JPH0769727A - カーボン基板の製造方法 - Google Patents
カーボン基板の製造方法Info
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- JPH0769727A JPH0769727A JP5238883A JP23888393A JPH0769727A JP H0769727 A JPH0769727 A JP H0769727A JP 5238883 A JP5238883 A JP 5238883A JP 23888393 A JP23888393 A JP 23888393A JP H0769727 A JPH0769727 A JP H0769727A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板欠陥が抑制され、成形時間の短縮及び成
形作業の簡素化が容易なカーボン基板の製造方法を提供
する。 【構成】 粒径が１５０μｍ以上、ＨＰＦが８０乃至１
５０ｍｍ、水分量が１．０乃至３．０重量％、Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｓｉ及びＣａが夫々５ｐｐｍ以下である熱硬化性樹
脂粉末を原料として使用する。この原料を冷間加圧して
タブレットに成形し、高周波予熱炉４により、予熱す
る。その後、成形プレス装置７，８により、カーボン基
板形状に成形する。
形作業の簡素化が容易なカーボン基板の製造方法を提供
する。 【構成】 粒径が１５０μｍ以上、ＨＰＦが８０乃至１
５０ｍｍ、水分量が１．０乃至３．０重量％、Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｓｉ及びＣａが夫々５ｐｐｍ以下である熱硬化性樹
脂粉末を原料として使用する。この原料を冷間加圧して
タブレットに成形し、高周波予熱炉４により、予熱す
る。その後、成形プレス装置７，８により、カーボン基
板形状に成形する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク、磁気ヘッ
ド用基板、光学レンズ鋳型、光学用反射板基板及び感光
体ドラム等の基板として好適のカーボン基板の製造方法
に関する。
ド用基板、光学レンズ鋳型、光学用反射板基板及び感光
体ドラム等の基板として好適のカーボン基板の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の用途に使用されるカーボン基板
の製造方法としては、フェノールホルムアルデヒド樹脂
の粉末を金型に充填し、１００乃至２００ｋｇ／ｍｍ2
（例えば、１５０ｋｇ／ｍｍ2）の加圧力を加え、１５
０乃至１７０℃（例えば、１６０℃）の温度で、３０乃
至６０分間（例えば、４５分間）成形する方法が公知で
ある（特開昭６２−２３４２３２号）。
の製造方法としては、フェノールホルムアルデヒド樹脂
の粉末を金型に充填し、１００乃至２００ｋｇ／ｍｍ2
（例えば、１５０ｋｇ／ｍｍ2）の加圧力を加え、１５
０乃至１７０℃（例えば、１６０℃）の温度で、３０乃
至６０分間（例えば、４５分間）成形する方法が公知で
ある（特開昭６２−２３４２３２号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のカーボン基板の製造方法は、成形時に発生するボイ
ド（気孔）が炭化焼成又は表面研磨後に基板欠陥とな
る。また、この従来方法は、成形時に多量のガスを発生
するため、成形に必要な時間が長く、このため製造コス
トが高いという難点がある。更に、粉体を金型に充填す
る際に、金型は高温であるために、金型面に接触した部
分から硬化が進むため、初期に装入した粉体から硬化が
開始され、成形体の均一性が悪い。このように成形体の
均一性が悪いことが、基板欠陥の原因になる。また、金
型清掃に時間がかかり、取り扱いが煩雑であるので、連
続工程での成形が困難である。
来のカーボン基板の製造方法は、成形時に発生するボイ
ド（気孔）が炭化焼成又は表面研磨後に基板欠陥とな
る。また、この従来方法は、成形時に多量のガスを発生
するため、成形に必要な時間が長く、このため製造コス
トが高いという難点がある。更に、粉体を金型に充填す
る際に、金型は高温であるために、金型面に接触した部
分から硬化が進むため、初期に装入した粉体から硬化が
開始され、成形体の均一性が悪い。このように成形体の
均一性が悪いことが、基板欠陥の原因になる。また、金
型清掃に時間がかかり、取り扱いが煩雑であるので、連
続工程での成形が困難である。
【０００４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、基板欠陥が抑制され、成形時間の短縮及び
成形作業の簡素化が容易なカーボン基板の製造方法を提
供することを目的とする。
のであって、基板欠陥が抑制され、成形時間の短縮及び
成形作業の簡素化が容易なカーボン基板の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るカーボン基
板の製造方法は、粒径が１５０μｍ以上、ＨＰＦが８０
乃至１５０ｍｍ、水分量が１．０乃至３．０重量％、Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｓｉ及びＣａが夫々５ｐｐｍ以下である熱硬
化性樹脂粉末を原料として使用することを特徴とする。
板の製造方法は、粒径が１５０μｍ以上、ＨＰＦが８０
乃至１５０ｍｍ、水分量が１．０乃至３．０重量％、Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｓｉ及びＣａが夫々５ｐｐｍ以下である熱硬
化性樹脂粉末を原料として使用することを特徴とする。
【０００６】但し、ＨＰＦとは樹脂円盤流れ（Hot Pres
sing Flow）という樹脂の硬化の程度を示すパラメータ
であり、２ｇの樹脂を推力が１．１４５ｋｇ、温度が１
６０℃、保持時間が６０秒の条件でホットプレスしたと
きの樹脂の流れをもって硬化の程度を現したものであ
る。
sing Flow）という樹脂の硬化の程度を示すパラメータ
であり、２ｇの樹脂を推力が１．１４５ｋｇ、温度が１
６０℃、保持時間が６０秒の条件でホットプレスしたと
きの樹脂の流れをもって硬化の程度を現したものであ
る。
【０００７】
【作用】本願発明者らが炭化焼成後に基板欠陥が発生す
る原因について実験研究した結果、成形時のボイド（気
孔）及び樹脂中の金属不純物が触媒として作用し、黒鉛
を発生させることが判明した。従って、使用する原料中
に存在する金属不純物、特にＳｉ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃａの
量を低減することにより、黒鉛の発生を抑制することが
できる。
る原因について実験研究した結果、成形時のボイド（気
孔）及び樹脂中の金属不純物が触媒として作用し、黒鉛
を発生させることが判明した。従って、使用する原料中
に存在する金属不純物、特にＳｉ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃａの
量を低減することにより、黒鉛の発生を抑制することが
できる。
【０００８】また、原料の粒径、硬化の程度及び樹脂中
の水分量も最適化することにより、成形時のボイドの発
生を著しく低減することができる。
の水分量も最適化することにより、成形時のボイドの発
生を著しく低減することができる。
【０００９】熱硬化性樹脂粉末からなる原料の粒径は１
５０μｍ以上である。原料粒径が１５０μｍ未満である
と、タブレットの作成の際に、高い圧力と、長い圧力保
持時間とが必要であり、製造コストが高くなると共に、
連続生産が困難になる。また、粒径が小さいと取り扱い
が困難になり、生産効率が悪化する。このため、原料粉
末の粒径は１５０μｍ以上とする。
５０μｍ以上である。原料粒径が１５０μｍ未満である
と、タブレットの作成の際に、高い圧力と、長い圧力保
持時間とが必要であり、製造コストが高くなると共に、
連続生産が困難になる。また、粒径が小さいと取り扱い
が困難になり、生産効率が悪化する。このため、原料粉
末の粒径は１５０μｍ以上とする。
【００１０】ＨＰＦが８０未満になると、成形時に溶融
が不十分になり、成形体に粒界が生じ、基板欠陥が発生
する。ＨＰＦが１５０を超えると、成形時にボイド（気
孔）の発生が生じ、基板欠陥が発生する。このため、Ｈ
ＰＦは８０乃至１５０μｍとする。
が不十分になり、成形体に粒界が生じ、基板欠陥が発生
する。ＨＰＦが１５０を超えると、成形時にボイド（気
孔）の発生が生じ、基板欠陥が発生する。このため、Ｈ
ＰＦは８０乃至１５０μｍとする。
【００１１】また、水分量が１．０重量％未満である
と、タブレットの保形性を維持できず、安定した形状及
び重量のタブレットを得ることができなくなる。水分量
が３．０重量％を超えると、成形時のガス発生量が膨大
になり、成形体中に微細なボイド（気孔）が残存してし
