JPH0758092A - 減圧処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理後の被処理体に発生する結露を防止する
ことのできる構造を備えた減圧処理装置を提供するこ
と。 【構成】 減圧雰囲気下において低温状態を維持されて
エッチング処理された被処理体１２が大気圧雰囲気下に
復帰する前に、被処理体１２の温度が常温に至るまでの
間、ヒータ９０によって加熱される。従って、エッチン
グを終了した被処理体１２の表面に滞留しているガス中
の水分が蒸発させられることで、大気圧雰囲気下で上記
ガス中の水分が液化した場合の被処理体の表面状態が変
化するのを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、減圧処理装置に関し、
特に、被処理体の結露防止機構に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、半
導体ウエハ等の被処理体表面に薄膜を形成したり、その
薄膜を除去したりすることが行われている。このような
工程には、減圧ＣＶＤ装置やスパッタリング装置あるい
はエッチング装置などの処理装置が用いられる。

【０００３】例えば、エッチング処理に際しては、被処
理体が活性種等の衝突エネルギーなどによって温度上昇
することがある。このため従来では、被処理体用載置台
を冷却し、一定の低温下でエッチングを行なうようにし
ていた。

【０００４】さらに、上記したエッチング処理では、集
積回路の微細化、高集積化が推進されるなかで下地材料
との間における高選択比および高い異方性の確保が一層
強く望まれてきている。

【０００５】このような状況下において、最近では、ウ
ェハを例えば液体チッ素を用いて−１５０℃程度の超低
温に冷却しておき、この状態で減圧状態を設定したうえ
でエッチング処理を施す、所謂、低温エッチング処理法
が開発されている。

【０００６】この低温エッチング処理によれば、例えば
ポリシリコンやシリコン酸化膜のエッチングを行なう場
合には、下地との間の選択性を従来方法と比較して大幅
に大きくすることができ、しかも異方性も十分に確保で
きることから、例えばコンタクトホールを形成する場合
にはホール側壁の角度はなまりがない９０°に近いシャ
ープなホールを形成することができる。

【０００７】このため、上記したエッチング処理を行な
う装置としては、ウエハを保持する載置台、所謂、サセ
プタの下方に、例えば冷媒として液体チッ素を流す冷却
手段を設けておき、そして、この冷却手段とサセプタと
の間に温度調整用ヒータを設け、このヒータの発熱量を
変化させることにより、冷却手段からウエハに供給され
る冷却熱を制御してウエハ温度を制御するようになって
いる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、低温雰囲気
下にある被処理体は、処理終了後、大気中に搬出される
ことで常温に復帰することになるが、常温に復帰する段
階で被処理体表面に滞留しているガス中の水分が結露す
る場合がある。つまり、処理後の被処理体は、プロセス
チャンバーからロードロックチャンバーに移送され、こ
の位置で大気圧雰囲気下に切り換えられる。従って、低
温雰囲気下において被処理体表面に滞留していたガス中
の水分が大気圧雰囲気下では液化しやすくなり、これに
よって結露が生じやすくなる。特に、プロセスガスとし
て塩素ガス等のように、腐食性ガスを用いた場合、被処
理体表面に滞留していた塩素ガス中の水分が液化する
と、被処理体の表面に結露することで被処理体の表面を
腐食させてしまう虞れがある。

【０００９】そこで本発明の目的は、上記した従来の減
圧処理装置における問題、特に、処理後の被処理体に発
生する結露を防止することのできる構造を備えた減圧処
理装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、被処理体をプロセスチャン
バー内の載置台上で冷却しながら減圧処理し、処理後、
ロードロックチャンバーに搬出する構造を備えた減圧処
理装置において、上記プロセスチャンバーあるいはロー
ドロックチャンバーのいずれか若しくは両方にて処理済
の上記被処理体を加熱する手段、を備え、上記被処理体
を減圧雰囲気下から大気圧に戻す前に該被処理体の温度
を検知しながら常温付近まで加熱することを特徴として
いる。

【００１１】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、上記被処理体の加熱手段は、上記プロセスチャンバ
ーとロードロックチャンバーとの間で被処理体を搬送す
る搬送手段に設けられていることを特徴としている。

【００１２】請求項３記載の発明は、請求項１におい
て、上記加熱手段は、処理済の被処理体を上記プロセス
チャンバー内にて加熱するものであって、上記被処理体
を上記載置台より突き上部材によって突き上げた状態で
加熱することを特徴としている。

