JPH0758371B2 - 液晶素子の駆動方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶素子の駆動方法、特に強誘電性液晶を用
いた電気光学素子のマルチプレツクス駆動方法。

〔従来の技術〕

特開昭56−107216号公報に記載されているように、カイ
ラルスメクチツクＣ相もしくはカイラルスメクチツクＨ
相を示す強誘電性液晶を用いた電気光学素子は、印加電
圧に対して非常に高速で応答し、かつメモリ性があると
いう特徴を有することが知られており、画素数が多くな
る大型大容量デイスプレイ，高速電子シヤツタ，偏光器
などへの応用が期待されている。

従来、このような強誘電性液晶素子の駆動方法として
は、特開昭58−179890号公報に記載されているような、
液晶素子の光透過状態を定めるパルス電圧を所定周期で
印加し、かつこの所定周期内に印加される電圧の平均値
を零にして強誘電性液晶の劣化を防止する駆動方法が知
られている。しかし前記特開昭58−179890号公報に開示
されている具体的な駆動方法は、スタテイツク駆動方法
であり、大容量素子の駆動に最適なマルチプレツクス駆
動方法は何ら開示されていない。また、強誘電性液晶素
子は、印加される電圧パルスのパルス幅によつて、しき
い値電圧が変化するという、いわゆるパルス幅依存性を
有することが知られているが、前記特開昭58−179890号
公報に記載された駆動方法は、このパルス幅依存性につ
いて何の考慮もしておらず、実際の駆動は困難である。

そこで我々は、特願昭和59−119680号（特開昭60−2631
24号公報参照）および特願昭60−177818号（特開昭61−
55630号公報参照）において、前述のパルス幅依存性を
考慮したが、実用的なマルチプレツクス駆動方法を提案
した。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしこの駆動方法では、強誘電性液晶に印加される電
圧の平均値について格別の考慮がはらわれていないた
め、印加される電圧の平均値が正もしくは負のどちらか
に偏る可能性があり、強誘電性液晶の劣化を促進して液
晶素子の寿命を短くするという欠点を有している。

ところで、英国特許出願公開第2146473の第２図、第３
図に、液晶に印加される電圧の平均値が正もしくは負の
どちらかに偏らない駆動波形が開示されているが、その
ためにデータ信号のパルス幅を走査信号のパルス幅の２
倍以上に設定しているため、その代償として液晶の光透
過特性がかえって悪化してしまうと言う致命的欠点を内
在していた。

本発明は、前述のような問題点を解決するもので、その
目的とするところは、強誘電性液晶等のメモリ性を有す
る液晶の劣化を防止するために、選択期間に液晶に印加
される電圧パルスに大幅な制約を与えることなく、液晶
に印加される電圧の平均値をある期間毎に零にて、液晶
の劣化を防止することができる液晶素子の駆動方法を提
供することにある。

本発明の他の目的は、液晶の劣化を防止しながら、コン
トラスト比も改善できる液晶素子の駆動方法を提供する
ことにある。

［問題点を解決するための手段及びその作用］ 本発明は、走査電極群を有する基板と信号電極群を有す
る基板との間にメモリー性を有する液晶を挟持してなる
液晶素子を線順次走査によりマルチプレックス駆動する
液晶素子の駆動方法において、 前記走査電極群に、選択期間では選択電位を、非選択期
間では非選択電位を有する走査信号を供給し、前記信号
電極群に前記選択期間毎に表示状態選択用のデータ信号
を供給し、 前記選択期間内もしくは前記選択期間の直前の非選択期
間内に前記液晶の分子を所定の配列方向に揃える、前記
液晶表示素子の飽和値以上の少なくとも１個の電圧パル
スを前記液晶に印加し、その後前記選択期間内に前記液
晶の分子を、表示状態に対応する所定の配列方向に設置
するための電圧パルスを前記液晶に印加し、 前記データ信号の中間電位を基準電位としたとき、前記
走査信号は、前記基準電位に対して正、負となる複数の
電圧パルスから成り、前記選択期間及びそれに続く前記
非選択期間を含む所定期間内において、正の電圧パルス
の積分値と負の電圧パルスの積分値とが異なり、かつ、
連続する２つの前記所定期間において前記正、負の電圧
パルスの極性が反転され、前記データ信号は、前記基準
電位に対して正、負となる複数の電圧パルスから成り、
前記所定期間内において、正の電圧パルスの積分値と負
の電圧パルスの積分値とが等しく設定されて、前記２つ
の所定期間内において前記液晶に印加される電圧の平均
値を零に設定したことを特徴とする。

本発明によれば、選択期間及びそれに続く非選択期間を
含む一つの所定期間、例えば１フレームないしは１フィ
ールドと称される期間では、基準電位に対して走査信号
波形の正、負の電圧パルスの例えば波高値が異なってい
ても、次のフレームないしはフィールド期間で基準電位
に対する走査信号の正、負の極性が反転されるため、連
続する２フレーム期間または連続する２フィールド期間
で、液晶に印加される電圧の平均値が零となり、液晶素
子が劣化することを防止できる。

特開昭58−179890号公報に記載されているように、強誘
電性液晶の分子は、電界を印加しない状態では、螺旋軸
に対してθの角度を有して螺旋状に配列しているが、第
１図（ａ）に示すように、例えば負の極性の電界−Ｅを
印加すると、強誘電性液晶の分子１は、電界−Ｅの方向
と垂直な平面上に螺旋軸２に対して角度θを有して一定
方向に配列する。また、電界の極性を反転させると、第
１図（ｂ）に示すように、螺旋軸２を中心として第１図
（ａ）の方向とは対称な方向に角度θを有して配列す
る。この時、第１図（ａ）および（ｂ）に示すように、
２枚の偏光板を強誘電性液晶の上下に設け、上偏光板の
偏光軸の方向が３の方向、下偏光板の偏光軸の方向が４
の方向となるように互いに直交させると、強誘電性液晶
の分子が第１図（ａ）の方向に配列している場合は、光
の透過量が最も少なくなり、第１図（ｂ）の方向に配列
している場合は、光の透過量が最も多くなる。またこの
ような強誘電性液晶の分子の配列状態は、次に逆極性の
しきい値以上の電圧が印加されるまで、そのままで安定
している。これが、メモリー性と言われている強誘電性
液晶の特色の一つである。

本発明では、第１図（ａ）に示すような方向に強誘電性
液晶の分子を配列させる電圧の極性を負（−）、第１図
（ｂ）に示すような方向に配列させる電圧の極性を正
（＋）と定義し、分子の配列方向と偏光板の偏光軸の方
向とが第１図（ａ）に示すような関係になつていて、光
の透過量が最も少ない状態をオフ状態（または単にオ
フ）、第１図（ｂ）に示すような関係になつていて、光
と透過量が最も多い状態をオン状態（または単にオン）
と定義する。

もちろん、分子の配列方向と偏光軸の方向の関係を第１
図（ａ）と（ｂ）とで逆にすれば、正の電圧を印加すれ
ば、光と透過量が最大となり、負の電圧を印加すれば最
少となるが、これは単に電圧の極性とオン，オフ状態の
組み合わせの関係が逆になるだけで、実質的に同じ駆動
方法で駆動できるものであり、本発明の範囲に含まれる
ものである。

〔実施例〕

第２図（ａ）は、以下に述べる本発明の各実施例で用い
た液晶素子の一例を示す断面図である。ガラスあるいは
プラスチツクからなる透明な基板11,12の互いに対向す
る内側表面には、酸化インジウムあるいは酸化スズから
なる複数の透明な走査電極13および信号電極14が形成さ
れている。必要に応じてこれらの電極上に酸化シリコン
などからなる絶縁層を設けた後、ポリイミド、ナイロン
などからなる配向膜15を設け、少なくとも一方の基板の
配向膜の表面をラビングして強誘電性液晶16を所定の方
向に配向させた。19は、エポキシ接着剤からなるシール
剤である。また、一対の基板11および12の電極が形成さ
れていない外側表面には偏光板17および18をそれぞれ隣
接させた。この時、偏光板17の偏光軸と偏光板18の偏光
軸とは互いに略直交させ、かつ強誘電性液晶16に負の極
性を有する飽和値以上の電圧を印加した時の強誘電性液
晶分子の配列方向とどちらか一方の偏光板の偏光軸の方
向とが平行になるように偏光板の偏光軸の方向を設定し
た。

基板間のすき間、すなわち液晶層の厚みは、約1.3μ
ｍ、使用した強誘電性液晶は、Ｐ−テトラデシロキシベ
ンジリデン−Ｐ′−アミノ−（２−メチル）−ブチル−
（α−シアノ）−シンナメート（TDOBAMBCC）である。
この液晶は、パルス幅が200μsecの時のしきい値電圧が
6.5V、飽和電圧が8Vであり、またパルス幅が400μsecの
時のしきい値電圧が4.2V、飽和電圧が6.3Vであつた。こ
の値は、極性を逆にしてもほぼ同じであつた。

走査電極13と信号電極14とは、第２図（ｂ）に示すよう
に、それぞれストライプ状に形成し、かつ互いに直交す
るように形成した。この走査電極と信号電極が、平面的
に重なり合つた部分が画素となる。なお、第２図（ｂ）
は、以下の説明をわかり易くするために、代表的なる種
類のオン・オフパターンを示しており、走査電極Xnの本
数が６、信号電極Ynの本数が３となつているが、もちろ
ん本発明は、この電極数に限定されるものではなく、必
要な画素数に応じて電極数を決定すれば良い。第２図
（ｂ）において、斜線を付した画素はオフ状態、それ以
外の画素はオン状態であることを示している。

以下にこの液晶素子を駆動する具体的な駆動方法の例を
示す。

実施例１ 第３図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁上にある各画素に印加される本実
施例における駆動波形と光透過特性を示す。なお、光透
過特性の変化をわかりやすくするために、次のフレーム
周期では、全画素のオン，オフ状態を反転させた。

第３図において、t₁₃は最初のフレーム周期、t₂₃は次の
フレーム周期を示す。またt₁₁およびt₂₁は選択期間を、
t₁₂およびt₂₂は非選択期間をそれぞれ示す。さらにt₁₄,
t₁₅,t₁₆,t₁₇,t₂₄,t₂₅,t₂₆およびt₂₇はそれぞれ200μsec
のパルス幅を示しており、波高値を示すV₁は6V,V₂は3V
である。

走査電極X₁には、選択期間t₁₁（t₂₁）は、±V₁を、非選
択期間t₁₂（t₂₂）は0Vを印加し、信号電極Y₁,Y₂,Y₃に
は、画素をオンさせたい場合は波高値V₂でパルス幅200
μsecのパルスを正，負，正，負の順に印加し、オフさ
せたい場合は負，正，負，正の順に印加すると、各画素
に印加される電圧パルスは、オンの場合は（＋V₁−
V₂），（−V₁＋V₂），（−V₁−V₂），（＋V₁＋V₂）の順
序になり、オフの場合は（＋V₁＋V₂），（−V₁−V₂），
（−V₁＋V₂），（＋V₁−V₂）の順序になる。この時、
（＋V₁−V₂）および（−V₁＋V₂）は、液晶のしきい値電
圧より小さい値であるため、液晶は応答せず、飽和値以
上である（＋V₁＋V₂）および（−V₁−V₂）に応答する。
しかし、強誘電性液晶は高速で応答し、かつメモリー性
があるため、見かけ上は選択期間の最後に印加された飽
和値以上のパルスの極性に応じてオン又はオフ状態にな
つたように認識される。

非選択期間には（＋V₁−V₂）および（−V₁＋V₂）のパル
スが印加され、そのパルス幅が最大400μsecとなるが、
波高値は液晶の400μsec時のしきい値電圧より小さいた
め、光透過特性にはほとんど影響を与えない。またオ
ン，オフのコントラスト比は、画素（X₁,Y₁）で18:1,
（X₁Y₂）で16:1,（X₁Y₃）で18:1であり、オン，オフパ
ターンにかかわらずほぼ一定のコントラスト比が得られ
た。

本実施例における駆動方法は、液晶に選択期間t
₁₁（t₂₁）内に少なくとも液晶の飽和値以上の波高値、
パルス幅を有する正及び負の電圧パルスを印加し、前記
正，負の電圧パルスは波高値及びパルス幅が等しく、更
に飽和値以上の正又は負の電圧パルスを印加する順序で
オン又はオフを選択し、更に正負の電圧パルスは数が等
しく又、非選択期間t₁₂（t₂₂）は、しきい値以下の波高
値及びパルス幅を有する正，負の電圧パルスを印加して
いるため、第３図に示す如く、直流成分の平均値は零と
なり直流成分が全く存在しない。そのため液晶素子の劣
化が生じることはなかつた。

第４図は、第３図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例の回路ブロツク図である。111はトランスミツシ
ヨンゲート、112はフリツプフロツプ、113は液晶素子で
ある。d,h,e,f,g,j,k,lは、トランスミツシヨンゲート1
11を選択し、走査電極信号Vt及び信号電極信号Vdを作
り、液晶素子113に印加される。又±V₁及び零V,±V₂は
走査電極及び信号電極の電源電圧である。第５図は、第
４図に示した回路の走査電極信号Vt及び信号電極信号Vd
を作るための各点における信号である。

実施例２ 第６図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁および信号電極Y₁に印加される駆
動波形と、画素（X₁Y₁）の光透過特性を示す。なお、光
透過特性の変化をわかりやすくするために、次のフレー
ム周期t₂₃では、オン，オフ状態を反転させた。

第６図において、t₁₁〜t₂₇はいずれも第３図と同じこと
を示しており、波高値V₁,V₂,V₃,V₄,V₅,V₆は、それぞれ8
V,6V,5V,3V,2V,0Vである。またVmは信号電極に印加され
る電圧パルスの中間電位を示し、この場合は4Vになる。

実施例１と異なるのは、走査電極に印加される電圧を低
下させるために、走査電極と信号電極の電圧レベルを同
じにしたことにある。

走査電極X₁には、選択期間t₁₁（t₂₁）は、200μsecのパ
ルス幅でV₁,V₆,V₆,V₁の順に印加し、非選択期間t₁₂（t
₂₂）はV₂,V₅を図に示すような順序に引火する。また信
号電極Y₁には、画素をオンさせたい場合は、200msecの
パルス幅でV₄,V₃,V₁,V₆の順に印加し、オフさせたい場
合は、これと逆の順序で印加する。この時画素（X₁Y₁）
に印加される電圧は、オン場合は（V₁−V₄），（V₆−
V₃），（V₆−V₁），（V₁−V₆）の順になりオフの場合は
（V₁−V₆），（V₆−V₁），（V₆−V₃），（V₁−V₄）の順
になり、飽和値以上のパルスで後から印加されるパルス
の極性によつてオンまたはオフ状態となる。なお、選択
期間に印加される（V₁−V₄）および（V₆−V₃）は、それ
ぞれ＋5Vおよび−5Vで、パルス幅400μsec時の液晶のし
きい値より大きいが、このパルスはパルス幅が200μsec
であるため、200μsec時のしきい値よりは小さく、液晶
は応答しない。また、非選択期間には（V₅−V₆）と（V₂
−V₁）のパルスが印加され、オン・オフパターンによつ
てはパルス幅が400μsecになる場合もあるが、波高値40
0μsec時の液晶のしきい値より小さいため、光透過特性
にはほとんど影響を与えない。

