JPH0760360B2 - キ−ボ−ドの打ち込みキ−判別方法および打ち込みキ−判別装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、キ−の打ち込みを電
気信号に変換し、電気信号から、打ち込まれたキ−を判
別するキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別方法および打ち込
みキ−判別装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】パ−ソナルコンピュ−タ（パソコン）等
のコンピュ−タやワ−ドプロセッサ（ワ−プロ）等の入
力手段として、たとえば、プッシュボタンのような、多
数のキ−を数行にわたって規則的に整列させたキ−ボ−
ドが知られている。キ−ボ−ドでは、一般に、操作者が
キ−を任意に打ち込む（押し込む）ことによって入力さ
れる。

【０００３】このようなキ−ボ−ドにおいては、通常、
打ち込みキ−判別装置がキ−ボ−ドに内蔵され、打ち込
みキ−判別装置によって、キ−の打ち込みが電気信号に
変換され、電気信号から、打ち込まれたキ−が判別され
る。そして、打ち込みキ−判別装置からの信号が、キ−
ボ−ドからの入力情報として、パソコン本体等の中央演
算処理装置(CPU) に入力され、適宜処理される。

【０００４】キ−の打ち込みを電気信号に変換する打ち
込みキ−判別装置として、たとえば、互に接触可能な一
対の接点を、各キ−ごとに、キ−側とキ−ボ−ドベ−ス
側とにそれぞれ設けた接点式の構成が知られている。

【０００５】このような構成では、キ−の打ち込みによ
る一対の接点間の接触によって、キ−の打ち込みが電気
信号に変換され、電気信号から、打ち込まれたキ−が判
別される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】接点式の打ち込みキ−
判別装置においては、キ−の打ち込み毎に、一対の接点
が接触、離反を繰り返すため、一対の接点が消耗しやす
い。特に、使用頻度の高いキ−においては、接触面の変
形、劣化等による接触不良を生じやすい。接点の接触不
良は、キ−の打ち込み時において、たとえば、信号の未
入力や重複入力等の誤動作（誤入力）を生じ、操作性が
低下する。

【０００７】また、公知の構成においては、一対の接点
が各キ−ごとに設けられている。つまり、１つのキ−ボ
−ドにおいて、一対の接点は、キ−ボ−ド上のキ−と同
じ数だけ必要となり、かなりの数となる。

【０００８】ここで、キ−の打ち込みによって生じた電
気信号の出力経路を形成するために、キ−ボ−ドベ−ス
側の接点は、プリント基板等に、はんだ付けによって配
設、固定されている。そして、キ−ボ−ドの組立工程に
おいて、プリント基板への接点のはんだ付けは、キ−と
同数の作業工程数を要し、キ−ボ−ドの組立工程が煩雑
化する。

【０００９】そして、一対の接点を接触、離反可能とし
ているため、および、電気信号を出力可能とするための
構成部材が、キ−に対応する数だけそれぞれ必要とな
る。そのため、キ−ボ−ドを構成するための部品点数が
多くなり、構成的に複雑化してキ−ボ−ドが高価とな
る。

【００１０】この発明は、接点を接触させずに電気信号
を生じさせるキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別方法の提供
を目的としている。また、この発明は、接点を接触させ
ずに電気信号を生じる簡単な構成のキ−ボ−ドの打ち込
みキ−判別方法の提供を別の目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明においては、周波数シフトした光ビ−ムを
２つの光ビ−ム（参照光、反射信号光）に分割し、それ
らを周波数シフト光ヘテロダイン検波してビ−ト信号を
生じさせ、ビ−ト周波数から、反射信号光を生じたキ
−、つまり、打ち込みキ−が判別されている。

【００１２】ビ−ト周波数の代わりに、振幅変調した参
照光、反射信号光の光路差による時間ズレから生じる振
幅変調信号光の位相差を検出し、この位相差から、打ち
込みキ−を判別してもよい。

【００１３】反射信号光は、全反射させてもよいし、透
過する光ビ−ムをシャッタ−で遮り、それ以降の反射信
号光を消滅させてもよい。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照しながらこの発明の実施例
について詳細に説明する。

【００１５】図１、図２に示すように、この発明に係る
キ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置10において、光源12
からの光ビ−ムを反射可能なキ−反射板14が、キ−16と
一体的に昇降可能に設けられ、キ−の打ち込みによっ
て、光源からの光ビ−ムを所定方向に反射させるように
構成されている。

【００１６】キ−ボ−ド11は、一般に、パ−ソナルコン
ピュ−タ（パソコン）、ワ−ドプロセッサ（ワ−プロ）
等の入力手段とされ、図３に示すように、パソコン等の
本体への種々の命令を入力する多数のキ−16が、キ−ボ
−ドベ−ス18に、数段にわたってほぼ規則的に整列され
ている。キ−16は、図２に示すように、たとえば、下端
に支持ロッド20を有して形成され、挿通孔22への支持ロ
ッドの遊挿によって、キ−がキ−ボ−ドベ−ス18に取付
けられている。

【００１７】たとえば、キ−ボ−ドベ−ス18の上方で支
持ロッド20に巻装されたリタ−ンばね24によって、キ−
16は上方に偏倚されるとともに、キ−ボ−ドベ−スの下
方で支持ロッドに設けられたストッパ26によって、上方
へのキ−の離脱が防止されている。

【００１８】リタ−ンばね24として、たとえば、圧縮コ
イルばねが利用される。しかし、リタ−ンばね24は、圧
縮コイルばねに限定されず、たとえば、ねじりばね、板
ばねからリタ−ンばねを形成してもよい。

【００１９】このように、キ−16は、リタ−ンばね24の
偏倚力に抗して、上方から打ち込み（押込み）可能に構
成され、操作者がキ−を任意に打ち込むことによって、
キ−ボ−ド11が操作され、パソコン等の本体に種々の情
報が入力される。そして、キ−16を打ち込んだ後、キ−
への操作力を除くと、キ−は、リタ−ンばね24の偏倚力
のもとで上方に偏倚されて、初期位置に自動的に復帰さ
れる。

【００２０】なお、このようなキ−16は、キ−ボ−ドベ
−ス18に対して打ち込み可能であれば足りるため、図示
の構成に限定されない。ここで、キ−自体の構成は公知
であり、その構成自体はこの発明の趣旨でないため、そ
の詳細な説明は省略する。

