JPH0763035B2 - マイクロ波励起によるプラズマ生成源 - Google Patents
マイクロ波励起によるプラズマ生成源Info
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- JPH0763035B2 JPH0763035B2 JP61271907A JP27190786A JPH0763035B2 JP H0763035 B2 JPH0763035 B2 JP H0763035B2 JP 61271907 A JP61271907 A JP 61271907A JP 27190786 A JP27190786 A JP 27190786A JP H0763035 B2 JPH0763035 B2 JP H0763035B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばプラズマCVD装置やプラズマエツチン
グ装置に利用される、マイクロ波励起による電子サイク
ロトロン共鳴を用いたプラズマ生成源に関する。
グ装置に利用される、マイクロ波励起による電子サイク
ロトロン共鳴を用いたプラズマ生成源に関する。
半導体LSIなどの微細・高精細な製造技術として、プラ
ズマ・イオンなどの活性化粒子を用いたエツチング、膜
形成、イオン注入技術が広く使われている。プラズマを
発生させるプラズマ生成源としては、種々の放電形式が
検討されているが、その中で、マイクロ波励起による電
子サイクロトロン共鳴を用いたプラズマ放電（ECR放
電）は、低い圧力（１×10-5Torr以下）で放電可能で
あり、イオンの方向がそろうこと、高密度プラズマが
発生できること、無電極放電であるため寿命が長く、
活性ガスを使用できること等の優れた特徴を持つている
ために注目されている。
ズマ・イオンなどの活性化粒子を用いたエツチング、膜
形成、イオン注入技術が広く使われている。プラズマを
発生させるプラズマ生成源としては、種々の放電形式が
検討されているが、その中で、マイクロ波励起による電
子サイクロトロン共鳴を用いたプラズマ放電（ECR放
電）は、低い圧力（１×10-5Torr以下）で放電可能で
あり、イオンの方向がそろうこと、高密度プラズマが
発生できること、無電極放電であるため寿命が長く、
活性ガスを使用できること等の優れた特徴を持つている
ために注目されている。
第４図に、従来のECR放電を用いたプラズマ生成源の基
本構成を示す。１はプラズマ発生室、２はマイクロ波導
入窓、３は導波管、４は磁気コイル、５はガス導入口、
６はプラズマリミツタ、７は引き出されたプラズマ流で
ある。プラズマ発生室１に、ガス導入口５よりガスを、
導波管３よりマイクロ波（例えば2.45GHz）をそれぞれ
導入し（図にはマイクロ波発振源、アイソレータ、整合
器、マイクロ波電力計を省略してある）、磁気コイル４
によつて、電子サイクロトロン共鳴（ECR）条件の直流
磁場（875ガウス）をマイクロ波電界に対して直角方向
に印加すると、これらの相互作用で、プラズマ発生室１
に導入されたガスはプラズマとなる。通常、ECRプラズ
マCVD装置、ECRイオンシヤワエツチング装置のプラズマ
生成源は、マイクロ波を効率的にプラズマに吸収させる
ためにTE113などの共振モード構成になつている（例え
ばジヤパニーズ・ジヤーナル・オブ・アプライド・フイ
ジクス（Japanese Journal of Applied Physics）22巻
４号（1983）L210〜212）。
本構成を示す。１はプラズマ発生室、２はマイクロ波導
入窓、３は導波管、４は磁気コイル、５はガス導入口、
６はプラズマリミツタ、７は引き出されたプラズマ流で
ある。プラズマ発生室１に、ガス導入口５よりガスを、
導波管３よりマイクロ波（例えば2.45GHz）をそれぞれ
導入し（図にはマイクロ波発振源、アイソレータ、整合
器、マイクロ波電力計を省略してある）、磁気コイル４
によつて、電子サイクロトロン共鳴（ECR）条件の直流
磁場（875ガウス）をマイクロ波電界に対して直角方向
に印加すると、これらの相互作用で、プラズマ発生室１
に導入されたガスはプラズマとなる。通常、ECRプラズ
マCVD装置、ECRイオンシヤワエツチング装置のプラズマ
生成源は、マイクロ波を効率的にプラズマに吸収させる
