JPH076330A - 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法Info
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- JPH076330A JPH076330A JP5165950A JP16595093A JPH076330A JP H076330 A JPH076330 A JP H076330A JP 5165950 A JP5165950 A JP 5165950A JP 16595093 A JP16595093 A JP 16595093A JP H076330 A JPH076330 A JP H076330A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反強磁性体膜であるFeMnの洗浄工程にお
ける溶解、腐食の発生を防止できるMRヘッド製造方法
を提供する。 【構成】 MR層13とこのMR層13上に積層された
反強磁性体層16とを有するMRヘッドの製造における
洗浄工程で弱アルカリ性の洗浄水を使用する。
ける溶解、腐食の発生を防止できるMRヘッド製造方法
を提供する。 【構成】 MR層13とこのMR層13上に積層された
反強磁性体層16とを有するMRヘッドの製造における
洗浄工程で弱アルカリ性の洗浄水を使用する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体からの再生を行う磁気抵抗効果ヘッド(以下MRヘ
ッドと称する)の製造方法に関する。
媒体からの再生を行う磁気抵抗効果ヘッド(以下MRヘ
ッドと称する)の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したMRヘッ
ドが実用化され始めている。MRヘッドは、パーマロイ
等の強磁性体薄膜の磁気抵抗効果を利用したものである
ため、磁気媒体との相対速度に依存することなく大きな
再生出力を得ることができる。しかしながら、この種の
材質によるMRヘッドは、バルクハウゼンノイズを発生
し易いためこれを抑制する何らかの対策を施す必要があ
る。
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したMRヘッ
ドが実用化され始めている。MRヘッドは、パーマロイ
等の強磁性体薄膜の磁気抵抗効果を利用したものである
ため、磁気媒体との相対速度に依存することなく大きな
再生出力を得ることができる。しかしながら、この種の
材質によるMRヘッドは、バルクハウゼンノイズを発生
し易いためこれを抑制する何らかの対策を施す必要があ
る。
【0003】バルクハウゼンノイズの発生抑止には、磁
気媒体の面に平行でありかつMR素子の縦方向に平行な
縦バイアス磁界を印加することによってMR素子の単磁
区化を行うことが有効である。特開昭62−40610
号には、FeMnによる反強磁性体膜をMR膜上に積層
することにより反強磁性体膜とMR膜との磁気的相互作
用を利用してこの種の縦バイアス磁界を発生するように
したMRヘッドが開示されている。
気媒体の面に平行でありかつMR素子の縦方向に平行な
縦バイアス磁界を印加することによってMR素子の単磁
区化を行うことが有効である。特開昭62−40610
号には、FeMnによる反強磁性体膜をMR膜上に積層
することにより反強磁性体膜とMR膜との磁気的相互作
用を利用してこの種の縦バイアス磁界を発生するように
したMRヘッドが開示されている。
【0004】一般に、MRヘッドを製造する場合には複
数回の洗浄工程が実施される。例えば、ウエハ上に多数
のMR素子を形成する薄膜集積工程においては、レジス
ト膜を有機溶剤で除去した後、洗浄が行われる。また、
MR素子を形成したウエハをバーに切断した後のスライ
ダ加工工程においては、例えば、精密研磨時に生じる研
磨くず、研磨スラリー等による汚れを取り除くために洗
浄が行われる。
数回の洗浄工程が実施される。例えば、ウエハ上に多数
のMR素子を形成する薄膜集積工程においては、レジス
ト膜を有機溶剤で除去した後、洗浄が行われる。また、
MR素子を形成したウエハをバーに切断した後のスライ
ダ加工工程においては、例えば、精密研磨時に生じる研
磨くず、研磨スラリー等による汚れを取り除くために洗
浄が行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような洗浄工程で
は、フロンの廃止等もからみ、洗浄水として、超純水、
濃縮超純水、純水、市水等が用いられている。しかしな
がら、バルクハウゼンノイズ抑止のために用いられてい
る反強磁性体膜としてのFeMnは、この純水に非常に
侵されやすく、溶解及び腐食されやすい。例えば、純水
中においては、20秒程度で激しい腐食が進行すること
が確認されている。
は、フロンの廃止等もからみ、洗浄水として、超純水、
濃縮超純水、純水、市水等が用いられている。しかしな
がら、バルクハウゼンノイズ抑止のために用いられてい
る反強磁性体膜としてのFeMnは、この純水に非常に
侵されやすく、溶解及び腐食されやすい。例えば、純水
中においては、20秒程度で激しい腐食が進行すること
が確認されている。
【0006】溶解や腐食が起こると、この反強磁性体膜
による磁気的相互作用が弱まってノイズ抑制効果が大幅
に低減する恐れがあり、さらに、反強磁性体膜自体がM
R層から剥れてしまい、歩留が悪化する恐れがある。
による磁気的相互作用が弱まってノイズ抑制効果が大幅
に低減する恐れがあり、さらに、反強磁性体膜自体がM
R層から剥れてしまい、歩留が悪化する恐れがある。
【0007】従って本発明は、反強磁性体膜であるFe
Mnの洗浄工程における溶解、腐食の発生を防止できる
MRヘッド製造方法を提供するものである。
Mnの洗浄工程における溶解、腐食の発生を防止できる
MRヘッド製造方法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、MR層
とこのMR層上に積層された反強磁性体層とを有するM
Rヘッドの製造における洗浄工程で弱アルカリ性の洗浄
水が使用される。
とこのMR層上に積層された反強磁性体層とを有するM
Rヘッドの製造における洗浄工程で弱アルカリ性の洗浄
水が使用される。
【0009】上述の洗浄工程が、集積工程においてMR
層上に反強磁性体層を積層した後に行われる洗浄工程、
又は集積工程後のスライダ加工工程において行われる洗
浄工程であってもよい。
層上に反強磁性体層を積層した後に行われる洗浄工程、
又は集積工程後のスライダ加工工程において行われる洗
浄工程であってもよい。
【0010】
【作用】反強磁性体層であるFeMnは、超純水、濃縮
超純水、純水、市水等には侵されやすいがアルカリに対
しては比較的強い。従って、pH7〜pH10の弱アル
カリ性の洗浄水を用いて洗浄を行うことによりその腐食
を防止することができる。
超純水、純水、市水等には侵されやすいがアルカリに対
しては比較的強い。従って、pH7〜pH10の弱アル
カリ性の洗浄水を用いて洗浄を行うことによりその腐食
を防止することができる。
【0011】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施例におけるMRヘッドの製造工
程の一部をABS面側から概略的に表した工程図であ
る。
図1は、本発明の一実施例におけるMRヘッドの製造工
程の一部をABS面側から概略的に表した工程図であ
る。
【0012】同図(A)に示すように、ウエハ上に形成
されたSiO2 、Al2 O3 等による絶縁層10上に、
NiFeRh、NiFeCr、CoZrMo等の軟磁性
体層(SAL)11と、Ti、Ta等の非磁性層(MS
L)12と、NiFe(パーマロイ)等のMR層13と
をこの順序で連続的に成膜する。この軟磁性体層11
は、MR素子に横バイアス磁界を付加してその出力波形
の線形化及び出力増大化を図るための層である。この横
バイアス磁界付加層としては、軟磁性体層の代わりに永
久磁石層等を用いてもよい。
されたSiO2 、Al2 O3 等による絶縁層10上に、
NiFeRh、NiFeCr、CoZrMo等の軟磁性
体層(SAL)11と、Ti、Ta等の非磁性層(MS
L)12と、NiFe(パーマロイ)等のMR層13と
をこの順序で連続的に成膜する。この軟磁性体層11
は、MR素子に横バイアス磁界を付加してその出力波形
の線形化及び出力増大化を図るための層である。この横
バイアス磁界付加層としては、軟磁性体層の代わりに永
久磁石層等を用いてもよい。
【0013】次いで、同図(B)に示すごとく、MR層
13上にレジスト14を塗布してパターニングする。こ
の状態でエッチングを行った後にレジスト14を除去す
ることによって、同図(C)に示すごとく個々のMRヘ
ッド部が分離形成される。
13上にレジスト14を塗布してパターニングする。こ
の状態でエッチングを行った後にレジスト14を除去す
ることによって、同図(C)に示すごとく個々のMRヘ
ッド部が分離形成される。
【0014】次いで、同図(D)に示すようにレジスト
15を塗布してパターニングする。この状態で、逆スパ
ッタ等によりMR層13の表面をクリーニングする。次
いで、同図(E)に示すように、この上にFeMnの反
強磁性体層16の成膜を行った後、レジスト15を除去
してリフトオフ法による反強磁性体層16のパターニン
グが行われる。この状態が同図(F)に示されている。
15を塗布してパターニングする。この状態で、逆スパ
ッタ等によりMR層13の表面をクリーニングする。次
いで、同図(E)に示すように、この上にFeMnの反
強磁性体層16の成膜を行った後、レジスト15を除去
してリフトオフ法による反強磁性体層16のパターニン
グが行われる。この状態が同図(F)に示されている。
【0015】レジスト15を有機溶剤等で溶解して反強
磁性体層16のパターニングを終了した後、洗浄工程が
実施される。本実施例においては、洗浄に用いられる純
水等にNaOH、Na2 CO3 等を加えて実質的にpH
7〜pH10の弱アルカリ性の洗浄水を作成し、これに
よって洗浄を行っている。弱アルカリ性の洗浄水によれ
ば、反強磁性体層16であるFeMnの腐食を防止する
ことができる。洗浄に用いられる純水等にNH3 等の可
溶性ガスをバブリングしてpH7〜pH10の弱アルカ
リ性の洗浄水を作成し、これによって洗浄を行ってもよ
い。
磁性体層16のパターニングを終了した後、洗浄工程が
実施される。本実施例においては、洗浄に用いられる純
水等にNaOH、Na2 CO3 等を加えて実質的にpH
7〜pH10の弱アルカリ性の洗浄水を作成し、これに
よって洗浄を行っている。弱アルカリ性の洗浄水によれ
ば、反強磁性体層16であるFeMnの腐食を防止する
ことができる。洗浄に用いられる純水等にNH3 等の可
溶性ガスをバブリングしてpH7〜pH10の弱アルカ
リ性の洗浄水を作成し、これによって洗浄を行ってもよ
い。
【0016】次いで、同図(G)に示すように、反強磁
性体層16上にW等の電極層17を成膜及びパターニン
グする。この電極層17の間の領域が、MR素子のトラ
ック幅Twに対応する領域であることは周知の通りであ
る。電極層17のパターニングの後にも洗浄が行われ
る。この洗浄工程においても、弱アルカリ性の洗浄水に
よって洗浄を行えば、反強磁性体層16はもちろんのこ
と電極層17を構成するWの純水による腐食や溶解をも
防止できる。
性体層16上にW等の電極層17を成膜及びパターニン
グする。この電極層17の間の領域が、MR素子のトラ
ック幅Twに対応する領域であることは周知の通りであ
る。電極層17のパターニングの後にも洗浄が行われ
る。この洗浄工程においても、弱アルカリ性の洗浄水に
よって洗浄を行えば、反強磁性体層16はもちろんのこ
と電極層17を構成するWの純水による腐食や溶解をも
防止できる。
【0017】なお、同図(E)に示す反強磁性体層16
の成膜の後、電極層17を連続成膜してからレジスト1
5を除去するように構成すれば、反強磁性体層16が空
気中に直接さらされることもないし、洗浄工程も1回で
済むからより好ましい。
の成膜の後、電極層17を連続成膜してからレジスト1
5を除去するように構成すれば、反強磁性体層16が空
気中に直接さらされることもないし、洗浄工程も1回で
済むからより好ましい。
【0018】図2は、本発明の他の実施例におけるMR
ヘッドの製造工程をABS面側から概略的に表した工程
図である。
ヘッドの製造工程をABS面側から概略的に表した工程
図である。
【0019】同図(A)〜(C)の工程は、図1の
(A)〜(C)の工程と全く同じである。即ち、ウエハ
上に形成されたSiO2 、Al2 O3 等による絶縁層2
0上に、NiFeRh、NiFeCr、CoZrMo等
の軟磁性体層(SAL)21と、Ti、Ta等の非磁性
層(MSL)22と、NiFe(パーマロイ)等のMR
層23とをこの順序で連続的に成膜する。次いで、同図
(B)に示すごとく、MR層23上にレジスト24を塗
布してパターニングする。この状態でエッチングを行っ
た後にレジスト24を除去することによって、同図
(C)に示すごとく個々のMRヘッド部が分離形成され
る。
(A)〜(C)の工程と全く同じである。即ち、ウエハ
上に形成されたSiO2 、Al2 O3 等による絶縁層2
0上に、NiFeRh、NiFeCr、CoZrMo等
の軟磁性体層(SAL)21と、Ti、Ta等の非磁性
層(MSL)22と、NiFe(パーマロイ)等のMR
層23とをこの順序で連続的に成膜する。次いで、同図
(B)に示すごとく、MR層23上にレジスト24を塗
布してパターニングする。この状態でエッチングを行っ
た後にレジスト24を除去することによって、同図
(C)に示すごとく個々のMRヘッド部が分離形成され
る。
【0020】次いで同図(D)に示すごとく、この上に
FeMnの反強磁性体層25の成膜を行った後、同図
(E)に示すようにレジスト26を塗布してパターニン
グする。この状態で同図の矢印27に示すようにイオン
ミリングを行う。同図(F)は、イオンミリング後の状
態を示している。
FeMnの反強磁性体層25の成膜を行った後、同図
(E)に示すようにレジスト26を塗布してパターニン
グする。この状態で同図の矢印27に示すようにイオン
ミリングを行う。同図(F)は、イオンミリング後の状
