・冷却装置
が試料台１１自身に設けられている場合、特にそのヒー
タ１２等よりノイズＮ1が入り、又試料台１１の試料接
触面の導電部である計測用電極１１ａからプローブステ
ーション１１ｆへのリークＩ2が生じるため、その測定
用電極の電圧降下、及びある一定量のリーク電流Ｉ2が
存在する。このため微少である電気的測定データを正確
に測定することは困難であった。
【０００６】本発明は従来技術の以上な問題に鑑み創案
されたもので、測定時に外界よりの電波等による影響を
低減でき、又試料台１１自身より発生するノイズＮ1、
Ｎ2及びリーク電流Ｉ1、Ｉ2の影響を最小限に低減する
ことができる微少な電気的特性の測定が可能なプローブ
装置を提供せんとするものである。
されたもので、測定時に外界よりの電波等による影響を
低減でき、又試料台１１自身より発生するノイズＮ1、
Ｎ2及びリーク電流Ｉ1、Ｉ2の影響を最小限に低減する
ことができる微少な電気的特性の測定が可能なプローブ
装置を提供せんとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、まず微少
な電気的特性の測定に対し、測定針１３ａ及び１３ｂの
計測線、試料台１１の計測用電極１１ａ等へ影響を与え
るノイズＮ1、Ｎ2及びリークＩ1、Ｉ2等の原因を究明し
たところ、測定対象となる試料の周辺に電気的電位の浮
遊している各導電性物質間での静電容量結合等による外
界からの誘導によるノイズＮ2の影響、試料台１１に設
置される試料加熱・冷却用のヒータ１２等の加熱・冷却
装置から発生するノイズＮ1による影響、測定針１３
ａ、１３ｂの計測線１とシールド（接地）間のリークＩ
1、及び試料台１１の計測用電極１１ａとシールド間で
のリークＩ2等が原因となることが判明した。そこでこ
の様な原因を最小限に低減できる手段につき鋭意検討し
たところ、以下に説明する本発明の構成を創案するに至
った。
な電気的特性の測定に対し、測定針１３ａ及び１３ｂの
計測線、試料台１１の計測用電極１１ａ等へ影響を与え
るノイズＮ1、Ｎ2及びリークＩ1、Ｉ2等の原因を究明し
たところ、測定対象となる試料の周辺に電気的電位の浮
遊している各導電性物質間での静電容量結合等による外
界からの誘導によるノイズＮ2の影響、試料台１１に設
置される試料加熱・冷却用のヒータ１２等の加熱・冷却
装置から発生するノイズＮ1による影響、測定針１３
ａ、１３ｂの計測線１とシールド（接地）間のリークＩ
1、及び試料台１１の計測用電極１１ａとシールド間で
のリークＩ2等が原因となることが判明した。そこでこ
の様な原因を最小限に低減できる手段につき鋭意検討し
たところ、以下に説明する本発明の構成を創案するに至
った。
【０００８】即ち、本発明に係る微少な電気的特性測定
用プローブ装置は、前記計測器から測定針先端側までの
間を連絡する計測線の構成につき、該計測線を中心軸電
極として絶縁体を介挿せしめた三重電極構造とし、中間
軸電極をガード用に前記計測器に繋ぐことにより、計測
器側にて計測線に影響がでないようにガード・バッファ
を経由して前記中間軸電極が計測線と同電位になるよう
制御されることになり、そのためリークＩ1そのものが
なくなる。またシールド効果も大で計測線へのノイズＮ
1、Ｎ2の影響も最少限に低減されることになる。一方最
外軸電極を計測器のシャーシに繋ぎ計測器本体と同電位
になるよう（通常は計測器側で接地）ようにする。この
ように、前記計測器から測定針先端側までの間を連絡す
る計測線を三重電極構造としたことによって、ノー・リ
ーク（計測線と中間軸電極とが同電位になったことによ
る）及びロー・ノイズ（中間軸電極と最外軸電極の二重
シールド効果による）とすることが可能となった。従来
の測定針側の計測線が絶縁体を介挿させた二重電極構造
であり、その最外軸電極を前記計測器のガード用に繋ぐ
と一重シールド効果しか得られず、ノイズＮ1、Ｎ2によ
る影響が大となる。又最外軸電極を前記計測器のシャー
シに繋いだ場合、同じく一重シールド効果しか得られ
ず、そのためノイズＮ1、Ｎ2による影響が大で、しかも
計測線と最外軸電極（通常計測器側で接地）との間に電
位差が生じるため、絶縁体の固有抵抗値に依存したリー
クＩ1が生じる。これに対し本発明は、上述のような二
重シールド効果によりロー・ノイズとなり、又中間軸電
