JPH0769230B2 - 振動ビーム力トランスデューサ - Google Patents
振動ビーム力トランスデューサInfo
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- JPH0769230B2 JPH0769230B2 JP2502140A JP50214090A JPH0769230B2 JP H0769230 B2 JPH0769230 B2 JP H0769230B2 JP 2502140 A JP2502140 A JP 2502140A JP 50214090 A JP50214090 A JP 50214090A JP H0769230 B2 JPH0769230 B2 JP H0769230B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
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- G01P15/0802—Details
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、力トランスデューサに関し、特に、与えられ
る力により振動ビームの振動周波数が変化する型の力ト
ランスデューサに関する。
る力により振動ビームの振動周波数が変化する型の力ト
ランスデューサに関する。
発明の背景 振動ビームの力トランスデューサは、加速度計、圧力セ
ンサ及び関連の機器において、力対周波数変化器として
しばしば用いられている。米国特許第4,372,173号に記
載された１つの良く知られた設計においては、力トラン
スデューサは、水晶もしくは結晶状の石英から製造され
た両端終結型の音叉の形態にある。該トランスデューサ
は、両端で共通の取付構造体に接続された一対の並んだ
ビームを含んでいる。電極は所定のパターンでビーム上
に置かれ、そして駆動回路もしくは励振回路に接続され
る。駆動回路もしくは励振回路は、180゜の位相差で互
いに向かい合いかつ離れ合う方向に両ビームを振動させ
る周期電圧を提供する。実際、駆動回路もしくは励振回
路及びビームは発振器を形成し、この場合、ビームは、
周波数制御用クリスタルの役割を果たす。すなわち、ビ
ームの機械的共振が振動周波数を制御する。ビームに沿
って与えられる引張力は、共振的な振動周波数を増加
し、ビームに沿った圧縮力は、共振周波数を減少する。
これにより、駆動信号もしくは励振信号の周波数は、ビ
ームに沿って軸方向に与えられる力の測定値である。
ンサ及び関連の機器において、力対周波数変化器として
しばしば用いられている。米国特許第4,372,173号に記
載された１つの良く知られた設計においては、力トラン
スデューサは、水晶もしくは結晶状の石英から製造され
た両端終結型の音叉の形態にある。該トランスデューサ
は、両端で共通の取付構造体に接続された一対の並んだ
ビームを含んでいる。電極は所定のパターンでビーム上
に置かれ、そして駆動回路もしくは励振回路に接続され
る。駆動回路もしくは励振回路は、180゜の位相差で互
いに向かい合いかつ離れ合う方向に両ビームを振動させ
る周期電圧を提供する。実際、駆動回路もしくは励振回
路及びビームは発振器を形成し、この場合、ビームは、
周波数制御用クリスタルの役割を果たす。すなわち、ビ
ームの機械的共振が振動周波数を制御する。ビームに沿
って与えられる引張力は、共振的な振動周波数を増加
し、ビームに沿った圧縮力は、共振周波数を減少する。
これにより、駆動信号もしくは励振信号の周波数は、ビ
ームに沿って軸方向に与えられる力の測定値である。
振動ビームの力トランスデューサは、低い励振力、低い
自己熱、及び電子部品の変化に対する不感応さをもたら
す高いＱ値を達成するために、低い内部減衰を有した物
質を必要とする。高精度の機器のためのトランスデュー
サ物質は、また、高い応力レベルで長いサイクルに亙っ
て極度の機械的な安定性を必要とする。このようなトラ
ンスデューサを製造する際における主要な問題の１つ
は、励振及び位置のピックオフ（pick−off）測定を含
む。水晶もしくは結晶状の石英は、その圧電気特性のた
めに最も一般に使用される物質であり、その圧電気特性
により、単一表面の電極パターンを用いることを通して
機械的な運動を励振しかつ感知する能力が与えられる。
自己熱、及び電子部品の変化に対する不感応さをもたら
す高いＱ値を達成するために、低い内部減衰を有した物
質を必要とする。高精度の機器のためのトランスデュー
サ物質は、また、高い応力レベルで長いサイクルに亙っ
て極度の機械的な安定性を必要とする。このようなトラ
ンスデューサを製造する際における主要な問題の１つ
は、励振及び位置のピックオフ（pick−off）測定を含
む。水晶もしくは結晶状の石英は、その圧電気特性のた
めに最も一般に使用される物質であり、その圧電気特性
により、単一表面の電極パターンを用いることを通して
機械的な運動を励振しかつ感知する能力が与えられる。
結晶状のシリコンから製造された低価格のミクロ機械加
工された（micromachined）機械的構造体の出現でもっ
て、シリコンの振動ビーム・トランスデューサを作るこ
とは望ましいこととなってきた。しかしながら、シリコ
ンは、ビームもしくははりの振動を励振しかつ感知する
ための圧電気特性を有していない。従って、かなりの価
格や、機械的な不安定性もしくは過渡の複雑さを加える
ことなく、シリコン・ビームの共振を励起しかつ感知す
