JPH0766074B2 - 中性子遮蔽体 - Google Patents
中性子遮蔽体Info
- Publication number
- JPH0766074B2 JPH0766074B2 JP60170407A JP17040785A JPH0766074B2 JP H0766074 B2 JPH0766074 B2 JP H0766074B2 JP 60170407 A JP60170407 A JP 60170407A JP 17040785 A JP17040785 A JP 17040785A JP H0766074 B2 JPH0766074 B2 JP H0766074B2
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- neutron
- space
- pit
- chamber
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、サイクロトロン室のような中性子発生源から
中性子が人の立入る作業場などに漏れ出すことを防止す
る中性子遮蔽体に関するものである。
中性子が人の立入る作業場などに漏れ出すことを防止す
る中性子遮蔽体に関するものである。
（従来の技術） 図にはサイクロトロン室２とそれに隣接する化学合成室
４の境界部分を示す。サイクロトロン室２と化学合成室
４の間はコンクリート壁６により遮蔽されており、サイ
クロトロン室２から化学合成室４へ中性子が漏れ出さな
いようになっている。しかし、サイクロトロン室２と化
学合成室４の間には電気配線やガス配管を通す必要があ
る。そのため、例えば図示のようにコンクリート壁６の
下方を通ってサイクロトロン室２から化学合成室４へ通
じるピット８が形成され、このピット８内にパイプ10が
設置され、このパイプ10内を通ってサイクロトロン室２
から化学合成室４へ通じる電気配線やガス配管が行なわ
れる。
４の境界部分を示す。サイクロトロン室２と化学合成室
４の間はコンクリート壁６により遮蔽されており、サイ
クロトロン室２から化学合成室４へ中性子が漏れ出さな
いようになっている。しかし、サイクロトロン室２と化
学合成室４の間には電気配線やガス配管を通す必要があ
る。そのため、例えば図示のようにコンクリート壁６の
下方を通ってサイクロトロン室２から化学合成室４へ通
じるピット８が形成され、このピット８内にパイプ10が
設置され、このパイプ10内を通ってサイクロトロン室２
から化学合成室４へ通じる電気配線やガス配管が行なわ
れる。
ピット８を空間のままにすると、このピット８を通って
サイクロトロン室２から化学合成室４へ中性子が漏れ出
すので、このピット８には中性子遮蔽物質を充填する必
要がある。
サイクロトロン室２から化学合成室４へ中性子が漏れ出
すので、このピット８には中性子遮蔽物質を充填する必
要がある。
（発明が解決しようとする問題点） 安価な中性子遮蔽物質としては水が有効であることはよ
く知られている。そこで、図のような場合にも、ピット
８に水を満たすことが考えられる。そこで、コンクリー
ト壁６やコンクリート床12へ水が染み出すことを防止す
るためにピット８を金属で内張りをして水を満たしたと
すれば、水にはその容器を腐食する欠点がある。
く知られている。そこで、図のような場合にも、ピット
８に水を満たすことが考えられる。そこで、コンクリー
ト壁６やコンクリート床12へ水が染み出すことを防止す
るためにピット８を金属で内張りをして水を満たしたと
すれば、水にはその容器を腐食する欠点がある。
水以外の中性子遮蔽物質としては、流動パラフィンな
ど、水素原子核を多くもつものも有効である。しかし、
流動パラフィンなどを大量に使用することは防災上不適
当であるし、コスト高にもなる。
ど、水素原子核を多くもつものも有効である。しかし、
流動パラフィンなどを大量に使用することは防災上不適
当であるし、コスト高にもなる。
本発明は、防災上もコスト上も問題のない水を使用して
中性子漏れを遮蔽するとともに、水の容器を腐食するこ
となく、長期間安定して使用することのできる中性子遮
蔽体を提供することを目的するものである。
中性子漏れを遮蔽するとともに、水の容器を腐食するこ
となく、長期間安定して使用することのできる中性子遮
蔽体を提供することを目的するものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明の中性子遮蔽体は、中性子発生源と外部空間とを
遮る中性子遮蔽用の壁体と、その壁体の下側を貫通して
中性子発生源側の空間と外部空間とを連通させ、中性子
発生源側の開口と外部空間側の開口がともに前記壁体の
下側の貫通部より高い位置に設けられている連通溝と、
その連通溝内で前記壁体の下側の貫通部より高い位置ま
で満たされて還元剤を含んだ水と、その水の表面を覆う
通気性をもたない被膜と、その水中を通り、中性子発生
源側の空間と外部空間とを結ぶパイプとを備えている。
遮る中性子遮蔽用の壁体と、その壁体の下側を貫通して
中性子発生源側の空間と外部空間とを連通させ、中性子
発生源側の開口と外部空間側の開口がともに前記壁体の
下側の貫通部より高い位置に設けられている連通溝と、
その連通溝内で前記壁体の下側の貫通部より高い位置ま
で満たされて還元剤を含んだ水と、その水の表面を覆う
通気性をもたない被膜と、その水中を通り、中性子発生
源側の空間と外部空間とを結ぶパイプとを備えている。
溶存酸素を除去する一方法は水に酸素除去剤を溶解させ
ることである。酸素除去剤としては、亜硫酸ナトリウム
（Na2SO3）などの還元剤が適当である。溶存酸素を除去
する他の方法は、窒素又は水素を通気したり、水を沸騰
させることである。
ることである。酸素除去剤としては、亜硫酸ナトリウム
（Na2SO3）などの還元剤が適当である。溶存酸素を除去
する他の方法は、窒素又は水素を通気したり、水を沸騰
させることである。
水を外気から遮断する手段としては、機械構造的に気密
構造とすることもできるが、疎水性で酸素を通さない流
動体により水の表面を被うのが適当である。そのような
流動体の例としては、流動パラフィンのような飽和炭化
水素化合物が適当である。
構造とすることもできるが、疎水性で酸素を通さない流
動体により水の表面を被うのが適当である。そのような
流動体の例としては、流動パラフィンのような飽和炭化
水素化合物が適当である。
（作用） 容器に収容された水中の溶存酸素は除去されている。ま
た、容器内の水は外気から遮断されていることにより、
長期間にわたって水中に溶存酸素のない状態を維持する
ことができる。
た、容器内の水は外気から遮断されていることにより、
長期間にわたって水中に溶存酸素のない状態を維持する
ことができる。
（実施例） 図は本発明をサイクロトロン室２と化学合成室４の間の
ピット８に適用した例を表わす。
ピット８に適用した例を表わす。
サイクロトロン室２と化学合成室４の間のコンクリート
壁６の下方にサイクロトロン室２から化学合成室４につ
ながるピット８が形成されている。ピット８の内側をス
テンレス板により内張りして、水を収容することのでき
る容器とする。ピット８内にサイクロトロン室２から化
学合成室４につながるパイプ10を設置する。
壁６の下方にサイクロトロン室２から化学合成室４につ
ながるピット８が形成されている。ピット８の内側をス
テンレス板により内張りして、水を収容することのでき
る容器とする。ピット８内にサイクロトロン室２から化
学合成室４につながるパイプ10を設置する。
次に、ピット８にまず流動パラフィン14を入れ、ホース
によりその流動パラフィン14の下側へ亜硫酸ナトリウム
を溶解した水16を注ぎ入れる。これにより、ピット８に
収容された水16はその表面が流動パラフィン14の被膜に
より気密を保って被われ、水16は外気から遮断される。
によりその流動パラフィン14の下側へ亜硫酸ナトリウム
を溶解した水16を注ぎ入れる。これにより、ピット８に
収容された水16はその表面が流動パラフィン14の被膜に
より気密を保って被われ、水16は外気から遮断される。
ここで、亜硫酸ナトリウムは水の飽和溶存酸素の当量よ
り多量に溶解させておくことが望ましく、例えば亜硫酸
ナトリウム濃度を10g/lとする。
り多量に溶解させておくことが望ましく、例えば亜硫酸
ナトリウム濃度を10g/lとする。
なお、本発明は放射線遮蔽用水扉にも適用することがで
きる。
きる。
（発明の効果） 本発明では中性子発生源側から外部へ中性子が漏れるの
を防ぎつつ、中性子発生源側の空間と外部空間との間に
電気配線やガス配管を通すことができる。
を防ぎつつ、中性子発生源側の空間と外部空間との間に
電気配線やガス配管を通すことができる。
本発明の中性子遮蔽体は水を使用しているので、安価で
あり、防災上の問題もない。そして、使用する水の溶存
酸素を除去するとともに水と外気とを遮断しているの
で、長期間にわたって容器を腐食することなく安定した
中性子遮蔽体として使用することができる。
あり、防災上の問題もない。そして、使用する水の溶存
酸素を除去するとともに水と外気とを遮断しているの
で、長期間にわたって容器を腐食することなく安定した
中性子遮蔽体として使用することができる。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。 ２……サイクロトロン室、４……化学合成室、８……ピ
ット、14……流動パラフィン、16……酸素除去剤を溶解
させた水。
ット、14……流動パラフィン、16……酸素除去剤を溶解
させた水。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−40696（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−26297（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−9798（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】中性子発生源と外部空間とを遮る中性子遮
蔽用の壁体と、 その壁体の下側を貫通して中性子発生源側の空間と外部
空間とを連通させ、中性子発生源側の開口と外部空間側
の開口がともに前記壁体の下側の貫通部より高い位置に
設けられている連通溝と、前記連通溝内で前記壁体の下
側の貫通部より高い位置まで満たされて還元剤を含んだ
水と、 前記水の表面を覆う通気性をもたない被膜と、 前記水中を通り、中性子発生源側の空間と外部空間とを
結ぶパイプと、を備えたことを特徴とする中性子遮蔽
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170407A JPH0766074B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 中性子遮蔽体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170407A JPH0766074B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 中性子遮蔽体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230997A JPS6230997A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0766074B2 true JPH0766074B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=15904349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60170407A Expired - Fee Related JPH0766074B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 中性子遮蔽体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766074B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529798A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Toshiba Corp | Nuclear power plant |
| JPS5626297A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-13 | Hitachi Ltd | Nuclear reactor starttup method |
| JPS5740696A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Shindo Chiyuushirou | Shielding body |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP60170407A patent/JPH0766074B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6230997A (ja) | 1987-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |