JPH0766319A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
- Publication number
- JPH0766319A JPH0766319A JP5212863A JP21286393A JPH0766319A JP H0766319 A JPH0766319 A JP H0766319A JP 5212863 A JP5212863 A JP 5212863A JP 21286393 A JP21286393 A JP 21286393A JP H0766319 A JPH0766319 A JP H0766319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- connection pad
- insulating substrate
- external lead
- sintered body
- lead terminal
- Prior art date
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- Pending
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】信号の高速伝搬を要求する半導体素子の搭載が
可能で、且つ絶縁基体に外部リード端子が強固に取着さ
れた配線基板を提供することにある。 【構成】ムライト質焼結体もしくはガラスセラミックス
焼結体から成る絶縁基体１にメタライズ配線層３及び該
メタライズ配線層３に電気的に接続される接続パッド７
を設けるとともに前記接続パッド７に外部リード端子２
をロウ付けして成る配線基板であって、前記接続パッド
７の外周部と絶縁基体１との間に、ＪＩＳーＫー７１１
３に規定のプラスチックの引張り試験における伸びが５
％以上である樹脂製軟質材８を介在させた。
可能で、且つ絶縁基体に外部リード端子が強固に取着さ
れた配線基板を提供することにある。 【構成】ムライト質焼結体もしくはガラスセラミックス
焼結体から成る絶縁基体１にメタライズ配線層３及び該
メタライズ配線層３に電気的に接続される接続パッド７
を設けるとともに前記接続パッド７に外部リード端子２
をロウ付けして成る配線基板であって、前記接続パッド
７の外周部と絶縁基体１との間に、ＪＩＳーＫー７１１
３に規定のプラスチックの引張り試験における伸びが５
％以上である樹脂製軟質材８を介在させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置や半導
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ等に用い
られる配線基板に関するものである。
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ等に用い
られる配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に用いられる配線基板は一般に酸化ア
ルミニウム質焼結体から成り、表面及び内部にＭｏ−Ｍ
ｎ法等の厚膜形成技術を採用することによって形成され
るメタライズ配線層を有する絶縁基体と、前記メタライ
ズ配線層の一部に形成される接続パッドにロウ材を介し
てロウ付けされ、メタライズ配線層を他の外部電気回路
に接続する外部リード端子とから構成されている。
納用パッケージ等に用いられる配線基板は一般に酸化ア
ルミニウム質焼結体から成り、表面及び内部にＭｏ−Ｍ
ｎ法等の厚膜形成技術を採用することによって形成され
るメタライズ配線層を有する絶縁基体と、前記メタライ
ズ配線層の一部に形成される接続パッドにロウ材を介し
てロウ付けされ、メタライズ配線層を他の外部電気回路
に接続する外部リード端子とから構成されている。
【０００３】尚、前記Ｍｏ−Ｍｎ法はタングステン、モ
リブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶
媒を添加混合し、ぺースト状となして得た金属ペースト
と、アルミナ、シリカ、カルシア等のセラミック原料粉
末に有機溶剤、溶媒を添加混合し泥漿状となすとともに
これをドクターブレード法やカレンダーロール法等によ
ってシート状に成形したセラミックグリーンシート（セ
ラミック生シート）とを準備し、前記セラミックグリー
ンシートの上面に金属ペーストをスクリーン印刷法によ
り所定パターンに印刷塗布するとともにこれを複数枚積
層してセラミック積層体を得、しかる後、前記セラミッ
ク積層体を約１６００℃の温度で焼成し、高融点金属粉
末とセラミック原料粉末とを焼結一体化させる方法であ
る。
リブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶
媒を添加混合し、ぺースト状となして得た金属ペースト
と、アルミナ、シリカ、カルシア等のセラミック原料粉
末に有機溶剤、溶媒を添加混合し泥漿状となすとともに
これをドクターブレード法やカレンダーロール法等によ
ってシート状に成形したセラミックグリーンシート（セ
ラミック生シート）とを準備し、前記セラミックグリー
ンシートの上面に金属ペーストをスクリーン印刷法によ
り所定パターンに印刷塗布するとともにこれを複数枚積
層してセラミック積層体を得、しかる後、前記セラミッ
ク積層体を約１６００℃の温度で焼成し、高融点金属粉
末とセラミック原料粉末とを焼結一体化させる方法であ
る。
【０００４】しかしながら、近時、半導体素子はその高
性能化に伴って信号の伝播速度の高速化が急激に進み、
該半導体素子を従来の配線基板に搭載した場合、以下の
欠点を招来する。
性能化に伴って信号の伝播速度の高速化が急激に進み、
該半導体素子を従来の配線基板に搭載した場合、以下の
欠点を招来する。
【０００５】即ち、配線基板の絶縁基体を構成する酸化
アルミニウム質焼結体はその誘電率が９〜１０（室温１
MHz)と高いため、絶縁基体に形成したメタライズ配線層
を伝わる信号の伝播速度が絶縁基体の誘電率が高いこと
に起因して極めて遅いものとなり、信号の高速伝播を要
求する半導体素子はその搭載が不可となってしまう。
アルミニウム質焼結体はその誘電率が９〜１０（室温１
MHz)と高いため、絶縁基体に形成したメタライズ配線層
を伝わる信号の伝播速度が絶縁基体の誘電率が高いこと
に起因して極めて遅いものとなり、信号の高速伝播を要
求する半導体素子はその搭載が不可となってしまう。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために絶縁基体
を酸化アルミニウム質焼結体に変えて誘電率が5.7 乃至
6.3(室温1MHz) と低いムライト質焼結体やガラスセラミ
ックス焼結体で形成することが考えられる。
を酸化アルミニウム質焼結体に変えて誘電率が5.7 乃至
6.3(室温1MHz) と低いムライト質焼結体やガラスセラミ
ックス焼結体で形成することが考えられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、絶縁基
体をムライト質焼結体で形成した場合、該ムライト質焼
結体はメタライズ配線層との接合性が若干弱いことから
メタライズ配線層の一部に形成した接続パッドに外部リ
ード端子をロウ材を介してロウ付けするとロウ材の引っ
張り力による大きな応力が接続パッドの外周部に内在
し、外部リード端子を外部電気回路に接続する際、外部
リード端子に外力が印加されると該外力が前記内在応力
と相俊って大きくなり、外部リード端子を接続パッドと
ともに絶縁基体より剥離させてしまうという欠点が誘発
される。
体をムライト質焼結体で形成した場合、該ムライト質焼
結体はメタライズ配線層との接合性が若干弱いことから
メタライズ配線層の一部に形成した接続パッドに外部リ
ード端子をロウ材を介してロウ付けするとロウ材の引っ
張り力による大きな応力が接続パッドの外周部に内在
し、外部リード端子を外部電気回路に接続する際、外部
リード端子に外力が印加されると該外力が前記内在応力
と相俊って大きくなり、外部リード端子を接続パッドと
ともに絶縁基体より剥離させてしまうという欠点が誘発
される。
【０００８】また絶縁基体をガラスセラミックス焼結体
で形成した場合、該ガラスセラミックス焼結体は機械的
強度が若干劣るため接続パッドに外部リード端子をロウ
材を介してロウ付けするとロウ材の引っ張り力が接続パ
ッドの外周部に位置する絶縁基体に作用してクラックを
発生させ、これが外部リード端子を外部電気回路に接続
する際等に印加される外力によって大きく成長し、絶縁
基体の一部が外部リード端子とともに剥離するという欠
点が誘発される。
で形成した場合、該ガラスセラミックス焼結体は機械的
強度が若干劣るため接続パッドに外部リード端子をロウ
材を介してロウ付けするとロウ材の引っ張り力が接続パ
ッドの外周部に位置する絶縁基体に作用してクラックを
発生させ、これが外部リード端子を外部電気回路に接続
する際等に印加される外力によって大きく成長し、絶縁
基体の一部が外部リード端子とともに剥離するという欠
点が誘発される。
【０００９】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は信号の高速伝搬を要求する半導体素子の
搭載が可能で、且つ絶縁基体に外部リード端子が強固に
取着された配線基板を提供することにある。
で、その目的は信号の高速伝搬を要求する半導体素子の
搭載が可能で、且つ絶縁基体に外部リード端子が強固に