【００１３】請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の
いずれかにおいて、処理済の被処理体の温度を検知する
手段が設けられ、この温度検知手段は上記ロードロック
チャンバーに装備されている搬送手段に設けられている
接触式温度センサで構成されていることを特徴としてい
る。

【００１４】請求項５記載の発明は、請求項３におい
て、処理済の被処理体の温度を検知する手段が設けられ
ており、この温度検知手段は、突き上げ部材に設けられ
ていることを特徴としている。

【００１５】請求項６記載の発明は、被処理体をプロセ
スチャンバー内の載置台上で冷却しながら減圧処理し、
処理後、ロードロックチャンバーに搬出する構造を備え
た減圧処理装置において、上記ロードロックチャンバ内
にパージガスを供給する手段と、上記パージガスを加熱
する手段と、を備え、上記処理済の被処理体が上記ロー
ドロックチャンバーに搬出された時、被処理体の表面温
度が常温付近に達するまでの間、上記パージガスを加熱
した状態で供給することを特徴としている。

【００１６】

【作用】本発明では、処理後、大気圧雰囲気下に切り換
えられる被処理体はその表面に滞留していたガス中の水
分を除去される。つまり、被処理体は、真空雰囲気下か
ら大気圧雰囲気下に切り換えられる前に加熱される。従
って、大気圧雰囲気下に戻された場合には、被処理体表
面に結露を生じる水分が存在していないので、液化が原
因となる場合がある被処理体の表面特性の変化を防止す
ることができる。

【００１７】また本発明では、大気圧雰囲気下に切り換
えられる前の段階に相当するプロセスチャンバー内ある
いはロードロックチャンバー内で被処理体の表面に滞留
していたガス中の水分が除去される。被処理体の搬送手
段によって被処理体を加熱すれば、各チャンバー間での
搬送期間に水分を蒸発させることができ、これによっ
て、特に、プロセスチャンバー内で滞留ガス中の水分を
蒸発させる場合に比べてスループットを向上させること
ができる。

【００１８】さらに本発明によれば、ロードロックチャ
ンバー内を大気圧雰囲気下に設定するために用いられる
パージガスを加熱することで、被処理体表面に滞留して
いるガス中の水分を除去することができる。このため、
大気圧雰囲気下への切り換え動作と水分除去とを合せて
行なうことができるので、結露防止とあわせてスループ
ットを向上させることができる。

【００１９】

【実施例】以下、図に示す実施例によって本発明の詳細
を説明する。

【００２０】図１は、本発明による減圧処理装置のひと
つであるエッチング装置を示しており、このエッチング
装置は、エッチング処理を行なうためのプロセスチャン
バー１０と、このプロセスチャンバー１０への半導体ウ
ェハ等の被処理体搬入系をなす搬入側ロードロックチャ
ンバー３０およびセンダー４０と、被処理体搬出系をな
す搬出側ロードロックチャンバー５０およびレシーバ６
０とから構成されている。

【００２１】プロセスチャンバー１０は、半導体ウェハ
等の被処理体（以下、半導体ウェハという）１２をエッ
チング処理するものである。このプロセスチャンバー１
０は、処理ガスと反応しない材質からなる箱型に形成さ
れ、このチャンバー１０の内部下方には図示しない昇降
機構に結合された電極例えば下部電極１４が昇降自在に
設けられている。半導体ウェハ１２を載置固定可能な導
電板で構成された下部電極１４は処理ガスと反応しない
ようするための表面処理を施され、半導体ウェハ１２の
形状に合致する例えば円形に形成されている。また、プ
ロセスチャンバー１０の内部上方には、下部電極１４と
対向して平行平板電極をなす上部電極体１６が設けられ
ている。この上部電極体１６の下面には、例えばアモル
ファスカーボン製の上部電極１８が電気的に接続されて
いる。そして、上部電極体１６にはエッチングガス導入
管２０が接続され、図示しないバッフル板により拡散さ
れた後に上部電極１８を通過して半導体ウェハ１２上に
均一に上記ガスが供給されるようになっている。

【００２２】また、上部電極体１６および下部電極１４
の間には、高周波電力を供給するための高周波電源２２
が接続され、両電極１４、１８間にエッチングガスによ
るプラズマを生成するようになっている。このプロセス
チャンバー１０でのエッチング・ガスの排気は、そのガ
ス排気口２４を介して行われる。

