JPH0762592A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0762592A JPH0762592A JP5235399A JP23539993A JPH0762592A JP H0762592 A JPH0762592 A JP H0762592A JP 5235399 A JP5235399 A JP 5235399A JP 23539993 A JP23539993 A JP 23539993A JP H0762592 A JPH0762592 A JP H0762592A
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- Japan
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- film
- magnetic
- ceramic substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドの製造において、電気めっき
法による磁性膜の成膜をセラミック基板上の全ての製品
部について良好に行うことができ、且つ各製品部の膜厚
分布をより均一化できるようにする。 【構成】 セラミック基板上に導電膜を形成し、その上
にフォトレジストパターンを設けて電気めっき法により
磁性膜を形成した後、不要磁性膜の部分をウエットエッ
チング法により除去して製品部となる多数の磁極パター
ンを形成する方法において、セラミック基板10の外周
近傍を除く部分に製品部12として切り出す部分を形成
し、その全外周にわたって、製品部と同等の形状のダミ
ー部14を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法である。
法による磁性膜の成膜をセラミック基板上の全ての製品
部について良好に行うことができ、且つ各製品部の膜厚
分布をより均一化できるようにする。 【構成】 セラミック基板上に導電膜を形成し、その上
にフォトレジストパターンを設けて電気めっき法により
磁性膜を形成した後、不要磁性膜の部分をウエットエッ
チング法により除去して製品部となる多数の磁極パター
ンを形成する方法において、セラミック基板10の外周
近傍を除く部分に製品部12として切り出す部分を形成
し、その全外周にわたって、製品部と同等の形状のダミ
ー部14を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関し、更に詳しく述べると、薄膜磁気ヘッドを製
造する際に、セラミック基板上の製品部の外周にそれと
同等の形状のダミー部を形成することによって、電気め
っき法による磁性膜成膜の膜厚分布を良好にする方法に
関するものである。
方法に関し、更に詳しく述べると、薄膜磁気ヘッドを製
造する際に、セラミック基板上の製品部の外周にそれと
同等の形状のダミー部を形成することによって、電気め
っき法による磁性膜成膜の膜厚分布を良好にする方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】ハードディスク用薄膜磁気ヘッドは、セ
ラミック基板(ウエハー:切断分離後にスライダとな
る)上に設ける上下2層の磁性膜(磁極パターン)をギ
ャップ膜で分離し、その間に磁界発生及び誘導電流ピッ
クアップ用のコイル膜を設ける構成となっている。セラ
ミック基板には、硬度が高く、セラミックスとしては電
気伝導度が高いAl2 O3 (酸化アルミニウム)とTi
C(炭化チタン)との混合セラミックスを用い、その表
面にAl2 O3 の保護層を設けたものを使用する。磁性
膜にはパーマロイ(FeNi合金)の薄膜が用いられ
る。薄膜形成方法としては、スパッタリング法あるいは
電気めっき法があるが、電気めっき法は室温付近の温度
で成膜できる利点がある。
ラミック基板(ウエハー:切断分離後にスライダとな
る)上に設ける上下2層の磁性膜(磁極パターン)をギ
ャップ膜で分離し、その間に磁界発生及び誘導電流ピッ
クアップ用のコイル膜を設ける構成となっている。セラ
ミック基板には、硬度が高く、セラミックスとしては電
気伝導度が高いAl2 O3 (酸化アルミニウム)とTi
C(炭化チタン)との混合セラミックスを用い、その表
面にAl2 O3 の保護層を設けたものを使用する。磁性