まう。このため、原料の水分量は１．０乃至３．０重量
％にする。
と、タブレットの保形性を維持できず、安定した形状及
び重量のタブレットを得ることができなくなる。水分量
が３．０重量％を超えると、成形時のガス発生量が膨大
になり、成形体中に微細なボイド（気孔）が残存してし
まう。このため、原料の水分量は１．０乃至３．０重量
％にする。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について、添付の図面
を参照して具体的に説明する。図１は本発明の実施例に
係るカーボン基板の製造方法を示し、特にタブレットの
成形方法を示す。
を参照して具体的に説明する。図１は本発明の実施例に
係るカーボン基板の製造方法を示し、特にタブレットの
成形方法を示す。
【００１３】先ず、図１を参照して本発明の実施例方法
におけるタブレットの成形方法について説明する。タブ
レッタ１において、所定の組成の熱硬化性樹脂の粉末
を、常温下で加圧することにより、所定のタブレット形
状に成形する。タブレッタ１からのタブレット３はスト
ッカ２により集められ、ストッカ２から高周波予熱炉４
に送られる。タブレット３は高周波予熱炉２にて予熱さ
れて、脱水及び硬化反応が進行する。この高周波予熱炉
４にて予熱された後、タブレット３はコンベア５により
整列装置６に送られる。タブレット３は整列装置６によ
りストッカ９上に整列状態で収納される。そして、スト
ッカ９上に載置されたタブレット３は、成形プレス装置
７、８により熱間プレス成形される。次いで、タブレッ
ト３はストッカ９上でバリ取りされ、放冷される。その
後、タブレット３は、歪取りプレス装置１０により圧力
を印加しつつ放冷され、 歪取りプレスされて反りが防
止される。
におけるタブレットの成形方法について説明する。タブ
レッタ１において、所定の組成の熱硬化性樹脂の粉末
を、常温下で加圧することにより、所定のタブレット形
状に成形する。タブレッタ１からのタブレット３はスト
ッカ２により集められ、ストッカ２から高周波予熱炉４
に送られる。タブレット３は高周波予熱炉２にて予熱さ
れて、脱水及び硬化反応が進行する。この高周波予熱炉
４にて予熱された後、タブレット３はコンベア５により
整列装置６に送られる。タブレット３は整列装置６によ
りストッカ９上に整列状態で収納される。そして、スト
ッカ９上に載置されたタブレット３は、成形プレス装置
７、８により熱間プレス成形される。次いで、タブレッ
ト３はストッカ９上でバリ取りされ、放冷される。その
後、タブレット３は、歪取りプレス装置１０により圧力
を印加しつつ放冷され、 歪取りプレスされて反りが防
止される。
【００１４】上述のタブレットの成形方法においては、
タブレッタ１にて熱硬化性樹脂粉末を冷間成形してタブ
レット３を得た後、このタブレット３を高周波予熱炉４
にて高周波加熱して予熱する。この場合に、高周波予熱
炉４においては、１室に例えば６個のタブレット３が収
納され、各室あたり、同時に６個のタブレット３を高周
波加熱し、１個のタブレット当たり約２分の時間で脱水
処理できるので、生産性が高い。予熱後のタブレット３
は、成形プレス装置７、８によりホットプレスされ、更
に歪取りプレスした後、焼成されてカーボン基板が製造
される。各タブレットの焼成時間は例えば約５乃至６分
である。このように、タブレット３を複数個まとめて予
熱した後、ホットプレスしてカーボン基板を作成するの
で、従来に比して極めて短い時間でカーボン基板を成形
し、製造することができる。
タブレッタ１にて熱硬化性樹脂粉末を冷間成形してタブ
レット３を得た後、このタブレット３を高周波予熱炉４
にて高周波加熱して予熱する。この場合に、高周波予熱
炉４においては、１室に例えば６個のタブレット３が収
納され、各室あたり、同時に６個のタブレット３を高周
波加熱し、１個のタブレット当たり約２分の時間で脱水
処理できるので、生産性が高い。予熱後のタブレット３
は、成形プレス装置７、８によりホットプレスされ、更
に歪取りプレスした後、焼成されてカーボン基板が製造
される。各タブレットの焼成時間は例えば約５乃至６分
である。このように、タブレット３を複数個まとめて予
熱した後、ホットプレスしてカーボン基板を作成するの
で、従来に比して極めて短い時間でカーボン基板を成形
し、製造することができる。
【００１５】次に、本発明の他の実施例に係るカーボン
基板の製造方法について、図２を参照して説明する。本
実施例は熱硬化性樹脂粉末から直接カーボン基板を成形
するものである。１組の成形型は円板状の下型２１及び
