JPH0769545B2 - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH0769545B2 JPH0769545B2 JP2214863A JP21486390A JPH0769545B2 JP H0769545 B2 JPH0769545 B2 JP H0769545B2 JP 2214863 A JP2214863 A JP 2214863A JP 21486390 A JP21486390 A JP 21486390A JP H0769545 B2 JPH0769545 B2 JP H0769545B2
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高度な液晶配向能力を有する配向膜を有した
液晶表示素子の製造方法に関し、特にその配向膜自信が
高度な配向性を示す液晶高分子からなり、高コントラス
ト、高品位な液晶表示素子の製造方法に関する。
液晶表示素子の製造方法に関し、特にその配向膜自信が
高度な配向性を示す液晶高分子からなり、高コントラス
ト、高品位な液晶表示素子の製造方法に関する。
従来の液晶表示素子に用いられている配向膜としては、
ポリイミドなどの高分子薄膜をラビング処理したものや
酸化ケイ素の斜方蒸着膜などがあり、また液晶高分子を
用いた配向膜も提案されている。
ポリイミドなどの高分子薄膜をラビング処理したものや
酸化ケイ素の斜方蒸着膜などがあり、また液晶高分子を
用いた配向膜も提案されている。
特開昭61-42618号公報には、液晶高分子を磁場によって
配向させ、配向膜として用いた液晶表示素子が開示され
ている。
配向させ、配向膜として用いた液晶表示素子が開示され
ている。
しかしながら、磁場によって液晶高分子を配向させる方
法は、工業化に適していない。何故なら液晶分子を平行
に配向させるためには液晶高分子もガラス面に対して平
行に配向しなければならないが、大面積表示のためにガ
ラス基板が大きくなると非常に強力な磁場を必要とし、
現在の磁石では達成不能だからである。
法は、工業化に適していない。何故なら液晶分子を平行
に配向させるためには液晶高分子もガラス面に対して平
行に配向しなければならないが、大面積表示のためにガ
ラス基板が大きくなると非常に強力な磁場を必要とし、
現在の磁石では達成不能だからである。
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされた
ものであって、大画面であっても全面均一な配向性を具
備する液晶高分子からなる配向膜を有し、高コントラス
トで高品位な表示が可能な液晶表示素子の製造方法を提
供することを目的とする。
ものであって、大画面であっても全面均一な配向性を具
備する液晶高分子からなる配向膜を有し、高コントラス
トで高品位な表示が可能な液晶表示素子の製造方法を提
供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明によれば、配向膜を液
晶高分子から構成し、該配向膜をラビング等の方法で配
向処理したのち、該液晶高分子の液晶温度で加熱処理す
ることを解決手段とする。
晶高分子から構成し、該配向膜をラビング等の方法で配
向処理したのち、該液晶高分子の液晶温度で加熱処理す
ることを解決手段とする。
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明において配向膜に用いられる液晶高分子材料とし
ては、サーモトロピック液晶高分子が使用され、高温で
ネマチック相を示すサーモトロピック液晶高分子が特に
好ましく使用される。さらに好ましくは、結晶性液晶高
分子が使用される。本発明の液晶高分子は、ヘキスト・
セラニーズ社のベクトラ系のような全芳香族タイプでも
良いし、またイーストマン・コダック社のX7G系のよう
な屈曲鎖が芳香環の間に挿入されたタイプでも良い。こ
れらのタイプの液晶高分子は一般には、溶剤に溶解しに
くいが、非直線分子、ハロゲン置換基導入より溶解性が
向上することが知られている。また分子量の調節によっ
ても溶解性を制御できる。
ては、サーモトロピック液晶高分子が使用され、高温で
ネマチック相を示すサーモトロピック液晶高分子が特に
好ましく使用される。さらに好ましくは、結晶性液晶高
分子が使用される。本発明の液晶高分子は、ヘキスト・
セラニーズ社のベクトラ系のような全芳香族タイプでも
良いし、またイーストマン・コダック社のX7G系のよう
な屈曲鎖が芳香環の間に挿入されたタイプでも良い。こ
れらのタイプの液晶高分子は一般には、溶剤に溶解しに
くいが、非直線分子、ハロゲン置換基導入より溶解性が
向上することが知られている。また分子量の調節によっ
ても溶解性を制御できる。
一般に、液晶高分子は紡糸した後、液晶温度で再加熱す