る方法を提供することが望ましい。この問題に対する従
来の１つの方法は、シリコン・ビームに圧電気物質（例
えば、酸化亜鉛）を適用することであった。この方法
は、必要とされる励振／ピックオフ能力を提供するが、
複雑で不安定でかつ熱膨張の不一致が加えられ、そして
センサの信頼性を低下させる傾向がある。ドーピング及
び熱励振技術も用いることができるが、それらは相当の
自己発熱の問題を生じ、しかもビーム位置を感知するた
めの手段を提供しない。
工された（micromachined）機械的構造体の出現でもっ
て、シリコンの振動ビーム・トランスデューサを作るこ
とは望ましいこととなってきた。しかしながら、シリコ
ンは、ビームもしくははりの振動を励振しかつ感知する
ための圧電気特性を有していない。従って、かなりの価
格や、機械的な不安定性もしくは過渡の複雑さを加える
ことなく、シリコン・ビームの共振を励起しかつ感知す
る方法を提供することが望ましい。この問題に対する従
来の１つの方法は、シリコン・ビームに圧電気物質（例
えば、酸化亜鉛）を適用することであった。この方法
は、必要とされる励振／ピックオフ能力を提供するが、
複雑で不安定でかつ熱膨張の不一致が加えられ、そして
センサの信頼性を低下させる傾向がある。ドーピング及
び熱励振技術も用いることができるが、それらは相当の
自己発熱の問題を生じ、しかもビーム位置を感知するた
めの手段を提供しない。
発明の概要 本発明は、シリコンのミクロ機械加工された構造で実現
され得る振動ビーム力トランスデューサを提供する。該
力トランスデューサは、縦方向軸線を有したビームもし
くははりと、該ビームの縦方向軸線沿って与えられる力
の関数である共振周波数でビームを振動させるために該
ビームに電気的に結合される励振手段もしくは駆動手段
とを備えた型のものである。励振手段もしくは駆動手段
はビームに電流を供給し、ビームに物理的に結合される
導通手段は、電流を受けてそれを電流通路に沿って導電
させる。電流通路は、縦方向軸線と平行な軸方向成分を
含む。磁気手段は、前記軸方向成分と交差する磁界を作
るために設けられる。これにより、電流通路に沿って流
れる電流は磁界と相互作用してビーム上に力を発生し、
該力によりビームを共振周波数で振動させる。
され得る振動ビーム力トランスデューサを提供する。該
力トランスデューサは、縦方向軸線を有したビームもし
くははりと、該ビームの縦方向軸線沿って与えられる力
の関数である共振周波数でビームを振動させるために該
ビームに電気的に結合される励振手段もしくは駆動手段
とを備えた型のものである。励振手段もしくは駆動手段
はビームに電流を供給し、ビームに物理的に結合される
導通手段は、電流を受けてそれを電流通路に沿って導電
させる。電流通路は、縦方向軸線と平行な軸方向成分を
含む。磁気手段は、前記軸方向成分と交差する磁界を作
るために設けられる。これにより、電流通路に沿って流
れる電流は磁界と相互作用してビーム上に力を発生し、
該力によりビームを共振周波数で振動させる。
好適な実施例においては、トランスデューサは両端終結
型の音叉の形態を有しており、トランスデューサの胴体
部は、平行な縦方向軸線を有した第１及び第２のビーム
を含んでいる。このような実施例の場合、電流通路は、
第１の方向においては一方のビームの縦方向軸線に沿っ
て延び、次に、反対方向においては他方のビームの縦方
向軸線に沿って延びる。磁界が双方のビームを含む面に
対して水平であるとき、電流通路に沿って電流が流れる
と、捩れモードでビームが振動する。
型の音叉の形態を有しており、トランスデューサの胴体
部は、平行な縦方向軸線を有した第１及び第２のビーム
を含んでいる。このような実施例の場合、電流通路は、
第１の方向においては一方のビームの縦方向軸線に沿っ
て延び、次に、反対方向においては他方のビームの縦方
向軸線に沿って延びる。磁界が双方のビームを含む面に
対して水平であるとき、電流通路に沿って電流が流れる
と、捩れモードでビームが振動する。
図面な簡単な説明 第１図は、本発明の力トランスデューサを示す概略図で
ある； 第２図は、トランスデューサの胴体部の第１の好適な実
施例を示す図である； 第３図は、第２図のトランスデューサの場合の好適な共
振モードを図式的に示す平面図である； 第４図は、ミクロ機械加工された加速度計に力トランス
デューサを用いた場合を概略的に示す図である； 第５図は、トランスデューサの胴体部の第２の好適な実
施例を示す斜視図である； 第６図は、第５図の線６−６に沿って見た断面図であ
る； 第７図は、トランスデューサの胴体部の第３の好適な実
施例を示す斜視図である； 第８図は、第７図の線８−８に沿って見た断面図であ
る； 第９図は、トランスデューサの胴体部の第４の好適な実
施例を示す斜視図である； 第10図は、第９図のトランスデューサ胴体部の場合の共
振振動モードを概略的に示す側面図である； 第11図は、トランスデューサ胴体部の第１のねじれの実
施例を示す斜視図である； 第12図は、トランスデューサ胴体部の第２のねじれの実
施例を示す斜視図である； 第13図は、磁石の取付技術を示す斜視図である； 第14図は、駆動回路もしくは励振回路の回路図である。
ある； 第２図は、トランスデューサの胴体部の第１の好適な実
施例を示す図である； 第３図は、第２図のトランスデューサの場合の好適な共
振モードを図式的に示す平面図である； 第４図は、ミクロ機械加工された加速度計に力トランス
デューサを用いた場合を概略的に示す図である； 第５図は、トランスデューサの胴体部の第２の好適な実