極を設けたことで計測線との間が同電位になってノー・
リークとなるため、前記計測器の能力を十分発揮でき、
微少な電気的特性の測定が可能となる。
用プローブ装置は、前記計測器から測定針先端側までの
間を連絡する計測線の構成につき、該計測線を中心軸電
極として絶縁体を介挿せしめた三重電極構造とし、中間
軸電極をガード用に前記計測器に繋ぐことにより、計測
器側にて計測線に影響がでないようにガード・バッファ
を経由して前記中間軸電極が計測線と同電位になるよう
制御されることになり、そのためリークＩ1そのものが
なくなる。またシールド効果も大で計測線へのノイズＮ
1、Ｎ2の影響も最少限に低減されることになる。一方最
外軸電極を計測器のシャーシに繋ぎ計測器本体と同電位
になるよう（通常は計測器側で接地）ようにする。この
ように、前記計測器から測定針先端側までの間を連絡す
る計測線を三重電極構造としたことによって、ノー・リ
ーク（計測線と中間軸電極とが同電位になったことによ
る）及びロー・ノイズ（中間軸電極と最外軸電極の二重
シールド効果による）とすることが可能となった。従来
の測定針側の計測線が絶縁体を介挿させた二重電極構造
であり、その最外軸電極を前記計測器のガード用に繋ぐ
と一重シールド効果しか得られず、ノイズＮ1、Ｎ2によ
る影響が大となる。又最外軸電極を前記計測器のシャー
シに繋いだ場合、同じく一重シールド効果しか得られ
ず、そのためノイズＮ1、Ｎ2による影響が大で、しかも
計測線と最外軸電極（通常計測器側で接地）との間に電
位差が生じるため、絶縁体の固有抵抗値に依存したリー
クＩ1が生じる。これに対し本発明は、上述のような二
重シールド効果によりロー・ノイズとなり、又中間軸電
極を設けたことで計測線との間が同電位になってノー・
リークとなるため、前記計測器の能力を十分発揮でき、
微少な電気的特性の測定が可能となる。
【０００９】また第２発明の構成は、前記試料台の構成
につき、試料接触面の計測用電極を含め絶縁体を介挿せ
しめた三重電極構造とし、且つ前記計測器から計測用電
極までの間を連絡する計測線の構成についても、該計測
線を中心軸電極として絶縁体を介挿せしめた同じく三重
電極構造とし、試料台の中間電極を計測線の中間軸電極
に繋いでガード用に前記計測器に連絡することにより、
計測器側にて計測線に影響がでないようにガード・バッ
ファを経由して前記中間電極が計測用電極と同電位にな
るように制御されることになり、そのためリークＩ2そ
のものがなくなる。またシールド効果も大で計測線への
ノイズＮ1、Ｎ2の影響も最小限に低減されることにな
る。一方試料台の最下側電極を計測線の最外軸電極に繋
いで計測器のシャーシに繋ぎ計測器のシャーシと同電位
になるよう（通常は計測器側で接地）にする。このよう
に前記試料台の構成を三重電極構造とすると共に、同じ
く計測器から試料台の計測用電極までの間を連絡する計
測線についても三重電極構造としたことで、ノー・リー
ク（計測用電極と中間電極とが同電位になったことによ
る）及びロー・ノイズ（中間電極と最下側電極の二重シ
ールド効果による）とすることが可能になった。従来の
試料台が試料接触面の計測用電極を含め絶縁体を介挿さ
せた二重構造であり、その最下側電極を測定器のシャー
シに繋ぐと、一重シールド効果しか得られず、ノイズの
影響が大となり、更に計測用電極と最下側電極（通常測
定器側で接地）との間に電位差が生じるため、絶縁体の
固有抵抗値に依存したリークＩ2が生じていた。又加熱
・冷却用ヒータ等の加熱装置又は冷却装置が設けられた
試料台では、温度上昇によりそのセラミックス系絶縁体
材料の固有抵抗値が低下するため、更に計測用電極と最
下側電極との間に発生するリークＩ2が増大する。これ
に対し本発明では、上述のようなガード用の中間電極を
設けたことにより計測用電極との間が同電位になるた
め、絶縁体の固有抵抗値が低下してもノー・リークとな
り、又二重シールド効果によってロー・ノイズとなって
いるため、前記計測器の能力を十分発揮でき、微少な電
気的特性の測定が可能になる。
につき、試料接触面の計測用電極を含め絶縁体を介挿せ
しめた三重電極構造とし、且つ前記計測器から計測用電
極までの間を連絡する計測線の構成についても、該計測
線を中心軸電極として絶縁体を介挿せしめた同じく三重
電極構造とし、試料台の中間電極を計測線の中間軸電極
に繋いでガード用に前記計測器に連絡することにより、
計測器側にて計測線に影響がでないようにガード・バッ
ファを経由して前記中間電極が計測用電極と同電位にな
るように制御されることになり、そのためリークＩ2そ
のものがなくなる。またシールド効果も大で計測線への
ノイズＮ1、Ｎ2の影響も最小限に低減されることにな
る。一方試料台の最下側電極を計測線の最外軸電極に繋
いで計測器のシャーシに繋ぎ計測器のシャーシと同電位
になるよう（通常は計測器側で接地）にする。このよう
に前記試料台の構成を三重電極構造とすると共に、同じ
く計測器から試料台の計測用電極までの間を連絡する計
測線についても三重電極構造としたことで、ノー・リー
ク（計測用電極と中間電極とが同電位になったことによ
る）及びロー・ノイズ（中間電極と最下側電極の二重シ
ールド効果による）とすることが可能になった。従来の
試料台が試料接触面の計測用電極を含め絶縁体を介挿さ
せた二重構造であり、その最下側電極を測定器のシャー
シに繋ぐと、一重シールド効果しか得られず、ノイズの
影響が大となり、更に計測用電極と最下側電極（通常測
定器側で接地）との間に電位差が生じるため、絶縁体の
固有抵抗値に依存したリークＩ2が生じていた。又加熱
・冷却用ヒータ等の加熱装置又は冷却装置が設けられた
試料台では、温度上昇によりそのセラミックス系絶縁体
材料の固有抵抗値が低下するため、更に計測用電極と最
下側電極との間に発生するリークＩ2が増大する。これ
に対し本発明では、上述のようなガード用の中間電極を
設けたことにより計測用電極との間が同電位になるた
め、絶縁体の固有抵抗値が低下してもノー・リークとな
り、又二重シールド効果によってロー・ノイズとなって
いるため、前記計測器の能力を十分発揮でき、微少な電
気的特性の測定が可能になる。
【００１０】
【実施例】本発明の具体的実施例を以下説明する。図１
乃至図３は半導体ウエハ基板を試料Ｘとしてその微少な
電気的特性の測定を行う本発明の一実施例に係るマニュ
アル型のプローブ装置の構成を示している。図１におい
て、１０は外界からの影響を低減するシールドボック
ス、そのシールドボックス１０内の１１は測定対象とな
る半導体ウエハ基板Ｘを載置する試料台、１２はその試
料台１１に内蔵された加熱用ヒータ、１３ａ及び１３ｂ
はその試料台１１上のウエハ基板Ｘに接触せしめられる
測定針、１４ａ及び１４ｂは測定針１３ａ及び１３ｂを
ウエハ基板Ｘ上で移動させるマニピレータで更に１４
ａ′及び１４ｂ′はマニピレータベース、１５はウエハ
基板Ｘに接触せしめられた測定針１３ａ及び１３ｂに入
力される電流等を計測する測定器（キースレイ社製シス
テム２５１／ＳＭＵ）、１６は試料台１１の上方に設け
られた顕微鏡である。
乃至図３は半導体ウエハ基板を試料Ｘとしてその微少な
電気的特性の測定を行う本発明の一実施例に係るマニュ
アル型のプローブ装置の構成を示している。図１におい
て、１０は外界からの影響を低減するシールドボック
ス、そのシールドボックス１０内の１１は測定対象とな
る半導体ウエハ基板Ｘを載置する試料台、１２はその試
料台１１に内蔵された加熱用ヒータ、１３ａ及び１３ｂ
はその試料台１１上のウエハ基板Ｘに接触せしめられる
測定針、１４ａ及び１４ｂは測定針１３ａ及び１３ｂを
ウエハ基板Ｘ上で移動させるマニピレータで更に１４
ａ′及び１４ｂ′はマニピレータベース、１５はウエハ
基板Ｘに接触せしめられた測定針１３ａ及び１３ｂに入
力される電流等を計測する測定器（キースレイ社製シス
テム２５１／ＳＭＵ）、１６は試料台１１の上方に設け
られた顕微鏡である。
【００１１】上記構成中、測定針１３ａ及び１３ｂから
電流や電流容量等を計測する計測器１５に繋げられた計
測線１は、図２に示されるように該計測線１を中心軸電
極として絶縁体を介挿せしめた三重電極構造で構成され
ており、そのうち中間軸電極は１ａは計測器１５のガー
ド用に繋げられると共に、最外軸電極１ｂはシールドボ
ックス１０と計測器１５のシャーシに接地せしめられて
いる。
電流や電流容量等を計測する計測器１５に繋げられた計
測線１は、図２に示されるように該計測線１を中心軸電
極として絶縁体を介挿せしめた三重電極構造で構成され
ており、そのうち中間軸電極は１ａは計測器１５のガー
ド用に繋げられると共に、最外軸電極１ｂはシールドボ
ックス１０と計測器１５のシャーシに接地せしめられて