ためにTE113などの共振モード構成になつている（例え
ばジヤパニーズ・ジヤーナル・オブ・アプライド・フイ
ジクス（Japanese Journal of Applied Physics）22巻
４号（1983）L210〜212）。
一般に第４図のプラズマ発生室１に導入されたマイクロ
波の電界強度は、プラズマ発生室１のマイクロ波導入窓
２の近傍で小さく、マイクロ波導入窓２から離れるにつ
れて、管内波長の1/4の周期で最大・最小をとる。この
プラズマ生成源は、マイクロ波導入窓２の近傍にECR条
件を満足する磁場（875ガウス）を発生させて動作させ
ているが、この領域はマイクロ波電界が弱い領域なの
で、必ずしも最適な構成になつていない。しかも、単純
にプラズマ生成室１のマイクロ波の電界強度の強いとこ
ろにECR条件の磁場をもつていつても、高効率のプラズ
マは生成されないという問題があつた。この理由として
は、プラズマが生成すると、プラズマ生成室内部のマ
イクロ波に対する誘電率が変わるため、マイクロ波の電
界強度の強い位置が変化してしまうこと、さらに、マ
イクロ波導入窓２の近傍で生成されるプラズマの状態が
全体のプラズマ生成に影響を与えるので、ECR条件を満
足する磁場の位置だけでなく、マイクロ波導入窓近傍の
磁場強度・分布が問題になることが推測される。
波の電界強度は、プラズマ発生室１のマイクロ波導入窓
２の近傍で小さく、マイクロ波導入窓２から離れるにつ
れて、管内波長の1/4の周期で最大・最小をとる。この
プラズマ生成源は、マイクロ波導入窓２の近傍にECR条
件を満足する磁場（875ガウス）を発生させて動作させ
ているが、この領域はマイクロ波電界が弱い領域なの
で、必ずしも最適な構成になつていない。しかも、単純
にプラズマ生成室１のマイクロ波の電界強度の強いとこ
ろにECR条件の磁場をもつていつても、高効率のプラズ
マは生成されないという問題があつた。この理由として
は、プラズマが生成すると、プラズマ生成室内部のマ
イクロ波に対する誘電率が変わるため、マイクロ波の電
界強度の強い位置が変化してしまうこと、さらに、マ
イクロ波導入窓２の近傍で生成されるプラズマの状態が
全体のプラズマ生成に影響を与えるので、ECR条件を満
足する磁場の位置だけでなく、マイクロ波導入窓近傍の
磁場強度・分布が問題になることが推測される。
本発明は、マイクロ波を供給するための第１の導波管を
備え、マイクロ波導入用開口を介して第１の導波管に連
結された第１の導波管より大きい断面を有する第２の導
波管内に、上記開口側に設けられ第１の導波管から供給
されたマイクロ波を伝搬させる誘電体領域と、この誘電
体領域によって区画されるプラズマ生成領域とを備えた
ものであり、上記誘電体領域は、少なくともプラズマ生
成領域との境界部分を含む領域が誘電体で充填され、第
２の導波管の上記開口からプラズマ生成領域との境界部
分までのマイクロ波導入方向に沿った最短の距離が、こ
の距離を伝搬するマイクロ波の管内波長の４分の１の奇
数倍となるものである。
備え、マイクロ波導入用開口を介して第１の導波管に連
結された第１の導波管より大きい断面を有する第２の導
波管内に、上記開口側に設けられ第１の導波管から供給
されたマイクロ波を伝搬させる誘電体領域と、この誘電
体領域によって区画されるプラズマ生成領域とを備えた
ものであり、上記誘電体領域は、少なくともプラズマ生
成領域との境界部分を含む領域が誘電体で充填され、第
２の導波管の上記開口からプラズマ生成領域との境界部
分までのマイクロ波導入方向に沿った最短の距離が、こ
の距離を伝搬するマイクロ波の管内波長の４分の１の奇
数倍となるものである。
誘電体の寸法を適当に設定することにより、マイクロ波
の電界強度が、そのマイクロ波がプラズマ生成領域に進
入する境界で大きくなる。しかも、誘電体内の電界分布
はプラズマの生成によつて変化しないため、上記電界の
大きい位置はプラズマの生成によつて変化せず、上記境
界部分での電界強度は常に大きく保たれる。
の電界強度が、そのマイクロ波がプラズマ生成領域に進
入する境界で大きくなる。しかも、誘電体内の電界分布
はプラズマの生成によつて変化しないため、上記電界の
大きい位置はプラズマの生成によつて変化せず、上記境
界部分での電界強度は常に大きく保たれる。