施例を示す斜視図である； 第６図は、第５図の線６−６に沿って見た断面図であ
る； 第７図は、トランスデューサの胴体部の第３の好適な実
施例を示す斜視図である； 第８図は、第７図の線８−８に沿って見た断面図であ
る； 第９図は、トランスデューサの胴体部の第４の好適な実
施例を示す斜視図である； 第10図は、第９図のトランスデューサ胴体部の場合の共
振振動モードを概略的に示す側面図である； 第11図は、トランスデューサ胴体部の第１のねじれの実
施例を示す斜視図である； 第12図は、トランスデューサ胴体部の第２のねじれの実
施例を示す斜視図である； 第13図は、磁石の取付技術を示す斜視図である； 第14図は、駆動回路もしくは励振回路の回路図である。
本発明の詳細な説明 第１図は、本発明による力トランスデユーサを図式的に
示す。トランスデユーサは、ビーム10と、磁石20及び22
と、そして駆動回路もしくは励振回路24とを含んでい
る。ビーム10は、縦方向軸線16に沿って構造体12及び14
間に接続され、そして軸線16と概して平行に延びる導電
領域18を含んでいる。構造体12及び14は、ビーム10上に
引張力または圧縮力Ｆを及ぼす。磁石20及び22は、軸線
16に対し概して垂直の方向に、ビーム10、特に導電領域
18を通過する磁界Ｂを発生する。
示す。トランスデユーサは、ビーム10と、磁石20及び22
と、そして駆動回路もしくは励振回路24とを含んでい
る。ビーム10は、縦方向軸線16に沿って構造体12及び14
間に接続され、そして軸線16と概して平行に延びる導電
領域18を含んでいる。構造体12及び14は、ビーム10上に
引張力または圧縮力Ｆを及ぼす。磁石20及び22は、軸線
16に対し概して垂直の方向に、ビーム10、特に導電領域
18を通過する磁界Ｂを発生する。
駆動回路もしくは励振回路24は、線30及び32によって導
電領域18に接続され、そして周期的な電流が導電領域を
通して流れるようにする。領域18に沿った電流の流れ
は、ビーム10上に周期的な力を生成するよう、磁界Ｂと
相互作用する。第１図に示された配列において、この力
は、図面の面の内外に向けられ、これにより、ビーム10
をかかる方向に沿って振動させる。ビーム10と組み合っ
た駆動回路もしくは励振回路は、ビームの機械的共振に
よって決定される周波数で振動する電気的な発振器を形
成する。かかる共振周波数は、次に、構造体12及び14に
よってビームに及ぼされる軸方向の力Ｆに依存する。こ
れにより、駆動回路もしくは励振回路は、軸方向の力Ｆ
の関数である周波数ｆで線40上に出力信号を発生する。
周波数測定回路42はこの信号の周波数を測定して、力Ｆ
の測定値を与える出力信号を線44上に発生する。
電領域18に接続され、そして周期的な電流が導電領域を
通して流れるようにする。領域18に沿った電流の流れ
は、ビーム10上に周期的な力を生成するよう、磁界Ｂと
相互作用する。第１図に示された配列において、この力
は、図面の面の内外に向けられ、これにより、ビーム10
をかかる方向に沿って振動させる。ビーム10と組み合っ
た駆動回路もしくは励振回路は、ビームの機械的共振に
よって決定される周波数で振動する電気的な発振器を形
成する。かかる共振周波数は、次に、構造体12及び14に
よってビームに及ぼされる軸方向の力Ｆに依存する。こ
れにより、駆動回路もしくは励振回路は、軸方向の力Ｆ
の関数である周波数ｆで線40上に出力信号を発生する。
周波数測定回路42はこの信号の周波数を測定して、力Ｆ
の測定値を与える出力信号を線44上に発生する。
第１図に示された配列において、駆動回路もしくは励振
回路24は２つの作用を行う。第１に、駆動回路は、通路
18に沿って電流を移動させる電気エネルギを与える。第
２に、駆動回路の周波数は、ビーム10の機械的共振への
ロックを行い、これにより駆動回路は、振動周波数を決
定するためのピックオフ（pick off）手段をも提供す
る。別々の励振もしくは駆動回路及びピックオフ回路を
用い、ビームの縦方向軸線に沿って各回路に別々の導電
通路18を持たせることができるのが分かるであろう。し
かしながら、第１図に示された唯１つの回路の実施例の
方がより単純であり、概して好ましいであろう。別の感
知回路が用いられる場合には、磁界内でのビームの移動
がビーム速度に比例した電流を発生する。この速度信号
は積分されて感知回路に位置情報を提供し、該位置情報
は、次に、共振を持続させるよう駆動もしくは励振電流
の位相及び振幅を制御する駆動回路もしくは励振回路に
与えられ得る。
回路24は２つの作用を行う。第１に、駆動回路は、通路
18に沿って電流を移動させる電気エネルギを与える。第
２に、駆動回路の周波数は、ビーム10の機械的共振への
ロックを行い、これにより駆動回路は、振動周波数を決
定するためのピックオフ（pick off）手段をも提供す
る。別々の励振もしくは駆動回路及びピックオフ回路を
用い、ビームの縦方向軸線に沿って各回路に別々の導電
通路18を持たせることができるのが分かるであろう。し
かしながら、第１図に示された唯１つの回路の実施例の
方がより単純であり、概して好ましいであろう。別の感
知回路が用いられる場合には、磁界内でのビームの移動
がビーム速度に比例した電流を発生する。この速度信号
は積分されて感知回路に位置情報を提供し、該位置情報
は、次に、共振を持続させるよう駆動もしくは励振電流
の位相及び振幅を制御する駆動回路もしくは励振回路に
与えられ得る。
本発明のトランスデユーサの好適な実施例が第２図に示
