JPH0758065A - 半導体ウエハの面取方法 - Google Patents
半導体ウエハの面取方法Info
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- JPH0758065A JPH0758065A JP20079493A JP20079493A JPH0758065A JP H0758065 A JPH0758065 A JP H0758065A JP 20079493 A JP20079493 A JP 20079493A JP 20079493 A JP20079493 A JP 20079493A JP H0758065 A JPH0758065 A JP H0758065A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
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- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウエハの厚さに影響されることなく、半
導体ウエハの面取り形状を同じにする。 【構成】先ず、砥石１４に形成された平坦面１６と上曲
面１８Ａとの境界部ｓの水平方向延長線上に、ウエハ吸
着台１２の上面１２Ａを同一面上に位置させる。次に、
予め測定された半導体ウエハ１０の厚さｔの半分（ｔ／
２）と、面取り加工によって半導体ウエハ１０の周縁の
中央部に形成される平坦部１０Ｃの厚さＸ３の半分（Ｘ
３／２）とを加算した寸法分だけ前記ウエハ吸着台１２
を下降させる。次いで、ウエハ吸着台１２を砥石１４に
近づく方向に水平移動させて半導体ウエハ１０の上縁部
１０Ａを砥石１４の上傾斜面２０Ａに当接し、上縁部１
０Ａを研磨する。上縁部１０Ａの研磨が終了すると、砥
石１４の平坦面１６の幅ｗから半導体ウエハ１０の平坦
部１０Ｃの厚さＸ３を減算した寸法分だけ、ウエハ吸着
台１２を下降し、半導体ウエハ１０の下縁部１０Ｂを下
傾斜面２０Ｂで研磨する。
導体ウエハの面取り形状を同じにする。 【構成】先ず、砥石１４に形成された平坦面１６と上曲
面１８Ａとの境界部ｓの水平方向延長線上に、ウエハ吸
着台１２の上面１２Ａを同一面上に位置させる。次に、
予め測定された半導体ウエハ１０の厚さｔの半分（ｔ／
２）と、面取り加工によって半導体ウエハ１０の周縁の
中央部に形成される平坦部１０Ｃの厚さＸ３の半分（Ｘ
３／２）とを加算した寸法分だけ前記ウエハ吸着台１２
を下降させる。次いで、ウエハ吸着台１２を砥石１４に
近づく方向に水平移動させて半導体ウエハ１０の上縁部
１０Ａを砥石１４の上傾斜面２０Ａに当接し、上縁部１
０Ａを研磨する。上縁部１０Ａの研磨が終了すると、砥
石１４の平坦面１６の幅ｗから半導体ウエハ１０の平坦
部１０Ｃの厚さＸ３を減算した寸法分だけ、ウエハ吸着
台１２を下降し、半導体ウエハ１０の下縁部１０Ｂを下
傾斜面２０Ｂで研磨する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの面取方
法に係り、特に半導体ウエハの周縁を回転する砥石に当
接して面取り加工する半導体ウエハの面取方法に関す
る。
法に係り、特に半導体ウエハの周縁を回転する砥石に当
接して面取り加工する半導体ウエハの面取方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】スライシングマシンによって切断された
半導体ウエハは、その表面がラップ加工されると共に、
その周縁も面取加工がなされてクラック防止及び塵埃の
付着並びに発生を防止している。即ち、図３に示すよう
に、ウエハ保持台１に保持された半導体ウエハ２の周縁
を、回転する溝付き砥石３の上傾斜面３Ａに押し当て、
半導体ウエハ２の上縁部を研磨したのち、ウエハ保持台
１を図中二点鎖線で示すように所定量下降して半導体ウ
エハ２の下縁部を溝付き砥石３の下傾斜面３Ｂに押し当
て研磨する。
半導体ウエハは、その表面がラップ加工されると共に、
その周縁も面取加工がなされてクラック防止及び塵埃の
付着並びに発生を防止している。即ち、図３に示すよう
に、ウエハ保持台１に保持された半導体ウエハ２の周縁
を、回転する溝付き砥石３の上傾斜面３Ａに押し当て、
半導体ウエハ２の上縁部を研磨したのち、ウエハ保持台
１を図中二点鎖線で示すように所定量下降して半導体ウ
エハ２の下縁部を溝付き砥石３の下傾斜面３Ｂに押し当
て研磨する。
【０００３】従来の半導体ウエハの面取方法は、溝付き
砥石３の上傾斜面３Ａと下傾斜面３Ｂとに研磨されるＸ
１、Ｘ２寸法（図４参照）を設定することによって行わ
れている。この結果、面取りされた半導体ウエハ２の周
縁には、前記上傾斜面３Ａと下傾斜面３Ｂとによって傾
斜面２Ａ、２Ｂが形成されると共に、溝付き砥石３の平
坦面３Ｃの上下に形成された曲面３Ｄ、３ＥによってＲ
面２Ｃ、２Ｄが形成され、更に、Ｒ面３ＣとＲ面３Ｄと
の間に平坦部２Ｅが形成される。
砥石３の上傾斜面３Ａと下傾斜面３Ｂとに研磨されるＸ
１、Ｘ２寸法（図４参照）を設定することによって行わ
れている。この結果、面取りされた半導体ウエハ２の周
縁には、前記上傾斜面３Ａと下傾斜面３Ｂとによって傾
斜面２Ａ、２Ｂが形成されると共に、溝付き砥石３の平
坦面３Ｃの上下に形成された曲面３Ｄ、３ＥによってＲ
面２Ｃ、２Ｄが形成され、更に、Ｒ面３ＣとＲ面３Ｄと
の間に平坦部２Ｅが形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウエハの面取方法は、前述したようにＸ１、Ｘ２
寸法を設定して行っているので、半導体ウエハ２の厚さ
ｔが基本寸法よりも薄い場合、又は溝付き砥石３の曲面
３Ｄ、３Ｅの曲率が基本寸法よりも大きい場合には、半
導体ウエハ２の平坦部２Ｅが図５に示すように無くなっ
てしまい、本来、平坦部２Ｅが形成される部分２Ｆが尖
鋭状になるという欠点がある。
半導体ウエハの面取方法は、前述したようにＸ１、Ｘ２
寸法を設定して行っているので、半導体ウエハ２の厚さ
ｔが基本寸法よりも薄い場合、又は溝付き砥石３の曲面
３Ｄ、３Ｅの曲率が基本寸法よりも大きい場合には、半
導体ウエハ２の平坦部２Ｅが図５に示すように無くなっ
てしまい、本来、平坦部２Ｅが形成される部分２Ｆが尖
鋭状になるという欠点がある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、半導体ウエハの厚さに影響されることなく半
導体ウエハの面取り形状を同じにすることができる半導
体ウエハの面取方法を提案することを目的とする。
たもので、半導体ウエハの厚さに影響されることなく半
導体ウエハの面取り形状を同じにすることができる半導
体ウエハの面取方法を提案することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１発明は、前
記目的を達成する為に、周縁の中央部に平坦面が形成さ
れると共に、該平坦面の上端、及び下端に上曲面、下曲
面を介して上傾斜面、下傾斜面が形成された溝付き砥石
を回転させ、該溝付き砥石にウエハ保持台に保持された
半導体ウエハの周縁を当接して面取り加工する半導体ウ
エハの面取方法に於いて、前記溝付き砥石に形成された
前記平坦面と上曲面との境界部の水平方向延長線上に、
前記ウエハ保持台の上面が同一面上に位置するようにウ
エハ保持台を移動し、予め測定された半導体ウエハの厚
さの１／２と、面取り加工によって半導体ウエハの周縁
の中央部に形成される平坦部の厚さの１／２とを加算し
