JPH0766160A - 半導体基板の研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
半導体基板の研磨方法及び研磨装置Info
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- JPH0766160A JPH0766160A JP22965993A JP22965993A JPH0766160A JP H0766160 A JPH0766160 A JP H0766160A JP 22965993 A JP22965993 A JP 22965993A JP 22965993 A JP22965993 A JP 22965993A JP H0766160 A JPH0766160 A JP H0766160A
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- polishing
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、研磨ムラ及びハイドロプレーン現
象が起こり難く、研磨布のクリーニングが容易で研磨布
の寿命が長くなるように改良した半導体基板の研磨方法
を提供する。 【構成】 本発明方法は、表面を露出するようにして半
導体基板Ａを基板保持台１４上に保持し、基板に直交す
る軸２２の周りに該基板を回転させつつ、微細貫通孔を
有する研磨布を巻きつけた円筒形回転ドラム２６を回転
する基板表面に押圧接触させながら前後に進退させて回
転させる。一方、回転ドラムの内部に研磨液又は洗浄液
を導入し、回転ドラム壁に設けた微細貫通孔及び研磨布
の微細貫通孔を通じて研磨液又は洗浄液を基板表面に供
給しながら、研磨及び洗浄を行う。
象が起こり難く、研磨布のクリーニングが容易で研磨布
の寿命が長くなるように改良した半導体基板の研磨方法
を提供する。 【構成】 本発明方法は、表面を露出するようにして半
導体基板Ａを基板保持台１４上に保持し、基板に直交す
る軸２２の周りに該基板を回転させつつ、微細貫通孔を
有する研磨布を巻きつけた円筒形回転ドラム２６を回転
する基板表面に押圧接触させながら前後に進退させて回
転させる。一方、回転ドラムの内部に研磨液又は洗浄液
を導入し、回転ドラム壁に設けた微細貫通孔及び研磨布
の微細貫通孔を通じて研磨液又は洗浄液を基板表面に供
給しながら、研磨及び洗浄を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の研磨方法
及び研磨装置に関し、更に詳細には半導体基板の精密研
磨の要求にも対応できる研磨性の良好な研磨方法と研磨
装置に関するものである。
及び研磨装置に関し、更に詳細には半導体基板の精密研
磨の要求にも対応できる研磨性の良好な研磨方法と研磨
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の表面は、図４に示す
ように、研磨布５０を張り付けた平坦な回転定盤５２を
軸５４の周りに回転させ、研磨布面に研磨液を流しなが
ら研磨布上に基板Ａの表面を押し付けることにより、研
磨されていた。基板Ａは、矢印の方向の真空吸引により
吸着板５６に吸着保持されている。
ように、研磨布５０を張り付けた平坦な回転定盤５２を
軸５４の周りに回転させ、研磨布面に研磨液を流しなが
ら研磨布上に基板Ａの表面を押し付けることにより、研
磨されていた。基板Ａは、矢印の方向の真空吸引により
吸着板５６に吸着保持されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、集積回路基板
の層間平坦化研磨や、ＳＯＩ基板の高精度な平坦化研磨
等の基板の精密研磨が要求されるにつれて、かかる従来
の方法では、基板表面と研磨布との間で均一な面接触を
実際には維持できないため、均一な精密研磨を行うこと
が難しかった。また、高平坦で硬質な研磨布を用いてい
て研磨液が基板表面に浸透し難いため、更には研磨液を
基板表面に均一かつ確実に供給することが難しいため、
研磨ムラが生じると言う問題があった。また、研磨材と