いる。
【００１２】また試料台１１自身、及び該試料台１１の
後述する計測用電極１１ａと計測器１５とを繋ぐ計測線
２についても、同様に絶縁体を介挿せしめた三重電極構
造で構成されている。即ち図３に示されるように、試料
接触面の導電部が、計測用電極１１ａとして、前記計測
器１５に連絡している中心軸電極である計測線２に繋げ
られると共に、その計測用電極１１ａとの間に絶縁体１
１ｂを介挿せしめて設けられた中間電極１１ｃが、計測
線２の中間軸電極２ａに繋げられて計測器１５のガード
用に繋げられ、またその下に絶縁体１１ｄを介挿せしめ
て設けられた最下側電極１１ｅが、計測線２の最外軸電
極２ｂに繋げられて計測器１５のシャーシに繋げられて
おり、更にこの最外軸電極２ｂは前記シールドボックス
１０に繋げられ接地せしめられている。
後述する計測用電極１１ａと計測器１５とを繋ぐ計測線
２についても、同様に絶縁体を介挿せしめた三重電極構
造で構成されている。即ち図３に示されるように、試料
接触面の導電部が、計測用電極１１ａとして、前記計測
器１５に連絡している中心軸電極である計測線２に繋げ
られると共に、その計測用電極１１ａとの間に絶縁体１
１ｂを介挿せしめて設けられた中間電極１１ｃが、計測
線２の中間軸電極２ａに繋げられて計測器１５のガード
用に繋げられ、またその下に絶縁体１１ｄを介挿せしめ
て設けられた最下側電極１１ｅが、計測線２の最外軸電
極２ｂに繋げられて計測器１５のシャーシに繋げられて
おり、更にこの最外軸電極２ｂは前記シールドボックス
１０に繋げられ接地せしめられている。
【００１３】以上の本実施例構成は、計測器の計測経路
である測定針１３ａ、１３ｂからの計測線１の構成と、
試料台１１そのものの構成及びその計測用電極１１ａと
計測器の間を繋ぐ計測線２の構成につき、これらを絶縁
体を介挿せしめた三重電極構造とした。このことで計測
線１の中心軸電極と中間軸電極１ａ及び試料台１１の計
測用電極１１ａと中間電極１１ｃ間が同電位になってリ
ークＩ1、Ｉ2が発生しなくなり、又中間軸電極１ａと最
外軸電極１ｂ、及び中間電極１１ｃと最下側電極１１ｅ
の二重シールド効果のためノイズＮ1、Ｎ2の影響を最小
限に低減できた。従って計測される微少な電流の測定値
（電流容量等も測定可能）はリークの影響がなく、ノイ
ズの影響の少ない正確な計測データとなる。下記表１
は、各測定項目の中でリーク及びノイズの影響により測
定が一番困難と思われる微少電流測定を例に採って、従
来構成と本実施例構成で測定されたウエハ基板Ｘの測定
可能下限値を示している。
である測定針１３ａ、１３ｂからの計測線１の構成と、
試料台１１そのものの構成及びその計測用電極１１ａと
計測器の間を繋ぐ計測線２の構成につき、これらを絶縁
体を介挿せしめた三重電極構造とした。このことで計測
線１の中心軸電極と中間軸電極１ａ及び試料台１１の計
測用電極１１ａと中間電極１１ｃ間が同電位になってリ
ークＩ1、Ｉ2が発生しなくなり、又中間軸電極１ａと最
外軸電極１ｂ、及び中間電極１１ｃと最下側電極１１ｅ
の二重シールド効果のためノイズＮ1、Ｎ2の影響を最小
限に低減できた。従って計測される微少な電流の測定値
（電流容量等も測定可能）はリークの影響がなく、ノイ
ズの影響の少ない正確な計測データとなる。下記表１
は、各測定項目の中でリーク及びノイズの影響により測
定が一番困難と思われる微少電流測定を例に採って、従
来構成と本実施例構成で測定されたウエハ基板Ｘの測定
可能下限値を示している。
【００１４】
【表１】
【００１５】この実験で使用した微少電流測定器１５自
身は、１０フェムトＡ以下まで測定可能であるが、従来
構成での測定針１３ａ、１３ｂ及び試料台１１は中間軸
電極や中間電極を設けていない絶縁体を介挿せしめた二
重電極構造であるためノー・リーク効果、二重シールド
効果の何れか一方又は双方が不完全なものとなり、上記
のような３００フェムトＡが測定可能下限値となった。
これに対し本実施例構成では、上記ノー・リーク効果、
二重シールド効果の双方とも十分であり、その測定器分
解能近くまで測定できることとなった。
身は、１０フェムトＡ以下まで測定可能であるが、従来
構成での測定針１３ａ、１３ｂ及び試料台１１は中間軸
電極や中間電極を設けていない絶縁体を介挿せしめた二
重電極構造であるためノー・リーク効果、二重シールド