（実施例１） 第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。同図に
おいて、８は第１の導波管である矩形導波管、９は第２
の導波管であるプラズマ生成室、9Aは誘電体領域、9Bは
プラズマ生成領域、10は磁気コイル、11はガス導入口、
12はマイクロ波導入用開口、13はプラズマリミツタ、14
はプラズマ流である。プラズマ生成室９は、誘電体領域
9Aとプラズマ生成領域9Bとから構成されている。誘電体
領域9Aに充填された誘電体は、マイクロ波を伝播させる
一方、プラズマ生成領域9Bが真空に排気できるように、
Ｏリングにより真空封じを行つている。この誘電体の厚
みは、後述するように、そこにおけるマイクロ波の電界
強度がプラズマ生成領域9Bと接するところで強くなるよ
うに設定されている。誘電体材料としては、石英（誘電
率４）、BN（同４）、フオルススライト（同6,2）、ス
テアタイト（同６）、アルミナ（同９）などが使用でき
る。なお、この誘電体領域9Aの構成にあたつては、プラ
ズマとの接触に対して非脱ガス性、耐熱性を要したり、
真空封じをするための気密性・平坦性を要する部分には
石英、アルミナ等を用い、そのほかの部分には安価な材
質を用いるなどのように、誘電体をいくつかの部分に分
けて構成しても良いことは言うまでもない。
おいて、８は第１の導波管である矩形導波管、９は第２
の導波管であるプラズマ生成室、9Aは誘電体領域、9Bは
プラズマ生成領域、10は磁気コイル、11はガス導入口、
12はマイクロ波導入用開口、13はプラズマリミツタ、14
はプラズマ流である。プラズマ生成室９は、誘電体領域
9Aとプラズマ生成領域9Bとから構成されている。誘電体
領域9Aに充填された誘電体は、マイクロ波を伝播させる
一方、プラズマ生成領域9Bが真空に排気できるように、
Ｏリングにより真空封じを行つている。この誘電体の厚
みは、後述するように、そこにおけるマイクロ波の電界
強度がプラズマ生成領域9Bと接するところで強くなるよ
うに設定されている。誘電体材料としては、石英（誘電
率４）、BN（同４）、フオルススライト（同6,2）、ス
テアタイト（同６）、アルミナ（同９）などが使用でき
る。なお、この誘電体領域9Aの構成にあたつては、プラ
ズマとの接触に対して非脱ガス性、耐熱性を要したり、
真空封じをするための気密性・平坦性を要する部分には
石英、アルミナ等を用い、そのほかの部分には安価な材
質を用いるなどのように、誘電体をいくつかの部分に分
けて構成しても良いことは言うまでもない。
マイクロ波は、矩形導波管８、マイクロ波導入用開口12
を介してプラズマ生成室９に導かれる。プラズマ生成領
域9Bに、ガス導入口11よりガスを、導波管８からマイク
ロ波（例えば2.45GHz）をそれぞれ導入し（図にはマイ
クロ波発振源、アイソレータ、整合器、マイクロ波電力
計を省略してある）、磁気コイル10によつて、電子サイ
クロトロン共鳴（ECR）条件の直流磁場（875ガウス）を
マイクロ波電界に対して直角方向に印加すると、第４図
のものと同様に、これらの相互作用により、プラズマ生
成領域9Bに導入されたガスはプラズマとなる。このと
き、本実施例では、誘電体領域9Aとして誘電体を挿入す
ることにより、プラズマ生成領域9Bとの境界でプラズマ
の状態によらず、マイクロ波の電界強度が大きくなるよ
うに構成しているために、マイクロ波導入窓の近傍で高
密度のプラズマを効率良く生成することができる。
を介してプラズマ生成室９に導かれる。プラズマ生成領
域9Bに、ガス導入口11よりガスを、導波管８からマイク
ロ波（例えば2.45GHz）をそれぞれ導入し（図にはマイ
クロ波発振源、アイソレータ、整合器、マイクロ波電力
計を省略してある）、磁気コイル10によつて、電子サイ
クロトロン共鳴（ECR）条件の直流磁場（875ガウス）を
マイクロ波電界に対して直角方向に印加すると、第４図
のものと同様に、これらの相互作用により、プラズマ生
成領域9Bに導入されたガスはプラズマとなる。このと
き、本実施例では、誘電体領域9Aとして誘電体を挿入す
ることにより、プラズマ生成領域9Bとの境界でプラズマ
の状態によらず、マイクロ波の電界強度が大きくなるよ
うに構成しているために、マイクロ波導入窓の近傍で高
密度のプラズマを効率良く生成することができる。
マイクロ波がプラズマ生成領域に進入する境界でマイク