上型２２と、これらの下型２１及び上型２２が嵌め込ま
れるリング型２３とからなる。型組立部３７において、
リング型２３内に下型２１が嵌合されて成形型が組み立
てられる。そして、原料投入部３１において、下型２１
が嵌合したリング型２３内に熱硬化性樹脂粉末がフィー
ダ（図示せず）により投入される。この場合に、成形型
は室温であり、冷間で樹脂粉末が充填される。樹脂の充
填後、上型２２がリング型２３に嵌め込まれ、この上型
２２の重量により内部の粉末は若干硬化する。
基板の製造方法について、図２を参照して説明する。本
実施例は熱硬化性樹脂粉末から直接カーボン基板を成形
するものである。１組の成形型は円板状の下型２１及び
上型２２と、これらの下型２１及び上型２２が嵌め込ま
れるリング型２３とからなる。型組立部３７において、
リング型２３内に下型２１が嵌合されて成形型が組み立
てられる。そして、原料投入部３１において、下型２１
が嵌合したリング型２３内に熱硬化性樹脂粉末がフィー
ダ（図示せず）により投入される。この場合に、成形型
は室温であり、冷間で樹脂粉末が充填される。樹脂の充
填後、上型２２がリング型２３に嵌め込まれ、この上型
２２の重量により内部の粉末は若干硬化する。
【００１６】次いで、樹脂が充填された成形型は、熱間
成形装置３２に搬入される。この熱間成形装置３２にお
いては、各成形型は熱盤４１を間に挟んで積み上げられ
ており、これらを例えば１５０℃に加熱しつつ、最下段
の熱盤４１と最上段の熱盤４１との間に例えば５００ト
ンの荷重を印加して、樹脂粉末を熱間加圧成形する。
成形装置３２に搬入される。この熱間成形装置３２にお
いては、各成形型は熱盤４１を間に挟んで積み上げられ
ており、これらを例えば１５０℃に加熱しつつ、最下段
の熱盤４１と最上段の熱盤４１との間に例えば５００ト
ンの荷重を印加して、樹脂粉末を熱間加圧成形する。
【００１７】その後、各成形型は熱盤４１を取り除かれ
た後、冷却装置３３に搬入され、水冷盤４２を間に挟ん
で積み上げられる。この水冷盤４２はその内部を水が循
環供給されるようになっており、これにより、成形型内
の樹脂は水冷型等を重石として圧力を印加しつつ急冷す
るようになっている。これにより、成形型内の樹脂成形
物は冷却時に反りが発生することが防止される。
た後、冷却装置３３に搬入され、水冷盤４２を間に挟ん
で積み上げられる。この水冷盤４２はその内部を水が循
環供給されるようになっており、これにより、成形型内
の樹脂は水冷型等を重石として圧力を印加しつつ急冷す
るようになっている。これにより、成形型内の樹脂成形
物は冷却時に反りが発生することが防止される。
【００１８】次いで、冷却後の成形型は型ばらし装置３
４に送られ、リング型２３、下型２１及び上型２２が解
体され、内部の樹脂成形物が取り出される。解体された
各型は、搬送装置３５により型清掃装置３６に搬送さ
れ、この型清掃装置３６において各型は清浄化される。
型清浄後の各型は型組立部３７に送られる。
４に送られ、リング型２３、下型２１及び上型２２が解
体され、内部の樹脂成形物が取り出される。解体された
各型は、搬送装置３５により型清掃装置３６に搬送さ
れ、この型清掃装置３６において各型は清浄化される。
型清浄後の各型は型組立部３７に送られる。
【００１９】一方、成形型から取り出された樹脂成形物
は、型切断装置３８に送られ、この型切断装置３８にお
いて、樹脂成形物から所定の直径を有するカーボン基板
が複数個切り出される。図３はこの樹脂成形物４３から
円輪状に切り出されるカーボン基板４４を示す。切り出
し手段としては、レーザー、ジェットウォーター、打ち
抜き及び切断等の方法がある。そして、各カーボン基板
４４は、洗浄乾燥装置３９において、洗浄され、乾燥さ
れて製品となる。
は、型切断装置３８に送られ、この型切断装置３８にお
いて、樹脂成形物から所定の直径を有するカーボン基板
が複数個切り出される。図３はこの樹脂成形物４３から
円輪状に切り出されるカーボン基板４４を示す。切り出
し手段としては、レーザー、ジェットウォーター、打ち
抜き及び切断等の方法がある。そして、各カーボン基板
４４は、洗浄乾燥装置３９において、洗浄され、乾燥さ
れて製品となる。
【００２０】このようにして、本実施例方法において
は、原料粉末を直接金型に充填して円板状に成形するの
で、一旦タブレット状に成形する必要がないので、製造
工程が簡素であり、製造コストを低減することができ
る。
は、原料粉末を直接金型に充填して円板状に成形するの