して細い繊維からなる研磨布、或いは微細発泡層からな
る研磨布を用いているため、研磨屑により、短時間に目
詰まりが生じ易い。そこで、ブラッシング、或いはダイ
ヤモンドペレット等によるドレッシングを研磨布に施し
て、研磨布から研磨屑を除去、クリーニングしている。
しかし、現実には、効果的なクリーニングが難しく、研
磨布の寿命が短くなると言う問題があった。更には、上
述の研磨布は、研磨時に基板が浮き易く（ハイドロプレ
ーン現象）、そのため適度な摩擦抵抗が発生せず、研磨
レートが低下してしまう問題があった。
の層間平坦化研磨や、ＳＯＩ基板の高精度な平坦化研磨
等の基板の精密研磨が要求されるにつれて、かかる従来
の方法では、基板表面と研磨布との間で均一な面接触を
実際には維持できないため、均一な精密研磨を行うこと
が難しかった。また、高平坦で硬質な研磨布を用いてい
て研磨液が基板表面に浸透し難いため、更には研磨液を
基板表面に均一かつ確実に供給することが難しいため、
研磨ムラが生じると言う問題があった。また、研磨材と
して細い繊維からなる研磨布、或いは微細発泡層からな
る研磨布を用いているため、研磨屑により、短時間に目
詰まりが生じ易い。そこで、ブラッシング、或いはダイ
ヤモンドペレット等によるドレッシングを研磨布に施し
て、研磨布から研磨屑を除去、クリーニングしている。
しかし、現実には、効果的なクリーニングが難しく、研
磨布の寿命が短くなると言う問題があった。更には、上
述の研磨布は、研磨時に基板が浮き易く（ハイドロプレ
ーン現象）、そのため適度な摩擦抵抗が発生せず、研磨
レートが低下してしまう問題があった。
【０００４】上述の問題に鑑み、本発明は、研磨ムラ及
びハイドロプレーン現象が起こり難く、研磨布のクリー
ニングが容易で研磨布の寿命が長くなるように改良され
た、半導体基板の研磨方法並びに研磨具を提供すること
である。
びハイドロプレーン現象が起こり難く、研磨布のクリー
ニングが容易で研磨布の寿命が長くなるように改良され
た、半導体基板の研磨方法並びに研磨具を提供すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体基板の研磨方法は、表面を露出
するようにして半導体基板を基板保持台上に保持し、基
板に直交する軸の周りに該基板を回転させつつ、微細貫
通孔を有する研磨布を巻きつけた円筒形回転ドラムを回
転する基板表面に押圧、接触させながら、前後に進退し
て回転させ、一方、回転ドラムの内部に研磨液又は洗浄
液を導入し、回転ドラム壁に設けた微細貫通孔及び研磨
布の微細貫通孔を通じて研磨液又は洗浄液を基板表面に
供給しながら、半導体基板の研磨及び洗浄を行うように
したことを特徴としている。
に、本発明に係る半導体基板の研磨方法は、表面を露出
するようにして半導体基板を基板保持台上に保持し、基
板に直交する軸の周りに該基板を回転させつつ、微細貫
通孔を有する研磨布を巻きつけた円筒形回転ドラムを回
転する基板表面に押圧、接触させながら、前後に進退し
て回転させ、一方、回転ドラムの内部に研磨液又は洗浄
液を導入し、回転ドラム壁に設けた微細貫通孔及び研磨
布の微細貫通孔を通じて研磨液又は洗浄液を基板表面に
供給しながら、半導体基板の研磨及び洗浄を行うように
したことを特徴としている。
【０００６】半導体基板を基板保持台上に保持する手段
は、特に制約はないが、例えば真空吸引により基板を基
板保持台に保持する。本発明で使用する研磨布は、従来
から使用してきた、例えば発泡ポリウレタンに微細貫通
孔を設けたもの等を使用できる。また、研磨液又は洗浄
液を基板表面に供給するためには、好適には、例えば回
転ドラムの内部に圧力空気を供給し、回転ドラムの内外
の圧力差で研磨液又は洗浄液を流出させるようにする。
又、研磨布洗浄の便宜のため、回転ドラム内を減圧する
ようにしてもよい。
は、特に制約はないが、例えば真空吸引により基板を基
板保持台に保持する。本発明で使用する研磨布は、従来
から使用してきた、例えば発泡ポリウレタンに微細貫通
孔を設けたもの等を使用できる。また、研磨液又は洗浄
液を基板表面に供給するためには、好適には、例えば回
転ドラムの内部に圧力空気を供給し、回転ドラムの内外
の圧力差で研磨液又は洗浄液を流出させるようにする。
又、研磨布洗浄の便宜のため、回転ドラム内を減圧する
ようにしてもよい。
【０００７】上述の本発明方法を実施する、本発明に係
る半導体基板の研磨装置は、表面を露出するようにして
半導体基板を保持し、基板に直交する軸の周りに該基板
を回転させる基板保持台と、回転する該基板保持台上の
基板の表面を研磨する研磨具との組合せであって、基板
保持台は、真空吸着して基板を保持する基板吸着板と、
基板吸着板を基板に直交する軸の周りに回転させる回転
機構とを備え、研磨具は、長手方向中心線に沿った回転
軸周りに回転自在な円筒形の回転ドラムと、回転軸を両
端で軸支する保持アームと、保持アームを介して基板表
面に押圧接触させた回転ドラムを前後に進退させつつ回
転させる進退機構とを備え、回転ドラムの円筒壁には微
細な貫通孔が設けられ、かつ円筒壁の外周面には基板表
面を研磨するための透水性研磨布が装着され、更に回転
ドラムの回転軸は、外部から研磨液又は洗浄液を供給す
る供給口と、該供給口から研磨液又は洗浄液を回転ドラ
ム内部に導入する手段を備えていることを特徴としてい
る。
る半導体基板の研磨装置は、表面を露出するようにして
半導体基板を保持し、基板に直交する軸の周りに該基板
を回転させる基板保持台と、回転する該基板保持台上の
基板の表面を研磨する研磨具との組合せであって、基板
保持台は、真空吸着して基板を保持する基板吸着板と、
基板吸着板を基板に直交する軸の周りに回転させる回転
機構とを備え、研磨具は、長手方向中心線に沿った回転
軸周りに回転自在な円筒形の回転ドラムと、回転軸を両
端で軸支する保持アームと、保持アームを介して基板表
面に押圧接触させた回転ドラムを前後に進退させつつ回
転させる進退機構とを備え、回転ドラムの円筒壁には微
細な貫通孔が設けられ、かつ円筒壁の外周面には基板表
面を研磨するための透水性研磨布が装着され、更に回転
ドラムの回転軸は、外部から研磨液又は洗浄液を供給す
る供給口と、該供給口から研磨液又は洗浄液を回転ドラ
ム内部に導入する手段を備えていることを特徴としてい
る。
【０００８】透水性研磨布とは、例えば微細発泡層から
なる研磨布等の微細貫通孔を多数備えた研磨布、或いは
その他の種類の透水性、通水性の研磨布である。本発明
で使用する、基板保持台の回転機構及び回転ドラムの進
退機構は、常用する既知の機構を使用できる。また、回
転ドラム内部を加圧して研磨液又は洗浄液を基板表面に
流出し易いようにするために、好適には例えば圧力空気
を回転ドラム内部に供給し、回転ドラムの内外の圧力差
で研磨液又は洗浄液を流出させるようにする。又、研磨
布の洗浄の便宜のため、回転ドラム内を減圧するように
してもよい。
なる研磨布等の微細貫通孔を多数備えた研磨布、或いは
その他の種類の透水性、通水性の研磨布である。本発明
で使用する、基板保持台の回転機構及び回転ドラムの進
退機構は、常用する既知の機構を使用できる。また、回
転ドラム内部を加圧して研磨液又は洗浄液を基板表面に
流出し易いようにするために、好適には例えば圧力空気
を回転ドラム内部に供給し、回転ドラムの内外の圧力差
で研磨液又は洗浄液を流出させるようにする。又、研磨
布の洗浄の便宜のため、回転ドラム内を減圧するように
してもよい。
【０００９】
【作用】請求項１の半導体基板の研磨方法及び請求項２
の研磨装置では、研磨液が回転ドラムの微細貫通孔及び
研磨布の微細貫通孔を介して研磨布の全面から均一に基
板表面に供給されるので、研磨ムラが無くなる。また、
研磨布は、回転ドラムに巻回されているので、回転する
基板表面に対して面接触でなく、線接触ないし曲面接触
する。よって、均一な接触が可能となり、更には、ハイ
ドロプレーン現象が発生しない。よって、十分な摩擦抵
抗が得られ、高い研磨レートで安定した研磨ができる。
更には、洗浄液が回転ドラムの貫通孔を介して研磨布の
裏面から表面に供給されるので、洗浄液が研磨布を目詰
まりさせた研磨屑を十分に洗い流して、効果的にクリー
ニングする。よって、研磨布の寿命が長くなる。
の研磨装置では、研磨液が回転ドラムの微細貫通孔及び
研磨布の微細貫通孔を介して研磨布の全面から均一に基
板表面に供給されるので、研磨ムラが無くなる。また、
研磨布は、回転ドラムに巻回されているので、回転する
基板表面に対して面接触でなく、線接触ないし曲面接触
する。よって、均一な接触が可能となり、更には、ハイ
ドロプレーン現象が発生しない。よって、十分な摩擦抵
抗が得られ、高い研磨レートで安定した研磨ができる。
更には、洗浄液が回転ドラムの貫通孔を介して研磨布の
裏面から表面に供給されるので、洗浄液が研磨布を目詰
まりさせた研磨屑を十分に洗い流して、効果的にクリー
ニングする。よって、研磨布の寿命が長くなる。
【００１０】
【実施例】図１は研磨具と基板保持台とを使用した本発
明方法の実施状況を説明する模式的斜視図、図２は図１
に示す研磨具の模式的側面断面図及び図３は図１に示し
た研磨具と基板保持台の要部を示す模式的側面断面図で
ある。本発明に係る半導体基板の研磨方法は、図１に示
すように、研磨具１２と基板保持台１４との組合せから
なる研磨装置１０を使用して実施される。基板保持台１
４は、図３に示すように、円板状の吸着板支持体１６
と、吸着板支持体１６の円筒形凹部１８に嵌合させた多
孔質吸着板２０とを備えている。吸着板支持体１６は、
回転装置（図示せず）によって吸着板２０と共に回転軸
２２の周り矢印Ｗの方向に回転する。更に、回転軸２２
には、その中心線に沿って貫通孔２４が設けてあり、そ
の貫通孔２４は、吸着板支持体１６を貫通して吸着板２
０に連通している。基板Ａは、吸着板２０上に載置さ
れ、貫通孔２４及び吸着板２０を介して基板Ａを真空吸
引することにより、基板Ａを吸着板２０上に強固に保持
することが出来る。
明方法の実施状況を説明する模式的斜視図、図２は図１
に示す研磨具の模式的側面断面図及び図３は図１に示し
た研磨具と基板保持台の要部を示す模式的側面断面図で
ある。本発明に係る半導体基板の研磨方法は、図１に示
すように、研磨具１２と基板保持台１４との組合せから
なる研磨装置１０を使用して実施される。基板保持台１
４は、図３に示すように、円板状の吸着板支持体１６
と、吸着板支持体１６の円筒形凹部１８に嵌合させた多
孔質吸着板２０とを備えている。吸着板支持体１６は、
回転装置（図示せず）によって吸着板２０と共に回転軸
２２の周り矢印Ｗの方向に回転する。更に、回転軸２２
には、その中心線に沿って貫通孔２４が設けてあり、そ
の貫通孔２４は、吸着板支持体１６を貫通して吸着板２
０に連通している。基板Ａは、吸着板２０上に載置さ
れ、貫通孔２４及び吸着板２０を介して基板Ａを真空吸
引することにより、基板Ａを吸着板２０上に強固に保持
することが出来る。
【００１１】研磨具１２は、回転ドラム２６と、回転ド
ラム２６を保持する保持アーム２８とを備えていて、回
転する基板保持台１４上の基板Ａに回転ドラム２６を押
圧接触させ、かつ回転ドラム２６を前後に進退して回転
させるようなやり方で使用される。回転ドラム２６は、
図２に示すように、両端面が閉止された円筒形ドラムで
あって、その長手方向中心線に沿って延在する回転軸３
０周りに自在に回転するように構成されている。回転軸
３０は、その両端で保持アーム２８により軸支されてい
る。回転軸３０の一方の端部に設けられた供給口３２に
は、柔軟なホース３６（図１参照）が接続されて研磨液
又は洗浄液が供給される。更に、供給口３２は、回転軸
３０内に配置された導管（図示せず）に接続し、導管に
設けられた下向きの複数のノズルを介して回転ドラム２
６の内部３４に研磨液又は洗浄液を供給する。回転ドラ
ム２６は、外部からベルト駆動（図示せず）等により強
制的に回転力が与えられて、矢印Ｕに示すように回転す
る。
ラム２６を保持する保持アーム２８とを備えていて、回
転する基板保持台１４上の基板Ａに回転ドラム２６を押
圧接触させ、かつ回転ドラム２６を前後に進退して回転
させるようなやり方で使用される。回転ドラム２６は、
図２に示すように、両端面が閉止された円筒形ドラムで
あって、その長手方向中心線に沿って延在する回転軸３
０周りに自在に回転するように構成されている。回転軸
３０は、その両端で保持アーム２８により軸支されてい
る。回転軸３０の一方の端部に設けられた供給口３２に
は、柔軟なホース３６（図１参照）が接続されて研磨液
又は洗浄液が供給される。更に、供給口３２は、回転軸
３０内に配置された導管（図示せず）に接続し、導管に
設けられた下向きの複数のノズルを介して回転ドラム２
６の内部３４に研磨液又は洗浄液を供給する。回転ドラ
ム２６は、外部からベルト駆動（図示せず）等により強
制的に回転力が与えられて、矢印Ｕに示すように回転す
る。
【００１２】回転ドラム２６の円筒壁の外周面には、裏
面から表面に透水できる多孔質の研磨布３８、例えばロ
デール・ニッタ株式会社製の商品名ＭＨポリシングクロ
スが被覆されている。更に、回転ドラム２６の円筒壁に
は、径の細い多数の貫通孔４０が均一な分布で設けてあ
る。 本研磨装置１０では、圧縮空気を導入する常用の
手段（図示せず）を回転ドラム２６に設け、圧縮空気を
導入して回転ドラム２６の内部３４を加圧できるように
なっている。回転ドラム２６の内外に生じた圧力差でも
って、回転ドラム２６の円筒壁の貫通孔４０及び透水性
研磨布３８を通して、回転ドラム２６の研磨液又は洗浄
液を基板Ａの表面に流出させるようにしている。
面から表面に透水できる多孔質の研磨布３８、例えばロ
デール・ニッタ株式会社製の商品名ＭＨポリシングクロ
スが被覆されている。更に、回転ドラム２６の円筒壁に
は、径の細い多数の貫通孔４０が均一な分布で設けてあ
る。 本研磨装置１０では、圧縮空気を導入する常用の
手段（図示せず）を回転ドラム２６に設け、圧縮空気を
導入して回転ドラム２６の内部３４を加圧できるように
なっている。回転ドラム２６の内外に生じた圧力差でも
って、回転ドラム２６の円筒壁の貫通孔４０及び透水性
研磨布３８を通して、回転ドラム２６の研磨液又は洗浄
液を基板Ａの表面に流出させるようにしている。
【００１３】図１から図３を参照しながら、上記構成の
研磨装置１０を使用して本発明に係る半導体基板の研磨
方法を説明する。基板Ａを基板保持台１４の吸着板２０
上に載置し、真空吸引装置（図示せず）を起動して矢印
Ｖ（図３参照）の方向に吸引する。これによって、基板
Ａは吸着板２０上に強固に保持される。次いで、回転装
置（図示せず）を起動して基板保持台１４を回転軸２２
の周り矢印Ｗの方向に適当な回転数で回転させる。
研磨装置１０を使用して本発明に係る半導体基板の研磨
方法を説明する。基板Ａを基板保持台１４の吸着板２０
上に載置し、真空吸引装置（図示せず）を起動して矢印
Ｖ（図３参照）の方向に吸引する。これによって、基板
Ａは吸着板２０上に強固に保持される。次いで、回転装
置（図示せず）を起動して基板保持台１４を回転軸２２
の周り矢印Ｗの方向に適当な回転数で回転させる。
【００１４】次に、研磨具１２を用意して、ホース３６
を介して研磨液を回転ドラム２６の内部３４に導入し、
かつ圧縮空気で回転ドラム２６内を加圧しつつ、回転ド
ラム２６を基板Ａ上に押圧接触させ、保持アーム２８を
介して図２に示すように矢印Ｘの方向に進退させる。研
磨液は、回転ドラム２６の内部３４から回転ドラム２６
の円筒壁の貫通孔４０及び研磨布３８を介して基板Ａ上
に滲み出す。また、回転ドラム２６の貫通孔４０及び研
磨布３８の多孔質の孔に洗浄液を研磨液と同様の方法で
導入することより、スクラバー洗浄と研磨布の目詰まり
の洗浄を連続して行うことができる。
を介して研磨液を回転ドラム２６の内部３４に導入し、
かつ圧縮空気で回転ドラム２６内を加圧しつつ、回転ド
ラム２６を基板Ａ上に押圧接触させ、保持アーム２８を
介して図２に示すように矢印Ｘの方向に進退させる。研
磨液は、回転ドラム２６の内部３４から回転ドラム２６
の円筒壁の貫通孔４０及び研磨布３８を介して基板Ａ上
に滲み出す。また、回転ドラム２６の貫通孔４０及び研
磨布３８の多孔質の孔に洗浄液を研磨液と同様の方法で
導入することより、スクラバー洗浄と研磨布の目詰まり
の洗浄を連続して行うことができる。
【００１５】
【発明の効果】請求項１に記載の半導体基板の研磨方法
によれば、半導体基板を回転させつつ、研磨布を巻いた
回転ドラムを基板表面に押圧接触させながら前後に進退
させ、一方回転ドラムの内部に研磨液又は洗浄液を導入
し、これらの研磨液を回転ドラムの微細貫通孔を通じて
基板表面に供給することにより、研磨液が均一に基板上
に供給されるので、研磨ムラが無くなる。また研磨布が
平面でなく曲面で基板表面に接触するので、ハイドロプ
レーン現象が発生しない。よって、十分な摩擦抵抗が得
られ、高い研磨レートで安定した研磨ができる。更に
は、洗浄液が回転ドラムの貫通孔を介して研磨布の裏面
から表面に供給されるので、洗浄液が研磨布を目詰まり
させた研磨屑を十分に洗い流して、効果的にクリーニン
グする。よって、研磨布の寿命が長くなる。本発明方法
を適用することにより、集積回路基板の層間平坦化研磨
や、ＳＯＩ基板の高精度な平坦化研磨等の基板精密研磨
の要求に対応することができる。
によれば、半導体基板を回転させつつ、研磨布を巻いた
回転ドラムを基板表面に押圧接触させながら前後に進退
させ、一方回転ドラムの内部に研磨液又は洗浄液を導入
し、これらの研磨液を回転ドラムの微細貫通孔を通じて
基板表面に供給することにより、研磨液が均一に基板上
に供給されるので、研磨ムラが無くなる。また研磨布が
平面でなく曲面で基板表面に接触するので、ハイドロプ
レーン現象が発生しない。よって、十分な摩擦抵抗が得
られ、高い研磨レートで安定した研磨ができる。更に
は、洗浄液が回転ドラムの貫通孔を介して研磨布の裏面
から表面に供給されるので、洗浄液が研磨布を目詰まり
させた研磨屑を十分に洗い流して、効果的にクリーニン
グする。よって、研磨布の寿命が長くなる。本発明方法
を適用することにより、集積回路基板の層間平坦化研磨
や、ＳＯＩ基板の高精度な平坦化研磨等の基板精密研磨
の要求に対応することができる。
【００１６】請求項２の発明によれば、真空吸着により
基板を保持しつつ基板を回転する基板保持台と、基板保
持台と協働して、基板表面を研磨する研磨具との組合せ
からなり、研磨具は、透水性の研磨布を外周に巻いた回
転自在な回転ドラムを備え、かつ回転ドラム内部から回
転ドラム壁の貫通孔及び透水性研磨布を介して研磨液又
は洗浄液を基板表面に供給するようにした研磨装置の構
成により、研磨液が均一に基板上に供給されるので、研
磨ムラが無くなる。また、研磨布が平面でなく曲面で基
板表面に接触するので、ハイドロプレーン現象が発生し
ない。よって、十分な摩擦抵抗が得られ、高い研磨レー
トで安定した研磨ができる。更には、洗浄液が回転ドラ
ムの貫通孔を介して研磨布の裏面から表面に供給される
ので、研磨布を目詰まりさせた研磨屑を洗い流して、効
果的にクリーニングする。よって、研磨布の寿命が長く
なる。
基板を保持しつつ基板を回転する基板保持台と、基板保
持台と協働して、基板表面を研磨する研磨具との組合せ
からなり、研磨具は、透水性の研磨布を外周に巻いた回
転自在な回転ドラムを備え、かつ回転ドラム内部から回
転ドラム壁の貫通孔及び透水性研磨布を介して研磨液又
は洗浄液を基板表面に供給するようにした研磨装置の構
成により、研磨液が均一に基板上に供給されるので、研
磨ムラが無くなる。また、研磨布が平面でなく曲面で基
板表面に接触するので、ハイドロプレーン現象が発生し
ない。よって、十分な摩擦抵抗が得られ、高い研磨レー
トで安定した研磨ができる。更には、洗浄液が回転ドラ
ムの貫通孔を介して研磨布の裏面から表面に供給される
ので、研磨布を目詰まりさせた研磨屑を洗い流して、効
果的にクリーニングする。よって、研磨布の寿命が長く
なる。
【図１】研磨具と基板保持台とを使用した本発明方法の
実施状況を説明する模式的斜視図である。
実施状況を説明する模式的斜視図である。
【図２】図１に示す研磨具の模式的側面断面図である。
【図３】図１に示した研磨具と基板保持台の要部を示す
模式的側面断面図である。
模式的側面断面図である。
【図４】従来の半導体基板の研磨方法を説明する斜視図
である。
である。
１０ 研磨装置 １２ 研磨具 １４ 基板保持台 １６ 吸着板支持体 １８ 円形凹部 ２０ 吸着板 ２２ 回転軸 ２４ 貫通孔 ２６ 回転ドラム ２８ 保持アーム ３０ 回転軸 ３２ 供給口 ３４ 回転ドラムの内部 ３６ ホース ３８ 研磨布 ４０ 貫通孔
Claims (2)
- 【請求項１】 表面を露出するようにして半導体基板を
基板保持台上に保持し、基板に直交する軸の周りに該基
板を回転させつつ、 微細貫通孔を有する研磨布を巻きつけた円筒形回転ドラ
ムを前記回転する基板表面に押圧、接触させながら、前
後に進退して回転させ、 一方、回転ドラムの内部に研磨液又は洗浄液を導入し、
回転ドラム壁に設けた微細貫通孔及び研磨布の微細貫通
孔を通じて研磨液又は洗浄液を基板表面に供給しなが
ら、半導体基板の研磨及び洗浄を行うようにしたことを
特徴とする半導体基板の研磨方法。 - 【請求項２】 表面を露出するようにして半導体基板を
保持し、基板に直交する軸の周りに該基板を回転させる
基板保持台と、回転する該基板保持台上の基板の表面を
研磨する研磨具との組合せであって、 基板保持台は、真空吸着して基板を保持する基板吸着板
と、基板吸着板を基板に直交する軸の周りに回転させる
回転機構とを備え、 研磨具は、長手方向中心線に沿った回転軸周りに回転自
在な円筒形の回転ドラムと、回転軸を両端で軸支する保
持アームと、保持アームを介して基板表面に押圧接触さ
せた回転ドラムを前後に進退させつつ回転させる進退機
構とを備え、 前記回転ドラムの円筒壁には微細な貫通孔が設けられ、
かつ円筒壁の外周面には基板表面を研磨するための透水
性研磨布が装着され、更に前記回転ドラムの回転軸は、
外部から研磨液又は洗浄液を供給する供給口と、該供給
口から前記研磨液又は洗浄液を前記回転ドラム内部に導
入する手段を備えていることを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22965993A JPH0766160A (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 半導体基板の研磨方法及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22965993A JPH0766160A (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 半導体基板の研磨方法及び研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766160A true JPH0766160A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16895673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22965993A Pending JPH0766160A (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 半導体基板の研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766160A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0950975A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Samsung Electron Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
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| CN112847082A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-28 | 株式会社迪思科 | 保持面清洗装置 |
-
1993
- 1993-08-24 JP JP22965993A patent/JPH0766160A/ja active Pending
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