本実施例による駆動方法は、実施例１と同様の良好なコ
ントラスト比が得られた。

本実施例における駆動方法は、液晶に選択期間t
₁₁（t₂₁）内に少なくとも液晶の飽和値以上の波高値、
パルス幅を有する正及び負の電圧パルスを印加し、前記
正，負の電圧パルスは波高値及びパルス幅が等しく、更
に飽和値以上の正又は負の電圧パルスを印加する順序で
オン又はオフを選択し、更に正負の電圧パルスは数が等
しく又、非選択期間はt₁₂（t₂₂）は、しきい値以下の波
高値及びパルス幅を有する正，負の電圧パルスを印加し
ているため、オン・オフパターンにかかわらず印加され
る電圧の平均値が零となり、液晶素子の劣化が生ずるこ
とはなかつた。

第７図は、第６図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示すブロツク図である。，の信号により、
トランスミツシヨンゲート111を選択し、の走査電極
データで、の選択時走査電極波形及びの非選択走査
電極波形を選択し走査電極波形を作る。一方信号電極波
形は、，の信号によりトランスミツシヨンゲート11
1を選択し、の信号電極データで、のオン波形及び
のオフ波形を選択し、信号電極波形を作り液晶素子11
3に印加される。又、V₁,V₂,V₃,V₄,V₅,V₆は走査電極及び
信号電極の電源電圧である。第８図は、第７図に示した
回路の各点における信号である。

実施例３ 第９図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁上の各画素に印加される駆動波形
と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化をわか
りやすくするために、次のフレーム周期t₂₃では、オ
ン，オフ状態を反転させた。

第９図において、t₁₁〜t₂₇はいずれも第３図と同じこと
を示しており、波高値V₁は9V,V₂は4Vである。

実施例１および２と異なるのは、コントラスト比を向上
させるために、非選択期間に印加されるパルスのパルス
幅が、液晶のオン，オフ状態を選択するために印加され
る飽和値以上のパルスよりも大きくならないようにした
点である。

走査電極X₁には、選択期間t₁₁（t₂₁）は、±V₁を、非選
択期間には0Vを印加し、信号電極には、画素をオンさせ
たい場合は0Vを、オフさせたい場合は、最初の400μsec
は0V、次の400μsecでは200μsecずつ−V₂,＋V₂の順に
印加する。この時各画素に印加される電圧パルスは、オ
ンの場合は（＋V₁），（−V₁），（−V₁），（＋V₁）の
順序になり、オフの場合は（＋V₁），（−V₁），（−V,
＋V₂），（＋V₁−V₂）の順序になる。（−V₁,＋V₂）お
よび（＋V₁−V₂）は、パルス幅200μsec時の液晶のしき
い値より小さい値であるため、液晶は応答せず、t₁₁の
選択期間では、オン，オフをくり返してt₁₇で最後に印
加される＋V₁に応答してオン状態となり、t₂₁の選択期
間では、t₂₄でオンとなつた後t₂₅で印加される−V₁に応
答してオフ状態となる。また非選択期間には0Vもしくは
パルス巾200μsecの＋V₂または−V₂が印加されるが、V₂
は液晶のしきい値より小さいため、光透過特性にはほと
んど影響を与えない。

本実施例により得られるコントラスト比は、画素（X
₁Y₁）で24:1,（X₁Y₂）で22:1,（X₁Y₃）で20:1で、実施
例１および２よりもさらに良好なコントラスト比が得ら
れた。

本実施例における駆動方法は、液晶に選択期間t
₁₁（t₂₁）内に少なくとも液晶の飽和値以上の波高値、
パルス幅を有する正及び負の電圧パルスを印加し、前記
正，負の電圧パルスは波高値及びパルス幅が等しく、更
に飽和値以上の正又は負の電圧パルスを印加する順序で
オン又はオフを選択し、更に正負の電圧パルスは数が等
しく又、非選択期間t₁₂（t₂₂）は、しきい値以下の波高
値及びパルス幅を有する正，負の電圧パルスを印加して
いるため、オン，オフパターンにかかわらず、液晶素子
に印加される平均値は零となり、液晶素子の劣化は生じ
なかつた。

第10図は、第９図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例の回路ブロツク図である。（ａ），（ｃ），
（ｉ）の信号により、トランスミツシヨンゲート111を
選択する信号を作り、それらの信号によりトランスミツ
シヨンゲート111を選択し、走査電極信号Vt及び信号電
極信号Vdを作り、液晶素子113に印加される。又、±V₁,
±V₂,0Vは走査電極及び信号電極の電源電圧である。第1
1図は、第10図に示した回路の各点における信号であ
る。

実施例４ 第12図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁および信号電極Y₁に印加される駆
動波形と、画素（X₁Y₁）の光透過特性を示す。なお、光
透過特性の変化をわかりやすくするために、次のフレー
ム周期t₂₃ではオン，オフ状態を反転させた。

第12図において、t₁₁〜t₂₇はいずれも第３図と同じこと
を示しており、波高値V₁,V₂,V₃,V₄,V₅,V₆は、それぞれ1
0V,8V,6V,4V,2V,0Vである。またVmは信号電極に印加さ
れる電圧パルスの中間電位を示し、この場合は5Vにな
る。

実施例３と異なるのは、走査電極に印加される電圧を低
下させるために、走査電極と信号電極の電圧レベルを共
通化したことにある。

走査電極X₁には選択期間t₁₁（t₂₁）は、V₁とV₆を、V₁,V
₆,V₆,V₁の順に、非選択期間t₁₂（t₂₂）は、V₂とV₅をV₂,
V₅,V₅,V₂の順に印加し、信号電極Y₁には、画素をオンさ
せたい場合は、V₅,V₂,V₂,V₅の順に、オフさせたい場合
は、V₅,V₂,V₃,V₄の順に印加する。いずれもパルス幅は2
00μsecである。この時画素（X₁Y₁）に印加される電圧
パルスは、波高値が異なるのみで第９図に示すような実
施例３の駆動方法と同様の波形となる。すなわち（V₁−
V₅）および（V₅−V₂）はそれぞれ＋8Vおよび−8Vで液晶
の飽和値以上、（V₁−V₄）および（V₆−V₃）はそれぞれ
＋6Vおよび−6Vでパルス幅200μsec時のしきい値より小
さく、（V₂−V₃）および（V₅−V₄）はそれぞれ＋2Vおよ
び−2Vで液晶のしきい値より充分小さい値となつてい
る。したがつて液晶素子は実施例３と同じように応答
し、同じように良好なコントラスト比が得られた。

第13図は、第12図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例のブロツク図である。，の信号により、トラ
ンスミツシヨンゲート111を選択し、の走査電極デー
タで、の選択時走査電極波形及びの非選択走査電極
波形を選択し走査電極波形を作る。一方信号電極波形
は、，の信号によりトランスミツシヨンゲート111
を選択し、の信号電極データで、のオン波形及び
のオフ波形を選択し、信号電極波形を作り、液晶素子11
3に印加される。又、V₁,V₂,V₃,V₄,V₅,V₆は走査電極及び
信号電極の電源電圧である。第14図は、第13図に示した
回路の各点における信号である。

実施例５ 実施例15に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態
にするための走査電極X₁上の各画素に印加される駆動波
形と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化をわ
かりやすくするために、次のフレーム周期t₂₃では、オ
ン，オフ状態を反転させた。

第15図において、t₁₃は最初のフレーム周期、t₂₃は次の
フレーム周期を示す。またt₁₁およびt₂₁は選択期間、t
₁₂およびt₂₂は非選択期間を示し、さらに非選択期間t₁₂
およびt₂₂は、第１の非選択期間t₁₆とt₂₆および次の選
択期間の直前すなわちフレーム周期の最後に設けられた
第２の非選択期間t₁₅とt₂₅の２つの期間に区分けされて
いる。t₀₅は最初のフレーム周期t₁₃の直前の第２の非選
択期間を示している。t₁₄は200μsecのパルス幅を示
す。

また、波高値V₁は11V,V₂は6V,V₃は2.5Vである。

走査電極X₁には、選択期間t₁₁（t₂₁）は、±V₂第１の非
選択期間t₁₆（t₂₆）は0V、第２の非選択期間t₀₅（t₁₅,t
₂₅）は、±V₁を印加し、信号電極Y₁,Y₂,Y₃には、画素を
オンさせたい場合は、±V₃を正，負の順に、オフさせた
い場合は、負，正の順に印加する。この時各画素には、
選択期間t₁₁（t₂₁）の直前の第２の非選択期間t
₀₅（t₁₅,t₂₅）では、いずれも飽和値以上の（＋Ｖ−
V₃）および（−V₁＋V₃）もしくは（＋V₁＋V₃）および
（−V₁−V₃）が印加され、選択期間t₁₁（t₂₁）では、オ
ンの場合（−V₁＋V₃）および（＋Ｖ−V₃）が、オフの場
合（−V₂＋V₃）および（＋V₂−V₃）が印加され、第１の
非選択期間t₁₆（t₂₆）では、オン，オフパターンによつ
て±V₃が200μsecまたは400μsecのパルス幅で印加され
る。±V₃は400μsec時のしきい値より小さい値であるた
め、パルス幅が400μsecになつても、光透過特性にはほ
とんど影響を与えない。

本実施例の駆動方法は、選択期間の直前で画素をいつた
んオンさせてからオフ状態にし、その直後の選択期間内
に正の飽和値以上のパルスを印加するか、しきい値以下
のパルスを印加するかで、オン状態に反転させるか、オ
フ状態をそのまま保持するかを選択しているため、実施
例１〜４の駆動方法に比べて選択期間の時間を半分にす
ることができ、より高速の駆動を必要とする場合や走査
電極を多くする場合に有効な駆動方法である。

また、第２の非選択期間t₀₅（t₁₅,t₂₅）に印加されるパ
ルスの波高値は、オン，オフパターンによつて異なる
が、どちらも飽和値以上であるため、光透過量は変わら
ない。さらに本実施例では、非選択期間内で液晶の飽和
値以上のパルスを印加してオン，オフさせているため、
若干コントラスト比が低下するが、走査電極数が多くな
るほどコントラスト比の低下率が少なくなり、良好なコ
ントラスト比が得られる。本実施例の場合は、画素（X₁
Y₁）で17:1,（X₁Y₂）で16:1,（X₁Y₃）で17:1のコントラ
スト比が得られた。また本実施例においても液晶に印加
される電圧の平均値は零となり、液晶素子の劣化が生ず
ることはなかつた。

なお、本実施例では第２の非選択期間をフレーム周期の
最後すなわち次の選択期間の直前に設けたが、表示装置
に応用する場合は、人間の目が識別できない時間の範囲
内であれば、選択期間の直前である必要はない。

第16図は、第15図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示す回路ブロツク図であり，の信号によ
り、トランスミツシヨンゲート111を選択し、の走査
電極データで、の選択時走査電極波形及び0Vの非選択
走査電極波形を選択し、走査電極波形を作る。一方信号
電極波形は、の信号によりトランスミツシヨンゲート
111を選択し、の信号電極データで、のオン波形及
びのオフ波形を選択し、信号電極波形を作り、液晶素
子113に印加される。又、±V₁,±V₂,±V₃,0Vは，走査電
極及び信号電極の電源電圧である。第17図は、第16図に
示した回路の各点における信号である。

実施例６ 第18図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁,X₂および信号電極Y₁に印加され
る駆動波形と、画素（X₁Y₁）の光透過特性を示す。なお
光透過特性の変化をわかりやすくするために、次のフレ
ーム周期t₂₃ではオン，オフ状態を反転させた。

第18図において、t₀₅〜t₂₆はいずれも第15図と同じこと
を示しており、ｔ′₀₅およびｔ′₁₅は走査電極X₂におけ
る第２の非選択期間、ｔ′₁₁およびｔ′₂₁は同じく選択
期間、ｔ′₁₆は第１の非選択期間、ｔ′₁₂は第１および
第２の非選択期間を含むフレーム周期内の非選択期間を
示している。

波高値V₁,V₂,V₅,V₆はそれぞれ12V,10V,2V,0Vであり、V₃
およびV₈は8V,V₄およびV₉は4Vである。Vmは信号電極に
印加される電圧パルスの中間電位を示し、この場合は6V
である。

実施例５と異なるのは、走査電極に印加される電圧を低
下させるために、走査電極と信号電極の電圧レベルを共
通化したことにある。

走査電極X₁には、選択期間t₁₁（t₂₁）は、V₄およびV
₃を、第１の非選択期間t₁₆（t₂₆）は、V₂およびV₅を、
第２の非選択期間t₀₅（t₁₅,t₂₅）は、V₁およびV₆を印加
する。走査電極X₁を奇数番目の走査電極とすると、偶数
番目の走査電極であるX₂には、第18図に示すように、X₁
とは位相が逆のパルス列を印加する。これは、走査電極
X₁上の画素が選択期間t₁₁（t₂₁）である時、走査電極X₂
上の画素は、第２の非選択期間ｔ′₀₅（ｔ′₁₅）であり
この時に画素をオンおよびオフさせるための飽和値以上
のパルスを印加するためである。すなわち本実施例では
各走査電極に、交互に逆位相のパルスを印加する必要が
ある。またこの結果、信号電極Y₁に印加されるパルス
は、画素をオンさせるパルスとオフさせるパルスを、奇
数番目の走査電極上の画素と偶数番目の走査電極上の画
素とでは異なる波形にする必要がある。すなわち、奇数
番目の走査電極（例えばX₁）上の画素をオンさせる場合
は、V₁およびV₆をV₁,V₆の順に、オフさせる場合はV₈お
よびV₉をV₈,V₉の順に印加し、偶数番目の走査電極（例
えばX₂）上の画素をオンさせる場合はV₈およびV₉をV₉,V
₈の順に、オフさせる場合は、V₁およびV₆をV₆,V₁の順に
印加する。この時画素（X₁Y₁）に印加されるパルスは実
施例５と波高値が異なるのみで、実質的に同一のパルス
が印加される。すなわち、オンの場合、選択期間t₁₁で
は（V₄−V₁）および（V₃−V₆）の負，正の飽和値以上の
パルスが印加され、オフの場合、選択期間t₂₁では（V₄
−V₈）および（V₃−V₉）の負，正のしきい値より小さい
値のパルスが印加される。また、選択期間の直前の第２
選択期間t₀₅（t₁₅,t₂₅）では、（V₁−V₄）および（V₆−
V₈）もしくは（V₁−V₆）および（V₆−V₁）のいずれも飽
和値以上のパルスが正，負の順に印加され、画素はいつ
たんオン状態となつた後オフ状態となり、次の選択期間
で、オンに反転するか、そのままオフ状態を保持するか
を選択される。

第１の選択期間t₁₆（t₂₆）では、実施例５と同じよう
に、オン，オフパターンによつて、パルス幅が200μsec
または400μsecの（V₅−V₆）および（V₂−V₁）もしくは
（V₂−V₈）および（V₅−V₉）のいずれもパルス幅400μs
ec時のしきい値より小さい値のパルスが印加される。

本実施例の駆動方法は、実施例５と同様、より高速の駆
動を必要とする場合や走査電極を多くする場合に有効な
駆動方法であり、実施例５と同様のコントラスト比が得
られた。

第19図は、第18図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示すブロツク図である。，の信号によりト
ランスミツシヨンゲート111を選択し、の走査電極デ
ータで、の選択時走査電極波形及びの非選択走査電
極波形を選択し、走査電極波形を作る。尚は偶数番目
の走査電極選択波形である。一方信号電極波形は、，
の信号によりトランスミツシヨンゲート111を選択
し、の信号電極データで、のオン波形及びのオフ
波形を選択し、信号電極波形を作り、液晶素子113に印
加される。又、V₁,V₂,V₃,V₄,V₅,V₆,V₈,V₉は走査電極及
び信号電極の電源電圧である。第20図は、第19図に示し
た回路の各点における信号である。

実施例７ 第21図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁上の各画素に印加される駆動波形
と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化をわか
りやすくするために、次のフレーム周期t₂₃では、オ
ン，オフ状態を反転させた。

第21図において、t₀₅〜t₂₆は、いずれも第15図と同じこ
とを示しており、波高値V₁は8V,V₂は4Vである。

実施例５および６と異なるのは、コントラスト比を向上
させるために、非選択期間に印加されるパルスのパルス
幅が、液晶のオン，オフさせるために印加される飽和値
以上のパルスよりも大きくならないようにした点にあ
る。

走査電極X₁には、選択期間t₁₁（t₂₁）は、±V₁第１の非
選択期間t₁₆（t₂₆）は0V、第２の非選択期間t₀₅（t₁₅,t
₂₅）は、±V₁を選択期間とは逆の順序で印加し、信号電
極Y₁,Y₂,Y₃には、画素をオンさせたい場合は、0V、オフ
させたい場合は±V₂を負，正の順に印加する。この時各
画素には、選択期間t₁₁（t₂₁）の直前の第２の非選択期
間t₀₅（t₁₅,t₂₅）では、いずれも飽和値以上の±V₁もし
くは（＋V₁＋V₂）および（−V₁−V₂）が印加され、選択
期間t₁₁（t₂₁）では、オンの場合±V₁が、オフの場合
（−V₁＋V₂）および（＋V₁−V₂）が印加され、第１の選
択期間t₁₆（t₂₆）では、オン，オフパターンによつて、
（＋V₁−V₂）および（−V₁＋V₂）もしくは0Vが印加され
る。このように非選択期間には、200μsecより大きいパ
ルス幅のパルスが印加されることはなく、光透過特性に
与える影響がより小さくなる。

本実施例の駆動方法も、実施例５および６と同様、選択
期間の直前で画素をいつたんオンさせてからオフ状態に
し、その直後の選択期間内に正の飽和値以上のパルスを
印加するか、しきい値以下のパルスを印加するかで、オ
ン状態に反転させるか、オフ状態をそのまま保持するか
を選択しているため、実施例１〜４の駆動方法に比べて
選択期間の時間を半分にすることができ、より高速の駆
動を必要とする場合や走査電極を多くする場合に有効な
駆動方法である。

本実施例の場合は、画素（X₁Y₁）で22:1（X₁Y₂）で21:
1,（X₁Y₃）で20:1のコントラスト比が得られた。また本
実施例においても液晶に印加される電圧の平均値は零と
なり、液晶素子の劣化が生ずることはなかつた。

なお、本実施例でも第２の非選択期間をフレーム周期の
最後すなわち次の選択期間の直前に設けたが、表示装置
に応用する場合は、人間の目が識別できない時間の範囲
内であれば、選択期間の直前である必要はない。

第22図は、第21図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示す回路ブロツク図であり、，の信号によ
り、トランスミツシヨンゲート111を選択し、の走査
電極データで、の選択時走査電極波形及び0Vの非選択
走査電極波形を選択し、走査電極波形を作る。一方信号
電極波形は、の信号によりトランスミツシヨンゲート
111を選択し、の信号電極データで、のオン波形及
びのオフ波形を選択し、信号電極波形を作り、液晶素
子113に印加される。又、±V₁,±V₂,0Vは走査電極及び
信号電極の電源電圧である。第23図は、第22図に示した
回路の各点における信号である。

実施例８ 第24図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁,X₂および信号電極Y₁に印加され
る駆動波形と、画素（X₁Y₁）の光透過特性を示す。な
お、光透過特性の変化をわかりやすくするために、次の
フレーム周期t₂₃では、オン，オフ状態を反転させた。

第24図において、t₀₅〜t₂₆およびｔ′₀₅〜ｔ′₂₁はいず
れも第18図と同じことを示す。

波高値V₁,V₂,V₃,V₄,V₅,V₆はそれぞれ10V,9V,7V,3V,1V,0
Vである。Vmは信号電極に印加される電圧パルスの中間
電位を示し、この場合は5Vである。

実施例７と異なるのは、走査電極に印加される電圧を低
下させるために、走査電極と信号電極の電圧レベルを共
通化したことにある。

走査電極X₁には選択期間t₁₁（t₂₁）は、V₄およびV₃を、
第１の非選択期間t₁₆（t₂₆）は、V₂およびV₅を、第２の
非選択期間t₀₅（t₁₅,t₂₅）は、V₁およびV₆を印加する。
走査電極X₁を奇数番目の走査電極とすると、偶数番目の
走査電極であるX₂には、第24図に示すように、X₁とは位
相が逆のパルス列を印加する。これは、走査電極X₁上の
画素が選択期間t₁₁（t₂₁）である時、走査電極X₂上の画
素は、第２の非選択期間ｔ′₂₅（ｔ′₁₅）であり、この
時に画素をオンおよびオフさせるための飽和値以上のパ
ルスを印加するためである。すなわち、本実施例では各
走査電極に、交互に逆位相のパルスを印加する必要があ
る。またこの結果、信号電極Y₁に印加されるパルスは、
画素をオンさせるパルスとオフさせるパルスを、奇数番
目の走査電極上の画素と偶数番目の走査電極上の画素と
では異なる波形にする必要がある。すなわち、奇数番目
の走査電極（例えばX₁）上の画素をオンさせる場合は、
V₁およびV₆をV₁,V₆の順に、オフさせる場合はV₂およびV
₅をV₂,V₅の順に印加し、偶数番目の走査電極（例えば
X₂）上の画素をオンさせる場合はV₂およびV₅をV₅,V₂の
順に、オフさせる場合は、V₁およびV₆をV₆,V₁の順に印
加する。この時画素（X₁Y₁）に印加されるパルスは、オ
ンの場合、選択期間t₁₁では（V₄−V₁）および（V₃−
V₆）の負，正の飽和値以上のパルスが印加され、オフの
場合、選択期間t₂₁では（V₄−V₂）および（V₃−V₅）の
負，正のしきい値より小さい値のパルスが印加される。
また、選択期間の直前の第２選択期間t₀₅（t₁₅,t₂₅）で
は、（V₁−V₅）および（V₆−V₂）もしくは（V₁−V₆）お
よび（V₆−V₁）のいずれも飽和値以上のパルスが正，負
の順に印加され、画素はいつたんオン状態となつた後オ
フ状態となり、次の選択期間で、オンに反転するか、そ
のままオフ状態を保持するかを選択される。

第１の選択期間t₁₆（t₂₆）では、実施例７と同じよう
に、オン，オフパターンによつて、0Vもしくは（V₅−
V₆）および（V₂−V₁）の液晶のしきい値より十分小さい
値の正，負のパルスが印加される。

本実施例の駆動方法も、実施例５〜７と同様、より高速
の駆動を必要とする場合や走査電極を多くする場合に有
効な駆動方法であり、実施例７と同様のコントラスト比
が得られた。

第25図は、第24図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示すブロツク図である。，の信号によりト
ランスミツシヨンゲート111を選択し、の走査電極デ
ータで、の選択時走査電極波形及びの非選択走査電
極波形を選択し、走査電極波形を作る。尚は偶数番目
の走査電極選択波形である。一方信号電極波形は、，
の信号によりトランスミツシヨンゲート111を選択
し、の信号電極データで、のオン波形及びのオフ
波形を選択し、信号電極波形を作り、液晶素子113に印
加される。又、V₁,V₂,V₃,V₄,V₅は走査電極及び信号電極
の電源電圧である。第26図は、第25図に示した回路の各
点における信号である。

実施例９ 第27図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁上の各画素に印加される駆動波形
と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化をわか
りやすくするために、次のフレーム周期t₂₃では、オ
ン，オフ状態を反転させた。

第27図において、t₁₃は最初のフレーム周期、t₂₃は次の
フレーム周期を示す。またt₁₁およびt₂₁は選択期間、t
₁₂およびt₂₂は非選択期間を示し、t₁₄は200μsecのパル
ス幅を示す。またt₁₅およびt₂₅は次の選択期間の直前す
なわちフレーム周期の最後に設けられた平均値補正用の
パルスを印加するための期間を示す。この場合は、200
μsecの期間である。

また、波高値V₁は10V,V₂は8V,V₃およびV₄は2Vである。

走査電極X₁には選択期間t₁₁（t₂₁）は、＋V₁,−V₂の順
に、非選択期間t₁₂（t₂₂）は0Vを印加し、フレーム周期
の最後の期間t₁₅（t₂₅）は補正用パルスとして−V₃を印
加する。信号電極Y₁,Y₂,Y₃には、画素をオンさせたい場
合は、±V₄を正，負の順に、オフさせたい場合は、負，
正の順に印加する。この時各画素には、オンの場合は、
飽和値以上のパルス（＋V₁−V₄）が印加された後しきい
値より小さいパルス（−V₂＋V₄）が印加され、オフの場
合はいずれも飽和値以上のパルス（＋V₁＋V₄）および
（−V₂−V₄）正，負の順に印加される。また非選択期間
t₁₂（t₂₂）は、オン，オフパターンによつて±V₄が200
μsecまたは400μsecのパルス幅で印加されるが、フレ
ーム周期の最後の期間t₁₅（t₂₅）のみは、補正用パルス
−V₃が加えられるため、（−V₃−V₄）または（−V₃＋
V₄）すなわち−4Vまたは0Vが印加される。

本実施例では、選択期間の最初に画素をオンさせる正の
極性の飽和値以上の第１のパルスを印加した後、それと
逆極性でかつ波高値の異なる第２のパルスを印加し、こ
の第２のパルスをしきい値以下とするか、飽和値以上と
するかでオン，オフを選択している。この時、オン，オ
フにかかわりなく、第１のパルスの波高値と第２のパル
スの波高値の差を等しくしておき、この差分をt
₁₅（t₂₅）の期間で補正してやることにより、１フレー
ム期間内に印加される電圧の平均値を零にしている。

なお、本実施例では補正用のパルスのパルス幅、前記第
１のパルスおよび第２のパルスのパルス幅を等しくして
いるが、必ずしもこれに限られるものではなく、|V₁・t
₁|−|V₂・t₂|＝|V₃・t₃|（ただし、t₁,t₂,t₃はそれぞれ
のパルスのパルス幅を示す。）を満足するように、各パ
ルスの波高値およびパルス幅を設定してやれば良い。

本実施例の駆動方法も、実施例５〜８と同様、実施例１
〜４の駆動方法に比べて選択期間の時間を半分にするこ
とができるため、より高速の駆動を必要とする場合や走
査電極を多くする場合に有効な駆動方法である。また実
施例５〜８の駆動方法のように、非選択期間に画素がオ
ン，オフすることがないため、ごく短時間での光の透過
量の変化でも品質上問題となるような液晶シヤツターな
どに応用する場合、有効な駆動方法である。

本実施例の場合は、画素（X₁Y₁）で20:1,（X₁Y₂）で17:
1,（X₁Y₃）で20:1のコントラスト比が得られた。また本
実施例では、補正用パルスをフレーム周期の最後すなわ
ち次の選択期間の直前に印加するようにしているが、こ
の補正用パルスは、光透過特性にほとんど影響を与えな
いので、非選択期間内であれば、任意のタイミングで印
加しても良い。

第28図は、第27図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示すブロツク図である。走査電極には、走査電
極データ信号121を、走査電極シフトクロツク信号120で
シフトレジスタ115に転送し、選択期間にｄの波形、非
選択期間に0V、選択規間直前の直流成分を補正する電圧
を切り換えて、走査電極波形を出力する。一方信号電極
には、信号電極データ信号117を信号電極シフトクロツ
ク118でシフトレジスタ114に転送して、一走査線分のデ
ータを転送したらラツチ信号119でラツチ116し、その出
力でトランスミツシヨンゲート111を切り換えて、オン
又はオフ（ｂ又はｃの波形）を出力する。V₁,−V₂,−
V₃,±V₄は、走査電極及び信号電極の駆動電圧である。

第29図は、第28図に示した回路の信号波形を示したタイ
ミングチヤート図である。

実施例10 第30図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁および信号電極Y₁に印加される駆
動波形と、画素（X₁Y₁）の光透過特性を示す。なお、光
透過特性の変化をわかりやすくするために、次のフレー
ム周期t₂₃ではオン，オフ状態を反転させた。

第30図において、t₁₁〜t₂₅はいずれも第27図と同じこと
を示す。

波高値V₁,V₂,V₃,V₄,V₅,V₅,V₇は、それぞれ12V,10V,8V,6
V,4V,2V,0Vである。Vmは信号電極に印加される電圧パル
スの中間電位を示し、この場合は5Vである。

実施例９と異なるのは、走査電極に印加される電圧を低
下させるために、走査電極と信号電極の電圧レベルを共
通化したことにある。

走査電極X₁には選択期間t₁₁（t₂₁）は、V₁,V₇の順に、
非選択期間t₁₂（t₂₂）は、V₅,V₃の順に印加し、t₁₅（t
₂₅）の期間は、補正用パルスとしてV₄を印加する。信号
電極Y₁には、画素をオンさせたい場合は、V₅,V₄の順
に、オフさせたい場合は、V₇,V₂の順に印加する。この
時各画素には、オンの場合は、飽和値以上のパルス（V₁
−V₅）が印加された後、しきい値より小さいパルス（V₇
−V₄）が印加され、オフの場合はいずれも飽和値以上の
パルス（V₁−V₇）および（V₇−V₂）が図のような順に印
加される。また非選択期間t₁₂（t₂₂）は、オン，オフパ
ターンによつて（V₆−V₇）および（V₃−V₂）が200μsec
または400μsecのパルス幅で印加されるが、フレーム周
期の最後の期間t₁₅（t₂₅）のみは、補正用パルスV₄が加
えられるため、（V₄−V₂）または（V₄−V₄）すなわち−
4Vまたは0Vが印加される。

本発明も、実施例９と同様、選択期間に印加される正お
よび負のパルスの波高値の差分をt₁₅（t₂₅）の期間で補
正し、１フレーム周期内に印加される電圧の平均値を零
にしている。

本実施例の駆動方法も、実施例９と同様、液晶シヤツタ
ーなどに応用する場合、有効な駆動方法であり、実施例
９と同様のコントラスト比が得られた。

第31図は、第30図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示す回路ブロツク図である。の信号により、
トランスミツシヨンゲート111を選択し、の走査電極
データでの選択時走査電極波形及びの非選択走査電
極波形を選択し、走査電極波形を作る。一方信号電極波
形は、の信号によりトランスミツシヨンゲート111を
選択しの信号電極データでのオン波形、のオフ波
形を選択し、信号電極波形を作り、液晶素子113に印加
される。又、V₁,V₂,V₃,V₄,V₅,V₆,V₇は走査電極及び信号
電極の電源電圧である。第32図は、第31図に示した回路
の各点における信号である。

実施例11 第33図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁上の各画素に印加される駆動波形
と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化をわか
りやすくするために、次のフレーム周期t₂₃では、オ
ン，オフ状態を反転させた。

第33図において、t₁₁〜t₂₅は、いずれも第27図と同じこ
とを示しており、波高値V₁は8V,V₂は6V,V₃およびV₄は2V
である。

実施例９および10と異なるのは、コントラスト比を向上
させるために、非選択期間に印加されるパルスのパルス
幅が、液晶をオン，オフさせるために印加される飽和値
以上のパルスよりも大きくならないようにした点であ
る。

走査電極X₁には選択期間t₁₁（t₂₁）は、±V₁,−V₂の順
に、非選択期間t₁₂（t₂₂）は0Vを印加し、t₁₅（t₂₅）の
期間は補正用パルスとして−V₃を印加する。信号電極
Y₁,Y₂,Y₃には、画素をオンさせたい場合は0V、オフさせ
たい場合は±V₄を負，正の順に印加する。この時各画素
には、オンの場合は、飽和値以上のパルス＋V₁が印加さ
れた後、しきい値より小さいパルス−V₂が印加され、オ
フの場合はいずれも飽和値以上のパルスが（＋V₁＋
V₄），（−V₂−V₄）の順に印加される。また非選択期間
t₁₂（t₂₂）は、オン，オフパターンによつて、パルス幅
200μsecのパルス±V₄もしくは0Vが印加されるが、フレ
ーム周期の最後の期間t₁₅（t₂₅）のみは、補正用パルス
−V₃が加えられるため、（−V₃−V₄）もしくは−V₃が印
加される。

