JPH0760491B2 - 多素子磁気ヘッド装置の製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電磁誘導型、或いは磁気抵抗効果（MR）型磁
気ヘッド等の薄膜型磁気ヘッドによる多素子磁気ヘッド
を得る場合に適用して好適な多素子磁気ヘッドの製法に
係わる。

背景技術とその問題点 例えばPCM信号を記録または再生する多チャンネル、す
なわち多素子磁気ヘッドとして薄膜型の多素子磁気ヘッ
ドが用いられる。

この薄膜型多素子磁気ヘッドを第１図及び第２図を参照
して説明する。図中（１）は、電磁誘導型構成による多
素子磁気ヘッドを全体として示すもので、このヘッド
（１）は、例えばMn−Zn系フェライト,Mn−Ni系フェラ
イト等より成る磁性基板（２）上に多数の薄膜磁気ヘッ
ド素子ｈが並置配列される。この場合、基板（２）に
は、その一主面（2a）に臨んで、基板（２）の長手方向
に沿って溝（３）が形成され、これに非磁性材（４）、
例えばガラスが充填される。また基板（２）の面（2a）
上には、基板（２）が導電性を有する場合にはこれの上
にSiO₂等の非磁性絶縁層（５）が被着され、これの上に
各チャンネル（例えば22チャンネル）に対応して設けら
れる信号線輪となる帯状薄膜導電体（８）が被着配置さ
れる。これら導電体（８）は、少なくともその一部が溝
（３）に沿って設けられ、この溝（３）と、これの上の
導電体（８）を横切って各チャンネルに対応するパーマ
ロイ等より成る薄膜磁性層（９）が夫々被着される。こ
の場合、導電体（８）上にはSiO₂等の絶縁層（５）が被
着されて薄膜磁性層（９）との電気的絶縁がなされる。
各磁性層（９）の一端は、例えば上述の磁性層（５）に
よる非磁性ギャップスペーサー（10）を介して磁性基板
（２）の、溝（３）に沿う一側縁（2b）に臨むように延
在させる。他端は、例えば絶縁層（５）に穿設した窓
（5a）を通じて基板（２）の面（2a）に磁気的に密に結
合させる。このようにして、共通の基板（２）と各磁性
層（９）とによって夫々閉磁路が形成され、各閉磁路に
関して、夫々薄膜導電体（８）より成る信号線輪を有
し、各閉磁路に、ギャップスペーサー（10）によってギ
ャップ長が規定されて作動磁気ギャップｇが形成された
各チャンネルの磁気ヘッド素子ｈが構成されるものであ
る。

そして、各磁気ヘッド素子ｈ上には、基板（２）に対向
して耐摩耗性にすぐれた保護基板（11）が接着剤（12）
を介して接合される。

一方、各薄膜導電体（８）の各両端部（8a）（8b）は、
夫々外部回転、すなわち、この磁気ヘッド（１）に記録
信号を供給するシリアル−パラレル変換器等を含む出力
回路、或いはこの磁気ヘッド（１）よりの再生信号を供
給するパラレル−シリアル変換器を含む入力回路等の外
部回路に接続される端子として、基板（２）の側縁（2
b）と対向する他側縁（2c）に延在させる。この場合、
保護基板（11）の幅は磁性基板（２）の幅より小とし
て、端子（8a）（8b）が保護基板（11）外に露呈するよ
うになされる。

そして、基板（２）の側縁（2b）側において両基板
（２）及び（11）の接合体を切削研摩して各ヘッド素子
ｈの磁気ギャップｇが臨む磁気媒体との対接面（13）が
形成される。

このような多素子磁気ヘッド（１）と、上述した外部回
路とは、夫々対応する端子間を例えばフレキシブル配線
基板によって接続する。ところが、この場合、互いに別
体に構成された多素子磁気ヘッドと外部回路とを磁気ヘ
ッド外で接続することは、断線等の事故が生じ易く、信
頼性に問題がある。

このような問題点を改善するために、本出願人は次のよ
うな多素子磁気ヘッド装置の製法を提案した。

これは、リードフレームを含んでトランスファーモール
ドでハウジングを成型し、このハウジング内に上述した
磁気ヘッドに付随する外部回路を構成する集積回路、外
部信号（ノイズ）を交流的に接地するためにこの集積回
路の電源ラインとアース間に介挿するコンデンサ及び薄
膜多素子磁気ヘッドをマウントし、次で集積回路及び多
素子磁気ヘッドをAu線等で相互に接続して後、液状樹脂
で最終封止するようになされる。この多素子磁気ヘッド
装置では、多素子磁気ヘッドがこれに接続される外部回
路と一体に構成されるので、従来に比し信頼性が向上す
る。

しかし乍ら、この場合、上記コンデンサのリードフレー
ムに対するマウントは導電性ペースト等を用いて行って
いるために、その接着部の接着強度にバラツキが生じ、
又、リードフレームでの接着部の面積を大きくする必要
があり、なお、生産性及び信頼性に問題があった。又、
コンデンサのマウントを溶接等で行うことも考えられる
が、この場合には上面側からしか溶接電極を当接できな
いので、リードフレームの接続部の占有面積が大きくな
り、小型化を阻害するものであった。