ることにより、更に伸び率の大きい、高強度を持つよう
になることが特開昭59-62630号公報等に示されている
が、本発明は、ガラス等の基板上に形成した液晶高分子
薄膜においても熱処理を行なうことにより、同様に薄膜
の配向を高度化させることが可能であることを知見した
ことによるものである。
ることにより、更に伸び率の大きい、高強度を持つよう
になることが特開昭59-62630号公報等に示されている
が、本発明は、ガラス等の基板上に形成した液晶高分子
薄膜においても熱処理を行なうことにより、同様に薄膜
の配向を高度化させることが可能であることを知見した
ことによるものである。
本発明による液晶表示素子の具体的な製造方法として
は、先ず、前もってガラス基板に液晶高分子の希薄溶液
を公知の塗布方法、たとえばスピンコート法、ロールコ
ート法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、あるい
はディップコート法で塗布し、溶媒を乾燥させることに
より液晶高分子の薄膜を得る。ついで、このようにして
塗布形成した液晶高分子膜をラビング等の配向処理方法
で一定方向に配向させ、その後基板を好ましくは窒素還
流下、液晶高分子の液晶温度範囲で加熱する。このよう
に処理した基板２枚を互いに配向処理方向が直交するよ
うにして一定のセル厚になるようにスペーサーを介して
液晶セルを形成し、例えばネマティックの低分子液晶を
注入することによって所望の液晶表示素子が得られる。
は、先ず、前もってガラス基板に液晶高分子の希薄溶液
を公知の塗布方法、たとえばスピンコート法、ロールコ
ート法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、あるい
はディップコート法で塗布し、溶媒を乾燥させることに
より液晶高分子の薄膜を得る。ついで、このようにして
塗布形成した液晶高分子膜をラビング等の配向処理方法
で一定方向に配向させ、その後基板を好ましくは窒素還
流下、液晶高分子の液晶温度範囲で加熱する。このよう
に処理した基板２枚を互いに配向処理方向が直交するよ
うにして一定のセル厚になるようにスペーサーを介して
液晶セルを形成し、例えばネマティックの低分子液晶を
注入することによって所望の液晶表示素子が得られる。
上記配向処理としては、ラビング以外にも流動、せん断
応力、温度勾配法等も使用することができる。加熱処理
時間は５〜10分程度で十分である。
応力、温度勾配法等も使用することができる。加熱処理
時間は５〜10分程度で十分である。
以下本発明につき、実施例をあげて具体的に記述する
が、本発明はここに例示の実施例のみに限定されるもの
ではない。
が、本発明はここに例示の実施例のみに限定されるもの
ではない。
（実施例１） 配向膜用液晶高分子として、ヘキスト・セラニーズ社の
ベクトラ系の材料を使用した。この液晶高分子は297℃
〜326℃まで液晶相を示す。この高分子の2wt％Ｎチルピ
ロリドン溶液を調製し、透明電極（ITO）を有するガラ
ス基板上にスピンコーターで回転数1500r.m.s.30秒間の
条件で塗布した後、200℃で１時間乾燥したところ、約1
00nm厚の配向膜を得ることができた。この配向膜をナイ
ロン布で一定方向にラビングした後、オーク製作所の複
屈折測定装置で配向膜の複屈折を測定したところ0.7nm
の複屈折を得た。
ベクトラ系の材料を使用した。この液晶高分子は297℃
〜326℃まで液晶相を示す。この高分子の2wt％Ｎチルピ
ロリドン溶液を調製し、透明電極（ITO）を有するガラ
ス基板上にスピンコーターで回転数1500r.m.s.30秒間の
条件で塗布した後、200℃で１時間乾燥したところ、約1
00nm厚の配向膜を得ることができた。この配向膜をナイ
ロン布で一定方向にラビングした後、オーク製作所の複
屈折測定装置で配向膜の複屈折を測定したところ0.7nm
の複屈折を得た。
この基板を300℃で10分間加熱処理し、同様に複屈折を
測定したところ12.2nmに増加していた。
測定したところ12.2nmに増加していた。
このようにして得た基板２枚を配向方向が直交するよう
に９μｍのスペーサを介して平行に重ね合わせ、その後
カイラル剤としてコレステリックノナネートを0.1wt％
添加したネマティック液晶（ZLI1565メルク社製）を注
入して液晶セルを作成した。この液晶セルに60Hzの矩形
波を印加したところ、しきい値1.9Vで光学変化が観察さ
れた。この光学変化は2.7Vで90％飽和値に達した。
に９μｍのスペーサを介して平行に重ね合わせ、その後
カイラル剤としてコレステリックノナネートを0.1wt％
添加したネマティック液晶（ZLI1565メルク社製）を注
入して液晶セルを作成した。この液晶セルに60Hzの矩形
波を印加したところ、しきい値1.9Vで光学変化が観察さ