【００２１】キ−反射板14が、支持ロッド20の下端に固
定され、キ−16と一体的に昇降可能に構成されている。
図２、図４を見るとわかるように、キ−反射体14は、た
とえば、支持ロッド20の下端に固着された基部14a の一
サイドの表面に、アルミ蒸着等によって形成されてい
る。なお、キ−反射体14は、光源12からの光ビ−ム28を
反射可能に、光源サイドに配置されている（図２参
照）。

【００２２】図１に示すように、光源12として、たとえ
ば、単一指向性の光ビ−ム（レ−ザビ−ム）28をキ−の
配列部、つまりはキ−列方向に照射可能な半導体レ−ザ
発振器が利用される。なお、半導体レ−ザ発振器（光
源）12の出力は 2mW以上にするとよい。

【００２３】半導体レ−ザ発振器（光源）12は、たとえ
ば、電流変調電源30を介して波形発振機32に接続され、
それによって、周波数シフトされた光ビ−ム28が照射可
能となっている。

【００２４】半導体レ−ザ発振器12からの光ビ−ム28
は、光アイソレ−タ34を介してレンズ系36に照射され、
レンズ系によって集束されて、キ−配列部（キ−列）方
向に伝搬、照射されている。

【００２５】この発明では、半導体レ−ザ発振器12から
の光ビ−ム28を２分割し、一方を参照光（基準光）、他
方をキ−反射板で反射された反射信号光とし、参照光、
反射４号光を周波数シフト光ヘテロダイン検波して、ビ
−ト信号を発生させ、ビ−ト周波数から打ち込まれたキ
−を判別している。

【００２６】図１に示すように、分割手段38はハ−フミ
ラ−からなり、ハ−フミラ−は、たとえば、薄い被膜を
介して重ね合された２個のプリズム38a、38b の一対の重
合面で光ビ−ム28を反射、透過して分割する半透明反射
面となっている。このような２個のプリズム38a、38b を
組合せてなるハ−フミラ−38は、通常、ハ−フミラ−キ
ュ−ブと称される。薄い透明ガラスやプラスチック板の
片面に薄い被膜を成形した半透明反射板からハ−フミラ
−を形成してもよい。

【００２７】ハ−フミラ−38に、半導体レ−ザ発振器12
からの光ビ−ム28が照射されると、ハ−フミラ−38によ
って、反射した第１ビ−ム28a および透過した第２ビ−
ム28b に光ビ−ムが分割され、各光ビ−ムが、プリズム
38a、38b を介して、それぞれの方向に伝搬、照射され
る。この発明では、周波数シフトした光ビ−ム28を使用
しているため、第１ビ−ム28、 第２ビ−ム28b が光ビ−
ム28から容易に分離できる。

【００２８】ここで、プリズム38a の一面にアルミ蒸着
等を施し全反射鏡として、反射体42を形成し、第１ビ−
ム28a を透過させることなく、反射体でハ−フミラ−方
向に折り返し反射している。

【００２９】このような構成では、反射体42によって全
反射された第１ビ−ム28a が、参照光として、受光体と
なるハ−フミラ−38に再度照射されている。反射体42は
第１ビ−ム28a を全反射することが好ましいとはいえ、
部分的に透過させてもよい。

【００３０】また、図１、図２に示すように、ハ−フミ
ラ−38で分割された第２ビ−ム28bは、打ち込まれたキ
−のキ−反射体14(14-4)でのみ反射されるように、キ−
列方向（図中左方）に照射されている。そして、打ち込
まれたキ−のキ−反射体14(14-4)で反射された第２ビ−
ム28b は、反射信号光として、たとえば、受光体となる
ハ−フミラ−38に再度照射されている。

【００３１】ここで、ハ−フミラ−38に折り返し反射さ
れた参照光28a 、反射信号光38b を、ハ−フミラ−で干
渉させると、参照光（第１ビ−ム）、反射信号光（第２
ビ−ム）の照射距離の違いから、干渉信号光40が生じ
る。

【００３２】そして、ハ−フミラ−38で生じた干渉信号
光40は、図１に示すように、たとえば、レンズ系44によ
って集束され、光検出手段46でビ−ト周波数が検出され
ている。

【００３３】光検出手段46として、たとえば、光ヘテロ
ダイン検波の可能な２乗検波光検出器が利用される。そ
して、光検出手段46は、たとえば、アンプ48を介して、
出力手段50に接続され、ビ−ト周波数に対応した電気信
号が出力されている。

【００３４】出力手段50は、たとえば、キ−16の打ち込
みによって発生、検出されるキ−毎に異なる干渉信号光
40のビ−ト周波数を中心周波数とする多段のバンドパス
フィルタとされる。そして、対応するバンドパスフィル
タのオン、オフによって生じる電気信号の有無によっ
て、打ち込みキ−が判別される。

【００３５】出力手段50は、検出ビ−ト周波数に応じて
電気信号を出力すれば足り、バンドパスフィルタに限定
されず、たとえば、走査型フィルタから出力手段を構成
してもよい。

【００３６】たとえば、光ヘテロダイン検波によるビ−
ト周波数ｆは、 ｆ＝４ΔＬ・δν・ｆm ／ｃ によって算出される。

【００３７】ただし、上記の数式において、ｆはビ−ト
周波数、ΔＬは参照光と反射信号光との照射距離の差
（光路差）、δνは周波数シフト量、ｆm は周波数シフ
トの繰り返し周波数、ｃは光速度である。

【００３８】ここで、たとえば、δν＝30GHz、fm＝500H
z とすると、上記数式により、ΔＬ＝20mm、500mm、1000m
m に対し、ｆ＝4KHz、100KHz、200KHzとなる。

【００３９】つまり、キ−間隔の最小を20mmとした場合
においては、出力手段50のバンドパスフィルタを4KHz毎
に形成すれば、打ち込みキ−に対応する電気信号の出力
が可能となる。

【００４０】なお、この構成における、最小距離分解能
δL は、δL ＝ｃ／４δνで決まるため、δν＝30GHで
あれば、δL ＝2.5mm となる。

【００４１】図１に示すように、ハ−フミラ−38が基準
点L0となり、基準点L0からキ−列のキ−ポジションL1〜
Lnまでの距離に対応した干渉信号光40が、参照光28a、反
射信号光28b の重畳から生じる。