膜にはパーマロイ(FeNi合金)の薄膜が用いられ
る。薄膜形成方法としては、スパッタリング法あるいは
電気めっき法があるが、電気めっき法は室温付近の温度
で成膜できる利点がある。
【0003】電気めっき法では、次のようなウエハー処
理により磁極パターンを形成する。Al2 O3 −TiC
基板の表面にAl2 O3 の保護層を設けたセラミック基
板上に、蒸着法によって導電膜を形成し、主要磁性膜の
部分を形成すべくフォトレジストパターンを設ける。次
いで、電気めっき法により磁性膜(パーマロイ等)を形
成する。成膜した各製品部の磁性膜は、中央に薄膜磁気
ヘッドの磁極パターンとなる主要磁性膜があり、その両
側に電気めっき工程でヨークの機能を果たす不要磁性膜
がある形状である。フォトレジストパターンを除去し、
イオンミリング法(イオンビームエッチング法)により
磁性膜の無い部分の導電膜を除去する。そして、主要磁
性膜をフォトレジストパターンで覆って保護し、ウエッ
トエッチング法により不要磁性膜を除去する。その後、
フォトレジストパターンを除去する。
理により磁極パターンを形成する。Al2 O3 −TiC
基板の表面にAl2 O3 の保護層を設けたセラミック基
板上に、蒸着法によって導電膜を形成し、主要磁性膜の
部分を形成すべくフォトレジストパターンを設ける。次
いで、電気めっき法により磁性膜(パーマロイ等)を形
成する。成膜した各製品部の磁性膜は、中央に薄膜磁気
ヘッドの磁極パターンとなる主要磁性膜があり、その両
側に電気めっき工程でヨークの機能を果たす不要磁性膜
がある形状である。フォトレジストパターンを除去し、
イオンミリング法(イオンビームエッチング法)により
磁性膜の無い部分の導電膜を除去する。そして、主要磁
性膜をフォトレジストパターンで覆って保護し、ウエッ
トエッチング法により不要磁性膜を除去する。その後、
フォトレジストパターンを除去する。
【0004】図2に示すように、このような磁極パター
ンを有する製品部12が、1枚のほぼ円形状のセラミッ
ク基板10上に多数(例えば千個程度)規則的に配列形
成される。最終的には1行ずつダイシング・マシーンで
切断し、切断したバーにスライダとしての形状加工を施
した後、1個ずつに分離加工する。そのため、切断作業
及びスライダとしての形状加工作業が容易なように、図
示の如く、同じ形状の大きな矩形状のブロックでまとま
り、且つ切断した1本のバーに同数の製品部が存在する
ように製品部群を配置する。
ンを有する製品部12が、1枚のほぼ円形状のセラミッ
ク基板10上に多数(例えば千個程度)規則的に配列形
成される。最終的には1行ずつダイシング・マシーンで
切断し、切断したバーにスライダとしての形状加工を施
した後、1個ずつに分離加工する。そのため、切断作業
及びスライダとしての形状加工作業が容易なように、図
示の如く、同じ形状の大きな矩形状のブロックでまとま
り、且つ切断した1本のバーに同数の製品部が存在する
ように製品部群を配置する。
【0005】従来技術では、セラミック基板上で、最終
的に製品部として切り出す部分のみに、磁極パターンを
有する製品部を形成していた。上記のように、切断作業
の効率を向上するため、同じ形状の大きな矩形状のブロ
ックでまとまるように製品部群を配置しているので、当
然、不要な部分として切り落とすそれら外周部分は、磁
極パターンの無い空白領域であった。
的に製品部として切り出す部分のみに、磁極パターンを
有する製品部を形成していた。上記のように、切断作業
の効率を向上するため、同じ形状の大きな矩形状のブロ
ックでまとまるように製品部群を配置しているので、当
然、不要な部分として切り落とすそれら外周部分は、磁
極パターンの無い空白領域であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】セラミック基板上に形
成した磁性膜の膜厚は、各磁極パターン(各製品部)で
均一にする必要がある。膜厚のばらつきは、製品部の品
質(特性)に直接影響を与えるからである。非常に大き
なセラミック基板に、電気めっき法によって多数の磁極
パターンを形成すると、どうしても周辺部と中央部で電
気めっきの条件が異なり、注意深く条件を設定しても、
磁性膜の膜厚分布のばらつきを小さくするのは難しい。
成した磁性膜の膜厚は、各磁極パターン(各製品部)で
均一にする必要がある。膜厚のばらつきは、製品部の品
質(特性)に直接影響を与えるからである。非常に大き
なセラミック基板に、電気めっき法によって多数の磁極
パターンを形成すると、どうしても周辺部と中央部で電
気めっきの条件が異なり、注意深く条件を設定しても、
磁性膜の膜厚分布のばらつきを小さくするのは難しい。
【0007】本発明の目的は、薄膜磁気ヘッドの製造に
おいて、電気めっき法による磁性膜の成膜をセラミック
基板上の全ての製品部について良好に行うことができ、
且つ各製品部の膜厚分布をより均一化できる方法を提供
することである。
おいて、電気めっき法による磁性膜の成膜をセラミック
基板上の全ての製品部について良好に行うことができ、
且つ各製品部の膜厚分布をより均一化できる方法を提供
することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック基
板上に導電膜を形成し、その上にフォトレジストパター
ンを設けて電気めっき法により磁性膜を形成した後、不
要磁性膜の部分をウエットエッチング法により除去して
製品部となる多数の磁極パターンを配列形成する方法に
おいて、セラミック基板の外周近傍を除く部分に製品部
として切り出す部分を形成し、その全外周にわたって、
製品部と同等の形状のダミー部を形成する薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法である。
板上に導電膜を形成し、その上にフォトレジストパター
ンを設けて電気めっき法により磁性膜を形成した後、不
要磁性膜の部分をウエットエッチング法により除去して
製品部となる多数の磁極パターンを配列形成する方法に
おいて、セラミック基板の外周近傍を除く部分に製品部
として切り出す部分を形成し、その全外周にわたって、
製品部と同等の形状のダミー部を形成する薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法である。
【0009】
【作用】従来技術で電気めっき法により磁性膜を形成す
る際の膜厚分布を調べると、外周側の製品部で膜厚変動
が大きいことが認められた。これは隣接部分に磁性膜パ
ターンの乱れている箇所を有する外周側の製品部と、隣
接部分全てに磁性膜パターンが規則的に配列されている
箇所の製品部(中央寄りの製品部)を比べると、電気め
っきを行う際の電流密度が異なるためと考えられる。そ
こで本発明のように、薄膜磁気ヘッドの製品部の外周部
分にも、製品部と同等の形状の磁極パターンをダミー部
として形成しておくと、このダミー部が製品部に対して
緩衝機能を果たし、製品部の膜厚分布は均一化される。
る際の膜厚分布を調べると、外周側の製品部で膜厚変動
が大きいことが認められた。これは隣接部分に磁性膜パ
ターンの乱れている箇所を有する外周側の製品部と、隣
接部分全てに磁性膜パターンが規則的に配列されている
箇所の製品部(中央寄りの製品部)を比べると、電気め
っきを行う際の電流密度が異なるためと考えられる。そ
こで本発明のように、薄膜磁気ヘッドの製品部の外周部
分にも、製品部と同等の形状の磁極パターンをダミー部
として形成しておくと、このダミー部が製品部に対して
緩衝機能を果たし、製品部の膜厚分布は均一化される。
【0010】
【実施例】図1は、本発明に係る製品部(磁極パター
ン)の配列状態の一実施例を示す説明図である。薄膜磁
気ヘッドの製造は、基本的には従来と同様の工程で行っ
てよい。Al2 O3 −TiC基板の表面にAl2 O3 の
保護層を設けたセラミック基板上に、蒸着法によって導
電膜を形成し、主要磁性膜の部分を形成すべくフォトレ
ジストパターンを設ける。次いで電気めっき法により磁
性膜(パーマロイ等)を形成する。成膜した各製品部の
磁性膜は、中央が薄膜磁気ヘッドの磁極パターンとなる
主要磁性膜であり、その両側が電気めっき工程でヨーク
の機能を果たす不要磁性膜となる形状である。フォトレ
ジストパターンを除去し、イオンミリング法(イオンビ
ームエッチング法)によって磁性膜の無い部分の導電膜
を除去する。そして、主要磁性膜をフォトレジストパタ
ーンで覆って保護し、ウエットエッチング法により不要
磁性膜を除去する。その後、フォトレジストパターンを
除去する。
ン)の配列状態の一実施例を示す説明図である。薄膜磁
気ヘッドの製造は、基本的には従来と同様の工程で行っ
てよい。Al2 O3 −TiC基板の表面にAl2 O3 の