本実施例でも、選択期間の最初に画素をオンさせる正の
極性の飽和値以上の第１のパルスを印加した後、それと
逆極性でかつ波高値の異なる第２のパルスを印加し、こ
の第２のパルスをしきい値以下とするか、飽和値以上と
するかでオン，オフを選択している。この時、オン，オ
フにかかわりなく、第１のパルスの波高値と第２のパル
スの波高値の差を等しくしておき、この差分をt
₁₅（t₂₅）の期間で補正してやることにより、１フレー
ム期間内に印加される電圧の平均値を零にしている。

なお、本実施例では補正用のパルスのパルス幅、前記第
１のパルスおよび第２のパルスのパルス幅を等しくして
いるが、必ずしもこれに限られるものではなく、|V₁・t
₁|−|V₂・t₂|＝|V₃・t₃|（ただし、t₁,t₂,t₃はそれぞれ
のパルスのパルス幅を示す。）を満足するように、各パ
ルスの波高値およびパルス幅を設定してやれば良い。

本実施例の駆動方法も、実施例９および10と同様実施例
１〜４の駆動方法に比べて選択期間の期間を半分にする
ことができるため、より高速の駆動を必要とする場合や
走査電極を多くする場合に有効な駆動方法である。また
実施例５〜８の駆動方法のように、非選択期間に画素が
オン，オフすることがないため、ごく短時間での光の透
過量の変化でも品質上問題となるような液晶シヤツター
などに応用する場合、有効な駆動方法である。

本実施例の場合は、画素（X₁Y₁）で24:1,（X₁Y₂）で23:
1,（X₁Y₃）で23:1のコントラスト比が得られた。また本
実施例の場合も、補正用パルスを印加するタイミング
は、選択期間の直前に限定されない。

第34図は、第33図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示す回路ブロツク図である。走査電極には、走
査電極データ信号121を、走査電極シフトクロツク信号1
20でシフトレジスタ115に転送し、選択期間にｄの波
形、非選択期間に0V、選択期間直前の直流成分を補正す
る電圧を切り換えて、走査電極波形を出力する。一方信
号電極には、信号電極データ信号117を信号電極シフト
クロツク118でシフトレジスタ114に転送じて、一走査線
分のデータを転送したらラツチ信号119でラツチ116し、
その出力でトランスミツシヨンゲート111を切り換え
て、オン又はオフ（ｂ又はｃの波形）を出力する。V₁,
−V₂,−V₃,±V₄は、走査電極及び信号電極の駆動電圧で
ある。

第35図は、第34図に示した回路の信号波形を示したタイ
ミングチヤート図である。

実施例12 第36図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁および信号電極Y₁に印加される駆
動波形と、画素（X₁Y₁）の光透過特性を示す。なお、光
透過特性の変化をわかりやすくするために、次のフレー
ム周期t₂₃ではオン，オフ状態を反転させた。

第36図において、t₁₁〜t₂₅はいずれも第27図と同じこと
を示す。

波高値V₁,V₂,V₃,V₄,V₆,V₇は、それぞれ10V,8V,6V,4V,2
V,0Vである。Vmは信号電極に印加される電圧パルスの中
間電位を示し、この場合は4Vである。

実施例11と異なるのは、走査電極に印加される電圧を低
下させるために、走査電極と信号電極の電圧レベルを共
通化したことにある。

走査電極X₁には、選択期間t₁₁（t₂₁）は、V₁,V₇の順
に、非選択期間t₁₂（t₂₂）は、V₅,V₃の順に印加し、t₁₅
（t₂₅）の期間は、補正用パルスとしてV₄を印加する。
信号電極Y₁には、画素をオンさせたい場合はV₆,V₃の順
に、オフさせたい場合は、V₇,V₂の順に印加する。この
時各画素には、オンの場合は、飽和値以上のパルス（V₁
−V₃）が印加された後、しきい値より小さいパルス（V₇
−V₃）が印加され、オフの場合はいずれも飽和値以上の
パルス（V₁−V₇）および（V₇−V₂）が、図のような順に
印加される。また非選択期間t₁₂（t₂₂）は、オン，オフ
パターンによつて、（V₆−V₇）および（V₃−V₂）もしく
は0Vが印加されるが、フレーム周期の最後の期間t₁₅（t
₂₅）のみは、補正用パルスV₃が加えられるため、（V₄−
V₂）もしくは（V₄−V₃）が印加される。

本実施例も、実施例11と同様、選択期間に印加される正
および負のパルスの波高値の差分をt₁₅（t₂₅）の期間で
補正し、１フレーム周期内に印加される電圧の平均値を
零にしている。

本実施例の駆動方法も、実施例11と同様、液晶シヤツタ
ーなどに応用する場合、有効な駆動方法であり、実施例
11と同様のコントラスト比が得られた。

第37図は、第36図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示す回路ブロツク図である。の信号により、
トランスミツシヨンゲート111を選択し、の走査電極
データでの選択時走査電極波形及びの非選択走査電
極波形を選択し、走査電極波形を作る。一方信号電極波
形は、の信号によりトランスミツシヨンゲート111を
選択しの信号電極データでのオン波形、のオフ波
形を選択し、信号電極波形を作り、液晶素子113に印加
される。又、V₁,V₂,V₃,V₄,V₆,V₇は走査電極及び信号電
極の電源電圧である。第38図は、第37図に示した回路の
各点における信号である。

実施例13 第39図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁および信号電極Y₁に印加される駆
動波形と、画素（X₁Y₁）の光透過特性を示す。なお、光
透過特性の変化をわかりやすくするために、次のフレー
ム周期t₂₃ではオンオフ状態を反転させた。

第39図において、t₁₃は最初のフレーム周期、t₂₃は次の
フレーム周期を示し、t₁₁およびt₂₁は選択期間、t₁₂お
よびt₂₂は非選択期間を示す。また、t₁₄は200μsecのパ
ルス幅を示す。

波高値V₁は30V,V₂は12Vである。

本実施例の特徴は、非選択期間に周波数10KHzという、
高周波の交流パルスを印加して液晶素子のメモリ性を改
善することにより、コントラスト比を向上させることに
ある。

走査電極X₁には、選択期間t₁₁（t₂₁）は0Vを、非選択期
間t₁₂（t₂₂）、±V₁の交流パルスを印加し、信号電極Y₁
には、±V₂を、画素をオンさせたい場合は正，負の順
に、オフさせたい場合は負，正の順に印加する。

この時、画素（X₁Y₁）に印加されるパルスは、オンの場
合は±V₂が負，正の順に、オフの場合は正，負の順に印
加され、非選択期間には、正の波高値が（＋V₁＋V₂）で
負の波高値が（−V₁＋V₂）の交流パルスと正の波高値が
（＋V₁−V₂）で負の波高値が（−V₁＋V₂）の交流パルス
とがt₁₄の期間ずつ交互に印加される。選択期間に印加
されるパルスは、いずれも飽和値以上であるが、最後に
印加されたパルスの極性によつてオン，オフが選択され
る。また選択期間に印加される交流パルスは、波高値は
非常に大きい値となつているが、パルス幅が50μsecと
非常に小さいため、液晶素子は応答せず、逆にメモリー
が改善されて、コントラスト比が向上する。本実施例で
は40:1というきわめてすぐれたコントラスト比が得られ
た。

また、液晶素子に印加される電圧パルスの平均値は零で
あり、液晶素子の劣化を生ずることもなかつた。

第40図は、第39図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例を示すブロツク図である。，の信号により、
トランスミツシヨンゲート111を選択し、の走査電極
データで、0Vの選択時走査電極波形及びの非選択時走
査電極波形を選択し、走査電極波形を作る。一方信号電
極波形はの信号によりトランスミツシヨンゲート111
を選択しの信号電極データでのオン波形、のオフ
波形を選択し、信号電極波形を作り、液晶素子113に印
加される。±V₁,±V₂,0Vは走査電極及び信号電極の電源
電圧である。第41図は、第40図に示した回路の各点にお
ける信号である。

実施例14 第42図に、第２図（ｂ）に示すようなオン，オフ状態に
するための走査電極X₁および信号電極Y₁に印加される駆
動波形と、画素（X₁Y₁）の光透過特性を示す。なお、光
透過特性の変化をわかりやすくするために、次のフレー
ム周期t₂₃ではオン，オフ状態を反転させた。

第42図において、t₁₃は最初のフレーム周期、t₂₃は次の
フレーム周期を示し、t₁₁およびt₂₁は選択期間、t₁₂お
よびt₂₂は非選択期間を示す。また、t₁₄は200μsecのパ
ルス幅を示す。

実施例13と異なるのは、選択期間t₁₁（t₂₁）に印加され
る正，負のパルスの波高値の差分を、非選択期間t₁₂（t
₂₂）に印加される高周波の交流パルスで補正する点にあ
り、そのため、この交流パルスの波高値V₁およびV₄は、
|V₃・t₁₄|−|V₂・t₁₄|＝1/2（|V₁・t₁₂|＋|V₄・t₁₂|）
を満足するように設定される。本実施例の場合、t₁₂＝1
0t₁₄となるので、波高値V₁,V₂,V₃,V₄をそれぞれ30V,10
V,20V,28Vとした。またV₅は5Vである。

走査電極X₁には、選択期間t₁₁（t₂₁）は−V₃およびV₂が
負，正の順に、非選択期間t₁₂（t₂₂）は、正の波高値が
V₁,負の波高値がV₄で周波数10KHzの交流パルスを印加
し、信号電極Y₁には、±V₅を、画素をオンさせたい場合
は正，負の順にオフさせたい場合は負，正の順に印加す
る。この時、画素（X₁Y₁）には、オンの場合は飽和値以
上の（−V₃−V₅）および（＋V₂＋V₅）が印加され、オフ
の場合は飽和値以上の負のパルス（−.₃＋V₅）およびし
きい値より小さい（＋V₂−V₅）が印加される。また、非
選択期間には、正の波高値が（＋V₁＋V₅）で負の波高値
が（−V₄＋V₅）の交流パルスと正の波高値が（＋V₁−
V₅）で負の波高値が（−V₄−V₅）の交流パルスとがt₁₄
の期間ずつ交互に印加される。選択期間に印加される正
および負のパルスの波高値の差は、オン，オフにかかわ
らず（V₃−V₂）であり、その差分は非選択期間に印加さ
れる交流パルスによつて補正され、液晶素子に印加され
る電圧パルスの平均値は零となる。本実施例において
も、液晶素子のメモリー性が改善され、実施例13と同様
のすぐれたコントラスト比が得られた。

第43図は、第42図に示す駆動波形を実現する具体的回路
の一例の回路ブロツク図である。，の信号により、
トランスミツシヨンゲート111を選択し、の走査電極
データで、の選択時走査電極波形及びの非選択時走
査電極波形を選択し、走査電極波形を作る。一方信号電
極波形は、の信号によりトランスミツシヨンゲート11
1を選択しの信号電極データでのオン波形、のオ
フ波形を選択し、信号電極波形を作り、液晶素子113に
印加される。V₁,V₂,−V₃,−V₄,±V₅は走査電極及び信号
電極の電源電圧である。第44図は、第43図に示した回路
の各点における信号である。

実施例15 第45図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図であり、第81図は、この回路で作
られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回路
の一例を示す図である。451はフレーム信号、452は極性
切り換え信号であり、これらの信号により、トランスミ
ツシヨンゲート111をスイツチングしてV₁,V₂,−V₃,−V₄
の電圧を切り換え、走査電極の選択波形453を作る。ま
た、V₅,−V₆の電圧を切り換えて信号電極をオン波形454
およびオフ波形455を作る。第46図に、これらの信号波
形のタイミングチヤートを示す。

これらの信号波形を第81図に示す駆動回路に印加し、走
査電極および信号電極に印加する駆動波形を作る。すな
わち、選択波形453を8101および8102に、非選択波形と
して0Vを8103に、オン波形454を8105に、オフ波形455を
8104にそれぞれ印加する。

第81図において、121は走査電極データで、これを走査
電極シフトクロツク120によつて走査電極側シフトレジ
スタ115に転送し、一走査電極ずつ順次選択信号を出力
してトランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、
走査電極駆動波形を8107に印加する。また117は信号電
極データで、これを信号電極シフトクロツク118によつ
て信号電極側シフトレジスタ114に転送し、一走査電極
分のデータを転送したらラツチ信号119によりラツチ回
路116にラツチする。このラツチ回路116の出力によりト
ランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、オン波
形454およびオフ波形455を切り換えて信号電極駆動波形
を8106に印加する。

第46図に、第81図に示す走査電極8109および信号電極81
10に印加される駆動波形と画素8111に印加される合成波
形および光透過特性示す。

t₁₃,t₂₃,t₃₃およびt₄₃は、それぞれ１フレーム周期、t
₁₁,t₂₁,t₃₁およびt₄₁は、それぞれ選択期間、t₁₂,t₂₂,t
₃₂およびt₄₂はそれぞれ非選択期間を示す。またt₁₄,
t₁₅,t₂₄,t₂₅,t₃₄,t₃₅,t₄₄およびt₄₅は、パルス幅を示
し、本実施例の場合は、いずれも200μsecである。

また、波高値V₁およびV₄は10V,V₂およびV₃は8V,V₅およ
びV₆は2Vである。

走査電極X₁には、第46図461に示すように、選択期間t₁₁
（t₂₁,t₃₁,t₄₁）は、１フレームごとに交互に、第１の
選択波形として＋V₂および−V₄が負，正の順に、また第
２の選択波形として＋V₁および−V₃が正，負の順に印加
され、非選択期間t₁₂（t₂₂,t₃₂,t₄₂）は、0Vが印加され
る。また、信号電極Y₁には、第46図462に示すように、
画素をオンさせたい場合は＋V₅および−V₆が正，負の順
に、オフさせたい場合は＋V₅および−V₆が負，正の順に
印加される。

この時画素（X₁Y₁）に印加される合成波形は、第46図46
3に示すように、走査電極X₁に第１の選択波形が印加さ
れたフレームでは、オンの場合は（−V₄−V₅）および
（V₂＋V₆）が負，正の順に、オフの場合は（−V₄＋V₆）
および（V₂−V₅）が負，正の順に印加され、第２の選択
波形が印加されたフレームでは、オンの場合は（V₁−
V₅）および（−V₃＋V₆）が正，負の順に、オフの場合は
（V₁＋V₆）および（−V₃−V₅）が正，負の順に印加され
る。また非選択期間は−V₅および＋V₆が印加される。

本実施例の駆動方法は、選択期間の最初に正または負の
飽和値以上のパルスを印加してオンまたはオフ状態と
し、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以上のパルス
としてオン，オフ状態を反転させるか、逆極性のしきい
値より小さいパルスとしてそのまま保持させるかでオ
ン，オフを選択している。また、第１の選択波形が印加
されたフレームでは、正のパルスと負のパルスとの波高
値の差が（V₄−V₂）すなわち−2Vとなつているが、第２
の選択波形が印加されたフレームでは、（V₁−V₃）すな
わち＋2Vとなつていて、互いに相殺される。すなわち、
本実施例では２フレームごとに画素に印加される電圧パ
ルスの平均値を零にして液晶素子の劣化を防止している
ものである。なお、画素8111の光透過特性を第46図464
に示す。