で、一旦タブレット状に成形する必要がないので、製造
工程が簡素であり、製造コストを低減することができ
る。
【００２１】上述の本発明の各実施例方法においては、
従来よりも成形時間が短くなり、従来３０〜６０分必要
であったものが１０分以下まで成形時間を短縮すること
ができる。このため、製造コストを低減することができ
る。特に、近時、磁気ディスクの小径化が促進されてお
り、直径が２．５インチ、１．８インチ及び１．３イン
チ等の小径のものが実用化されるようになってきたとい
う背景の下で、その低価格化が要求されており、本発明
の第１及び第２実施例のようにカーボン基板の製造コス
トを低減できることは極めて有益である。
従来よりも成形時間が短くなり、従来３０〜６０分必要
であったものが１０分以下まで成形時間を短縮すること
ができる。このため、製造コストを低減することができ
る。特に、近時、磁気ディスクの小径化が促進されてお
り、直径が２．５インチ、１．８インチ及び１．３イン
チ等の小径のものが実用化されるようになってきたとい
う背景の下で、その低価格化が要求されており、本発明
の第１及び第２実施例のようにカーボン基板の製造コス
トを低減できることは極めて有益である。
【００２２】次に、本発明の実施例方法により実際にカ
ーボン基板を作成し、各種の特性が製品品質に及ぼす影
響について調べた結果を比較例と比較して説明する。
ーボン基板を作成し、各種の特性が製品品質に及ぼす影
響について調べた結果を比較例と比較して説明する。
【００２３】先ず、ＨＰＦの条件を変えた実施例につい
て説明する。図２に示す装置により、フェノールホルム
アルデヒド樹脂粉末を金型に充填し、下記実施例１，２
及び比較例１，２の条件でホットプレスを行い、外形が
７０ｍｍ，内径が１０ｍｍ，板厚が１．２ｍｍの成形体
を得た。得られた成形体を窒素ガス雰囲気中で１２００
℃まで加熱して焼成した。その後、この焼成体を熱間静
水圧加圧装置を使用して２５００℃及び２０００気圧の
条件で熱間静水圧加圧（ＨＩＰ）処理し、カーボンブラ
ンク材を作成した。
て説明する。図２に示す装置により、フェノールホルム
アルデヒド樹脂粉末を金型に充填し、下記実施例１，２
及び比較例１，２の条件でホットプレスを行い、外形が
７０ｍｍ，内径が１０ｍｍ，板厚が１．２ｍｍの成形体
を得た。得られた成形体を窒素ガス雰囲気中で１２００
℃まで加熱して焼成した。その後、この焼成体を熱間静
水圧加圧装置を使用して２５００℃及び２０００気圧の
条件で熱間静水圧加圧（ＨＩＰ）処理し、カーボンブラ
ンク材を作成した。
【００２４】実施例１：平均粒径が３００μｍ、水分量
が２．０重量％、ＨＰＦが８０ｍｍの原料を使用し、予
熱時間が１分、成形温度が１６０℃、加圧時間が５分の
条件で成形した結果、粒界及びボイド（気孔）がない良
好な成形体を得ることができた。
が２．０重量％、ＨＰＦが８０ｍｍの原料を使用し、予
熱時間が１分、成形温度が１６０℃、加圧時間が５分の
条件で成形した結果、粒界及びボイド（気孔）がない良
好な成形体を得ることができた。
【００２５】実施例２：平均粒径が５００μｍ、水分量
が１．０重量％、ＨＰＦが１５０ｍｍの原料を使用し、
予熱時間が１分、成形温度が１６０℃、加圧時間が５分
の条件で成形した結果、粒界及びボイド（気孔）がない
良好な成形体を得ることができた。
が１．０重量％、ＨＰＦが１５０ｍｍの原料を使用し、
予熱時間が１分、成形温度が１６０℃、加圧時間が５分
の条件で成形した結果、粒界及びボイド（気孔）がない
良好な成形体を得ることができた。
【００２６】比較例１：平均粒径が５００μｍ、水分量
が１．０重量％、ＨＰＦが５０ｍｍの原料を使用し、予
熱時間が１分、成形温度が１６０℃、加圧時間が５分の
条件で成形した結果、粒界が多く残存していた。
が１．０重量％、ＨＰＦが５０ｍｍの原料を使用し、予
熱時間が１分、成形温度が１６０℃、加圧時間が５分の
条件で成形した結果、粒界が多く残存していた。
【００２７】比較例２：平均粒径が５００μｍ、水分量
が１．０重量％、ＨＰＦが１８０ｍｍの原料を使用し、
予熱時間が１分、成形温度が１６０℃、加圧時間が５分
の条件で成形した結果、ボイド（気孔）が多発した。
が１．０重量％、ＨＰＦが１８０ｍｍの原料を使用し、
予熱時間が１分、成形温度が１６０℃、加圧時間が５分
の条件で成形した結果、ボイド（気孔）が多発した。
【００２８】図４乃至６はこれらの実施例１及び比較例
１，２の成形体の断面組織を示す写真である。比較例
１，２はＨＰＦが本発明の範囲から外れるので、粒界又