保護層を設けたセラミック基板上に、蒸着法によって導
電膜を形成し、主要磁性膜の部分を形成すべくフォトレ
ジストパターンを設ける。次いで電気めっき法により磁
性膜(パーマロイ等)を形成する。成膜した各製品部の
磁性膜は、中央が薄膜磁気ヘッドの磁極パターンとなる
主要磁性膜であり、その両側が電気めっき工程でヨーク
の機能を果たす不要磁性膜となる形状である。フォトレ
ジストパターンを除去し、イオンミリング法(イオンビ
ームエッチング法)によって磁性膜の無い部分の導電膜
を除去する。そして、主要磁性膜をフォトレジストパタ
ーンで覆って保護し、ウエットエッチング法により不要
磁性膜を除去する。その後、フォトレジストパターンを
除去する。
【0011】本発明では、図1に示すように、このよう
な磁極パターンを有する製品部12が、1枚のほぼ円形
状のセラミック基板10上に多数(例えば千個程度)規
則的に配列形成される。最終的には1行ずつダイシング
・マシーンで切断し、切断したバーにスライダとしての
形状加工を施した後、1個ずつに分離加工する。そのた
め、切断作業及びスライダとしての形状加工作業が容易
なように、同じ形状の大きな矩形状のブロックでまとま
り、且つ切断した1本のバーに同数の製品部が存在する
ように製品部群を配置する。ここで本発明の特徴は、そ
の製品部12の更に外側に、その全外周にわたって、製
品部と同等の形状のダミー部14を配置形成する点にあ
る。ここでは、製品部12の全外周に、ダミー部14を
1個ずつ並べるように設けている。
な磁極パターンを有する製品部12が、1枚のほぼ円形
状のセラミック基板10上に多数(例えば千個程度)規
則的に配列形成される。最終的には1行ずつダイシング
・マシーンで切断し、切断したバーにスライダとしての
形状加工を施した後、1個ずつに分離加工する。そのた
め、切断作業及びスライダとしての形状加工作業が容易
なように、同じ形状の大きな矩形状のブロックでまとま
り、且つ切断した1本のバーに同数の製品部が存在する
ように製品部群を配置する。ここで本発明の特徴は、そ
の製品部12の更に外側に、その全外周にわたって、製
品部と同等の形状のダミー部14を配置形成する点にあ
る。ここでは、製品部12の全外周に、ダミー部14を
1個ずつ並べるように設けている。
【0012】ダミー部14は、必ずしも完全な磁極パタ
ーンである必要はなく、セラミック基板で製品部12の
外周の面積が少ない場合には、磁極パターンの一部であ
ってもよい。また面積が広い場合には、ダミー部14を
複数個並べる構成であってもよい。いずれにしても、上
記のように、製品部12をできるだけ多く且つ容易に切
断でき、且つ切断したバーの形状加工も容易に行えるよ
うに配置すると共に、その全外周を、できるだけ多くの
ダミー部14が取り囲むように配列するのが望ましい。
ーンである必要はなく、セラミック基板で製品部12の
外周の面積が少ない場合には、磁極パターンの一部であ
ってもよい。また面積が広い場合には、ダミー部14を
複数個並べる構成であってもよい。いずれにしても、上
記のように、製品部12をできるだけ多く且つ容易に切
断でき、且つ切断したバーの形状加工も容易に行えるよ
うに配置すると共に、その全外周を、できるだけ多くの
ダミー部14が取り囲むように配列するのが望ましい。
【0013】1枚のセラミック基板について各製品部の
膜厚を測定し、その平均値、標準偏差、最大値、最小
値、及びR値(最大値−最小値)を求めた結果を表1に
示す。同一形状・同一寸法のセラミック基板を使用し、
同一条件で、同一個数の製品部が形成されるようにし
て、従来方法と本発明方法とを比較した。本発明方法
は、製品部の全外周にダミー部を設けるものである。な
お測定箇所は、全ての製品部についてであり、合計10
65箇所である。
膜厚を測定し、その平均値、標準偏差、最大値、最小
値、及びR値(最大値−最小値)を求めた結果を表1に
示す。同一形状・同一寸法のセラミック基板を使用し、
同一条件で、同一個数の製品部が形成されるようにし
て、従来方法と本発明方法とを比較した。本発明方法
は、製品部の全外周にダミー部を設けるものである。な
お測定箇所は、全ての製品部についてであり、合計10
65箇所である。
【0014】
【表1】
【0015】この結果から、従来方法ではR/X=2
7.8%、それに対して本発明方法ではR/X=17.