発明の目的 本発明は、上述の点に鑑み、多素子磁気ヘッド，集積回
路及びコンデンサを内蔵して樹脂モールドで一体化する
多素子磁気ヘッド装置に於て、特にコンデンサの接続部
の信頼性を高めるようにし、更に生産性の向上と、全体
のより小型化を図るようにした多素子磁気ヘッドの製法
を提供するものである。

発明の概要 本発明においては、リードフレームにコンデンサを接合
して後、このコンデンサを含んでリードフレームを樹脂
モールドして外部回路を構成する集積回路と多素子磁気
ヘッドを配するハウジング、即ち集積回路の収納凹部と
多素子磁気ヘッドの配置部を有するハウジングを形成す
る。そしてハウジング内のリードフレームに集積回路及
び多素子磁気ヘッドを載置して相互間の配線を施して
後、集積回路及び多素子磁気ヘッドを最終的に樹脂モー
ルドする。

この発明の製法によれば、コンデンサの接続部の信頼性
が上がり、より高い信頼性のある多素子磁気ヘッド装置
が得られる。また生産性が向上し、且つこの種の多素子
磁気ヘッド装置のより小型化が図れる。

実施例 第３図以下を参照して本発明製法の一例を詳細に説明す
る。この例では、第３図に示す如きリードフレーム（2
1）を設ける。このリードフレーム（21）は、金属板を
選択的にエッチングすることによって得るものであり、
最終的に集積回路が載置取着される回路取付部（22）
と、集積回路より外部に導出される端子となるリード部
（23）と、所要のリード部（23）間においてコンデンサ
を接続する接続部（26）と、これらリード部（23）を相
互に連結する枠部（24）と、各リード部（23）を横切る
ように配置され樹脂モールド時の樹脂の流延を制限する
制限部（25）とが全体として一体に形成されて成る。

そして本発明においては、第４図及び第５図に示すよう
に、先づリードフレームの状態でコンデンサ（80）を所
要リード部の接続部（26）間にスポット溶接にて接続す
る。この場合、コンデンサ（80）のリード（80a）と各
接続部（26）間のスポット溶接の溶接電極（27）を上下
に配して行なわれる（第４図参照）。従って、リードフ
レーム（21）の接続部（26）の面積は十分小さくて済
む。コンデンサ（80）は外部信号（ノイズ）を交流的に
接地するためのものであり、後述の集積回路の電源ライ
ンとアース間に介挿されるものである。次で第６図に示
すようにコンデンサ（80）を一体に樹脂モールドする如
く、磁気ヘッド装置のハウジングを構成する樹脂モール
ド体（31）を、樹脂モールド金属を用いたモールド成型
によって形成する。即ち、このモールド体（31）には、
そのモールド成型に際して、モールド金型内に上述した
コンデンサ（80）を取付けたリードフレーム（21）を配
置することによってリードフレーム（21）を埋置する。
また、モールド体（31）には、集積回路を収納配置する
凹部（32）とその一側に突堤（33）を介して隣り合う磁
気ヘッド配置部（34）とが設けられている。これら集積
回路の収納凹部（32）と磁気ヘッド配置部（34）とは、
両部（32）及び（34）に差し渡って相対向する側壁部
（35a）及び（35b）とコンデンサ（80）が埋置された凹
部（32）の後方壁部（35c）とを有する。各壁部（35
a），（35b）及び（35c）の各端面は同一平面を形成す
る高さに選ばれる。磁気ヘッド配置部（34）の前方は開
放されており、集積回路の収納凹部（32）における一方
の側壁（35a）または（35b）の少なくとも一部分には樹
脂注入用の切除部（36）が設けられている。尚、ここに
突堤（33）の高さは、各壁部（35a）〜（35c）の高さよ
り低く選ばれる。

リードフレーム（21）は、その集積回路の取付部（22）
の一方の面が凹部（32）の底面に露呈するように配置さ
れ、リード部（23）が、壁部（35c）を貫通してその外
端がモールド体（31）外に突出するように配置される。
そしてこのリードフレーム（21）は、モールド体（31）
の成型後に、枠部（24）を切断排除し、各リード部（2
3）間の制限部（25）を切断することによって各リード
部（23）間を電気的に分離する。

次で、リードフレーム（21）のワイヤボンド性を良くす
る為に液体フォーニング等でバリや離型剤を除去し、リ
ードフレーム（21）の面をきれいにする。このとき、コ
ンデンサ（80）は既にモールド体（31）内に埋置されて
いるので液体フォーニングの影響を受けることがない。
そして、第７図及び第８図に示すようにモールド体（3
1）の凹部（32）内のリードフレーム（21）の集積回路
の取付部（22）上に前述したシリアル−パラレル変換器
等の磁気ヘッドに付随する回路が形成された集積回路
（41）を載置ボンディングすることによってこの集積回
路（41）を凹部（32）内に収納する。一方モールド体
（31）の磁気ヘッド配置部（34）に磁気ヘッド（１）
を、その磁気ギャップｇが臨む前方端を配置部（34）よ
り前方に突出させて載置する。この磁気ヘッド（１）は
例えば第１図及び第２図に示した薄膜型磁気ヘッドで、
その基板（２）上の各端子（8a）（8b）が夫々集積回路
の対応する出力若しくは入力端子部に突堤（33）を越え
て、夫々リードワイヤ（42）によって接続される。また
集積回路（41）の各入力若しくは出力端子部とこれらに
対応するリードフレーム（21）の各リード部（23）とが
同様にリードワイヤ（43）によって相互接続される。