はボイドが多数存在するのに対し、実施例１の場合はＨ
ＰＦが本発明にて規定した範囲内にあるので、これらの
粒界及びボイドがない健全な成形体が得られている。
１，２の成形体の断面組織を示す写真である。比較例
１，２はＨＰＦが本発明の範囲から外れるので、粒界又
はボイドが多数存在するのに対し、実施例１の場合はＨ
ＰＦが本発明にて規定した範囲内にあるので、これらの
粒界及びボイドがない健全な成形体が得られている。
【００２９】次に、図１に示す装置を使用してカーボン
基板を製造し、下記実施例３乃至５及び比較例３乃至５
の条件で水分量及び粒径を種々変えてその影響を調べた
実施例について、その比較例と比較して説明する。フェ
ノールホルムアルデヒド樹脂粉末を冷間プレス加工によ
り、所定のタブレット形状に成形した。加圧装置として
１００トンの油圧装置を使用し、直径が４．２ｍｍ、厚
さが１０ｍｍのタブレットの固形化を行った。このタブ
レット成形体を高周波加熱装置により予熱した後、ホッ
トプレス成形し、外径が７０ｍｍ、内径が１０ｍｍ、板
厚が１．２ｍｍの成形体を得た。
基板を製造し、下記実施例３乃至５及び比較例３乃至５
の条件で水分量及び粒径を種々変えてその影響を調べた
実施例について、その比較例と比較して説明する。フェ
ノールホルムアルデヒド樹脂粉末を冷間プレス加工によ
り、所定のタブレット形状に成形した。加圧装置として
１００トンの油圧装置を使用し、直径が４．２ｍｍ、厚
さが１０ｍｍのタブレットの固形化を行った。このタブ
レット成形体を高周波加熱装置により予熱した後、ホッ
トプレス成形し、外径が７０ｍｍ、内径が１０ｍｍ、板
厚が１．２ｍｍの成形体を得た。
【００３０】得られた成形体を窒素ガス雰囲気中で１２
００℃まで加熱して焼成した後、熱間静水圧加圧装置を
使用して、２５００℃及び２０００気圧の条件でＨＩＰ
処理し、カーボンブランク材を作成した。
００℃まで加熱して焼成した後、熱間静水圧加圧装置を
使用して、２５００℃及び２０００気圧の条件でＨＩＰ
処理し、カーボンブランク材を作成した。
【００３１】実施例３：原料は平均粒径が１５０μｍ、
水分量が２．０重量％であり、この原料を面圧が１００
０ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、良好なタブレットが得られ、このタブレットを使用
したカーボン基板の成形品も粒界及びボイドがない健全
なものが得られた。
水分量が２．０重量％であり、この原料を面圧が１００
０ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、良好なタブレットが得られ、このタブレットを使用
したカーボン基板の成形品も粒界及びボイドがない健全
なものが得られた。
【００３２】実施例４：原料は平均粒径が５００μｍ、
水分量が２．０重量％であり、この原料を面圧が１００
０ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、良好なタブレットが得られ、このタブレットを使用
したカーボン基板の成形品も粒界及びボイドがない健全
なものが得られた。
水分量が２．０重量％であり、この原料を面圧が１００
０ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、良好なタブレットが得られ、このタブレットを使用
したカーボン基板の成形品も粒界及びボイドがない健全
なものが得られた。
【００３３】実施例５：原料は平均粒径が１０００μ
ｍ、水分量が１．０重量％であり、この原料を面圧が１
０００ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形し
た結果、良好なタブレットが得られ、このタブレットを
使用したカーボン基板の成形品も粒界及びボイドがない
健全なものが得られた。
ｍ、水分量が１．０重量％であり、この原料を面圧が１
０００ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形し
た結果、良好なタブレットが得られ、このタブレットを
使用したカーボン基板の成形品も粒界及びボイドがない
健全なものが得られた。
【００３４】比較例３：原料は平均粒径が５０μｍ、水
分量が２．０重量％であり、この原料を面圧が１０００
ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、粒径が小さいので、タブレットの保形性が得られ
ず、良品が得られなかった。