されている。示されたトランスデユーサは、全体的に両
端終結型音叉の形態を有する胴体部50を含んでおり、該
胴体部は、取付パッド56及び58によってそれらの端部で
相互接続される平行なバーム52及び54を含んでいる。導
電性の（例えば、金属の）トレース（trace）60は胴体
部50の上部表面上に置かれ、そして、取付パッド56上の
第１の接点62からビーム52に沿って取付パッド58まで延
び、次にビーム54に沿ってまた取付パッド56上の第２の
接点64に戻る。接点62及び64は、次に、励振もしくは駆
動回路に接続される。磁界Ｂは、ビーム52及び54と垂直
の方向、並びに胴体部50が形成されている面と垂直な方
向に発生される。結果として、第２図の矢印によって示
された方向にトレース60を介して接点62から接点64まで
通過する電流は、外方に向かう力を２つのビームに発生
する。電流の流れ方向が反転されたとき、内方に向かう
力が生成される。結果として、ビームは、第３図に示さ
れた三平面対称モード（the triplanar symmetric mod
e）で振動するように作られ得る。このモードにおいて
は、ビームは、180゜の位相差で互いの方向に向かいか
つ互いの方向から離れるように振動する。この共振モー
ドは、取付パッド56及び58に結合された応力を相殺させ
る傾向を有し、それにより、取付パッドを介して取付パ
ッドが装着された構造体内に伝達される機械的エネルギ
の量を最小にするので好ましい。
されている。示されたトランスデユーサは、全体的に両
端終結型音叉の形態を有する胴体部50を含んでおり、該
胴体部は、取付パッド56及び58によってそれらの端部で
相互接続される平行なバーム52及び54を含んでいる。導
電性の（例えば、金属の）トレース（trace）60は胴体
部50の上部表面上に置かれ、そして、取付パッド56上の
第１の接点62からビーム52に沿って取付パッド58まで延
び、次にビーム54に沿ってまた取付パッド56上の第２の
接点64に戻る。接点62及び64は、次に、励振もしくは駆
動回路に接続される。磁界Ｂは、ビーム52及び54と垂直
の方向、並びに胴体部50が形成されている面と垂直な方
向に発生される。結果として、第２図の矢印によって示
された方向にトレース60を介して接点62から接点64まで
通過する電流は、外方に向かう力を２つのビームに発生
する。電流の流れ方向が反転されたとき、内方に向かう
力が生成される。結果として、ビームは、第３図に示さ
れた三平面対称モード（the triplanar symmetric mod
e）で振動するように作られ得る。このモードにおいて
は、ビームは、180゜の位相差で互いの方向に向かいか
つ互いの方向から離れるように振動する。この共振モー
ドは、取付パッド56及び58に結合された応力を相殺させ
る傾向を有し、それにより、取付パッドを介して取付パ
ッドが装着された構造体内に伝達される機械的エネルギ
の量を最小にするので好ましい。
第４図は、第２図に示された型のトランスデユーサを加
速度計に用いた場合を図式的に示す。加速度計は、たわ
み体74によって支持体72に接続された保証質量体70と、
たわみ体と概して平行な方向で保証質量体及び支持体間
に延びるトランスデユーサ胴体部50とを含んでいる。磁
石80及び82は胴体部50の軸線に垂直な磁界を生成し、そ
して該胴体部は、トランスデユーサのビームもしくはは
りを通る周期的な電流の流れを提供する駆動回路もしく
は励振回路84に接続される。この適用において、第２図
に示されたトランスデユーサは、トランスデユーサの電
気接点の双方が同じ取付パッド上に位置付けられ、従っ
て保証質量体70への電気接続が不必要であるという長所
を有する。
速度計に用いた場合を図式的に示す。加速度計は、たわ
み体74によって支持体72に接続された保証質量体70と、
たわみ体と概して平行な方向で保証質量体及び支持体間
に延びるトランスデユーサ胴体部50とを含んでいる。磁
石80及び82は胴体部50の軸線に垂直な磁界を生成し、そ
して該胴体部は、トランスデユーサのビームもしくはは
りを通る周期的な電流の流れを提供する駆動回路もしく
は励振回路84に接続される。この適用において、第２図
に示されたトランスデユーサは、トランスデユーサの電
気接点の双方が同じ取付パッド上に位置付けられ、従っ
て保証質量体70への電気接続が不必要であるという長所
を有する。
第４図に示された型の加速度計は、既知のシリコンのミ
クロ機械加工の（micromachining）技術によって容易に
製造され得る。例えば、双方の表面上にＮドープされた
エピタキシャル層を有するＰ型シリコンのウェーファで
始めることができる。上部表面上のエピタキシャル層
は、トランスデユーサの胴体部50を形成するようエッチ
ングされ得、低部表面上のエピタキシャル層は、たわみ
体74を形成するようにエッチングされ、双方の場合にお
いて、電気化学的エッチング停止（an electrochemical
etch stop）を用いる。代替的には、トランスデューサ
の胴体部50は、保証質量体70と支持体72との上部表面の
面に置くこともでき、この場合も、再度、トランスデュ
ーサ胴体部はＮドープされたエピタキシャル層から形成
される。
クロ機械加工の（micromachining）技術によって容易に
製造され得る。例えば、双方の表面上にＮドープされた
エピタキシャル層を有するＰ型シリコンのウェーファで
始めることができる。上部表面上のエピタキシャル層
は、トランスデユーサの胴体部50を形成するようエッチ
