JPH0757683A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH0757683A JPH0757683A JP5223775A JP22377593A JPH0757683A JP H0757683 A JPH0757683 A JP H0757683A JP 5223775 A JP5223775 A JP 5223775A JP 22377593 A JP22377593 A JP 22377593A JP H0757683 A JPH0757683 A JP H0757683A
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- Japan
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- platen
- ion
- mask
- sample
- flag faraday
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 予めフラグファラデーにより測定するビーム
電流値と実際のイオン注入時のプラテンでのビーム電流
測定値とがほぼ同一になるようにする。 【構成】 ウエハ１０を保持するプラテン２１とフラグ
ファラデー２４を配置したマスク２２とが、取付部材２
３を介して直角状に連設され、回転軸２３ａを中心とし
て矢印ａ及びｂ方向へ一体的に回動される。マスク２２
を起立させた状態でフラグファラデー２４にイオンビー
ム１２を照射し、ビーム電流を測定する。その後、プラ
テン２１を起立させた状態でウエハ１０にイオンビーム
１２を照射し、プラテン２１でのビーム電流をモニター
しながらイオンを注入する。フラグファラデー２４とプ
ラテン２１とが同一の位置に設置されるので、フラグフ
ァラデー２４とプラテン２１とによるビーム電流の測定
値が同一になる。
電流値と実際のイオン注入時のプラテンでのビーム電流
測定値とがほぼ同一になるようにする。 【構成】 ウエハ１０を保持するプラテン２１とフラグ
ファラデー２４を配置したマスク２２とが、取付部材２
３を介して直角状に連設され、回転軸２３ａを中心とし
て矢印ａ及びｂ方向へ一体的に回動される。マスク２２
を起立させた状態でフラグファラデー２４にイオンビー
ム１２を照射し、ビーム電流を測定する。その後、プラ
テン２１を起立させた状態でウエハ１０にイオンビーム
１２を照射し、プラテン２１でのビーム電流をモニター
しながらイオンを注入する。フラグファラデー２４とプ
ラテン２１とが同一の位置に設置されるので、フラグフ
ァラデー２４とプラテン２１とによるビーム電流の測定
値が同一になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の製
造工程においてシリコンウエハ等の試料に各種のイオン
を注入するためのイオン注入装置に係り、特にビーム電
流の測定機構に関する。
造工程においてシリコンウエハ等の試料に各種のイオン
を注入するためのイオン注入装置に係り、特にビーム電
流の測定機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においてシリコン
ウエハ等にＡｓ+ 、Ｐ+ 、Ｂ+ 等のイオンを注入するた
めにイオン注入装置が使用されている。まず、この種の
イオン注入装置の従来例を図４及び図５を参照して説明
する。
ウエハ等にＡｓ+ 、Ｐ+ 、Ｂ+ 等のイオンを注入するた
めにイオン注入装置が使用されている。まず、この種の
イオン注入装置の従来例を図４及び図５を参照して説明
する。
【０００３】装置全体の概略構成を示す図４において、
イオン源１で生成されたイオンが一定のエネルギーで引
出し電極２により引き出され、分析電磁石３により質量
に応じて分離されて所要のイオンが取り出される。スリ
ット４により完全に分離された所望のイオンが加速管５
により所定の最終エネルギーまで加速される。イオンビ
ームは四極レンズ６により試料室チャンバー９内のウエ
ハ１０の表面で所定の径となるように収束され、走査電
極７及び８によりＸＹ方向に走査される。これによりイ
オンがウエハ１０の全面に一様に注入される。
イオン源１で生成されたイオンが一定のエネルギーで引
出し電極２により引き出され、分析電磁石３により質量
に応じて分離されて所要のイオンが取り出される。スリ
ット４により完全に分離された所望のイオンが加速管５
により所定の最終エネルギーまで加速される。イオンビ
ームは四極レンズ６により試料室チャンバー９内のウエ
ハ１０の表面で所定の径となるように収束され、走査電
極７及び８によりＸＹ方向に走査される。これによりイ
オンがウエハ１０の全面に一様に注入される。
【０００４】上記装置の試料室チャンバー内を示す図５
において、プラテン１１上に保持されたウエハ１０にイ
オンビーム１２が照射される。ウエハ１０に注入された
イオンの量に応じてウエハ１０に電流が流れる。このビ
ーム電流をプラテン１１を介してビーム電流測定部１３
によりモニターしながら、イオン注入を行う。
において、プラテン１１上に保持されたウエハ１０にイ
オンビーム１２が照射される。ウエハ１０に注入された
イオンの量に応じてウエハ１０に電流が流れる。このビ
ーム電流をプラテン１１を介してビーム電流測定部１３
によりモニターしながら、イオン注入を行う。
【０００５】このイオン注入に先立って予め所定のビー
ム電流値を設定するために、プラテン１１の前方にフラ
グファラデー１４が設けられている。イオンビーム１２
をウエハ１０に照射する前にフラグファラデー１４に一
旦照射し、ビーム電流測定部１３によりビーム電流を測
定する。なお、フラグファラデー１４は実際のウエハ１
０へのイオン注入時には一点鎖線で示すように横倒され
る。
ム電流値を設定するために、プラテン１１の前方にフラ
グファラデー１４が設けられている。イオンビーム１２
をウエハ１０に照射する前にフラグファラデー１４に一
旦照射し、ビーム電流測定部１３によりビーム電流を測
定する。なお、フラグファラデー１４は実際のウエハ１
０へのイオン注入時には一点鎖線で示すように横倒され
る。
【０００６】正電荷を持つイオンビーム１２の大部分
は、フラグファラデー１４（ウエハ１０）に衝突するこ
とによりフラグファラデー１４（プラテン１１）に電荷
を与え、ビーム電流測定部１３によりビーム電流として
測定される。ところが、一部のイオンビーム１２は、フ
ラグファラデー１４（ウエハ１０）で反射し散乱してし
まう。この二次電子等の反射ビームを捕集し、ビーム電
流測定部１３により正確なビーム電流を測定するため、
フラグファラデー１４（プラテン１１）を囲むようにフ
ァラデーカップ１５が設けられている。
は、フラグファラデー１４（ウエハ１０）に衝突するこ
とによりフラグファラデー１４（プラテン１１）に電荷
を与え、ビーム電流測定部１３によりビーム電流として
測定される。ところが、一部のイオンビーム１２は、フ
ラグファラデー１４（ウエハ１０）で反射し散乱してし
まう。この二次電子等の反射ビームを捕集し、ビーム電
流測定部１３により正確なビーム電流を測定するため、
フラグファラデー１４（プラテン１１）を囲むようにフ
ァラデーカップ１５が設けられている。
【０００７】また、ファラデーカップ１５の開口部から
の二次電子等の捕捉漏れを防ぐために、その開口部の前
方にサプレッサー電極１６が配置され、ビーム電流の測
定精度を上げている。さらに、ファラデーカップ１５の
前方にマスク１７が設けられ、イオンビーム１２の入射
角を一定値に制限して測定精度を上げている。
の二次電子等の捕捉漏れを防ぐために、その開口部の前
方にサプレッサー電極１６が配置され、ビーム電流の測
定精度を上げている。さらに、ファラデーカップ１５の
前方にマスク１７が設けられ、イオンビーム１２の入射
角を一定値に制限して測定精度を上げている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、この
種のイオン注入装置においては、ウエハ１０へのイオン
注入に先立って予めビーム電流値を設定するために、フ
ラグファラデー１４によってビーム電流を測定する。し
かしながら従来は、図５に示すように、フラグファラデ
ー１４が、ウエハ１０を保持するプラテン１１よりもイ
オン源に近い位置に設置されていた。
種のイオン注入装置においては、ウエハ１０へのイオン
注入に先立って予めビーム電流値を設定するために、フ
ラグファラデー１４によってビーム電流を測定する。し
かしながら従来は、図５に示すように、フラグファラデ
ー１４が、ウエハ１０を保持するプラテン１１よりもイ
オン源に近い位置に設置されていた。
【０００９】このため、イオン源からのフラグファラデ
ー１４とプラテン１１との距離が違うことによって、距
離差によるイオンビーム１２の途中損失が生じる。これ
により、予めフラグファラデー１４により測定したビー
ム電流値と、これに基づいて実際にウエハ１０にイオン
を注入するときのプラテン１１でのビーム電流値とが異
なってしまい、この結果、ウエハ１０へのイオン注入量
を高精度に制御することができないという問題があっ
た。
ー１４とプラテン１１との距離が違うことによって、距
離差によるイオンビーム１２の途中損失が生じる。これ
により、予めフラグファラデー１４により測定したビー
ム電流値と、これに基づいて実際にウエハ１０にイオン
を注入するときのプラテン１１でのビーム電流値とが異
なってしまい、この結果、ウエハ１０へのイオン注入量
を高精度に制御することができないという問題があっ