分量が２．０重量％であり、この原料を面圧が１０００
ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、粒径が小さいので、タブレットの保形性が得られ
ず、良品が得られなかった。
【００３５】比較例４：原料は平均粒径が１５０μｍ、
水分量が０．５重量％であり、この原料を面圧が１００
０ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、水分量が少ないので、タブレットの保形性が得られ
ず、良品が得られなかった。
水分量が０．５重量％であり、この原料を面圧が１００
０ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、水分量が少ないので、タブレットの保形性が得られ
ず、良品が得られなかった。
【００３６】比較例５：原料は平均粒径が１５０μｍ、
水分量が４．０重量％であり、この原料を面圧が１００
０ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、水分量が多いので、良好なタブレットが得られず、
このタブレットを使用してカーボン基板を成形した結
果、得られたカーボン基板にはボイドが多発していた。
水分量が４．０重量％であり、この原料を面圧が１００
０ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間が１０秒の条件で成形した結
果、水分量が多いので、良好なタブレットが得られず、
このタブレットを使用してカーボン基板を成形した結
果、得られたカーボン基板にはボイドが多発していた。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
熱硬化性樹脂原料の粒径、ＨＰＦ、水分量及び金属元素
含有量等の性質を適正に規制したので、成形時の粒界及
びボイド（気孔）の発生を防止でき、欠陥がない基板を
製造することができ、本発明は磁気ディスク及び感光体
ドラム等に使用されるカーボン基板として極めて有用な
カーボン基板を提供することができる。
熱硬化性樹脂原料の粒径、ＨＰＦ、水分量及び金属元素
含有量等の性質を適正に規制したので、成形時の粒界及
びボイド（気孔）の発生を防止でき、欠陥がない基板を
製造することができ、本発明は磁気ディスク及び感光体
ドラム等に使用されるカーボン基板として極めて有用な
カーボン基板を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す模式図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す模式図である。
【図３】この第２実施例におけるカーボン基板の切り出
し方法を説明する模式図である。
し方法を説明する模式図である。
【図４】実施例１の成形体の断面組織を示す写真であ
る。
る。
【図５】比較例１の成形体の断面組織を示す写真であ
る。
る。
【図４】比較例２の成形体の断面組織を示す写真であ
る。
る。
１；タブレッタ ２，９；ストッカ ３；タブレット ４；高周波予熱炉 ７，８；成形プレス １０；歪み取りプレス ２１；下型 ２２；上型 ２３；リング型 ３１；原料投入部 ３２；熱間成形装置 ３３；冷却装置 ３４；型ばらし装置 ３６；型清掃装置 ３７；型組立部 ３８；型切り出し装置 ３９；洗浄乾燥装置 ４１；熱盤 ４２；水冷盤
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す模式図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す模式図である。
【図３】この第２実施例におけるカーボン基板の切り出
し方法を説明する模式図である。
し方法を説明する模式図である。
【図４】実施例１の成形体の断面組織を示す写真であ
る。
る。
【図５】比較例１の成形体の断面組織を示す写真であ
る。
る。
【図６】比較例２の成形体の断面組織を示す写真であ
る。
る。
【符号の説明】 １；タブレッタ ２，９；ストッカ ３；タブレット ４；高周波予熱炉 ７，８；成形プレス １０；歪み取りプレス ２１；下型 ２２；上型 ２３；リング型 ３１；原料投入部 ３２；熱間成形装置 ３３；冷却装置 ３４；型ばらし装置 ３６；型清掃装置 ３７；型組立部 ３８；型切り出し装置 ３９；洗浄乾燥装置 ４１；熱盤 ４２；水冷盤
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】図４乃至６は夫々これらの実施例１及び比