実施例16 第47図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図であり、第81図は、この回路で作
られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回路
の一例を示す図である。471はフレーム信号、472は極性
切り換え信号であり、これらの信号により、トランスミ
ツシヨンゲート111をスイツチングしてV₁,−V₂,−V₇,−
V₈の電圧を切り換え、走査電極の選択波形473を作り、
−V₃,−V₆の電圧を切り換えて走査電極の非選択波形474
を作る。また、−V₂,−V₄,−V₅,−V₇の電圧を切り換え
て信号電極のオン波形475およびオフ波形476を作る。第
48図に、これらの信号波形のタイミングチヤートを示
す。

これらの信号波形を第81図に示す駆動回路に印加し、走
査電極および信号電極に印加する駆動波形を作る。すな
わち、選択波形473を8101および8102に、非選択波形474
を8103に、オン波形475を8105に、オフ波形476を8104に
それぞれ印加する。

第81図において、121は走査電極データでこれを走査電
極シフトクロツク120によつて走査電極側シフトレジス
タ115に転送し、一走査電極ずつ順次選択信号を出力し
てトランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、走
査電極駆動波形を8107に印加する。また117は信号電極
データで、これを信号電極シフトクロツク118によつて
信号電極側シフトレジスタ114に転送し、一走査電極分
のデータを転送したらラツチ信号119によりラツチ回路1
16にラツチする。このラツチ回路116の出力によりトラ
ンスミツシヨンゲート111をスイツチングし、オン波形4
75およびオフ波形476を切り換えて信号電極駆動波形を8
106に印加する。

第49図に、第81図に示す走査電極8109および信号電極81
10に印加される駆動波形と画素8111に印加される合成波
形および光透過特性を示す。

t₁₃,t₂₃,t₃₃およびt₄₃は、それぞれ１フレーム周期、t
₁₁,t₂₁,t₃₁およびt₄₁は、それぞれ選択期間、t₁₂,t₂₂,t
₃₂およびt₄₂はそれぞれ非選択期間を示す。またt₁₄,
t₁₅,t₂₄,t₂₅,t₃₄,t₃₅,t₄₄およびt₄₅は、パルス幅を示
し、本実施例の場合はいずれも200μsecである。

波高値V₁は0V,V₂は2V,V₃は4V,V₄は6V,V₅は8V,V₆は10V,V
₇は12V,V₈は14Vである。また、−Vmは信号電極に印加す
る電圧パルスの中間電位を示し、この場合は−7Vであ
る。

実施例15と異なるのは、走査電極に印加する電圧を低く
するために、走査電極と信号電極の電圧レベルを共通化
したことと、信号電極のオンおよびオフ波形を走査電極
に印加する選択波形によつて変えた点である。

すなわち走査電極8109には、第49図491に示すように、
選択期間t₁₁（t₂₁,t₃₁,t₄₁）は、１フレームごとに交互
に、第１の選択波形として−V₈および−V₂が−V₈,−V₂
の順に、また第２の選択波形として−V₁および−V₇が−
V₁,−V₇の順に印加され、非選択期間t₁₂（t₂₂,t₃₂,
t₄₂）は、第１の選択波形が印加されたフレームでは−V
₃および−V₆が−V₃,−V₆の順に、また第２の選択波形が
印加されたフレームでは−V₆,−V₃の順に印加される。

信号電極8110には、第49図492に示すように、第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オン波形として−V₂
および−V₇が−V₂,−V₇の順に印加され、オフ波形とし
て−V₄および−V₅が−V₄,−V₅の順に印加される。また
第２の選択波形が印加されたフレームでは、オン波形と
して−V₄および−V₅が−V₅,−V₄の順に印加され、オフ
波形として−V₂および−V₇が−V₇,−V₂の順に印加され
る。

この時画素8111に印加される合成波形は、第49図493に
示すように、走査電極に第１の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合は（−V₈＋V₂）および（−V₂＋
V₇）が負，正の順に、オフの場合は（−V₈＋V₄）および
（−V₂＋V₅）が負，正の順に印加され、第２の選択波形
が印加されたフレームでは、オンの場合は（V₁＋V₅）お
よび（−V₇＋V₄）が正，負の順に、オフの場合は（V₁＋
V₇）および（−V₈＋V₂）が正，負の順に印加される。ま
た非選択期間は、（−V₆＋V₇）および（−V₃＋V₂）もし
くは（−V₃＋V₄）および（−V₆＋V₅）が印加される。

本実施例の駆動方法も、選択期間の最初に正または負の
飽和値以上のパルスを印加してオンまたはオフ状態と
し、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以上のパルス
としてオン，オフ状態を反転させるか、逆極性のしきい
値より小さいパルスとしてそのまま保持させるかでオ
ン，オフを選択している。また、第１の選択波形が印加
されたフレームでは、正のパルスと負のパルスとの波高
値の差が（V₇−V₈）もしくは（V₄＋V₅−V₂−V₈）すなわ
ち−2Vとなつているが、第２の選択波形が印加されたフ
レームでは、V₂もしくは（V₄＋V₅−V₇）すなわち＋2Vと
なつていて、互いに相殺される。すなわち、本実施例で
も２フレームごとに画素に印加される電圧パルスの平均
値を零にして液晶素子の劣化を防止しているものであ
る。なお、画素8111の光透過特性を第49図494に示す。

実施例17 第50図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図であり、第81図は、この回路で作
られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回路
の一例を示す図である。501はフレーム信号、502は極性
切り換え信号であり、これらの信号により、トランスミ
ツシヨンゲート111をスイツチングしてV₁,V₂,−V₃,−V₄
の電圧を切り換え、走査電極の選択波形503を作る。ま
た、V₅,−V₆,0Vの電圧を切り換えて信号電極のオン波形
504およびオフ波形505を作う。第51図に、これらの信号
波形のタイミングチヤートを示す。

これらの信号波形を第81図に示す駆動回路に印加し、走
査電極および信号電極に印加する駆動波形を作る。すな
わち、選択波形503を8101および8102に、非選択波形と
して0Vを8103に、オン波形504を8105に、オフ波形505を
8104にそれぞれ印加する。

第81図において、121は走査電極データで、これを走査
電極シフトクロツク120によつて走査電極側シフトレジ
スタ115に転送し、一走査電極ずつ順次選択信号を出力
してトランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、
走査電極駆動波形を8107に印加する。また117は信号電
極データで、これを信号電極シフトクロツク118によつ
て信号電極側シフトレジスタ114に転送し、一走査電極
分のデータを転送したらラツチ信号119によりラツチ回
路116にラツチする。このラツチ回路116の出力によりト
ランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、オン波
形504およびオフ波形505を切り換えて信号電極駆動波形
を8106に印加する。

第51図に、第81図に示す走査電極8109および信号電極81
10に印加される駆動波形と画素8111に印加される合成波
形および光透過特性を示す。

t₁₃,t₂₃,t₃₃およびt₄₃は、それぞれ１フレーム周期、t
₁₁,t₂₁,t₃₁およびt₄₁は、それぞれ選択期間、t₁₂,t₂₂,t
₃₂およびt₄₂はそれぞれ非選択期間を示す。またt₁₄,
t₁₅,t₂₄,t₂₅,t₃₄,t₃₅,t₄₄およびt₄₅は、パルス幅を示
し、本実施例の場合は、いずれも200μsecである。

波高値V₁およびV₄は8V,V₂およびV₃は6V,V₅およびV₆は2V
である。

走査電極8109には、第51図511に示すように、選択期
間、t₁₁（t₂₁,t₃₁,t₄₁）は、１フレームごとに交互に、
第１の選択波形としてV₂および−V₄が負，正の順に、ま
た第２の選択波形としてV₁および−V₃が正，負の順に印
加され、非選択期間t₁₂（t₂₂,t₃₂,t₄₂）は、0Vが印加さ
れる。

信号電極8110には、第51図512に示すように、第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オン波形としてV₅お
よび−−V₆が正，負の順に印加され、オフ波形として0V
が印加される。また第２の選択波形が印加されたフレー
ムでは、オン波形として0Vが印加され、オフ波形として
V₅および−V₆が負，正の順に印加される。

この時画素8111に印加される合成波形は、第51図513に
示すように、走査電極に第１の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合は（−V₄−V₅）および（V₂＋
V₆）が負，正の順に、オフの場合は−V₄およびV₂が負，
正の順に印加され、第２の選択波形が印加されたフレー
ムでは、オンの場合はV₁および−V₃が正，負の順に、オ
フの場合は（V₁＋V₆）および（−V₃−V₅）が正，負の順
に印加される。

また非選択期間は、0VもしくはV₅および−V₆が印加され
る。

本実施例の駆動方法も、選択期間の最初に正または負の
飽和値以上のパルスを印加してオンまたはオフ状態と
し、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以上のパルス
としてオン，オフ状態を反転させるが、逆極性のしきい
値より小さいパルスとしてそのまま保持させるかでオ
ン，オフを選択している。また、第１の選択波形が印加
されたフレームでは、正のパルスと負のパルスとの波高
値の差が（V₂−V₄）すなわち−2Vとなつているが、第２
の選択波形が印加されたフレームでは、（V₁−V₃）すな
わち＋2Vとなつていて、互いに相殺される。すなわち、
本実施例でも２フレームごとに画素に印加される電圧パ
ルスの平均値を零にして液晶素子の劣化を防止している
ものである。なお、画素8111の光透過特性を第51図514
に示す。

実施例18 第52図は、本実施例における駆動波形を実現す具体的回
路を示すブロツク図であり、第81図は、この回路で作ら
れた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回路の
一例を示す図である。521はフレーム信号、522は極性切
り換え信号であり、これらの信号により、トランスミツ
シヨンゲート111をスイツチングしてV₁,−V₂,−V₇,−V₈
の電圧を切り換え、走査電極の選択波形523を作り、−V
₃,−V₆,0Vの電圧を切り換えて走査電極の非選択波形524
を作る。また、−V₂,−V₃,−V₆,−V₇の電圧を切り換え
て信号電極のオン波形525およびオフ波形526を作る。第
53図に、これらの信号波形のタイミングチヤートを示
す。

これらの信号波形を第81図に示す駆動回路に印加し、走
査電極および信号電極に印加する駆動波形を作る。すな
わち、選択波形523を8101および8102に、非選択波形524
を8103に、オン波形525を8105に、オフ波形526を8104に
それぞれ印加する。

第81図において、121は走査電極データでこれを走査電
極シフトクロツク120によつて走査電極側シフトレジス
タ115に転送し、一走査電極ずつ順次選択信号を出力し
てトランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、走
査電極駆動波形を8107に印加する。また117は信号電極
データで、これを信号電極シフトクロツク118によつて
信号電極側シフトレジスタ114に転送し、一走査電極分
のデータを転送したらラツチ信号119によりラツチ回路1
16にラツチする。このラツチ回路116の出力によりトラ
ンスミツシヨンゲート111をスイツチングし、オン波形5
25およびオフ波形526を切り換えて信号電極駆動波形を8
106に印加する。

第54図に、第81図に示す走査電極8109および信号電極81
10に印加される駆動波形と、画素8111に印加される合成
波形および光透過特性を示す。

t₁₃,t₂₃,t₃₃およびt₄₃は、それぞれ１フレーム周期、t
₁₁,t₂₁,t₃₁およびt₄₁は、それぞれ選択期間、t₁₂,t₂₂,t
₃₃およびt₄₂はそれぞれ非選択期間を示す。またt₁₄,
t₁₅,t₂₄,t₂₅,t₃₄,t₃₅,t₄₄およびt₄₅は、パルス幅を示
し、本実施例の場合は、いずれも200μsecである。

波高値V₁は0V,V₂は2V,V₃は4V,V₆は8V,V₇は10V,V₈は12V
である。また、Vmは信号電極に印加する電圧パルスの中
間電位を示し、この場合は6Vである。

実施例17と異なるのは、走査電極に印加する電圧を低く
するために、走査電極と信号電極の電圧レベルを共通化
したことにある。

走査電極8109には、第54図541に示すように、選択期間t
₁₁（t₂₁,t₃₁,t₄₁）は、１フレームごとに交互に、第１
の選択波形として−V₈および−V₂が−V₈,−V₂の順に、
また第２の選択波形としてV₁および−V₇がV₁,−V₇の順
に印加され、非選択期間t₁₂（t₂₂,t₃₂,t₄₂）は、第１の
選択波形が印加されたフレームでは−V₃および−V₆が−
V₃,−V₆の順に印加され、また第２の選択波形が印加さ
れたフレームでは−V₆,−V₃の順に印加される。

信号電極8110には、第54図542に示すように、第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オン波形として−V₂
および−V₇が−V₂,−V₇の順に、オフ波形として−V₃お
よび−V₆が−V₃,−V₆の順に印加され、また第２の選択
波形が印加されたフレームではオン波形として−V₃およ
び−V₆が−V₆,−V₃の順に、オフ波形として−V₂および
−V₇が−V₇,−V₂の順に印加される。

この時画素8111に印加される合成波形は、第54図543に
示すように、走査電極に第１の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合は（−V₈＋V₂）および（−V₂＋
V₇）が負，正の順に、オフの場合は（−V₈＋V₃）および
（−V₂＋V₆）が負，正の順に印加され、第２の選択波形
が印加されたフレームでは、オンの場合は（−V₂＋V₇）
および（−V₇＋V₃）が正，負の順に、オフの場合は（V₁
＋V₇）および（−V₇＋V₂）が正，負の順に印加される。

また非選択期間は、0Vもしくは（−V₆＋V₇）および（−
V₃＋V₂）が印加される。

本実施例の駆動方法も、選択期間の最初に正または負の
飽和値以上のパルスを印加してオンまたはオフ状態と
し、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以上のパルス
としてオン，オフ状態を反転させるか、逆極性のしきい
値より小さいパルスとしてそのまま保持させるかでオ
ン，オフを選択している。また、第１の選択波形が印加
されたフレームでは、正のパルスと負のパルスとの波高
値の差が（V₇−V₈）もしくは（V₆−V₇）すなわち−2Vと
なつているが、第２の選択波形が印加されたフレームで
は、（V₃−V₂）もしくはV₂すなわち＋2Vとなつていて、
互いに相殺される。すなわち、本実施例でも２フレーム
ごとに画素に印加される電圧パルスの平均値を零にして
液晶素子の劣化を防止しているものである。なお、画素
8111の光透過特性を第54図544に示す。

実施例19 第55図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図であり、第81図は、この回路で作
られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回路
の一例を示す図である。551はフレーム信号、552は極性
切り換え信号、553は書き込みパルス切り換え信号であ
り、これらの信号により、トランスミツシヨンゲート11
1をスイツチングしてV₁,V₂,V₃,−V₄,−V₅,−V₆の電圧を
切り換え、走査電極の選択波形554を作る。また、V₇,−
V₈,0Vの電圧を切り換えて信号電極のオン波形555および
オフ波形556を作る。第56図に、これらの信号波形のタ
イミングチヤートを示す。

これらの信号波形を第81図に示す駆動回路に印加し、走
査電極および信号電極に印加する駆動波形を作る。すな
わち、選択波形554を8101および8102に、非選択波形と
して0Vを8103に、オン波形555を8105に、オフ波形556を
8104にそれぞれ印加する。

第81図において、121は走査電極データで、これを走査
電極シフトクロツク120によつて走査電極側シフトレジ
スタ115に転送し、一走査電極ずつ順次選択信号を出力
してトランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、
走査電極駆動波形を8107に印加する。また117は信号電
極データで、これを信号電極シフトクロツク118によつ
て信号電極側シフトレジスタ114に転送し、一走査電極
分のデータを転送したらラツチ信号119によりラツチ回
路116にラツチする。このラツチ回路116の出力によりト
ランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、オン波
形555およびオフ波形556を切り換えて信号電極駆動波形
を8106に印加する。