次に集積回路（41）と磁気ヘッド（１）とを配置した樹
脂モールド体（31）内に樹脂注入、いわゆるキャスティ
ングを行う。このキャスティングはモールド体（31）と
注形型との共働によって行うもので、溶融状態の樹脂を
充満して硬化させる。これによって第９図に示すように
モールド体（31）より成るハウジング中に樹脂（71）が
充填されると、集積回路（41）と磁気ヘッド（１）と、
これらと更にリード部（23）との接続を行うリードワイ
ヤ等が樹脂（71）とモールド体（31）とによって外部と
遮断封止される。そして、この場合、この樹脂注入処理
後に、磁気ヘッド（１）の前方が研摩されて磁気媒体と
の対接面（13）が形成される。

尚、リードフレーム（21）の集積回路の取付部（22）の
裏面に熱伝導度の高い金属放熱体を配置し、その外面を
モールド体（31）の外面に露呈するように構成すること
ができる。

上述した例においては、磁気ヘッド（１）が、電磁誘導
型磁気ヘッドである場合について説明したが、磁気ヘッ
ド（１）がMR型薄膜ヘッドである場合に適用することも
できることは云う迄もないところである。また再生ヘッ
ドをMRヘッド，記録ヘッドを電磁誘導型ヘッドとする場
合は、夫々上述した本発明製法によって得た磁気ヘッド
装置を例えば夫々その樹脂（71）の側を内面にして重ね
合せて一体化することによって相互に所定の位置関係に
保持された記録，再生ヘッドを得ることができる。

発明の効果 上述したように本発明製法では、多素子磁気ヘッドと、
磁気ヘッドに付随する外部回路を構成する集積回路と、
コンデンサとを樹脂中に一体に封じ込むものであるが、
この場合、特にリードフレームの状態でコンデンサをリ
ードフレームの所要のリード部に接合して後、コンデン
サを含んでリードフレームを樹脂モールドしてハウジン
グを形成し、このハウジング内のリードフレームに磁気
ヘッド及び集積回路をマウントし、最終的に磁気ヘッド
及び集積回路をモールドするようにしている。このため
にリードフレームのリード部とコンデンサのリードとの
接続に際してはスポット溶接による接合が可能となり、
確実な接合が出来る。同時に溶接時は溶接電極を第３図
に示すように上下より当てることができ、例えば上面側
のみに当てる場合に比べて溶接電極の占有面積が無視で
きる。したがってリードフレームをより小型にできるの
で樹脂モールドされた全体の磁気ヘッド装置の小型化を
図ることができる。また、コンデンサを接続して後、コ
ンデンサを含んでモールドしハウジングを形成するの
で、この後ワイヤボンド性を良くするために、リードフ
レームの露出されている部分に対する液体フォーニング
処理においても接続部及びコンデンサ自体が損傷するこ
とがない。

このように本発明では耐湿等の封止効果にすぐれた樹脂
モールドによって全体の大半を覆うようにしたことによ
って高いシール効果を得、同時にコンデンサの接続部及
びリードワイヤの接続部の信頼性が高められ、全体とし
てより信頼性の高い且つ生産性にすぐれた多素子磁気ヘ
ッド装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の説明に供する多素子磁気ヘッドの一例
の拡大断面図、第２図はその拡大平面図、第３図は本発
明の多素子磁気ヘッド装置に用いるリードフレームの一
例の拡大平面図、第４図はリードフレームに対するコン
デンサのスポット溶接工程を示す断面図、第５図はリー
ドフレームにコンデンサが取付けられた状態を示す拡大
平面図、第６図はモールド体の一例の拡大斜視図、第７
図及び第８図は本発明製法の一工程における磁気ヘッド
の拡大平面図とその拡大断面図、第９図は本発明製法に
よって得た多素子磁気ヘッド装置の一例の拡大斜視図で
ある。 （１）は多素子ヘッド、（21）はリードフレーム、（3
1）はモールド体、（41）は集積回路、（71）は樹脂、
（80）はコンデンサである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早田 裕 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 南 俊彦 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭49−68716（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−110320（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−114110（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−130866（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−58591（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−55219（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】リードフレームにコンデンサを接合した
   後、該コンデンサを含んで上記リードフレームをモール
   ドして集積回路の収納凹部と多素子磁気ヘッドの配置部
   を有するハウジングを形成する工程と、上記集積回路及
   び多素子磁気ヘッドを上記ハウジング内のリードフレー
   ムに載置して配線を施す工程と、上記集積回路及び多素
   子磁気ヘッドをモールドする工程とを有することを特徴
   とする多素子磁気ヘッド装置の製法。