効果の何れか一方又は双方が不完全なものとなり、上記
のような３００フェムトＡが測定可能下限値となった。
これに対し本実施例構成では、上記ノー・リーク効果、
二重シールド効果の双方とも十分であり、その測定器分
解能近くまで測定できることとなった。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述した本発明の構成によれば、測
定針や試料台におけるリークＩ1、Ｉ2の発生がなく、又
二重シールド効果によりノイズＮ1、Ｎ2の影響が最小限
に低減されているため、正確で再現性がある微少電流や
電流容量等の電気的特性が測定可能となる。
定針や試料台におけるリークＩ1、Ｉ2の発生がなく、又
二重シールド効果によりノイズＮ1、Ｎ2の影響が最小限
に低減されているため、正確で再現性がある微少電流や
電流容量等の電気的特性が測定可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係るマニュアル型のプロー
ブ装置の構成を示す概略図である。
ブ装置の構成を示す概略図である。
【図２】測定針から計測器に繋げられた計測線の三重電
極構造の構成を示す説明図である。
極構造の構成を示す説明図である。
【図３】試料台及び該試料台の計測用電極と計測器とを
繋ぐ計測線の三重電極構造の構成を示す説明図である。
繋ぐ計測線の三重電極構造の構成を示す説明図である。
【図４】従来のマニュアル型プローブ装置の一構成を示
す説明図である。
す説明図である。
１、２ 計測線 １ａ、２ａ 中間軸電極 １ｂ、２ｂ 最外軸電極 １０ シールドボックス １１ 試料台 １１ａ 計測用電極 １１ｂ 中間電極 １１ｃ 最下側電極 １３ａ、１３ｂ 測定針 １５ 計測器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森井 彰 神奈川県川崎市幸区北加瀬１−15−12 株 式会社ベクトルセミコンダクタ内
Claims (3)
- 【請求項１】 測定対象となる試料を載せる試料台と、
その試料台上の試料に接触せしめられる測定針とを有
し、外部で計測器と接続して前記試料の電気的特性の評
価を行う電気的特性測定用プローブ装置において、前記
計測器から試料直前の測定針先端側までの間を連絡する
計測線の構成につき、該計測線を中心軸電極として絶縁
体を介挿せしめた三重電極構造とし、中間軸電極をガー
ド用に前記計測器に繋ぐと共に、最外軸電極を計測器の
シャーシに繋いで計測器のシャーシと同電位になるよう
にしたことを特徴とする電気的特性測定用プローブ装
置。 - 【請求項２】 測定対象となる試料を載せる試料台と、
その試料台上の試料に接触せしめられる測定針とを有
し、外部で計測器と接続して前記試料の電気的特性の評
価を行う電気的特性測定用プローブ装置において、前記
試料台につき、その試料接触面の導電部を計測用電極と
して、その計測用電極を含めて絶縁体を介挿せしめた三
重電極構造とし、且つ前記計測器から計測用電極までの
間を連絡する計測線の構成につき、該計測線を中心軸電
極として絶縁体を介挿せしめた同じく三重電極構造と
し、試料台の中間電極を計測線の中間軸電極に繋いでガ
ード用に前記計測器に連絡すると共に、試料台の最下側
電極を計測線の最外軸電極に繋いで計測器のシャーシに
繋ぎ計測器のシャーシと同電位になるようにしたことを
特徴とする電気的特性測定用プローブ装置。 - 【請求項３】 請求項第２項記載に記載された電気的特
性測定用プローブ装置の構成を備えると共に、その試料
台の構成中に、試料の加熱又は冷却が可能な加熱装置又
は冷却装置が設置されていることを特徴とする電気的特
性測定用プローブ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5342767A JP2668768B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-12-16 | 電気的特性測定用プローブ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-93964 | 1993-03-30 | ||
| JP9396493 | 1993-03-30 | ||
| JP5342767A JP2668768B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-12-16 | 電気的特性測定用プローブ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075197A true JPH075197A (ja) | 1995-01-10 |
| JP2668768B2 JP2668768B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=26435225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5342767A Expired - Lifetime JP2668768B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-12-16 | 電気的特性測定用プローブ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2668768B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4971488A (en) * | 1988-06-09 | 1990-11-20 | Kanzaki Kokyukoki Mfg. Co., Ltd. | Table sliding apparatus for gear finishing machines |
| JP2001068515A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-16 | Cascade Microtech Inc | 容量性電流を遮蔽するプローブステーション熱チャック |
| WO2002035603A1 (fr) * | 2000-10-18 | 2002-05-02 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif d'etalonnage de tranche, et substrat en ceramique utilise dans ledit dispositif d'etalonnage de tranche |
| US6781396B2 (en) | 1995-12-01 | 2004-08-24 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card |
| US6995579B2 (en) | 1995-12-01 | 2006-02-07 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card |
| KR100800627B1 (ko) * | 1999-08-23 | 2008-02-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 부품상의 도전성 재료 이동 감소 방법 및 장치 |
| JP2017102002A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | 三菱電機株式会社 | 検査装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3095645U (ja) * | 2003-01-31 | 2003-08-15 | 船井電機株式会社 | ビデオカセットレコーダ |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP5342767A patent/JP2668768B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2017102002A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | 三菱電機株式会社 | 検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2668768B2 (ja) | 1997-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970603 |