【００４２】つまり、図１、図２に示すように、キ−16
(16-4)の打ち込みによって、対応するキ−反射体14(14-
4)が下降して第２ビ−ム28b の光路に介在されると、第
２ビ−ムがキ−反射体14-4によって反射される。する
と、反射信号光（第２ビ−ム）28b が、基準点L0からキ
−ポジションL4までの距離に応じた時間ズレを生じなが
ら、ハ−フミラ−38に再度照射される。

【００４３】そして、参照光（第１ビ−ム）28a、反射信
号光（第２ビ−ム）28b がハ−フミラ−38で干渉されて
干渉信号光40を生じ、光検出器46でビ−ト周波数が検出
され、出力手段50で対応する電気信号が出力されて、打
ち込まれたキ−が判別される。

【００４４】上記のように、この発明のキ−ボ−ドの打
ち込みキ−判別方法によれば、打ち込んだキ−のキ−反
射体14で反射された反射信号光28a と参照光28a とから
干渉信号光40を生じさせ、ビ−ト周波数から、打ち込み
キ−を判別している。つまり、一対の接点の接触によっ
て、キ−の打ち込みを電気信号に変換する公知の構成に
対して、この発明の打ち込みキ−判別方法は、接点を接
触させることのない無接触式となっている。

【００４５】そのため、接点の変形、劣化等に起因する
接触不良が防止でき、接点不良によって生じる誤入力
（誤動作）が確実に阻止され、キ−ボ−ド11の操作性が
改善される。

【００４６】また、接点がなく、半導体レ−ザ発振器12
からの光ビ−ム28を反射、受光すれば足りるため、キ−
16の使用頻度の影響を受けず、使用頻度の高い英字、数
字、記号等の、いわゆる、アルファ−ニュ−メリックキ
−の打ち込みキ−判別方法として、この発明の方法が特
に有効に利用できる。

【００４７】キ−16を最下位置まで打ち込んで、一対の
接点間を接触させる公知の構成に対して、この発明で
は、第２ビ−ム28b を反射させる位置まで、キ−反射体
14を下降させればよいため、キ−の打ち込み力、つまり
は操作力に影響を受けることなく、打ち込みキ−の検
出、判別が行える。そのため、軽いタッチでのキ−ボ−
ド操作が可能となる。

【００４８】キ−反射体14は、第２ビ−ム28b をハ−フ
ミラ−38に折り返し反射させればよいため、支持ロッド
20の軸線方向における、キ−16、キ−反射体等の加工公
差、組立公差等が比較的大きくとれる。

【００４９】さらに、キ−16と一体的に昇降可能なキ−
反射体14を設けるとともに、キ−列に対応する位置に半
導体レ−ザ発振器12、ハ−フミラ−38等を設ければよ
い。そのため、キ−ボ−ド11、光学系が一体的して平面
的に配設でき、構成が簡素化される。従って、組立時の
作業性が高く、キ−ボ−ド11の全体的なコストダウンが
十分に期待できる。また、構成の簡素化によって、故障
も少なくなり、メンテナンスも容易に行える。

【００５０】また、透明プラスチック等を光ビ−ムの伝
達媒体にしたり、光ビ−ムを分散したりする必要がな
く、構成が簡素化できる。

【００５１】この発明では、周波数シフト光ヘテロダイ
ン検波しているため、多段のバンドパスフィルタや走査
型フィルタのような出力手段50によって、打ち込まれた
キ−が確実、迅速に判別できる。

【００５２】そして、キ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装
置10によれば、簡単な構成にも拘らず、上記の打ち込み
キ−判別方法が適切に遂行できる。

【００５３】光路の末端に全反射体を設け、常時反射さ
せてその信号周波数を光路監視用に使用すれば、異変が
容易に検知でき、好ましい。

【００５４】実施例では、ハ−フミラ−38が、参照光28
a 、反射信号光28b を受光する受光体を兼ねているた
め、構成的に一層簡素化できる。しかし、ハ−フミラ−
38と別体の受光体で、参照光、反射信号光を受光しても
よい。

【００５５】また、ハ−フミラ−38がハ−フミラ−キュ
−ブから形成されているため、光ビ−ム28の分割が適切
に行えるとともに、第１ビ−ム28a を反射させる反射体
42がプリズム38a の一面へのアルミ蒸着によって容易に
形成でき、簡単な構成のハ−フミラ−が得られる。しか
し、プリズム以外の部材からハ−フミラ−38を形成して
もよい。

【００５６】また、実施例において、キ−反射体14は、
平面状の鏡面から形成されているが、これに限定され
ず、たとえば、図５に示すように、凹面状の鏡面として
もよい。このような、凹面状の反射鏡面によれば、上下
方向へのキ−反射体のブレや長距離の照射等によって分
散された第２ビ−ム28b が集束されてハ−フミラ−38に
折り返し照射されるため、光ビ−ムの強度低下が十分に
防止できる。

【００５７】そのため、キ−反射体14の成形やキ−自体
の取付け等に高い精度が要求されず、組立時の作業性が
向上される。この凹面鏡面のキ−反射体14は、ハ−フミ
ラ−38、キ−16間の距離の長い構成において、特に効果
的に利用できる。

【００５８】キ−反射体14は、基部表面にアルミ蒸着さ
れた鏡面として具体化されているが、光ビ−ム、つま
り、第２ビ−ム28b をハ−フミラ−方向に反射可能であ
れば足り、これに限定されない。たとえば、キ−の支持
ロッド20の下端に、直角プリズム（図６参照）やコ−ナ
−キュ−ブプリズム（図７参照）を固定し、これらのプ
リズムで第２ビ−ム28b を反射させてもよい。

【００５９】コ−ナ−キュ−ブプリズムをキ−反射体14
とした構成では、コ−ナ−キュ−ブプリズムの受光面が
上下方向、または、左右方向にブレても、受光した第２
ビ−ム28b がハ−フミラ−方向に確実に折り返し反射さ
れる。そのため、光ビ−ム28b の強度低下が確実に防止
できるとともに、キ−反射体の成形やキ−自体の取付け
等の精度が緩和される。