【００２３】上記高周波電力を供給する方式として、例
えば、１３．５６ＭＨｚの高周波と３８０ＫＨｚの低周
波を同じ電極に印加する方式がある。この場合、図２に
示すように、各周波数のＲｆ電源２２Ａ、２２Ｂを設け
てマッチングした後に合成して上部電極１６に印加する
のが一般的であるが、本実施例では、図３に示すよう
に、各電源２２Ａ、２２Ｂに用いられている増幅器２２
Ｃを共通化した構成とされている。これによって、高価
な増幅器の使用個数を少なくすることができる。しか
も、増幅前に合成することで、増幅後の合成に比べ変調
等の処理が容易に行なえる。この場合の変調として、パ
ルス変調を行なう場合には、オンーオフの切り換えによ
ってプラズマによる成膜処理とプラズマが発生しないで
プロセスガスのみによる成膜処理とを行なうことができ
る。さらに、増幅前に合成することで、プラズマの生成
および停止の切り換えを容易に行なうことができる。つ
まり、増幅後ではプラズマの生成および停止を切り換え
るために用いられるスイッチにおいて、断接可能な電流
あるいは電圧に対する耐久性の大きなものが必要になる
のを回避することができる。また、増幅前にプラズマ生
成のための電力や位相あるいは周波数に関するフィード
バック制御のためのモニタリングが比較的簡単に行なえ
る。これは、増幅後の上記パラメータを対象とした場合
に比べ、増幅前のゲインが比較的低いことを利用できる
ためである。

【００２４】一方、このプロセスチャンバー１０への半
導体ウェハ１２の搬入系は次の構成とされている。

【００２５】すなわち、プロセスチャンバー１０の側
部、例えば左側には、第１のゲートバルブ１０ａが設け
られ、このゲートバルブ１０ａを介して連結される搬入
側ロードロックチャンバー（以下、搬入側Ｌ／Ｌチャン
バーという）３０が設けられている。この搬入側Ｌ／Ｌ
チャンバー３０には、センダー４０よりプロセスチャン
バー１０に半導体ウェハ１２を搬入するための搬送アー
ム３２が内蔵されている。ここで、この搬送アーム３２
としては、基台３２ａに対して一端が回転自在に支持さ
れた第１のアーム３２ｂと、この第１のアーム３２ｂの
他端側にて回転自在に一端が支持された第２のアーム３
２ｃと、この第２のアーム３２ｃの他端側に固定された
フォーク３２ｄとから構成されたものを使用している
が、フログレッグ方式等、他の種々の搬送手段を採用す
ることも可能である。

【００２６】さらに、上記搬入側Ｌ／Ｌチャンバー３０
の左側面には、第２のゲートバルブ３４が設けられ、こ
のゲートバルブ３４を介してセンダー４０が連結されて
いる。このセンダー４０は、半導体ウェハ１２を複数枚
平行に配列して収納するカセット４２が昇降自在に配設
されている。

【００２７】上記搬入側Ｌ／Ｌチャンバー３０は、内部
を真空引きすることが可能であり、このため、本実施例
では真空排気系７０が設けられている。すなわち、真空
排気管７２の一端が上記チャンバー３０に接続され、そ
の途中にはバルブ７４ａが設けられ、その他端側は排気
管７８と接続されている。この排気管７８の途中には、
メカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ）８０およびロー
タリーポンプ（ＲＰ）８２が接続されている。なお、こ
のＬ／Ｌチャンバー３０には、図示しないが、センダ４
０との間での半導体ウェハ１２の受渡しの際に内部雰囲
気を大気圧に切り換えるためのパージガスの供給機構が
設けられている。

【００２８】また、プロセスチャンバー１０からの半導
体ウエハ１２の搬出系は次のような構成とされている。

【００２９】すなわち、プロセスチャンバー１０の右側
には第３のゲートバルブ１０ｂが設けられ、このゲート
バルブ１０ｂを介して搬出側のロードロックチャンバー
（以下、搬出側Ｌ／Ｌチャンバーという）５０が接続さ
れている。このＬ／Ｌチャンバー５０内には、搬送アー
ム５２が配置され、さらに、Ｌ／Ｌチャンバー５０の右
側には第４のゲートバルブ５４を介してレシーバ６０が
連結されている。レシーバ６０内には、処理を終了した
半導体ウェハ１２を配列支持するカセット６２が配置さ
れている。なお、この搬出系の構造も、前述した搬入系
の構造と同様であり、Ｌ／Ｌチャンバー５０の真空排気
系７０が用いられる。また、このＬ／Ｌチャンバー５０
においても、搬入系のＬ／Ｌチャンバー３０と同様に、
図示しないが、レシーバ６０との間での半導体ウェハ１
２の受渡しの際に内部気圧を大気圧に切り換えるための
パージガスの供給機構が設けられている。