第56図に、第81図に示す走査電極8109および信号電極81
10に印加される駆動波形と、画素8111に印加される合成
波形および光透過特性を示す。

t₁₃,t₂₃,t₃₃およびt₄₃は、それぞれ１フレーム周期、t
₁₁,t₂₁,t₃₁およびt₄₁は、それぞれ選択期間、t₁₂,t₂₂,t
₃₂およびt₄₂はそれぞれ非選択期間を示す。またt₁₄,
t₁₅,t₂₄,t₂₅,t₃₄,t₃₅,t₄₄およびt₄₅は、パルス幅を示
し、本実施例の場合は、いずれも200μsecである。ま
た、書き込みパルス切り換え信号のパルス幅（以下t/4
と言う）は、前記パルス幅の1/4すなわち50μsecであ
る。

波高値V₁およびV₄は9V,V₂およびV₅は6V,V₃およびV₆は11
V,V₇およびV₈は3Vである。

本実施例では、駆動波形に書き込みパルス切り換え信号
を重畳させて、非選択期間に画素に印加されるパルスの
パルス幅を小さくし、光透過特性への影響をより小さく
している。

走査電極8109には、第56図561に示すように、選択期間t
₁₁（t₂₁,t₃₁,t₄₁）は、１フレームごとに交互に、第１
の選択波形として−V₆およびV₂に書き込みパルス切り換
え信号が重畳されたパルスが負，正の順に、第２の選択
波形としてV₁および−V₅に書き込みパルス切り換え信号
が重畳されたパルスが正，負の順に印加され、非選択期
間t₁₂（t₂₂,t₃₂,t₄₂）は、0Vが印加される。

信号電極8110には、第56図562に示すように、オン波形
として、まずt/4のパルス幅で0VおよびV₇が交互に２個
ずつ印加された後、同じパルス幅で−V₈および0Vが交互
に２個ずつ印加される。またオフ波形としてオン波形と
逆位相のパルスが印加される。

この時画素8111に印加される合成波形は、第56図563に
示すように、走査電極に第１の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合−V₆に一部の−V₇が重畳された
パルスおよび（V₂＋V₈）＝V₁が印加され、オフの場合に
−V₆に一部V₈が重畳されたパルスおよび（V₁−V₇）＝V₂
が印加される。また第２の選択波形が印加されたフレー
ムでは、オンの場合V₃に一部−V₇が重畳されたパルスお
よび（−V₄＋V₈）＝−V₅が印加され、オフの場合はV₃に
一部V₆が重畳されたパルスおよび（−V₅−V₇）＝−V₄が
印加される。

非選択期間は、0V,V₇および−V₈がt/4,のパルス幅で印
加される。

本実施例では、選択期間の最初に印加される、V₃または
一部に±V₇もしくは±V₈が重畳されたパルスは、いずれ
も飽和値以上であるため、画素はいつたんオンまたはオ
フ状態となり、次に印加される最初のパルスと逆極性の
パルスが飽和値以上かしきい値より小さいかで、オン，
オフ状態を反転させるか、そのまま保持させるかでオ
ン，オフを選択している。また、第１の選択波形が印加
されたフレームでは、正のパルスと負のパルスとの波高
値の差が（−V₆＋V₇/2−V₁）＝（V₆−V₈/2−V₂）すなわ
ち−3.5Vとなつているが、第２の選択波形が印加された
フレームでは、（V₃−V₇/2−V₅）＝（V₃＋V₈/2−V₄）す
なわち＋3.5,Vとなつて互いに相殺される。すなわち本
実施例でも、２フレームごとに画素に印加される電圧パ
ルスの平均値を零にして液晶素子の劣化を防止している
ものである。なお、画素8111の光透過特性を第56図564
に示す。

また本実施例では、駆動波形に重畳するパルスのパルス
幅をt/4としたが、本発明はこれに限られるものではな
く、よりパルス幅を小さくして重畳パルスの個数を増や
しても良い。

実施例20 第57図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図であり、第81図は、この回路で作
られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回路
の一例を示す図である。571はフレーム信号、572は極性
切り換え信号、573は書き込みパルス切り換え信号であ
りこれらの信号により、トランスミツシヨンゲート111
をスイツチングしてV₁,−V₂,−V₃,−V₆,−V₇,−V₈の電
圧を切り換え、走査電極の選択波形574を作り、、V₃,−
V₆の電圧を切り換えて走査電極の非選択波形575を作
る。また、−V₂,−V₃,−V₅,−V₆,−V₇の電圧を切り換え
て信号電極のオン波形576およびオフ波形577を作る。第
58図に、これらの信号波形のタイミングチヤートを示
す。

これらの信号波形を第81図に示す駆動回路に印加し、走
査電極および信号電極に印加する駆動波形を作る。すな
わち、選択波形574を8101および8102に、非選択波形575
を8103に、オン波形576を8105に、オフ波形577を8104に
それぞれ印加する。

第81図において、121は走査電極データで、これを走査
電極シフトクロツク120によつて走査電極側シフトレジ
スタ115に転送し、一走査電極ずつ順次選択信号を出力
してトランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、
走査電極駆動波形を8107に印加する。また117は信号電
極データで、これを信号電極シフトクロツク118によつ
て信号電極側シフトレジスタ114に転送し、一走査電極
分のデータを転送したらラツチ信号119によりラツチ回
路116にラツチする。このラツチ回路116の出力によりト
ランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、オン波
形576およびオフ波形577を切り換えて信号電極駆動波形
を8106に印加する。

第59図に、第81図に示す走査電極8109および信号電極81
10に印加される駆動波形と画素8111に印加される合成波
形および光透過特性を示す。

t₁₃,t₂₃,t₃₃およびt₄₃は、それぞれ１フレーム周期、t
₁₁,t₂₁,t₃₁およびt₄₁は、それぞれ選択期間、t₁₂,t₂₂,t
₃₂およびt₄₂は、それぞれ非選択期間を示す。またt₁₄,t
₁₅,t₂₄,t₂₅,t₃₄,t₄₄およびt₄₅は、パルス幅を示し、本
実施例の場合は、いずれも200μsecである。また、書き
込みパルス切り換え信号のパルス幅（以下t/4と言う）
は、前記パルス幅の1/4すなわち50μsecである。

波高値V₁は0V,V₂は2V,V₃は4V,V₄は6V,V₅は8V,V₆は10V,V
₇は12V,V₈は14Vであり、Vmは信号電極に印加されるパル
スの中間電位を示し、この場合は7Vである。

実施例19と異なるのは、走査電極に印加される電圧を低
くするために、走査電極と信号電極の電圧レベルを共通
化したことと、オン，オフ波形を選択波形に応じて変え
たことである。

走査電極8109には、第59図591に示すように、選択期間t
₁₁（t₂₁,t₃₁,t₄₁）は、１フレームごとに交互に、第１
の選択波形として−V₈および−V₃に書き込みパルス切り
変え信号が重畳されたパルスが、第２の選択波形として
V₁および−V₇に書き込みパルス切り変え信号が重畳され
たパルスが印加され、非選択期間t₁₂（t₂₂,t₃₂,t₄₂）は
−V₃および−V₆が、−V₃,−V₆の順もしくは−V₆,−V₃の
順に印加される。

信号電極8110には、第59図592に示すように、第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オン波形として−V₂
および−V₃がt/4のパルス幅で相互に２個ずつ印加され
た後、同じパルス幅で、−V₇および−V₆が２個ずつ交互
に印加され、オフ波形としては同じパルス幅で−V₃およ
び−V₄が交互に２個ずつ印加された後、−V₆および−V₅
が同じパルス幅で交互に２個ずつ印加される。また第２
の選択波形が印加されたフレームでは、オン波形として
前記のオフ波形と逆位相のパルスが印加され、オフ波形
として前記のオン波形と逆位相のパルスが印加される。

この時画素8111に印加される合成波形は、第59図593に
示すように、走査電極に第１の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合は（−V₈＋V₃）に一部（V₂−
V₃）が重畳されたパルスおよび（−V₃＋V₇）＝（−V₂＋
V₆）が印加され、オフの場合（−V₈＋V₄）に一部（V₃−
V₄）が重畳されたパルスおよび（−V₃＋V₆）＝（−V₂＋
V₅）が印加される。また第２の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合（V₁＋V₆）に一部（V₅−V₆）が
重畳されたパルスおよび（−V₆＋V₃）＝（−V₇＋V₄）が
印加され、オフの場合（V₁＋V₇）に一部（V₆−V₇）が重
畳されたパルスおよび（−V₆＋V₂）＝（−V₇＋V₃）が印
加される。

非選択期間は、0V,（−V₆＋V₇）および（−V₃＋V₂）がt
/4のパルス幅で印加される。

本実施例の駆動方法により画素に印加される合成波形
は、基本的には実施例19と同一であり、第１の選択波形
が印加されたフレームでは、正のパルスと負のパルスと
の差が（V₈−V₂/2−V₃/2−V₆＋V₂）＝（V₈−V₃/2−V₄/2
−V₅＋V₂）すなわち−3V、第２の選択波形が印加された
フレームでは、（V₆/2＋V₇/2＋V₃−V₇）＝（V₅/2＋V₆/2
＋V₄−V₇）すなわち＋3Vで互いに相殺され、同じように
２フレームごとに平均値が零となる。画素8111の光透過
特性を第59図594に示す。

なお、これまで説明した実施例では、強誘電性液晶TDOB
AMBCCのしきい値特性に合わせて各電圧レベルを設定し
たが、もちろん本発明はこれに限定されるものではな
く、各電圧レベルは使用する強誘電性液晶のしきい値特
性に応じて適切な値を設定すれば良い。

実施例21 第82図（ａ）および（ｂ）は、印加電圧パルスの波形と
光透過特性との関係を示す図である。強誘電性液晶のし
きい値および飽和値電圧は、パルス幅によつて変化する
ことは先に述べたが、我々は印加するパルスによつても
変化することを見出した。すなわち第82図（ａ）824に
実線で示したように、第82図（ｂ）821に示すような波
形のパルスを印加した場合は、正負のしきい値がVth₁₁
およびVth₁₂,飽和値がVsat₁₁およびVsat₁₂であるが、第
82図（ｂ）822に示すようなパルスを印加すると、第82
図（ａ）825に点線で示したように、正負のしきい値がV
th₂₁およびVth₂₂,飽和値がVsat₂₁およびVsat₂₂と、821
の波形を印加した時より絶対値が大きくなり、823に示
すような波形のパルスを印加すると、826に一点鎖線で
示したように、正負のしきい値がVth₁およびVth₂,飽和
値がVsat₁およびVsat₂と絶対値が小さくなる。

特に、Vth₂₁＞Vsat₁₁および|Vth₂₂|＞|Vsat₂₁|であるた
め、821の波形のパルスを印加した時には飽和値以上と
なる電圧レベルであつても、822の波形のパルスを印加
した時には、しきい値より小さくなり、液晶素子は応答
しない。したがたって、同じ電圧レベルで応答、非応答
を制御することが可能となる。本実施例は、このような
強誘電性液晶のしきい値特性を利用した駆動方法であ
る。

第60図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図であり、第81図は、この回路で作
られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回路
の一例を示す図である。601はフレーム信号、602は極性
切り換え信号であり、これらの信号により、トランスミ
ツシヨンゲート111をスイツチングしてV₁,V₂,−V₃,−V₄
の電圧を切り換え、走査電極の選択波形604を作る。ま
た極性切り換え信号602とクロツクパルス603とにより、
0V,V₅,−V₅の電圧を切り換えて信号電極のオン波形605
およびオフ波形606を作る。第61図に、これらの信号波
形のタイミングチヤートを示す。

これらの信号波形を第81図に示す駆動回路に印加し、走
査電極および信号電極に印加する駆動波形を作る。すな
わち、選択波形604を8101および8102に、非選択波形と
して0Vを8103に、オン波形605を8105に、オフ波形606を
8104にそれぞれ印加する。

第81図において、121は走査電極データで、これを走査
電極シフトクロツク120によつて走査電極側シフトレジ
スタ115に転送し、一走査電極ずつ順次選択信号を出力
してトランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、
走査電極駆動波形を8107に印加する。また117は信号電
極データで、これを信号電極シフトクロツク118によつ
て信号電極側シフトレジスタ114に転送し、一走査電極
分のデータを転送したらラツチ回路119によりラツチ回
路116にラツチする。このラツチ回路116の出力によりト
ランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、オン波
形605およびオフ波形606を切り換えて信号電極駆動波型
を8106に印加する。

第62図に、第81図に示す走査電極8109および信号電極81
10に印加される駆動波形と画素8111に印加される合成波
形および光透過特性を示す。

t₁₃,t₂₃,t₃₃およびt₄₃は、それぞれ１フレーム周期、t
₁₁,t₂₁,t₃₁およびt₄₁は、それぞれ選択期間、t₁₂,t₂₂,t
₃₂およびt₄₂は、それぞれ非選択期間を示す。またt₁₄,t
₂₄,t₃₄およびt₄₄は、それぞれ選択期間の前半に印加さ
れるパルスのパルス幅、t₁₅,t₂₅,t₃₅およびt₄₅は、それ
ぞれ選択期間の後半に印加されるパルスのパルス幅を示
し、本実施例の場合は、いずれも等しいパルス幅となつ
ている。さらにt₀は、前記t₁₅（t₂₅,t₃₅,t₄₅）の1/2の
パルス幅を示す。

波高値V₁〜V₅は、以下の条件を満足するように設定す
る。

V₁＝V₄＞Vsat₁,|Vsat₂| V₅＜Vth₁,|Vth₂| |V₂|＝|V₃| Vth₂₁＞（V₂＋V₅）＞Vsat₁₁ |Vth₂₂|＞（V₃＋V₅）＞|Vsat₁₂| 走査電極8109には、第62図621に示すように、選択期間
は第１の選択波形として−V₄およびV₂が負，正の順に、
第２の選択波形としてV₁および−V₃が正，負の順に、１
フレームごとに交互に印加され、非選択期間は0Vが印加
される。

信号電極8110には、第62図622に示すように、オンさせ
たい場合は2t₀の期間0Vが印加された後パルス幅t₀のV₅
および−V₅が正，負の順に印加され、オフさせたい場合
は同じく2t₀の期間0Vが印加された後パルス幅t₀のV₅お
よび−V₅が負，正の順に印加される。

この時画素8111に印加される合成波形は、第62図623に
示すように、走査電極に第１の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合まず−V₄が印加された後、前半
のt₀の波高値が（V₂−V₅）で後半のt₀の波高値が（V₂＋
V₅）であるパルスが印加され、オフの場合は同じくまず
−V₄が印加された後、前半のt₀の波高値が（V₂＋V₅）で
後半のt₀の波高値が（V₂−V₅）であるパルスが印加され
る。また第２の選択波形が印加されたフレームでは、オ
ンの場合まずV₁が印加された後、前半のt₀の波高値が
（−V₃−V₅）で後半のt₀の波高値が（−V₃＋V₅）である
パルスが印加され、オフ場合は同じくまずV₁が印加され
た後、前半のt₀の波高値が（−V₃＋V₅）で後半のt₀の波
高値が（−V₃−V₅）であるパルスが印加される。非選択
期間には0Vおよびパルス幅t₀の±V₅が印加される。

本実施例では、第82図（ａ）および（ｂ）に示したよう
に、選択期間t₁₁およびt₂₁の後半に印加されるパルス
は、飽和値以上であるが、t₃₁およびt₄₁の後半に印加さ
れるパルスは、同じ波高値を有しているにもかかわら
ず、波形が異なるため、しきい値より小さい値となつて
いる。その結果、本実施例の駆動方法も、選択期間の最
初に印加された正または負の飽和値以上のパルスによつ
てオンまたはオフ状態とし、次に印加する逆極性のパル
スによつてその状態を反転させるかそのまま保持するか
を選択してオン，オフを選択することができる。

