JPH0766677A - 表面弾性波フィルター - Google Patents
表面弾性波フィルターInfo
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- JPH0766677A JPH0766677A JP6183264A JP18326494A JPH0766677A JP H0766677 A JPH0766677 A JP H0766677A JP 6183264 A JP6183264 A JP 6183264A JP 18326494 A JP18326494 A JP 18326494A JP H0766677 A JPH0766677 A JP H0766677A
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- surface acoustic
- acoustic wave
- electronic device
- impedance element
- transducer
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
- H03H9/6493—Side lobe suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 少なくとも1つの表面弾性波トランスデュー
サを電気的に接続することによって、電子デバイスの通
過帯域における伝送損失を増大させることなしに、電子
デバイスの通過帯域外の信号を減衰させることを可能と
する周波数依存性のある信号伝達特性を有する電子デバ
イスを提供する。 【構成】 表面弾性波トランスデューサは、その周波数
依存性を有する電気特性のために表面弾性波インピーダ
ンス素子として動作する。この特性を用いて、電子デバ
イスの信号伝達特性の相対的に低信号伝達領域において
は表面弾性波インピーダンス素子の伝送損失が大きくな
り、また電子デバイスの信号伝達特性の相対的に高信号
伝達領域においては表面弾性波インピーダンス素子の伝
送損失が小さくなるようになす。
サを電気的に接続することによって、電子デバイスの通
過帯域における伝送損失を増大させることなしに、電子
デバイスの通過帯域外の信号を減衰させることを可能と
する周波数依存性のある信号伝達特性を有する電子デバ
イスを提供する。 【構成】 表面弾性波トランスデューサは、その周波数
依存性を有する電気特性のために表面弾性波インピーダ
ンス素子として動作する。この特性を用いて、電子デバ
イスの信号伝達特性の相対的に低信号伝達領域において
は表面弾性波インピーダンス素子の伝送損失が大きくな
り、また電子デバイスの信号伝達特性の相対的に高信号
伝達領域においては表面弾性波インピーダンス素子の伝
送損失が小さくなるようになす。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、周波数依存性のある
信号伝達特性を有する電子デバイスに関するものであ
り、特に、少なくとも1つの表面弾性波トランスデュー
サと電気的に結合された電子デバイスに関する。
信号伝達特性を有する電子デバイスに関するものであ
り、特に、少なくとも1つの表面弾性波トランスデュー
サと電気的に結合された電子デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】表面弾性
波技術は、エレクトロニクスおよび高周波技術において
ますます用いられるようになってきている。表面弾性波
の波長が、典型的に電磁波の波長と比較して105 倍も
短いという事実のために、小型が重要、あるいは望まし
い応用分野において、表面弾性波技術が用いられてい
る。そのような応用の1つは、無線電話における表面弾
性波フィルターの使用である。この応用においては、表
面弾性波フィルターが通常小型で軽量であるということ
が、セラミックフィルター、誘導体フィルター、あるい
は静磁気の原理に基づいたフィルターなどの従来技術に
よるものと比較して、非常に大きな利点となっている。
このような応用に用いるフィルターは、挿入損失が典型
的には1から3dB程度と小さいことが必要である。従
来の低損失表面弾性波フィルターの典型的な例は横波表
面弾性波フィルターであり、このフィルターでは、互い
に隔てて配置された2つのインターディジタルトランス
デューサ(IDT)の間でエネルギーが転送される。そ
れぞれのIDTは、圧電静基板の表面に形成された2組
の電極フィンガーからなっている。典型的には、それぞ
れの組のフィンガー同志は全て互いに電気的に共通に接
続され、これらのフィンガーがもう一方の組の電極フィ
ンガーと互い違いに配置される(インターディジト構
造)。横波表面弾性波フィルターでは、入力IDTの静
電界パターンを圧電効果を用いて表面弾性波と結合させ
ることによって、電磁気的あエネルギーが表面弾性波エ
ネルギーに変換される。
波技術は、エレクトロニクスおよび高周波技術において
ますます用いられるようになってきている。表面弾性波
の波長が、典型的に電磁波の波長と比較して105 倍も
短いという事実のために、小型が重要、あるいは望まし
い応用分野において、表面弾性波技術が用いられてい
る。そのような応用の1つは、無線電話における表面弾
性波フィルターの使用である。この応用においては、表
面弾性波フィルターが通常小型で軽量であるということ
が、セラミックフィルター、誘導体フィルター、あるい
は静磁気の原理に基づいたフィルターなどの従来技術に
よるものと比較して、非常に大きな利点となっている。
このような応用に用いるフィルターは、挿入損失が典型
的には1から3dB程度と小さいことが必要である。従
来の低損失表面弾性波フィルターの典型的な例は横波表
面弾性波フィルターであり、このフィルターでは、互い
に隔てて配置された2つのインターディジタルトランス
デューサ(IDT)の間でエネルギーが転送される。そ
れぞれのIDTは、圧電静基板の表面に形成された2組
の電極フィンガーからなっている。典型的には、それぞ
れの組のフィンガー同志は全て互いに電気的に共通に接
続され、これらのフィンガーがもう一方の組の電極フィ
ンガーと互い違いに配置される(インターディジト構
造)。横波表面弾性波フィルターでは、入力IDTの静
電界パターンを圧電効果を用いて表面弾性波と結合させ
ることによって、電磁気的あエネルギーが表面弾性波エ
ネルギーに変換される。
【0003】低損失表面弾性波フィルターおよび従来技
術を用いたフィルターのいずれの場合においても、許容