【００３０】一方、搬出側Ｌ／Ｌチャンバー５０には、
処理済の半導体ウェハ１２の表面に滞留しているガス中
の水分を除去するための構造が設けられている。

【００３１】すなわち、搬出側Ｌ／Ｌチャンバー５０の
一部、特に、半導体ウェハ１２の表面と対面できる位置
に相当する天井部には開口部５６が形成されており、こ
の開口部５６には、石英等の透明体５８が嵌込まれて窓
を構成している。そして、この窓の外側には、加熱手
段、例えばヒータ９０が配置され、搬出側Ｌ／Ｌチャン
バー５０内を加熱するようになっている。また、搬送ア
ーム５２における半導体ウェハ１２の載置面には、図示
しないが温度センサが設けられており、処理済の半導体
ウェハ１２の表面温度を検知できるようになっている。
この場合の温度センサとしては、直接半導体ウェハ１２
の表面に接触する熱電対が用いられる。そして、この温
度センサは、半導体ウェハ１２の表面温度が常温に達す
るまでの間、ヒータ９０に通電するための信号を出力す
るオンーオフ機能を備えている。なお、この温度センサ
は、プロセスチャンバー１０内に配置されている半導体
ウェハ昇降機構であるプッシャーピンに設けてもよい。

【００３２】本実施例は以上のような構成であるから、
プラズマ処理を終了した半導体ウェハ１２は、プロセス
チャンバー１０から搬出側Ｌ／Ｌチャンバー５０に向け
搬出される。つまり、搬出側Ｌ／Ｌチャンバー５０の内
部は、プロセスチャンバー１０の内部と同じ真空状態に
真空引きされたうえで、第３のゲートバルブ１０ｂが開
かれる。そして、搬送アーム５２がプロセスチャンバー
１０内に入り込み、下部電極１４に載置されていた半導
体ウェハ１２を搬出する。このとき、下部電極１４で
は、半導体ウェハ１２を突き上げて搬送アーム５２の載
置面を半導体ウェハ１２の下面に差し入れるようにする
ための昇降機構をなすプッシャーピン１４Ａが設けられ
ている。

【００３３】プロセスチャンバー１０から搬出された半
導体ウェハ１２は、搬出側Ｌ／Ｌチャンバー５０内に取
込まれる。このとき、第３のゲートバルブ１０ｂが閉じ
られ、プロセスチャンバー１０内の気密が保持される。

【００３４】一方、搬送側Ｌ／Ｌチャンバー５０内に位
置する半導体ウェハ１２は、搬送アーム５２の載置面に
設けられている温度センサによって、表面温度が検知さ
れる。半導体ウェハ１２の表面温度が常温でないときに
は、常温に達するまでの間、ヒータ９０に通電されて半
導体ウェハ１２が加熱される。従って、半導体ウェハ１
２の表面に残存しているプロセスガス中の水分が蒸発さ
せられることで液化することを防がれる。そして、この
ような加熱処理が実行された半導体ウェハ１２は、搬出
側Ｌ／Ｌチャンバー５０内が大気圧に切り換えられる
と、第４のゲートバルブ５４が開かれてレシーバ６０に
向け搬出される。

【００３５】本実施例によれば、ロードロックチャンバ
５０に半導体ウェハ１２を搬出してから加熱を行なうよ
うになっているので、プロセスチャンバー１０では、処
理後の半導体ウェハ１２に対する加熱時間に関係なく次
の半導体ウェハ１２に対する処理が実行できるので、プ
ロセスチャンバー内での処理が滞るような事態が防がれ
る。

【００３６】ところで、上記加熱手段であるヒータ９０
は、ロードロックチャンバー５０に設置することに限ら
れるものではない。つまり、図４に示すように、プロセ
スチャンバー１０に設けてもよく、さらには、図５に示
すように、プロセスチャンバー１０および搬出側Ｌ／Ｌ
チャンバー５０の両方に設けるようにしてもよい。プロ
セスチャンバー１０に設ける場合には、上部電極１６の
側方で反射笠９２を設置して半導体ウェハ１２への輻射
を行なえるようにすることが好ましい。

【００３７】さらに、半導体ウェハ１２の加熱方法とし
ては、上記したように各チャンバー内にヒータ９０を設
けるだけでなく、半導体ウェハ１２の移送手段に設ける
ことも可能である。すなわち、半導体ウェハ１２の移送
手段としては、搬出側Ｌ／Ｌチャンバー５０に配置され
ている搬送アーム５２がある。そこで、搬送アーム５２
の半導体ウェハ載置面にヒータを設置するようにしても
よい。なお、この場合には、温度センサとの熱的な遮断
構造を設けることは勿論である。このような構成とする
ことで、移送時間内での加熱が行なえることになるの
で、水分除去に要する時間を搬出時間内に含めることが
できる。このため、水分除去のためのスループットが向
上することになる。

【００３８】次に本発明による減圧処理装置の別実施例
を説明する。

【００３９】図６は、半導体ウェハ１２の加熱機構とし
て、搬出側Ｌ／Ｌチャンバー５０に連結されたパージガ
スの供給構造を利用した例である。つまり、搬出系のＬ
／Ｌチャンバー５０に連結されているパージガスの供給
パイプ１００の途中には、この供給パイプ１００を通過
するパージガスを加熱するためのヒータ９０が設けられ
ている。この場合のヒータ９０は、通電制御を、プロセ
スチャンバー１０内に装備されているプッシャーピン１
４Ａに設けられた温度センサを用いるようになってい
る。これは、搬送アーム５２によって搬送側Ｌ／Ｌチャ
ンバー５０に移送された半導体ウェハ１２を加熱するに
必要なヒータ９０側での熱量、換言すれば加熱温度を設
定するためである。

【００４０】ところで、本実施例では、搬入側Ｌ／Ｌチ
ャンバー３０において、大気圧雰囲気下から搬入された
半導体ウェハ１２の加熱とプロセスチャンバー１０にお
いて処理される際の温度設定とを行なえるようになって
いる。つまり、図７において、搬入側Ｌ／Ｌチャンバー
３０には、加熱ステーション１１０と冷却ステーション
１１２とが設けられており、加熱ステーション１１０で
は、半導体ウェハ１２に吸着されている水蒸気を蒸発さ
せるための加熱が行なわれる。このため、加熱ステーシ
ョン１１０は、図８に示すように、密閉空間を構成する
ことができる加熱ポット１１０Ａを備え、搬送アーム３
２によって搬入された半導体ウェハ１２を加熱ポット１
１０Ａ内に移送することができるようになっている。移
送された半導体ウェハ１２は、加熱ポット１１０Ａに装
備された蓋状の載置台に載置され、加熱ポット１１０Ａ
内に搬入されて加熱される。そして、加熱ポット１１０
Ａは、搬入側Ｌ／Ｌチャンバー３０と同様に排気管１１
０Ｂを介して内部を真空引きできるようになっており、
蒸発した水分が搬入側Ｌ／Ｌチャンバー３０内に拡散し
ないようにされている。なお、上記蓋状の載置台は、例
えばシリンダによって昇降可能に設けられており、この
場合の昇降機構は、発塵を防ぐ意味でＬ／Ｌチャンバー
３０の外側に配置されていて、駆動源とＬ／Ｌチャンバ
ー３０の底面との間に配置された蛇腹状の気密部材によ
り外気と遮断されている。

【００４１】一方、加熱ポット１１０Ａの近傍には、加
熱ポット１１０Ａとの間で断熱されている冷却ステーシ
ョン１１２が設けられており、この冷却ステーション１
１２は、例えば、載置された半導体ウェハ１２を接触し
ながら冷却することができる冷却機構を設けたサセプタ
が設けられている。

【００４２】このような構成において、センダ４０から
搬入側Ｌ／Ｌチャンバー３０に搬入された半導体ウェハ
１２は、加熱ポット１１０Ａ内に移送されて加熱され
る。これにより、大気中で半導体ウェハ１２の表面に滞
留していたガス中の水分が蒸発させられる。そして、加
熱終了後、半導体ウェハ１２は、加熱ポット１１０Ａか
ら取り出されて冷却ステーション１１２に移送される。
冷却ステーション１１２では、プロセスチャンバー１０
内で冷却される温度またはこれに近い温度に冷却され
る。このような構成において、加熱ステーション１１０
および冷却ステーション１１２をバッファとして構成す
れば、プロセスチャンバ−１０に搬入される半導体ウェ
ハ１２の前準備処理が行なえることになり、プロセスチ
ャンバー１０での処理前の立上げ時間を少なくすること
ができる。しかも、前準備処理される半導体ウェハ１２
は、加熱ポット１１０Ａにより表面に滞留しているガス
中の水分をなくされているので、冷却時での結露を防が
れる。

【００４３】なお、このようなバッファを用いた構造と
しては、図９に示すように、搬送用のＬ／Ｌチャンバー
１２０を中央に設置し、このＬ／Ｌチャンバー１２０を
はさんで両側にプロセスチャンバー１０を設置した構造
としてもよく、この場合においても、Ｌ／Ｌチャンバー
１２０内に符号１１０Ａ、１１２で示すように、加熱お
よび冷却できるバッファーを設けるすることも可能であ
る。

【００４４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。本発明が適用される真空処理装置として
は、上記実施例のようなエッチング装置に限らず、アッ
シャー装置、ＣＶＤ等の成膜装置であっても良く、被処
理体としては半導体ウェハに限らず、ＬＣＤ基板等の他
減圧雰囲気下での処理を要するものであればよい。

【００４５】また、加熱手段にヒータを用いたが、これ
に限定されず、ランプを用いてもよいことは勿論であ
る。

【００４６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、減圧雰囲
気下において低温状態でエッチング処理された被処理体
は、大気圧雰囲気に復帰する前に表面に滞留しているガ
ス中の水分を除去される。このため、大気圧雰囲気下に
復帰した場合の結露が防止される。従って、ガスが腐食
性のものである場合などのように、液化して結露が生じ
た場合に被処理体の表面状態を変化させるような事態を
未然に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による減圧処理装置の一例であるエッチ
ング装置の要部構造を示す模式図である。

【図２】図１に示したエッチング装置における電力供給
構造の一般的な構造を示すブロク図である。

【図３】図１に示したエッチング装置に用いられる電力
供給構造の一例を示すブロック図である。

【図４】図１に示した要部の変形例を示す模式図であ
る。

【図５】図１に示した要部のさらに変形例を示す模式図
である。

【図６】図１に示した要部の他の変形例を示す模式図で
ある。

【図７】図１に示した要部における被処理体の搬入側の
構造を説明するための平面視的な模式図である。

【図８】図７に示した搬入側の内部構造を説明するため
の模式的な斜視図である。

【図９】図７に示した搬入側の他の例を示す平面視的な
模式図である。

【符号の説明】

１０ プロセスチャンバー １２ 被処理体である半導体ウェハ ３０ 搬入側ロードロックチャンバー ５０ 搬出側ロードロックチャンバー ９０ ヒータ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体をプロセスチャンバー内の載置
   台上で冷却しながら減圧処理し、処理後、ロードロック
   チャンバーに搬出する構造を備えた減圧処理装置におい
   て、 上記プロセスチャンバーあるいはロードロックチャンバ
   ーのいずれか若しくは両方にて処理済の上記被処理体を
   加熱する手段と、 を備え、上記被処理体を減圧雰囲気下から大気圧に戻す
   前に該被処理体の温度を検知しながら常温付近まで加熱
   することを特徴とする減圧処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、 上記被処理体の加熱手段は、上記プロセスチャンバーと
   ロードロックチャンバーとの間で被処理体を搬送する搬
   送手段に設けられていることを特徴とする減圧処理装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１において、 上記加熱手段は、処理済の被処理体を上記プロセスチャ
   ンバー内にて加熱するものであって、上記被処理体を上
   記載置台より突き上部材によって突き上げた状態で加熱
   することを特徴とする減圧処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかにおいて、 処理済の被処理体の温度を検知する手段が設けられ、こ
   の温度検知手段は上記ロードロックチャンバーに装備さ
   れている搬送手段に設けられている接触式温度センサで
   構成されていることを特徴とする減圧処理装置。
5. 【請求項５】 請求項３において、 処理済の被処理体の温度を検知する手段が設けられてお
   り、この温度検知手段は、突き上げ部材に設けられてい
   ることを特徴とする減圧処理装置。
6. 【請求項６】 被処理体をプロセスチャンバー内の載置
   台上で冷却しながら減圧処理し、処理後、ロードロック
   チャンバーに搬出する構造を備えた減圧処理装置におい
   て、 上記ロードロックチャンバ内にパージガスを供給する手
   段と、 上記パージガスを加熱する手段と、 を備え、上記処理済の被処理体が上記ロードロックチャ
   ンバーに搬出された時、被処理体の表面温度が常温付近
   に達するまでの間、上記パージガスを加熱した状態で供
   給することを特徴とする減圧処理装置。