較例１，２の成形体の断面組織の写真をそのままトレー
スした図面である。比較例１，２はＨＰＦが本発明の範
囲から外れるので、粒界又はボイドが多数存在するのに
対し、実施例１の場合はＨＰＦが本発明にて規定した範
囲内にあるので、これらの粒界及びボイドがない健全な
成形体が得られている。
較例１，２の成形体の断面組織の写真をそのままトレー
スした図面である。比較例１，２はＨＰＦが本発明の範
囲から外れるので、粒界又はボイドが多数存在するのに
対し、実施例１の場合はＨＰＦが本発明にて規定した範
囲内にあるので、これらの粒界及びボイドがない健全な
成形体が得られている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】実施例１の成形体の断面組織を示す写真をその
ままトレースした図面である。
ままトレースした図面である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】比較例１の成形体の断面組織を示す写真をその
ままトレースした図面である。
ままトレースした図面である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】比較例２の成形体の断面組織を示す写真をその
ままトレースした図面である。
ままトレースした図面である。
Claims (1)
- 【請求項１】 粒径が１５０μｍ以上、ＨＰＦが８０乃
至１５０ｍｍ、水分量が１．０乃至３．０重量％、Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｓｉ及びＣａが夫々５ｐｐｍ以下である熱硬
化性樹脂粉末を原料として使用することを特徴とするカ
ーボン基板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5238883A JPH0769727A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | カーボン基板の製造方法 |
| DE4430570A DE4430570C2 (de) | 1993-08-30 | 1994-08-30 | Verfahren zum Herstellen eines Kohlenstoffsubstrates |
| GB9417407A GB2281557B (en) | 1993-08-30 | 1994-08-30 | Method of manufacturing carbon substrate |
| US08/297,811 US5580500A (en) | 1993-08-30 | 1994-08-30 | Method of manufacturing carbon substrate |
| MYPI94002276A MY131767A (en) | 1993-08-30 | 1994-08-30 | Method of manufacturing carbon substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5238883A JPH0769727A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | カーボン基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0769727A true JPH0769727A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=17036687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5238883A Pending JPH0769727A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | カーボン基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769727A (ja) |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP5238883A patent/JPH0769727A/ja active Pending
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