できないほど大きなサイドローブがフィルターの阻止帯
域内に存在するということが問題となっている。従来、
この問題は、等しいフィルターあるいはわずかに周波数
伝達特性の異なるフィルターをカスケード接続すること
によって対処されてきた。しかし、このような方法は、
通常は、複雑なフィルター設計を必要とし、また、余分
な部品を収容するための空間を必要とし、あるいは、フ
ィルターをカスケード接続させるための余分なトラック
を必要とし、そのため、小型化ができない。またさらに
は、特性を改善しようとしている単一フィルターと比較
して、複合フィルターの通過帯域内の挿入損失が増大し
てしまう。特に表面弾性波フィルターおよび横波表面弾
性波フィルターのもう一つの問題は、大きな入力電力を
加えると、大振幅の表面弾性波によって機械的振動が引
き起こされ、このためにIDT電極フィンガーが劣化
し、そのためにフィルターの性能が低下してしまい、そ
のために、加えることが可能な入力電力に限界があるこ
とである。さらに、従来のフィルターの問題は、通常1
0dB以上もの比較的大きな損失が横波型表面弾性波フ
ィルターでは発生することである。同様な問題は、表面
弾性波共振器型のフィルターにおいても生じる。
術を用いたフィルターのいずれの場合においても、許容
できないほど大きなサイドローブがフィルターの阻止帯
域内に存在するということが問題となっている。従来、
この問題は、等しいフィルターあるいはわずかに周波数
伝達特性の異なるフィルターをカスケード接続すること
によって対処されてきた。しかし、このような方法は、
通常は、複雑なフィルター設計を必要とし、また、余分
な部品を収容するための空間を必要とし、あるいは、フ
ィルターをカスケード接続させるための余分なトラック
を必要とし、そのため、小型化ができない。またさらに
は、特性を改善しようとしている単一フィルターと比較
して、複合フィルターの通過帯域内の挿入損失が増大し
てしまう。特に表面弾性波フィルターおよび横波表面弾
性波フィルターのもう一つの問題は、大きな入力電力を
加えると、大振幅の表面弾性波によって機械的振動が引
き起こされ、このためにIDT電極フィンガーが劣化
し、そのためにフィルターの性能が低下してしまい、そ
のために、加えることが可能な入力電力に限界があるこ
とである。さらに、従来のフィルターの問題は、通常1
0dB以上もの比較的大きな損失が横波型表面弾性波フ
ィルターでは発生することである。同様な問題は、表面
弾性波共振器型のフィルターにおいても生じる。
【0004】表面弾性波素子は、電気的なインピーダン
ス素子として概念的にモデル化が可能であり、また実際
にそのような使用ができる。表面弾性波共振器をインピ
ーダンス素子としてモデル化して使用することが可能で
ある理由は、表面弾性波共振器などの表面弾性波素子が
電気的なインピーダンスを有しており、このインピーダ
ンスが部分的に表面弾性波共振器の電極フィンガーが表
面弾性波の機械的振動との間で起こす電気音響相互作用
に依存しているからである。表面弾性波素子は、その中
心周波数(すなわち、その周波数において、隣接フィン
ガー間の間隔がλ/2となるような周波数)の近傍にお
いて、最大電気アドミタンスと最小電気アドミタンスと
を有している。これらは、それぞれ、表面弾性波素子の
電気的な共振および反共振である。電気的なインピーダ
ンスを大きく変化させる必要がある場合には、この電気
音響相互作用が大きいことが必要である。そこで、多数
の電極フィンガーの対を備えた表面弾性波素子が用いら
れている。表面弾性波素子の両端に反射器を設けて、共
振器型構造を構成すると、エネルギー損失を小さくする
ことができる。あるいは、表面弾性波素子に非常に多数
の電極だけを設けて表面弾性波共振器型構造と同様の電
気的特性を備えるようにして用いられている。既知のフ
ィルターに用いられる表面弾性波共振器は、主に集中イ
ンピーダンスとして用いられる。従って、これを表面弾
性波インピーダンス素子と便宜上呼ぶことにする。以
後、ここでは、表面弾性波インピーダンス素子という用
語は、特にその電気的なインピーダンスが有する性質を
利用するようなすべての表面弾性波素子(IDT、表面
弾性波共振器など)を指すのに用いる。
ス素子として概念的にモデル化が可能であり、また実際
にそのような使用ができる。表面弾性波共振器をインピ
ーダンス素子としてモデル化して使用することが可能で
ある理由は、表面弾性波共振器などの表面弾性波素子が
電気的なインピーダンスを有しており、このインピーダ
ンスが部分的に表面弾性波共振器の電極フィンガーが表
面弾性波の機械的振動との間で起こす電気音響相互作用
に依存しているからである。表面弾性波素子は、その中
心周波数(すなわち、その周波数において、隣接フィン
ガー間の間隔がλ/2となるような周波数)の近傍にお
いて、最大電気アドミタンスと最小電気アドミタンスと
を有している。これらは、それぞれ、表面弾性波素子の
電気的な共振および反共振である。電気的なインピーダ
ンスを大きく変化させる必要がある場合には、この電気
音響相互作用が大きいことが必要である。そこで、多数
の電極フィンガーの対を備えた表面弾性波素子が用いら
れている。表面弾性波素子の両端に反射器を設けて、共
振器型構造を構成すると、エネルギー損失を小さくする
ことができる。あるいは、表面弾性波素子に非常に多数
の電極だけを設けて表面弾性波共振器型構造と同様の電
気的特性を備えるようにして用いられている。既知のフ
ィルターに用いられる表面弾性波共振器は、主に集中イ
ンピーダンスとして用いられる。従って、これを表面弾
性波インピーダンス素子と便宜上呼ぶことにする。以
後、ここでは、表面弾性波インピーダンス素子という用
語は、特にその電気的なインピーダンスが有する性質を
利用するようなすべての表面弾性波素子(IDT、表面
弾性波共振器など)を指すのに用いる。
【0005】個々の表面弾性波共振器は、直列に接続さ
れた集中インピーダンス素子と、表面弾性波共振器の2
つのポートの間に並列に接続された通常のキャパシタ
(静電容量CST) とによってモデル化することができ
る。この静電容量は、特に、表面弾性波共振器の電極と
電極との間の容量、表面弾性波共振器の電極と基板の接
地平面との間の容量によるものであり、また、複数の共
振器が基板上に配置されている場合には、共振器と共振
器との間の結合パターンと接地平面との間の容量がこれ
に加わる。
れた集中インピーダンス素子と、表面弾性波共振器の2
つのポートの間に並列に接続された通常のキャパシタ
(静電容量CST) とによってモデル化することができ
る。この静電容量は、特に、表面弾性波共振器の電極と
電極との間の容量、表面弾性波共振器の電極と基板の接
地平面との間の容量によるものであり、また、複数の共
振器が基板上に配置されている場合には、共振器と共振
器との間の結合パターンと接地平面との間の容量がこれ
に加わる。
【0006】
【問題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明の第1の態様による電子デバイスは、少なく
とも1つの表面弾性波素子に電気的に結合された、周波
数依存性をもった信号伝達特性を有する電子デバイスで
あって、表面弾性波インピーダンス素子の伝達損失が、
信号伝達特性の相対的に低い信号伝達領域において高
く、信号伝達特性の相対的に高い信号伝達領域において
は低いことを特徴とするものである。このような電子デ
バイスが有する利点は、デバイスの相対的に高い信号伝
達特性領域(通過領域)においては、挿入損失が実質的
に一定であり、一方、相対的に低い信号伝達特性領域内
の周波数においては、挿入損失が非常に増大するという
ことである。従って、デバイスの通過帯域の特性に悪影
響を与えることなしに、通過帯域外の周波数において
(すなわち、阻止帯域において)信号を減衰させること
が可能である。さらに、表面弾性波インピーダンス素子
は小型で軽量である。また、表面弾性波素子は、電子デ
バイスと音響的な干渉を起こすことがないように簡単に
配置することができ、またインピーダンス素子と他の素
子との間での精密な位置合わせの必要がないので、安価
に製造することが可能である。また、デバイスの設計が
簡略化され、さらには、2つあるいはそれ以上のカスケ
ード接続された電子デバイスの代わりにインピーダンス
素子を用いれば、コストを低減することができる。
め、本発明の第1の態様による電子デバイスは、少なく
とも1つの表面弾性波素子に電気的に結合された、周波
数依存性をもった信号伝達特性を有する電子デバイスで
あって、表面弾性波インピーダンス素子の伝達損失が、
信号伝達特性の相対的に低い信号伝達領域において高
く、信号伝達特性の相対的に高い信号伝達領域において
は低いことを特徴とするものである。このような電子デ
バイスが有する利点は、デバイスの相対的に高い信号伝
達特性領域(通過領域)においては、挿入損失が実質的
に一定であり、一方、相対的に低い信号伝達特性領域内
の周波数においては、挿入損失が非常に増大するという
ことである。従って、デバイスの通過帯域の特性に悪影
響を与えることなしに、通過帯域外の周波数において
(すなわち、阻止帯域において)信号を減衰させること
が可能である。さらに、表面弾性波インピーダンス素子
は小型で軽量である。また、表面弾性波素子は、電子デ
バイスと音響的な干渉を起こすことがないように簡単に
配置することができ、またインピーダンス素子と他の素
子との間での精密な位置合わせの必要がないので、安価
に製造することが可能である。また、デバイスの設計が
簡略化され、さらには、2つあるいはそれ以上のカスケ
ード接続された電子デバイスの代わりにインピーダンス
素子を用いれば、コストを低減することができる。
【0007】本発明の好適な実施例においては、少なく
とも1つの表面弾性波インピーダンス素子が電子デバイ
スに対して直列および/あるいは並列に接続される。好
適には、電子デバイスは表面弾性波デバイスである。電
子デバイスとして表面弾性波デバイスを用いることの利
点は、表面弾性波インピーダンス素子が有する大きさお
よび重量の優位性が電子デバイス自身においても得られ
るという点である。さらに、同一の製造工程(すなわち
リソグラフィ工程)を用いて表面弾性波インピーダンス
素子と表面弾性波デバイスの両方を作成することがで
き、このことによって製造工程の簡略化がもたらされ
る。好適には、表面弾性波インピーダンス素子は表面弾
性波デバイスと一体に形成される。このような実施例
は、表面弾性波トランスデューサおよび表面弾性波デバ
イスの両方を同一に基板上に作成することができるとい
う利点を有する。これによって、表面弾性波インピーダ
ンス素子および表面弾性波デバイスを単一のリソグラフ
ィ工程を用いて形成することが可能となり、製造工程が
非常に簡略化される。さらに、表面弾性波インピーダン
ス素子は表面弾性波デバイス基板の未使用部分に配置す
るようにもできる。例えば、入力バスあるいは出力バス
間に配置したり、あるいは直列接続されたトラックのど
れか1つの代わりに配置するようにできる。表面弾性波
インピーダンス素子を表面弾性波デバイスと一体に作成
するようにすると、配線が同一基板上で行うことが可能
なために、明らかに表面弾性波インピーダンス素子を表
面弾性波デバイス回路とを別個に設けるのと比較して、
複合回路が簡略化されるし、また複合回路の大きさと重
量も低減される。表面弾性波インピーダンス素子は表面
弾性波デバイスと音響的な相互作用を及ぼさない。従っ
て、インピーダンス素子を、他の表面弾性波デバイスの
音響能動回路の影響を受けることなしに配置することが
できる。例えば、隣接音響チャネル内に、あるいは直交
音響チャネル内に配置することが可能である。表面弾性
波インピーダンス素子の作成において音響的相互作用を
考慮する必要がないということは、表面弾性波インピー
ダンス素子を簡略化することが可能であることを意味す
るものであり、このことが特に高周波においてさらに信
頼性に優れた簡易な製造技術となすものである。
とも1つの表面弾性波インピーダンス素子が電子デバイ
スに対して直列および/あるいは並列に接続される。好
適には、電子デバイスは表面弾性波デバイスである。電
子デバイスとして表面弾性波デバイスを用いることの利
点は、表面弾性波インピーダンス素子が有する大きさお
よび重量の優位性が電子デバイス自身においても得られ
るという点である。さらに、同一の製造工程(すなわち
リソグラフィ工程)を用いて表面弾性波インピーダンス
素子と表面弾性波デバイスの両方を作成することがで
き、このことによって製造工程の簡略化がもたらされ
る。好適には、表面弾性波インピーダンス素子は表面弾
性波デバイスと一体に形成される。このような実施例
は、表面弾性波トランスデューサおよび表面弾性波デバ
イスの両方を同一に基板上に作成することができるとい
う利点を有する。これによって、表面弾性波インピーダ
ンス素子および表面弾性波デバイスを単一のリソグラフ
ィ工程を用いて形成することが可能となり、製造工程が
非常に簡略化される。さらに、表面弾性波インピーダン