【００６０】実施例においては、図１に示すように、横
１列のキ−列を１ブロックとし、１ブロック毎に打ち込
みキ−を判別する構成として、打ち込みキ−判別装置10
が例示されている。しかし、これに限定されず、半導体
レ−ザ発振器12からの光ビ−ム28を多段のキ−列56で共
有する構成としてもよい。

【００６１】たとえば、図８に示すように、半導体レ−
ザ発振器12からの光ビ−ム28を多段のキ−列56(56-1 〜
56-3) の全てのキ−反射体に連続して照射可能に、キ−
列56を配置してもよい。

【００６２】図８では、ハ−フミラ−38からの第２ビ−
ム28b を反射させる全反射体であるコ−ナ−反射体58(5
8-1 〜58-5) が、多段のキ−列56(56-1 〜56-3) の各コ
−ナ−に配設されて、第２ビ−ム28b を次段のキ−列方
向に伝搬、照射している。

【００６３】半導体レ−ザ発振器12からの光ビ−ム28が
ハ−フミラ−38によって２分割されると、ハ−フミラ−
を透過した第２ビ−ム28b が、同一列のキ−列56-1に直
進して伝搬、照射される。そして、キ−列56-1を通過し
た第２ビ−ム28b は、コ−ナ−反射体58-1、58-2 でそれ
ぞれ反射されて、次段のキ−列58-2に伝搬、照射され
る。同様に、キ−列56-2を通過した第２ビ−ム28b は、
コ−ナ−反射体58-3、58-4 を介して隣接するキ−列56-3
に伝搬、照射され、最終のコ−ナ−反射体58-5に反射さ
れる。

【００６４】この構成では、第２ビ−ム28b が略Ｓ形の
一筆書き状に連続して、全てのキ−列に伝搬、照射され
る。そして、キ−16が任意に打ち込まれ、対応するキ−
反射体14が下降すると、第２ビ−ム28b がそのキ−反射
体に反射されて、ハ−フミラ−38からの伝搬と逆方向に
進行し、反射信号光としてハ−フミラ−に再度照射され
る。

【００６５】そのため、各キ−列毎に半導体レ−ザ発振
器12を設けることなく、キ−列56(56-1 〜56-3) への第
２ビ−ム28b の照射が得られ、部品点数が削減されて、
打ち込みキ−判別装置10が構成的に一層簡素化できる。

【００６６】また、一筆書き状に連続して照射する代わ
りに、図９に示すように、半導体レ−ザ発振器12からの
光ビ−ム28を分岐して、多段の各キ−列にそれぞれ伝
搬、照射させてもよい。

【００６７】たとえば、分岐手段60(60-1、60-2) および
反射手段61が、多段のキ−列56(56-1 〜56-3) に配設さ
れ、反射手段61は最終のキ−列56-3のコ−ナ−に、分岐
手段60は、最終のキ−列を除くキ−列(56-1、56-2) のコ
−ナ−にハ−フミラ−38とそれぞれ同列に設けられてい
る。たとえば、分岐手段は光ビ−ムの反射、透過の可能
な半透明反射面（ハ−フミラ−キュ−ブ）とされ、反射
手段61は光ビ−ムを反射させる全反射面となっている。

【００６８】そのため、半導体レ−ザ発振器12からの光
ビ−ム28がハ−フミラ−（分割手段）38で２分割される
と、ハ−フミラ−を透過した第２ビ−ム28b が、まず、
分岐手段60-1で、キ−列56-1方向と次段の分岐手段60-2
方向とに分岐される。また、分岐手段60-2に照射された
第２ビ−ム28b は、キ−列56-2方向と次段の反射手段61
方向とにさらに分岐され、反射手段61に照射された第２
ビ−ムは、キ−列56-3に照射される。

【００６９】そして、キ−列56-1〜56-3に照射された第
２ビ−ム28b は、打ち込まれたキ−16のキ−反射体14で
反射され逆方向に進行して反射信号光としてハ−フミラ
−に再度照射される。

【００７０】この構成においても、各キ−列毎に半導体
レ−ザ発振器12を設けることなく、各キ−列毎の第２ビ
−ム28b の照射が得られ、構成的に簡素化できる。

【００７１】そして、この構成では、分岐手段60(60-1、
60-2) および反射手段61が配設されるため、各キ−列毎
の第２ビ−ム28b の照射距離が抑制され、キ−反射体14
のブレや第２ビ−ム28b の分散化等による反射信号光の
強度低下が阻止される。

【００７２】分岐手段60(60-1、60-2) 、反射手段61によ
って第２ビ−ム28b をキ−列56(56-1 〜56-3) に光ビ−
ムを照射しているが、これに限定されず、たとえば、前
記半透明反射板と全反射板とを組合せて、キ−ボ−ドの
打ち込みキ−判別装置10を構成してもよい。

【００７３】実施例では、キ−列56を三段としている
が、三段に限らないことはいうまでもない。

【００７４】実施例において、キ−反射体14は、第２ビ
−ム28b を全反射させる構成として例示されているが、
これに限定されず、たとえば、部分的に透過させ、第２
ビ−ムをシャッタ−で遮断する構成としてもよい。

【００７５】たとえば、図10に示すこの発明の別実施例
のキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置10-2では、シャッ
タ−62が支持ロッド20を介してキ−16に一体的に設けら
れるとともに、キ−反射板64が隣接するキ−間にそれぞ
れ配設されている。

【００７６】キ−反射板64は、たとえば、光ビ−ム、つ
まりは第２ビ−ム28b を透過、反射可能な反射体とさ
れ、キ−ボ−ド11の固定プレ−ト66に固定されている。
そして、ハ−フミラ−38によって分割された第２ビ−ム
28b が、ハ−フミラ−サイド（図中右方）の反射板64-1
から順次反射、透過され、キ−16の打ち込みに伴う、シ
ャッタ−62の下降によって、第２ビ−ムが遮断可能とな
っている。

【００７７】シャッタ−62の非下降時においては、第２
ビ−ム28が全ての反射板62に反射され、それぞれの反射
信号光がハ−フミラ−38に照射され、各反射信号光に対
応するビ−ト周波数が検出される。そして、キ−16が打
ち込まれ、たとえば、対応するシャッタ−62-3が第２ビ
−ム28b の光路に下降すると、第２ビ−ムがシャッタ−
62-3によって遮断され、シャッタ−62-3より図中左方に
位置するキ−反射板64-4、64-5 からの反射信号光がそれ
ぞれ消滅する。