ロ波の電界強度を大きくするためには、具体的には、ｎ
を自然数とするとき、誘電体領域9Aのマイクロ波導入方
向の寸法（誘電体の厚み）ｔを、 ｔ＝λｇ×（2n−１）/4 とすればよい。ここで、λｇは誘電率εの誘電体を充填
した導波管の管内波長で、 で表される。ただし、λｃは遮断波長で、 λｃ＝２πr/1.84（円筒導波管のTE11モード;rは半径） で表され、λは自由空間のマイクロ波の波長である。
ロ波の電界強度を大きくするためには、具体的には、ｎ
を自然数とするとき、誘電体領域9Aのマイクロ波導入方
向の寸法（誘電体の厚み）ｔを、 ｔ＝λｇ×（2n−１）/4 とすればよい。ここで、λｇは誘電率εの誘電体を充填
した導波管の管内波長で、 で表される。ただし、λｃは遮断波長で、 λｃ＝２πr/1.84（円筒導波管のTE11モード;rは半径） で表され、λは自由空間のマイクロ波の波長である。
このようにすることにより、誘電体領域9Aでは、例えば
第１図中に破線でその包絡線を示したような境界強度分
布となる。ここで、プラズマ生成領域9Bにおける電界強
度分布は、プラズマの状態により変化するが、上述した
誘電体領域9Aの電界分布は変化せず、プラズマ生成領域
9Bとの境界において常に最大の強度を示す。一方、この
境界において、誘電体領域9Aの電界分布とプラズマ生成
領域9Bの電界分布とは連続性を保つから、結局プラズマ
生成領域9Bの電界強度も、上記境界においては強制的に
大きな値に固定される。
第１図中に破線でその包絡線を示したような境界強度分
布となる。ここで、プラズマ生成領域9Bにおける電界強
度分布は、プラズマの状態により変化するが、上述した
誘電体領域9Aの電界分布は変化せず、プラズマ生成領域
9Bとの境界において常に最大の強度を示す。一方、この
境界において、誘電体領域9Aの電界分布とプラズマ生成
領域9Bの電界分布とは連続性を保つから、結局プラズマ
生成領域9Bの電界強度も、上記境界においては強制的に
大きな値に固定される。
例として、2.45GHzのマイクロ波を用いて内径20cmのプ
ラズマ生成室を構成する場合、石英（誘電率４）を充填
したときの管内波長は6.4cmになるので、誘電体領域9A
の長さ（石英の厚み）を1.6×（2n−１）cmにすれば良
い。一般に、プラズマ生成室９の内径が小さくなるにつ
れて、管内波長が長くなるので本手法はより有効にな
る。
ラズマ生成室を構成する場合、石英（誘電率４）を充填
したときの管内波長は6.4cmになるので、誘電体領域9A
の長さ（石英の厚み）を1.6×（2n−１）cmにすれば良
い。一般に、プラズマ生成室９の内径が小さくなるにつ
れて、管内波長が長くなるので本手法はより有効にな
る。
さらに、円筒状の空洞を有するプラズマ生成室９に対し
て、誘電率εの誘電体を充填したときの遮断周波数f
cは、 で表される。よつて、2.45GHzのマイクロ波に対して誘
電率９のアルミナを充填すれば、マイクロ波を伝播する
に必要な円筒の内径は2.4cmでよくなるため、非常に小
形のプラズマ生成源を構成できる。
て、誘電率εの誘電体を充填したときの遮断周波数f
cは、 で表される。よつて、2.45GHzのマイクロ波に対して誘
電率９のアルミナを充填すれば、マイクロ波を伝播する
に必要な円筒の内径は2.4cmでよくなるため、非常に小
形のプラズマ生成源を構成できる。
第４図のような構成で内径7.15cm以下の小形のプラズマ
生成室を構成すると、一般的にはマイクロ波は遮断され
誘電体が充填されていないプラズマ生成領域にマイクロ
波を導入できない。しかしながら、実際には一部のマイ
クロ波がプラズマ生成領域に僅かに漏れているため、プ
ラズマの生成ができる。その上、一度プラズマが生成さ
れると、プラズマ生成領域9Bは誘電率の高い誘電体（プ
ラズマ）で充填されていることと等価になり、マイクロ
波はプラズマ生成領域に伝播することになり定常的なプ
ラズマが生成される。すなわち、プラズマ生成室となる
空洞が、プラズマが生成されない状態で、導入マイクロ
波を伝送しないような遮断域の伝送モードに相当する小
さい内法寸法を有する場合でも、プラズマを生成するこ
とができる。
生成室を構成すると、一般的にはマイクロ波は遮断され
誘電体が充填されていないプラズマ生成領域にマイクロ