ス素子は表面弾性波デバイス基板の未使用部分に配置す
るようにもできる。例えば、入力バスあるいは出力バス
間に配置したり、あるいは直列接続されたトラックのど
れか1つの代わりに配置するようにできる。表面弾性波
インピーダンス素子を表面弾性波デバイスと一体に作成
するようにすると、配線が同一基板上で行うことが可能
なために、明らかに表面弾性波インピーダンス素子を表
面弾性波デバイス回路とを別個に設けるのと比較して、
複合回路が簡略化されるし、また複合回路の大きさと重
量も低減される。表面弾性波インピーダンス素子は表面
弾性波デバイスと音響的な相互作用を及ぼさない。従っ
て、インピーダンス素子を、他の表面弾性波デバイスの
音響能動回路の影響を受けることなしに配置することが
できる。例えば、隣接音響チャネル内に、あるいは直交
音響チャネル内に配置することが可能である。表面弾性
波インピーダンス素子の作成において音響的相互作用を
考慮する必要がないということは、表面弾性波インピー
ダンス素子を簡略化することが可能であることを意味す
るものであり、このことが特に高周波においてさらに信
頼性に優れた簡易な製造技術となすものである。
【0008】典型的には、高インピーダンスを有する表
面弾性波インピーダンス素子を直列に接続してサイドロ
ーブの中心周波数に配置して高い周波数のサイドローブ
レベルを低減するようにし、低インピーダンスを有する
インピーダンス素子を並列に接続してサイドローブの中
心周波数に配置して低い周波数のサイドローブレベルを
低減するようにすることによってフィルター特性を改善
するようにする。あるいは、それぞれの直列および並列
の接続されたインピーダンス素子をフィルターのカット
オフ領域内に配置して、ロールオフを鋭くし、またフィ
ルターの形状係数を改善するようにすることもできる。
このような構成は、それぞれ逆方向に偏位した非対称な
周波数伝達特性を有する直列および並列接続表面弾性波
インピーダンス素子を用いて、電子デバイスの通過帯域
外の片側あるいは両側の特定の周波数を通過帯域特性に
対して悪影響を与えることなしに減衰させることが可能
であるという利点を有する。表面弾性波インピーダンス
素子に起因する挿入損失を無くすためには、直列接続表
面弾性波インピーダンス素子は実質的に以下の関係を満
たしていることが必要である。
面弾性波インピーダンス素子を直列に接続してサイドロ
ーブの中心周波数に配置して高い周波数のサイドローブ
レベルを低減するようにし、低インピーダンスを有する
インピーダンス素子を並列に接続してサイドローブの中
心周波数に配置して低い周波数のサイドローブレベルを
低減するようにすることによってフィルター特性を改善
するようにする。あるいは、それぞれの直列および並列
の接続されたインピーダンス素子をフィルターのカット
オフ領域内に配置して、ロールオフを鋭くし、またフィ
ルターの形状係数を改善するようにすることもできる。
このような構成は、それぞれ逆方向に偏位した非対称な
周波数伝達特性を有する直列および並列接続表面弾性波
インピーダンス素子を用いて、電子デバイスの通過帯域
外の片側あるいは両側の特定の周波数を通過帯域特性に
対して悪影響を与えることなしに減衰させることが可能
であるという利点を有する。表面弾性波インピーダンス
素子に起因する挿入損失を無くすためには、直列接続表
面弾性波インピーダンス素子は実質的に以下の関係を満
たしていることが必要である。
【0009】 γ(in/out)≧ (1/ω0)ΣI i=1 (Ni Wi C )-1 また、並列接続表面弾性波インピーダンス素子は次の関
係を満たすことが必要である。 γ(in/out)≦ (1/ω0)ΣK k=1 (Nk Wk C )-1 さらに、フィンガー対の数Nは、実質的にN ≧ (△
V/V)-1を満たすことが必要である。なお、γin、γ
out はそれぞれ電子デバイスの入力負荷および出力負荷
であり、Wはトランスデューサの開口、Cは隣接フィン
ガー電極間の規格化キャパシタンス、ω0 は電子デバイ
スの中心周波数、△V/Vは電気機械結合係数である。
上記方程式は、入力負荷あるいは出力負荷に対して最も
近い位置に電気的に結合されたインピーダンス素子に対
して当てはまるものである。表面弾性波インピーダンス
素子はインタディジットトランスデューサ(IDT)、
あるいは反射器または表面弾性波共振器と組み合わせた
インタディジットトランスデューサによって構成するこ
とができる。この場合の利点は、このような表面弾性波
素子がよく知られているものである。従ってその特性も
よく知られていて、容易に作成が可能であることであ
る。従って、このような表面弾性波素子を本発明に容易
に適用することが可能であることは当業者には明らかな
ことであろう。
係を満たすことが必要である。 γ(in/out)≦ (1/ω0)ΣK k=1 (Nk Wk C )-1 さらに、フィンガー対の数Nは、実質的にN ≧ (△
V/V)-1を満たすことが必要である。なお、γin、γ
out はそれぞれ電子デバイスの入力負荷および出力負荷
であり、Wはトランスデューサの開口、Cは隣接フィン
ガー電極間の規格化キャパシタンス、ω0 は電子デバイ
スの中心周波数、△V/Vは電気機械結合係数である。
上記方程式は、入力負荷あるいは出力負荷に対して最も
近い位置に電気的に結合されたインピーダンス素子に対
して当てはまるものである。表面弾性波インピーダンス
素子はインタディジットトランスデューサ(IDT)、
あるいは反射器または表面弾性波共振器と組み合わせた
インタディジットトランスデューサによって構成するこ
とができる。この場合の利点は、このような表面弾性波
素子がよく知られているものである。従ってその特性も
よく知られていて、容易に作成が可能であることであ
る。従って、このような表面弾性波素子を本発明に容易
に適用することが可能であることは当業者には明らかな
ことであろう。
【0010】明確さと完全さとを期すため、ここに、用
語「表面弾性波」が表面スキミングバルク波(SSB
W)、漏洩波、および表面横波(STW)などの通常の
他の類似な表面弾性波をも含むものであることを述べて
おこう。この明細書全体にわたって、「表面弾性波」と
いう用語はこのような類似の波も含むものである。
語「表面弾性波」が表面スキミングバルク波(SSB
W)、漏洩波、および表面横波(STW)などの通常の
他の類似な表面弾性波をも含むものであることを述べて
おこう。この明細書全体にわたって、「表面弾性波」と
いう用語はこのような類似の波も含むものである。
【0011】
【実施例】添付の図面を参照しながら本発明について、
具体的な実施例を以下に例示的に示す。図1は、インピ
ーダンス素子として用いるのに適した、インターディジ
ットトランスデューサ(IDT)として知られる典型的
な表面弾性波トランスデューサ1の概略レイアウト図で
ある。それぞれの隣接するフィンガー2aおよび2bに
よってフィンガー対が構成されており、一般にこれらの
隣接するフィンガーは、音響波長(λac) の1/2ずつ
互いに離れて配置されている。電極フィンガー2a、2
bは、バスバー3に結合されており、バスバー3は表面
弾性波トランスデューサの入力に接続されている。フィ
ンガーどうしの重なり(W)によってトランスデューサ
の開口が定まる。また、Nはフィンガー対の数である。
このような表面弾性波トランスデューサの等価回路は図
2に示したようなものとなる。静電容量CSTは隣接フィ
ンガー2a、2b間の容量によるものである。また、L
−C直列回路によって、中心周波数ω0 の近傍における
トランスデューサ1の電気的な振る舞いが表される。こ
の発明の発明者は、反射器を両端に配置した表面弾性波
トランスデューサを用いると最も良好な結果がえられる
ことを見いだした。
具体的な実施例を以下に例示的に示す。図1は、インピ
ーダンス素子として用いるのに適した、インターディジ
ットトランスデューサ(IDT)として知られる典型的
な表面弾性波トランスデューサ1の概略レイアウト図で
ある。それぞれの隣接するフィンガー2aおよび2bに
よってフィンガー対が構成されており、一般にこれらの
隣接するフィンガーは、音響波長(λac) の1/2ずつ
互いに離れて配置されている。電極フィンガー2a、2
bは、バスバー3に結合されており、バスバー3は表面
弾性波トランスデューサの入力に接続されている。フィ
ンガーどうしの重なり(W)によってトランスデューサ
の開口が定まる。また、Nはフィンガー対の数である。
このような表面弾性波トランスデューサの等価回路は図
2に示したようなものとなる。静電容量CSTは隣接フィ
ンガー2a、2b間の容量によるものである。また、L
−C直列回路によって、中心周波数ω0 の近傍における
トランスデューサ1の電気的な振る舞いが表される。こ
の発明の発明者は、反射器を両端に配置した表面弾性波
トランスデューサを用いると最も良好な結果がえられる
ことを見いだした。
【0012】電極数Nが大きな表面弾性波トランスデュ
ーサの特徴は、共振周波数において低インピーダンスを
示し、また反共振周波数において高インピーダンスを示
すことである。従って、このような表面弾性波トランス
デューサは、インピーダンス素子による共振回路と見な
すことができ、従ってインピーダンス素子と呼ぶことに
する。本発明においては、各インピーダンス素子トラン
スデューサの電極の数NはN ≧ (△V/V)-1を満
たすように選ばれる。ここで、(△V/V)は短絡表面
弾性波速度と開放表面弾性波速度との差の比であり、電
気機械結合パラメータKと方程式K2 ≒2・(△V/
V)で表される関係を有している。このNの値は、共振
点においてはインピーダンス素子が低インピーダンスを
有し、反共振点において高インピーダンスを有するよう
に選択される。Nの最大値は、表面弾性波インピーダン
ス素子をその上に支持形成するのに用いる基板の大きさ
によって制限される。また、いわゆる横長構造における
音響ビームの回折、表面弾性波の減衰、電極の抵抗など
の2次効果をどの程度少なくする必要があるかによって
も制約される。トランスデューサの両端に反射器を設け
ると、より少ない数の電極で、同じ共振器型周波数特性
をインピーダンス素子に持たせることが可能である。反
射器は、例えばトランスデューサの電極と同じ幅と周期
を有する短絡電極をトランスデューサの両端に非対称に
配置することで実現できる。
ーサの特徴は、共振周波数において低インピーダンスを
示し、また反共振周波数において高インピーダンスを示
すことである。従って、このような表面弾性波トランス
デューサは、インピーダンス素子による共振回路と見な
すことができ、従ってインピーダンス素子と呼ぶことに
する。本発明においては、各インピーダンス素子トラン
スデューサの電極の数NはN ≧ (△V/V)-1を満
たすように選ばれる。ここで、(△V/V)は短絡表面
弾性波速度と開放表面弾性波速度との差の比であり、電
気機械結合パラメータKと方程式K2 ≒2・(△V/
V)で表される関係を有している。このNの値は、共振
点においてはインピーダンス素子が低インピーダンスを
有し、反共振点において高インピーダンスを有するよう
に選択される。Nの最大値は、表面弾性波インピーダン
ス素子をその上に支持形成するのに用いる基板の大きさ
によって制限される。また、いわゆる横長構造における
音響ビームの回折、表面弾性波の減衰、電極の抵抗など
の2次効果をどの程度少なくする必要があるかによって
も制約される。トランスデューサの両端に反射器を設け
ると、より少ない数の電極で、同じ共振器型周波数特性
をインピーダンス素子に持たせることが可能である。反
射器は、例えばトランスデューサの電極と同じ幅と周期
を有する短絡電極をトランスデューサの両端に非対称に
配置することで実現できる。
【0013】インピーダンス素子の信号伝達特性は、回
路に対して直列に接続されているのか、あるいは並列に
接続されているのかによって異なったものとなる。およ
そ200の電極フィンガー対を有し、開口が60μm と
なるようにし、16.68μmの波長の表面弾性波に対し
て最適化されたインピーダンス素子の評価用構造を12
8−LiNbO3 基板の上に作成し、これを整合発振器
(R)および負荷(R)を用いて駆動した場合の信号伝
達特性が、並列接続(破線)および直列接続(実線)の
両方について図3に示されている。図3から、明らか
に、信号伝達特性は直列インピーダンス素子の場合も並
列インピーダンス素子の場合のいずれも非対称となって
おり、しかも、直列の場合と並列の場合とで非対称の形
が互いに逆となる。このように非対称性を有し、しかも
直列インピーダンス素子と並列インピーダンス素子とで
は非対称性が逆となる性質を、本発明においては非常に
有効に利用する。インピーダンス素子の共振周波数ある
いは中心周波数は、電極フィンガー2a、2bの周期に
よって定まる。共振周波数が与えられたとき、電極フィ
ンガーの周期はpk =V/fk となる。ただし、Vは表
面弾性波の速度、fk は表面弾性波インピーダンス素子
の共振周波数である。与えられた反共振周波数に対して
は、電極フィンガー2a、2bの周期は pi = V/{fi ・(1−C・△V/V)} で与えられる。ここでCは定数(単一非スプリット電極
の場合でおよそ0.914)であり、fi は反共振周波数
である。共振周波数の場合の分母に単に係数(1−C・
△V/V)をつけると反共振の場合の式となり、反共振
周波数は共振周波数からわずかにずれた値となる。
路に対して直列に接続されているのか、あるいは並列に
接続されているのかによって異なったものとなる。およ
そ200の電極フィンガー対を有し、開口が60μm と
なるようにし、16.68μmの波長の表面弾性波に対し
て最適化されたインピーダンス素子の評価用構造を12
8−LiNbO3 基板の上に作成し、これを整合発振器
(R)および負荷(R)を用いて駆動した場合の信号伝
達特性が、並列接続(破線)および直列接続(実線)の
両方について図3に示されている。図3から、明らか
に、信号伝達特性は直列インピーダンス素子の場合も並
列インピーダンス素子の場合のいずれも非対称となって
おり、しかも、直列の場合と並列の場合とで非対称の形
が互いに逆となる。このように非対称性を有し、しかも
直列インピーダンス素子と並列インピーダンス素子とで
は非対称性が逆となる性質を、本発明においては非常に
有効に利用する。インピーダンス素子の共振周波数ある
いは中心周波数は、電極フィンガー2a、2bの周期に
よって定まる。共振周波数が与えられたとき、電極フィ
ンガーの周期はpk =V/fk となる。ただし、Vは表
面弾性波の速度、fk は表面弾性波インピーダンス素子
の共振周波数である。与えられた反共振周波数に対して
は、電極フィンガー2a、2bの周期は pi = V/{fi ・(1−C・△V/V)} で与えられる。ここでCは定数(単一非スプリット電極
の場合でおよそ0.914)であり、fi は反共振周波数
である。共振周波数の場合の分母に単に係数(1−C・
△V/V)をつけると反共振の場合の式となり、反共振
周波数は共振周波数からわずかにずれた値となる。
【0014】先に述べたように、フィルターの信号伝達
特性に大きなサイドローブレベルが見られるのが一般に
問題となっている。適切に設計された直列および並列接
続インピーダンス素子の非対称性を用いると、サイドロ
ーブを抑圧することが可能である。中心周波数f0 から
±△fの位置にサイドローブを有する帯域通過フィルタ
ーが与えられたとき、 pi = V/{(f0 +△f)(1−C・△V/V)} の周期を有する直列接続インピーダンス素子を用いる
と、通過帯域内の損失を著しく増大させることなしに+
△fのサイドローブを抑圧することができる。また、 pk = V/(f0 −△f) の周期を有する並列接続インピーダンス素子を用いる
と、通過帯域内の損失を著しく増大させることなしに−
△fのサイドローブを抑圧することが可能である。フィ
ルター特性がどのように改善されるかの例を図4に示
す。図4において、破線は、移動電話の応用に用いられ
る典型的なフィルターの挿入損失を示している。実線
は、移動電話フィルターに対してそれぞれ直列および並
列に2つのインピーダンス素子を接続した場合の挿入損
失を示している。直列接続インピーダンス素子は、10
0対のフィンガーを有し、開口がW=15λとなるよう
に設計されている。また、並列接続インピーダンス素子
は、50対のフィンガーを有しW=3.5λに設計されて
いる。ただし、λはおよそ6.5μm である。通過帯域中
心周波数はおよそ632MHzであり、また直列接続イ
ンピーダンス素子の周波数はおよそ638MHzで、6
63MHz付近に反共振周波数を有している。並列接続
インピーダンス素子の中心周波数はおよそ592MHz
である。図3から、明らかに、事実上帯域フィルターの
挿入損失を全く増大させることなしに、サイドローブが
抑圧されていることがわかる。
特性に大きなサイドローブレベルが見られるのが一般に
問題となっている。適切に設計された直列および並列接
続インピーダンス素子の非対称性を用いると、サイドロ
ーブを抑圧することが可能である。中心周波数f0 から
±△fの位置にサイドローブを有する帯域通過フィルタ
ーが与えられたとき、 pi = V/{(f0 +△f)(1−C・△V/V)} の周期を有する直列接続インピーダンス素子を用いる
と、通過帯域内の損失を著しく増大させることなしに+
△fのサイドローブを抑圧することができる。また、 pk = V/(f0 −△f) の周期を有する並列接続インピーダンス素子を用いる
と、通過帯域内の損失を著しく増大させることなしに−
△fのサイドローブを抑圧することが可能である。フィ
ルター特性がどのように改善されるかの例を図4に示
す。図4において、破線は、移動電話の応用に用いられ
る典型的なフィルターの挿入損失を示している。実線
は、移動電話フィルターに対してそれぞれ直列および並
列に2つのインピーダンス素子を接続した場合の挿入損
失を示している。直列接続インピーダンス素子は、10
0対のフィンガーを有し、開口がW=15λとなるよう
に設計されている。また、並列接続インピーダンス素子
は、50対のフィンガーを有しW=3.5λに設計されて
いる。ただし、λはおよそ6.5μm である。通過帯域中
心周波数はおよそ632MHzであり、また直列接続イ
ンピーダンス素子の周波数はおよそ638MHzで、6
63MHz付近に反共振周波数を有している。並列接続
インピーダンス素子の中心周波数はおよそ592MHz
である。図3から、明らかに、事実上帯域フィルターの
挿入損失を全く増大させることなしに、サイドローブが
抑圧されていることがわかる。
【0015】直列−並列接続インピーダンス素子を備え
た表面弾性波帯域通過フィルターの典型的なレイアウト
を図5に示す。IDTinおよびIDTout は、それぞれ
2ポート表面弾性波フィルターの入力トランスデューサ
および出力トランスデューサである。直列−並列接続イ
ンピーダンス素子IDT1 IDT2 を表面弾性波フィル
ターの出力に接続するようにすることもできるし、ある
いは1つを入力に他方を出力に接続するようにしてもよ
い。1対のサイドローブだけでなく、さらに多くのサイ
ドローブを抑圧する必要がある場合には、カスケード接
続された直列−並列接続インピーダンス素子を表面弾性
波フィルターの入力および/あるいは出力に接続するよ
うにすればよい。カスケード接続の方法のうち、2つの
例を図6および図7に図式的に示した。直列接続IDT
のそれぞれのフィンガーの周期は次の式によって与えら
れる。 pi = V/{fi ・(1−C・△V/V)} ただし、fi は抑圧しようとしている高次のサイドロー
ブの周波数である。また、並列接続IDTのそれぞれの
フィンガーの周期は次の式によって与えられる。
た表面弾性波帯域通過フィルターの典型的なレイアウト
を図5に示す。IDTinおよびIDTout は、それぞれ
2ポート表面弾性波フィルターの入力トランスデューサ
および出力トランスデューサである。直列−並列接続イ
ンピーダンス素子IDT1 IDT2 を表面弾性波フィル
ターの出力に接続するようにすることもできるし、ある
いは1つを入力に他方を出力に接続するようにしてもよ
い。1対のサイドローブだけでなく、さらに多くのサイ
ドローブを抑圧する必要がある場合には、カスケード接
続された直列−並列接続インピーダンス素子を表面弾性
波フィルターの入力および/あるいは出力に接続するよ
うにすればよい。カスケード接続の方法のうち、2つの
例を図6および図7に図式的に示した。直列接続IDT
のそれぞれのフィンガーの周期は次の式によって与えら
れる。 pi = V/{fi ・(1−C・△V/V)} ただし、fi は抑圧しようとしている高次のサイドロー
ブの周波数である。また、並列接続IDTのそれぞれの
フィンガーの周期は次の式によって与えられる。
【0016】pk = V/fk ただし、fk は抑圧しようとしている高次のサイドロー
ブの周波数である。直列接続インピーダンス素子によっ
て生じる挿入損失の増大を最小とするためには、以下に
示す式が満たされていることが必要である。すなわち、
入力負荷あるいは出力負荷に電気的に接続された直列接
続インピーダンス素子に対しては、 γ(in/out)≧ (1/ω0)ΣI i=1 (NiWiC)-1 ただし、γi 、γout はそれぞれ表面弾性波デバイスの
入力負荷および出力負荷であり、Ni 、Wi はそれぞれ
i番目の直列接続トランスデューサの電極フィンガー対
数および開口、Cは1対の電極の規格化キャパシタンス
である。このような関係が満たされている場合には、電
子デバイスの中心周波数ω0 の近傍においては、電極フ
ィンガー対の静電容量のアドミタンスは電子デバイスの
入出力アドミタンスと比較して大きくなるので、直列接
続インピーダンス素子が挿入損失を増大させてしまうこ
とがない。一方、入力負荷あるいは出力負荷に電気的に
接続される並列接続インピーダンス素子に対しては、挿
入損失を最小にするためには次の式が満たされているこ
とが必要である。
ブの周波数である。直列接続インピーダンス素子によっ
て生じる挿入損失の増大を最小とするためには、以下に
示す式が満たされていることが必要である。すなわち、
入力負荷あるいは出力負荷に電気的に接続された直列接
続インピーダンス素子に対しては、 γ(in/out)≧ (1/ω0)ΣI i=1 (NiWiC)-1 ただし、γi 、γout はそれぞれ表面弾性波デバイスの
入力負荷および出力負荷であり、Ni 、Wi はそれぞれ
i番目の直列接続トランスデューサの電極フィンガー対
数および開口、Cは1対の電極の規格化キャパシタンス
である。このような関係が満たされている場合には、電
子デバイスの中心周波数ω0 の近傍においては、電極フ
ィンガー対の静電容量のアドミタンスは電子デバイスの
入出力アドミタンスと比較して大きくなるので、直列接
続インピーダンス素子が挿入損失を増大させてしまうこ
とがない。一方、入力負荷あるいは出力負荷に電気的に
接続される並列接続インピーダンス素子に対しては、挿
入損失を最小にするためには次の式が満たされているこ
とが必要である。
【0017】 γ(in/out)≦ (1/ω0)ΣK k=1(Nk Wk C )-1 この関係を満たすようにすれば、電子デバイスの中心周
波数ω0 の近傍において、並列接続インピーダンス素子
が信号をシャントさせてしまうことがない。以上の説明
から、いろいろな変形が本発明の範囲内において可能で
あることが当業者には明らかであろう。特に、表面弾性
波という用語は、表面スキミングバルク波(SSB
W)、漏洩波、表面横波(STW)などの従来の表面弾
性波と類似の他の型の波動をも含むものである。また、
本発明は、電子回路のインピーダンス整合を行うのに広
く一般に用いることが可能である。この発明は、請求範
囲に記載されているかいないかにかかわらず、あるい
は、本発明によって解決される問題のいずれかを解決す
るものであるのかあるいはすべてを解決するものである
かにかかわらず、ここに明白にあるいは暗黙のうちに開
示したすべての新奇な特徴およびこれらの特徴の組合
せ、またさらにこれらの一般化をも含むものである。従
って、本発明の出願者は、本出願を実行するに際して発
生するこのような特徴およびこれらからさらに導かれる
応用に関して新たに請求範囲として加えることができる
ことをここに宣するものである。
波数ω0 の近傍において、並列接続インピーダンス素子
が信号をシャントさせてしまうことがない。以上の説明
から、いろいろな変形が本発明の範囲内において可能で
あることが当業者には明らかであろう。特に、表面弾性
波という用語は、表面スキミングバルク波(SSB
W)、漏洩波、表面横波(STW)などの従来の表面弾
性波と類似の他の型の波動をも含むものである。また、
本発明は、電子回路のインピーダンス整合を行うのに広
く一般に用いることが可能である。この発明は、請求範
囲に記載されているかいないかにかかわらず、あるい
は、本発明によって解決される問題のいずれかを解決す
るものであるのかあるいはすべてを解決するものである
かにかかわらず、ここに明白にあるいは暗黙のうちに開
示したすべての新奇な特徴およびこれらの特徴の組合
せ、またさらにこれらの一般化をも含むものである。従
って、本発明の出願者は、本出願を実行するに際して発
生するこのような特徴およびこれらからさらに導かれる
応用に関して新たに請求範囲として加えることができる
ことをここに宣するものである。
【図1】図1は、単一表面弾性波インターディジットト
ランスデューサ(IDT)を示す図である。
ランスデューサ(IDT)を示す図である。
【図2】図2は、図1のトランスデューサの等価回路図
である。
である。
【図3】図3は、並列接続インピーダンス素子の信号伝
達特性(破線)および直列接続インピーダンス素子の信
号伝達特性(実線)を示す図である。
達特性(破線)および直列接続インピーダンス素子の信
号伝達特性(実線)を示す図である。
【図4】図4は、2つの直列および並列接続インピーダ
ンス素子を有する帯域通過フィルターの信号伝達特性
(実線)およびこのようなインピーダンス素子を具備し
ていない帯域通過フィルターの信号伝達特性(破線)を
示す図である。
ンス素子を有する帯域通過フィルターの信号伝達特性
(実線)およびこのようなインピーダンス素子を具備し
ていない帯域通過フィルターの信号伝達特性(破線)を
示す図である。
【図5】図5は、それぞれ、表面弾性波横波フィルター
の入力に直列および並列に接続された2つのインピーダ
ンス素子を示す図である。
の入力に直列および並列に接続された2つのインピーダ
ンス素子を示す図である。
【図6】図6は、カスケード接続された、直列−並列イ
ンピーダンス素子のいろいろなレイアウト構成を示す図
である。
ンピーダンス素子のいろいろなレイアウト構成を示す図
である。
【図7】図7は、カスケード接続された、直列−並列イ
ンピーダンス素子のいろいろなレイアウト構成を示す図
である。
ンピーダンス素子のいろいろなレイアウト構成を示す図
である。
1 インピーダンス素子 2a,2b 電極フィンガー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 セルゲイ コンドラティエ スイス 2000 ヌーシャテル リュー プ ールタレ 9 (72)発明者 ヴィクトール プレスキ スイス 2206 レ ジュネーヴェイ スュ ールコフラン シュマン ド プレ 20 (72)発明者 モハメド ア シャリー スイス 2068 オーテリーヴ ロングシャ ン 25
Claims (17)
- 【請求項1】 少なくとも1つの表面弾性波素子に電気
的に結合された、周波数依存性をもった信号伝達特性を
有する電子デバイスにおいて、表面弾性波インピーダン
ス素子の伝送損失が、信号伝達特性の相対的に低い信号
伝達領域において高く、信号伝達特性の相対的に高い信
号伝達領域においては低くなされていることを特徴とす
る電子デバイス。 - 【請求項2】 前記少なくとも1つの表面弾性波インピ
ーダンス素子が、電子デバイスと電気的に直列に接続さ
れていることを特徴とする請求範囲第1項に記載の電子
デバイス。 - 【請求項3】 前記少なくとも1つの表面弾性波インピ
ーダンス素子が、電子デバイスと電気的に並列に接続さ
れていることを特徴とする請求範囲第1項に記載の電子
デバイス。 - 【請求項4】 電子デバイスに電気的に直列に接続され
たさらに少なくとも1つの他の表面弾性波インピーダン
ス素子を具備していることを特徴とする請求範囲第3項
に記載の電子デバイス。 - 【請求項5】 前記直列接続表面弾性波インピーダンス
素子が、信号伝達特性の高い周波数のサイドローブに対
応する周波数において、高インピーダンスを有するよう
になされていることを特徴とする請求範囲第2項または
第4項に記載の電子デバイス。 - 【請求項6】 前記直列接続表面弾性波インピーダンス
素子が、信号伝達特性の高域遮断周波数において、高イ
ンピーダンスを有するようになされていることを特徴と
する請求範囲第2項または第4項に記載の電子デバイ
ス。 - 【請求項7】 前記並列接続表面弾性波インピーダンス
素子が、信号伝達特性の低い周波数のサイドローブに対
応する周波数において、低インピーダンスを有するよう
になされていることを特徴とする請求範囲第3項または
第4項に記載の電子デバイス。 - 【請求項8】 前記並列接続表面弾性波インピーダンス
素子が、信号伝達特性の低域遮断周波数において、低イ
ンピーダンスを有するようになされていることを特徴と
する請求範囲第3項または第4項に記載の電子デバイ
ス。 - 【請求項9】 前記電子デバイスが帯域通過フィルター
であることを特徴とする前出の請求範囲のいずれかの項
に記載の電子デバイス。 - 【請求項10】 前記電子デバイスが表面弾性波デバイ
スであることを特徴とする前出の請求範囲のいずれかの
項に記載の電子デバイス。 - 【請求項11】 前記少なくとも1つの表面弾性波イン
ピーダンス素子が前記電子デバイスと一体に形成されて
いることを特徴とする前出の請求範囲のいずれかの項に
記載の電子デバイス。 - 【請求項12】 前記少なくとも1つの他の表面弾性波
インピーダンス素子が前記電子デバイスと一体に形成さ
れていることを特徴とする請求範囲第4項から第10項
のいずれかに記載の電子デバイス。 - 【請求項13】 少なくとも1つの直列接続表面弾性波
インピーダンス素子が実質的に γ(in/out)≧ (1/ω0)ΣI i=1 (Ni Wi C )-1 で表される条件を満たしていることを特徴とする前出の
請求範囲のいずれかの項に記載の電子デバイス。 - 【請求項14】 少なくとも1つの並列接続表面弾性波
インピーダンス素子が実質的に γ(in/out)≦ (1/ω0)ΣK k=1 (Nk Wk C )-1 で表される条件を満たしていることを特徴とする前出の
請求範囲のいずれかの項に記載の電子デバイス。 - 【請求項15】 表面弾性波インピーダンス素子を構成
する電極フィンガー対の数Nが実質的に N ≧ (△V/V)-1 で表される条件を満たしていることを特徴とする前出の
請求範囲のいずれかの項に記載の電子デバイス。 - 【請求項16】 請求範囲第1項から第9項あるいは第
11項から第14項のいずれかに記載の電子デバイスを
具備していることを特徴とする無線電話。 - 【請求項17】 請求範囲第10項あるいは第14項に
記載の表面弾性波帯域通過フィルターを具備しているこ
とを特徴とする無線電話。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9316142A GB2280807B (en) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | Saw filter |
| GB9316142:0 | 1993-08-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766677A true JPH0766677A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=10739946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6183264A Pending JPH0766677A (ja) | 1993-08-04 | 1994-08-04 | 表面弾性波フィルター |
Country Status (5)
| Country | Link |
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