た。
【００１０】そこで本発明は、予めフラグファラデーに
より測定するビーム電流値と実際のイオン注入時のプラ
テンでのビーム電流測定値とがほぼ同一になるイオン注
入装置を提供することを目的とする。
より測定するビーム電流値と実際のイオン注入時のプラ
テンでのビーム電流測定値とがほぼ同一になるイオン注
入装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、イオン源からのイオンビームを試料に照
射してイオンを試料に注入するイオン注入装置におい
て、前記試料へのイオン注入前にビーム電流を測定する
ためのフラグファラデーを、前記試料を保持するための
プラテンとほぼ同一の位置に設置したものである。
に、本発明は、イオン源からのイオンビームを試料に照
射してイオンを試料に注入するイオン注入装置におい
て、前記試料へのイオン注入前にビーム電流を測定する
ためのフラグファラデーを、前記試料を保持するための
プラテンとほぼ同一の位置に設置したものである。
【００１２】また、本発明は、イオン源からのイオンビ
ームを試料に照射してイオンを試料に注入するイオン注
入装置において、前記試料を保持するためのプラテンを
イオンビームの照射位置と非照射位置との間で移動自在
に構成し、前記プラテンを前記照射位置から前記非照射
位置へ移動させたときに、このプラテンに代わって前記
照射位置へ移動してイオンビームを遮蔽するためのマス
クを設け、前記試料へのイオン注入前にビーム電流を測
定するためのフラグファラデーを前記マスクの部分に配
置したものである。
ームを試料に照射してイオンを試料に注入するイオン注
入装置において、前記試料を保持するためのプラテンを
イオンビームの照射位置と非照射位置との間で移動自在
に構成し、前記プラテンを前記照射位置から前記非照射
位置へ移動させたときに、このプラテンに代わって前記
照射位置へ移動してイオンビームを遮蔽するためのマス
クを設け、前記試料へのイオン注入前にビーム電流を測
定するためのフラグファラデーを前記マスクの部分に配
置したものである。
【００１３】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、フラ
グファラデーがプラテンとほぼ同一の位置に設置されて
いるので、試料へのイオン注入前に予めフラグファラデ
ーにより測定するビーム電流値と、試料への実際のイオ
ン注入時にプラテンにより測定するビーム電流値とがほ
ぼ同一となる。これにより、予め設定したビーム電流値
に基づいて試料へのイオン注入量を高精度に制御するこ
とができる。
グファラデーがプラテンとほぼ同一の位置に設置されて
いるので、試料へのイオン注入前に予めフラグファラデ
ーにより測定するビーム電流値と、試料への実際のイオ
ン注入時にプラテンにより測定するビーム電流値とがほ
ぼ同一となる。これにより、予め設定したビーム電流値
に基づいて試料へのイオン注入量を高精度に制御するこ
とができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明によるイオン注入装置の実施例
について図１〜図３を参照して説明する。なお、装置全
体の概略構成は図４で説明した従来例と実質的に同等で
よく、また、試料室チャンバー内において図５で説明し
た従来例と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付
してその説明を省略する。
について図１〜図３を参照して説明する。なお、装置全
体の概略構成は図４で説明した従来例と実質的に同等で
よく、また、試料室チャンバー内において図５で説明し
た従来例と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付
してその説明を省略する。
【００１５】まず、図１及び図２は第１実施例を示し、
図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれウエハへのイオン注入
時及びフラグファラデーによるビーム電流測定時におけ
る試料室チャンバーの概略断面図、図２はプラテン及び
マスク部分の概略斜視図である。
図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれウエハへのイオン注入
時及びフラグファラデーによるビーム電流測定時におけ
る試料室チャンバーの概略断面図、図２はプラテン及び
マスク部分の概略斜視図である。
【００１６】試料室チャンバー９内のファラデーカップ
１５の後端に、プラテン２１とマスク２２とが配置され
ている。これらプラテン２１とマスク２２とは、それら
の一側部において適宜な取付部材２３を介して直角状に
連設されている。この取付部材２３には回転軸２３ａが
設けられており、プラテン２１とマスク２２とは、駆動
機構（図示せず）により回転軸２３ａを中心として矢印
ａ及びｂ方向へ一体的に回動自在に構成されている。そ
して、プラテン２１上にウエハ１０が保持され、マスク
２２上にフラグファラデー２４が配置されている。
１５の後端に、プラテン２１とマスク２２とが配置され
ている。これらプラテン２１とマスク２２とは、それら
の一側部において適宜な取付部材２３を介して直角状に
連設されている。この取付部材２３には回転軸２３ａが
設けられており、プラテン２１とマスク２２とは、駆動
機構（図示せず）により回転軸２３ａを中心として矢印
ａ及びｂ方向へ一体的に回動自在に構成されている。そ
して、プラテン２１上にウエハ１０が保持され、マスク
２２上にフラグファラデー２４が配置されている。
【００１７】図１（ａ）に示すように、プラテン２１が
矢印ａ方向へ回動されてイオンビーム１２の照射位置に
移動されると、マスク２２は矢印ａ方向へ回動されて非
照射位置へ移動される。また、図１（ｂ）に示すよう
に、プラテン２１が矢印ｂ方向へ回動されて非照射位置
に移動されると、マスク２２は矢印ｂ方向へ回動されて
照射位置に移動される。従って、プラテン２１が照射位
置から非照射位置へ移動されると、このプラテン２１に
代わってマスク２２が照射位置へ移動されてイオンビー
ム１２を遮蔽することになり、このマスク２２にフラグ
ファラデー２４が配置されているので、フラグファラデ
ー２４がプラテン２１と同一の位置に設置されることに
なる。
矢印ａ方向へ回動されてイオンビーム１２の照射位置に
移動されると、マスク２２は矢印ａ方向へ回動されて非
照射位置へ移動される。また、図１（ｂ）に示すよう
に、プラテン２１が矢印ｂ方向へ回動されて非照射位置
に移動されると、マスク２２は矢印ｂ方向へ回動されて
照射位置に移動される。従って、プラテン２１が照射位
置から非照射位置へ移動されると、このプラテン２１に
代わってマスク２２が照射位置へ移動されてイオンビー
ム１２を遮蔽することになり、このマスク２２にフラグ
ファラデー２４が配置されているので、フラグファラデ
ー２４がプラテン２１と同一の位置に設置されることに
なる。
【００１８】上記のように構成されたイオン注入装置に
よれば、まず、図１（ｂ）に示すように、プラテン２１
を横倒させてマスク２２を起立させた状態で、マスク２
２に配置されたフラグファラデー２４にイオンビーム１
２を照射し、このフラグファラデー２４によってビーム
電流を測定して、注入条件となるビーム電流を設定す
る。
よれば、まず、図１（ｂ）に示すように、プラテン２１
を横倒させてマスク２２を起立させた状態で、マスク２
２に配置されたフラグファラデー２４にイオンビーム１
２を照射し、このフラグファラデー２４によってビーム
電流を測定して、注入条件となるビーム電流を設定す
る。
【００１９】その後、図１（ａ）に示すように、ウエハ
１０が装着されたプラテン２１を起立させてマスク２２
を横倒させた状態で、上記の設定に基づいてウエハ１０
にイオンビーム１２を照射し、プラテン２１でのビーム
電流をモニターしながら、ウエハ１０にイオンを注入す
る。
１０が装着されたプラテン２１を起立させてマスク２２
を横倒させた状態で、上記の設定に基づいてウエハ１０
にイオンビーム１２を照射し、プラテン２１でのビーム
電流をモニターしながら、ウエハ１０にイオンを注入す
る。
【００２０】このように、フラグファラデー２４とプラ
テン２１とが同一の位置に設置されるので、イオン源か
らのフラグファラデー２４とプラテン２１との距離が同
一になり、距離差によるイオンビーム１２の途中損失が
なくなる。これにより、ウエハ１０へのイオン注入前に
予めフラグファラデー２４により測定したビーム電流値
と、実際にウエハ１０にイオンを注入するときのプラテ
ン２１でのビーム電流値とが同一になる。従って、フラ
グファラデー２４での測定によって設定したビーム電流
値に基づいてウエハ１０へのイオン注入量を高精度に制
御することができる。
テン２１とが同一の位置に設置されるので、イオン源か
らのフラグファラデー２４とプラテン２１との距離が同
一になり、距離差によるイオンビーム１２の途中損失が
なくなる。これにより、ウエハ１０へのイオン注入前に
予めフラグファラデー２４により測定したビーム電流値
と、実際にウエハ１０にイオンを注入するときのプラテ
ン２１でのビーム電流値とが同一になる。従って、フラ
グファラデー２４での測定によって設定したビーム電流
値に基づいてウエハ１０へのイオン注入量を高精度に制
御することができる。
【００２１】また、ファラデーカップ１５に対するフラ
グファラデー２４とプラテン２１との位置も同一になる
ので、ファラデーカップ１５による二次電子等の捕捉も
同一条件で行うことができる。
グファラデー２４とプラテン２１との位置も同一になる
ので、ファラデーカップ１５による二次電子等の捕捉も
同一条件で行うことができる。
【００２２】次に、図３は第２実施例におけるプラテン
及びマスク部分の概略斜視図であり、プラテン２１とマ
スク２２とが適宜の取付部材２３を介して同一の平面上
に連設され、プラテン２１上にウエハ１０が保持され、
マスク２２上にフラグファラデー２４が配置されてい
る。
及びマスク部分の概略斜視図であり、プラテン２１とマ
スク２２とが適宜の取付部材２３を介して同一の平面上
に連設され、プラテン２１上にウエハ１０が保持され、
マスク２２上にフラグファラデー２４が配置されてい
る。
【００２３】この第２実施例においては、プラテン２１
とマスク２２とが、同一面内において一体的に直線移動
（矢印ｃ及びｄ方向）または回転移動（矢印ｅ及びｆ方
向）される。これによって、フラグファラデー２４とプ
ラテン２１とがイオンビーム１２に対して同一の位置に
設置される。
とマスク２２とが、同一面内において一体的に直線移動
（矢印ｃ及びｄ方向）または回転移動（矢印ｅ及びｆ方
向）される。これによって、フラグファラデー２４とプ
ラテン２１とがイオンビーム１２に対して同一の位置に
設置される。
【００２４】なお、上述した第１及び第２実施例のよう
に、プラテン２１とマスク２２とが一体的に移動される
構成は、両者の入れ代えを極めて確実かつ迅速に行うこ
とができる上に、その構造も極めて簡単になる。また、
第１実施例においては、直角状に連設されたプラテン２
１とマスク２２とが回動されるので、試料室チャンバー
９の横幅が増加することはなく、しかも、後方からプラ
テン２１に対するウエハ１０の着脱を容易に行うことが
できる。また、第２実施例においては、同一平面上に連
設されたプラテン２１とマスク２２とが移動されるの
で、試料室チャンバー９の奥行きを最小限に抑えること
ができる。
に、プラテン２１とマスク２２とが一体的に移動される
構成は、両者の入れ代えを極めて確実かつ迅速に行うこ
とができる上に、その構造も極めて簡単になる。また、
第１実施例においては、直角状に連設されたプラテン２
１とマスク２２とが回動されるので、試料室チャンバー
９の横幅が増加することはなく、しかも、後方からプラ
テン２１に対するウエハ１０の着脱を容易に行うことが
できる。また、第２実施例においては、同一平面上に連
設されたプラテン２１とマスク２２とが移動されるの
で、試料室チャンバー９の奥行きを最小限に抑えること
ができる。
【００２５】以上、本発明の実施例に付き説明したが、
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フラグファラデーをプラテンとほぼ同一の位置に設置す
ることによって、試料へのイオン注入前に予めフラグフ
ァラデーによる測定に基づいて設定したビーム電流値
と、試料への実際のイオン注入時にプラテンによりモニ
ターするビーム電流の測定値とを、常に正確に一致させ
ることができる。これにより、イオン注入を極めて高精
度に制御することができ、極めて再現性のよいドーピン
グを行うことができる。
フラグファラデーをプラテンとほぼ同一の位置に設置す
ることによって、試料へのイオン注入前に予めフラグフ
ァラデーによる測定に基づいて設定したビーム電流値
と、試料への実際のイオン注入時にプラテンによりモニ
ターするビーム電流の測定値とを、常に正確に一致させ
ることができる。これにより、イオン注入を極めて高精
度に制御することができ、極めて再現性のよいドーピン
グを行うことができる。
【図１】本発明によるイオン注入装置の第１実施例にお
いて（ａ）はウエハへのイオン注入時（ｂ）はフラグフ
ァラデーによるビーム電流測定時における試料室チャン
バーの概略断面図である。
いて（ａ）はウエハへのイオン注入時（ｂ）はフラグフ
ァラデーによるビーム電流測定時における試料室チャン
バーの概略断面図である。
【図２】上記第１実施例におけるプラテン及びマスク部
分の概略斜視図である。
分の概略斜視図である。
【図３】本発明によるイオン注入装置の第２実施例にお
けるプラテン及びマスク部分の概略斜視図である。
けるプラテン及びマスク部分の概略斜視図である。
【図４】従来のイオン注入装置における全体の概略構成
図である。
図である。
【図５】上記従来のイオン注入装置における試料室チャ
ンバーの概略断面図である。
ンバーの概略断面図である。
１ イオン源 ９ 試料室チャンバー １０ ウエハ １２ イオンビーム １３ ビーム電流測定部 １５ ファラデーカップ ２１ プラテン ２２ マスク ２３ 取付部材 ２３ａ 回転軸 ２４ フラグファラデー
Claims (4)
- 【請求項１】 イオン源からのイオンビームを試料に照
射してイオンを試料に注入するイオン注入装置におい
て、 前記試料へのイオン注入前にビーム電流を測定するため
のフラグファラデーを、前記試料を保持するためのプラ
テンとほぼ同一の位置に設置したことを特徴とするイオ
ン注入装置。 - 【請求項２】 イオン源からのイオンビームを試料に照
射してイオンを試料に注入するイオン注入装置におい
て、 前記試料を保持するためのプラテンをイオンビームの照
射位置と非照射位置との間で移動自在に構成し、前記プ
ラテンを前記照射位置から前記非照射位置へ移動させた
ときに、このプラテンに代わって前記照射位置へ移動し
てイオンビームを遮蔽するためのマスクを設け、前記試
料へのイオン注入前にビーム電流を測定するためのフラ
グファラデーを前記マスクの部分に配置したことを特徴
とするイオン注入装置。 - 【請求項３】 前記試料を保持するプラテンと前記フラ
グファラデーを配置するマスクとがほぼ直角状に連設さ
れ、この連設部分を中心として前記プラテンと前記マス
クとが一体的に回動されて入れ代わるように構成したこ
とを特徴とする請求項２記載のイオン注入装置。 - 【請求項４】 前記試料を保持するプラテンと前記フラ
グファラデーを配置するマスクとがほぼ同一面上に連設
され、この同一面内において前記プラテンと前記マスク
とが一体的に移動されて入れ代わるように構成したこと
を特徴とする請求項２記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223775A JPH0757683A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223775A JPH0757683A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0757683A true JPH0757683A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16803521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5223775A Withdrawn JPH0757683A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0757683A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485387B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2005-04-27 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 장치의 모니터링 방법 및 이를 수행하기 위한섀도우 지그를 갖는 이온 주입 장치 |
| CN108966676A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-12-07 | 应用材料公司 | 在真空系统处理掩模装置的方法、掩模处理设备和真空系统 |
| JP2019212598A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
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1993
- 1993-08-17 JP JP5223775A patent/JPH0757683A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485387B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2005-04-27 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 장치의 모니터링 방법 및 이를 수행하기 위한섀도우 지그를 갖는 이온 주입 장치 |
| CN108966676A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-12-07 | 应用材料公司 | 在真空系统处理掩模装置的方法、掩模处理设备和真空系统 |
| CN108966676B (zh) * | 2017-03-17 | 2023-08-04 | 应用材料公司 | 在真空系统处理掩模装置的方法、掩模处理组件和用于在基板上沉积材料的真空系统 |
| JP2019212598A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
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