波を導入できない。しかしながら、実際には一部のマイ
クロ波がプラズマ生成領域に僅かに漏れているため、プ
ラズマの生成ができる。その上、一度プラズマが生成さ
れると、プラズマ生成領域9Bは誘電率の高い誘電体（プ
ラズマ）で充填されていることと等価になり、マイクロ
波はプラズマ生成領域に伝播することになり定常的なプ
ラズマが生成される。すなわち、プラズマ生成室となる
空洞が、プラズマが生成されない状態で、導入マイクロ
波を伝送しないような遮断域の伝送モードに相当する小
さい内法寸法を有する場合でも、プラズマを生成するこ
とができる。
なお、そのためにこのプラズマ生成領域9Bの誘電体領域
9Aとの境界の磁場を、プラズマの放電開始が容易なECR
条件を満足する磁場に設定していつたんプラズマを生成
した後に、高密度プラズマ生成に最適な磁場分布に調整
するのが望ましい。
9Aとの境界の磁場を、プラズマの放電開始が容易なECR
条件を満足する磁場に設定していつたんプラズマを生成
した後に、高密度プラズマ生成に最適な磁場分布に調整
するのが望ましい。
よつて、このようにプラズマ生成室９を構成し、それと
ともに周辺の導波管８（誘電体を充填した導波管を用い
れば小形化を図ることが出来る）、磁気コイル10等を小
形にすれば、非常に小形のプラズマ生成源を構成でき
る。また、このように小形にすると、同一マイクロ波電
力に対する電力密度が高くなり、低電力で高密度プラズ
マが生成できる。さらに、プラズマ中を伝播するマイク
ロ波の管内波長が、プラズマ生成室の内径が小さいほど
長くなるので、マイクロ波がプラズマに吸収される領域
が拡がり、より効率的にプラズマが生成できる。
ともに周辺の導波管８（誘電体を充填した導波管を用い
れば小形化を図ることが出来る）、磁気コイル10等を小
形にすれば、非常に小形のプラズマ生成源を構成でき
る。また、このように小形にすると、同一マイクロ波電
力に対する電力密度が高くなり、低電力で高密度プラズ
マが生成できる。さらに、プラズマ中を伝播するマイク
ロ波の管内波長が、プラズマ生成室の内径が小さいほど
長くなるので、マイクロ波がプラズマに吸収される領域
が拡がり、より効率的にプラズマが生成できる。
（実施例２） 第２図は本発明の他の実施例を示す構成図である。15は
プラズマ生成室で、第３図に対応させると、15Aが誘電
体領域で大気空間15A−１と誘電体15A−２とから構成さ
れており、15Bがプラズマ生成領域である。誘電体15A−
２はプラズマ生成領域15Bが真空に排気できるように真
空封じを行つている。よつて、第１図の構成と同様に、
誘電体領域15Aの誘電率とマイクロ波導入方向の寸法お
よび位置を勘案することにより、プラズマ生成領域15B
の境界でマイクロ波の電界強度を強くすることができ
る。よつて、実施例１で述べたと同様に効率の良いプラ
ズマ生成が可能になる。
プラズマ生成室で、第３図に対応させると、15Aが誘電
体領域で大気空間15A−１と誘電体15A−２とから構成さ
れており、15Bがプラズマ生成領域である。誘電体15A−
２はプラズマ生成領域15Bが真空に排気できるように真
空封じを行つている。よつて、第１図の構成と同様に、
誘電体領域15Aの誘電率とマイクロ波導入方向の寸法お
よび位置を勘案することにより、プラズマ生成領域15B
の境界でマイクロ波の電界強度を強くすることができ
る。よつて、実施例１で述べたと同様に効率の良いプラ
ズマ生成が可能になる。
大気空間15A−１には、誘電体を配置してもよい。いず
れにしても、本実施例は実施例１と比較して、誘電体が
単純な円板状でよいため、加工が容易な利点がある。
れにしても、本実施例は実施例１と比較して、誘電体が
単純な円板状でよいため、加工が容易な利点がある。
（実施例３） 第３図に本発明の第３の実施例の構成図を示す。この実
施例は基本的には、第２図の実施例と全く同一である。
16はガス導入口、17はプラズマ生成室である。17Aは誘
電体領域で、17A−１は大気空間であるが、誘電体とし
てもよい。17A−２は誘電体であり、17Bがプラズマ生成
領域である。この構成では真空封じはカツプ状の誘電体
17A−２で行つている。この場合も、いままでの説明で
述べたように誘電体領域17Aの誘電率、マイクロ波導入
方向の寸法およびその位置を適切に決めれば、マイクロ
波の電界強度はプラズマ生成領域17Bの境界で強くな
る。よつて、実施例１と同様な操作でプラズマ生成源を
動作させることができ、しかも効率の良いプラズマを生
成できる。
施例は基本的には、第２図の実施例と全く同一である。
16はガス導入口、17はプラズマ生成室である。17Aは誘
電体領域で、17A−１は大気空間であるが、誘電体とし
てもよい。17A−２は誘電体であり、17Bがプラズマ生成
領域である。この構成では真空封じはカツプ状の誘電体
17A−２で行つている。この場合も、いままでの説明で
述べたように誘電体領域17Aの誘電率、マイクロ波導入
方向の寸法およびその位置を適切に決めれば、マイクロ
波の電界強度はプラズマ生成領域17Bの境界で強くな
る。よつて、実施例１と同様な操作でプラズマ生成源を
動作させることができ、しかも効率の良いプラズマを生
成できる。
以上、主としてプラズマ・ラジカルの生成源として用い
る場合について述べてきたが、本発明のプラズマ生成源
は、加速−減速構成の３枚電極構成のイオン引出し電極
系を用いれば、高密度・大電流イオン源として特に有効
である。また、１枚電極・単葉メツシユ電極を用いれ
ば、低エネルギーイオンの生成源としても有効である。
る場合について述べてきたが、本発明のプラズマ生成源
は、加速−減速構成の３枚電極構成のイオン引出し電極
系を用いれば、高密度・大電流イオン源として特に有効
である。また、１枚電極・単葉メツシユ電極を用いれ
ば、低エネルギーイオンの生成源としても有効である。
本発明によれば、プラズマ生成室のマイクロ波導入窓近
傍の、導入されたマイクロ波の電界の小さい部分に誘電
体を配置したことにより、マイクロ波がプラズマ生成領
域に入る場所でマイクロ波の電界が強くなるようにし、
短い距離の間にマイクロ波をプラズマ中の電子に吸収さ
せることができるため、従来よりも高効率のプラズマ生
成源・イオン源として有効である。すなわち、ECRプラ
ズマCVD装置、ECRプラズマエツチング装置用のプラズマ
生成源として使用すれば、より効率の良い装置を構成出
来る利点がある。
傍の、導入されたマイクロ波の電界の小さい部分に誘電
体を配置したことにより、マイクロ波がプラズマ生成領
域に入る場所でマイクロ波の電界が強くなるようにし、
短い距離の間にマイクロ波をプラズマ中の電子に吸収さ
せることができるため、従来よりも高効率のプラズマ生
成源・イオン源として有効である。すなわち、ECRプラ
ズマCVD装置、ECRプラズマエツチング装置用のプラズマ
生成源として使用すれば、より効率の良い装置を構成出
来る利点がある。
また、小形のプラズマ・イオン・ラジカルの発生源とし
て使用できるから、MBE装置・MOCVD装置・プラズマ応用
装置などに付加した複合装置で、表面反応の促進、ドー
ピングの効率化等により、エツチング、膜形成技術の高
制御化が可能になる。
て使用できるから、MBE装置・MOCVD装置・プラズマ応用
装置などに付加した複合装置で、表面反応の促進、ドー
ピングの効率化等により、エツチング、膜形成技術の高
制御化が可能になる。
さらに、加速−減速のイオン引出し電極を設置すること
により、小形の大電流イオン源として使用でき、イオン
注入装置用のイオン源として有望であるとともに、１枚
電極・単葉メツシユ電極を用いることにより低エネルギ
ーイオンの生成源としても有効である。
により、小形の大電流イオン源として使用でき、イオン
注入装置用のイオン源として有望であるとともに、１枚
電極・単葉メツシユ電極を用いることにより低エネルギ
ーイオンの生成源としても有効である。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図および
第３図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す構成図、第
４図は従来例を示す構成図である。 ８……導波管、9,15,17……プラズマ生成室、9A,15A,17
A……誘電体領域、9B,15B,17B……プラズマ生成領域、1
0……磁気コイル、11,16……ガス導入口、12……マイク
ロ波導入用開口。
第３図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す構成図、第
４図は従来例を示す構成図である。 ８……導波管、9,15,17……プラズマ生成室、9A,15A,17