取着された配線基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明はムライト質焼結
体もしくはガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体
にメタライズ配線層及び該メタライズ配線層に電気的に
接続される接続パッドを設けるとともに前記接続パッド
に外部リード端子をロウ付けして成る配線基板であっ
て、前記接続パッドの外周部と絶縁基体との間に、ＪＩ
ＳーＫー７１１３に規定のプラスチックの引張り試験に
おける伸びが５％以上である樹脂製軟質材を介在させた
ことを特徴とするものである。
体もしくはガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体
にメタライズ配線層及び該メタライズ配線層に電気的に
接続される接続パッドを設けるとともに前記接続パッド
に外部リード端子をロウ付けして成る配線基板であっ
て、前記接続パッドの外周部と絶縁基体との間に、ＪＩ
ＳーＫー７１１３に規定のプラスチックの引張り試験に
おける伸びが５％以上である樹脂製軟質材を介在させた
ことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明の配線基板によれば絶縁基体を誘電率が
低いムライト質焼結体もしくはガラスセラミックス焼結
体で形成したことから該絶縁基体に形成されているメタ
ライズ配線層の信号伝播速度を高速となすことができ、
その結果、信号の高速伝播を要求する半導体素子の搭載
が可能となる。
低いムライト質焼結体もしくはガラスセラミックス焼結
体で形成したことから該絶縁基体に形成されているメタ
ライズ配線層の信号伝播速度を高速となすことができ、
その結果、信号の高速伝播を要求する半導体素子の搭載
が可能となる。
【００１２】また外部リード端子がロウ付けされる接続
パッドの外周部と絶縁基体との間に、ＪＩＳーＫー７１
１３に規定のプラスチックの引張り試験における伸びが
５％以上である樹脂製軟質材を介在させたことから接続
パッドに外部リード端子をロウ付けする際、ロウ材の引
っ張り力が接続パッドの外周部に作用しようとしてもそ
の引っ張り力は樹脂製軟質材を変形させることによって
良好に吸収され、その結果、接続パッドが外部リード端
子とともに絶縁基体より剥離したり、絶縁基体の一部が
外部リード端子とともに剥離したりするのを皆無として
外部リード端子を絶縁基体に強固に取着することが可能
となる。
パッドの外周部と絶縁基体との間に、ＪＩＳーＫー７１
１３に規定のプラスチックの引張り試験における伸びが
５％以上である樹脂製軟質材を介在させたことから接続
パッドに外部リード端子をロウ付けする際、ロウ材の引
っ張り力が接続パッドの外周部に作用しようとしてもそ
の引っ張り力は樹脂製軟質材を変形させることによって
良好に吸収され、その結果、接続パッドが外部リード端
子とともに絶縁基体より剥離したり、絶縁基体の一部が
外部リード端子とともに剥離したりするのを皆無として
外部リード端子を絶縁基体に強固に取着することが可能
となる。
【００１３】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図1 及び図2 は本発明の配線基板の一実施例を示
し、1 は絶縁基体、2 は外部リード端子である。
る。図1 及び図2 は本発明の配線基板の一実施例を示
し、1 は絶縁基体、2 は外部リード端子である。
【００１４】前記絶縁基体1 はムライト質焼結体もしく
はガラスセラミックス焼結体から成り、ムライト質焼結
体から成る場合は例えば、ムライト(3Al2 O 3 ・2Si
O2 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 等の原料粉末
に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿状
となすとともにこれをドクターブレード法やカレンダー
ロール法を採用することによってセラミックグリーンシ
ート( セラミック生シート) を形成し、しかる後、前記
セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施す
とともに複数枚積層し、約1400〜1800℃の高温で焼成す
ることによって製作され、またガラスセラミックス焼結
体から成る場合は例えば、36重量％のアルミナ、27重量
％のシリカ、27重量％のマグネシア、8 重量％の酸化ホ
ウ素、0.7 重量％の酸化リチウム及び酸化ナトリウム、
0.6 重量％の酸化カリウムを約1500℃の温度で処理して
スピネル系結晶化ガラスを形成し、次に前記スピネル系
結晶化ガラスを微粉砕するととも適当な有機バインダ
ー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれを
従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を
採用することによってセラミックグリーンシート( セラ
ミック生シート) を形成し、しかる後、前記セラミック
グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複
数枚積層し、約800 〜1000℃の温度で焼成することによ
って製作される。
はガラスセラミックス焼結体から成り、ムライト質焼結
体から成る場合は例えば、ムライト(3Al2 O 3 ・2Si
O2 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 等の原料粉末
に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿状
となすとともにこれをドクターブレード法やカレンダー
ロール法を採用することによってセラミックグリーンシ
ート( セラミック生シート) を形成し、しかる後、前記
セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施す
とともに複数枚積層し、約1400〜1800℃の高温で焼成す
ることによって製作され、またガラスセラミックス焼結
体から成る場合は例えば、36重量％のアルミナ、27重量
％のシリカ、27重量％のマグネシア、8 重量％の酸化ホ
ウ素、0.7 重量％の酸化リチウム及び酸化ナトリウム、
0.6 重量％の酸化カリウムを約1500℃の温度で処理して
スピネル系結晶化ガラスを形成し、次に前記スピネル系
結晶化ガラスを微粉砕するととも適当な有機バインダ
ー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれを
従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を
採用することによってセラミックグリーンシート( セラ
ミック生シート) を形成し、しかる後、前記セラミック
グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複
数枚積層し、約800 〜1000℃の温度で焼成することによ
って製作される。
【００１５】前記絶縁基体1 はその上面から下面にかけ
て複数個のメタライズ配線層3 を有しており、該メタラ
イズ配線層3 の絶縁基体1 上面部には後述する多層配線
4 の回路配線膜6 が接続され、また絶縁基体1 の下面部
には外部リード端子2 が金ー錫合金等のロウ材9 を介し
てロウ付けされている。
て複数個のメタライズ配線層3 を有しており、該メタラ
イズ配線層3 の絶縁基体1 上面部には後述する多層配線
4 の回路配線膜6 が接続され、また絶縁基体1 の下面部
には外部リード端子2 が金ー錫合金等のロウ材9 を介し
てロウ付けされている。
【００１６】前記メタライズ配線層3 は信号の伝播路と
して作用するとともに多層配線4 の回路配線膜6 と外部
リード端子2 とを電気的に接続する作用を為し、絶縁基
体1がムライト質焼結体から成る時にはタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末で、ガラスセ
ラミックス焼結体から成る時には銅で形成される。
して作用するとともに多層配線4 の回路配線膜6 と外部
リード端子2 とを電気的に接続する作用を為し、絶縁基
体1がムライト質焼結体から成る時にはタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末で、ガラスセ
ラミックス焼結体から成る時には銅で形成される。
【００１７】前記メタライズ配線層3 は絶縁基体1 がム
ライト質焼結体もしくはガラスセラミックス焼結体から
成り、該ムライト質焼結体及びガラスセラミックス焼結
体はその各々の誘電率が6.3(室温1MHz) 、5.7(室温1MH
z) と低いことから、信号の伝播速度が極めて速いもの
となり、その結果、信号の高速伝播が要求される半導体
素子の搭載用配線基板として好適に対応し得るもとな
る。
ライト質焼結体もしくはガラスセラミックス焼結体から
成り、該ムライト質焼結体及びガラスセラミックス焼結
体はその各々の誘電率が6.3(室温1MHz) 、5.7(室温1MH
z) と低いことから、信号の伝播速度が極めて速いもの
となり、その結果、信号の高速伝播が要求される半導体
素子の搭載用配線基板として好適に対応し得るもとな
る。
【００１８】尚、前記メタライズ金属層3 はタングステ
ンや銅等の金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合
して得た金属ペーストを絶縁基体1 と成るセラミックグ
リーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により
所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体
1 の上面から下面にかけて被着形成される。
ンや銅等の金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合
して得た金属ペーストを絶縁基体1 と成るセラミックグ
リーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により
所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体
1 の上面から下面にかけて被着形成される。
【００１９】また前記メタライズ配線層3 を有する絶縁
基体1 の上面には絶縁膜5 と回路配線膜6 とを交互に積
層して形成される多層配線4 が被着されており、該多層
配線4 は回路配線の一部を高密度に形成する作用を為
す。
基体1 の上面には絶縁膜5 と回路配線膜6 とを交互に積
層して形成される多層配線4 が被着されており、該多層
配線4 は回路配線の一部を高密度に形成する作用を為
す。
【００２０】前記絶縁基体1 の上面に被着される多層配
線4 の絶縁膜5 は上下に位置する回路配線膜6 の電気的
絶縁を図る作用を為し、また回路配線膜6 は電気信号を
伝播するための伝播路として作用する。
線4 の絶縁膜5 は上下に位置する回路配線膜6 の電気的
絶縁を図る作用を為し、また回路配線膜6 は電気信号を
伝播するための伝播路として作用する。
【００２１】前記絶縁膜5 はポリイミド樹脂等の高分子
材料から成り、例えば4,4 ージアミノジフェニルエーテ
ル50モル% 、ジアミノジフェニルスルホン50モル% 、3,
3',4,4' ービフェニルテトラカルボン酸二無水物から成
るポリマ溶液を絶縁基体1 上面にスピンコーティング法
により塗布し、しかる後、400 ℃の熱を加えてポリマ溶
液を熱架橋させることによって絶縁基体1 上に多層に形
成される。
材料から成り、例えば4,4 ージアミノジフェニルエーテ
ル50モル% 、ジアミノジフェニルスルホン50モル% 、3,
3',4,4' ービフェニルテトラカルボン酸二無水物から成
るポリマ溶液を絶縁基体1 上面にスピンコーティング法
により塗布し、しかる後、400 ℃の熱を加えてポリマ溶
液を熱架橋させることによって絶縁基体1 上に多層に形
成される。
【００２２】また前記絶縁膜5 の間に配される回路配線
膜6 はアルミニウム、銅、グロム、ニッケル等の金属材
料から成り、銅やクロム等の金属を絶縁膜5 上にスパッ
タリング法やイオンプレーティング法等により被着する
とともにこれをフォトリソグラフィー技術により所定パ
ターンに加工することによって形成される。
膜6 はアルミニウム、銅、グロム、ニッケル等の金属材
料から成り、銅やクロム等の金属を絶縁膜5 上にスパッ
タリング法やイオンプレーティング法等により被着する
とともにこれをフォトリソグラフィー技術により所定パ
ターンに加工することによって形成される。
【００２３】尚、前記多層配線4 の絶縁膜5 はポリイミ
ド樹脂等の高分子材料から成り、誘電率が3.5 と低いこ
とから絶縁膜5 の間に配される回路配線膜6 の信号の伝
播速度を極めて速いものとなすことができ、これによっ
ても信号の高速伝播が要求される半導体素子の搭載用配
線基板として好適に対応し得るものとなる。
ド樹脂等の高分子材料から成り、誘電率が3.5 と低いこ
とから絶縁膜5 の間に配される回路配線膜6 の信号の伝
播速度を極めて速いものとなすことができ、これによっ
ても信号の高速伝播が要求される半導体素子の搭載用配
線基板として好適に対応し得るものとなる。
【００２４】また一方、前記絶縁基体1 の下面でメタラ
イズ配線層3 の露出部を含む所定領域には図2 に示す如
く、接続パッド7 がメタライズ配線層3 と電気的接続を
もって被着されている。
イズ配線層3 の露出部を含む所定領域には図2 に示す如
く、接続パッド7 がメタライズ配線層3 と電気的接続を
もって被着されている。
【００２５】前記接続パッド7 はその外表面に外部リー
ド端子2 が金ー錫合金等のロウ材9を介してロウ付けさ
れ、これによって外部リード端子2 がメタライズ配線層
3 と電気的接続をもって絶縁基体1 に取着されることと
なる。
ド端子2 が金ー錫合金等のロウ材9を介してロウ付けさ
れ、これによって外部リード端子2 がメタライズ配線層
3 と電気的接続をもって絶縁基体1 に取着されることと
なる。
【００２６】前記接続パッド7 は例えば、ニッケルーク
ロム等の金属材料から成り、ニッケルークロム等の金属
を絶縁基体1 の下面に従来周知のスパッタリング法やイ
オンプレーティング法等により被着するとともにこれを
フォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工す
ることによって絶縁基体1 の下面でメタライズ配線層3
の露出部を含む所定領域に被着される。
ロム等の金属材料から成り、ニッケルークロム等の金属
を絶縁基体1 の下面に従来周知のスパッタリング法やイ
オンプレーティング法等により被着するとともにこれを
フォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工す
ることによって絶縁基体1 の下面でメタライズ配線層3
の露出部を含む所定領域に被着される。
【００２７】また前記接続パッド7 にロウ材9 を介して
ロウ付けされる外部リード端子2 はメタライズ配線層3
を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、コバー
ル金属や42アロイ等の金属材料で形成されている。
ロウ付けされる外部リード端子2 はメタライズ配線層3
を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、コバー
ル金属や42アロイ等の金属材料で形成されている。
【００２８】前記外部リード端子2 は例えば、コバール
金属等のインゴット( 塊) を圧延加工法や打ち抜き加工
法等、従来周知の金属加工法を採用することによって所
定の棒状に形成される。
金属等のインゴット( 塊) を圧延加工法や打ち抜き加工
法等、従来周知の金属加工法を採用することによって所
定の棒状に形成される。
【００２９】更に前記外部リード端子2 がロウ付けされ
る接続パッド7 はその外周部と絶縁基体1 との間にポリ
イミド樹脂等、ＪＩＳーＫー７１１３に規定のプラスチ
ックの引張り試験における伸びが５％以上である樹脂製
軟質材8 が介在されている。
る接続パッド7 はその外周部と絶縁基体1 との間にポリ
イミド樹脂等、ＪＩＳーＫー７１１３に規定のプラスチ
ックの引張り試験における伸びが５％以上である樹脂製
軟質材8 が介在されている。
【００３０】前記樹脂製軟質材8 は接続パッド7 の外周
部に作用する応力を吸収除去する作用を為し、ＪＩＳー
Ｋー７１１３に規定のプラスチックの引張り試験におけ
る伸びが５％以上の軟質なものであることから接続パッ
ド7 に外部リード端子2 をロウ材9 を介してロウ付けす
る際、ロウ材9 の引っ張り力が接続パッド7 の外周部に
作用しようとしてもその引っ張り力は樹脂製軟質材8 を
変形させることによって良好に吸収され、その結果、接
続パッド7 が外部リード端子2 とともに絶縁基体1 より
剥離したり、絶縁基体1 の一部が外部リード端子2 とと
もに剥離したりするのが皆無となって外部リード端子2
を絶縁基体1 に極めて強固に取着することが可能とな
る。
部に作用する応力を吸収除去する作用を為し、ＪＩＳー
Ｋー７１１３に規定のプラスチックの引張り試験におけ
る伸びが５％以上の軟質なものであることから接続パッ
ド7 に外部リード端子2 をロウ材9 を介してロウ付けす
る際、ロウ材9 の引っ張り力が接続パッド7 の外周部に
作用しようとしてもその引っ張り力は樹脂製軟質材8 を
変形させることによって良好に吸収され、その結果、接
続パッド7 が外部リード端子2 とともに絶縁基体1 より
剥離したり、絶縁基体1 の一部が外部リード端子2 とと
もに剥離したりするのが皆無となって外部リード端子2
を絶縁基体1 に極めて強固に取着することが可能とな
る。
【００３１】尚、前記樹脂製軟質材8 はポリイミド樹脂
から成る場合、絶縁基体１に接続パッド７を被着させる
前に絶縁基体1 の下面で絶縁パッド7 の外周部に相当す
る位置に例えば4,4 ージアミノジフェニルエーテル50モ
ル% 、ジアミノジフェニルスルホン50モル% 、3,3',4,
4' ービフェニルテトラカルボン酸二無水物から成るポ
リマ溶液を塗布するとともにこれを約400 ℃の温度に加
熱しポリマ溶液を熱架橋させることによって接続パッド
7 の外周部と絶縁基体1 との間に配される。
から成る場合、絶縁基体１に接続パッド７を被着させる
前に絶縁基体1 の下面で絶縁パッド7 の外周部に相当す
る位置に例えば4,4 ージアミノジフェニルエーテル50モ
ル% 、ジアミノジフェニルスルホン50モル% 、3,3',4,
4' ービフェニルテトラカルボン酸二無水物から成るポ
リマ溶液を塗布するとともにこれを約400 ℃の温度に加
熱しポリマ溶液を熱架橋させることによって接続パッド
7 の外周部と絶縁基体1 との間に配される。
【００３２】また前記樹脂製軟質材8 はポリイミド樹脂
に特定されるものではなく、ベンゾジクロブデンやテフ
ロン等の軟質な材料であれば何如なる材料も使用するこ
とができる。
に特定されるものではなく、ベンゾジクロブデンやテフ
ロン等の軟質な材料であれば何如なる材料も使用するこ
とができる。
【００３３】更に前記接続パッド7 の外周部に配した樹
脂製軟質材8 は接続パッド7 との接合幅Ｔが5.0 μm 未
満となると外部リード端子2 を接続パッド7 にロウ付け
する際、接続パッド7 の外周部に作用する応力を充分吸
収することができなくなって接続パッド7 が絶縁基体1
より剥離し易くなる。従って、前記樹脂製軟質材8 は接
続パッド7 との接合幅Ｔを5.0 μm 以上としておくこと
が好ましい。
脂製軟質材8 は接続パッド7 との接合幅Ｔが5.0 μm 未
満となると外部リード端子2 を接続パッド7 にロウ付け
する際、接続パッド7 の外周部に作用する応力を充分吸
収することができなくなって接続パッド7 が絶縁基体1
より剥離し易くなる。従って、前記樹脂製軟質材8 は接
続パッド7 との接合幅Ｔを5.0 μm 以上としておくこと
が好ましい。
【００３４】また更に前記樹脂製軟質材8 はその厚みＬ
が0.05μm 未満となると外部リード端子2 を接続パッド
7 にロウ付けする際、接続パッド7 の外周部に作用する
応力を充分吸収することができなくなって接続パッド7
が絶縁基体1 より剥離し易くなる傾向にあり、また20.0
μm を越えると絶縁基体1 に樹脂製軟質材8 を被着させ
る際の応力によって樹脂製軟質材8 が絶縁基体1 より剥
離し易くなる傾向にある。従って、前記樹脂製軟質材8
の厚みＬは0.05乃至20.0μm の範囲としておくことが好
ましい。
が0.05μm 未満となると外部リード端子2 を接続パッド
7 にロウ付けする際、接続パッド7 の外周部に作用する
応力を充分吸収することができなくなって接続パッド7
が絶縁基体1 より剥離し易くなる傾向にあり、また20.0
μm を越えると絶縁基体1 に樹脂製軟質材8 を被着させ
る際の応力によって樹脂製軟質材8 が絶縁基体1 より剥
離し易くなる傾向にある。従って、前記樹脂製軟質材8
の厚みＬは0.05乃至20.0μm の範囲としておくことが好
ましい。
【００３５】かくして本発明の配線基板によれば多層配
線4 の回路配線膜6 に半導体素子や抵抗器、コンデンサ
等の電子部品を接続させ、外部リード端子2 を外部電気
回路に接続させることによって混成集積回路装置等とな
る。
線4 の回路配線膜6 に半導体素子や抵抗器、コンデンサ
等の電子部品を接続させ、外部リード端子2 を外部電気
回路に接続させることによって混成集積回路装置等とな
る。
【００３６】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では接続パ
ッド7 の外周部と絶縁基体1 との間に配した樹脂製軟質
材8 の内径を外部リード端子2 の外径よりも大きくして
外部リード端子2 のロウ付け領域に樹脂製軟質材8 が存
在しないようにしたが、樹脂製軟質材8 の内径を外部リ
ード端子2 の外径より小さくし、外部リード端子2 がロ
ウ付けされる領域にまで樹脂製軟質材8 を延出存在させ
てもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では接続パ
ッド7 の外周部と絶縁基体1 との間に配した樹脂製軟質
材8 の内径を外部リード端子2 の外径よりも大きくして
外部リード端子2 のロウ付け領域に樹脂製軟質材8 が存
在しないようにしたが、樹脂製軟質材8 の内径を外部リ
ード端子2 の外径より小さくし、外部リード端子2 がロ
ウ付けされる領域にまで樹脂製軟質材8 を延出存在させ
てもよい。
【００３７】
【発明の効果】本発明の配線基板よれば、絶縁基体を誘
電率が低いムライト質焼結体もしくはガラスセラミック
ス焼結体で形成したことから該絶縁基体に形成されてい
るメタライズ配線層の信号伝播速度を高速となすことが
でき、その結果、信号の高速伝播を要求する半導体素子
の搭載が可能となる。
電率が低いムライト質焼結体もしくはガラスセラミック
ス焼結体で形成したことから該絶縁基体に形成されてい
るメタライズ配線層の信号伝播速度を高速となすことが
でき、その結果、信号の高速伝播を要求する半導体素子
の搭載が可能となる。
【００３８】また外部リード端子がロウ付けされる接続
パッドの外周部と絶縁基体との間に、ＪＩＳーＫー７１
１３に規定のプラスチックの引張り試験における伸びが
５％以上である樹脂製軟質材を介在させたことから接続
パッドに外部リード端子をロウ付けする際、ロウ材の引
っ張り力が接続パッドの外周部に作用しようとしてもそ
の引っ張り力は樹脂製軟質材を変形させることによって
良好に吸収され、その結果、接続パッドが外部リード端
子とともに絶縁基体より剥離したり、絶縁基体の一部が
外部リード端子とともに剥離したりするのを皆無として
外部リード端子を絶縁基体に強固に取着することが可能
となる。
パッドの外周部と絶縁基体との間に、ＪＩＳーＫー７１
１３に規定のプラスチックの引張り試験における伸びが
５％以上である樹脂製軟質材を介在させたことから接続
パッドに外部リード端子をロウ付けする際、ロウ材の引
っ張り力が接続パッドの外周部に作用しようとしてもそ
の引っ張り力は樹脂製軟質材を変形させることによって
良好に吸収され、その結果、接続パッドが外部リード端
子とともに絶縁基体より剥離したり、絶縁基体の一部が
外部リード端子とともに剥離したりするのを皆無として
外部リード端子を絶縁基体に強固に取着することが可能
となる。
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１の丸部拡大断面図である。
１・・・・絶縁基体 ２・・・・外部リード端子 ３・・・・メタライズ配線層 ７・・・・接続パッド ８・・・・樹脂製軟質材 ９・・・・ロウ材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/03 Ｂ 7011−4Ｅ 3/34 ５０１ Ａ 7128−4Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】ムライト質焼結体もしくはガラスセラミッ
クス焼結体から成る絶縁基体にメタライズ配線層及び該
メタライズ配線層に電気的に接続される接続パッドを設
けるとともに前記接続パッドに外部リード端子をロウ付
けして成る配線基板であって、前記接続パッドの外周部
と絶縁基体との間に、ＪＩＳーＫー７１１３に規定のプ
ラスチックの引張り試験における伸びが５％以上である
樹脂製軟質材を介在させたことを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5212863A JPH0766319A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5212863A JPH0766319A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766319A true JPH0766319A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16629546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5212863A Pending JPH0766319A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766319A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114334896A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-04-12 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体封装件的引线接合结构 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132291A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Nec Corp | セラミック多層配線基板 |
-
1993
- 1993-08-27 JP JP5212863A patent/JPH0766319A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132291A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Nec Corp | セラミック多層配線基板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114334896A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-04-12 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体封装件的引线接合结构 |
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