ングされ得、低部表面上のエピタキシャル層は、たわみ
体74を形成するようにエッチングされ、双方の場合にお
いて、電気化学的エッチング停止（an electrochemical
etch stop）を用いる。代替的には、トランスデューサ
の胴体部50は、保証質量体70と支持体72との上部表面の
面に置くこともでき、この場合も、再度、トランスデュ
ーサ胴体部はＮドープされたエピタキシャル層から形成
される。
上述したトランスデユーサはすべて、１つのトランスデ
ユーサ・ビームまたは複数のトランスデューサ・ビーム
内に導電領域またはトレースを含む。第５図は、ビーム
全体で駆動もしくは励振回路によって与えられる電流を
導通させる実施例を示す。この実施例は、ビーム92及び
94を含む胴体部90を備えており、ビーム92及び94は、一
端においては共通の取付パッド96に接続され、反対側の
端においては一対の分離した取付パッド100及び102を形
成している。胴体部90は、導電性シリコン、二酸化ケイ
素、シリコン窒化物、シリコン・エピタクシー等のよう
な導電性物質から構成される。構造体110及び112は、非
導電性バルク・シリコン（nonconductive bulk silico
n）シリコンのような非導電性物質を含んでいる。取付
パッド100及び102は、例えば加速度計における支持を備
え得る構造体110に接続され、取付パッド96は、例えば
加速度計における保証質量体を備え得る構造体112に接
続される。取付パッド100及び102は、駆動回路もしくは
励振回路に接続するための電気接点を含んでいる。
ユーサ・ビームまたは複数のトランスデューサ・ビーム
内に導電領域またはトレースを含む。第５図は、ビーム
全体で駆動もしくは励振回路によって与えられる電流を
導通させる実施例を示す。この実施例は、ビーム92及び
94を含む胴体部90を備えており、ビーム92及び94は、一
端においては共通の取付パッド96に接続され、反対側の
端においては一対の分離した取付パッド100及び102を形
成している。胴体部90は、導電性シリコン、二酸化ケイ
素、シリコン窒化物、シリコン・エピタクシー等のよう
な導電性物質から構成される。構造体110及び112は、非
導電性バルク・シリコン（nonconductive bulk silico
n）シリコンのような非導電性物質を含んでいる。取付
パッド100及び102は、例えば加速度計における支持を備
え得る構造体110に接続され、取付パッド96は、例えば
加速度計における保証質量体を備え得る構造体112に接
続される。取付パッド100及び102は、駆動回路もしくは
励振回路に接続するための電気接点を含んでいる。
両者間に電流の流れを許容することなくビーム対ビーム
の機械的結合を提供するよう、取付パッド100及び102の
部分間に非導電性充填剤106が位置付けられる。充填剤1
06は、トランスデユーサ胴体部90とのダイオード接合を
形成した、反対にドーピングされた物質を含んでいる。
第６図に示された充填剤106の形状は、ミクロ機械加工
されるシリコンの加工範囲内で達成され得る形状寸法を
表わす。任意的には、機械的対称を与えるために第２の
非導電性充填剤114が取付パッド96においてビーム92及
び94間に位置付けられ得る。充填剤によって与えられる
ビーム間のこの付加的な機械的結合は、双方のビームが
同じ周波数で共振するのを確実にするのを助ける。充填
剤114によってもたらされる対称性は、周囲の構造体へ
のエネルギ損失を最小にするための動つりあいにとって
重要である。充填剤106及び114は、それらの機能が相違
しているにも拘わらず、両端がビーム結合に対して伸縮
自在または同一であるらしくするに充分な程度に、それ
ぞれの構造体110及び112の上に横たわる。
の機械的結合を提供するよう、取付パッド100及び102の
部分間に非導電性充填剤106が位置付けられる。充填剤1
06は、トランスデユーサ胴体部90とのダイオード接合を
形成した、反対にドーピングされた物質を含んでいる。
第６図に示された充填剤106の形状は、ミクロ機械加工
されるシリコンの加工範囲内で達成され得る形状寸法を
表わす。任意的には、機械的対称を与えるために第２の
非導電性充填剤114が取付パッド96においてビーム92及
び94間に位置付けられ得る。充填剤によって与えられる
ビーム間のこの付加的な機械的結合は、双方のビームが
同じ周波数で共振するのを確実にするのを助ける。充填
剤114によってもたらされる対称性は、周囲の構造体へ
のエネルギ損失を最小にするための動つりあいにとって
重要である。充填剤106及び114は、それらの機能が相違
しているにも拘わらず、両端がビーム結合に対して伸縮
自在または同一であるらしくするに充分な程度に、それ
ぞれの構造体110及び112の上に横たわる。
第７図及び第８図は、本発明のさらなる実施例を示す。
この実施例においては、トランスデユーサは、ビーム12
2及び124と、Ｕ−形状区分126と、電気接点130及び132
とを含んだ導電性胴体部120を備えている。区分126は、
胴体部120の一端を第１の取付構造体136に接続し、接点
130及び132は、胴体部の他端を第２の取付構造体138に
接続する。接点130及び132は、次に、取付構造体138上
のトレース140及び142によって適切な駆動回路もしくは
励振回路に接続され得る。
この実施例においては、トランスデユーサは、ビーム12
2及び124と、Ｕ−形状区分126と、電気接点130及び132