態を示している。
【0021】次いで同図(G)に示すように、レジスト
26を有機溶剤等で溶解して反強磁性体層25のパター
ニングを終了した後、洗浄工程が実施される。本実施例
においても、洗浄に用いられる純水等にNaOH、Na
2 CO3 等を加えて実質的にpH7〜pH10の弱アル
カリ性の洗浄水を作成し、これによって洗浄を行ってい
る。弱アルカリ性の洗浄水によれば、反強磁性体層25
であるFeMnの腐食を防止することができる。洗浄に
用いられる純水等にNH3 等の可溶性ガスをバブリング
してpH7〜pH10の弱アルカリ性の洗浄水を作成
し、これによって洗浄を行ってもよいことも前述の実施
例の場合と同じである。
26を有機溶剤等で溶解して反強磁性体層25のパター
ニングを終了した後、洗浄工程が実施される。本実施例
においても、洗浄に用いられる純水等にNaOH、Na
2 CO3 等を加えて実質的にpH7〜pH10の弱アル
カリ性の洗浄水を作成し、これによって洗浄を行ってい
る。弱アルカリ性の洗浄水によれば、反強磁性体層25
であるFeMnの腐食を防止することができる。洗浄に
用いられる純水等にNH3 等の可溶性ガスをバブリング
してpH7〜pH10の弱アルカリ性の洗浄水を作成
し、これによって洗浄を行ってもよいことも前述の実施
例の場合と同じである。
【0022】次いで、同図(H)に示すように、反強磁
性体層25上にW等の電極層28を成膜及びパターニン
グする。電極層28のパターニングの後にも洗浄が行わ
れる。この洗浄工程においても、弱アルカリ性の洗浄水
によって洗浄を行えば、反強磁性体層25はもちろんの
こと電極層28を構成するWの純水による腐食をも防止
できる。
性体層25上にW等の電極層28を成膜及びパターニン
グする。電極層28のパターニングの後にも洗浄が行わ
れる。この洗浄工程においても、弱アルカリ性の洗浄水
によって洗浄を行えば、反強磁性体層25はもちろんの
こと電極層28を構成するWの純水による腐食をも防止
できる。
【0023】以上の実施例は、ウエハ状態における薄膜
集積工程での洗浄、即ちMR層上に反強磁性体層を積層
した後に行われる洗浄に弱アルカリ性洗浄水を用いるも
のであるが、集積工程後にウエハをバー状態に切り出し
てスライダ加工する際、又は個々のスライダに分離した
後の最終的な洗浄工程においても弱アルカリ性洗浄水を
用いることにより、反強磁性体層であるFeMnはもち
ろん、ABS面に露出した金属層の腐食を防止すること
ができる。
集積工程での洗浄、即ちMR層上に反強磁性体層を積層
した後に行われる洗浄に弱アルカリ性洗浄水を用いるも
のであるが、集積工程後にウエハをバー状態に切り出し
てスライダ加工する際、又は個々のスライダに分離した
後の最終的な洗浄工程においても弱アルカリ性洗浄水を
用いることにより、反強磁性体層であるFeMnはもち
ろん、ABS面に露出した金属層の腐食を防止すること
ができる。
【0024】実際に、精密研磨後のスライダについて、
純水で洗浄した場合と弱アルカリ性洗浄水で洗浄した場
合とを比較した。前者の場合はFeMnの腐食が認めら
れ、再生波形にバルクハウゼンノイズが多く含まれてい
たが、後者の場合はFeMnの腐食が全くなく、再生波
形にバルクハウゼンノイズは存在しなかった。
純水で洗浄した場合と弱アルカリ性洗浄水で洗浄した場
合とを比較した。前者の場合はFeMnの腐食が認めら
れ、再生波形にバルクハウゼンノイズが多く含まれてい
たが、後者の場合はFeMnの腐食が全くなく、再生波
形にバルクハウゼンノイズは存在しなかった。
【0025】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、MR層とこのMR層上に積層された反強磁性体層と
を有するMRヘッドの製造における洗浄工程で弱アルカ
リ性の洗浄水を使用しているため、反強磁性体膜である
FeMnの溶解、腐食の発生を防止することができる。
その結果、反強磁性体膜によるノイズ抑制効果が低減す
るような不都合がなく、また、反強磁性体膜自体がMR
層から剥れてしまって歩留が悪化するようなこともな
い。
ば、MR層とこのMR層上に積層された反強磁性体層と
を有するMRヘッドの製造における洗浄工程で弱アルカ
リ性の洗浄水を使用しているため、反強磁性体膜である
FeMnの溶解、腐食の発生を防止することができる。
その結果、反強磁性体膜によるノイズ抑制効果が低減す
るような不都合がなく、また、反強磁性体膜自体がMR
層から剥れてしまって歩留が悪化するようなこともな
い。
【図1】本発明の一実施例におけるMRヘッドの製造工
程の一部をABS側から概略的に表した工程図である。
程の一部をABS側から概略的に表した工程図である。
【図2】本発明の他の実施例におけるMRヘッドの製造
工程の一部をABS側から概略的に表した工程図であ
る。
工程の一部をABS側から概略的に表した工程図であ
る。
10、20 絶縁層 11、21 軟磁性体層 12、22 非磁性層 13、23 MR層 14、15、24、26 レジスト 16、25 反強磁性体層 17、28 電極層
Claims (3)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果層と該磁気抵抗効果層上に
積層された反強磁性体層とを有する磁気抵抗効果ヘッド
を製造する方法であって、洗浄工程では弱アルカリ性の
洗浄水を用いて洗浄を行うことを特徴とする磁気抵抗効
果ヘッドの製造方法。 - 【請求項2】 前記洗浄工程が、集積工程において磁気
抵抗効果層上に反強磁性体層を積層した後に行われる洗
浄工程であることを特徴とする請求項1に記載の製造方
法。 - 【請求項3】 前記洗浄工程が、集積工程後のスライダ
加工工程において行われる洗浄工程であることを特徴と
する請求項1又は2に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165950A JPH076330A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165950A JPH076330A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076330A true JPH076330A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15822102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5165950A Pending JPH076330A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076330A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5761010A (en) * | 1995-08-31 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head, manufacturing method of the head and magnetic recording/reproducing drive |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53121006A (en) * | 1977-03-24 | 1978-10-23 | Henkel Kgaa | Method of washing metal by spray |
| JPH0567314A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツドの製造方法 |
| JPH0569560A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-23 | Seiko Epson Corp | プリンターのワイヤードツトヘツドの洗浄方法 |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP5165950A patent/JPH076330A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53121006A (en) * | 1977-03-24 | 1978-10-23 | Henkel Kgaa | Method of washing metal by spray |
| JPH0567314A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツドの製造方法 |
| JPH0569560A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-23 | Seiko Epson Corp | プリンターのワイヤードツトヘツドの洗浄方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5761010A (en) * | 1995-08-31 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head, manufacturing method of the head and magnetic recording/reproducing drive |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020514 |