【００７８】つまり、この構成では、光検出器46および
出力手段50における、反射板64-4、64-5 からの反射信号
光に対応する干渉信号光40の消滅が検出されて、打ち込
まれたキ−が判別される。

【００７９】この構成のキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別
装置10-2によれば、第２ビ−ム28bが固定のキ−反射板6
4で反射されるため、キ−反射板にブレ等が生じること
もなく、ハ−フミラ−38への反射信号光の折り返しの反
射が確実に得られる。

【００８０】また、シャッタ−62は、第２ビ−ム28b を
遮断すれば足り、シャッタ−自体に高い精度は要求され
ない。

【００８１】上記の各実施例では、ハ−フミラ−38によ
って分割された第１ビ−ム28a 、第２ビ−ム28b をハ−
フミラ−で干渉させ、干渉によって発生するビ−ト周波
数から打ち込みキ−を判別可能に構成されている。しか
し、ビ−ト周波数によらず、第１ビ−ム、第２ビ−ムの
光路差に起因する位相差から、打ち込みキ−を判別する
こともできる。

【００８２】図11に示すように、キ−ボ−ドの打ち込み
キ−判別装置110 においては、第１ビ−ム28a 、第２ビ
−ム28b の振幅変調信号の位相をそれぞれ検出可能な第
１、第２の光検出器68、70 が設けられている。

【００８３】たとえば、波形発振器32が振幅変調電源13
0 を介して半導体レ−ザ発振器12に接続され、半導体レ
−ザを1MHz程度の正弦波信号で変調した光ビ−ム28をハ
−フミラ−（分割手段）38で参照光28a、反射信号光28b
に分割したとき、光検出器68で検出される参照光の出力
Ｉｒは、半導体レ−ザの変調周波数をｆｍとおけば、以
下の式から求められる。 Ｉｒ＝Ｉ・ｓｉｎ（２πｆｍ・ｔ）

【００８４】これに対して、反射信号光28b の位相は、
図12に示すように、光路差相当分（2Ln)だけ遅れ、光検
出器68、70 がハ−フミラ−38から等距離にあれば、光検
出器70における反射信号光28b の出力Ｉｎは以下となる
（C:光速度）。 Ｉｎ＝Ｉ・ｓｉｎ（２πｆｍ（ｔ−２Ｌｎ／ｃ）

【００８５】そのため、参照光28a、反射信号光28b の信
号の位相を比較して得られる位相差φ、および、それか
ら求められる距離Ｌｎは以下のようになる。 φ ＝２πｆｍ（２Ｌｎ／ｃ） Ｌｎ＝φ・ｃ／４πｆｍ このように、参照光28a、反射信号光28b の振幅変調光の
位相差φを検出すれば、距離Ｌｎが求められ、打ち込ま
れたキ−が判別される。

【００８６】実施例では、第１、第２の光検出器68、70
で検出された参照光28a 、反射信号光28b の振幅変調光
の位相は、各光検出器に接続された位相比較器72で比較
される。位相比較器72は、たとえば、図13に示す公知の
構成とされ、参照光28a 、反射信号光28b の振幅変調光
の位相差に相当する電圧値を出力し、位相比較器に接続
された出力手段74によって、その電圧値に対応する電気
信号が出力されて、打ち込まれたキ−14が判別されてい
る。

【００８７】このように、振幅変調した参照光28a 、反
射信号光28b の位相差の検出によって、打ち込みキ−が
判別でき、この構成においても、ビ−ト周波数による上
記実施例と同様な効果が得られる。

【００８８】図14に別実施例を示す。この実施例では、
参照光を出力する代わりに、波形発振器32または振幅変
調電源130 からの変調信号の位相を基準として比較し、
前記実施例と同様に打ち込みキ−を判別している。この
構成では、光検出器が１つで足り、部品点数を削減でき
る利点がある。

【００８９】図15に示す実施例では、半導体レ−ザ発振
器12から出力される直線偏光（光電界ベクトルは紙面に
平行）の光ビ−ム28が、光路上の偏光ビ−ムスプリッタ
−75、四分の一波形板76を通過して円偏光となって反射
板14で反射されている。反射された円偏光光ビ−ムが、
四分の一波形板76に戻ると、紙面に垂直な直線偏光とな
り、直線偏光は、受光体である偏光ビ−ムスプリッタ−
75を直進せずに反射され、光検出器68に入射する反射信
号光28b となる。

【００９０】この実施例では、半導体レ−ザ発振器12へ
の戻り光が生じない。また、反射信号光28b がハ−フミ
ラ−で損失することなく光検出器68で受光できる。

【００９１】図14、図15に示す実施例では、第１ビ−ム
を必要としないで第２ビ−ムのみを使用しているにすぎ
ず、他の実施例においても、これらの実施例の技術思想
が適用できる。

【００９２】光ビ−ムの輝度の高く、集光性のよい発光
ダイオ−ドやス−パ−ルミネッセントダイオ−ドを使用
した発振器も、半導体レ−ザ発振器に含まれることはい
うまでもない。

【００９３】なお、この発明に係るキ−ボ−ドの打ち込
みキ−判別方法および打ち込みキ−判別装置は、パソコ
ン、ワ−プロ等のキ−ボ−ドに適するとはいえ、これに
限定されず、たとえば、電子ピアノ、エレクト−ン、シ
ンセサイザ−等の楽器用のキ−ボ−ドにも応用できる。

【００９４】上述した実施例は、この発明を説明するた
めのものであり、この発明を何等限定するものでなく、
この発明の技術範囲内で変形、改造等の施されたものも
全てこの発明に包含されることはいうまでもない。

【００９５】

【発明の効果】上記のように、この発明に係るキ−ボ−
ドの打ち込みキ−判別方法によれば、接点の接触しない
無接触式とされ、接点の変形、劣化等に起因する接触不
良が防止でき、接点不良によって生じる誤入力が確実に
阻止される。

【００９６】打ち込まれたキ−が、ビ−ト周波数から判
別される場合でも、位相差から判別される場合でも、構
成的に簡素化でき、キ−ボ−ドの打ち込みキ−判別方法
が、簡単な構成のキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置で
遂行できる。