4%であり、約10%の膜厚分布の改善がなされている
ことが認められた。
7.8%、それに対して本発明方法ではR/X=17.
4%であり、約10%の膜厚分布の改善がなされている
ことが認められた。
【0016】
【発明の効果】本発明は上記のように、セラミック基板
の外周近傍を除く部分に製品部として切り出す部分を形
成し、その全外周にわたって、製品部と同等の形状のダ
ミー部を形成する方法であるから、電気めっきによる磁
性膜成膜の際に、外周部のダミー部が製品部に対して緩
衝作用をし、少なくとも各製品部は、隣接する周囲部分
に同等の磁極パターンを有するため、電気めっきの電流
密度のばらつきが少なくなり、膜厚分布が一定し、セラ
ミック基板の製品部全体にわたって成膜した磁性膜の膜
厚がより均一化される。このため、製品の特性のばらつ
きも抑えられ、製造の歩留りも向上する。
の外周近傍を除く部分に製品部として切り出す部分を形
成し、その全外周にわたって、製品部と同等の形状のダ
ミー部を形成する方法であるから、電気めっきによる磁
性膜成膜の際に、外周部のダミー部が製品部に対して緩
衝作用をし、少なくとも各製品部は、隣接する周囲部分
に同等の磁極パターンを有するため、電気めっきの電流
密度のばらつきが少なくなり、膜厚分布が一定し、セラ
ミック基板の製品部全体にわたって成膜した磁性膜の膜
厚がより均一化される。このため、製品の特性のばらつ
きも抑えられ、製造の歩留りも向上する。
【図1】本発明方法による製品部の配列状態の説明図。
【図2】従来方法による製品部の配列状態の説明図。
10 セラミック基板 12 製品部 14 ダミー部
Claims (1)
- 【請求項1】 セラミック基板上に導電膜を形成し、そ
の上にフォトレジストパターンを設けて電気めっき法に
より磁性膜を形成した後、不要磁性膜の部分をウエット
エッチング法により除去して製品部となる多数の磁極パ
ターンを配列形成する方法において、セラミック基板の
外周近傍を除く部分に製品部として切り出す部分を形成
し、その全外周にわたって、製品部と同等の形状のダミ
ー部を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5235399A JPH0762592A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5235399A JPH0762592A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0762592A true JPH0762592A (ja) | 1995-03-07 |
Family
ID=16985519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5235399A Pending JPH0762592A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6973712B2 (en) * | 2002-03-07 | 2005-12-13 | Headway Technologies, Inc. | Lead plating method for GMR head manufacture |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780795A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Fujitsu Ltd | Method of producing printed board |
| JPH01176089A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | めっきパターンの形成方法 |
-
1993
- 1993-08-27 JP JP5235399A patent/JPH0762592A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780795A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Fujitsu Ltd | Method of producing printed board |
| JPH01176089A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | めっきパターンの形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6973712B2 (en) * | 2002-03-07 | 2005-12-13 | Headway Technologies, Inc. | Lead plating method for GMR head manufacture |
| US7111386B2 (en) * | 2002-03-07 | 2006-09-26 | Headway Technologies, Inc. | Lead plating method for GMR head manufacture |
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