れた。この光学変化は2.7Vで90％飽和値に達した。
（実施例２） 実施例１と同様にして成膜して得た配向膜をナイロン布
でラビングした。その際ラビングロールと基板の間の距
離を1.0、1.1、1.2、1.3、1.4mmと変化させた。さらに
一部の基板は300℃で10分間加熱処理した。これら基板
を加熱処理したものはしたものどおし、していないもの
はしていないものどおし９μｍのスペーサーを介して平
行に重ね合わせ、その後二色性色素を３重量％添加した
ネマティック液晶（ZLI1565）を注入して液晶セルとし
た。これらの液晶セルの二色比を測定したところ、表−
１のようになった。前記二色性色素は赤紫を呈しており
中心波長550nmで二色比の測定を行なった。
でラビングした。その際ラビングロールと基板の間の距
離を1.0、1.1、1.2、1.3、1.4mmと変化させた。さらに
一部の基板は300℃で10分間加熱処理した。これら基板
を加熱処理したものはしたものどおし、していないもの
はしていないものどおし９μｍのスペーサーを介して平
行に重ね合わせ、その後二色性色素を３重量％添加した
ネマティック液晶（ZLI1565）を注入して液晶セルとし
た。これらの液晶セルの二色比を測定したところ、表−
１のようになった。前記二色性色素は赤紫を呈しており
中心波長550nmで二色比の測定を行なった。
表−１に示したように、熱処理したものでは、していな
いものより高い二色比を示し、またラビング条件の変化
に対してもあまり影響されず、高い二色比を示してい
る。
いものより高い二色比を示し、またラビング条件の変化
に対してもあまり影響されず、高い二色比を示してい
る。
以上説明したように、本発明によれば、大画面であって
も全面均一でかつ高度の配向性を有する配向膜を有し、
大型画面であっても高コントラストで高品位な液晶表示
を行うことができる液晶表示素子が得られる。また、本
発明における配向膜の形成は液晶高分子からなる薄膜を
配向処理したのち熱処理するだけでよく、工業的にも有
利となるなどの効果を有する。
も全面均一でかつ高度の配向性を有する配向膜を有し、
大型画面であっても高コントラストで高品位な液晶表示
を行うことができる液晶表示素子が得られる。また、本
発明における配向膜の形成は液晶高分子からなる薄膜を
配向処理したのち熱処理するだけでよく、工業的にも有
利となるなどの効果を有する。
Claims (1)
- 【請求項１】配向膜を有する液晶表示素子の製造方法に
おいて、 基板上に液晶高分子からなる薄膜を成膜し、該薄膜を配
向処理した後、前記液晶高分子の液晶性を示す温度範囲
で加熱処理して配向膜を形成することを特徴とする液晶
表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214863A JPH0769545B2 (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214863A JPH0769545B2 (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497318A JPH0497318A (ja) | 1992-03-30 |
| JPH0769545B2 true JPH0769545B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16662808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2214863A Expired - Lifetime JPH0769545B2 (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769545B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2534311B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1996-09-11 | 出光興産株式会社 | 液晶光学素子の製造方法 |
| JP2646389B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1997-08-27 | キヤノン株式会社 | 高分子液晶の配向方法 |
-
1990
- 1990-08-14 JP JP2214863A patent/JPH0769545B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0497318A (ja) | 1992-03-30 |
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