【００９７】周波数シフトした光ビ−ムを使用している
ため、第１ビ−ム、 第２ビ−ムが光ビ−ムから容易に分
離できる。

【００９８】周波数シフト光ヘテロダイン検波すれば、
ビ−ト周波数が、キ−反射体までの距離と半導体レ−ザ
の周波数シフト量に依存し、ベ−スバンド周波数が任意
に選択、設計できる。

【００９９】キ−列の各コ−ナ−に配設したコ−ナ−反
射体によって、光ビ−ム（第２ビ−ム）を全てのキ−に
対して、一筆書き状に連続して照射可能とすれば、各キ
−列毎にレ−ザ−発振器等を設けることなく、各キ−列
への光ビ−ムの照射が行える。

【０１００】コ−ナ−に設けた分岐手段で第２ビ−ムを
キ−列毎に分岐すれば、各キ−列毎の光ビ−ムの照射距
離が十分に抑制され、キ−反射体のブレや光ビ−ムの分
散化等による反射信号光の強度低下が十分に防止でき
る。

【０１０１】また、キ−と一体的なキ−反射板で全反射
する代わりに、隣接するキ−間に固定され、第２ビ−ム
を透過可能なキ−反射板からの反射信号光を、キ−の打
ち込みに伴うシャッタ−の下降によって遮断しても、打
ち込まれたキ−が判別できる。

【０１０２】反射板をコ−ナ−キュ−ブプリズムから形
成すれば、コ−ナ−キュ−ブプリズムの受光面が上下方
向、または、左右方向にブレても、受光した第２ビ−ム
がハ−フミラ−方向に確実に折り返し反射されるため、
光ビ−ムの強度低下が一層確実に防止できる。

【０１０３】また、ハ−フミラ−を分割手段とし、ハ−
ムミラ−をハ−フミラ−キュ−ブとすれば、光ビ−ムの
分割が適切に行えるとともに、第１ビ−ムを反射させる
反射体が、プリズムの一面へのアルミ蒸着によって容易
に形成でき、構成が簡素化できる。

【０１０４】ハ−フミラ−が受光体を兼ねる構成とすれ
ば、部品点数の増加が防止され、構成が一層簡素化され
る。

【０１０５】さらに、キ−反射板を凹面状とすれば、キ
−反射板のブレや長距離の照射等によって分散された光
ビ−ムが集束されるため、光ビ−ムの強度低下が十分に
防止できる。

【０１０６】キ−反射体をコ−ナ−キュ−ブプリズムと
すれば、受光面が上下左右にブレても、受光した第２ビ
−ムが確実に折り返し反射され、光ビ−ムの強度低下が
確実に防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別
装置の概略ブロック図である。

【図２】キ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置のキ−の部
分縦断面図である。

【図３】キ−ボ−ドの概略斜視図である。

【図４】キ−反射板の概略斜視図である。

【図５】キ−反射板の変形例である。

【図６】キ−反射板の変形例である。

【図７】キ−反射板の変形例である。

【図８】第２ビ−ムを一筆書き状に連続して照射させた
キ−列の概略配置図である。

【図９】第２ビ−ムをキ−列毎に平行に照射させたキ−
列の概略配置図である。

【図１０】シャッタ−で遮断可能とした、この発明の変
形例におけるキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置のキ−
の部分縦断面図である。

【図１１】位相差より打ち込みキ−を判別する、この発
明の他の実施例におけるキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別
装置の概略ブロック図である。

【図１２】参照光、反射信号光の出力の位相差を示す図
である。

【図１３】位相比較器のブロック図である。

【図１４】位相差より打ち込みキ−を判別する、この発
明の他の実施例におけるキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別
装置の概略ブロック図である。

【図１５】位相差より打ち込みキ−を判別する、この発
明の他の実施例におけるキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別
装置の概略ブロック図である。

【符号の説明】

10、110 キ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置 11 キ−ボ−ド 12 光源（半導体レ−ザ発振器） 14 キ−反射板 16 キ− 28 光ビ−ム（レ−ザビ−ム） 28a 第１ビ−ム（参照光） 28b 第２ビ−ム（反射信号光） 30 電流変調電源 32 波形発振器 38 分割手段（ハ−フミラ−） 46 光検出手段 50 出力手段（多段のバンドパスフィルタ−） 58 コ−ナ−反射体 60 分岐手段 61 反射手段 62 シャッタ− 64 キ−反射板 68 第１光検出器 70 第２光検出器 72 位相比較器 74 出力手段 130 振幅変調電源