A……誘電体領域、9B,15B,17B……プラズマ生成領域、1
0……磁気コイル、11,16……ガス導入口、12……マイク
ロ波導入用開口。
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波を供給するための第１の導波管
を備え、マイクロ波導入用開口を介して第１の導波管に
連結された第１の導波管より大きい断面を有する第２の
導波管内に、前記開口側に設けられ第１の導波管から供
給されたマイクロ波を伝搬させる誘電体領域と、この誘
電体領域によって区画されるプラズマ生成領域とを備え
たマイクロ波励起によるプラズマ生成源であって、 前記誘電体領域は、少なくともプラズマ生成領域との境
界部分を含む領域が誘電体で充填され、第２の導波管の
前記開口からプラズマ生成領域との境界部分までのマイ
クロ波導入方向に沿った最短の距離が、この距離を伝搬
するマイクロ波の管内波長の４分の１の奇数倍となるも
のであることを特徴とするマイクロ波励起によるプラズ
マ生成源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271907A JPH0763035B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | マイクロ波励起によるプラズマ生成源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271907A JPH0763035B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | マイクロ波励起によるプラズマ生成源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63126196A JPS63126196A (ja) | 1988-05-30 |
| JPH0763035B2 true JPH0763035B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=17506547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61271907A Expired - Lifetime JPH0763035B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | マイクロ波励起によるプラズマ生成源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0763035B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01187919A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置 |
| JP2002299240A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Tadahiro Omi | プラズマ処理装置 |
| US7779783B2 (en) | 2002-08-14 | 2010-08-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| US8267040B2 (en) | 2004-02-16 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5782474A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-22 | Hitachi Ltd | Microwave etching device |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP61271907A patent/JPH0763035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63126196A (ja) | 1988-05-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |