JPH0754584B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0754584B2 JPH0754584B2 JP59058651A JP5865184A JPH0754584B2 JP H0754584 B2 JPH0754584 B2 JP H0754584B2 JP 59058651 A JP59058651 A JP 59058651A JP 5865184 A JP5865184 A JP 5865184A JP H0754584 B2 JPH0754584 B2 JP H0754584B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録媒体の製造方法に関する。
本発明者らは、イオン注入法による合金層の形成につい
て種々検討を重ね、本発明に到達した。
て種々検討を重ね、本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、3d遷移金属層に、磁界を印
加しながら、希土類元素をイオン注入することを特徴と
する一軸磁気異方性を示す磁気記録媒体の製造方法にあ
る。
加しながら、希土類元素をイオン注入することを特徴と
する一軸磁気異方性を示す磁気記録媒体の製造方法にあ
る。
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明における3d遷移金属層としては、Ni、Co、
Fe、Mn、Cr等又はこれらの合金が挙げられる。
Fe、Mn、Cr等又はこれらの合金が挙げられる。
これらは、基板自体であってもよく、またセラミック
ス、金属、プラスチックス等の基板上に上記金属を蒸
着、スパッタ法等の方法により、通常、100Å〜数μｍ
程度の厚さに薄膜を形成させたものであってもよく、目
的に応じて適宜選択される。
ス、金属、プラスチックス等の基板上に上記金属を蒸
着、スパッタ法等の方法により、通常、100Å〜数μｍ
程度の厚さに薄膜を形成させたものであってもよく、目
的に応じて適宜選択される。
一方、希土類元素としては、通常、ジスプロシウム（D
y）、テルビウム（Tb）、ガドリニウム（Gd）、ユーロ
ピウム（Eu）、サマリウム（Sm）、プラセオジム（Pr）
等が挙げられる。
y）、テルビウム（Tb）、ガドリニウム（Gd）、ユーロ
ピウム（Eu）、サマリウム（Sm）、プラセオジム（Pr）
等が挙げられる。
本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、上記金属層に
上記希土類元素イオンを、磁界を印加しながら注入する
ことを特徴とする。上記注入に際しては、通常のイオン
注入装置を用いて行なうことができる。
上記希土類元素イオンを、磁界を印加しながら注入する
ことを特徴とする。上記注入に際しては、通常のイオン
注入装置を用いて行なうことができる。
すなわち、イオン源でイオンを発生させ、たとえば20〜
30KVの加速電圧によりイオンを引出し、ついで200KV程
度までの加速電圧で所定のターゲット、すなわち上記金
属層に注入することができる。
30KVの加速電圧によりイオンを引出し、ついで200KV程
度までの加速電圧で所定のターゲット、すなわち上記金
属層に注入することができる。
本発明においては、この時に永久磁石又は電磁石により
磁界を印加させることにより、得られる記録媒体に印加
方向の一軸磁気異方性を付与することができる。
磁界を印加させることにより、得られる記録媒体に印加
方向の一軸磁気異方性を付与することができる。
上記注入において、注入エネルギーはターゲットの膜
厚、質量数及びイオンの質量数により異なり、目的に応
じ適宜、エネルギー、注入量を選定しうる。注入量は、
注入時間、イオン電流によって、コントロールすること
ができ、通常、ピーク位置で数十at,％の濃度まで可能
である。なお、基板の温度は通常、室温〜300℃程度か
ら選ばれる。
厚、質量数及びイオンの質量数により異なり、目的に応
じ適宜、エネルギー、注入量を選定しうる。注入量は、
注入時間、イオン電流によって、コントロールすること
ができ、通常、ピーク位置で数十at,％の濃度まで可能
である。なお、基板の温度は通常、室温〜300℃程度か
ら選ばれる。
このようにして得られる記録媒体、たとえばDyFe、TbF
e、GdCo、DyNi、DyCo等は、一軸磁気異方性を有し、た
とえば公知のマスク技術によるイオン打込み領域のパタ
ーニングを作成し、そのパターニングに応じた一軸磁気
異方性を付与することができるので、光磁気記録媒体、
磁気記録媒体（テープ、デイスク、カード等）として好
適に使用しうる。
e、GdCo、DyNi、DyCo等は、一軸磁気異方性を有し、た
とえば公知のマスク技術によるイオン打込み領域のパタ
ーニングを作成し、そのパターニングに応じた一軸磁気
異方性を付与することができるので、光磁気記録媒体、
磁気記録媒体（テープ、デイスク、カード等）として好
適に使用しうる。
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ ガラス基板上に蒸着法で膜厚240ÅのFe膜を形成させ
た。ついで、最高加熱温度2,000℃の窒化ボロン製の金
属蒸気の発生用オーブンをもつ“ニールセン型”イオン
源を有するイオン注入装置を用いて、注入エネルギー70
KeVのTb+イオンを1.0×1016イオン／cm2注入した（Tb:
0.3-1.5μA/cm2：電流密度）この注入時に、バイアス磁
界（120-Oe）をFe膜面内に印加した。
た。ついで、最高加熱温度2,000℃の窒化ボロン製の金
属蒸気の発生用オーブンをもつ“ニールセン型”イオン
源を有するイオン注入装置を用いて、注入エネルギー70
KeVのTb+イオンを1.0×1016イオン／cm2注入した（Tb:
0.3-1.5μA/cm2：電流密度）この注入時に、バイアス磁
界（120-Oe）をFe膜面内に印加した。
得られたTbFe膜は、ピーク位置（表面から100Å）で濃
度9at.％を示し、一軸異方性をあらわすフアラーデーBH
ループを示した。
度9at.％を示し、一軸異方性をあらわすフアラーデーBH
ループを示した。
バイアス磁界と平行方向：保磁力Hc＝15 Oe、 角形比（η）１ バイアス磁界と90°方向：保磁力Hc≒０ Oe 角形比（η）０ 実施例２ 実施例１と同様にして、膜厚250ÅのFe膜に、Dy+イオン
を３×1016イオン／cm2注入した。
を３×1016イオン／cm2注入した。
バイアス磁界と平行方向:Hc＝25 Oe、η＝１ バイアス磁界と90°方向:Hc＝４ Oe、η＝0.4 実施例３ 実施例１と同様にして、膜厚200ÅのCo膜上に、Dy+イオ
ンを1.60×1015イオン／cm2注入した。
ンを1.60×1015イオン／cm2注入した。
平行方向:Hc＝25 Oe、η＝１ 90°方向:Hc＜10 Oe、η≒0.25
Claims (1)
- 【請求項１】3d遷移金属層に、磁界を印加しながら、希
土類元素をイオン注入することを特徴とする一軸磁気異
方性を示す磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058651A JPH0754584B2 (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058651A JPH0754584B2 (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202523A JPS60202523A (ja) | 1985-10-14 |
| JPH0754584B2 true JPH0754584B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=13090483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59058651A Expired - Lifetime JPH0754584B2 (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754584B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5988967B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2016-09-07 | インスティテュート オブ ジオロジカル アンド ニュークリア サイエンシズ リミティド | 磁性材料の製造方法および磁気電気デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57189340A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
| JPS58165306A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS5967612A (ja) * | 1982-10-09 | 1984-04-17 | Yoshifumi Sakurai | 光磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59058651A patent/JPH0754584B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60202523A (ja) | 1985-10-14 |
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