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 キ−の打ち込みを電気信号に変換し、電
   気信号から、打ち込まれたキ−を判別するキ−ボ−ドの
   打ち込みキ−判別方法において、 振幅変調した光ビ−ムを第１ビ−ム、第２ビ−ムに分割
   し、 第１ビ−ムを反射させて、参照光とするとともに、 第２ビ−ムをキ−の配列部方向に伝搬、照射させ、キ−
   反射板で反射させて反射信号光とし、 参照光、反射信号光を周波数シフト光ヘテロダイン検波
   してビ−ト信号を発生させ、 ビ−ト周波数を電気的に処理して打ち込まれたキ−を判
   別することを特徴とするキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別
   方法。
2. 【請求項２】 キ−の打ち込みを電気信号に変換し、電
   気信号から、打ち込まれたキ−を判別するキ−ボ−ドの
   打ち込みキ−判別方法において、 振幅変調した光ビ−ムを第１ビ−ム、第２ビ−ムに分割
   し、 第１ビ−ムを反射させて、参照光とするとともに、 第２ビ−ムをキ−の配列部方向に伝搬、照射させ、キ−
   反射板で反射させて反射信号光とし、 参照光、反射信号光の位相を比較し、位相差に相当する
   出力から、打ち込まれたキ−を判別することを特徴とす
   るキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別方法。
3. 【請求項３】 キ−の打ち込みを電気信号に変換し、電
   気信号から、打ち込まれたキ−を判別するキ−ボ−ドの
   打ち込みキ−判別方法において、 振幅変調した光ビ−ムをキ−の配列方向に伝搬、照射さ
   せ、キ−反射体で反射させて反射信号光とし、 振幅変調の電気信号、反射信号光の電気信号の位相を比
   較し、位相差に相当する出力から、打ち込まれたキ−を
   判別することを特徴とするキ−ボ−ドの打ち込みキ−判
   別方法。
4. 【請求項４】 多段に配設されたキ−列の各コ−ナ−反
   射体を介して、第２ビ−ムを全てのキ−のキ−反射板
   に、一筆書き状に連続して照射させている請求項１ない
   し３のいずれか記載のキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別方
   法。
5. 【請求項５】 多段に配設されたキ−列に第２ビ−ムを
   分岐して平行に照射させている請求項１ないし４のいず
   れか記載のキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別方法。
6. 【請求項６】 第２ビ−ムが、打ち込んだキ−のキ−反
   射板で全反射されている請求項１ないし５のいずれか記
   載のキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別方法。
7. 【請求項７】 第２ビ−ムが、キ−間のキ−反射板で反
   射されて反射信号光となるとともに、キ−反射板を透過
   し、 キ−反射板を透過した第２ビ−ムを、打ち込んだキ−の
   シャッタ−で遮断して当該キ−以降の反射信号光を消滅
   させている請求項１ないし６のいずれか記載のキ−ボ−
   ドの打ち込みキ−判別方法。
8. 【請求項８】 周波数シフトされた光ビ−ムを照射する
   半導体レ−ザ発振器と、 半導体レ−ザ発振器からの光
   ビ−ムを第１ビ−ム、第２ビ−ムに分割し、各光ビ−ム
   を特定の方向にそれぞれ伝搬する分割手段と、 第１ビ−ムを反射し、受光体に照射させて参照光とする
   反射体と、 キ−と一体的に設けられ、キ−の打ち込みに伴う、第２
   ビ−ムの光路への下降によって、第２ビ−ムを反射し、
   受光体に照射させて反射信号光とするキ−反射板と、 受光体で重畳し干渉した参照光と反射信号光との干渉信
   号光よりビ−ト周波数を検出する周波数シフトヘテロダ
   イン検波可能な光検出手段と、 光検出手段からの入力信号を処理してビ−ト周波数に対
   応した電気信号を出力する出力手段と、 を具備し、出力手段からの電気信号から、打ち込まれた
   キ−を判別するキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置。
9. 【請求項９】 振幅変調された光ビ−ムを照射する半導
   体レ−ザ発振器と、 半導体レ−ザ発振器からの光ビ−ムを第１ビ−ム、第２
   ビ−ムに分割し、各光ビ−ムを特定の方向にそれぞれ伝
   搬する分割手段と、 第１ビ−ムを反射し、参照光として受光体に照射させる
   反射体と、 隣接するキ−間で第２ビ−ムの光路にそれぞれ配設され
   て第２ビ−ムを透過、反射させ、反射した第２ビ−ムを
   反射信号光として受光体に照射するキ−反射体と、 キ−と一体的に設けられ、キ−の打ち込みに伴う、第２
   ビ−ムの光路への下降によって、当該キ−以降の反射信
   号光を遮断するシャッタ−と、 受光体で重畳し干渉した参照光と反射信号光との干渉信
   号光よりビ−ト周波数を検出する周波数シフトヘテロダ
   イン検波可能な光検出手段と、 光検出手段からの入力信号を処理してビ−ト周波数に対
   応した電気信号を出力する出力手段と、 を具備し、出力手段からの電気信号から、打ち込まれた
   キ−を判別するキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置。
10. 【請求項１０】 振幅変調された光ビ−ムを照射する半
    導体レ−ザ発振器と、 半導体レ−ザ発振器からの光ビ−ムを第１ビ−ム、第２
    ビ−ムに分割し、各光ビ−ムを特定の方向にそれぞれ伝
    搬する分割手段と、 第１ビ−ムを反射し、参照光として受光体に照射させる
    反射体と、 キ−と一体的に設けられ、キ−の打ち込みに伴う、第２
    ビ−ムの光路への下降によって、第２ビ−ムを反射し、
    反射信号光として受光体に照射させるキ−反射板と、 参照光、反射信号光の振幅変調光をそれぞれ検出する第
    １、第２の光検出器と、 第１、第２の光検出器で検出
    した参照光、反射信号光の振幅変調信号の位相を比較す
    る位相比較器と、 位相比較器で検出した位相差に対応する電気信号を出力
    する出力手段と、 を具備し、出力手段からの電気信号から、打ち込まれた
    キ−を判別するキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置。
11. 【請求項１１】 振幅変調された光ビ−ムを照射する半
    導体レ−ザ発振器と、 半導体レ−ザ発振器からの光ビ−ムを第１ビ−ム、第２
    ビ−ムに分割し、各光ビ−ムを特定の方向にそれぞれ伝
    搬する分割手段と、 第１ビ−ムを反射し、参照光として受光体に照射させる
    反射体と、 隣接するキ−間で第２ビ−ムの光路にそれぞれ配設され
    て第２ビ−ムを透過、反射させ、反射した第２ビ−ムを
    反射信号光として受光体に照射するキ−反射体と、 キ−と一体的に設けられ、キ−の打ち込みに伴う、第２
    ビ−ムの光路への下降によって、当該キ−以降の反射信
    号光を遮断するシャッタ−と、 参照光、反射信号光の振幅変調光をそれぞれ検出する第
    １、第２の光検出器と、 第１、第２の光検出器で検出した参照光、反射信号光の
    振幅変調信号を比較する位相比較器と、 位相比較器で検出した位相差に対応する電気信号を出力
    する出力手段と、 を具備し、出力手段からの電気信号から、打ち込まれた
    キ−を判別するキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置。
12. 【請求項１２】 振幅変調電源によって振幅変調された
    光ビ−ムを照射する半導体レ−ザ発振器と、 半導体レ−ザ発振器、キ−間の光路に配設したハ−フミ
    ラ−と、 キ−と一体的にも設けられ、キ−の打ち込みに伴う光路
    への下降によって光ビ−ムを反射し、反射信号光として
    ハ−フミラ−で反射し受光体に照射させるキ−反射体
    と、 反射信号光の振幅変調光を検出する光検出器と、 振幅変調電源からの変調電気信号と光検出器からの変調
    電気信号との位相を比較する位相比較器と、 位相比較器で検出した位相差に対応する電気信号を出力
    する出力手段と、 を具備し、出力手段からの電気信号から、打ち込まれた
    キ−を判別するキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置。
13. 【請求項１３】 振幅変調電源によって振幅変調された
    光ビ−ムを照射する半導体レ−ザ発振器と、 半導体レ−ザ発振器、キ−間の光路に配設したハ−フミ
    ラ−と、 隣接するキ−間で光路にそれぞれ配設されて光ビ−ムを
    透過、反射させ、反射した光ビ−ムを反射信号光として
    ハ−フミラ−で反射し受光体に照射するキ−反射体と、 キ−と一体的にも設けられ、キ−の打ち込みに伴う光路
    への下降によって、当該キ−以降の反射信号光を遮断す
    るシャッタ−と、 反射信号光の振幅変調光を検出する光検出器と、 振幅変調電源からの変調電気信号と光検出器からの変調
    電気信号との位相を比較する位相比較器と、 位相比較器で検出した位相差に対応する電気信号を出力
    する出力手段と、 を具備し、出力手段からの電気信号から、打ち込まれた
    キ−を判別するキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置。
14. 【請求項１４】 振幅変調電源によって振幅変調された
    直線偏光の光ビ−ムを照射する半導体レ−ザ発振器と、 半導体レ−ザ発振器、キ−間の光路に配設した偏光ビ−
    ムスプリッタ−と、 キ−、変光ビ−ムスプリッタ−間の光路に配設した四分
    の一波長板と、 キ−と一体的にも設けられ、キ−の打ち込みに伴う光ビ
    −ムの光路への下降によって光ビ−ムを反射し、反射信
    号光として四分の一波長板を経て偏光ビ−ムスプリッタ
    −で反射し受光体に照射させるキ−反射体と、 反射信号光の振幅変調光を検出する光検出器と、 振幅変調電源からの変調電気信号と光検出器からの変調
    電気信号との位相を比較する位相比較器と、 位相比較器で検出した位相差に対応する電気信号を出力
    する出力手段と、 を具備し、出力手段からの電気信号から、打ち込まれた
    キ−を判別するキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置。
15. 【請求項１５】 振幅変調電源によって振幅変調された
    直線偏光の光ビ−ムを照射する半導体レ−ザ発振器と、 半導体レ−ザ発振器、キ−間の光路に配設した偏光ビ−
    ムスプリッタ−と、 キ−、偏光ビ−ムスプリッタ−間の光路に配設した四分
    の一波長板と、 隣接するキ−間で光路にそれぞれ配設されて光ビ−ムを
    透過、反射させ、反射した光ビ−ムを反射信号光として
    四分の一波長板を経て偏光ビ−ムスプリッタ−で反射し
    受光体に照射させるキ−反射体と、 キ−と一体的にも設けられ、キ−の打ち込みに伴う光路
    への下降によって、当該キ−以降の反射信号光を遮断す
    るシャッタ−と、 反射信号光の振幅変調光を検出する光検出器と、 半導体レ−ザ発振器からの変調電気信号と光検出器から
    の変調電気信号との位相を比較する位相比較器と、 位相比較器で検出した位相差に対応する電気信号を出力
    する出力手段と、 を具備し、出力手段からの電気信号から、打ち込まれた
    キ−を判別するキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置。
16. 【請求項１６】 半導体レ−ザ発振器は、電流変調のも
    とで振幅変調した光ビ−ムを照射し、分割手段がハ−フ
    ミラ−からなる請求項８または９記載のキ−ボ−ドの打
    ち込みキ−判別装置。
17. 【請求項１７】 半導体レ−ザ発振器は、電流変調のも
    とで振幅変調した光ビ−ムを照射し、分割手段がハ−フ
    ミラ−からなる請求項１０または１１記載のキ−ボ−ド
    の打ち込みキ−判別装置。
18. 【請求項１８】 半導体レ−ザ発振器は、電流変調のも
    とで周波数シフトした光ビ−ムを照射し、 分割手段がハ−フミラ−からなり、ハ−フミラ−が、光
    ビ−ムを特定方向に分散可能に、プリズムを組合せて形
    成されるとともに、 第１ビ−ムを反射する反射体が、プリズムの一面へのア
    ルミ蒸着によって形成された８または９記載のキ−ボ−
    ドの打ち込みキ−判別装置。
19. 【請求項１９】 ハ−フミラ−が、参照光、反射信号光
    の受光体を兼ねている請求項１８記載のキ−ボ−ドの打
    ち込みキ−判別装置。
20. 【請求項２０】 出力手段が、キ−の打ち込みによって
    発生、検出される各ビ−ト周波数を中心周波数とする多
    段のバンドパスフィルタから形成され、各フィルタから
    の出力信号の有無により、打ち込まれたキ−が判別され
    る請求項１８または１９記載のキ−ボ−ドの打ち込みキ
    −判別装置。
21. 【請求項２１】 位相比較器は参照光、反射信号光の振
    幅変調信号の位相差に相当する電圧値を出力し、出力手
    段がその電圧値に対応する電気信号を出力している請求
    項１０ないし１５のいずれか記載のキ−ボ−ドの打ち込
    みキ−判別装置。
22. 【請求項２２】 多段のキ−列の各コ−ナ−に、光ビ−
    ムをキ−列方向に全反射するコ−ナ−反射体を配設し、 各キ−列のコ−ナ−反射体を介して、全てのキ−列に一
    筆書き状に連続して光ビ−ムを照射させた請求項８ない
    し２１のいずれか記載のキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別
    装置。
23. 【請求項２３】 多段のキ−列の各コ−ナ−に、光ビ−
    ムをキ−列方向に分岐して反射するとともに、次段のキ
    −列方向に透過させる分岐手段をそれぞれ設け、 多段のキ−列の最終段のコ−ナ−に、光ビ−ムをキ−列
    方向に全反射する反射手段を配設し、 分岐手段、反射体手段を介して、光ビ−ムが、各キ−列
    毎にそれぞれ照射される請求項８ないし２２のいずれか
    記載のキ−ボ−ドの打ち込みキ−判別装置。
24. 【請求項２４】 キ−反射板が凹面状の反射鏡面である
    請求項８ないし２３のいずれか記載のキ−ボ−ドの打ち
    込みキ−判別装置。
25. 【請求項２５】 キ−反射板がコ−ナ−キュ−ブプリズ
    ムである請求項８ないし２３のいずれか記載のキ−ボ−
    ドの打ち込みキ−判別装置。