た寸法分だけ前記ウエハ保持台を下降し、前記ウエハ保
持台を水平移動させて半導体ウエハの上縁部を溝付き砥
石の上傾斜面に当接させて上縁部を研磨し、前記溝付き
砥石の平坦面の幅から前記半導体ウエハの平坦部の厚さ
を減算した寸法分だけ前記ウエハ保持台を下降させて半
導体ウエハの下縁部を溝付き砥石の下傾斜面で研磨する
ことを特徴とする。
記目的を達成する為に、周縁の中央部に平坦面が形成さ
れると共に、該平坦面の上端、及び下端に上曲面、下曲
面を介して上傾斜面、下傾斜面が形成された溝付き砥石
を回転させ、該溝付き砥石にウエハ保持台に保持された
半導体ウエハの周縁を当接して面取り加工する半導体ウ
エハの面取方法に於いて、前記溝付き砥石に形成された
前記平坦面と上曲面との境界部の水平方向延長線上に、
前記ウエハ保持台の上面が同一面上に位置するようにウ
エハ保持台を移動し、予め測定された半導体ウエハの厚
さの１／２と、面取り加工によって半導体ウエハの周縁
の中央部に形成される平坦部の厚さの１／２とを加算し
た寸法分だけ前記ウエハ保持台を下降し、前記ウエハ保
持台を水平移動させて半導体ウエハの上縁部を溝付き砥
石の上傾斜面に当接させて上縁部を研磨し、前記溝付き
砥石の平坦面の幅から前記半導体ウエハの平坦部の厚さ
を減算した寸法分だけ前記ウエハ保持台を下降させて半
導体ウエハの下縁部を溝付き砥石の下傾斜面で研磨する
ことを特徴とする。
【０００７】本発明の第２発明は、前記目的を達成する
為に、周縁の中央部に平坦面が形成されると共に、該平
坦面の上端、及び下端に上曲面、下曲面を介して上傾斜
面、下傾斜面が形成された溝付き砥石を回転させ、該溝
付き砥石にウエハ保持台に保持された半導体ウエハの周
縁を当接して面取り加工する半導体ウエハの面取方法に
於いて、面取り加工により前記ウエハの周縁の中央部に
形成される平坦部の幅寸法、溝付き砥石の前記上曲面と
下曲面の曲率半径値、及び前記上傾斜面と下傾斜面の傾
斜角度を入力して、ウエハの面取りを行うことを特徴と
する。
為に、周縁の中央部に平坦面が形成されると共に、該平
坦面の上端、及び下端に上曲面、下曲面を介して上傾斜
面、下傾斜面が形成された溝付き砥石を回転させ、該溝
付き砥石にウエハ保持台に保持された半導体ウエハの周
縁を当接して面取り加工する半導体ウエハの面取方法に
於いて、面取り加工により前記ウエハの周縁の中央部に
形成される平坦部の幅寸法、溝付き砥石の前記上曲面と
下曲面の曲率半径値、及び前記上傾斜面と下傾斜面の傾
斜角度を入力して、ウエハの面取りを行うことを特徴と
する。
【０００８】
【作用】本発明の第１発明によれば、先ず、溝付き砥石
に形成された平坦面と上曲面との境界部の水平方向延長
線上に、ウエハ保持台の上面を同一面上に位置させる。
次に、予め測定された半導体ウエハの厚さの１／２と、
面取り加工によって半導体ウエハの周縁の中央部に形成
される平坦部の厚さの１／２とを加算した寸法分だけ前
記ウエハ保持台を下降させる。次いで、ウエハ保持台を
水平移動させて半導体ウエハの上縁部を溝付き砥石の上
傾斜面に当接し、上縁部を研磨する。
に形成された平坦面と上曲面との境界部の水平方向延長
線上に、ウエハ保持台の上面を同一面上に位置させる。
次に、予め測定された半導体ウエハの厚さの１／２と、
面取り加工によって半導体ウエハの周縁の中央部に形成
される平坦部の厚さの１／２とを加算した寸法分だけ前
記ウエハ保持台を下降させる。次いで、ウエハ保持台を
水平移動させて半導体ウエハの上縁部を溝付き砥石の上
傾斜面に当接し、上縁部を研磨する。
【０００９】半導体ウエハの上縁部の研磨が終了する
と、溝付き砥石の平坦面の幅から半導体ウエハの平坦部
の厚さを減算した寸法分だけウエハ保持台を下降し、半
導体ウエハの下縁部を溝付き砥石の下傾斜面で研磨す
る。本発明の第２発明によれば、面取り加工によりウエ
ハの周縁の中央部に形成される平坦部の幅寸法、溝付き
砥石の上曲面と下曲面の曲率半径値、及び上傾斜面と下
傾斜面の傾斜角度を入力して、ウエハの面取りを行う。
これにより、半導体ウエハの厚さに影響されることなく
半導体ウエハの面取り形状を同じにすることができる。
と、溝付き砥石の平坦面の幅から半導体ウエハの平坦部
の厚さを減算した寸法分だけウエハ保持台を下降し、半
導体ウエハの下縁部を溝付き砥石の下傾斜面で研磨す
る。本発明の第２発明によれば、面取り加工によりウエ
ハの周縁の中央部に形成される平坦部の幅寸法、溝付き
砥石の上曲面と下曲面の曲率半径値、及び上傾斜面と下
傾斜面の傾斜角度を入力して、ウエハの面取りを行う。
これにより、半導体ウエハの厚さに影響されることなく
半導体ウエハの面取り形状を同じにすることができる。
【００１０】また、前記平坦部の幅寸法の値をゼロ入力
して、ウエハの周縁面を曲面状に形成しても良い。
して、ウエハの周縁面を曲面状に形成しても良い。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明に係る半導体
ウエハの面取方法の好ましい実施例を詳説する。図１に
示す半導体ウエハ１０は、該半導体ウエハ１０の保持機
構であるウエハ吸着台１２の上面１２Ａに吸着保持され
ている。
ウエハの面取方法の好ましい実施例を詳説する。図１に
示す半導体ウエハ１０は、該半導体ウエハ１０の保持機
構であるウエハ吸着台１２の上面１２Ａに吸着保持され
ている。
【００１２】一方、砥石１４は、その周縁の中央部に平
坦面１６が形成されると共に、該平坦部１６の上端、及
び下端に上曲面１８Ａ、下曲面１８Ｂを介して上傾斜面
２０Ａ、下傾斜面２０Ｂが形成された溝付き砥石として
形成され、前記傾斜面２０Ａ、２０Ｂは研磨面として構
成されている。また、この砥石１４は、回転軸Ｐ−Ｐに
よって所定の回転数で回転される。前記回転軸Ｐ−Ｐは
図２に示すように、半導体ウエハ１０の保持中心軸Ｑ−
Ｑに対し、鉛直方向に於いて平行に配置されている。
坦面１６が形成されると共に、該平坦部１６の上端、及
び下端に上曲面１８Ａ、下曲面１８Ｂを介して上傾斜面
２０Ａ、下傾斜面２０Ｂが形成された溝付き砥石として
形成され、前記傾斜面２０Ａ、２０Ｂは研磨面として構
成されている。また、この砥石１４は、回転軸Ｐ−Ｐに
よって所定の回転数で回転される。前記回転軸Ｐ−Ｐは
図２に示すように、半導体ウエハ１０の保持中心軸Ｑ−
Ｑに対し、鉛直方向に於いて平行に配置されている。
【００１３】次に、前記砥石１４による半導体ウエハ１
０の面取方法について説明する。先ず図１に示すよう
に、砥石１４に形成された平坦面１６と上曲面１８Ａと
の境界部ｓの水平方向延長線上に、ウエハ吸着台１２の
上面１２Ａを同一面上に位置させる。次に、予め測定さ
れた半導体ウエハ１０の厚さｔの半分（ｔ／２）と、面
取りによって半導体ウエハ１０の周縁の中央部に形成さ
れる平坦部１０Ｃの厚さＸ３（図２参照）の半分（Ｘ３
／２）とを加算した寸法分だけ、前記ウエハ吸着台１２
を図１中二点鎖線で示すように下降させる。
０の面取方法について説明する。先ず図１に示すよう
に、砥石１４に形成された平坦面１６と上曲面１８Ａと
の境界部ｓの水平方向延長線上に、ウエハ吸着台１２の
上面１２Ａを同一面上に位置させる。次に、予め測定さ
れた半導体ウエハ１０の厚さｔの半分（ｔ／２）と、面
取りによって半導体ウエハ１０の周縁の中央部に形成さ
れる平坦部１０Ｃの厚さＸ３（図２参照）の半分（Ｘ３
／２）とを加算した寸法分だけ、前記ウエハ吸着台１２
を図１中二点鎖線で示すように下降させる。
【００１４】次いで、ウエハ吸着台１２を砥石１４に近
づく方向に水平移動させて半導体ウエハ１０の上縁部１
０Ａを砥石１４の上傾斜面２０Ａに当接し、上縁部１０
Ａを研磨する。上縁部１０Ａの研磨が終了すると、砥石
１４の平坦面１６の幅ｗから半導体ウエハ１０の平坦部
１０Ｃの厚さＸ３を減算した寸法分だけ、ウエハ吸着台
１２を下降し、半導体ウエハ１０の下縁部１０Ｂを図２
中二点鎖線で示すように下傾斜面２０Ｂで研磨する。
づく方向に水平移動させて半導体ウエハ１０の上縁部１
０Ａを砥石１４の上傾斜面２０Ａに当接し、上縁部１０
Ａを研磨する。上縁部１０Ａの研磨が終了すると、砥石
１４の平坦面１６の幅ｗから半導体ウエハ１０の平坦部
１０Ｃの厚さＸ３を減算した寸法分だけ、ウエハ吸着台
１２を下降し、半導体ウエハ１０の下縁部１０Ｂを図２
中二点鎖線で示すように下傾斜面２０Ｂで研磨する。
【００１５】これにより、本実施例では、従来の面取加
工方法よりも簡単な加工方法で、且つ、半導体ウエハ１
０の厚さｔに影響されることなく半導体ウエハの面取り
形状を確実に同じにすることができる。即ち、半導体ウ
エハ１０の平坦部１０Ｃの厚さＸ３を一定寸法で得るこ
とができる。尚、本実施例では、半導体ウエハ１０の上
縁部１０Ａを研磨したのち、下縁部１０Ｂを研磨するよ
うにしたが、他の面取り方法として、下縁部１０Ｂを研
磨したのち、上縁部１０Ａを研磨しても良い。この場
合、先ず、砥石１４に形成された平坦面１６と下曲面１
８Ｂとの境界部の水平方向延長線上に、ウエハ吸着台１
２の上面１２Ａを同一面上に位置させ、次に、予め測定
された半導体ウエハ１０の厚さｔの半分（ｔ／２）と、
半導体ウエハ１０の平坦部１０Ｃの厚さＸ３の半分（Ｘ
３／２）とを加算した寸法分だけ、ウエハ吸着台１２を
下降させる。次いで、ウエハ吸着台１２を水平移動させ
て半導体ウエハ１０の下縁部１０Ｂを砥石１４の下傾斜
面２０Ｂに当接し、下縁部１０Ｂを研磨する。下縁部１
０Ｂの研磨が終了すると、砥石１２の平坦面１６の幅ｗ
から半導体ウエハの平坦部１０Ｃの厚さＸ３を減算した
寸法に、前記（ｔ／２）と（Ｘ３／２）とを加算した寸
法分だけウエハ吸着台１２を上昇し、半導体ウエハ１０
の上縁部１０Ａを上傾斜面２０Ａで研磨すれば良い。
工方法よりも簡単な加工方法で、且つ、半導体ウエハ１
０の厚さｔに影響されることなく半導体ウエハの面取り
形状を確実に同じにすることができる。即ち、半導体ウ
エハ１０の平坦部１０Ｃの厚さＸ３を一定寸法で得るこ
とができる。尚、本実施例では、半導体ウエハ１０の上
縁部１０Ａを研磨したのち、下縁部１０Ｂを研磨するよ
うにしたが、他の面取り方法として、下縁部１０Ｂを研
磨したのち、上縁部１０Ａを研磨しても良い。この場
合、先ず、砥石１４に形成された平坦面１６と下曲面１
８Ｂとの境界部の水平方向延長線上に、ウエハ吸着台１
２の上面１２Ａを同一面上に位置させ、次に、予め測定
された半導体ウエハ１０の厚さｔの半分（ｔ／２）と、
半導体ウエハ１０の平坦部１０Ｃの厚さＸ３の半分（Ｘ
３／２）とを加算した寸法分だけ、ウエハ吸着台１２を
下降させる。次いで、ウエハ吸着台１２を水平移動させ
て半導体ウエハ１０の下縁部１０Ｂを砥石１４の下傾斜
面２０Ｂに当接し、下縁部１０Ｂを研磨する。下縁部１
０Ｂの研磨が終了すると、砥石１２の平坦面１６の幅ｗ
から半導体ウエハの平坦部１０Ｃの厚さＸ３を減算した
寸法に、前記（ｔ／２）と（Ｘ３／２）とを加算した寸
法分だけウエハ吸着台１２を上昇し、半導体ウエハ１０
の上縁部１０Ａを上傾斜面２０Ａで研磨すれば良い。
【００１６】また、本実施例では、半導体ウエハ１０を
停止した状態で面取りするとしたが、回転させて面取り
するようにしても良い。更に、本実施例では、半導体ウ
エハ１０を砥石１４に押し当てるとしたが、砥石１４を
半導体ウエハ１０に押し当てるようにしても良い。一
方、本発明の他の実施例として、面取り加工により半導
体ウエハ１０の周縁の中央部に形成される平坦部１６の
幅寸法ｗ、溝付き砥石１４の上曲面１８Ａと下曲面１８
Ｂの曲率半径値、及び上傾斜面２０Ａと下傾斜面２０Ｂ
の傾斜角度を入力して、ウエハの面取りを行うようにし
たので、半導体ウエハ１０の厚さに影響されることなく
半導体ウエハ１０の面取り形状を同じにすることができ
る。
停止した状態で面取りするとしたが、回転させて面取り
するようにしても良い。更に、本実施例では、半導体ウ
エハ１０を砥石１４に押し当てるとしたが、砥石１４を
半導体ウエハ１０に押し当てるようにしても良い。一
方、本発明の他の実施例として、面取り加工により半導
体ウエハ１０の周縁の中央部に形成される平坦部１６の
幅寸法ｗ、溝付き砥石１４の上曲面１８Ａと下曲面１８
Ｂの曲率半径値、及び上傾斜面２０Ａと下傾斜面２０Ｂ
の傾斜角度を入力して、ウエハの面取りを行うようにし
たので、半導体ウエハ１０の厚さに影響されることなく
半導体ウエハ１０の面取り形状を同じにすることができ
る。
【００１７】また、前記平坦部１６の幅寸法ｗの値をゼ
ロ入力して、本来平坦部が形成されるウエハの周縁面１
０Ｃを図３に示すように曲面状に形成しても良い。
ロ入力して、本来平坦部が形成されるウエハの周縁面１
０Ｃを図３に示すように曲面状に形成しても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の第１発明に
係る半導体ウエハの面取方法によれば、半導体ウエハの
厚さに影響されることなく半導体ウエハの面取り形状を
同じにすることができる。本発明の第２発明に係る半導
体ウエハの面取方法によれば、面取り加工によりウエハ
の周縁の中央部に形成される平坦部の幅寸法、溝付き砥
石の上曲面と下曲面の曲率半径値、及び上傾斜面と下傾
斜面の傾斜角度を入力して、ウエハの面取りを行うよう
にしたので、半導体ウエハの厚さに影響されることなく
半導体ウエハの面取り形状を同じにすることができる。
係る半導体ウエハの面取方法によれば、半導体ウエハの
厚さに影響されることなく半導体ウエハの面取り形状を
同じにすることができる。本発明の第２発明に係る半導
体ウエハの面取方法によれば、面取り加工によりウエハ
の周縁の中央部に形成される平坦部の幅寸法、溝付き砥
石の上曲面と下曲面の曲率半径値、及び上傾斜面と下傾
斜面の傾斜角度を入力して、ウエハの面取りを行うよう
にしたので、半導体ウエハの厚さに影響されることなく
半導体ウエハの面取り形状を同じにすることができる。
【００１９】また、前記平坦部の幅寸法の値をゼロ入力
して、ウエハの周縁面を曲面状に形成しても良い。
して、ウエハの周縁面を曲面状に形成しても良い。
【図１】本発明に係る面取方法のウエハ保持台の初期設
定位置を示す側面図
定位置を示す側面図
【図２】本発明に係る面取方法の面取状況を示す要部拡
大図
大図
【図３】本発明に係る面取方法の他の実施例で面取りさ
れたウエハ面取形状の要部拡大図
れたウエハ面取形状の要部拡大図
【図４】従来の面取方法の面取状況を示す側面図
【図５】半導体ウエハの基本となる面取形状を示す要部
側面図
側面図
【図６】面取り部分の中央部に尖鋭部が形成された半導
体ウエハの要部側面図
体ウエハの要部側面図
１０…半導体ウエハ １２…ウエハ吸着台 １４…砥石 １６…平坦面 ２０Ａ、２０Ｂ…傾斜面
Claims (3)
- 【請求項１】 周縁の中央部に平坦面が形成されると共
に、該平坦面の上端、及び下端に上曲面、下曲面を介し
て上傾斜面、下傾斜面が形成された溝付き砥石を回転さ
せ、該溝付き砥石にウエハ保持台に保持された半導体ウ
エハの周縁を当接して面取り加工する半導体ウエハの面
取方法に於いて、 前記溝付き砥石に形成された前記平坦面と上曲面との境
界部の水平方向延長線上に、前記ウエハ保持台の上面が
同一面上に位置するようにウエハ保持台を移動し、 予め測定された半導体ウエハの厚さの１／２と、面取り
加工によって半導体ウエハの周縁の中央部に形成される
平坦部の厚さの１／２とを加算した寸法分だけ前記ウエ
ハ保持台を下降し、 前記ウエハ保持台を水平移動させて半導体ウエハの上縁
部を溝付き砥石の上傾斜面に当接させて上縁部を研磨
し、 前記溝付き砥石の平坦面の幅から前記半導体ウエハの平
坦部の厚さを減算した寸法分だけ前記ウエハ保持台を下
降させて半導体ウエハの下縁部を溝付き砥石の下傾斜面
で研磨することを特徴とする半導体ウエハの面取方法。 - 【請求項２】 周縁の中央部に平坦面が形成されると共
に、該平坦面の上端、及び下端に上曲面、下曲面を介し
て上傾斜面、下傾斜面が形成された溝付き砥石を回転さ
せ、該溝付き砥石にウエハ保持台に保持された半導体ウ
エハの周縁を当接して面取り加工する半導体ウエハの面
取方法に於いて、 面取り加工により前記ウエハの周縁の中央部に形成され
る平坦部の幅寸法、溝付き砥石の前記上曲面と下曲面の
曲率半径値、及び前記上傾斜面と下傾斜面の傾斜角度を
入力して、ウエハの面取りを行うことを特徴とする半導
体ウエハの面取方法。 - 【請求項３】 前記ウエハの周縁の中央部に形成される
平坦部の幅寸法の値をゼロ入力して、ウエハの周縁面を
曲面状に形成することを特徴とする請求項２記載の半導
体ウエハの面取方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20079493A JPH0758065A (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 半導体ウエハの面取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20079493A JPH0758065A (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 半導体ウエハの面取方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758065A true JPH0758065A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16430304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20079493A Pending JPH0758065A (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 半導体ウエハの面取方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758065A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| KR101277460B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2013-07-05 | (주) 태양기전 | 챔퍼 툴 |
-
1993
- 1993-08-12 JP JP20079493A patent/JPH0758065A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| KR101277460B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2013-07-05 | (주) 태양기전 | 챔퍼 툴 |
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