また、第１の選択波形が印加されたフレームでは、正の
パルスと負のパルスとの波高値の差が、（V₂＋V₅）/2＋
（V₂−V₅）/2−V₄＝V₂−V₄、第２の選択波形が印加され
たフレームでは（−V₃−V₅）/2＋（−V₃＋V₅）/2＋V₁＝
V₁−V₃となり、V₁＝V₄およびV₂＝V₃であるから、互いに
相殺される。すなわち、本実施例でも２フレームごとに
画素に印加される電圧パルスの平均値が零となり、液晶
素子の劣化を防止することができる。なお、画素8111の
光透過特性を第62図624に示す。

実施例22 本実施例も、第82図（ａ）および（ｂ）に示すような強
誘電性液晶のしきい値特性を利用した駆動方法である。

第63図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図であり、第81図は、この回路で作
られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回路
の一例を示す図である。631はフレーム信号、632は極性
切り換え信号であり、これらの信号によりトランスミツ
シヨンゲート111をスイツチングしてV₁,−V₂,−V₇,−V₈
の電圧を切り換え、走査電極の選択波形634を作り、−V
₃,−V₆の電圧を切り換えて走査電極の非選択波形635を
作る。また、極性に切り換え信号632とクロツクパルス6
33とにより、−V₂,−V₃,−V₄,−V₅,−V₆,−V₇の電圧を
切り換えて信号電極のオン波形636およびオフ波形637を
作る。第64図に、これらの信号波形のタイミングチヤー
トを示す。

これらの信号波形を第81図に示す駆動回路に印加し、走
査電極および信号電極に印加する駆動波形を作る。すな
わち、選択波形634を8101および8102に、非選択波形635
を8103に、オン波形636を8105に、オフ波形637を8104に
それぞれ印加する。

第81図において、121は走査電極データでこれを走査電
極シフトクロツク120によつて走査電極側シフトレジス
タ115に転送し、一走査電極ずつ順次選択信号を出力し
てトランスミツシヨンゲート111をスイツチングし、走
査電極駆動波形を8107に印加する。また117は信号電極
データで、これを信号電極シフトクロツク118によつて
信号電極側シフトレジスタ114に転送し、一走査電極分
のデータを転送したらラツチ回路119によりラツチ回路1
16にラツチする。このラツチ回路116の出力によりトラ
ンスミツシヨンゲート111をスイツチングし、オン波形6
36およびオフ波形637を切り換えて信号電極駆動波形を8
106に印加する。

第65図に、第81図に示す走査電極8109および信号電極81
10に印加される駆動波形と、画素8111に印加される合成
波形および光透過特性を示す。

t₁₃,t₂₃,t₃₃およびt₄₃は、それぞれ１フレーム周期、t
₁₁,t₂₁,t₃₁およびt₄₁は、それぞれ選択期間、t₁₂,t₂₂,t
₃₂およびt₄₂は、それぞれ非選択期間を示す。またt₁₄,t
₂₄,t₃₄およびt₄₄は、それぞれ選択期間の前半に印加さ
れるパルスのパルス幅t₁₅,t₂₅,t₃₅およびt₄₅は、それぞ
れ選択期間の後半に印加されるパルスのパルス幅を示
し、本実施例の場合は、いずれも等しいパルス幅となつ
ている。さらにt₀は、前記t₁₅（t₂₅,t₃₅,t₄₅）の1/2の
パルス幅を示す。

実施例21と異なるのは、走査電極に印加される電圧を低
くするために、走査電極と信号電極の電圧レベルを共通
化したことと、そのためにオン波形およびオフ波形を、
選択波形に応じて変えた点にある。

波高値V₁〜V₈およびVmは以下の条件を満足するように設
定する。

V₁＝０ （V₁＋V₆）＞Vsat₁ （V₈−V₃）＞|Vsat₂| （V₇−V₆）＝（V₄−V₃）＜Vth₁ （V₆−V₅）＝（V₃−V₂）＜|Vth₂| Vth₂₁＞（V₇−V₂）＞Vsat₁₁ |Vth₂₂|＞（V₇−V₂）＞|Vsat₁₂| （Vm−V₂）＝（V₇−Vm） 走査電極8109には、第65図651に示すように、選択期間
は第１の選択波形として前半は−V₈、後半は−V₂が、第
２の選択波形として前半はV₁、後半は−V₇が印加され、
非選択期間は−V₆および−V₃が−V₆,−V₃の順もしくは
−V₃,−V₆の順に印加される。

信号電極8110には、第65図652に示すように、第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オン波形としてまず
−V₃が、その後パルス幅t₀の−V₅および−V₇が−V₅,−V
₇の順に印加され、オフ波形として同じく−V₃の後に、
−V₇,−V₅の順に印加される。また第２の選択波形が印
加されたフレームでは、オン波形としてまず−V₆が、後
半はパルス幅t₀の−V₄および−V₂が−V₂−V₄の順に印加
され、オフ波形として同じく−V₆の後に、−V₄,−V₂の
順に印加される。

この時画素8111に印加される合成波形は、第65図653に
示すように、走査電極に第１の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合まず（−V₈＋V₃）が印加された
後、前半のt₀の波高値が（−V₂＋V₅）で後半のt₀の波高
値が（−V₂＋V₇）であるパルスが印加され、オフの場合
は、同じくまず（−V₈＋V₃）が印加された後、前半のt₀
の波高値が（−V₂＋V₇）で後半のt₀の波高値が（−V₂＋
V₅）であるパルスが印加される。また第２の選択波形が
印加されたフレームでは、オンの場合まず（V₁＋V₆）が
印加された後、前半のt₀の波高値が（−V₇＋V₂）で後半
のt₀の波高値が（−V₇＋V₄）であるパルスが印加され、
オフの場合同じく（V₁＋V₆）が印加された後、前半のt₀
の波高値が（−V₇＋V₄）で後半のt₀の波高値が（−V₇＋
V₂）であるパルスが印加される。非選択期間には0V、
（−V₆＋V₇）および（−V₆＋V₅）が印加される。

本実施例による合成波形は、実施例21と実質的に同じで
あり、同じようにオン，オフの選択ができると共に、２
フレームごとに画素に印加される電圧パルスの平均値が
零となる。なお、画素8111の光透過特性を第65図654に
示す。

実施例23 本実施例も、第82図（ａ）および（ｂ）に示すような強
誘電性液晶のしきい値特性を利用した駆動方法である。

第66図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図であり、661はフレーム信号で、6
62は極性切り換え信号である。また664はフレーム信号6
61の遅延信号、665は極性切り換え信号662の回転信号で
ある。これらの信号によりトランスミツシヨンゲート11
1をスイツチングして、V₁,V₂,−V₃,−V₄の電圧を切り換
えて666の奇数走査電極選択波形と、667の偶数走査電極
選択波形を作つている。また、クロツクパルス663によ
りトランスミツシヨンゲート111をスイツチングして、V
₅,−V₅の電圧を切り換えて信号電極のオン波形668と信
号電極オフ波形669を作つている。これらの波形のタイ
ミングチヤートを第67図に示す。第66図666,667,668,66
9の信号を第81図の駆動回路に入力し、666は8101と、66
7は8102と、668は8105と、669は8104と、8103は０ボル
トとそれぞれ接続する。第81図121は走査電極データ
で、これを120のシフトクロツクによつて115の走査電極
側シフトレジスターに転送して一走査線ずつ順次選択信
号を出す。この選択信号によつて111のトランスミツシ
ヨンゲートをスイツチングして8107の奇数走査電極波形
や、8108の偶数走査電極選択波形を作つている。第81図
117は、信号電極データで、これを118のシフトクロツク
によつて114の信号電極側シフトレジスターに転送し、
一走査線分のデータを転送したときに119のラツチ信号
によつて116のラツチ回路にラツチする。このラツチ回
路の出力によつて111のトランスミツシヨンゲートをス
イツチングして8104と8105の信号を切り換えて8106の信
号電極波形を作つている。8107,8108,8106の波形及び、
この合成波形を第68図の681,682,683,684のタイミング
チヤートに示す。

この駆動波形の駆動条件を示すとつぎのようになる。

第81図8111の画素について液晶素子の動作を説明する
と、第68図t₀₄の間が奇数フレームの直前に印加される
消去パルスで、｜−V₄−V₅|＞|Vsat₂₂|の電圧パルスを
印加して液晶素子の前のメモリー状態を消してオフ状態
とし、t₁₁の間が奇数フレームの選択期間で、信号電極
に印加される波形がオン波形であるか、オフ波形である
かによつて、走査電極波形との合成電圧が、第82図の82
1に示す波形か、822で示す波形かを選択し、821で示す
波形であれば液晶素子はオン状態となり、822で示す波
形であればオフ状態のままとなる。そして、非選択期間
t₁₂の間は、しきい電圧より絶対値の小さなV₅,−V₅の電
圧しか液晶素子に印加されないので、t₁₁の間に書き込
まれた状態を保持する。また、選択期間t₁₁中に液晶素
子にデータを書き込んでいるときに、それと同時に、次
に選択される液晶素子には、682で示すように消去パネ
ルが印加されて前のメモリー状態を消去している。次
に、偶数フレームについてみると、t₁₄が偶数フレーム
直前に印加される消去パネルで、奇数フレーム直前のt
₀₄のときは逆極性のパルスで、（V₁＋V₅）＞Vsat₂₁の電
圧パルスを印加して液晶素子の前のメモリー状態を消し
てオン状態とし、t₂₁の間が選択期間で、信号電極に印
加される波形がオン波形であるか、オフ波形であるかに
よつて走査電極波形との合成電圧が、第82図の821で示
す波形か、822で示す波形かを選択し、821で示す波形で
あれば液晶素子はオフ状態となり、822で示す波形であ
ればオン状態のままとなる。そして、非選択期間t₂₂の
間は、奇数フレームのときと同様でt₂₁の間に書き込ま
れた状態を保持する。また選択期間t₂₁中に液晶素子に
データを書き込んでいるときに、それと同時に、次に選
択される液晶素子には、682で示すように消去パルスが
印加されて前のメモリー状態を消去している。このよう
に、液晶素子にデータを書き込むのと同時に、次に選択
される液晶素子には消去パルスを印加することによつて
選択期間を従来の半分とすることができる。また、この
実施例では、液晶素子を選択する直前に消去パルスを印
加しているが、この消去パルスは、選択期間の直前に出
す必要はなく、選択期間よりある時間前に消去パルスを
印加してもよい。

実施例24 本実施例も、第82図（ａ）および（ｂ）に示すような強
誘電性液晶のしきい値特性を利用した駆動方法である。

第69図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図であり、691はフレーム信号で、6
92は極性切り換え信号である。この691,692の信号によ
つてトランスミツシヨンゲート111をスイツチングし
て、V₁,−V₂,−V₇,−V₈,−V₃,−V₆の電圧を切り換えて
奇数走査電極選択波形694と、偶数走査電極選択波形695
と、走査電極非選択波形696を作つている。

また、691,692およびクロツクパルス693の信号によつ
て、トランスミツシヨンゲート111をスイツチングし
て、−V₂,−V₄,−V₅,−V₇の電圧を切り換えて信号電極
オン波形697と信号電極オフ波形698を作つている。

これらの波形のタイミングチヤートを第70図に示す。第
70図694,695,696,697,698の各波形を第81図の駆動回路
に入力し、694は8101と695は8102と、696は8103と、697
は8105と、698は8105と、それぞれ接続する。そして、
第81図117,118,119,120,121の各信号によつて、実施例2
3と同様の動作で、第71図711の奇数走査電極波形と、71
2の偶数走査電極波形と、713の信号電極波形を作り、液
晶素子に印加する。その合成波形を714に示す。この駆
動波形の駆動条件を示すとつぎのようになる。

第81図8111の画素について液晶素子の動作を説明する
と、第71図t₀₄の間が奇数フレームの直前に印加される
消去パルスで、711の走査電極波形と713の信号電極波形
の合成電圧で常に｜−V₈＋V₂|＞|Vsat₂₂|の電圧パルス
を印加して液晶素子の前のメモリー状態を消去してオフ
状態とし、t₁₁の間が奇数フレームの選択期間で、信号
電極に印加される波形がオン波形であるか、オフ波形で
あるかによつて、走査電極波形との合成電圧が、第82図
の821で示す波形か、822で示す波形かを選択し、821で
示す波形であれば液晶素子はオン状態となり、822で示
す波形であればオフ状態のままとなる。そして、非選択
期間は、走査電極波形711は、−V₃と−V₆の電圧が交互
に印加されて、713の信号電極波形との合成波形では、7
14で示すように常にしきい電圧より絶対値の小さな電圧
しか液晶素子に印加されないためt₁₁の間に書き込まれ
た状態を保持する。また、選択期間t₁₁中に液晶素子に
データを書き込んでいるときに、それと同時に、次に選
択される液晶素子には、712で示す走査電極波形が印加
されているため、t₀₄の間とは逆極性の消去パルスが印
加されて前のメモリー状態を消去してオン状態としてい
る。次に、偶数フレームについてみると、直前のt₁₄の
間が消去パルスで、奇数フレーム直前のt₀₄のときとは
逆極性のパルスで、（V₁＋V₇）＞Vsat₂₁の電圧パルスを
印加して液晶素子の前のメモリー状態を消去してオン状
態とし、t₂₁の間が選択期間で、信号電極に印加される
波形がオン波形であるか、オフ波形であるかによつて、
走査電極波形との合成電圧が第82図の821で示す波形
か、822で示す波形かを選択し、821で示す波形であれば
液晶素子はオフ状態となり、822で示す波形であればオ
ン状態のままとなる。そして、非選択期間は、奇数フレ
ームと同様でt₂₁の間に書き込まれた状態を保持する。
また、選択期間t₂₁中に液晶素子にデータを書き込んで
いるときに、それと同時に次に選択される液晶素子は、
712で示す走査電極波形が印加されているため、t₁₄の間
とは逆極性の消去パルスが印加されて前のメモリー状態
を消去してオフ状態としている。このように、液晶素子
にデータを書き込むのと同時に、次に選択される液晶素
子には消去パルスを印加し、しかも、奇数番目に選択さ
れる液晶素子と、偶数番目に選択される液晶素子では、
印加する消去パルスと選択パルスとの極性が逆であるこ
とによつて選択期間を従来の半分にすることができる。
また、走査電極に印加する電圧を低くすることができる
駆動方法である。

この実施例では、液晶素子を選択する直前に消去パルス
を印加しているが、この消去パルスは、選択期間の直前
に出す必要はなく、選択期間よりある時間前に消去パル
スを印加してもよい。

実施例25 第72図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図である。721はフレーム信号で、7
22はクロツク信号である。この721,722の信号によつて
トランスミツシヨンゲート111をスイツチングしてV₁,
V₂,−V₃,−V₄の電圧を切り換えて走査電極選択波形725
を作つている。また、V₅,−V₅の電圧を切り換えて信号
電極オン波形726と信号電極オフ波形727を作つている。
これらの波形のタイミングチヤートを第73図に示す。第
73図725,726,727の信号を第81図の駆動回路に入力し
て、725は8101,8102と、726は8105と、727は8104と、81
03は０ボルトと、それぞれ接続する。第81図121は走査
電極データで、これをシフトクロツク120によつて走査
電極側シフトレジスタ115に転送して、一走査線ずつ順
次選択信号を出す。この選択信号によつてトランスミツ
シヨンゲート111をスイツチングして8107の走査電極波
形を作つている。第81図117は信号電極データで、これ
をシフトクロツク118によつて、信号電極側シフトレジ
スター114に転送し、一走査線分のデータを転送したと
きに119のラツチ信号によつて116のラツチ回路にラツチ
する。このラツチ出力によつて111のトランスミツシヨ
ンゲートをスイツチングして、8104,8105の信号を切り
換えて8106の信号電極波形を作つている。8107,8106の
波形及び、この合成波形を第74図714,742,743のタイミ
ングチヤートに示す。この駆動波形の駆動条件を示すと
つぎのようになる。

第81図8111の画素について液晶素子の動作を説明する
と、第74図t₁₁の間が奇数フレームの選択期間であり、t
₁₄の間が消去パルスで、負の飽和電圧より絶対値の大き
な電圧パルスが印加されて液晶素子は前のメモリー状態
が消去されてオフ状態となる。そして、t₁₅の間が書き
込みパルスで、信号電極波形がオン波形であれば、液晶
素子に印加される電圧は正の飽和電圧以上となり、液晶
素子はオン状態となり、信号電極波形がオフ波形であれ
ば、液晶素子に印加される電圧は正のしきい電圧以下と
なり、液晶素子はオフ状態のままとなる。そして、t₁₆
の間に走査電極に印加する電圧はゼロボルトとする。ま
た、非選択期間t₁₂は、しきい電圧より絶対値の小さなV
₅,−V₅の電圧しか液晶素子に印加されないので、t₁₅の
間に書き込まれた状態を保持する。

次に、偶数フレームの選択期間についてみるとt₂₁の間
が選択期間で、t₂₄の間が消去パルスであり、奇数フレ
ームのときとは逆極数の電圧の正の飽和電圧以上の電圧
パルスが印加されて液晶素子はオン状態となる。そし
て、t₂₅の間が書き込みパルス、信号電極波形がオン波
形であれば、液晶素子に印加される電圧は、負のしきい
電圧より絶対値が小さくなり、液晶素子は消去されたま
まのオン状態となり、信号電極波形がオフ波形であれ
ば、液晶素子に印加される電圧は、負の飽和電圧より絶
対値の大きな電圧パルスが印加されて液晶素子はオフ状
態となる。そして、t₂₆の間に走査電極に印加する電圧
はゼロボルトとする。

また、非選択期間t₂₂の間は、奇数フレームのときと同
様で、t₂₅の間に書き込まれた状態を保持する。このよ
うな駆動にすることによつて非選択期間に印加される電
圧パルスのパルス幅が常にt₁₄の幅で一定であり、コン
トラストむらがなくなる。

実施例26 第75図は、本実施例における駆動波形を実現する具体的
回路を示すブロツク図である。751はフレーム信号で、7
52はクロツク信号である。この751,752の信号によつて
トランスミツシヨンゲート111をスイツチングしてV₁,
V₂,−V₃,−V₆,−V₇,−V₈の電圧を切り換えて走査電極選
択波形755を作り、−V₃,−V₆の電圧を切り換えて走査電
極非選択波形756を作つている。また、−V₂,−V₃,−V₄,
−V₅,−V₆,−V₇の電圧を切り換えて信号電極オン波形75
7と、信号電極オフ波形758作つている。これらの波形の
タイミングチヤートを第76図に示す。第76図755,756,75
7,758の信号を第81図の駆動回路に入力し、755は8101,8
102と、756は8103と、757は8105と、757は8104と、それ
ぞれ接続する。そして第81図117,118,119,120,121の各
信号によつて、実施例25と同様の動作で、第77図771の
走査電極波形と、772の信号電極波形を作り、液晶素子
に印加し、その合成波形を773に示す。この駆動波形の
駆動条件を示すとつぎのようになる。

第81図8111の画素について液晶素子の動作を説明する
と、第77図t₁₁の間が奇数フレームの選択期間であり、t
₁₄の間が消去パルスで、負の飽和電圧より絶対値の大き
な電圧パルスが印加されて液晶素子は前のメモリー状態
が消去されてオフ状態となる。そして、t₁₅の間が書き
込みパルスで、信号電極波形がオン波形であれば、液晶
素子に印加される電圧は正の飽和電圧以上となり、液晶
素子はオン状態となり、信号電極波形がオフ波形であれ
ば、液晶素子に印加される電圧は正のしきい電圧以下と
なり、液晶素子はオフ状態のままとなる。そして、t₁₆
の間に走査電極に印加する電圧は−V₃とする。また、非
選択期間t₁₂は、走査電極波形771は、−V₃,−V₆の電圧
が交互に印加されて、772との合成波形では、773で示す
ように常にしきい電圧より絶対値の小さな電圧しか液晶
素子に印加されないためt₁₅の間の状態に保持する。次
に、偶数フレームについてみると、t₂₁の間が選択期間
で、t₂₄の間が消去パルスであり、奇数フレームのとき
とは逆極性の正の飽和電圧以上の電圧パルスが印加され
て液晶素子はオン状態となる。そして、t₂₅の間が書き
込みパルスで、信号電極波形がオン波形であれば、液晶
素子に印加される電圧は、負のしきい電圧より絶対値が
小さくなり、液晶素子は消去されたままのオン状態とな
り、信号電極波形がオフ波形であれば、液晶素子に印加
される電圧は、負の飽和電圧より絶対値の大きな電圧パ
ルスが印加されて、液晶素子はオフ状態となる。そし
て、t₂₆の間に走査電極に印加する電圧は−V₆とする。

また、非選択期間t₂₂の間は、奇数フレームと同様にt₂₅
の間の状態を保持する。

このような駆動の場合、液晶素子に印加される合成波形
としては、実施例25と同じであるが、走査電極に印加す
る電圧を低くすることができる駆動方法である。

実施例27 第83図に交流バイアスによるメモリー状態保持の効果図
を示す。Ｖは、液晶素子に印加する電圧で、Ｉは、液晶
素子の透過状態を示している。液晶素子にV₁の電圧を印
加して、I₁の状態にしてその後印加電圧を０ボルトとす
ると液晶素子は、I₁の状態から次第にメモリーが悪くな
つて点線で示すようにI₅までメモリーが落ちてゆく。し
かし、交流バイアスを印加することによつてメモリー性
の悪さを改善してI₃の状態に保持することができる。第
78図はこの交流バイアスの効果を利用した本実施例の駆
動波形を実現する具体的回路を示すブロツク図である。
781はフレーム信号で、782は極性切り換え信号である。
この781,782の信号によつて、トランスミツシヨンゲー
ト111をスイツチングして、V₂,V₃,−V₄,−V₅の電圧を切
り換えて走査電極選択波形784を作り、783の信号によつ
て、V₁,−V₆の電圧を切り換えて走査電極非選択波形785
を作つている。また、V₇,−V₈の電圧を切り換えて信号
電極オン波形786と、信号電極オフ波形787を作つてい
る。これらの波形のタイミングチヤートを第79図に示
す。第79図784,785,786,787の信号を第81図の駆動回路
に入力し、784は8101,8102と、785は8103と、786は8105
と、787は8104と、それぞれ接続する。第81図121は走査
電極データで、これをシフトロツク120によつて走査電
極側シフトレジスター115に転送して一走査線づつ順次
選択信号を出し、この選択信号によつてトランスミツシ
ヨンゲート111をスイツチングして8107の走査電極波形
を作つている。第81図117は信号電極データで、これを
シフトクロツク118によつて信号電極側シフトレジスタ
ー114に転送し、一走査線分のデータを転送したときに
ラツチ信号119によつてラツチ回路116にラツチし、この
ラツチの出力によつてトランスミツシヨンゲート111を
スイツチングして、8104と8105の信号を切り換えて8106
の信号電極波形を作つている。この8107と8106の波形及
び、この波形の合成波形のタイミングチヤートを第80図
801,802,803に示す。この波形の駆動条件を示すとつぎ
のようになる。

第81図8111の画素について液晶素子の動作を説明する
と、第80図t₁₁の間が奇数フレームの選択期間で、この
期間中のt₁₄の間が消去パルスで、負の飽和電圧より絶
対値の大きな電圧パルスが印加されて、前のメモリー状
態が消去されてオフ状態となる。そして、t₁₅の間が書
き込みパルスで、信号電極波形がオン波形であれば、液
晶素子に正の飽和電圧以上の電圧パルスが印加されて液
晶素子はオン状態となり、信号電極波形がオフ波形であ
れば、液晶素子に正しいしきい電圧以下の電圧パルスが
印加されて液晶素子はオフ状態のままとなる。そして、
t₁₂の間が非選択期間で高周波交流バイアスを印加す
る。この高周波交流バイアスの周波数と電圧は、液晶素
子が応答できる限界ぎりぎりの周波数と電圧であり、周
波数は数KHz〜数100KHz、電圧は数10ボルトである。こ
の非選択期間の交流バイアスによつて液晶素子のメモリ
ー性を良くしてデータを保持している。次に、偶数フレ
ームについてみると、t₂₁の間が選択期間で、この期間
中のt₂₄の間が消去パルスで、奇数フレームのときとは
逆極性の正の飽和電圧以上の電圧パルスが印加されて液
晶素子はオン状態となる。そして、t₂₅の間が書き込み
パルスで、信号電極波形がオン波形であれば、液晶素子
の負のしきい電圧より絶対値の小さな電圧パルスが印加
されて液晶素子はオン状態のままとなり、信号電極波形
がオフ波形であれば、液晶素子は負の飽和電圧より絶対
値の大きな電圧パルスが印加されて液晶素子はオフ状態
となる。そして非選択期間は、奇数フレームのときと同
様で高周波交流バイアスによつてメモリー状態を保持す
る。なお、上記各実施例では、２値表示における駆動方
法について説明したが、階調表示についても同じように
駆動することができ、走査電極に印加する波形について
は、上記実施例と同じでよく、信号電極に印加する電圧
を階調データによつて変化させて、書き込みパルスの間
に液晶素子に印加する電圧をしきい電圧から飽和電圧の
間で変化させればよい。また、階調データによつて、信
号電極波形のパルス幅を変化させることによつて階調表
示をすることもできる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、強誘電液晶素子特有
のパルス幅依存性を充分に考慮し、しかも液晶には、画
素の選択内容及び多重度に関係なく、常に平均値が零と
なるように電圧パルスが印加されるため、直流成分によ
る液晶素子の劣化を防止し、長期にわたり良好な光透過
特性を維持できるという効果を有する。更に、用途も表
示素子に限定されず、電子シヤツター、偏光器等にも応
用が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および（ｂ）は、強誘電性液晶の分子の配
列状態を示す図。 第２図（ａ）は、本発明の各実施例で用いた液晶素子の
一例を示す断面図。 第２図（ｂ）は、第２図（ａ）に示す液晶素子の電極構
造を示す図。 第３図は本発明の実施例１に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第４図は第３図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第５図は第４図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第６図は本発明の実施例２に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第７図は第６図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第８図は第７図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第９図は本発明の実施例３に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第10図は第９図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第11図は第10図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第12図は本発明の実施例４に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第13図は第12図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第14図は第13図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第15図は本発明の実施例５に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第16図は第15図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第17図は第16図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第18図は本発明の実施例６に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第19図は第18図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第20図は第19図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第21図は本発明の実施例７に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第22図は第21図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第23図は第22図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第24図は本発明の実施例８に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第25図は第24図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第26図は第25図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第27図は本発明の実施例９に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第28図は第27図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第29図は第28図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第30図は本発明の実施例10に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第31図は第30図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第32図は第31図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第33図は本発明の実施例11に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第34図は第33図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第35図は第34図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第36図は本発明の実施例12に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第37図は第36図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第38図は第37図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第39図は本発明の実施例13に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第40図は第39図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第41図は第40図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第42図は本発明の実施例14に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第43図は第42図に示す駆動波形を実現する具体的回路の
一例を示す図。 第44図は第43図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第45図は本発明の実施例15に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第46図は第45図に示す回路の各点における信号波形のタ
イミングチヤートおよび駆動波形と光透過特性の関係を
示す図。 第47図は本発明の実施例16に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第48図は第47図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第49図は本発明の実施例16に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第50図は本発明の実施例17に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第51図は第50図に示す回路の各点における信号波形のタ
イミングチヤートおよび駆動波形と光透過特性の関係を
示す図。 第52図は本発明の実施例18に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第53図は第52図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第54図は本発明の実施例18に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第55図は本発明の実施例19に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第56図は第55図に示す回路の各点における信号波形のタ
イミングチヤートおよび駆動波形と光透過特性の関係を
示す図。 第57図は本発明の実施例20に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第58図は第57図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第59図は本発明の実施例20に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第60図は本発明の実施例21に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第61図は第60図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第62図は本発明の実施例21に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第63図は本発明の実施例22に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第64図は第63図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第65図は本発明の実施例22に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図である。 第66図は本発明の実施例23に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第67図は第66図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第68図は本発明の実施例23に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第69図は本発明の実施例24に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第70図は第69図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第71図は本発明の実施例24に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第72図は本発明の実施例25に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第73図は第72図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第74図は本発明の実施例25に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図である。 第75図は本発明の実施例26に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第76図は第75図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第77図は本発明の実施例26に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第78図は本発明の実施例27に示す駆動波形を実現する具
体的回路の一例を示す図。 第79図は第78図に示す回路の各点における信号波形を示
すタイミングチヤート図。 第80図は本発明の実施例27に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 第81図は本発明の各実施例で用いた駆動回路の一例を示
す図。 第82図（ａ）および（ｂ）は印加電圧の波形による光透
過特性の変化を示す図。 第83図は交流バイアス電圧印加時の駆動波形と光透過特
性の関係を示す図。 11,12……基板 13……走査電極 14……信号電極 15……配向膜 16……強誘電性液晶 17,18……偏光板 19……シール剤 111……トランスミツシヨンゲート 112……フリツプフロツプ 113……液晶素子 114……信号電極側シフトレジスタ 115……走査電極側シフトレジスタ 116……ラツチ回路 117……信号電極データ 118……信号電極シフトクロツク 119……ラツチ信号 120……走査電極シフトクロツク 121……走査電極データ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願昭61−45868 (32)優先日 昭61(1986)３月３日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (56)参考文献 特開 昭60−173591（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−52630（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−230197（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】走査電極群を有する基板と信号電極群を有
   する基板との間にメモリー性を有する液晶を挟持してな
   る液晶素子を線順次走査によりマルチプレックス駆動す
   る液晶素子の駆動方法において、 前記走査電極群に、選択期間では選択電位を、非選択期
   間では非選択電位を有する走査信号を供給し、前記信号
   電極群に前記選択期間毎に表示状態選択用のデータ信号
   を供給し、 前記選択期間内もしくは前記選択期間の直前の非選択期
   間内に前記液晶の分子を所定の配列方向に揃える、前記
   液晶表示素子の飽和値以上の少なくとも１個の電圧パル
   スを前記液晶に印加し、その後前記選択期間内に前記液
   晶の分子を、表示状態に対応する所定の配列方向に設置
   するための電圧パルスを前記液晶に印加し、 前記データ信号の中間電位を基準電位としたとき、前記
   走査信号は、前記基準電位に対して正、負となる複数の
   電圧パルスから成り、前記選択期間及びそれに続く前記
   非選択期間を含む所定期間内において、正の電圧パルス
   の積分値と負の電圧パルスの積分値とが異なり、かつ、
   連続する２つの前記所定期間において前記正、負の電圧
   パルスの極性が反転され、前記データ信号は、前記基準
   電位に対して正、負となる複数の電圧パルスから成り、
   前記所定期間内において、正の電圧パルスの積分値と負
   の電圧パルスの積分値とが等しく設定されて、前記２つ
   の所定期間内において前記液晶に印加される電圧の平均
   値を零に設定したことを特徴とする液晶素子の駆動方
   法。