JPH0764677A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
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- JPH0764677A JPH0764677A JP5213880A JP21388093A JPH0764677A JP H0764677 A JPH0764677 A JP H0764677A JP 5213880 A JP5213880 A JP 5213880A JP 21388093 A JP21388093 A JP 21388093A JP H0764677 A JPH0764677 A JP H0764677A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電源電圧の検出値を低くして電池の延命化を図
ることができると共に、電源電圧の低下検出後からも発
振回路の確実な動作を行わせることができて確実な電池
切れの警告動作やメモリのデータ破壊を防止することを
目的とする。
【構成】電池電圧VDDを降圧して電圧VCCを出力する降
圧回路14と、電池電圧VDDが所定値以下に達したことを
検出する電源電圧検出回路11と、上記降圧電圧VCCと電
池電圧VSSが供給され、電源電圧検出回路11の検出出力
に応じていずれか一方の電圧を出力する切替回路19と、
上記切替回路から出力される電圧を一方の電圧として用
いて動作する水晶発振回路13と、上記水晶発振回路13か
ら出力されるクロック信号XTOSCに同期して動作す
るCPU15とから構成される。
(57) [Abstract] [Purpose] The detection value of the power supply voltage can be lowered to extend the life of the battery, and the oscillation circuit can be operated reliably even after the detection of the drop in the power supply voltage. The purpose is to prevent the warning operation of battery exhaustion and to prevent data destruction of memory. [Constitution] A step-down circuit 14 for stepping down the battery voltage VDD and outputting the voltage VCC, a power supply voltage detection circuit 11 for detecting that the battery voltage VDD has reached a predetermined value or less, and the step-down voltage VCC and the battery voltage VSS A switching circuit 19 that is supplied and outputs one of the voltages according to the detection output of the power supply voltage detection circuit 11,
It is composed of a crystal oscillating circuit 13 that operates using the voltage output from the switching circuit as one voltage, and a CPU 15 that operates in synchronization with the clock signal XTOSC output from the crystal oscillating circuit 13.
Description
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は発振回路を有し、電池
によって駆動されるシステムに使用される半導体集積回
路装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having an oscillator circuit and used in a system driven by a battery.
【0002】[0002]
【従来の技術】民生用の半導体集積回路装置(以下、L
SIと称する)では、素子の微細化が進み、付加価値の
高い製品が要求されている。中でも、低電圧低消費電力
の市場要求は強く、8ビットCPUでも電卓並の低消費
電力が要求されている。この様な低消費電力化は、LS
I動作の中で消費電流が多い発振回路を低消費電流化に
することによって実現されている。2. Description of the Related Art Consumer semiconductor integrated circuit devices (hereinafter referred to as L
In SI), the miniaturization of elements is progressing, and products with high added value are required. Above all, there is a strong market demand for low voltage and low power consumption, and even an 8-bit CPU is required to have power consumption as low as a calculator. Such low power consumption is due to LS
This is realized by reducing the current consumption of an oscillation circuit that consumes a large amount of current during the I operation.
【0003】図10は、発振回路を有し、この発振回路
の低消費電流化が図られた従来のLSIを用いたシステ
ムの一例である電子手帳の構成を示すブロック図であ
る。図において、10はLSI本体であり、このLSI本
体10には電池による高電位側の電源電圧VDDと低電位側
の電源電圧VSSが供給されている。また、上記LSI本
体10内には、電源電圧VDDの値を検出する電源電圧検出
回路11、初期動作用のCR発振回路12、水晶発振回路
(クリスタル発振回路)13、電源電圧VDDを降圧して内
部電源電圧VCCを出力する降圧回路14、各種演算処理を
実行するCPU(演算処理装置)15、上記CPUで発生
されるデータに基づいて表示信号を発生する液晶表示駆
動回路16が設けられている。FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of an electronic notebook which is an example of a system using an LSI having a conventional oscillation circuit and having a low current consumption. In the figure, 10 is an LSI main body, and a high-potential-side power supply voltage VDD and a low-potential-side power supply voltage VSS are supplied to the LSI main body 10. In the LSI body 10, a power supply voltage detection circuit 11 for detecting the value of the power supply voltage VDD, a CR oscillation circuit 12 for initial operation, a crystal oscillation circuit (crystal oscillation circuit) 13, and a power supply voltage VDD are stepped down. A step-down circuit 14 that outputs an internal power supply voltage Vcc, a CPU (arithmetic processing unit) 15 that executes various arithmetic processes, and a liquid crystal display drive circuit 16 that generates a display signal based on data generated by the CPU are provided. .
【0004】また、LSI本体10の外部には、各種デー
タを入力するためのキー入力部17、上記液晶表示駆動回
路16で発生される表示信号が供給される液晶表示部18な
どが設けられている。Further, outside the LSI body 10, there are provided a key input section 17 for inputting various data, a liquid crystal display section 18 to which a display signal generated by the liquid crystal display drive circuit 16 is supplied, and the like. There is.
【0005】上記CR発振回路12は電子手帳に対し始め
て電池を入れた時や、電池の交換時に動作状態となり、
クロック信号CROSCを発生して上記CPU15に同期
信号として供給する。The CR oscillating circuit 12 becomes active when the battery is inserted into the electronic notebook for the first time or when the battery is replaced.
A clock signal CROSC is generated and supplied to the CPU 15 as a synchronizing signal.
【0006】水晶発振回路13は上記CR発振回路12と同
時に動作を開始する。そして、水晶発振回路13の発振動
作が安定状態になると、CR発振回路12の動作がCPU
15からの制御信号CRSTOPに基づいて停止され、こ
の後は、水晶発振回路13で発生されるクロック信号XT
OSCがCPU15で使用されることになる。The crystal oscillator circuit 13 starts operating simultaneously with the CR oscillator circuit 12. When the oscillation operation of the crystal oscillation circuit 13 becomes stable, the operation of the CR oscillation circuit 12 becomes
It is stopped based on the control signal CRSTOP from 15 and then the clock signal XT generated by the crystal oscillation circuit 13 is generated.
The OSC will be used by the CPU 15.
【0007】降圧回路14は、電池投入後にCPU15から
出力されるクロック信号HCLKに基づいて動作し、電
池による電源電圧VDDを例えば1/2に降圧して出力す
る。従って、電池の電圧VDDが3Vの場合に降圧電圧V
CCは1.5Vになる。この降圧電圧VCCは水晶発振回路
13及び液晶表示駆動回路16に供給される。The step-down circuit 14 operates on the basis of the clock signal HCLK output from the CPU 15 after the battery is turned on, and steps down the power supply voltage VDD from the battery to, for example, 1/2 and outputs it. Therefore, when the voltage VDD of the battery is 3V, the step-down voltage V
CC becomes 1.5V. This step-down voltage VCC is a crystal oscillation circuit
13 and the liquid crystal display drive circuit 16.
【0008】電源電圧検出回路11は電池電圧VDDの低下
を検出し、VDDの値が所定値よりも低下すると検出信号
DEFを発生し、CPU15に供給する。CPU15はこの
信号DEFを受けると、電池電圧が低下したと判断し、
電池切れを使用者に対して視覚的もしくは聴覚的に知ら
せるための動作を行う。The power supply voltage detection circuit 11 detects a decrease in the battery voltage VDD, and when the value of VDD drops below a predetermined value, a detection signal DEF is generated and supplied to the CPU 15. When the CPU 15 receives this signal DEF, it determines that the battery voltage has dropped,
Performs an operation to notify the user visually or audibly that the battery is dead.
【0009】このような構成の電子手帳では、消費電力
が特に多い回路、すなわち水晶発振回路13に対しては、
外部の電源電圧VDDをそのまま供給するのではなく、降
圧回路14によって降圧された電圧VCCを供給し、低電圧
化することによって低消費電力化を図っている。なお、
降圧電圧VCCは液晶表示駆動回路16にも供給されている
が、これは液晶表示駆動回路16で表示信号を形成するた
めに3値の電圧を必要とするためである。In the electronic notebook having such a structure, for a circuit that consumes a particularly large amount of power, that is, for the crystal oscillation circuit 13,
The external power supply voltage VDD is not supplied as it is, but the voltage VCC which is stepped down by the step-down circuit 14 is supplied to reduce the voltage, thereby reducing the power consumption. In addition,
The step-down voltage Vcc is also supplied to the liquid crystal display drive circuit 16, because the liquid crystal display drive circuit 16 requires a ternary voltage to form a display signal.
【0010】ところで、上記電源電圧検出回路11におけ
る検出電圧値は、LSI本体10の最小動作電圧値もしく
は、外付回路の最小動作電圧値よりも高めに設定されて
いる。なお、上記検出電圧値を外付回路の最小動作電圧
値よりも高めに設定する場合には、外付回路の最小動作
電圧値よりもLSI本体10の最小動作電圧値が低くなく
てはならない。また、電池寿命の延命化の観点から、電
源電圧検出回路11の検出電圧値は出来るだけ低めに設定
される傾向が強い。By the way, the detected voltage value in the power supply voltage detection circuit 11 is set higher than the minimum operating voltage value of the LSI main body 10 or the minimum operating voltage value of the external circuit. When the detected voltage value is set higher than the minimum operating voltage value of the external circuit, the minimum operating voltage value of the LSI body 10 must be lower than the minimum operating voltage value of the external circuit. Further, from the viewpoint of extending the life of the battery, there is a strong tendency that the detection voltage value of the power supply voltage detection circuit 11 is set as low as possible.
【0011】一方、一般に民生用LSIでは、使用範囲
が広いCR系のコイン型二酸化マンガン・リチウム電池
を使用することが多い。図11はこの二酸化マンガン・
リチウム電池の負荷特性の一例を示している。図10の
回路構成において図11の説明を説明すると、t1の期
間はLSI本体10が問題なく動作する期間であり、t1
の期間が終了した後から電源電圧検出回路11で電圧低下
が検出され、その後のt2の期間が電池切れの警告動作
期間となる。そして、LSI本体10に関しては、t3
(=t1+t2)の期間で動作保証が求められる。On the other hand, in general, consumer type LSIs often use CR type coin type manganese dioxide / lithium batteries which have a wide range of use. Figure 11 shows this manganese dioxide
An example of the load characteristic of a lithium battery is shown. To explain the explanation of FIG. 11 in the circuit configuration of FIG. 10, the period of t1 is a period during which the LSI main body 10 operates without any problem.
The voltage drop is detected by the power supply voltage detection circuit 11 after the period of (3) is finished, and the subsequent period of t2 becomes a battery dead warning operation period. For the LSI body 10, t3
Operation guarantee is required during the period of (= t1 + t2).
【0012】ここで、仮に電源電圧検出回路11の検出電
圧が2.5V(図11中のA点)であるとする。また、
電源電圧検出回路11の検出電圧のバラツキを含めたLS
I本体10の動作保証電圧を2.2V(図11中のB点)
とする。このとき、LSI本体10内の水晶発振回路13に
供給される動作電圧、つまり最小動作電圧は降圧回路14
で形成される降圧電圧VCCであり、2.2Vが1/2に
降圧された1.1Vになる。Here, it is assumed that the detection voltage of the power supply voltage detection circuit 11 is 2.5 V (point A in FIG. 11). Also,
LS including variations in the detection voltage of the power supply voltage detection circuit 11
The operation guarantee voltage of I body 10 is 2.2V (point B in FIG. 11)
And At this time, the operating voltage supplied to the crystal oscillating circuit 13 in the LSI body 10, that is, the minimum operating voltage is the step-down circuit 14
It is the step-down voltage Vcc which is formed in step 2.2 and becomes 1.1V which is 2.2 steps down.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、電池寿
命の延命化により、低電圧動作時における水晶発振回路
13の動作電圧と水晶発振回路13内部のトランジスタのし
きい値電圧との差が小さくなり、図11中のt2の期間
で水晶発振回路13の低電圧動作が期待出来なくなる事態
が発生する。すなわち、水晶発振回路13が安定な動作を
しなくなり、この結果、CPU15による電池切れの警告
動作が確実に行えなくなるという問題が発生する。As described above, due to the extension of the battery life, the crystal oscillation circuit at the time of low voltage operation.
The difference between the operating voltage of 13 and the threshold voltage of the transistor inside the crystal oscillating circuit 13 becomes small, so that the low voltage operation of the crystal oscillating circuit 13 cannot be expected during the period of t2 in FIG. That is, the crystal oscillating circuit 13 does not operate stably, and as a result, there is a problem that the CPU 15 cannot reliably perform the warning operation of the dead battery.
【0014】また、CPU15内部には、通常、データの
書き替えが可能なメモリ、すなわちスタティックRAM
(S−RAM)が設けられ、さらに必要に応じてLSI
本体10の外部にもS−RAMが設けられるが、電池切れ
の警告動作が確実に行えなくなることにより、このCP
U15内部や外部のメモリにおけるデータ保護ができなく
なるという問題も発生する。Further, inside the CPU 15, a memory in which data can be rewritten, that is, a static RAM is usually provided.
(S-RAM) is provided, and if necessary, LSI
An S-RAM is also provided outside the main body 10, but this CP cannot be guaranteed because the battery dead warning operation cannot be performed reliably.
There is also a problem that the data protection in the U15 internal or external memory cannot be performed.
【0015】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、電源電圧の検出値を低
くして電池の延命化を図ることができると共に、電源電
圧の低下検出後からも発振回路の確実な動作を行わせる
ことができて確実な電池切れの警告動作やメモリのデー
タ破壊を防止することができる半導体集積回路装置を提
供することである。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and an object thereof is to lower the detection value of the power supply voltage to prolong the life of the battery and to detect the decrease of the power supply voltage. It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit device capable of performing a reliable operation of an oscillation circuit even afterward and preventing a battery exhaustion warning operation and a memory data destruction.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】この発明の半導体集積回
路装置は、電源の高電位側電圧を降圧する降圧回路と、
上記電源の高電位側電圧が所定値に達したことを検出す
る電圧検出回路と、上記降圧回路の出力が第1の入力電
圧として、上記電源の低電位側電圧もしくは高電位側電
圧が第2の入力電圧として供給され、上記電圧検出回路
の検出出力に応じて第1、第2の入力電圧のいずれか一
方を出力する電源電圧切替回路と、上記電源電圧切替回
路から出力される電圧と上記電源の高電位側電圧もしく
は低電位側電圧との間の電位差を電源電圧として動作す
る発振回路と、上記発振回路の出力信号に同期して動作
する演算処理回路とを具備したことを特徴とする。A semiconductor integrated circuit device according to the present invention comprises a step-down circuit for stepping down a high potential side voltage of a power supply,
A voltage detection circuit for detecting that the high-potential-side voltage of the power supply has reached a predetermined value, and the output of the step-down circuit is the first input voltage, and the low-potential-side voltage or the high-potential-side voltage of the power supply is the second input voltage. Of the first and second input voltages according to the detection output of the voltage detection circuit, and the voltage output from the power supply voltage switching circuit. An oscillator circuit which operates using a potential difference between a high potential side voltage or a low potential side voltage of a power source as a power source voltage, and an arithmetic processing circuit which operates in synchronization with an output signal of the oscillator circuit. .
【0017】[0017]
【作用】電源の高電位側電圧の値が電圧検出回路におけ
る検出値よりも高いときは、電源電圧切替回路からは降
圧回路の降圧出力電圧が切替え出力され、発振回路に供
給される。一方、電源の高電位側電圧の値が電圧検出回
路における検出値に達すると、電源電圧切替回路からは
電源の高電位側電圧もしくは低電位側電圧が切替出力さ
れ、発振回路に供給される。When the value of the high potential side voltage of the power supply is higher than the value detected by the voltage detection circuit, the step-down output voltage of the step-down circuit is switched and output from the power supply voltage switching circuit and supplied to the oscillation circuit. On the other hand, when the value of the high potential side voltage of the power supply reaches the detection value in the voltage detection circuit, the power supply voltage switching circuit switches and outputs the high potential side voltage or the low potential side voltage of the power source and supplies the voltage to the oscillation circuit.
【0018】[0018]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図1はこの発明を従来と同様に、電子手帳
で使用されるLSIに実施した場合の第1の実施例の構
成を示すブロック図である。なお、従来と対応する箇所
には同じ符号を付して説明を行う。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a first embodiment when the present invention is applied to an LSI used in an electronic notebook as in the conventional case. It should be noted that the same reference numerals are given to the portions corresponding to those in the related art for description.
【0019】図において、10はLSI本体であり、この
LSI本体10には電池による高電位側の電源電圧VDDと
低電位側の電源電圧VSSが供給されている。上記LSI
本体10内には、電源電圧VDDの値を検出する電源電圧検
出回路11、初期動作用のCR発振回路12、水晶発振回路
(クリスタル発振回路)13、電源電圧VDDを降圧して内
部電源電圧VCCを出力する降圧回路14、各種演算処理を
実行するCPU(演算処理装置)15、上記CPUで発生
されるデータに基づいて表示信号を発生する液晶表示駆
動回路16が設けられている。In the figure, 10 is an LSI main body, and a high-potential-side power supply voltage VDD and a low-potential-side power supply voltage VSS are supplied to the LSI main body 10. Above LSI
In the main body 10, a power supply voltage detection circuit 11 for detecting the value of the power supply voltage VDD, a CR oscillation circuit 12 for initial operation, a crystal oscillation circuit (crystal oscillation circuit) 13, a power supply voltage VDD is stepped down, and an internal power supply voltage VCC is supplied. There is provided a step-down circuit 14 for outputting, a CPU (arithmetic processing unit) 15 for executing various arithmetic processes, and a liquid crystal display drive circuit 16 for generating a display signal based on the data generated by the CPU.
【0020】また、LSI本体10の外部には、各種デー
タを入力するためのキー入力部17、上記液晶表示駆動回
路16で発生される表示信号が供給される液晶表示部18な
どが設けられている。A key input unit 17 for inputting various data, a liquid crystal display unit 18 to which a display signal generated by the liquid crystal display drive circuit 16 is supplied, and the like are provided outside the LSI body 10. There is.
【0021】さらにこの実施例ではLSI本体10内に切
替回路19が新たに設けられている。この切替回路19には
接地電圧VSSと上記降圧回路14からの降圧電圧VCCが供
給され、上記CPU15から出力される切替信号SWに基
づいて両電圧を切替え出力し、上記水晶発振回路13に動
作電圧として供給する。Further, in this embodiment, a switching circuit 19 is newly provided in the LSI body 10. The switching circuit 19 is supplied with the ground voltage VSS and the step-down voltage VCC from the step-down circuit 14, and outputs both of the voltages on the basis of the switching signal SW output from the CPU 15 to the crystal oscillator circuit 13 as an operating voltage. Supply as.
【0022】上記CR発振回路12は電子手帳に始めて電
池を入れた時や、電池の交換時に動作状態となり、クロ
ック信号CROSCを発生して上記CPU15に同期信号
として供給する。The CR oscillating circuit 12 is activated when the battery is first inserted into the electronic notebook or when the battery is replaced, and the clock signal CROSC is generated and supplied to the CPU 15 as a synchronizing signal.
【0023】水晶発振回路13は上記CR発振回路12と同
時に動作を開始する。そして、水晶発振回路13の発振動
作が安定状態になると、CR発振回路12の動作がCPU
15からの制御信号CRSTOPに基づいて停止され、こ
の後は、水晶発振回路13で発生されるクロック信号XT
OSCがCPU15で使用されることになる。The crystal oscillator circuit 13 starts operating simultaneously with the CR oscillator circuit 12. When the oscillation operation of the crystal oscillation circuit 13 becomes stable, the operation of the CR oscillation circuit 12 becomes
It is stopped based on the control signal CRSTOP from 15 and then the clock signal XT generated by the crystal oscillation circuit 13 is generated.
The OSC will be used by the CPU 15.
【0024】降圧回路14は、電池投入後にCPU15から
出力されるクロック信号HCLKに基づいて動作し、電
池による電源電圧VDDを例えば1/2に降圧する。この
降圧電圧VCCは上記切替回路19と液晶表示駆動回路16に
供給される。The step-down circuit 14 operates based on the clock signal HCLK output from the CPU 15 after the battery is turned on and reduces the power supply voltage VDD from the battery to, for example, 1/2. The step-down voltage Vcc is supplied to the switching circuit 19 and the liquid crystal display drive circuit 16.
【0025】CPU15には、データの書き替えが可能な
メモリであるS−RAM15aや各種命令が格納されてい
る読出し専用メモリであるROM15b等が設けられてい
る。そして、電子手帳としての各種動作や電源電圧低下
時における電池切れの警告動作などは上記ROM15bに
格納されている命令を実行することにより達成される。
また、CPU15は、電源電圧低下時に切替信号SWを出
力する。The CPU 15 is provided with an S-RAM 15a which is a memory in which data can be rewritten, a ROM 15b which is a read-only memory in which various instructions are stored, and the like. Then, various operations as an electronic notebook, warning operation of battery exhaustion when the power supply voltage drops, and the like are achieved by executing the instructions stored in the ROM 15b.
Further, the CPU 15 outputs the switching signal SW when the power supply voltage drops.
【0026】上記LSI本体10は例えばN型の半導体基
板上に形成されており、各回路部は高電位側の電源電圧
VDDが接地された状態で動作し、水晶発振回路13を除い
た各回路はこの電圧VDDとVSSとの間の電位差を電源電
圧として動作し、水晶発振回路13は上記電圧VDDと切替
回路19からの出力電圧、すなわちVCCもしくはVSSとの
間の電位差を電源電圧として動作する。The LSI main body 10 is formed on, for example, an N-type semiconductor substrate, each circuit portion operates in a state where the power supply voltage VDD on the high potential side is grounded, and each circuit except the crystal oscillation circuit 13 Operates with the potential difference between the voltages VDD and VSS as the power supply voltage, and the crystal oscillation circuit 13 operates with the potential difference between the voltage VDD and the output voltage from the switching circuit 19, that is, VCC or VSS as the power supply voltage. .
【0027】このような構成の電子手帳では、従来と同
様に、電源電圧検出回路11において電池電圧VDDの低下
が検出され、VDDの値が所定値、例えば従来と同様にV
DDの値が2.5Vよりも低下すると検出信号DEFが出
力される。CPU15は電源電圧検出回路11からの信号D
EFを受けると、電池電圧が低下したと判断し、ROM
15bに格納されている命令を実行することによって電池
切れを使用者に対して視覚的もしくは聴覚的に知らせる
動作を行う。例えば、液晶表示駆動回路16に所定のデー
タを送り、ここで表示信号を形成して外部の液晶表示部
18に供給することにより、電池切れに対応した表示がな
される。あるいは、CPU15は図示しない警告音発生部
に対して信号を送り、ここで警告音を発生する。また、
CPU15は、キー入力部17からのキー入力取り込み動作
や、S−RAM15aに対するデータの書き込み動作を禁
止してメモリデータの破壊防止を図る。In the electronic notebook having such a structure, as in the conventional case, the power supply voltage detection circuit 11 detects the decrease of the battery voltage VDD, and the value of VDD is a predetermined value, for example, as in the conventional case.
When the value of DD falls below 2.5V, the detection signal DEF is output. The CPU 15 receives the signal D from the power supply voltage detection circuit 11.
When EF is received, it is determined that the battery voltage has dropped, and the ROM
By executing the command stored in 15b, the user is visually or audibly informed that the battery is dead. For example, predetermined data is sent to the liquid crystal display drive circuit 16, where a display signal is formed and an external liquid crystal display section is formed.
By supplying to 18, the display corresponding to the dead battery is made. Alternatively, the CPU 15 sends a signal to a warning sound generating unit (not shown), and generates a warning sound here. Also,
The CPU 15 prevents the destruction of the memory data by prohibiting the key input capturing operation from the key input unit 17 and the data writing operation to the S-RAM 15a.
【0028】電池電圧VDDの値が電源電圧検出回路11に
おける検出電圧以上のときは、切替回路19は降圧回路14
で降圧された電圧VCCを水晶発振回路13に出力する。す
なわち、電源電圧検出回路11における検出電圧が従来と
同様に2.5Vである場合、VDDの値が2.5Vよりも
低下するまでの期間、切替回路19は降圧回路14からの降
圧電圧VCCを切替出力し、水晶発振回路13に供給する。
ここで、降圧回路14が従来と同様に電池電圧VDDを1/
2に降圧したものをVCCとして出力するならば、降圧電
圧VCCの値が図2に示すように1.25Vに達していな
い期間t4では、水晶発振回路13はVDDと降圧回路14か
らの降圧電圧VCCとの間の電位差によって動作してい
る。When the value of the battery voltage VDD is equal to or higher than the voltage detected by the power supply voltage detection circuit 11, the switching circuit 19 causes the step-down circuit 14 to operate.
The voltage Vcc reduced by is output to the crystal oscillation circuit 13. That is, when the detected voltage in the power supply voltage detection circuit 11 is 2.5 V as in the conventional case, the switching circuit 19 keeps the step-down voltage Vcc from the step-down circuit 14 until the value of VDD falls below 2.5 V. The output is switched and supplied to the crystal oscillation circuit 13.
Here, the step-down circuit 14 reduces the battery voltage VDD to 1 /
If the voltage stepped down to 2 is output as VCC, the crystal oscillator circuit 13 outputs VDD and the step-down voltage from the step-down circuit 14 during the period t4 when the value of the step-down voltage VCC has not reached 1.25V as shown in FIG. It operates by the potential difference between it and Vcc.
【0029】一方、電池電圧VDDの値が電源電圧検出回
路11における検出電圧2.5Vよりも低下し、電源電圧
検出回路11から検出信号DEFが出力されると、CPU
15は上記電池切れ警告動作やメモリのデータ破壊防止動
作の他に、切替信号SWの出力動作を行う。そして、こ
の信号SWが入力することにより、切替回路19は降圧回
路14からの降圧電圧VCCに変えて電圧VSSを切替出力す
る。従って、電源電圧検出回路11で電池電圧VDDの値が
検出値よりも低下した後は、水晶発振回路13には電圧V
SSが供給されるため、図2に示すように水晶発振回路13
の動作電圧はVDDとVSSとの間の電位差であるで2.5
Vに上昇する。このため、先の電源電圧検出回路11の検
出電圧のバラツキを含めたLSI本体10の動作保証電圧
である2.2Vよりも十分に高いので、上記t4の期間
が経過し、VDDの値が2.2V以下に達するまでの図2
中のt5の期間にも水晶発振回路13は安定に動作するこ
とができる。従って、このt5の期間に水晶発振回路13
から安定したクロック信号HCLKがCPU15に供給さ
れ、この後のCPU15における電池切れの警告動作を確
実に行うことができる。また、CPU15内部のS−RA
M15aや外部のメモリにおけるデータ保護も確実に行う
ができる。On the other hand, when the value of the battery voltage VDD falls below the detection voltage 2.5V in the power supply voltage detection circuit 11 and the detection signal DEF is output from the power supply voltage detection circuit 11, the CPU
Reference numeral 15 performs a switching signal SW output operation in addition to the battery exhaustion warning operation and the memory data destruction prevention operation. When the signal SW is input, the switching circuit 19 switches the step-down voltage VCC from the step-down circuit 14 and outputs the voltage VSS by switching. Therefore, after the value of the battery voltage VDD in the power supply voltage detection circuit 11 becomes lower than the detected value, the crystal oscillation circuit 13 receives the voltage V
Since SS is supplied, the crystal oscillator circuit 13
Operating voltage is the potential difference between VDD and VSS, which is 2.5
Rise to V. For this reason, since it is sufficiently higher than the operation guarantee voltage of 2.2V of the LSI main body 10 including the variation of the detection voltage of the power supply voltage detection circuit 11 mentioned above, the period of the above t4 has elapsed and the value of VDD is 2 Figure 2 until it reaches below 2V
The crystal oscillation circuit 13 can operate stably during the period of t5. Therefore, during this period of t5, the crystal oscillation circuit 13
The stable clock signal HCLK is supplied to the CPU 15 from the above, and the warning operation of the battery exhaustion in the CPU 15 thereafter can be surely performed. In addition, S-RA inside CPU15
Data protection in the M15a and the external memory can be surely performed.
【0030】なお、上記実施例では特に説明しなかった
が、水晶発振回路13の起動時には、降圧された電圧VCC
ではなく電圧VSSを供給してVDDとVSSとの間の十分大
きな電位差が水晶発振回路13に供給されるように切替回
路19の動作を制御して、水晶発振回路13の起動が容易に
行えるようにしてもよい。Although not specifically described in the above embodiment, when the crystal oscillation circuit 13 is started up, the stepped down voltage VCC is
Instead, the voltage VSS is supplied to control the operation of the switching circuit 19 so that a sufficiently large potential difference between VDD and VSS is supplied to the crystal oscillation circuit 13, so that the crystal oscillation circuit 13 can be easily started. You may
【0031】次に上記実施例回路の各回路部の詳細な構
成について説明する。図3は上記電源電圧検出回路11の
詳細な構成を示している。この回路は、外部の電源電圧
VDDを分割する電源電圧分割回路21、外部の電源電圧V
DDから一定の基準電圧を発生する基準電圧発生回路22及
び両回路の出力電圧を比較して前記信号SWを発生する
電圧比較回路23などで構成されている。Next, a detailed configuration of each circuit portion of the circuit of the above embodiment will be described. FIG. 3 shows a detailed configuration of the power supply voltage detection circuit 11. This circuit includes a power supply voltage dividing circuit 21 for dividing the external power supply voltage VDD and an external power supply voltage V
It is composed of a reference voltage generation circuit 22 for generating a constant reference voltage from DD, a voltage comparison circuit 23 for comparing the output voltages of both circuits and generating the signal SW, and the like.
【0032】このような構成において、電源電圧分割回
路21における分割電圧の値が基準電圧の値よりも大きい
ときに電圧比較回路23の出力信号SWは“L”レベルと
なり、分割電圧の値が基準電圧の値よりも低くなると信
号SWは“H”レベルに反転する。In such a configuration, when the value of the divided voltage in the power supply voltage dividing circuit 21 is larger than the value of the reference voltage, the output signal SW of the voltage comparison circuit 23 becomes "L" level, and the value of the divided voltage is the reference. When the voltage becomes lower than the voltage value, the signal SW is inverted to the “H” level.
【0033】図4は上記降圧回路14の一部の詳細な構成
を示している。この回路は、電圧VDDと電圧VSSとの間
にソース・ドレイン間が直列に挿入された1個のPチャ
ネルのMOSトランジスタ31、3個のNチャネルのMO
Sトランジスタ32〜34と、2個のNチャネルのMOSト
ランジスタ32、33の直列接続点と電圧VSSとの間に接続
されたキャパシタ35と、PチャネルのMOSトランジス
タ31及びNチャネルのMOSトランジスタ32の直列接続
点と2個のNチャネルのMOSトランジスタ33、34の直
列接続点との間に接続され上記キャパシタ35と同じ値の
キャパシタ36とから構成されている。FIG. 4 shows a detailed structure of a part of the step-down circuit 14. In this circuit, one P-channel MOS transistor 31 and three N-channel MO transistors 31 in which the source and drain are inserted in series between the voltage VDD and the voltage VSS.
S-transistors 32-34, a capacitor 35 connected between the series connection point of two N-channel MOS transistors 32, 33 and the voltage VSS, a P-channel MOS transistor 31 and an N-channel MOS transistor 32. The capacitor 35 is connected between the series connection point and the series connection point of the two N-channel MOS transistors 33 and 34, and is composed of the capacitor 36 having the same value as that of the capacitor 35.
【0034】このような構成の回路において、上記MO
Sトランジスタ31〜34の各ゲートに図5で示されるよう
に互いに“H”レベル期間が重ならないような2相のク
ロック信号φ1、φ2及びその反転信号を供給すること
により、上記MOSトランジスタ32、33の直列接続点か
らVDDの1/2に相当する降圧された電圧VCCが出力さ
れる。In the circuit having such a configuration, the MO
As shown in FIG. 5, the gates of the S transistors 31 to 34 are supplied with the two-phase clock signals .phi.1 and .phi.2 and their inverted signals so that the "H" level periods do not overlap each other. A stepped-down voltage VCC corresponding to 1/2 of VDD is output from the series connection point of 33.
【0035】なお、上記2相のクロック信号φ1、φ2
は、図1中のクロック信号HCLKを用いて降圧回路14
内で形成される。図6は、上記水晶発振回路13の詳細な
構成を示している。この回路は、前記LSI本体10に設
けられた2個の外部端子41、42間に外付される水晶振動
子43と、上記外部端子41、42間に接続され、Pチャネル
とNチャネルのMOSトランジスタからなるCMOS型
インバータ44と、このインバータ44の入出力端子間に接
続される帰還用の抵抗45と、波形整形用の2個のCMO
S型インバータ46、47とから構成されている。The two-phase clock signals φ1 and φ2 are used.
Is a step-down circuit 14 using the clock signal HCLK in FIG.
Formed within. FIG. 6 shows a detailed configuration of the crystal oscillation circuit 13. This circuit is connected between two external terminals 41 and 42 provided on the LSI main body 10 between a crystal oscillator 43 and the external terminals 41 and 42, and has a P channel and N channel MOS. A CMOS inverter 44 composed of a transistor, a feedback resistor 45 connected between the input and output terminals of the inverter 44, and two CMOs for waveform shaping.
It is composed of S-type inverters 46 and 47.
【0036】そして、この水晶発振回路13における消費
電力を削減するために、上記CMOS型インバータ44を
構成するNチャネル側のMOSトランジスタのソース
(図示せず)には前記切替回路19の切替出力電圧である
VCCもしくはVSSが供給されるようになっている。In order to reduce the power consumption in the crystal oscillation circuit 13, the switching output voltage of the switching circuit 19 is applied to the source (not shown) of the N-channel side MOS transistor forming the CMOS type inverter 44. Vcc or Vss is supplied.
【0037】図7は、上記切替回路19の詳細な構成を示
している。この回路は、切替信号SWを反転するインバ
ータ51と、Pチャネル及びNチャネルMOSトランジス
タからなり、上記切替信号SW及びインバータ51の出力
で制御され、降圧電圧VCCを切替出力するためのCMO
Sトランスファゲート52と、切替信号SWでゲート制御
され、電圧VSSを切替出力するためのNチャネルのMO
Sトランジスタ53とから構成されている。FIG. 7 shows a detailed structure of the switching circuit 19. This circuit is composed of an inverter 51 for inverting the switching signal SW, P-channel and N-channel MOS transistors, and is controlled by the output of the switching signal SW and the inverter 51, and is a CMO for switching and outputting the step-down voltage VCC.
An S-transfer gate 52 and an N-channel MO gated by the switching signal SW to switch and output the voltage VSS.
It is composed of an S-transistor 53.
【0038】このような構成の回路では、切替信号SW
が“L”レベルのときはCMOSトランスファゲート52
が導通し、切替出力電圧として電圧VCCが出力される。
一方、切替信号SWが“H”レベルのときはCMOSト
ランスファゲート52が非導通となり、NチャネルのMO
Sトランジスタ53が導通し、切替出力電圧として電圧V
SSが出力される。In the circuit having such a configuration, the switching signal SW
Is "L" level, CMOS transfer gate 52
Is turned on, and the voltage Vcc is output as the switching output voltage.
On the other hand, when the switching signal SW is at "H" level, the CMOS transfer gate 52 becomes non-conductive and the N-channel MO
The S-transistor 53 becomes conductive, and the voltage V is output as the switching output voltage.
SS is output.
【0039】図8は、上記CR発振回路12の詳細な構成
を示している。この回路は、良く知られているように、
直列接続された2個のインバータ61、62及び発振制御用
の2入力NANDゲート63と、帰還用の抵抗64、帰還用
のキャパシタ65と、波形整形用の2個のインバータ66、
67とから構成されている。FIG. 8 shows a detailed structure of the CR oscillation circuit 12. This circuit, as is well known,
Two inverters 61 and 62 connected in series and a two-input NAND gate 63 for controlling oscillation, a resistor 64 for feedback, a capacitor 65 for feedback, and two inverters 66 for waveform shaping,
It consists of 67 and.
【0040】このような構成の回路は、NANDゲート
63の一方の入力端子に入力される制御信号CRSTOP
が“H”レベルのときは発振動作を行ってクロック信号
CROSCを発生し、制御信号CRSTOPが“L”レ
ベルのときは発振動作が停止する。The circuit having such a configuration is a NAND gate.
Control signal CRSTOP input to one input terminal of 63
When the control signal CRSTOP is at the "L" level, the oscillation operation is performed to generate the clock signal CROSC, and the oscillation operation is stopped when the control signal CRSTOP is at the "L" level.
【0041】図9は、この発明の第2の実施例の構成を
示すブロック図である。上記図1に示す第1の実施例で
は、電源電圧検出回路11の検出信号DEFを一旦、CP
U15で受けて、CPU15の制御の下で切替信号SWを発
生する場合を説明したが、この実施例では電源電圧検出
回路11の検出信号DEFをそのまま切替信号SWとして
切替回路13に供給するようにしたものである。FIG. 9 is a block diagram showing the configuration of the second embodiment of the present invention. In the first embodiment shown in FIG. 1, the detection signal DEF of the power supply voltage detection circuit 11 is once changed to CP.
Although the case where the switching signal SW is received under the control of the CPU 15 is received by U15 has been described, in this embodiment, the detection signal DEF of the power supply voltage detection circuit 11 is directly supplied to the switching circuit 13 as the switching signal SW. It was done.
【0042】この実施例回路は上記の箇所以外は第1の
実施例の構成と同じであり、かつ得られる効果も第1の
実施例の構成と同じであり、また各回路部の詳細な構成
も第1の実施例の場合と同じである。The circuit of this embodiment is the same as that of the first embodiment except for the points described above, and the obtained effect is also the same as that of the first embodiment, and the detailed structure of each circuit section. Is also the same as in the first embodiment.
【0043】なお、この発明は上記各実施例に限定され
るものではなく種々の変形が可能であることはいうまで
もない。例えば上記実施例では、LSI本体10はN型の
半導体基板上に形成されており、各回路部は高電位側の
電源電圧VDDが接地された状態で動作し、水晶発振回路
13を除いた各回路はこの電圧VDDとVSSとの間の電位差
を電源電圧として動作し、水晶発振回路13は上記電圧V
DDと切替回路19からの出力電圧、すなわちVCCもしくは
VSSとの間の電位差を電源電圧として動作する場合を説
明したが、これはP型の半導体基板上にLSI本体10を
形成した場合には、各回路部は低電位側の電源電圧VSS
が接地された状態で動作し、水晶発振回路13を除いた各
回路は電圧VDDとVSSとの間の電位差を電源電圧として
動作し、切替回路19は降圧電圧VCCと電圧VDDとを切替
出力し、水晶発振回路13は上記電圧VSSと切替回路19か
らの出力電圧、すなわちVDDもしくはVCCとの間の電位
差を電源電圧として動作する。Needless to say, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments but can be variously modified. For example, in the above-described embodiment, the LSI body 10 is formed on an N-type semiconductor substrate, and each circuit portion operates in a state in which the power supply voltage VDD on the high potential side is grounded.
Each circuit except 13 operates by using the potential difference between this voltage VDD and VSS as the power supply voltage, and the crystal oscillation circuit 13 operates with the above voltage V
The case where the output voltage from the DD and the switching circuit 19, that is, the potential difference between Vcc or Vss is used as the power supply voltage has been described, but when the LSI main body 10 is formed on a P-type semiconductor substrate, The power supply voltage VSS on the low potential side
Operate with the potential difference between the voltage VDD and VSS as the power supply voltage, and the switching circuit 19 switches between the step-down voltage VCC and the voltage VDD for output. The crystal oscillation circuit 13 operates using the potential difference between the voltage VSS and the output voltage from the switching circuit 19, that is, VDD or VCC as the power supply voltage.
【0044】[0044]
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
電源電圧の検出値を低くして電池の延命化を図ることが
できると共に、電源電圧の低下検出後からも発振回路の
確実な動作を行わせることができて確実な電池切れの警
告動作やメモリのデータ破壊を防止することができる半
導体集積回路装置を提供することができる。As described above, according to the present invention,
It is possible to extend the life of the battery by lowering the detected value of the power supply voltage, and it is possible to operate the oscillation circuit reliably even after the detection of the power supply voltage drop. It is possible to provide a semiconductor integrated circuit device capable of preventing the data destruction of.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】この発明の第1の実施例の構成を示すブロック
図。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a first embodiment of the present invention.
【図2】第1の実施例における切替回路の出力電圧の波
形図。FIG. 2 is a waveform diagram of the output voltage of the switching circuit in the first embodiment.
【図3】第1の実施例における電源電圧検出回路の詳細
な構成を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a power supply voltage detection circuit in the first embodiment.
【図4】第1の実施例における降圧回路の詳細な構成を
示す回路図。FIG. 4 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a step-down circuit according to the first embodiment.
【図5】図4の降圧回路で使用されるクロック信号の波
形図。5 is a waveform diagram of a clock signal used in the step-down circuit of FIG.
【図6】第1の実施例における水晶発振回路の詳細な構
成を示す回路図。FIG. 6 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a crystal oscillating circuit in the first embodiment.
【図7】第1の実施例における切替回路の詳細な構成を
示す回路図。FIG. 7 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a switching circuit in the first embodiment.
【図8】第1の実施例におけるCR発振回路の詳細な構
成を示す回路図。FIG. 8 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a CR oscillator circuit in the first embodiment.
【図9】この発明の第2の実施例の構成を示すブロック
図。FIG. 9 is a block diagram showing the configuration of a second embodiment of the present invention.
【図10】従来回路の構成を示すブロック図。FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a conventional circuit.
【図11】二酸化マンガン・リチウム電池の負荷特性を
示す図。FIG. 11 is a diagram showing load characteristics of a manganese dioxide / lithium battery.
10…LSI本体、11…電源電圧検出回路、12…CR発振
回路、13…水晶発振回路(クリスタル発振回路)、14…
降圧回路、15…CPU(演算処理装置)、15a…S−R
AM(スタティックRAM)、15b…ROM、16…液晶
表示駆動回路、17…キー入力部、18…液晶表示部、19…
切替回路。10 ... LSI main body, 11 ... Power supply voltage detection circuit, 12 ... CR oscillation circuit, 13 ... Crystal oscillation circuit (crystal oscillation circuit), 14 ...
Step-down circuit, 15 ... CPU (arithmetic processing unit), 15a ... SR
AM (static RAM), 15b ... ROM, 16 ... Liquid crystal display drive circuit, 17 ... Key input section, 18 ... Liquid crystal display section, 19 ...
Switching circuit.
Claims (5)
と、 上記電源の高電位側電圧が所定値に達したことを検出す
る電圧検出回路と、 上記降圧回路の出力が第1の入力電圧として、上記電源
の低電位側電圧もしくは高電位側電圧が第2の入力電圧
として供給され、上記電圧検出回路の検出出力に応じて
第1、第2の入力電圧のいずれか一方を出力する電源電
圧切替回路と、 上記電源電圧切替回路から出力される電圧と上記電源の
高電位側電圧もしくは低電位側電圧との間の電位差を電
源電圧として動作する発振回路と、 上記発振回路の出力信号に同期して動作する演算処理回
路とを具備したことを特徴とする半導体集積回路装置。1. A step-down circuit for stepping down a high-potential-side voltage of a power source, a voltage detection circuit for detecting that the high-potential-side voltage of the power source has reached a predetermined value, and an output of the step-down circuit having a first input. As the voltage, the low potential side voltage or the high potential side voltage of the power source is supplied as the second input voltage, and either one of the first input voltage and the second input voltage is output according to the detection output of the voltage detection circuit. A power supply voltage switching circuit, an oscillating circuit that operates using a potential difference between a voltage output from the power supply voltage switching circuit and a high-potential-side voltage or a low-potential-side voltage of the power supply as a power supply voltage, and an output signal of the oscillating circuit And a processing circuit that operates in synchronization with the semiconductor integrated circuit device.
動作が、前記電圧検出回路の検出出力により制御される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装
置。2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the voltage switching operation in the power supply voltage switching circuit is controlled by the detection output of the voltage detection circuit.
動作が、前記電圧検出回路の検出出力を受ける前記演算
処理回路の出力信号により制御されることをほ特徴とす
る請求項1に記載の半導体集積回路装置。3. The semiconductor integrated device according to claim 1, wherein a voltage switching operation in the power supply voltage switching circuit is controlled by an output signal of the arithmetic processing circuit which receives a detection output of the voltage detection circuit. Circuit device.
と、 上記電源の高電位側電圧が所定値に達したことを検出す
る電圧検出回路と、 上記降圧回路の出力が第1の入力電圧として、上記電源
の低電位側電圧もしくは高電位側電圧が第2の入力電圧
として供給され、上記電圧検出回路の検出出力に応じて
第1、第2の入力電圧のいずれか一方を出力する電源電
圧切替回路と、 上記電源電圧切替回路から出力される電圧と上記電源の
高電位側電圧もしくは低電位側電圧との間の電位差を電
源電圧として動作する発振回路とを具備したことを特徴
とする半導体集積回路装置。4. A step-down circuit for stepping down the high-potential-side voltage of the power source, a voltage detection circuit for detecting that the high-potential-side voltage of the power source has reached a predetermined value, and the output of the step-down circuit is a first input. As the voltage, the low potential side voltage or the high potential side voltage of the power source is supplied as the second input voltage, and either one of the first input voltage and the second input voltage is output according to the detection output of the voltage detection circuit. A power supply voltage switching circuit; and an oscillating circuit that operates using a potential difference between a voltage output from the power supply voltage switching circuit and a high-potential-side voltage or a low-potential-side voltage of the power supply as a power supply voltage. Integrated circuit device.
る電圧検出回路と、 上記降圧回路の出力が第1の入力電圧として、上記電源
の低電位側電圧もしくは高電位側電圧が第2の入力電圧
として供給され、上記電圧検出回路の検出出力に応じて
第1、第2の入力電圧のいずれか一方を出力する電源電
圧切替回路と、 上記電源電圧切替回路から出力される電圧と上記電源の
高電位側電圧もしくは低電位側電圧との間の電位差を電
源電圧として動作する発振回路とを具備したことを特徴
とする半導体集積回路装置。5. A battery power source, a step-down circuit for stepping down the high-potential side voltage of the power source, a voltage detection circuit for detecting that the high-potential side voltage of the power source has reached a predetermined value, and an output of the step-down circuit. Is supplied as the first input voltage, the low-potential-side voltage or the high-potential-side voltage of the power supply as the second input voltage, and either the first or second input voltage is supplied depending on the detection output of the voltage detection circuit. A power supply voltage switching circuit that outputs one of the two; and an oscillation circuit that operates using the potential difference between the voltage output from the power supply voltage switching circuit and the high-potential-side voltage or the low-potential-side voltage of the power supply as the power-supply voltage. A semiconductor integrated circuit device characterized by the above.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP05213880A JP3080819B2 (en) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | Semiconductor integrated circuit device |
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Publications (2)
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| JPH0764677A true JPH0764677A (en) | 1995-03-10 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008102908A (en) * | 2006-09-08 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | System and method for improving memory reliability |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP05213880A patent/JP3080819B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008102908A (en) * | 2006-09-08 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | System and method for improving memory reliability |
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