とを含んだ導電性胴体部120を備えている。区分126は、
胴体部120の一端を第１の取付構造体136に接続し、接点
130及び132は、胴体部の他端を第２の取付構造体138に
接続する。接点130及び132は、次に、取付構造体138上
のトレース140及び142によって適切な駆動回路もしくは
励振回路に接続され得る。
第７図及び第８図に示された実施例の場合、ビーム対ビ
ーム結合は、胴体部の各端部において、下層にある構造
体を介して達成される。例えば、構造体136において
は、参照数字144で示された構造体の部分が、ビーム間
での必要な機械的結合をもたらす。この方法は、ビーム
の偶力を含んだビーム動作と弾性的な土台が整列されな
いので、不完全である。このことは、純粋に線形ではな
いビーム動作、すなわち何等かの位相ずれした動作に誘
起するわずかに重畳された動作を生じる。それにもかか
わらず、この配列は多くの目的にとって適切である。さ
らに、取付構造体におけるビーム間での充填物質により
回転を除去することができる。充填剤は、電気的絶縁を
維持するためにビームとは反対にドープされ得る。
ーム結合は、胴体部の各端部において、下層にある構造
体を介して達成される。例えば、構造体136において
は、参照数字144で示された構造体の部分が、ビーム間
での必要な機械的結合をもたらす。この方法は、ビーム
の偶力を含んだビーム動作と弾性的な土台が整列されな
いので、不完全である。このことは、純粋に線形ではな
いビーム動作、すなわち何等かの位相ずれした動作に誘
起するわずかに重畳された動作を生じる。それにもかか
わらず、この配列は多くの目的にとって適切である。さ
らに、取付構造体におけるビーム間での充填物質により
回転を除去することができる。充填剤は、電気的絶縁を
維持するためにビームとは反対にドープされ得る。
第９図及び第10図は、平面からはずれた共振モードで駆
動もしくは励振されるトランスデューサを示す。このト
ランスデユーサは、第２図に示された胴体部50と同じ全
体構造を有する胴体部150を含んでいる。しかしなが
ら、第９図及び第10図の実施例の場合、磁界Ｂはビーム
152及び154と垂直にトランスデユーサ胴体部の平面内に
ある。結果として、トレース156を介して流れる与えら
れた電流は、第10図に示された共振モードの振動を生成
するように、一方のビームに上向きの力F1及び他方のビ
ームに下向きの力F2を生成する。第10図に示された共振
の型は、第３図に示された三平面の対称モードにおける
固有の動的応力を完全に相殺することには欠けている
が、それにもかかわらず、薄くて平らで及び／または低
周波の力トランスデユーサが必要とされる場合には有用
である。
動もしくは励振されるトランスデューサを示す。このト
ランスデユーサは、第２図に示された胴体部50と同じ全
体構造を有する胴体部150を含んでいる。しかしなが
ら、第９図及び第10図の実施例の場合、磁界Ｂはビーム
152及び154と垂直にトランスデユーサ胴体部の平面内に
ある。結果として、トレース156を介して流れる与えら
れた電流は、第10図に示された共振モードの振動を生成
するように、一方のビームに上向きの力F1及び他方のビ
ームに下向きの力F2を生成する。第10図に示された共振
の型は、第３図に示された三平面の対称モードにおける
固有の動的応力を完全に相殺することには欠けている
が、それにもかかわらず、薄くて平らで及び／または低
周波の力トランスデユーサが必要とされる場合には有用
である。
第11図は、本発明のねじりの実施例を示す。第11図に示
された力トランスデユーサは、胴体部160を含んでお
り、該胴体部160は、上部表面164及び低部表面166を含
んだ単一のビーム162を含んでいる。単一の導電性トレ
ース170は、上部表面164上でビーム162の長さ方向に沿
って延び、次に、低部表面166と交差し、そしてビーム
の長さ方向に沿って延びて戻ってくる。示されているよ
うに胴体部160の平面と垂直に磁界Ｂが配向された場
合、トレース170を通って流れる電流は力F1及びF2を生
成し、これらの力は結合してビームの縦方向の軸線の回
りにトルクを生成する。胴体部160は、胴体部の慣性モ
ーメントを増加するための腕172を含み得る。第11図に
示されたトランスデユーサは、ビームの一方の側だけに
導電性パターンが作られ得る。しかしながら、かかる配
列の場合、磁界は、ビームの縦方向軸線と垂直に、トラ
ンスデユーサの平面内に相当のベクトル成分を持たなけ
ればならない。ビームの反対側に沿って反対方向に電流
が運ばれるという第11図に示された配列は、磁界の不整
列に起因する線形の力を相殺するよう働き、この特徴
は、不所望な非回転の共振モードに対する結合を最小に
するのを助ける。
された力トランスデユーサは、胴体部160を含んでお
り、該胴体部160は、上部表面164及び低部表面166を含
んだ単一のビーム162を含んでいる。単一の導電性トレ
ース170は、上部表面164上でビーム162の長さ方向に沿
って延び、次に、低部表面166と交差し、そしてビーム
の長さ方向に沿って延びて戻ってくる。示されているよ
うに胴体部160の平面と垂直に磁界Ｂが配向された場
合、トレース170を通って流れる電流は力F1及びF2を生
成し、これらの力は結合してビームの縦方向の軸線の回
りにトルクを生成する。胴体部160は、胴体部の慣性モ
ーメントを増加するための腕172を含み得る。第11図に
示されたトランスデユーサは、ビームの一方の側だけに
導電性パターンが作られ得る。しかしながら、かかる配
列の場合、磁界は、ビームの縦方向軸線と垂直に、トラ
ンスデユーサの平面内に相当のベクトル成分を持たなけ
ればならない。ビームの反対側に沿って反対方向に電流
が運ばれるという第11図に示された配列は、磁界の不整
列に起因する線形の力を相殺するよう働き、この特徴
は、不所望な非回転の共振モードに対する結合を最小に
するのを助ける。
第12図は、本発明の第２のねじれの実施例を示す。第12
図のトランスデユーサは、縦方向軸線188に沿って取付
構造体184及び186間に延びるビーム182を含んでいる。
ビーム182の中央部分は、交差軸線198に沿ってビームか
ら反対方向に延びる腕192及び194を含んだ拡大部分190
を有している。導電性トレース196は、構造体184上の第
１の接点パッド200から、ビーム182に沿って中央部分19
0まで延び、そこで示されているように中央部分を回
り、次に、ビーム182に沿って、再度、構造体184上の第
２の接点パッド202まで戻る。示されているように交差
軸線198と平行に磁界Ｂが配向されている場合に、トレ
ース196内の、特にトレース196の部分204及び206におけ
る電流の流れは、反対方向に向かう力F1及びF2を生成
し、その結果、第11図の実施例におけるように、ビーム
の縦方向軸線188の回りにねじれ力を生じる。
図のトランスデユーサは、縦方向軸線188に沿って取付
構造体184及び186間に延びるビーム182を含んでいる。
ビーム182の中央部分は、交差軸線198に沿ってビームか
ら反対方向に延びる腕192及び194を含んだ拡大部分190
を有している。導電性トレース196は、構造体184上の第
１の接点パッド200から、ビーム182に沿って中央部分19
0まで延び、そこで示されているように中央部分を回
り、次に、ビーム182に沿って、再度、構造体184上の第
２の接点パッド202まで戻る。示されているように交差
軸線198と平行に磁界Ｂが配向されている場合に、トレ
ース196内の、特にトレース196の部分204及び206におけ
る電流の流れは、反対方向に向かう力F1及びF2を生成
し、その結果、第11図の実施例におけるように、ビーム
の縦方向軸線188の回りにねじれ力を生じる。
本発明の実施に必要とされる磁界は、永久磁気、電流ル
ープ及び地磁界を含め種々の手段により発生され得る。
すべての場合において、各振動ビーム上の駆動力もしく
は励振力は磁界の大きさに比例するであろう。磁界ベク
トルの配向における変化もまた所望の方向における励振
力の大きさに影響するであろう。駆動回路もしくは励振
回路の必要とされる利得は、磁界の強さによって直接影
響されるので、一定の磁界ベクトルを維持することが望
ましい。従って、地磁界によって誘起される変化並びに
磁気雑音が、励振レベルに小さい影響しか与えないよう
に高い磁束レベルが望ましい。導体内の電流レベルも、
電力消費や電圧要求及び自己加熱を最小とするように小
さくすることができる。或る実施例の場合、励振レベル
を制御するために永久磁石に加え、電流ループを用いる
ことが長所的であるかもしれない。
ープ及び地磁界を含め種々の手段により発生され得る。
すべての場合において、各振動ビーム上の駆動力もしく
は励振力は磁界の大きさに比例するであろう。磁界ベク
トルの配向における変化もまた所望の方向における励振
力の大きさに影響するであろう。駆動回路もしくは励振
回路の必要とされる利得は、磁界の強さによって直接影
響されるので、一定の磁界ベクトルを維持することが望
ましい。従って、地磁界によって誘起される変化並びに
磁気雑音が、励振レベルに小さい影響しか与えないよう
に高い磁束レベルが望ましい。導体内の電流レベルも、
電力消費や電圧要求及び自己加熱を最小とするように小
さくすることができる。或る実施例の場合、励振レベル
を制御するために永久磁石に加え、電流ループを用いる
ことが長所的であるかもしれない。
ミクロ機械加工された加速度計のようなミクロ機械加工
された装置の製造においては、シリコン・ウェファ上に
直接永久磁石を置くことが望ましいかもしれない。この
ような構造の例が第13図に示されている。加速度計の部
分が、適切なたわみ手段（図示せず）により支持体222
に接続された保証質量体220を含んで示されている。支
持体222は、切欠きもしくはカットアウト部分224を含
み、該カットアウト部分を通して、力トランスデューサ
のビーム226及び228が、保証質量体220及び支持体222間
で延びる。ブリッジ部材もしくは橋絡部材230が支持体2
22に固着されてビーム226及び228を覆って延びる。ブリ
ッジ部材は磁石232を装着しており、これにより、該磁
石はビームの真上に位置付けられてビームの縦方向軸に
垂直の磁界を生成する。
された装置の製造においては、シリコン・ウェファ上に
直接永久磁石を置くことが望ましいかもしれない。この
ような構造の例が第13図に示されている。加速度計の部
分が、適切なたわみ手段（図示せず）により支持体222
に接続された保証質量体220を含んで示されている。支
持体222は、切欠きもしくはカットアウト部分224を含
み、該カットアウト部分を通して、力トランスデューサ
のビーム226及び228が、保証質量体220及び支持体222間
で延びる。ブリッジ部材もしくは橋絡部材230が支持体2
22に固着されてビーム226及び228を覆って延びる。ブリ
ッジ部材は磁石232を装着しており、これにより、該磁
石はビームの真上に位置付けられてビームの縦方向軸に
垂直の磁界を生成する。
第14図は、本発明のトランスデューサに適した駆動回路
もしくは励振回路を示す。説明された型のトランスデュ
ーサに対して、磁界内で振動するビームもしくは諸ビー
ムは、機械的な共振器素子250で示されているように、
並列に接続されたインダクタ、抵抗器及びコンデンサと
して模型化され得る。このような装置を励振させるため
の回路は、正帰還ループ内で素子250に接続された相互
コンダクタンス増幅器252及び利得制御回路254を備えて
いる。相互コンダクタンス増幅器252は、該増幅器の非
反転入力端子に接続された線258上の入力信号の電圧に
比例した出力電流を線256上に出力する。利得制御回路2
54は、固定抵抗器260、可変抵抗器（FET）262、及びフ
ィルタ264を備えている。フィルタ264は、線256上の交
流の駆動もしくは励振信号をろ波して、該励振信号の大
きさに比例したゆっくりと変化する信号を線268上に出
力する。線268上の信号は、FET262の抵抗を変化させる
ための制御信号として用いられ、これにより線258上に
与えられるフィードバック信号の大きさを変化させる。
もしくは励振回路を示す。説明された型のトランスデュ
ーサに対して、磁界内で振動するビームもしくは諸ビー
ムは、機械的な共振器素子250で示されているように、
並列に接続されたインダクタ、抵抗器及びコンデンサと
して模型化され得る。このような装置を励振させるため
の回路は、正帰還ループ内で素子250に接続された相互
コンダクタンス増幅器252及び利得制御回路254を備えて
いる。相互コンダクタンス増幅器252は、該増幅器の非
反転入力端子に接続された線258上の入力信号の電圧に
比例した出力電流を線256上に出力する。利得制御回路2
54は、固定抵抗器260、可変抵抗器（FET）262、及びフ
ィルタ264を備えている。フィルタ264は、線256上の交
流の駆動もしくは励振信号をろ波して、該励振信号の大
きさに比例したゆっくりと変化する信号を線268上に出
力する。線268上の信号は、FET262の抵抗を変化させる
ための制御信号として用いられ、これにより線258上に
与えられるフィードバック信号の大きさを変化させる。
本発明の好適な実施例を図示しかつ説明してきたけれど
も、当業者には変更もしくは変形が明らかであろう。従
って、本発明の範囲は以下の請求の範囲を参照して決定
されるべきである。
も、当業者には変更もしくは変形が明らかであろう。従
って、本発明の範囲は以下の請求の範囲を参照して決定
されるべきである。
Claims (4)
- 【請求項１】縦方向軸線を有するビームと、前記縦方向
軸線に沿って与えられる力の関数である共振周波数で前
記ビームを振動させるために前記ビームに電気的に結合
された駆動手段とを備えた型の振動ビーム力トランスデ
ューサにおいて、 前記駆動手段は、前記ビームに物理的に結合された電流
通路に沿って電流を導通させる導通手段であって、前記
電流通路が前記縦方向軸線と共に平行で、かつそれぞれ
が前記縦方向軸線を挟んで互いに反対方向に延びる第
１、第２の軸方向成分を有する導通手段と、前記第１、
第２の軸方向成分と直行し、かつ前記第１、第２の軸を
含む平面に平行な成分を有する磁界を作るための磁気手
段とを備え、前記電流通路に沿って流れる電流が、前記
磁界と相互作用して前記ビームにトルクを発生させ、該
トルクにより前記ビームを前記共振周波数でねじれ的に
振動させるようにした振動ビーム力トランスデューサ。 - 【請求項２】前記ビームは、前記縦方向軸線と垂直の方
向に該ビームから横方向に延びる横断部材（172,190）
を備えている請求の範囲第１項記載の振動ビーム力トラ
ンスデューサ。 - 【請求項３】前記導通手段は、前記ビームの一端である
第１の端から前記横断部材に延び、この該横断部材の設
けられた位置で折り返して前記第１の端に戻る導通トレ
ース（196）を含む請求の範囲第２項記載の振動ビーム
力トランスデューサ。 - 【請求項４】前記ビームは、前記縦方向軸線の互いに反
対側に位置付けられた第１及び第２の表面（164,166）
を含み、前記導通手段は、前記第１の表面（164）に沿
って前記ビームの一端である第１の端から前記ビームの
他端である第２の端に隣接した位置まで延びて、該第２
の端に隣接した位置で前記ビームの外周を通って前記第
２の表面（166）に至り、該第２の表面（166）に沿って
前記ビームの第１の端まで延びて戻ってくる導通トレー
ス（170）を含んだ請求の範囲第１項記載の振動ビーム
力トランスデューサ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US315,964 | 1989-02-27 | ||
| US07/315,964 US4912990A (en) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | Magnetically driven vibrating beam force transducer |
| PCT/US1990/000130 WO1990010206A1 (en) | 1989-02-27 | 1990-01-08 | Magnetically driven vibrating beam force transducer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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